JP6502026B2 - Sheet-like resin composition, laminated sheet and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents

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Description

本発明は、シート状樹脂組成物、積層シート及び半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a sheet-shaped resin composition, a laminated sheet, and a method of manufacturing a semiconductor device.

近年、半導体装置及びそのパッケージの薄型化、小型化がより一層求められている。そのための方策として、半導体チップ等の半導体素子が基板上にフリップチップボンディングにより実装された(フリップチップ接続された)フリップチップ型の半導体装置が広く利用されている。フリップチップ接続は、半導体チップの回路面を被着体の電極形成面と対向した状態とし(フェイスダウン)、半導体チップの回路面に形成された突起電極と被着体の電極とを接合することで固定する実装法である。   In recent years, thinning and downsizing of semiconductor devices and their packages are further required. As a measure therefor, a flip chip type semiconductor device in which semiconductor elements such as semiconductor chips are mounted on a substrate by flip chip bonding (flip chip connection) is widely used. In flip chip connection, the circuit surface of the semiconductor chip faces the electrode formation surface of the adherend (face down), and the projection electrode formed on the circuit surface of the semiconductor chip and the electrode of the adherend are joined. It is an implementation method fixed by.

フリップチップ接続後には、半導体素子表面の保護や半導体素子と基板との間の接続信頼性を確保するために、半導体素子と基板との間の空間への封止樹脂の充填が行われている。このような封止樹脂としては、液状の封止樹脂が広く用いられているものの、液状の封止樹脂では注入位置や注入量の調節が困難である。そこで、シート状の封止樹脂(アンダーフィルシート)を用いて半導体素子と基板との間の空間を充填する技術が提案されている(特許文献1)。   After flip chip bonding, the space between the semiconductor element and the substrate is filled with a sealing resin in order to protect the surface of the semiconductor element and ensure connection reliability between the semiconductor element and the substrate. . Although a liquid sealing resin is widely used as such a sealing resin, it is difficult to control the injection position and the injection amount in the liquid sealing resin. Therefore, a technique has been proposed in which the space between the semiconductor element and the substrate is filled using a sheet-like sealing resin (underfill sheet) (Patent Document 1).

一般的に、アンダーフィルシートとしてシート状樹脂組成物を用いるプロセスでは、半導体素子に貼りつけられているシート状樹脂組成物にて基板等の被着体と半導体素子の間の空間を充填しながら半導体素子を被着体に接続して実装するという手順が採用されている。上記プロセスでは、被着体と半導体素子との間の空間の充填が容易となる。   Generally, in the process of using a sheet-like resin composition as an underfill sheet, the space between the adherend such as a substrate and the semiconductor element is filled with the sheet-like resin composition attached to the semiconductor element. The procedure of connecting and mounting the semiconductor element to the adherend is adopted. In the above process, the space between the adherend and the semiconductor element can be easily filled.

特許第4438973号Patent No. 4438973

上記プロセスでは、半導体素子に貼り合わされたシート状樹脂組成物と被着体とが貼り合わされることになることから、シート状樹脂組成物には被着体表面の凹凸に追従して密着することが求められる。しかしながら、被着体上の電極等の立体構造物の数の増加や回路の狭小化に伴い、シート状樹脂組成物の被着体への密着の度合いが低下し、被着体とシート状樹脂組成物との間にボイド(気泡)が発生する場合がある。このような気泡が存在すると、以降の工程において減圧処理や加熱処理を行った場合に気泡が膨張して被着体とシート状樹脂組成物との間の密着性が低下することがあり、その結果、半導体素子を被着体に実装した際の半導体素子と被着体との接続信頼性が低下することになる。特に、比較的スケールの大きい従来の半導体装置であれば微小なボイドの存在は無視し得たものの、半導体装置の小型化・薄型化が進むにつれて微小なボイドの影響を無視し得なくなってきている。   In the above process, the sheet-shaped resin composition bonded to the semiconductor element is bonded to the adherend, so that the sheet-shaped resin composition adheres closely to the irregularities on the surface of the adherend. Is required. However, as the number of three-dimensional structures such as electrodes on the adherend increases and the circuit is narrowed, the degree of adhesion of the sheet-like resin composition to the adherend decreases, and the adherend and the sheet-like resin composition In some cases, voids (air bubbles) may occur. When such air bubbles exist, the air bubbles may expand when pressure reduction treatment or heat treatment is performed in the subsequent steps, and the adhesion between the adherend and the sheet-like resin composition may be reduced. As a result, the connection reliability between the semiconductor element and the adherend when the semiconductor element is mounted on the adherend is reduced. In particular, although the presence of microvoids can be ignored in the case of relatively large-scale conventional semiconductor devices, the effects of microvoids can not be ignored as the miniaturization and thinning of semiconductor devices progress. .

本発明は、被着体とシート状樹脂組成物との界面での信頼性に影響するボイドの発生を抑制し、高信頼性の半導体装置を製造可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of manufacturing a highly reliable semiconductor device by suppressing the generation of a void which affects the reliability at the interface between an adherend and a sheet-like resin composition. To aim.

本願発明者らは鋭意検討したところ、下記構成を採用することにより前記目的を達成できることを見出して、本発明を完成させるに至った。   As a result of intensive studies, the inventors of the present invention have found that the above object can be achieved by adopting the following constitution, and have completed the present invention.

すなわち、本発明は、被着体と該被着体と電気的に接続された半導体素子との間の空間を充填するための熱硬化性のシート状樹脂組成物であって、
前記シート状樹脂組成物の粘度を、温度範囲50℃〜250℃、昇温速度10℃/min、周波数1Hzの測定条件にて測定したとき、
温度150℃における粘度η150が0.05MPa・s≦η150≦2.2MPa・sであり、
温度200℃における粘度η200が1.0MPa・s≦η200≦100.0MPa・sである。
That is, the present invention is a thermosetting sheet-like resin composition for filling a space between an adherend and a semiconductor element electrically connected to the adherend,
When the viscosity of the sheet-like resin composition is measured under the measurement conditions of a temperature range of 50 ° C. to 250 ° C., a temperature raising rate of 10 ° C./min, and a frequency of 1 Hz,
The viscosity η 150 at a temperature of 150 ° C. is 0.05 MPa · s ≦ η 150 ≦ 2.2 MPa · s,
The viscosity η 200 at a temperature of 200 ° C. is 1.0 MPa · s ≦ η 200 ≦ 100.0 MPa · s.

当該シート状樹脂組成物では、所定の測定条件にて粘度を測定した際、温度150℃における粘度η150が0.05MPa・s≦η150≦2.2MPa・sである。熱硬化性の当該シート状樹脂組成物は、150℃では、それまで未硬化であった状態から熱硬化を開始する段階か、又は熱硬化が進行しつつある段階にある。これと同時に、ボイドが存在する場合、それが極微小なボイドであっても昇温とともにボイドの膨張の度合いが大きくなる。熱硬化の初期段階で粘度η150を上記範囲とすることにより、ボイドの膨張を抑えることが可能な程度に粘度が上昇しており、かつ被着体−半導体素子間の良好な接合状態が形成される程度に粘度の上昇が抑えられている状態とすることができる。粘度η150が低すぎるとボイドの膨張の抑制が困難となり、高すぎると被着体と半導体素子の接合が不十分となるおそれがある。 In the sheet-like resin composition, when the viscosity was measured at predetermined measurement conditions, the viscosity eta 0.99 at a temperature 0.99 ° C. is 0.05MPa · s ≦ η 150 ≦ 2.2MPa · s. At 150 ° C., the thermosetting resin sheet resin composition is in the stage of starting the thermal curing from the state of being uncured until that time or in the stage of the thermal curing is in progress. At the same time, if a void is present, the degree of expansion of the void increases as the temperature rises, even if it is a very small void. By setting the viscosity 150 150 in the above range at the initial stage of heat curing, the viscosity is increased to such an extent that the expansion of the void can be suppressed, and a good bonding state between the adherend and the semiconductor element is formed. It is possible to suppress the increase in viscosity to a certain extent. When the viscosity 150 150 is too low, it is difficult to suppress the expansion of the void, and when it is too high, there is a possibility that the bonding between the adherend and the semiconductor element becomes insufficient.

さらに、当該シート状樹脂組成物では、温度200℃における粘度η200が1.0MPa・s≦η200≦100.0MPa・sである。熱硬化性の当該シート状樹脂組成物は、200℃では、熱硬化が相当程度進み、熱硬化反応が収束に至ったと見なせる段階(便宜上、この段階を「完全硬化」という。)に近い状態にある。ボイドが存在する場合、200℃という高温では膨張の度合がより大きくなるものの、熱硬化の終盤の段階で粘度η200を上記範囲とすることにより、ボイドの膨張を抑制することができる。粘度η200が低すぎるとボイドの膨張の抑制が不十分となり、高すぎると被着体と半導体素子の接合が不十分となるおそれがある。 Further, in the sheet-like resin composition, the viscosity η 200 at a temperature of 200 ° C. is 1.0 MPa · s ≦ η 200 ≦ 100.0 MPa · s. At 200 ° C., the thermosetting resin sheet resin composition has a considerable degree of thermal curing, and it can be considered that the thermal curing reaction has reached convergence (this stage is referred to as “complete cure” for the sake of convenience). is there. When voids are present, the degree of expansion becomes higher at a high temperature of 200 ° C., but expansion of the voids can be suppressed by setting the viscosity η 200 in the above range at the final stage of heat curing. When the viscosity 200 200 is too low, suppression of expansion of the void becomes insufficient. When the viscosity 200 200 is too high, bonding between the adherend and the semiconductor element may be insufficient.

このように、本発明は、シート状樹脂組成物付きの半導体素子を被着体に貼り合わせた後のシート状樹脂組成物を熱硬化させるための加熱過程におけるボイドの膨張現象に着目し、各温度での粘度を制御することによりボイドの膨張を抑制して微小な状態のままとするという新規なコンセプトに基づく技術思想である。当該シート状樹脂組成物により、仮にボイドの噛み込みが生じたとしても、優れた接続信頼性を有する半導体装置を製造することができる。   Thus, the present invention focuses on the void expansion phenomenon in the heating process for thermally curing the sheet-like resin composition after the semiconductor element with the sheet-like resin composition is bonded to the adherend. It is a technical concept based on a novel concept of suppressing the expansion of the void and keeping it in a minute state by controlling the viscosity at the temperature. The sheet-like resin composition can produce a semiconductor device having excellent connection reliability even if void biting occurs.

前記測定条件にて前記シート状樹脂組成物の粘度を測定したとき、さらに、温度80℃における粘度η80が0.001MPa・s≦η80≦1.0MPa・sであることが好ましい。当該シート状樹脂組成物の温度80℃における粘度η80を上記範囲とすることにより、被着体と当該シート状樹脂組成物との貼り合わせ時に当該シート状樹脂組成物が被着体上の凹凸に十分に追従するので、ボイドの噛み込みを防止することができる。その結果、当初からの要素間のボイドの絶対量を低減することができ、より接続信頼性の良好な半導体装置を製造することができる。粘度η80が低すぎると被着体−半導体素子間からのはみ出し量が大きくなり、高すぎると被着体の凹凸への追従性が低下してしまう。 When the viscosity of the said sheet-like resin composition is measured on the said measurement conditions, it is further more preferable that viscosity (eta) 80 in the temperature of 80 degreeC is 0.001MPa.s <= (eta) 80 <= 1.0MPa.s. By setting the viscosity 80 80 of the sheet-shaped resin composition at a temperature of 80 ° C. in the above range, the sheet-shaped resin composition has irregularities on the adherend when the adherend and the sheet-shaped resin composition are laminated. Sufficiently to prevent the biting of the void. As a result, the absolute amount of voids between elements from the beginning can be reduced, and a semiconductor device with better connection reliability can be manufactured. When the viscosity 80 80 is too low, the amount of protrusion from the adherend-semiconductor element becomes large, and when it is too high, the ability to follow the irregularities of the adherend is reduced.

前記粘度η80が0.01MPa・s≦η80≦0.1MPa・sであり、前記粘度η150が0.1MPa・s≦η150≦2.2MPa・sであり、前記粘度η200が1.0MPa・s≦η200≦50.0MPa・sであることが好ましい。各温度での粘度を上記範囲に制御することにより、被着体の凹凸への追従、ボイドの膨張の抑制及び被着体と半導体素子との接合のいずれをもより高いレベルで達成することができる。 The viscosity η 80 is 0.01 MPa · s ≦ η 80 ≦ 0.1 MPa · s, the viscosity η 150 is 0.1 MPa · s ≦ η 150 ≦ 2.2 MPa · s, and the viscosity 200 200 is 1 It is preferable that 0 MPa · s ≦ s 200 ≦ 50.0 MPa · s. By controlling the viscosity at each temperature within the above range, it is possible to achieve higher levels of following the irregularities of the adherend, suppressing the expansion of the void and bonding the adherend to the semiconductor element at a higher level. it can.

当該シート状樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、熱可塑性樹脂、無機充填剤及び熱硬化促進触媒を含有することが好ましい。これにより当該シート状樹脂組成物の粘度の制御を効率良く行うことができる。   It is preferable that the said sheet-like resin composition contains an epoxy resin, a hardening | curing agent, a thermoplastic resin, an inorganic filler, and a thermosetting acceleration catalyst. Thereby, control of the viscosity of the said sheet-like resin composition can be performed efficiently.

前記熱可塑性樹脂は、重量平均分子量が5×10以上のアクリル樹脂であることが好ましい。これにより当該シート状樹脂組成物に適度な粘度を付与することができ、ボイドの膨張をより効率的に抑制することができる。 The thermoplastic resin is preferably an acrylic resin having a weight average molecular weight of 5 × 10 5 or more. Thereby, an appropriate viscosity can be given to the said sheet-like resin composition, and expansion of a void can be suppressed more efficiently.

前記無機充填剤の平均粒径が10nm以上500nm以下であることが好ましい。これにより、当該シート状樹脂組成物の粘度の制御を容易にし、さらに当該シート状樹脂組成物に適度な透明性を付与することができる。   It is preferable that the average particle diameter of the said inorganic filler is 10 nm or more and 500 nm or less. Thereby, control of the viscosity of the said sheet-like resin composition can be made easy, and also the appropriate transparency can be provided to the said sheet-like resin composition.

前記熱硬化促進触媒は窒素原子を分子内に含む有機化合物であり、該有機化合物の分子量が50〜500であることが好ましい。これにより、当該シート状樹脂組成物の昇温に伴う熱硬化反応の進行度合いを制御することができ、その結果、各温度で所望の粘度を有するような設計が容易となる。   The said thermosetting promotion catalyst is an organic compound which contains a nitrogen atom in a molecule | numerator, It is preferable that the molecular weight of this organic compound is 50-500. Thereby, the progress degree of the thermosetting reaction accompanying temperature rising of the said sheet-like resin composition can be controlled, As a result, design which has desired viscosity in each temperature becomes easy.

本発明はまた、基材及び該基材上に設けられた粘着剤層を有する粘着テープと、
前記粘着剤層上に積層された当該シート状樹脂組成物と
を備える積層シートに関する。
The present invention also provides a pressure-sensitive adhesive tape comprising a substrate and a pressure-sensitive adhesive layer provided on the substrate,
The present invention relates to a laminated sheet comprising the sheet-like resin composition laminated on the pressure-sensitive adhesive layer.

該構成によれば、粘着テープ一体型シート状樹脂組成物が得られるため、シート状樹脂組成物が貼り合わされた半導体素子と粘着テープとを貼り合わせる工程を省略することができる点で、さらに生産性を向上させることができる。   According to this configuration, since the adhesive tape-integrated sheet-like resin composition is obtained, production can be further performed in that the step of attaching the semiconductor element to which the sheet-like resin composition is attached and the adhesive tape can be omitted. It is possible to improve the quality.

