JP6496804B2 - パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、及び、電子デバイスの製造方法 - Google Patents

パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、及び、電子デバイスの製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、超ＬＳＩや高容量マイクロチップの製造などの超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケーションプロセスに好適に用いられる、現像液を用いたパターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスに関するものである。更に詳しくは、電子ｚ線又はＥＵＶ光（波長：１３ｎｍ付近）を用いる半導体素子の微細加工に好適に用いることができる、アルカリ現像液を用いたパターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスに関するものである。
従来、ＩＣやＬＳＩなどの半導体デバイスの製造プロセスにおいては、フォトレジスト組成物を用いたリソグラフィーによる微細加工が行われている。近年、集積回路の高集積化に伴い、サブミクロン領域やクオーターミクロン領域の超微細パターン形成が要求されるようになってきている。それに伴い、露光波長もｇ線からｉ線に、更にＫｒＦエキシマレーザー光に、というように短波長化の傾向が見られる。更には、現在では、エキシマレーザー光以外にも、電子線やＸ線、あるいはＥＵＶ光を用いたリソグラフィーも開発が進んでいる。
これら電子線やＸ線、あるいはＥＵＶ光リソグラフィーは、次世代若しくは次々世代のパターン形成技術として位置付けられ、高感度、高解像性のレジスト組成物が望まれている。
特にウェハ処理時間の短縮化のため、高感度化は非常に重要な課題であるが、高感度化を追求しようとすると、パターン形状や、限界解像線幅で表される解像力が低下してしまい、これらの特性を同時に満足するレジスト組成物の開発が強く望まれている。
また、パターンにおける微細化を追求すればするほど、パターン倒れが生じ易くなり、そのようなパターン倒れを防ぐ観点からレジスト膜の薄膜化が要求される。しかしながら、微細化を追求する結果としてレジスト膜の薄膜化が進行するほど、レジスト膜のエッチング耐性がなくなりレジスト膜としての機能を果せなくなってくるというジレンマが生じ得る。
このようにレジストパターンの微細化とエッチング耐性とはトレードオフの関係にあり、これを如何にして同時に満足させるかが重要である。
また、パターンにおける微細化を追求する結果として、露光領域と未露光領域との露光量の差（光学的なコントラスト）が低下し、現像液に対する溶解速度の差が小さくなり、溶解コントラストが劣化するという問題もある。
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物には、一般に、アルカリ現像液に難溶性若しくは不溶性の樹脂を用い、放射線の露光によって露光部をアルカリ現像液に対し可溶化することでパターンを形成する「ポジ型」と、アルカリ現像液に可溶性の樹脂を用い、放射線の露光によって露光部をアルカリ現像液に対して難溶化若しくは不溶化することでパターンを形成する「ネガ型」とがある。様々なリソグラフィー技術が開発されていくなかで、例えば、アセタール型保護基を有する樹脂を用いた様々なポジ型レジスト組成物が開発され、これらによれば、解像力、感度等が改良されることが報告されている（例えば、特許文献１〜６を参照）。
しかしながら、従来の化学増幅型ポジ型レジスト組成物では、超微細（例えば、数十ｎｍオーダー）のライン幅又はスペース幅を有するパターンを形成する場合に求められる解像力、溶解コントラスト及びドライエッチング耐性を同時に満たすパターンを得ることは困難であるのが実情である。
特開２０１０−２５６４１９号公報 特開平５−２７９４２５号公報 特開２００２−２３３７０号公報 特開２０１４−４１３２９号公報 特開２０１３−１２９８２３号公報 特開平２−２５８５０号公報
本発明の目的は、電子線あるいは極紫外線（ＥＵＶ光）を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、特に超微細（例えば、数十ｎｍオーダー）のライン幅又はスペース幅を有するパターンの形成において、高感度、高い解像力、高溶解コントラスト、並びに、高いドライエッチング耐性を同時に満足するパターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供することにある。
本発明は、一態様において、以下の通りである。
［１］酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位として、少なくとも、下記一般式（１）で表される繰り返し単位（ａ）を含む樹脂（Ｐ１）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、
前記膜を露光する工程、及び、
露光後の前記膜を、現像液を用いて現像し、ポジ型のパターンを形成する工程
を含むパターン形成方法。
一般式(1)中、
Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立して、水素原子又は有機基を表し、互いが結合して芳香環を形成してもよい。
Ｙ３は、単結合又は２価の芳香環基を表す。Ｙ３は、Ｙ１と結合して環を形成してもよく、この場合のＹ３は、３価の芳香環基を表す。
Ｌ１は、単結合又は２価の連結基を表す。Ｌ１は、Ｙ１と結合して環を形成してもよく、この場合のＬ１は、３価の連結基を表す。
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、水素原子又は置換基を表す。
Ｍ１は、有機基を表す。
Ｒ１及びＲ２の一方とＭ１は、互いに結合して、式中の酸素原子と共に環を形成してもよい。
但し、Ｙ１、Ｙ２及びＹ３のうち、少なくとも一つが芳香環を含むか、あるいは、Ｙ１及びＹ２が互いに結合して芳香環を形成している。
Ｙ３が芳香環基であり、且つ、Ｌ１が単結合であるとき、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方は、炭素数６以上のアルキル基、脂肪族環式基、芳香環基、ヘテロ環基又はハロゲン原子を表す。
Ｙ３が芳香環基であり、且つ、Ｌ１が２価の連結基であるとき、Ｌ１は脂肪族環式基を含まず、且つ、Ｒ１及びＲ２の一方とＭ１は、互いに結合して環を形成することはない。
［２］
前記一般式（１）で表される繰り返し単位（ａ）が、下記一般式（２）で表される繰り返し単位である、［１］に記載のパターン形成方法。
一般式（２）中、
Ｙ４及びＹ５は、それぞれ独立して、水素原子又は有機基を表し、互いが結合して芳香環を形成してもよい。
Ｌ１１は、単結合又は２価の連結基を表す。Ｌ１１は、Ｙ４と結合して環を形成してもよく、この場合のＬ１１は、３価の連結基を表す。
Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立して、水素原子又は置換基を表す。
Ｍ２は、有機基を表す。
Ｒ３及びＲ４の一方とＭ２は、互いに結合し、式中の酸素原子と共に環を形成してもよい。
但し、Ｙ４及びＹ５のうち、少なくとも一つが芳香環を含むか、あるいは、Ｙ４及びＹ５が互いに結合して芳香環を形成している。
［３］
一般式（２）中のＲ３が水素原子を表し、Ｒ４が水素原子、アルキル基、脂肪族環式基又は芳香環基を表す、［２］に記載のパターン形成方法。
［４］
一般式（２）中のＭ２がアルキル基である、［２］又は［３］に記載のパターン形成方法。
［５］
前記一般式（１）で表される繰り返し単位（ａ）が、下記一般式（３）で表される繰り返し単位である、［１］に記載のパターン形成方法。
一般式（３）中、
Ｙ６及びＹ７は、それぞれ独立して、水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｌ２は、式中の芳香環とカルボキシル基との間に挟まれた原子数が１である２価の連結基を表す。
Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、脂肪族環式基、ハロゲン原子、芳香環基、又はヘテロ環基を表す。
Ｍ３は、有機基を表す。
Ｒ５及びＲ６の一方とＭ３は、互いに結合して環を形成することはない。
ｎは０又は１以上の整数を表す。
［６］
一般式（３）中のＲ５及びＲ６の少なくとも一方は、炭素数７以上のアルキル基、脂肪族環式基、ハロゲン原子、炭素数１３以上の芳香環基、又はヘテロ環基である、［５］に記載のパターン形成方法。
［７］
一般式（３）中のＭ３が、炭素数７以上のアルキル基、脂肪族環式基、ハロゲン原子、炭素数１３以上の芳香環基、又はヘテロ環基を表す、［５］又は［６］に記載のパターン形成方法。
［８］
前記一般式（１）で表される繰り返し単位（ａ）が、下記一般式（４）で表される繰り返し単位である、［１］に記載のパターン形成方法。
一般式（４）中、
Ｙ８及びＹ９は、それぞれ独立して、水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｒ７は、炭素数６以上のアルキル基、脂肪族環式基、芳香環基、ヘテロ環基又はハロゲン原子を表す。
Ｒ８は、水素原子、又は置換基を表す。
Ｍ４は、有機基を表す。
Ｒ７及びＲ８の一方とＭ４は、互いに結合して、式中の酸素原子と共に環を形成してもよい。
ｎは、０又は１以上の整数を表す。
［９］
一般式（４）中のＲ７が脂肪族環式基を表す、［８］に記載のパターン形成方法。
［１０］
樹脂（Ｐ１）が、更に、一般式（Ａ）で示される繰り返し単位を含む、［１］〜［９］のいずれかに記載のパターン形成方法。
一般式（Ａ）中、
Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。但し、Ｚ３はＡｒ２又はＸ１と結合して環を形成していてもよく、その場合のＺ３は単結合又はアルキレン基を表す。
Ｘ１は、単結合、アルキレン基、−ＣＯＯ−、又は−ＣＯＮＲ９−を表す。ここで、Ｒ９は水素原子又はアルキル基を表す。
Ｌ３は、単結合、−ＣＯＯ−、又はアルキレン基を表す。
Ａｒ２は、(ｍ＋１)価の芳香環基、Ｚ３と結合して環を形成している場合には(ｍ＋２)価の芳香環基を表す。
ｍは、１〜４の整数を表す。
［１１］
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、
前記膜を露光する工程、及び