前記粘着テープは、半導体ウェハの裏面研削用テープ又はダイシングテープのいずれであってもよい。   The adhesive tape may be either a tape for back grinding of a semiconductor wafer or a dicing tape.

本発明はさらに、被着体と、該被着体と電気的に接続された半導体素子と、該被着体と該半導体素子との間の空間を充填するシート状樹脂組成物とを備える半導体装置の製造方法であって、
当該シート状樹脂組成物が前記半導体素子に貼り合わされたシート状樹脂組成物付き半導体素子を準備する工程と、
前記被着体と前記半導体素子の間の空間を前記シート状樹脂組成物で充填しつつ前記半導体素子と前記被着体とを電気的に接続する接続工程と
を含む半導体装置の製造方法に関する。
The present invention further provides a semiconductor comprising an adherend, a semiconductor element electrically connected to the adherend, and a sheet-like resin composition for filling the space between the adherend and the semiconductor element. A method of manufacturing the device,
Preparing a semiconductor element with a sheet-shaped resin composition, wherein the sheet-shaped resin composition is bonded to the semiconductor element;
The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, including a connecting step of electrically connecting the semiconductor element and the adherend while filling a space between the adherend and the semiconductor element with the sheet-like resin composition.

当該製造方法では、各温度での粘度が制御されたシート状樹脂組成物を用いているので、被着体と半導体素子との良好な接合状態を達成しつつ、ボイドの膨張を抑制して高信頼性の半導体装置を製造することができる。   In the said manufacturing method, since the sheet-like resin composition in which the viscosity in each temperature was controlled is used, the expansion of a void is suppressed and high while achieving the favorable joining state of a to-be-adhered body and a semiconductor element. A reliable semiconductor device can be manufactured.

本発明の一実施形態に係る積層シートを示す断面模式図である。It is a cross section showing a lamination sheet concerning one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造工程の一工程を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows 1 process of the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造工程の一工程を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows 1 process of the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造工程の一工程を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows 1 process of the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造工程の一工程を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows 1 process of the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造工程の一工程を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows 1 process of the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造工程の一工程を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows 1 process of the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態に係る半導体装置の製造工程の一工程を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows 1 process of the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on other embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態に係る半導体装置の製造工程の一工程を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows 1 process of the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on other embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態に係る半導体装置の製造工程の一工程を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows 1 process of the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on other embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態に係る半導体装置の製造工程の一工程を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows 1 process of the manufacturing process of the semiconductor device which concerns on other embodiment of this invention.

本発明の実施形態について、図面を参照しながら以下に説明する。ただし、図の一部又は全部において、説明に不要な部分は省略し、また説明を容易にするために拡大または縮小等して図示した部分がある。上下等の位置関係を示す用語は、特段の言及がない限り、単に説明を容易にするために用いられており、本発明の構成を限定する意図は一切ない。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, in a part or all of the drawings, parts unnecessary for the description are omitted, and there are parts illustrated in an enlarged or reduced size for ease of the explanation. Terms indicating the positional relationship such as top and bottom are used merely for the ease of explanation, unless otherwise stated, and there is no intention to limit the configuration of the present invention.

<第1実施形態>
本実施形態では、粘着テープとして裏面研削用テープを用い、シート状樹脂組成物と裏面研削用テープとが一体となった積層シート及びこれを用いる半導体装置の製造方法を例に説明する。以下の説明は、粘着剤層に関わる事項を除き、基本的にシート状樹脂組成物単独の場合にも適用することができる。
First Embodiment
In this embodiment, a tape for back grinding is used as the adhesive tape, and a laminated sheet in which the sheet-like resin composition and the tape for back grinding are integrated is described as an example of a method for manufacturing a semiconductor device using the same. The following description is basically applicable to the sheet-like resin composition alone, except for matters relating to the pressure-sensitive adhesive layer.

(積層シート)
図1に示すように、積層シート10は、裏面研削用テープ1と、裏面研削用テープ1上に積層されたシート状樹脂組成物2とを備えている。なお、シート状樹脂組成物2は、図1に示したように、半導体ウェハ3(図2A参照)との貼り合わせに十分なサイズで設けられていればよく、裏面研削用テープ1の全面に積層されていてもよい。
(Laminated sheet)
As shown in FIG. 1, the laminated sheet 10 includes a back surface grinding tape 1 and a sheet-like resin composition 2 laminated on the back surface grinding tape 1. The sheet-shaped resin composition 2 may be provided in a size sufficient for bonding with the semiconductor wafer 3 (see FIG. 2A) as shown in FIG. It may be laminated.

(シート状樹脂組成物)
本実施形態におけるシート状樹脂組成物2は、表面実装された半導体素子と被着体との間の空間を充填する封止用フィルムとして用いることができる。
(Sheet-like resin composition)
The sheet-like resin composition 2 in the present embodiment can be used as a sealing film that fills the space between the surface-mounted semiconductor element and the adherend.

シート状樹脂組成物2では、温度範囲50℃〜250℃、昇温速度10℃/min、周波数1Hzの測定条件にて粘度を測定した際、温度150℃における粘度η150が0.05MPa・s≦η150≦2.2MPa・sであればよい。さらに粘度η150は0.1MPa・s≦η150≦2.2MPa・sであることが好ましい。熱硬化性の当該シート状樹脂組成物は、150℃では、それまで未硬化であった状態から熱硬化を開始する段階か、又は熱硬化が進行しつつある段階にある。これと同時に、ボイドが存在する場合、それが極微小なボイドであっても昇温とともにボイドの膨張の度合いが大きくなる。熱硬化の初期段階で粘度η150を上記範囲とすることにより、ボイドの膨張を抑えることが可能な程度に粘度が上昇しており、かつ被着体−半導体素子間の良好な接合状態が形成される程度に粘度の上昇が抑えられている状態とすることができる。粘度η150が低すぎるとボイドの膨張の抑制が困難となり、高すぎると被着体と半導体素子の接合が不十分となるおそれがある。 In the sheet-like resin composition 2, when the viscosity is measured under the measurement conditions of a temperature range of 50 ° C. to 250 ° C., a temperature rising rate of 10 ° C./min and a frequency of 1 Hz, the viscosity η 150 at a temperature of 150 ° C. is 0.05 MPa · s. It is sufficient if η 150 2.2 2.2 MPa · s. Furthermore, the viscosity η 150 is preferably 0.1 MPa · s ≦ ・150 ≦ 2.2 MPa · s. At 150 ° C., the thermosetting resin sheet resin composition is in the stage of starting the thermal curing from the state of being uncured until that time or in the stage of the thermal curing is in progress. At the same time, if a void is present, the degree of expansion of the void increases as the temperature rises, even if it is a very small void. By setting the viscosity 150 150 in the above range at the initial stage of heat curing, the viscosity is increased to such an extent that the expansion of the void can be suppressed, and a good bonding state between the adherend and the semiconductor element is formed. It is possible to suppress the increase in viscosity to a certain extent. When the viscosity 150 150 is too low, it is difficult to suppress the expansion of the void, and when it is too high, there is a possibility that the bonding between the adherend and the semiconductor element becomes insufficient.

さらに、当該シート状樹脂組成物では、上記測定条件にて測定した温度200℃における粘度η200が1.0MPa・s≦η200≦100.0MPa・sである。さらに粘度η200は1.0MPa・s≦η200≦50.0MPa・sであることが好ましい。熱硬化性の当該シート状樹脂組成物は、200℃では、熱硬化が相当程度進み、完全硬化に近い状態にある。ボイドが存在する場合、200℃という高温では膨張の度合がより大きくなるものの、熱硬化の終盤の段階で粘度η200を上記範囲とすることにより、ボイドの膨張を抑制することができる。粘度η200が低すぎるとボイドの膨張の抑制が不十分となり、高すぎると被着体と半導体素子の接合が不十分となるおそれがある。 Furthermore, in the said sheet-like resin composition, viscosity (eta) 200 in the temperature of 200 degreeC measured on the said measurement conditions is 1.0 Mpa * s <= (eta) 200 <= 100.0 Mpa * s. Furthermore, the viscosity η 200 is preferably 1.0 MPa · s ≦ ・200 ≦ 50.0 MPa · s. At 200 ° C., the thermosetting resin sheet resin composition has a considerable degree of thermal curing and is in a state close to complete curing. When voids are present, the degree of expansion becomes higher at a high temperature of 200 ° C., but expansion of the voids can be suppressed by setting the viscosity η 200 in the above range at the final stage of heat curing. When the viscosity 200 200 is too low, suppression of expansion of the void becomes insufficient. When the viscosity 200 200 is too high, bonding between the adherend and the semiconductor element may be insufficient.

上記測定条件にてシート状樹脂組成物2の粘度を測定したとき、さらに、温度80℃における粘度η80が0.001MPa・s≦η80≦1.0MPa・sであることが好ましく、0.005MPa・s≦η80≦0.5MPa・sであることが好ましい。当該シート状樹脂組成物の温度80℃における粘度η80を上記範囲とすることにより、被着体と当該シート状樹脂組成物との貼り合わせ時に当該シート状樹脂組成物が被着体上の凹凸に十分に追従するので、ボイドの噛み込みを防止することができる。その結果、当初からの要素間のボイドの絶対量を低減することができ、より接続信頼性の良好な半導体装置を製造することができる。粘度η80が低すぎると被着体−半導体素子間からのはみ出し量が大きくなり、高すぎると被着体の凹凸への追従性が低下してしまう。 When the viscosity of the sheet-like resin composition 2 is measured under the above measurement conditions, it is further preferable that the viscosity η 80 at a temperature of 80 ° C. be 0.001 MPa · s ≦ s 80 ≦ 1.0 MPa · s. It is preferable that 005 MPa · s ≦ η 80 ≦ 0.5 MPa · s. By setting the viscosity 80 80 of the sheet-shaped resin composition at a temperature of 80 ° C. in the above range, the sheet-shaped resin composition has irregularities on the adherend when the adherend and the sheet-shaped resin composition are laminated. Sufficiently to prevent the biting of the void. As a result, the absolute amount of voids between elements from the beginning can be reduced, and a semiconductor device with better connection reliability can be manufactured. When the viscosity 80 80 is too low, the amount of protrusion from the adherend-semiconductor element becomes large, and when it is too high, the ability to follow the irregularities of the adherend is reduced.

シート状樹脂組成物の構成材料としては、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを併用したものが挙げられる。又、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂単独でも使用可能である。   As a constituent material of a sheet-like resin composition, what used together a thermoplastic resin and a thermosetting resin is mentioned. Also, thermoplastic resins and thermosetting resins can be used alone.

前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、6−ナイロンや6,6−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、PETやPBT等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。   As the thermoplastic resin, natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, heat Plastic polyimide resin, polyamide resin such as 6-nylon or 6,6-nylon, phenoxy resin, acrylic resin, saturated polyester resin such as PET or PBT, polyamide imide resin, or fluorine resin, etc. may be mentioned. These thermoplastic resins can be used alone or in combination of two or more. Among these thermoplastic resins, an acrylic resin which is low in ionic impurities and high in heat resistance and can ensure the reliability of the semiconductor element is particularly preferable.

前記アクリル樹脂の重量平均分子量は5×10以上であることが好ましく、7×10以上であることが好ましい。これにより当該シート状樹脂組成物に適度な粘度を付与することができ、ボイドの膨張をより効率的に抑制することができる。なお、粘度の過度の上昇を抑制する観点から、上記重量平均分子量は1×10以下であることが好ましい。 The weight average molecular weight of the acrylic resin is preferably 5 × 10 5 or more, and more preferably 7 × 10 5 or more. Thereby, an appropriate viscosity can be given to the said sheet-like resin composition, and expansion of a void can be suppressed more efficiently. From the viewpoint of suppressing an excessive increase in viscosity, the weight average molecular weight is preferably 1 × 10 7 or less.

前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数30以下、特に炭素数4〜18の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの1種又は2種以上を成分とする重合体等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、へキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。   The acrylic resin is not particularly limited, and one or two or more kinds of esters of acrylic acid or methacrylic acid having a linear or branched alkyl group having 30 or less carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms, are not particularly limited. The polymer etc. which are used as a component are mentioned. Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, t-butyl group, isobutyl group, amyl group, isoamyl group, hexyl group, heptyl group, cyclohexyl group, 2 -Ethylhexyl group, octyl group, isooctyl group, nonyl group, isononyl group, decyl group, isodecyl group, undecyl group, lauryl group, tridecyl group, tetradecyl group, stearyl group, octadecyl group, dodecyl group and the like.

また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸6−ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸8−ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸10−ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸12−ヒドロキシラウリル若しくは(4−ヒドロキシメチルシクロヘキシル)メチル(メタ)アクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート若しくは(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は2−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマー、アクリロニトリル等のようなシアノ基含有モノマー等が挙げられる。   The other monomers forming the polymer are not particularly limited, and examples thereof include acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid and crotonic acid. Acid-containing monomers such as maleic anhydride or itaconic anhydride, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4- (meth) acrylate Hydroxybutyl, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate or (4-hydroxymethylcyclohexyl) Methyl (Me ) A hydroxyl group-containing monomer such as acrylate, styrene sulfonic acid, allyl sulfonic acid, 2- (meth) acrylamido-2-methylpropane sulfonic acid, (meth) acrylamidopropane sulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate or (meth) A sulfonic acid group-containing monomer such as acryloyloxy naphthalene sulfonic acid or a phosphoric acid group-containing monomer such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate or a cyano group-containing monomer such as acrylonitrile.

前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は2種以上を併用して用いることができる。特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。   As said thermosetting resin, a phenol resin, an amino resin, unsaturated polyester resin, an epoxy resin, a polyurethane resin, a silicone resin, or a thermosetting polyimide resin etc. are mentioned. These resins can be used alone or in combination of two or more. In particular, an epoxy resin having a low content of ionic impurities and the like that corrode semiconductor elements is preferable. Moreover, as a hardening agent of an epoxy resin, a phenol resin is preferable.

前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ビスフェノールS型、臭素化ビスフェノールA型、水添ビスフェノールA型、ビスフェノールAF型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。   The epoxy resin is not particularly limited as long as it is generally used as an adhesive composition, and, for example, bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type , Biphenyl type, naphthalene type, fluonene type, phenol novolak type, ortho cresol novolak type, trishydroxyphenylmethane type, bifunctional epoxy resin such as tetraphenylol ethane type and polyfunctional epoxy resin, or hydantoin type, trisglycidyl isocyanurate An epoxy resin such as epoxy resin or glycidyl amine is used. These can be used alone or in combination of two or more. Among these epoxy resins, novolac epoxy resins, biphenyl epoxy resins, trishydroxyphenylmethane resins or tetraphenylolethane epoxy resins are particularly preferable. It is because these epoxy resins are rich in reactivity with a phenol resin as a curing agent, and excellent in heat resistance and the like.

さらに、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、tert−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。   Furthermore, the phenol resin acts as a curing agent for the epoxy resin, and for example, novolac type phenol resin such as phenol novolac resin, phenol aralkyl resin, cresol novolac resin, tert-butylphenol novolac resin, nonylphenol novolac resin, Examples thereof include resol-type phenolic resin and polyoxystyrene such as polyparaoxystyrene. These can be used alone or in combination of two or more. Among these phenol resins, phenol novolak resins and phenol aralkyl resins are particularly preferable. This is because connection reliability of the semiconductor device can be improved.

前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基1当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が0.5〜2.0当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、0.8〜1.2当量である。すなわち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。   The blending ratio of the epoxy resin and the phenol resin is preferably such that, for example, the hydroxyl group in the phenol resin is 0.5 to 2.0 equivalents per equivalent of the epoxy group in the epoxy resin component. More preferred is 0.8 to 1.2 equivalents. That is, when the mixing ratio of the both is out of the above range, a sufficient curing reaction does not proceed, and the characteristics of the cured epoxy resin product are easily deteriorated.

なお、本実施形態においては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂を用いたシート状樹脂組成物が特に好ましい。これらの樹脂は、イオン性不純物が少なく耐熱性が高いので、半導体素子の信頼性を確保できる。この場合の配合比は、アクリル樹脂成分100重量部に対して、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の混合量が10〜1000重量部である。   In the present embodiment, a sheet-like resin composition using an epoxy resin, a phenol resin and an acrylic resin is particularly preferable. Since these resins have few ionic impurities and high heat resistance, the reliability of the semiconductor element can be secured. In this case, the mixing ratio of the epoxy resin and the phenol resin is 10 to 1000 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the acrylic resin component.

エポキシ樹脂とフェノール樹脂の熱硬化促進触媒としては、特に制限されず、公知の熱硬化促進触媒の中から適宜選択して用いることができる。熱硬化促進触媒は単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。熱硬化促進触媒としては、例えば、アミン系熱硬化促進触媒、リン系熱硬化促進触媒、イミダゾール系熱硬化促進触媒、ホウ素系熱硬化促進触媒、リン−ホウ素系熱硬化促進触媒などを用いることができる。   There is no particular limitation on the heat curing promoting catalyst of the epoxy resin and the phenol resin, and it can be appropriately selected and used from known heat curing promoting catalysts. The heat curing promoting catalyst can be used alone or in combination of two or more. As the heat curing promoting catalyst, for example, an amine heat curing promoting catalyst, a phosphorus heat curing promoting catalyst, an imidazole heat curing promoting catalyst, a boron heat curing promoting catalyst, a phosphorus-boron heat curing promoting catalyst, etc. may be used it can.

中でも、熱硬化促進触媒は窒素原子を分子内に含む有機化合物であり、該有機化合物の分子量が50〜500であることが好ましい。これにより、当該シート状樹脂組成物の昇温に伴う熱硬化反応の進行度合いを制御することができ、その結果、各温度で所望の粘度を有するような設計が容易となる。上記有機化合物の例としては、イミダゾール系熱硬化促進触媒を好適に用いることができる。市販品も好適に利用可能であり、例えば、商品名「2PHZ−PW」(四国化成株式会社製)等が挙げられる。   Among them, the thermosetting promotion catalyst is an organic compound containing a nitrogen atom in the molecule, and the molecular weight of the organic compound is preferably 50 to 500. Thereby, the progress degree of the thermosetting reaction accompanying temperature rising of the said sheet-like resin composition can be controlled, As a result, design which has desired viscosity in each temperature becomes easy. As an example of the said organic compound, an imidazole series thermosetting acceleration | stimulation catalyst can be used suitably. Commercially available products can also be suitably used, and examples thereof include the trade name "2PHZ-PW" (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.).

シート状樹脂組成物2には、はんだバンプの表面の酸化膜を除去して半導体素子の実装を容易にするために、フラックスを添加してもよい。フラックスとしては特に限定されず、従来公知のフラックス作用を有する化合物を用いることができ、例えば、ジフェノール酸、アジピン酸、アセチルサリチル酸、安息香酸、ベンジル酸、アゼライン酸、ベンジル安息香酸、マロン酸、2,2−ビス(ヒドロキシメチル)プロピオン酸、サリチル酸、o−メトキシ安息香酸(o−アニス酸)、m−ヒドロキシ安息香酸、コハク酸、2,6−ジメトキシメチルパラクレゾール、安息香酸ヒドラジド、カルボヒドラジド、マロン酸ジヒドラジド、コハク酸ジヒドラジド、グルタル酸ジヒドラジド、サリチル酸ヒドラジド、イミノジ酢酸ジヒドラジド、イタコン酸ジヒドラジド、クエン酸トリヒドラジド、チオカルボヒドラジド、ベンゾフェノンヒドラゾン、4,4’−オキシビスベンゼンスルホニルヒドラジド及びアジピン酸ジヒドラジド等が挙げられる。フラックスの添加量は上記フラックス作用が発揮される程度であればよく、通常、シート状樹脂組成物に含まれる樹脂成分100重量部に対して0.1〜20重量部程度である。   A flux may be added to the sheet-shaped resin composition 2 in order to remove the oxide film on the surface of the solder bumps to facilitate the mounting of the semiconductor element. The flux is not particularly limited, and conventionally known compounds having a flux action can be used, for example, diphenolic acid, adipic acid, acetylsalicylic acid, benzoic acid, benzylic acid, azelaic acid, benzylbenzoic acid, malonic acid, 2,2-bis (hydroxymethyl) propionic acid, salicylic acid, o-methoxybenzoic acid (o-anisic acid), m-hydroxybenzoic acid, succinic acid, 2,6-dimethoxymethyl paracresol, benzoic acid hydrazide, carbohydrazide Malonic acid dihydrazide, succinic acid dihydrazide, glutaric acid dihydrazide, salicylic acid hydrazide, iminodiacetic acid dihydrazide, itaconic acid dihydrazide, citric acid trihydrazide, thiocarbohydrazide, benzophenone hydrazone, 4,4'-oxybisbenzene sulfone Ruhidorajido and adipic acid dihydrazide and the like. The addition amount of the flux may be such that the above-mentioned flux action is exhibited, and is usually about 0.1 to 20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin component contained in the sheet-like resin composition.

本実施形態では、シート状樹脂組成物2は着色しても良い。シート状樹脂組成物2において、着色により呈している色としては特に制限されないが、例えば、黒色、青色、赤色、緑色などが好ましい。着色に際しては、顔料、染料などの公知の着色剤の中から適宜選択して用いることができる。   In the present embodiment, the sheet-like resin composition 2 may be colored. The color of the sheet-shaped resin composition 2 is not particularly limited as it is colored, but for example, black, blue, red, green and the like are preferable. In the case of coloring, it can select suitably from known coloring agents, such as a pigment and dye, and can use it.

本実施形態のシート状樹脂組成物2を予めある程度架橋をさせておく場合には、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくのがよい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。   When the sheet-shaped resin composition 2 of the present embodiment is previously crosslinked to some extent, a polyfunctional compound that reacts with a functional group at the molecular chain terminal end of the polymer is added as a crosslinking agent in preparation. That's good. Thereby, the adhesion characteristic under high temperature can be improved and heat resistance can be improved.

前記架橋剤としては、特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、p−フェニレンジイソシアネート、1,5−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。架橋剤の添加量としては、前記の重合体100重量部に対し、通常0.05〜7重量部とするのが好ましい。架橋剤の量が7重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。その一方、0.05重量部より少ないと、凝集力が不足するので好ましくない。また、この様なポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じて、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよい。   As the crosslinking agent, polyisocyanate compounds such as tolylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, p-phenylene diisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, and an adduct of polyhydric alcohol and diisocyanate are particularly preferable. The amount of the crosslinking agent to be added is preferably 0.05 to 7 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer. If the amount of the crosslinking agent is more than 7 parts by weight, the adhesive strength is unfavorably reduced. On the other hand, if the amount is less than 0.05 parts by weight, the cohesion is insufficient, which is not preferable. Further, other polyfunctional compounds such as epoxy resin may be included together with such a polyisocyanate compound, if necessary.

また、シート状樹脂組成物2には、無機充填剤を適宜配合することができる。無機充填剤の配合は、導電性の付与や熱伝導性の向上、貯蔵弾性率の調節等を可能にする。   Moreover, an inorganic filler can be suitably mix | blended with the sheet-like resin composition 2. As shown in FIG. The blending of the inorganic filler makes it possible to impart conductivity, improve the thermal conductivity, adjust the storage elastic modulus, and the like.

前記無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、はんだ等の金属、又は合金類、その他カーボン等からなる種々の無機粉末が挙げられる。これらは、単独で又は2種以上を併用して用いることができる。なかでも、シリカ、特に溶融シリカが好適に用いられる。   Examples of the inorganic filler include silica, clay, gypsum, calcium carbonate, barium sulfate, alumina, beryllium oxide, silicon carbide, ceramics such as silicon nitride, aluminum, copper, silver, gold, nickel, chromium, lead And various inorganic powders composed of metals such as tin, zinc, palladium, solder, or alloys, and other carbon. These can be used alone or in combination of two or more. Among them, silica, particularly fused silica, is suitably used.

無機充填剤の平均粒径は特に限定されないものの、10nm以上500nm以下が好ましく、20nm以上400nm以下がより好ましく、50nm以上300nm以下がさらに好ましい。無機充填剤の平均粒径を上記範囲とすることで、シート状樹脂組成物の粘度の制御を容易にし、さらにシート状樹脂組成物に適度な透明性を付与することができる。上記無機充填剤の平均粒径が小さ過ぎると、粒子の凝集が発生しやすくなり、シート状樹脂組成物の形成や粘度の制御が困難となる場合がある。一方、上記平均粒径が大き過ぎると、シート状樹脂組成物の透明性が低下したり、シート状樹脂組成物と被着体との接合部への無機粒子の噛み込みが発生しやすくなるため、半導体装置の接続信頼性が低下したりするおそれがある。なお、本発明においては、平均粒径が相互に異なる無機充填剤同士を組み合わせて使用してもよい。また、平均粒径は、光度式の粒度分布計(HORIBA製、装置名;LA−910)により求めた値である。   Although the average particle diameter of the inorganic filler is not particularly limited, it is preferably 10 nm to 500 nm, more preferably 20 nm to 400 nm, and still more preferably 50 nm to 300 nm. By making the average particle diameter of an inorganic filler into the said range, control of the viscosity of a sheet-like resin composition can be made easy, and also appropriate transparency can be provided to a sheet-like resin composition. When the average particle diameter of the inorganic filler is too small, aggregation of the particles is likely to occur, and it may be difficult to form the sheet-like resin composition and to control the viscosity. On the other hand, when the average particle diameter is too large, the transparency of the sheet-shaped resin composition is reduced, and biting of the inorganic particles into the junction between the sheet-shaped resin composition and the adherend tends to occur. The connection reliability of the semiconductor device may be reduced. In the present invention, inorganic fillers having mutually different average particle sizes may be used in combination. Further, the average particle diameter is a value determined by a light intensity type particle size distribution analyzer (manufactured by HORIBA, device name; LA-910).

前記無機充填剤の配合量は、シート状樹脂組成物がアクリル樹脂を含む場合、アクリル樹脂成分100重量部に対し100〜1500重量部であることが好ましく、200〜1000重量部がより好ましい。無機充填剤の配合量が10重量部未満であると、貯蔵弾性率が低下しパッケージの応力信頼性が大きく損なわれる場合がある。一方、400重量部を超えると、全光線透過率の低下の原因となったり、シート状樹脂組成物2の流動性が低下し基板や半導体素子の凹凸に十分に埋まり込まずにボイドやクラックの原因となったりする場合がある。   It is preferable that it is 100-1500 weight part with respect to 100 weight part of acrylic resin components, and, as for the compounding quantity of the said inorganic filler, 200-1000 weight part is more preferable, when a sheet-like resin composition contains an acrylic resin. If the blending amount of the inorganic filler is less than 10 parts by weight, the storage elastic modulus may be lowered and the stress reliability of the package may be greatly impaired. On the other hand, if it exceeds 400 parts by weight, it may cause a decrease in the total light transmittance, or the flowability of the sheet-like resin composition 2 may decrease, and the resin composition 2 may not be sufficiently embedded in the unevenness of the substrate or the semiconductor element. It may be the cause.

シート状樹脂組成物は、上述したようなエポキシ樹脂、硬化剤、熱可塑性樹脂、無機充填剤及び熱硬化促進触媒を含有することが好ましい。これによりシート状樹脂組成物の粘度の制御を効率良く行うことができる。   The sheet-like resin composition preferably contains an epoxy resin as described above, a curing agent, a thermoplastic resin, an inorganic filler, and a thermosetting acceleration catalyst. Thereby, control of the viscosity of a sheet-like resin composition can be performed efficiently.

なお、シート状樹脂組成物2には、前記無機充填剤以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−(3、4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は2種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は2種以上を併用して用いることができる。   In addition to the inorganic filler, the sheet-like resin composition 2 may appropriately contain other additives as needed. Other additives include, for example, flame retardants, silane coupling agents, and ion trapping agents. Examples of the flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, brominated epoxy resin and the like. These can be used alone or in combination of two or more. Examples of the silane coupling agent include β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, and γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane. These compounds can be used alone or in combination of two or more. Examples of the ion trap agent include hydrotalcites and bismuth hydroxide. These can be used alone or in combination of two or more.

さらに、熱硬化前の上記シート状樹脂組成物2の温度23℃、湿度70%の条件下における吸水率は、1重量%以下であることが好ましく、0.5重量%以下であることがより好ましい。シート状樹脂組成物2が上記のような吸水率を有することにより、シート状樹脂組成物2への水分の吸収が抑制され、半導体素子5の実装時のボイドの発生をより効率的に抑制することができる。なお、上記吸水率の下限は小さいほど好ましく、実質的に0重量%が好ましく、0重量%であることがより好ましい。   Furthermore, the water absorption of the sheet-shaped resin composition 2 before heat curing under the conditions of a temperature of 23 ° C. and a humidity of 70% is preferably 1% by weight or less, and more preferably 0.5% by weight or less preferable. When the sheet-shaped resin composition 2 has the above-described water absorption, absorption of water into the sheet-shaped resin composition 2 is suppressed, and generation of voids during mounting of the semiconductor element 5 is suppressed more efficiently. be able to. The lower limit of the water absorption rate is preferably as small as possible, substantially preferably 0% by weight, and more preferably 0% by weight.

シート状樹脂組成物2の厚さ(複層の場合は総厚)は特に限定されないものの、シート状樹脂組成物2の強度や半導体素子5と被着体16との間の空間の充填性を考慮すると10μm以上100μm以下程度であってもよい。なお、シート状樹脂組成物2の厚さは、半導体素子5と被着体16との間のギャップや接続部材の高さを考慮して適宜設定すればよい。   Although the thickness (total thickness in the case of multiple layers) of the sheet-shaped resin composition 2 is not particularly limited, the strength of the sheet-shaped resin composition 2 and the filling property of the space between the semiconductor element 5 and the adherend 16 are not limited. When considering it, it may be about 10 μm or more and 100 μm or less. The thickness of the sheet-shaped resin composition 2 may be appropriately set in consideration of the gap between the semiconductor element 5 and the adherend 16 and the height of the connecting member.

積層シート10のシート状樹脂組成物2は、セパレータにより保護されていることが好ましい(図示せず)。セパレータは、実用に供するまでシート状樹脂組成物2を保護する保護材としての機能を有している。セパレータは積層シートのシート状樹脂組成物2上に半導体ウェハ3を貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。   The sheet-like resin composition 2 of the laminated sheet 10 is preferably protected by a separator (not shown). The separator has a function as a protective material that protects the sheet-like resin composition 2 until it is put to practical use. The separator is peeled off when the semiconductor wafer 3 is stuck on the sheet-shaped resin composition 2 of the laminated sheet. As the separator, it is also possible to use a plastic film or paper surface-coated with a release agent such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, a fluorine-based release agent, and a long chain alkyl acrylate release agent.