露光後の前記膜を、現像液を用いて現像し、ポジ型のパターンを形成する工程、
を含むパターン形成方法に用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であり、
酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位として、少なくとも、下記一般式（１）で表される繰り返し単位（ａ）を含む樹脂（Ｐ１）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
一般式(1)中、
Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立して、水素原子又は有機基を表し、互いが結合して芳香環を形成してもよい。
Ｙ３は、単結合又は２価の芳香環基を表す。Ｙ３は、Ｙ１と結合して環を形成してもよく、この場合のＹ３は、３価の芳香環基を表す。
Ｌ１は、単結合又は２価の連結基を表す。Ｌ１は、Ｙ１と結合して環を形成してもよく、この場合のＬ１は、３価の連結基を表す。
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、水素原子又は置換基を表す。
Ｍ１は、有機基を表す。
Ｒ１及びＲ２の一方とＭ１は、互いに結合して、式中の酸素原子と共に環を形成してもよい。
但し、Ｙ１、Ｙ２及びＹ３のうち、少なくとも一つが芳香環を含むか、あるいは、Ｙ１及びＹ２が互いに結合して芳香環を形成している。
Ｙ３が芳香環基であり、且つ、Ｌ１が単結合であるとき、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方は、炭素数６以上のアルキル基、脂肪族環式基、芳香環基、ヘテロ環基又はハロゲン原子を表す。
Ｙ３が芳香環基であり、且つ、Ｌ１が２価の連結基であるとき、Ｌ１は脂肪族環式基を含まず、且つ、Ｒ１及びＲ２の一方とＭ１は、互いに結合して環を形成することはない。
［１２］
前記一般式（１）で表される繰り返し単位（ａ）が、下記一般式（２）で表される繰り返し単位である、［１１］に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
一般式（２）中、
Ｙ４及びＹ５は、それぞれ独立して、水素原子又は有機基を表し、互いが結合して芳香環を形成してもよい。
Ｌ１１は、単結合又は２価の連結基を表す。Ｌ１１は、Ｙ４と結合して環を形成してもよく、この場合のＬ１１は、３価の連結基を表す。
Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立して、水素原子又は置換基を表す。
Ｍ２は、有機基を表す。
Ｒ３及びＲ４の一方とＭ２は、互いに結合し、式中の酸素原子と共に環を形成してもよい。
但し、Ｙ４及びＹ５のうち、少なくとも一つが芳香環を含むか、あるいは、Ｙ４及びＹ５が互いに結合して芳香環を形成している。
［１３］
前記一般式（１）で表される繰り返し単位（ａ）が、下記一般式（３）で表される繰り返し単位である、［１１］に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
一般式（３）中、
Ｙ６及びＹ７は、それぞれ独立して、水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｌ２は、式中の芳香環とカルボキシル基との間に挟まれた原子数が１である２価の連結基を表す。
Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、脂肪族環式基、ハロゲン原子、芳香環基、又はヘテロ環基を表す。
Ｍ３は、有機基を表す。
Ｒ５及びＲ６の一方とＭ３は、互いに結合して環を形成することはない
ｎは０又は１以上の整数を表す。
［１４］
前記一般式（１）で表される繰り返し単位（ａ）が、下記一般式（４）で表される繰り返し単位である、［１１］に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
一般式（４）中、
Ｙ８及びＹ９は、それぞれ独立して、水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｒ７は、炭素数６以上のアルキル基、脂肪族環式基、芳香環基、ヘテロ環基又はハロゲン原子を表す。
Ｒ８は、水素原子、又は置換基を表す。
Ｍ４は、有機基を表す。
Ｒ７及びＲ８の一方とＭ４は、互いに結合して、式中の酸素原子と共に環を形成してもよい。
ｎは、０又は１以上の整数を表す。
［１５］
［１１］〜［１４］のいずれかに記載の感活性光線性又は感放射線性組成物を用いて形成される感活性光線性又は感放射線性膜。
［１６］
［１］〜［１０］のいずれかに記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
［１７］
［１６］に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。
本発明によれば、超微細領域（例えば、ライン幅又はスペース幅が数十ｎｍオーダーの領域）において、高い解像力、高溶解コントラスト、並びに、高いドライエッチング耐性を同時に満足するパターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供することができる。