(裏面研削用テープ)
裏面研削用テープ1は、基材1aと、基材1a上に積層された粘着剤層1bとを備えている。なお、シート状樹脂組成物2は、粘着剤層1b上に積層されている。
(Tape for back surface grinding)
The back-grinding tape 1 includes a base 1 a and an adhesive layer 1 b laminated on the base 1 a. The sheet-like resin composition 2 is laminated on the pressure-sensitive adhesive layer 1 b.

(基材)
上記基材1aは積層シート10の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル(ランダム、交互)共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド(紙)、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属(箔)、紙等が挙げられる。粘着剤層1bが紫外線硬化型である場合、基材1aは紫外線に対し透過性を有するものが好ましい。
(Base material)
The base material 1 a is to be a strength base of the laminated sheet 10. For example, low density polyethylene, linear polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymer polypropylene, block copolymer polypropylene, polyolefin such as homopolypropylene, polybutene, polymethylpentene, ethylene-acetic acid Vinyl copolymer, ionomer resin, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester (random, alternating) copolymer, ethylene-butene copolymer, ethylene-hexene copolymer, Polyurethane, polyester such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyimide, polyetheretherketone, polyimide, polyetherimide, polyamide, wholly aromatic polyamide, polyphenylsulf De, aramid (paper), glass, glass cloth, fluorine resin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, cellulose resin, silicone resin, metal (foil), paper, and the like. In the case where the pressure-sensitive adhesive layer 1 b is of the ultraviolet curing type, the substrate 1 a is preferably one having permeability to ultraviolet light.

また基材1aの材料としては、上記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。上記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。   Moreover, polymers, such as a crosslinked body of the said resin, are mentioned as a material of the base material 1a. The plastic film may be used without stretching, and may be uniaxially or biaxially stretched as required.

基材1aの表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高めるため、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤(例えば、後述する粘着物質)によるコーティング処理を施すことができる。   The surface of the substrate 1a is subjected to conventional surface treatment, for example, chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high piezoelectric bombardment exposure, ionizing radiation treatment, etc., in order to enhance adhesion with the adjacent layer, retention, etc. Alternatively, physical treatment or coating treatment with a primer (for example, an adhesive substance described later) can be applied.

上記基材1aは、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、基材1aには、帯電防止能を付与するため、上記の基材1a上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが30〜500Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材に帯電防止剤を添加することによっても帯電防止能を付与することができる。基材1aは単層又は2種以上の複層でもよい。   As the base material 1a, the same type or different types can be appropriately selected and used, and a blend of several types can be used as needed. Further, on the base material 1a, a deposited layer of a conductive substance of about 30 to 500 Å in thickness made of a metal, an alloy, an oxide of these or the like is provided on the base material 1a in order to impart antistatic ability. be able to. The antistatic ability can also be imparted by adding an antistatic agent to the substrate. The substrate 1a may be a single layer or a multilayer of two or more.

基材1aの厚さは適宜に決定でき、一般的には5μm以上200μm以下程度であり、好ましくは35μm以上120μm以下である。   The thickness of the substrate 1a can be appropriately determined, and is generally about 5 μm to 200 μm, preferably 35 μm to 120 μm.

なお、基材1aには、本発明の効果等を損なわない範囲で、各種添加剤(例えば、着色剤、充填剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、難燃剤等)が含まれていてもよい。   In addition, various additives (for example, a coloring agent, a filler, a plasticizer, an anti-aging agent, an antioxidant, a surfactant, a flame retardant, etc.) in the range which does not impair the effect etc. of the present invention to substrate 1a. May be included.

(粘着剤層)
粘着剤層1bの形成に用いる粘着剤は、裏面研削の際にシート状樹脂組成物を介して半導体ウェハをしっかり保持するとともに、裏面研削後にシート状樹脂組成物付きの半導体ウェハをダイシングテープへ移行させる際にシート状樹脂組成物付きの半導体ウェハを剥離可能に制御できるものであれば特に制限されない。例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性接着剤を用いることができる。上記感圧性接着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性などの点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
(Pressure-sensitive adhesive layer)
The adhesive used to form the adhesive layer 1b firmly holds the semiconductor wafer via the sheet-shaped resin composition during back-side grinding, and transfers the semiconductor wafer with the sheet-shaped resin composition to the dicing tape after back-side grinding It is not particularly limited as long as the semiconductor wafer with the sheet-like resin composition can be peelably controlled at the time of forming. For example, general pressure sensitive adhesives such as acrylic pressure sensitive adhesives and rubber pressure sensitive adhesives can be used. An acrylic pressure-sensitive adhesive comprising an acrylic polymer as a base polymer from the viewpoint of cleaning and cleaning by an organic solvent such as ultrapure water or alcohol of an electronic component which does not contaminate a semiconductor wafer or glass as the pressure sensitive adhesive. Is preferred.

上記アクリル系ポリマーとしては、アクリル酸エステルを主モノマー成分として用いたものが挙げられる。上記アクリル酸エステルとして、例えば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル(例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、s−ブチルエステル、t−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、2−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数1〜30、特に炭素数4〜18の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等)及び(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル(例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等)の1種又は2種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。なお、(メタ)アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び/又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の(メタ)とは全て同様の意味である。   As said acrylic polymer, what used acrylic acid ester as a main monomer component is mentioned. As the acrylic acid ester, for example, (meth) acrylic acid alkyl ester (eg, methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, pentyl ester, iso Pentyl ester, hexyl ester, heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, nonyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester, tridecyl ester, tetradecyl ester, hexadecyl ester, A linear or branched alkyl ester having 1 to 30 carbon atoms, and particularly 4 to 18 carbon atoms, of an alkyl group such as octadecyl ester, eicosyl ester, etc.) and ( Data) acrylic acid cycloalkyl esters (e.g., cyclopentyl ester, acrylic polymers such as one or more was used as a monomer component of the cyclohexyl ester etc.). In addition, (meth) acrylic acid ester means acrylic acid ester and / or methacrylic acid ester, and (meth) of this invention is all the same meaning.

上記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性などの改質を目的として、必要に応じ、上記(メタ)アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。このようなモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル(メタ)アクリレート、カルボキシペンチル(メタ)アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー;無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー;(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸6−ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸8−ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸10−ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸12−ヒドロキシラウリル、(4−ヒドロキシメチルシクロヘキシル)メチル(メタ)アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー;スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー;2−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー;アクリルアミド、アクリロニトリルなどがあげられる。これら共重合可能なモノマー成分は、1種又は2種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の40重量%以下が好ましい。   The acrylic polymer contains, as necessary, a unit corresponding to another monomer component copolymerizable with the (meth) acrylic acid alkyl ester or the cycloalkyl ester for the purpose of modifying cohesion, heat resistance, etc. It may be. As such monomer components, for example, carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid, etc .; maleic anhydride Acid anhydride monomers such as itaconic anhydride; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate Hydroxyl group-containing monomers such as 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate, (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate; The Sulfonic acid groups such as rensulfonic acid, allylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidopropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate and (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid Containing monomers; phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate; acrylamide, acrylonitrile and the like. These copolymerizable monomer components can be used alone or in combination of two or more. The amount of these copolymerizable monomers used is preferably 40% by weight or less of the total monomer components.

さらに、上記アクリル系ポリマーは、架橋させるため、多官能性モノマーなども、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。このような多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート、ポリエステル(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレートなどがあげられる。これらの多官能性モノマーも1種又は2種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の30重量%以下が好ましい。   Furthermore, since the above-mentioned acrylic polymer is crosslinked, a polyfunctional monomer or the like can also be included as a monomer component for copolymerization, if necessary. As such polyfunctional monomers, for example, hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, Pentaerythritol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, urethane (meth) An acrylate etc. are mention | raise | lifted. These polyfunctional monomers can also be used alone or in combination of two or more. The amount of the polyfunctional monomer used is preferably 30% by weight or less of all the monomer components, from the viewpoint of adhesion properties and the like.

上記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は2種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは30万以上、さらに好ましくは40万〜300万程度である。   The acrylic polymer can be obtained by subjecting a single monomer or a mixture of two or more monomers to polymerization. The polymerization can be carried out by any method such as solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization and suspension polymerization. It is preferable that the content of the low molecular weight substance is small from the viewpoint of preventing contamination to a clean adherend, and the like. From this point of view, the number average molecular weight of the acrylic polymer is preferably 300,000 or more, and more preferably about 400,000 to 3,000,000.

また、上記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高めるため、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤などのいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法があげられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、さらには、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、上記ベースポリマー100重量部に対して、5重量部程度以下、さらには0.1〜5重量部配合するのが好ましい。さらに、粘着剤には、必要により、上記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤などの添加剤を用いてもよい。   Moreover, in order to raise the number average molecular weights, such as an acryl-type polymer which is a base polymer, the said crosslinking agent can also employ | adopt an external crosslinking agent suitably. As a specific means of the external crosslinking method, there may be mentioned a method of adding and reacting a so-called crosslinking agent such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, or a melamine based crosslinking agent. When an external crosslinking agent is used, the amount used thereof is appropriately determined by the balance with the base polymer to be crosslinked, and further by the application as a pressure-sensitive adhesive. Generally, about 5 parts by weight or less, preferably 0.1 to 5 parts by weight, is preferably blended with 100 parts by weight of the base polymer. Furthermore, in the pressure-sensitive adhesive, if necessary, in addition to the components described above, various additives such as conventionally known tackifiers and anti-aging agents may be used.

粘着剤層1bは放射線硬化型粘着剤により形成することができる。放射線硬化型粘着剤は、紫外線等の放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができ、シート状樹脂組成物付きの半導体ウェハの剥離を容易に行うことができる。放射線としては、X線、紫外線、電子線、α線、β線、中性子線等が挙げられる。   The pressure-sensitive adhesive layer 1 b can be formed of a radiation-curable pressure-sensitive adhesive. The radiation-curable pressure-sensitive adhesive can increase its degree of crosslinking by irradiation with radiation such as ultraviolet rays to easily reduce its adhesion, and can easily peel off the semiconductor wafer with the sheet-like resin composition. . Examples of radiation include X-rays, ultraviolet rays, electron beams, α-rays, β-rays, and neutrons.

放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、上記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化性粘着剤を例示できる。   As the radiation-curable pressure-sensitive adhesive, those having a radiation-curable functional group such as a carbon-carbon double bond and exhibiting tackiness can be used without particular limitation. As a radiation-curable pressure-sensitive adhesive, for example, an addition-type radiation-curable adhesion in which a radiation-curable monomer component and an oligomer component are mixed with a general pressure-sensitive adhesive such as the above-mentioned acrylic pressure-sensitive adhesive and rubber pressure-sensitive adhesive. An agent can be illustrated.

配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリストールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレートなどがあげられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴマーがあげられ、その重量平均分子量が100〜30000程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、上記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー100重量部に対して、例えば5〜500重量部、好ましくは40〜150重量部程度である。   Examples of the radiation curable monomer component to be blended include urethane oligomers, urethane (meth) acrylates, trimethylolpropane tri (meth) acrylates, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylates, pentaerythritol tri (meth) acrylates, and pentaerithritol. Stall tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxy penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate and the like can be mentioned. The radiation curable oligomer component includes various oligomers such as urethane type, polyether type, polyester type, polycarbonate type and polybutadiene type, and those having a weight average molecular weight of about 100 to 30,000 are suitable. The blending amount of the radiation curable monomer component and the oligomer component can be appropriately determined according to the type of the pressure-sensitive adhesive layer, an amount capable of reducing the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer. In general, the amount is, for example, about 5 to 500 parts by weight, preferably about 40 to 150 parts by weight, with respect to 100 parts by weight of the base polymer such as an acrylic polymer constituting the adhesive.

また、放射線硬化型粘着剤としては、上記説明した添加型の放射線硬化性粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化性粘着剤があげられる。内在型の放射線硬化性粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、または多くは含まないため、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができるため好ましい。   Also, as a radiation-curable pressure-sensitive adhesive, in addition to the above-described added-type radiation-curable pressure-sensitive adhesive, as a base polymer, one having a carbon-carbon double bond in the polymer side chain or in the main chain or at the main chain end Intrinsic-type radiation-curable pressure-sensitive adhesives using The internal radiation-curable pressure-sensitive adhesive does not need to contain or do not contain an oligomer component or the like which is a low molecular weight component, so the oligomer component or the like does not move in the adhesive with time and is stable. It is preferable because a pressure-sensitive adhesive layer having a layered structure can be formed.

上記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。このようなベースポリマーしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、上記例示したアクリル系ポリマーがあげられる。   As the base polymer having a carbon-carbon double bond, one having a carbon-carbon double bond and having adhesiveness can be used without particular limitation. As such a base polymer, one having an acrylic polymer as a basic skeleton is preferable. Examples of the basic skeleton of the acrylic polymer include the acrylic polymers exemplified above.

上記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基および炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合または付加反応させる方法があげられる。   The method for introducing the carbon-carbon double bond into the acrylic polymer is not particularly limited, and various methods can be adopted, but the carbon-carbon double bond can easily be molecularly designed to be introduced into the polymer side chain. . For example, after previously copolymerizing a monomer having a functional group to an acrylic polymer, a compound having a functional group capable of reacting with this functional group and a carbon-carbon double bond can be subjected to radiation curing of a carbon-carbon double bond. The method of carrying out condensation or addition reaction while maintaining is mentioned.

これら官能基の組合せの例としては、カルボキシル基とエポキシ基、カルボキシル基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基などがあげられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、上記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと上記化合物のいずれの側にあってもよいが、上記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、上記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、m−イソプロペニル−α,α−ジメチルベンジルイソシアネートなどがあげられる。また、アクリル系ポリマーとしては、上記例示のヒドロキシ基含有モノマーや2−ヒドロキシエチルビニルエーテル、4−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物などを共重合したものが用いられる。   Examples of combinations of these functional groups include a carboxyl group and an epoxy group, a carboxyl group and an aziridyl group, and a hydroxyl group and an isocyanate group. Among the combinations of these functional groups, a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group is preferred because of easy reaction tracking. In addition, the functional group may be on either side of the acrylic polymer and the compound, as long as the combination of these functional groups produces an acrylic polymer having the carbon-carbon double bond. In the above preferred combination, it is preferable that the acrylic polymer has a hydroxyl group and the above compound has an isocyanate group. In this case, examples of the isocyanate compound having a carbon-carbon double bond include methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, and m-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl isocyanate. Further, as the acrylic polymer, those obtained by copolymerizing the above-exemplified hydroxy group-containing monomer, an ether compound of 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, diethylene glycol monovinyl ether and the like are used.

上記内在型の放射線硬化性粘着剤は、上記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー(特にアクリル系ポリマー)を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に上記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー100重量部に対して30重量部の範囲内であり、好ましくは0〜10重量部の範囲である。   The intrinsic type radiation-curable pressure-sensitive adhesive can use the base polymer (especially acrylic polymer) having the carbon-carbon double bond alone, but the radiation-curable monomer does not deteriorate the characteristics. Components and oligomer components can also be blended. The radiation curable oligomer component and the like are usually in the range of 30 parts by weight, preferably in the range of 0 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer.

上記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させることが好ましい。光重合開始剤としては、例えば、4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、α−ヒドロキシ−α,α´−ジメチルアセトフェノン、2−メチル−2−ヒドロキシプロピオフェノン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのα−ケトール系化合物;メトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフエノン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)−フェニル]−2−モルホリノプロパン−1−オンなどのアセトフェノン系化合物;ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテルなどのベンゾインエーテル系化合物;ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物;2−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳香族スルホニルクロリド系化合物;1−フェニル−1,2―プロパンジオン−2−(O−エトキシカルボニル)オキシムなどの光活性オキシム系化合物;ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、3,3′−ジメチル−4−メトキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物;チオキサンソン、2−クロロチオキサンソン、2−メチルチオキサンソン、2,4−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、2,4−ジクロロチオキサンソン、2,4−ジエチルチオキサンソン、2,4−ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系化合物;カンファーキノン;ハロゲン化ケトン;アシルホスフィノキシド;アシルホスフォナートなどがあげられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー100重量部に対して、例えば0.05〜20重量部程度である。   In the case of curing by means of ultraviolet light or the like, the radiation-curable pressure-sensitive adhesive preferably contains a photopolymerization initiator. As the photopolymerization initiator, for example, 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, α-hydroxy-α, α′-dimethylacetophenone, 2-methyl-2-hydroxypropio Α-ketol compounds such as phenone and 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone; methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- ( Acetophenone compounds such as methylthio) -phenyl] -2-morpholinopropan-1-one; benzoin ether compounds such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, anisoin methyl ether; ketal compounds such as benzyl dimethyl ketal; 2- Naphthalenes Aromatic sulfonyl chloride compounds such as sulfonyl chloride; Photoactive oxime compounds such as 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (O-ethoxycarbonyl) oxime; benzophenone, benzoylbenzoic acid, 3,3'-dimethyl Benzophenone compounds such as -4-methoxybenzophenone; thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methyl thioxanthone, 2,4-dimethyl thioxanthone, isopropyl thioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2 Examples include thioxanthone compounds such as 2,4-diethylthioxanthone and 2,4-diisopropylthioxanthone; camphorquinone; halogenated ketones; acyl phosphinoxides; and acyl phosphonates. The compounding amount of the photopolymerization initiator is, for example, about 0.05 to 20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer such as an acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive.

なお、放射線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、放射線硬化型の粘着剤層1bの表面よりなんらかの方法で酸素(空気)を遮断するのが望ましい。例えば、上記粘着剤層1bの表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の放射線の照射を行う方法等が挙げられる。   When curing inhibition occurs due to oxygen upon irradiation, it is desirable to block oxygen (air) from the surface of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 1 b by some method. For example, the method of covering the surface of the said adhesive layer 1b with a separator, the method of irradiating radiation, such as an ultraviolet-ray in nitrogen gas atmosphere, etc. are mentioned.

なお、粘着剤層1bには、本発明の効果等を損なわない範囲で、各種添加剤(例えば、着色剤、増粘剤、増量剤、充填剤、粘着付与剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、架橋剤等)が含まれていてもよい。   In the pressure-sensitive adhesive layer 1b, various additives (for example, colorants, thickeners, extenders, fillers, tackifiers, plasticizers, anti-aging agents, etc.) as long as the effects of the present invention and the like are not impaired. Antioxidants, surfactants, crosslinking agents, etc. may be contained.

粘着剤層1bの厚さは特に限定されないが、半導体ウェハの研削面の欠け防止、シート状樹脂組成物2の固定保持の両立性等の観点から1〜50μm程度であるのが好ましい。好ましくは5〜40μm、さらには好ましくは10〜30μmである。   The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 1b is not particularly limited, but is preferably about 1 to 50 μm from the viewpoints of prevention of chipping of the ground surface of the semiconductor wafer, compatibility of fixing and holding the sheet-like resin composition 2, and the like. Preferably it is 5-40 micrometers, More preferably, it is 10-30 micrometers.

(積層シートの製造方法)
本実施の形態に係る積層シート10は、例えば裏面研削用テープ1及びシート状樹脂組成物2を別々に作製しておき、最後にこれらを貼り合わせることにより作成することができる。具体的には、以下のような手順に従って作製することができる。
(Method of manufacturing laminated sheet)
The laminated sheet 10 according to the present embodiment can be prepared, for example, by separately preparing the back surface grinding tape 1 and the sheet-like resin composition 2 and finally bonding them together. Specifically, it can be produced according to the following procedure.

まず、基材1aは、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Tダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。   First, the substrate 1a can be formed into a film by a conventionally known film forming method. Examples of the film forming method include a calendar film forming method, a casting method in an organic solvent, an inflation extrusion method in a closed system, a T-die extrusion method, a coextrusion method, a dry lamination method and the like.

次に、粘着剤層形成用の粘着剤組成物を調製する。粘着剤組成物には、粘着剤層の項で説明したような樹脂や添加物等が配合されている。調製した粘着剤組成物を基材1a上に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ(必要に応じて加熱架橋させて)、粘着剤層1bを形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度80〜150℃、乾燥時間0.5〜5分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、上記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて粘着剤層1bを形成してもよい。その後、基材1a上に粘着剤層1bをセパレータと共に貼り合わせる。これにより、基材1a及び粘着剤層1bを備える裏面研削用テープ1が作製される。   Next, a pressure-sensitive adhesive composition for forming a pressure-sensitive adhesive layer is prepared. The pressure-sensitive adhesive composition contains a resin, an additive, and the like as described in the section of the pressure-sensitive adhesive layer. The prepared pressure-sensitive adhesive composition is applied onto a substrate 1a to form a coated film, and then the coated film is dried under a predetermined condition (by heat crosslinking as necessary) to form a pressure-sensitive adhesive layer 1b. . It does not specifically limit as a coating method, For example, roll coating, screen coating, gravure coating etc. are mentioned. Moreover, as drying conditions, it is carried out, for example in the range of 80 to 150 degreeC of drying temperature, and 0.5 to 5 minutes of drying time. Moreover, after apply | coating an adhesive composition on a separator and forming a coating film, a coating film may be dried on the said dry conditions, and the adhesive layer 1b may be formed. Thereafter, the pressure-sensitive adhesive layer 1b is attached to the substrate 1a together with the separator. Thereby, the tape 1 for back surface grinding provided with the base material 1a and the adhesive layer 1b is produced.

シート状樹脂組成物2は、例えば、以下のようにして作製される。まず、シート状樹脂組成物2の形成材料である接着剤組成物を調製する。当該接着剤組成物には、シート状樹脂組成物の項で説明したとおり、熱可塑性成分やエポキシ樹脂、各種の添加剤等が配合されている。   The sheet-like resin composition 2 is produced, for example, as follows. First, an adhesive composition which is a forming material of the sheet-like resin composition 2 is prepared. In the adhesive composition, as described in the section of the sheet-like resin composition, a thermoplastic component, an epoxy resin, various additives and the like are blended.

次に、調製した接着剤組成物を基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ、シート状樹脂組成物を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度70〜160℃、乾燥時間1〜5分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に接着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、上記乾燥条件で塗布膜を乾燥させてシート状樹脂組成物を形成してもよい。その後、基材セパレータ上にシート状樹脂組成物をセパレータと共に貼り合わせる。   Next, the prepared adhesive composition is applied on a substrate separator to a predetermined thickness to form a coated film, and then the coated film is dried under predetermined conditions to form a sheet-like resin composition. . It does not specifically limit as a coating method, For example, roll coating, screen coating, gravure coating etc. are mentioned. Moreover, as drying conditions, it is carried out, for example within the range of drying temperature 70-160 degreeC and drying time 1 to 5 minutes. Moreover, after apply | coating an adhesive composition on a separator and forming a coating film, a coating film may be dried on the said dry conditions, and a sheet-like resin composition may be formed. Thereafter, the sheet-like resin composition is pasted onto the base separator together with the separator.

続いて、裏面研削用テープ1及びシート状樹脂組成物2からそれぞれセパレータを剥離し、シート状樹脂組成物と粘着剤層とが貼り合わせ面となる様にして両者を貼り合わせる。貼り合わせは、例えば圧着により行うことができる。このとき、ラミネート温度は特に限定されず、例えば30〜100℃が好ましく、40〜80℃がより好ましい。また、線圧は特に限定されず、例えば0.98〜196N/cmが好ましく、9.8〜98N/cmがより好ましい。次に、シート状樹脂組成物上の基材セパレータを剥離し、本実施の形態に係る積層シートが得られる。   Subsequently, the separators are peeled off from the back surface grinding tape 1 and the sheet-shaped resin composition 2 respectively, and the sheet-shaped resin composition and the pressure-sensitive adhesive layer are bonded to each other so as to form a bonding surface. Bonding can be performed, for example, by pressure bonding. At this time, the laminating temperature is not particularly limited, and for example, 30 to 100 ° C. is preferable, and 40 to 80 ° C. is more preferable. Moreover, a linear pressure is not specifically limited, For example, 0.98 to 196 N / cm is preferable, and 9.8 to 98 N / cm is more preferable. Next, the base material separator on a sheet-like resin composition is peeled off, and the lamination sheet concerning this embodiment is obtained.

<半導体装置の製造方法>
本実施形態では、裏面研削用テープ上に積層されたシート状樹脂組成物を備える積層シートを用いて半導体ウェハの裏面研削を行い、その後、ダイシングテープ上でのダイシング、半導体素子のピックアップを行い、最後に半導体素子を被着体に実装する。
<Method of Manufacturing Semiconductor Device>
In this embodiment, the back surface grinding of the semiconductor wafer is performed using the laminated sheet including the sheet-like resin composition laminated on the back surface grinding tape, and thereafter, dicing on the dicing tape and pickup of the semiconductor element are performed. Finally, the semiconductor element is mounted on the adherend.

本実施形態の代表的な工程としては、半導体ウェハの接続部材が形成された回路面と上記積層シートのシート状樹脂組成物とを貼り合わせる貼合せ工程、上記半導体ウェハの裏面を研削する研削工程、上記シート状樹脂組成物とともに半導体ウェハを裏面研削用テープから剥離して該半導体ウェハをダイシングテープに貼り付ける固定工程、上記半導体ウェハをダイシングして上記シート状樹脂組成物付きの半導体素子を形成するダイシング工程、上記シート状樹脂組成物付きの半導体素子を上記ダイシングテープから剥離するピックアップ工程、及び上記被着体と上記半導体素子の間の空間を上記シート状樹脂組成物で充填しつつ上記接続部材を介して上記半導体素子と上記被着体とを電気的に接続する接続工程を含む。   As a typical step of this embodiment, a bonding step of bonding a circuit surface on which a connecting member of a semiconductor wafer is formed and a sheet-like resin composition of the laminated sheet, a grinding step of grinding the back surface of the semiconductor wafer And a fixing step of peeling the semiconductor wafer from the tape for back surface grinding together with the sheet-like resin composition and sticking the semiconductor wafer to a dicing tape, dicing the semiconductor wafer to form a semiconductor element with the sheet-like resin composition. Dicing step, a pickup step of peeling the semiconductor element with the sheet-shaped resin composition from the dicing tape, and the connection while filling the space between the adherend and the semiconductor element with the sheet-shaped resin composition And a connecting step of electrically connecting the semiconductor element and the adherend via a member.

[貼合せ工程]
貼合せ工程では、半導体ウェハ3の接続部材4が形成された回路面3aと上記積層シート10のシート状樹脂組成物2とを貼り合わせる(図2A参照)。
[Lamination process]
In the bonding step, the circuit surface 3a on which the connection member 4 of the semiconductor wafer 3 is formed and the sheet-like resin composition 2 of the laminated sheet 10 are bonded (see FIG. 2A).

(半導体ウェハ)
半導体ウェハ3の回路面3aには、複数の接続部材4が形成されている(図2A参照)。バンプや導電材等の接続部材の材質としては、特に限定されず、例えば、錫−鉛系金属材、錫−銀系金属材、錫−銀−銅系金属材、錫−亜鉛系金属材、錫−亜鉛−ビスマス系金属材等のはんだ類(合金)や、金系金属材、銅系金属材などが挙げられる。接続部材の高さも用途に応じて定められ、一般的には15〜100μm程度である。もちろん、半導体ウェハ3における個々の接続部材の高さは同一でも異なっていてもよい。
(Semiconductor wafer)
A plurality of connection members 4 are formed on the circuit surface 3a of the semiconductor wafer 3 (see FIG. 2A). The material of the connection member such as the bump and the conductive material is not particularly limited. For example, tin-lead metal, tin-silver metal, tin-silver-copper metal, tin-zinc metal, Solders (alloys) such as tin-zinc-bismuth-based metal materials, gold-based metal materials, copper-based metal materials and the like can be mentioned. The height of the connecting member is also determined according to the application, and is generally about 15 to 100 μm. Of course, the heights of the individual connection members in the semiconductor wafer 3 may be the same or different.

本実施形態に係る半導体装置の製造方法において、シート状樹脂組成物の厚さとしては、半導体ウェハ表面に形成された接続部材の高さX(μm)と前記シート状樹脂組成物の厚さY(μm)とが、下記の関係を満たすことが好ましい。
0.5≦Y/X≦2
In the method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment, the thickness X of the connecting member formed on the surface of the semiconductor wafer and the thickness Y of the sheet-like resin composition may be used as the thickness of the sheet-like resin composition. It is preferable that (μm) and the following relationship be satisfied.
0.5 ≦ Y / X ≦ 2

前記接続部材の高さX(μm)と前記硬化フィルムの厚さY(μm)とが上記関係を満たすことにより、半導体素子と被着体との間の空間を十分に充填することができると共に、当該空間からのシート状樹脂組成物の過剰のはみ出しを防止することができ、シート状樹脂組成物による半導体素子の汚染等を防止することができる。なお、各接続部材の高さが異なる場合は、最も高い接続部材の高さを基準とする。   When the height X (μm) of the connection member and the thickness Y (μm) of the cured film satisfy the above relationship, the space between the semiconductor element and the adherend can be sufficiently filled. The excessive protrusion of the sheet-shaped resin composition from the space can be prevented, and the contamination and the like of the semiconductor element with the sheet-shaped resin composition can be prevented. In addition, when the height of each connection member differs, it is based on the height of the highest connection member.

(貼り合わせ)
まず、積層シート10のシート状樹脂組成物2上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離し、図2Aに示すように、前記半導体ウェハ3の接続部材4が形成された回路面3aとシート状樹脂組成物2とを対向させ、前記シート状樹脂組成物2と前記半導体ウェハ3とを貼り合わせる(マウント)。
(Pasted together)
First, the separator optionally provided on the sheet-shaped resin composition 2 of the laminated sheet 10 is appropriately peeled off, and as shown in FIG. 2A, the circuit surface 3a on which the connecting member 4 of the semiconductor wafer 3 is formed and the sheet And the sheet-shaped resin composition 2 and the semiconductor wafer 3 are bonded (mounted).

貼り合わせの方法は特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は通常、圧着ロール等の公知の押圧手段により、好ましくは0.1〜1MPa、より好ましくは0.3〜0.7MPaの圧力を負荷して押圧しながら行われる。この際、40〜100℃程度に加熱しながら圧着させてもよい。また、密着性を高めるために、減圧下(1〜1000Pa)で圧着することも好ましい。   Although the method of bonding is not particularly limited, the method by pressure bonding is preferable. The pressure bonding is usually carried out by applying and pressing a pressure of preferably 0.1 to 1 MPa, more preferably 0.3 to 0.7 MPa by a known pressing means such as a pressure bonding roll. At this time, pressure may be applied while heating to about 40 to 100 ° C. Moreover, in order to improve adhesiveness, it is also preferable to pressure-bond under reduced pressure (1-1000 Pa).

[研削工程]
研削工程では、上記半導体ウェハ3の回路面3aとは反対側の面(すなわち、裏面)3bを研削する(図2B参照)。半導体ウェハ3の裏面研削に用いる薄型加工機としては特に限定されず、例えば研削機(バックグラインダー)、研磨パッド等を例示できる。また、エッチング等の化学的方法にて裏面研削を行ってもよい。裏面研削は、半導体ウェハが所望の厚さ(例えば、700〜25μm)になるまで行われる。
[Grinding process]
In the grinding step, the surface (ie, the back surface) 3b opposite to the circuit surface 3a of the semiconductor wafer 3 is ground (see FIG. 2B). It does not specifically limit as a thin process machine used for back surface grinding of the semiconductor wafer 3, For example, a grinder (back grinder), a polishing pad, etc. can be illustrated. In addition, back surface grinding may be performed by a chemical method such as etching. Back grinding is performed until the semiconductor wafer has a desired thickness (e.g., 700 to 25 [mu] m).

[固定工程]
研削工程後、シート状樹脂組成物2を貼り付けた状態で半導体ウェハ3を裏面研削用テープ1から剥離し、半導体ウェハ3とダイシングテープ11とを貼り合わせる(図2C参照)。このとき、半導体ウェハ3の裏面3bとダイシングテープ11の粘着剤層11bとが対向するように貼り合わせる。従って、半導体ウェハ3の回路面3aに貼り合わされたシート状樹脂組成物2は露出した状態となる。なお、ダイシングテープ11は、基材11a上に粘着剤層11bが積層された構造を有する。基材11a及び粘着剤層11bとしては、上記裏面研削用テープ1の基材1a及び粘着剤層1bの項で示した成分及び製法を用いて好適に作製することができる。
[Fixing process]
After the grinding process, the semiconductor wafer 3 is peeled from the back surface grinding tape 1 in a state where the sheet-like resin composition 2 is attached, and the semiconductor wafer 3 and the dicing tape 11 are bonded (see FIG. 2C). At this time, the back surface 3 b of the semiconductor wafer 3 and the pressure-sensitive adhesive layer 11 b of the dicing tape 11 are bonded so as to face each other. Therefore, the sheet-like resin composition 2 bonded to the circuit surface 3 a of the semiconductor wafer 3 is exposed. The dicing tape 11 has a structure in which the pressure-sensitive adhesive layer 11 b is stacked on the base material 11 a. The substrate 11a and the pressure-sensitive adhesive layer 11b can be suitably produced using the components and the production method described in the section of the substrate 1a and the pressure-sensitive adhesive layer 1b of the tape 1 for back surface grinding.

半導体ウェハ3の裏面研削用テープ1からの剥離の際、粘着剤層1bが放射線硬化性を有する場合には、粘着剤層1bに放射線を照射して粘着剤層1bを硬化させることで、剥離を容易に行うことができる。放射線の照射量は、用いる放射線の種類や粘着剤層の硬化度等を考慮して適宜設定すればよい。   In the case of peeling the semiconductor wafer 3 from the back surface grinding tape 1, when the pressure-sensitive adhesive layer 1b has radiation curing property, the pressure-sensitive adhesive layer 1b is irradiated with radiation to cure the pressure-sensitive adhesive layer 1b Can be done easily. The irradiation dose of radiation may be appropriately set in consideration of the type of radiation to be used, the curing degree of the pressure-sensitive adhesive layer, and the like.

本実施形態の積層シートでは、上記シート状樹脂組成物の上記裏面研削用テープからの剥離力が0.03〜0.10N/20mmであることが好ましい。このような軽剥離力により、裏面研削用テープからの剥離の際のシート状樹脂組成物の破断や変形を防止することができるとともに、半導体ウェハの変形を防止することができる。   In the laminated sheet of the present embodiment, it is preferable that the peeling force of the sheet-like resin composition from the tape for back grinding is 0.03 to 0.10 N / 20 mm. Such a light peeling force can prevent breakage and deformation of the sheet-like resin composition at the time of peeling from the back surface grinding tape, and can prevent deformation of the semiconductor wafer.

上記剥離力の測定は、積層シートから幅20mmのサンプル片を切り出し、これを40℃のホットプレート上に載置されたシリコンミラーウェハに貼り付ける。約30分間放置して、引張試験機を用い剥離力を測定する。測定条件は、剥離角度:90°、引張速度:300mm/minとする。なお、剥離力の測定は、温度23℃、相対湿度50%の環境下で行う。ただし、粘着剤層が紫外線硬化型である場合は、前記と同様の条件でシリコンミラーウェハに貼り付け、約30分間放置した後、紫外線の照射条件を下記の通りとして積層シート側から紫外線照射を行い、そのときの剥離力の測定を行う。   The measurement of the said peeling force cuts out the sample piece of width 20 mm from a lamination sheet, and affixes this to the silicon mirror wafer mounted on a 40 degreeC hotplate. Leave for about 30 minutes and measure peel force using a tensile tester. Measurement conditions are as follows: peeling angle: 90 °, tensile speed: 300 mm / min. In addition, the measurement of peeling force is performed in the environment of temperature 23 degreeC and 50% of a relative humidity. However, if the pressure-sensitive adhesive layer is UV-curable, it is attached to a silicon mirror wafer under the same conditions as above and left for about 30 minutes, then UV irradiation is performed from the laminated sheet side under the UV irradiation conditions as follows. Conduct and measure the peel force at that time.

<紫外線の照射条件>
紫外線(UV)照射装置:高圧水銀灯
紫外線照射積算光量:500mJ/cm
出力:75W
照射強度:150mW/cm
<UV irradiation conditions>
Ultraviolet (UV) irradiation device: high pressure mercury lamp ultraviolet irradiation integrated light quantity: 500 mJ / cm 2
Output: 75W
Irradiation intensity: 150mW / cm 2

[ダイシング工程]
ダイシング工程では、直接光や間接光、赤外線等により求めたダイシング位置に基づき、図2Dに示すように半導体ウェハ3及びシート状樹脂組成物2をダイシングしてダイシングされたシート状樹脂組成物付きの半導体素子5を形成する。ダイシング工程を経ることで、半導体ウェハ3を所定のサイズに切断して個片化(小片化)し、半導体チップ(半導体素子)5を製造する。ここで得られる半導体チップ5は同形状に切断されたシート状樹脂組成物2と一体になっている。ダイシングは、半導体ウェハ3のシート状樹脂組成物2を貼り合わせた回路面3aから常法に従い行われる。
[Dicing process]
In the dicing step, the semiconductor wafer 3 and the sheet-shaped resin composition 2 are diced and diced as shown in FIG. 2D based on the dicing position determined by direct light, indirect light, infrared rays, etc. The semiconductor element 5 is formed. Through the dicing process, the semiconductor wafer 3 is cut into pieces of a predetermined size and singulated (segmented) to manufacture the semiconductor chip (semiconductor element) 5. The semiconductor chip 5 obtained here is integral with the sheet-like resin composition 2 cut into the same shape. Dicing is performed according to a conventional method from the circuit surface 3a to which the sheet-like resin composition 2 of the semiconductor wafer 3 is bonded.

本工程では、例えば、ダイシングブレードによりダイシングテープ11まで切込みを行うフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウェハは、ダイシングテープ11により優れた密着性で接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウェハの破損も抑制できる。なお、シート状樹脂組成物がエポキシ樹脂を含む樹脂組成物により形成されていると、ダイシングにより切断されても、その切断面においてシート状樹脂組成物のシート状樹脂組成物の糊はみ出しが生じるのを抑制又は防止することができる。その結果、切断面同士が再付着(ブロッキング)することを抑制又は防止することができ、後述のピックアップを一層良好に行うことができる。   In this process, for example, a cutting method called full cut in which cutting is performed to the dicing tape 11 with a dicing blade can be adopted. It does not specifically limit as a dicing apparatus used at this process, A conventionally well-known thing can be used. Further, since the semiconductor wafer is adhered and fixed by the dicing tape 11 with excellent adhesion, chipping and chipping can be suppressed, and breakage of the semiconductor wafer can also be suppressed. In addition, when the sheet-like resin composition is formed of a resin composition containing an epoxy resin, even if it is cut by dicing, the glue of the sheet-like resin composition of the sheet-like resin composition is generated on the cut surface. Can be suppressed or prevented. As a result, re-adhesion (blocking) of the cut surfaces can be suppressed or prevented, and pickup described later can be performed more favorably.

なお、ダイシング工程に続いてダイシングテープのエキスパンドを行う場合、該エキスパンドは従来公知のエキスパンド装置を用いて行うことができる。エキスパンド装置は、ダイシングリングを介してダイシングテープを下方へ押し下げることが可能なドーナッツ状の外リングと、外リングよりも径が小さくダイシングテープを支持する内リングとを有している。このエキスパンド工程により、後述のピックアップ工程において、隣り合う半導体チップ同士が接触して破損するのを防ぐことが出来る。   In addition, when expanding a dicing tape following a dicing process, this expansion can be performed using a conventionally well-known expand apparatus. The expanding device has a donut-shaped outer ring capable of pressing the dicing tape downward via the dicing ring, and an inner ring smaller in diameter than the outer ring and supporting the dicing tape. By this expanding step, adjacent semiconductor chips can be prevented from coming into contact with each other and being damaged in a pick-up step described later.

[ピックアップ工程]
ダイシングテープ11に接着固定された半導体チップ5を回収するために、図2Eに示すように、シート状樹脂組成物2付きの半導体チップ5のピックアップを行って、半導体チップ5とシート状樹脂組成物2の積層体Aをダイシングテープ11より剥離する。
[Pickup process]
In order to recover the semiconductor chip 5 bonded and fixed to the dicing tape 11, as shown in FIG. 2E, the semiconductor chip 5 with the sheet-shaped resin composition 2 is picked up, and the semiconductor chip 5 and the sheet-shaped resin composition are collected. The laminate A of 2 is peeled off from the dicing tape 11.

ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップをダイシングテープの基材側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップをピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。なお、ピックアップされた半導体チップ5は、回路面3aに貼り合わされたシート状樹脂組成物2と一体となって積層体Aを構成している。   The method of pickup is not particularly limited, and various conventionally known methods can be adopted. For example, there is a method of pushing up each semiconductor chip from the base side of the dicing tape with a needle and picking up the pushed up semiconductor chip by a pickup device. The semiconductor chip 5 picked up is integrated with the sheet-like resin composition 2 bonded to the circuit surface 3 a to form a laminate A.

ピックアップは、粘着剤層11bが紫外線硬化型の場合、該粘着剤層11bに紫外線を照射した後に行う。これにより、粘着剤層11bの半導体チップ5に対する粘着力が低下し、半導体チップ5の剥離が容易になる。その結果、半導体チップ5を損傷させることなくピックアップが可能となる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間等の条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。また、紫外線照射に使用する光源としては、例えば低圧水銀ランプ、低圧高出力ランプ、中圧水銀ランプ、無電極水銀ランプ、キセノン・フラッシュ・ランプ、エキシマ・ランプ、紫外LED等を用いることができる。   When the pressure-sensitive adhesive layer 11 b is of the ultraviolet curing type, the pickup is performed after irradiating the pressure-sensitive adhesive layer 11 b with ultraviolet light. As a result, the adhesion of the pressure-sensitive adhesive layer 11 b to the semiconductor chip 5 is reduced, and the peeling of the semiconductor chip 5 is facilitated. As a result, pickup can be performed without damaging the semiconductor chip 5. Conditions such as the irradiation intensity and the irradiation time at the time of ultraviolet irradiation are not particularly limited, and may be set as needed. As a light source used for ultraviolet irradiation, for example, a low pressure mercury lamp, a low pressure high power lamp, a medium pressure mercury lamp, an electrodeless mercury lamp, a xenon flash lamp, an excimer lamp, an ultraviolet LED and the like can be used.

[実装工程]
実装工程では、半導体素子5の実装位置を直接光や間接光、赤外線等により予め求めておき、求めた実装位置に従って、被着体16と半導体素子5の間の空間をシート状樹脂組成物2で充填しつつ接続部材4を介して半導体素子5と被着体16とを電気的に接続する(図2F参照)。具体的には、積層体Aの半導体チップ5を、半導体チップ5の回路面3aが被着体16と対向する形態で、被着体16に常法に従い固定させる。例えば、半導体チップ5に形成されているバンプ(接続部材)4を、被着体16の接続パッドに被着された接合用の導電材17(はんだなど)に接触させて押圧しながら導電材を溶融させることにより、半導体チップ5と被着体16との電気的接続を確保し、半導体チップ5を被着体16に固定させることができる。半導体チップ5の回路面3aにはシート状樹脂組成物2が貼り付けられているので、半導体チップ5と被着体16との電気的接続と同時に、半導体チップ5と被着体16との間の空間がシート状樹脂組成物2により充填されることになる。
[Mounting process]
In the mounting step, the mounting position of the semiconductor element 5 is obtained in advance by direct light, indirect light, infrared light or the like, and the space between the adherend 16 and the semiconductor element 5 is a sheet-like resin composition 2 according to the obtained mounting position. The semiconductor element 5 and the adherend 16 are electrically connected via the connection member 4 while being filled with (see FIG. 2F). Specifically, the semiconductor chip 5 of the laminated body A is fixed to the adherend 16 according to a conventional method, with the circuit surface 3 a of the semiconductor chip 5 facing the adherend 16. For example, while making bumps (connection members) 4 formed on the semiconductor chip 5 in contact with the bonding conductive material 17 (such as solder) deposited on the connection pads of the adherend 16, the conductive material is pressed. By melting, the electrical connection between the semiconductor chip 5 and the adherend 16 can be secured, and the semiconductor chip 5 can be fixed to the adherend 16. Since the sheet-shaped resin composition 2 is attached to the circuit surface 3 a of the semiconductor chip 5, the electrical connection between the semiconductor chip 5 and the adherend 16 is simultaneously achieved between the semiconductor chip 5 and the adherend 16. Space is filled with the sheet-shaped resin composition 2.

一般的に、実装工程における加熱条件としては100〜300℃であり、加圧条件としては0.5〜500Nである。また、実装工程での熱圧着処理を多段階で行ってもよい。例えば、150℃、100Nで10秒間処理した後、300℃、100〜200Nで10秒間処理するという手順を採用することができる。多段階で熱圧着処理を行うことにより、接続部材とパッド間の樹脂を効率よく除去し、より良好な金属間接合を得ることが出来る。   Generally, the heating condition in the mounting step is 100 to 300 ° C., and the pressurizing condition is 0.5 to 500 N. Further, the thermocompression bonding process in the mounting process may be performed in multiple stages. For example, after treating for 10 seconds at 150 ° C. and 100 N, a procedure of treating for 10 seconds at 300 ° C. and 100 to 200 N can be adopted. By performing the thermocompression bonding process in multiple stages, the resin between the connection member and the pad can be efficiently removed, and a better metal-to-metal bond can be obtained.

被着体16としては、半導体ウェハ、リードフレームや回路基板(配線回路基板など)等の各種基板、他の半導体素子を用いることができる。基板の材質としては、特に限定されるものではないが、セラミック基板や、プラスチック基板が挙げられる。プラスチック基板としては、例えば、エポキシ基板、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド基板、ガラスエポキシ基板等が挙げられる。1つの被着体に実装する半導体素子の数も限定されず、1つ又は複数個のいずれであってもよい。シート状樹脂組成物2は、半導体ウェハに多数の半導体チップを実装するチップオンウェハプロセスにも好適に適用することができる。   As the adherend 16, various substrates such as a semiconductor wafer, a lead frame, a circuit board (such as a wiring circuit board), and other semiconductor elements can be used. Although it does not specifically limit as a material of a board | substrate, A ceramic substrate and a plastic substrate are mentioned. Examples of plastic substrates include epoxy substrates, bismaleimide triazine substrates, polyimide substrates, glass epoxy substrates, and the like. The number of semiconductor elements mounted on one adherend is not limited either, and may be one or more. The sheet-like resin composition 2 can be suitably applied to a chip-on-wafer process in which a large number of semiconductor chips are mounted on a semiconductor wafer.

なお、実装工程では、接続部材及び導電材の一方又は両方を溶融させて、半導体チップ5の接続部材形成面3aのバンプ4と、被着体16の表面の導電材17とを接続させているが、このバンプ4及び導電材17の溶融時の温度としては、通常、260℃程度(例えば、250℃〜300℃)となっている。本実施形態に係る積層シートは、シート状樹脂組成物2をエポキシ樹脂等により形成することにより、この実装工程における高温にも耐えられる耐熱性を有するものとすることができる。   In the mounting step, one or both of the connecting member and the conductive material are melted to connect the bumps 4 on the connecting member forming surface 3 a of the semiconductor chip 5 with the conductive material 17 on the surface of the adherend 16. However, the temperature at the time of melting of the bumps 4 and the conductive material 17 is usually about 260 ° C. (for example, 250 ° C. to 300 ° C.). The laminated sheet according to the present embodiment can have heat resistance that can withstand high temperature in this mounting step by forming the sheet-like resin composition 2 with an epoxy resin or the like.

[シート状樹脂組成物硬化工程]
半導体素子5と被着体16との電気的接続を行った後は、シート状樹脂組成物2を加熱により硬化させる。これにより、半導体素子5の表面を保護することができるとともに、半導体素子5と被着体16との間の接続信頼性を確保することができる。シート状樹脂組成物の硬化のための加熱温度としては特に限定されず、150〜250℃程度であればよい。なお、実装工程における加熱処理によりシート状樹脂組成物が硬化する場合、本工程は省略することができる。
[Sheet-like resin composition curing step]
After the semiconductor element 5 and the adherend 16 are electrically connected, the sheet-shaped resin composition 2 is cured by heating. Thereby, the surface of the semiconductor element 5 can be protected, and connection reliability between the semiconductor element 5 and the adherend 16 can be secured. It does not specifically limit as heating temperature for hardening of a sheet-like resin composition, What is necessary is just about 150-250 degreeC. In addition, when a sheet-like resin composition hardens | cures by the heat processing in a mounting process, this process can be skipped.

[封止工程]
次に、実装された半導体チップ5を備える半導体装置20全体を保護するために封止工程を行ってもよい。封止工程は、封止樹脂を用いて行われる。このときの封止条件としては特に限定されないが、通常、175℃で60秒間〜90秒間の加熱を行うことにより、封止樹脂の熱硬化が行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば165℃〜185℃で、数分間キュアすることができる。
[Sealing process]
Next, a sealing process may be performed to protect the entire semiconductor device 20 including the mounted semiconductor chip 5. The sealing step is performed using a sealing resin. The sealing conditions at this time are not particularly limited, but usually, the thermosetting of the sealing resin is performed by heating at 175 ° C. for 60 seconds to 90 seconds, but the present invention is not limited thereto. For example, curing may be performed at 165 ° C. to 185 ° C. for several minutes.

前記封止樹脂としては、絶縁性を有する樹脂(絶縁樹脂)であれば特に制限されず、公知の封止樹脂等の封止材から適宜選択して用いることができるが、弾性を有する絶縁樹脂がより好ましい。封止樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物等が挙げられる。エポキシ樹脂としては、前記に例示のエポキシ樹脂等が挙げられる。また、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物による封止樹脂としては、樹脂成分として、エポキシ樹脂以外に、エポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂(フェノール樹脂など)や、熱可塑性樹脂などが含まれていてもよい。なお、フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂の硬化剤としても利用することができ、このようなフェノール樹脂としては、前記に例示のフェノール樹脂などが挙げられる。   The sealing resin is not particularly limited as long as it is a resin (insulating resin) having an insulating property, and can be appropriately selected and used from known sealing materials such as a sealing resin, but an insulating resin having elasticity Is more preferred. As a sealing resin, the resin composition containing an epoxy resin etc. are mentioned, for example. Examples of the epoxy resin include the epoxy resins exemplified above. Moreover, as a sealing resin by the resin composition containing an epoxy resin, even if the thermosetting resin other than an epoxy resin (phenol resin etc.), a thermoplastic resin, etc. are contained as a resin component other than an epoxy resin. Good. In addition, as a phenol resin, it can be utilized also as a hardening | curing agent of an epoxy resin, As such a phenol resin, the phenol resin of the said illustration, etc. are mentioned.

[半導体装置]
次に、当該積層シートを用いて得られる半導体装置について図面を参照しつつ説明する(図2F参照)。本実施形態に係る半導体装置20では、半導体素子5と被着体16とが、半導体素子5上に形成されたバンプ(接続部材)4及び被着体16上に設けられた導電材17を介して電気的に接続されている。また、半導体素子5と被着体16との間には、その空間を充填するようにシート状樹脂組成物2が配置されている。半導体装置20は、所定のシート状樹脂組成物2を採用する上記製造方法にて得られるので、半導体素子5と被着体16との間で良好な電気的接続が達成されている。従って、半導体素子5の表面保護、半導体素子5と被着体16との間の空間の充填、及び半導体素子5と被着体16との間の電気的接続がそれぞれ十分なレベルとなり、半導体装置20として高い信頼性を発揮することができる。
[Semiconductor device]
Next, a semiconductor device obtained using the laminated sheet will be described with reference to the drawings (see FIG. 2F). In the semiconductor device 20 according to the present embodiment, the semiconductor element 5 and the adherend 16 are interposed between the bump (connection member) 4 formed on the semiconductor element 5 and the conductive material 17 provided on the adherend 16. Are connected electrically. In addition, the sheet-shaped resin composition 2 is disposed between the semiconductor element 5 and the adherend 16 so as to fill the space. The semiconductor device 20 is obtained by the above-described manufacturing method employing the predetermined sheet-shaped resin composition 2, so that good electrical connection is achieved between the semiconductor element 5 and the adherend 16. Therefore, the surface protection of the semiconductor element 5, the filling of the space between the semiconductor element 5 and the adherend 16, and the electrical connection between the semiconductor element 5 and the adherend 16 are at sufficient levels, respectively. High reliability can be exhibited as 20.

<第2実施形態>
第1実施形態では片面に回路が形成された半導体ウェハを用いているのに対し、本実施形態では両面に回路が形成された半導体ウェハを用いて半導体装置を製造する。また、本実施形態で用いる半導体ウェハは目的とする厚さを有していることから、研削工程は省略される。従って、第2実施形態での積層シートとしては、ダイシングテープと該ダイシングテープ上に積層された所定のシート状樹脂組成物とを備える積層シートを用いる。第2実施形態での接続工程より前の代表的な工程として、上記積層シートを準備する準備工程、接続部材を有する回路面が両面に形成された半導体ウェハと上記積層シートのシート状樹脂組成物とを貼り合わせる貼合せ工程、上記半導体ウェハをダイシングして上記シート状樹脂組成物付きの半導体素子を形成するダイシング工程、上記シート状樹脂組成物付きの半導体素子を上記積層シートから剥離するピックアップ工程が挙げられる。その後、接続工程以降の工程を行って半導体装置を製造する。
Second Embodiment
In the first embodiment, a semiconductor wafer having a circuit formed on one side is used, whereas in the present embodiment, a semiconductor device is manufactured using a semiconductor wafer having a circuit formed on both sides. Further, since the semiconductor wafer used in the present embodiment has a target thickness, the grinding process is omitted. Therefore, as the laminated sheet in the second embodiment, a laminated sheet including a dicing tape and a predetermined sheet-like resin composition laminated on the dicing tape is used. As a representative step prior to the connection step in the second embodiment, a preparation step of preparing the laminated sheet, a sheet-like resin composition of the semiconductor wafer having the circuit surface having the connecting member formed on both sides and the laminated sheet Bonding step, dicing step of dicing the semiconductor wafer to form a semiconductor element with the sheet-like resin composition, pickup step of peeling the semiconductor element with the sheet-like resin composition from the laminated sheet Can be mentioned. Thereafter, steps after the connection step are performed to manufacture a semiconductor device.

[準備工程]
準備工程では、ダイシングテープ41と該ダイシングテープ41上に積層された所定のシート状樹脂組成物42とを備える積層シートを準備する(図3A参照)。ダイシングテープ41は、基材41aと、基材41a上に積層された粘着剤層41bとを備えている。なお、シート状樹脂組成物42は、粘着剤層41b上に積層されている。このようなダイシングテープ41の基材41a及び粘着剤層41b、並びにシート状樹脂組成物42としては、第1実施形態と同様のものを用いることができる。
[Preparation process]
In the preparation step, a laminated sheet comprising a dicing tape 41 and a predetermined sheet-shaped resin composition 42 laminated on the dicing tape 41 is prepared (see FIG. 3A). The dicing tape 41 includes a base 41 a and an adhesive layer 41 b laminated on the base 41 a. The sheet-like resin composition 42 is laminated on the pressure-sensitive adhesive layer 41 b. As the base 41 a and the pressure-sensitive adhesive layer 41 b of the dicing tape 41 and the sheet-like resin composition 42, the same ones as those in the first embodiment can be used.

[貼合せ工程]
貼合せ工程では、図3Aに示すように、接続部材44を有する回路面が両面に形成された半導体ウェハ43と上記積層シートのシート状樹脂組成物42とを貼り合わせる。なお、所定の厚さに薄型化された半導体ウェハの強度は弱いことから、補強のために半導体ウェハを仮固定材を介してサポートガラス等の支持体に固定することがある(図示せず)。この場合は、半導体ウェハとシート状樹脂組成物との貼り合わせ後に、仮固定材とともに支持体を剥離する工程を含んでいてもよい。半導体ウェハ43のいずれの回路面とシート状樹脂組成物42とを貼り合わせるかは、目的とする半導体装置の構造に応じて変更すればよい。
[Lamination process]
In the bonding step, as shown in FIG. 3A, a semiconductor wafer 43 having a circuit surface having a connection member 44 formed on both sides is bonded to the sheet-shaped resin composition 42 of the laminated sheet. In addition, since the strength of a semiconductor wafer thinned to a predetermined thickness is weak, the semiconductor wafer may be fixed to a support such as support glass via a temporary fixing material for reinforcement (not shown). . In this case, the step of peeling the support together with the temporary fixing material may be included after the bonding of the semiconductor wafer and the sheet-like resin composition. Which circuit surface of the semiconductor wafer 43 and the sheet-like resin composition 42 should be bonded may be changed according to the structure of the target semiconductor device.

半導体ウェハ43としては、両面に接続部材44を有する回路面が形成されており、所定の厚さを有している点を除き、第1実施形態の半導体ウェハと同様である。半導体ウェハ43の両面の接続部材44同士は電気的に接続されていてもよく、接続されていなくてもよい。接続部材44同士の電気的接続には、TSV形式と呼ばれるビアを介しての接続による接続等が挙げられる。貼り合わせ条件としては、第1実施形態における貼り合わせ条件を好適に採用することができる。   The semiconductor wafer 43 is the same as the semiconductor wafer of the first embodiment except that a circuit surface having the connection members 44 is formed on both surfaces and has a predetermined thickness. The connection members 44 on both sides of the semiconductor wafer 43 may or may not be electrically connected. Examples of the electrical connection between the connection members 44 include connection by connection via vias called a TSV type. As the bonding conditions, the bonding conditions in the first embodiment can be suitably adopted.

[ダイシング工程]
ダイシング工程では、上記半導体ウェハ43及びシート状樹脂組成物42をダイシングして上記シート状樹脂組成物付きの半導体素子45を形成する(図3B参照)。ダイシング条件としては、第1実施形態における諸条件を好適に採用することができる。なお、ダイシングは、半導体ウェハ43の露出した回路面に対して行うので、ダイシング位置の検出は容易であるものの、必要に応じて光を照射してダイシング位置を確認した後、ダイシングを行ってもよい。
[Dicing process]
In the dicing step, the semiconductor wafer 43 and the sheet-like resin composition 42 are diced to form the semiconductor element 45 with the sheet-like resin composition (see FIG. 3B). As the dicing conditions, various conditions in the first embodiment can be suitably adopted. Since dicing is performed on the exposed circuit surface of the semiconductor wafer 43, detection of the dicing position is easy, but light may be irradiated if necessary to confirm the dicing position, and then dicing may be performed. Good.

[ピックアップ工程]
ピックアップ工程では、上記シート状樹脂組成物42付きの半導体素子45を上記ダイシングテープ41から剥離する(図3C)。ピックアップ条件としては、第1実施形態における諸条件を好適に採用することができる。
[Pickup process]
In the pickup step, the semiconductor element 45 with the sheet-like resin composition 42 is peeled off from the dicing tape 41 (FIG. 3C). As the pickup condition, various conditions in the first embodiment can be suitably adopted.

本実施形態の積層シートでは、上記シート状樹脂組成物の上記ダイシングテープからの剥離力が0.03〜0.10N/20mmであることが好ましい。これにより、シート状樹脂組成物付き半導体素子のピックアップを容易に行うことができる。   In the laminated sheet of the present embodiment, the peeling force of the sheet-like resin composition from the dicing tape is preferably 0.03 to 0.10 N / 20 mm. Thereby, it is possible to easily pick up the semiconductor element with a sheet-shaped resin composition.

[実装工程]
実装工程では、被着体66と半導体素子45の間の空間をシート状樹脂組成物42で充填しつつ接続部材44を介して半導体素子45と被着体66とを電気的に接続する(図3D参照)。実装工程における条件は、第1実施形態における諸条件を好適に採用することができる。これにより、本実施形態に係る半導体装置60を製造することができる。
[Mounting process]
In the mounting step, the space between the adherend 66 and the semiconductor element 45 is filled with the sheet-like resin composition 42, and the semiconductor element 45 and the adherend 66 are electrically connected through the connection member 44 (see FIG. See 3D). As the conditions in the mounting process, various conditions in the first embodiment can be suitably adopted. Thereby, the semiconductor device 60 according to the present embodiment can be manufactured.

以降、第1実施形態と同様に、必要に応じてシート状樹脂組成物硬化工程及び封止工程を行ってもよい。   Thereafter, as in the first embodiment, the sheet-like resin composition curing step and the sealing step may be performed as necessary.

<第3実施形態>
第1実施形態では積層シートの構成部材として裏面研削用テープを用いたが、本実施形態では該裏面研削用テープの粘着剤層を設けずに基材単独を用いる。従って、本実施形態の積層シートとしては、基材上にシート状樹脂組成物が積層された状態となる。本実施形態では研削工程は任意に行うことができるものの、ピックアップ工程前の紫外線照射は粘着剤層の省略により行わない。これらの点を除けば、第1実施形態と同様の工程を経ることで所定の半導体装置を製造することができる。
Third Embodiment
In the first embodiment, the back surface grinding tape is used as a component of the laminated sheet, but in the present embodiment, the base material alone is used without providing the adhesive layer of the back surface grinding tape. Therefore, as a lamination sheet of this embodiment, it will be in the state where a sheet-like resin composition was laminated on a substrate. In the present embodiment, although the grinding process can be performed arbitrarily, the ultraviolet irradiation before the pickup process is not performed due to the omission of the pressure-sensitive adhesive layer. Except for these points, a predetermined semiconductor device can be manufactured through the same steps as in the first embodiment.

<その他の実施形態>
第1実施形態から第3実施形態では、ダイシング工程においてダイシングブレードを用いるダイシングを採用しているが、これに代えて、レーザー照射により半導体ウェハ内部に改質部分を形成し、この改質部分に沿って半導体ウェハを分割して個片化するいわゆるステルスダイシングを採用してもよい。
<Other Embodiments>
In the first to third embodiments, dicing using a dicing blade is employed in the dicing step, but instead, a modified portion is formed inside the semiconductor wafer by laser irradiation, and this modified portion is formed It is also possible to adopt so-called stealth dicing in which the semiconductor wafer is divided and singulated along the same.

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。また、部とあるのは、重量部を意味する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail by way of example. However, the materials, compounding amounts and the like described in the examples are not intended to limit the scope of the present invention to them unless otherwise specified. The term "parts" means parts by weight.

[実施例1〜2及び比較例1〜3]
<シート状樹脂組成物の作製>
以下の成分を表1に示す割合でメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が45〜60重量%となる接着剤組成物の溶液を調製した。
[Examples 1 to 2 and Comparative Examples 1 to 3]
<Preparation of sheet-like resin composition>
The following components were dissolved in methyl ethyl ketone in the proportions shown in Table 1 to prepare a solution of an adhesive composition having a solid content concentration of 45 to 60% by weight.

アクリル樹脂:アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー(商品名「パラクロンW−197CM」、根上工業株式会社製)
エポキシ樹脂1:商品名「エピコート1004」、JER株式会社製
エポキシ樹脂2:商品名「エピコート828」、JER株式会社製
硬化剤1:フェノール樹脂(商品名「MEH−7851H」、明和化成(株)製)
硬化剤2:酸無水物(商品名「リカシッドHH」、新日本理化株式会社製)
無機充填剤:球状シリカ(商品名「SO−25R」、株式会社アドマテックス製)
熱硬化促進触媒:イミダゾール触媒(商品名「2PHZ−PW」、四国化成株式会社製)
フラックス:o−アニス酸(商品名「オルトアニス酸」、東京化成株式会社製)
Acrylic resin: Acrylic acid ester-based polymer having ethyl acrylate-methyl methacrylate as a main component (trade name "PARCLON W-197CM", manufactured by Kegami Kogyo Co., Ltd.)
Epoxy resin 1: trade name "Epicoat 1004", manufactured by JER Corporation Epoxy resin 2: trade name "epicoat 828", manufactured by JER curing agent 1: phenol resin (trade name "MEH-7851H", Meiwa Kasei Co., Ltd. Made)
Curing agent 2: Acid anhydride (trade name "Rikasid HH", manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd.)
Inorganic filler: spherical silica (trade name "SO-25R", manufactured by Admatex Co., Ltd.)
Thermal curing promoting catalyst: imidazole catalyst (trade name "2PHZ-PW", manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.)
Flux: o-anisic acid (trade name "Orthoanisic acid", manufactured by Tokyo Kasei Co., Ltd.)

この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナ(セパレータ)としてシリコーン離型処理した厚さが38μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130℃で2分間乾燥させることにより、厚さ40μmのシート状樹脂組成物を作製した。   The solution of this adhesive composition is applied onto a release-treated film consisting of a 38 μm-thick polyethylene terephthalate film which has been subjected to silicone release treatment as a release liner (separator) and then dried at 130 ° C. for 2 minutes. A sheet-like resin composition having a thickness of 40 μm was produced.

[評価]
作製したシート状樹脂組成物を用いて、以下の項目について評価した。それぞれの評価結果を表1に示す。
[Evaluation]
The following items were evaluated using the produced sheet-like resin composition. Each evaluation result is shown in Table 1.

<粘度の測定方法>
作製したシート状樹脂組成物の粘度を粘弾性測定装置ARES(レオメトリックサイエンティフィック社製)を用いて測定した。シート状樹脂組成物をボイドが入らないように500〜1000μmの厚さとなるように積層し、積層したサンプルを8mmφに打ち抜き、8mmφのパラレルプレートにはさみ、周波数:1Hz、測定開始温度:50℃、測定終了温度:250℃、昇温速度:10℃/minの測定条件にて測定し、80℃、150℃、200℃における粘度の値を読み取ることにより、粘度η80、粘度η150、粘度η200を求めた。
<Method of measuring viscosity>
The viscosity of the produced sheet-like resin composition was measured using a viscoelasticity measuring device ARES (manufactured by Rheometric Scientific Co., Ltd.). The sheet-like resin composition is laminated so as to have a thickness of 500 to 1000 μm so that voids do not enter, and the laminated sample is punched out to 8 mmφ, sandwiched between parallel plates of 8 mmφ, frequency: 1 Hz, measurement start temperature: 50 ° C. Measurement end temperature: 250 ° C., temperature rising rate: Measured under measurement conditions of 10 ° C./min, and by reading viscosity values at 80 ° C., 150 ° C., 200 ° C., viscosity η 80 , viscosity η 150 , viscosity η I asked for 200 .

<実装評価>
(株)ウォルツのテストビークル(厚さ725μmのウェハに、高さ40μmのバンプが形成されたもの)に、厚さ40μmのシート状樹脂組成物を貼り付け、サンプルAとした。貼付条件は、真空度:100Paの条件下において、温度:80℃、貼り付け圧力:0.5MPaとした。
<Implementation evaluation>
A sheet-like resin composition having a thickness of 40 μm was attached to a test vehicle (a wafer having a thickness of 725 μm and a bump having a height of 40 μm formed thereon) of Waltz Co., Ltd. to obtain Sample A. The sticking conditions were a temperature of 80 ° C. and a sticking pressure of 0.5 MPa under a degree of vacuum of 100 Pa.

次いで、ダイシングテープ(商品名「WS−01」、日東電工社製)にサンプルAのウェハ側を貼り合わせて固定し、サンプルAをダイシングすることで、シート状樹脂組成物付きの半導体チップ(チップサイズ:7mm角)を作製してサンプルBとした。   Next, the wafer side of the sample A is bonded and fixed to a dicing tape (trade name "WS-01", manufactured by Nitto Denko Corporation), and the sample A is diced to obtain a semiconductor chip with a sheet-shaped resin composition (chip Size: 7 mm square) was prepared and used as sample B.

次に、ピックアップしたサンプルBを、電極を有する実装用基板(電極の高さ:15μm)に実装した。実装は、東レエンジニアリング社のフリップチップボンダー(FC3000W)を用いて行った。実装条件は、荷重:0.5MPaの条件下、200℃で10秒間保持した後、260℃で10秒保持するというものであった。   Next, the sample B picked up was mounted on a mounting substrate (electrode height: 15 μm) having an electrode. The mounting was performed using Toray Engineering's flip chip bonder (FC 3000 W). The mounting conditions were such that after holding at 200 ° C. for 10 seconds under a load: 0.5 MPa condition, holding at 260 ° C. for 10 seconds.

(ボイド評価)
得られた実装後のサンプルをチップと平行に研磨し、シート状樹脂組成物を露出させた。露出した樹脂部分のボイド状態を光学顕微鏡(200倍)にて確認し、ボイド(最大径:3μm超)の発生が確認されなかった場合を「○」、1箇所でもボイドの発生が確認された場合を「×」として評価した。
(Void evaluation)
The obtained mounted sample was polished parallel to the chip to expose the sheet-like resin composition. The void state of the exposed resin portion was confirmed with an optical microscope (200 ×), and the occurrence of voids (maximum diameter: over 3 μm) was not confirmed as “○”, the occurrence of voids was confirmed even at one place The case was evaluated as "x".

(接合状態評価)
得られた実装後のサンプルに通電し、実際に動作確認を行うことで接合状態を確認した。導通がとられて正常に作動しており、かつ接合断面に割れ等の無い良好な接合状態の場合を「○」、導通がとられていないか、もしくは不十分であり正常に作動しなかった場合、又は接合断面に割れ等の不具合が発生していた場合を「×」として評価した。
(Evaluation of bonding condition)
Electricity was supplied to the obtained sample after mounting, and the bonding state was confirmed by actually performing the operation check. In the case of a good bonding state in which conduction is taken and operates normally and there is no crack or the like in the bonding cross section, "○", conduction is not taken or is insufficient and does not operate properly. In the case where a defect such as a crack was generated in the case or in the bonded cross section was evaluated as "x".

Figure 0006502026
Figure 0006502026

表1より、全ての実施例においてボイドの発生ないし膨張が抑制されるとともに、半導体チップと基板との接合が良好であり、接続信頼性が良好な半導体装置を製造可能であったことが分かる。一方、比較例1では、ボイド評価は良好であったものの、接合状態が不十分であった。これは、150℃での粘度η150が高すぎ、チップのバンプと基板の電極との接合が不十分であったことに起因すると考えられる。比較例2及び3では、接合状態は良好であったものの、ボイドが確認された。これは、比較例2では150℃での粘度η150、比較例3では粘度η150に加え200℃での粘度η200がそれぞれ低すぎ、ボイドの膨張が十分に抑制されなかったことに起因すると考えられる。 From Table 1, it can be seen that the generation or expansion of voids was suppressed in all the examples, and the semiconductor chip and the substrate were well bonded, and a semiconductor device having good connection reliability could be manufactured. On the other hand, in Comparative Example 1, although the void evaluation was good, the bonding state was insufficient. This too high viscosity eta 0.99 at 0.99 ° C., believed to bonding between chip bumps and substrate electrodes due to insufficient. In Comparative Examples 2 and 3, although the bonding state was good, voids were observed. This viscosity eta 0.99 at 0.99 ° C. In Comparative Example 2, viscosity eta 200 is too low, respectively at 200 ° C. In addition to Comparative Example 3, viscosity eta 0.99, the expansion of voids caused by not sufficiently suppressed Conceivable.

1 裏面研削用テープ
1a、11a、41a 基材
1b、11b、41b 粘着剤層
2、42 シート状樹脂組成物
3、43 半導体ウェハ
5、45 半導体チップ(半導体素子)
16、66 被着体
10 積層シート
11、41 ダイシングテープ
20、60 半導体装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Back surface grinding tape 1a, 11a, 41a Base material 1b, 11b, 41b Pressure sensitive adhesive layer 2, 42 Sheet-like resin composition 3, 43 Semiconductor wafer 5, 45 Semiconductor chip (semiconductor element)
16, 66 Adherend 10, Laminated sheet 11, 41 Dicing tape 20, 60 Semiconductor device

Claims (8)

被着体と該被着体と電気的に接続された半導体素子との間の空間を充填するための熱硬化性のシート状樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂、硬化剤、熱可塑性樹脂、無機充填剤及び熱硬化促進触媒を含有し、
前記硬化剤はフェノール樹脂であり、
前記エポキシ樹脂及び前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂中のエポキシ基1当量当たり前記フェノール樹脂中の水酸基が0.5〜2.0当量になるような割合で配合されており、
前記無機充填剤の平均粒径が10nm以上500nm以下であり、
前記シート状樹脂組成物の粘度を、温度範囲50℃〜250℃、昇温速度10℃/min、周波数1Hzの測定条件にて測定したとき、
温度150℃における粘度η150が0.05MPa・s≦η150≦2.2MPa・sであり、
温度200℃における粘度η200が1.0MPa・s≦η200≦100.0MPa・sであるシート状樹脂組成物。
A thermosetting sheet-like resin composition for filling a space between an adherend and a semiconductor element electrically connected to the adherend,
Containing epoxy resin, curing agent, thermoplastic resin, inorganic filler and thermosetting accelerator catalyst,
The curing agent is a phenol resin,
The epoxy resin and the phenol resin are compounded in such a ratio that the hydroxyl group in the phenol resin is 0.5 to 2.0 equivalents per equivalent of epoxy group in the epoxy resin,
The average particle size of the inorganic filler is 10 nm or more and 500 nm or less,
When the viscosity of the sheet-like resin composition is measured under the measurement conditions of a temperature range of 50 ° C. to 250 ° C., a temperature raising rate of 10 ° C./min, and a frequency of 1 Hz,
The viscosity η 150 at a temperature of 150 ° C. is 0.05 MPa · s ≦ η 150 ≦ 2.2 MPa · s,
Sheet-like resin composition viscosity eta 200 at temperature 200 ° C. is 1.0MPa · s ≦ η 200 ≦ 100.0MPa · s.
前記測定条件にて前記シート状樹脂組成物の粘度を測定したとき、
さらに、温度80℃における粘度η80が0.001MPa・s≦η80≦1.0MPa・sである請求項1に記載のシート状樹脂組成物。
When the viscosity of the sheet-like resin composition is measured under the measurement conditions,
Furthermore, the sheet-like resin composition according to claim 1, wherein the viscosity η 80 at a temperature of 80 ° C. is 0.001 MPa · s ≦ 80 80 ≦ 1.0 MPa · s.
前記粘度η80が0.01MPa・s≦η80≦0.1MPa・sであり、
前記粘度η150が0.1MPa・s≦η150≦2.2MPa・sであり、
前記粘度η200が1.0MPa・s≦η200≦50.0MPa・sである請求項2に記載のシート状樹脂組成物。
The viscosity η 80 is 0.01 MPa · s ≦ η 80 ≦ 0.1 MPa · s,
The viscosity η 150 is 0.1 MPa · s ≦ η 150 ≦ 2.2 MPa · s,
The sheet-like resin composition according to claim 2, wherein the viscosity η 200 is 1.0 MPa · s ≦ η 200 ≦ 50.0 MPa · s.
前記熱可塑性樹脂は、重量平均分子量が5×10以上のアクリル樹脂である請求項1〜3のいずれか1項に記載のシート状樹脂組成物。 The sheet-like resin composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the thermoplastic resin is an acrylic resin having a weight average molecular weight of 5 × 10 5 or more. 前記熱硬化促進触媒は窒素原子を分子内に含む有機化合物であり、該有機化合物の分子量が50〜500である請求項1〜4のいずれか1項に記載のシート状樹脂組成物。   The sheet-like resin composition according to any one of claims 1 to 4, wherein the thermosetting promotion catalyst is an organic compound containing a nitrogen atom in the molecule, and the molecular weight of the organic compound is 50 to 500. 基材及び該基材上に設けられた粘着剤層を有する粘着テープと、
前記粘着剤層上に積層された請求項1〜5のいずれか1項に記載のシート状樹脂組成物と
を備える積層シート。
A pressure-sensitive adhesive tape having a substrate and a pressure-sensitive adhesive layer provided on the substrate;
The sheet-like resin composition of any one of Claims 1-5 laminated | stacked on the said adhesive layer, and the lamination sheet provided with these.
前記粘着テープは、半導体ウェハの裏面研削用テープ又はダイシングテープである請求項6に記載の積層シート。   The laminated sheet according to claim 6, wherein the adhesive tape is a tape for back grinding of a semiconductor wafer or a dicing tape. 被着体と、該被着体と電気的に接続された半導体素子と、該被着体と該半導体素子との間の空間を充填するシート状樹脂組成物とを備える半導体装置の製造方法であって、
請求項1〜5のいずれか1項に記載のシート状樹脂組成物が前記半導体素子に貼り合わされたシート状樹脂組成物付き半導体素子を準備する工程と、
前記被着体と前記半導体素子の間の空間を前記シート状樹脂組成物で充填しつつ前記半導体素子と前記被着体とを電気的に接続する接続工程と
を含む半導体装置の製造方法。
Disclosed is a method of manufacturing a semiconductor device comprising an adherend, a semiconductor element electrically connected to the adherend, and a sheet-like resin composition filling the space between the adherend and the semiconductor element. There,
A process for preparing a semiconductor device with a sheet-shaped resin composition, wherein the sheet-shaped resin composition according to any one of claims 1 to 5 is bonded to the semiconductor element;
And a connecting step of electrically connecting the semiconductor element and the adherend while filling the space between the adherend and the semiconductor element with the sheet-like resin composition.
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