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
なお、本明細書に於ける基（原子団）の表記において、置換又は無置換を明示していない表記は、置換基を有していないものと置換基を有しているものとの双方が含まれることとする。例えば、置換又は無置換を明示していない「アルキル基」は、置換基を有していないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有しているアルキル基（置換アルキル基）をも包含することとする。
本明細書における「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外（ＥＵＶ）線、Ｘ線又は電子線（ＥＢ）を意味している。また、本発明において「光」とは、活性光線又は放射線を意味している。
また、本発明における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、Ｘ線及びＥＵＶ光等による露光のみならず、電子線及びイオンビーム等の粒子線による描画も露光に含める。
本発明のパターン形成方法は、
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、
上記膜を露光する工程、
露光後の上記膜を、現像液を用いて現像し、ポジ型のパターンを形成する工程を含む。
以下において、まず、本発明のパターン形成方法で用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物（以下、「本発明の組成物」などという。）について説明し、次いで、本発明のパターン形成方法に含まれる各工程について説明する。
＜感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物＞
本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、ポジ型の現像（露光部が除去され、未露光部がパターンとして残る現像）に用いられる。即ち、本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、アルカリ現像液を用いた現像に用いられるアルカリ現像用の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物とすることができる。ここで、アルカリ現像用とは、少なくとも、アルカリ現像液を用いて現像する工程に供される用途を意味する。
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、典型的にはレジスト組成物であり、ポジ型のレジスト組成物（即ち、アルカリ現像用のレジスト組成物）であることが、特に高い効果を得ることができることから好ましい。また本発明に係る組成物は、典型的には化学増幅型のレジスト組成物である。
［１］樹脂（Ｐ１）
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、酸分解性繰り返し単位を含む樹脂（Ｐ１）を含有する。これにより、樹脂（Ｐ１）は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂となっている。ここで、酸分解性繰り返し単位とは、例えば、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、酸の作用により分解する基（以下、「酸分解性基」ともいう）を有する繰り返し単位である。分解して生じる基は極性基であることが、アルカリ溶液を含む現像液との親和性が高くなり、易溶化（ポジ化）を進行するため好ましい。
樹脂（Ｐ１）は、酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位として、少なくとも、下記一般式（１）で表される繰り返し単位（以下、「繰り返し単位（ａ）」ともいう。）を含む。
一般式(1)中、
Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立して、水素原子又は有機基を表し、互いが結合して芳香環を形成してもよい。
Ｙ３は、単結合又は２価の芳香環基を表す。Ｙ３は、Ｙ１と結合して環を形成してもよく、この場合のＹ３は、３価の芳香環基を表す。
Ｌ１は、単結合又は２価の連結基を表す。Ｌ１は、Ｙ１と結合して環を形成してもよく、この場合のＬ１は、３価の連結基を表す。
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、水素原子又は置換基を表す。
Ｍ１は、有機基を表す。
Ｒ１及びＲ２の一方とＭ１は、互いに結合して、式中の酸素原子と共に環を形成してもよい。
但し、Ｙ１、Ｙ２及びＹ３のうち、少なくとも一つが芳香環を含むか、あるいは、少なくともＹ１及びＹ２が互いに結合して芳香環を形成している。
Ｙ３が芳香環基であり、且つ、Ｌ１が単結合であるとき、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方は、炭素数６以上のアルキル基、脂肪族環式基、芳香環基、ヘテロ環基又はハロゲン原子を表す。
Ｙ３が芳香環基であり、且つ、Ｌ１が２価の連結基であるとき、Ｌ１は脂肪族環式基を含まず、且つ、Ｒ１及びＲ２の一方とＭ１は、互いに結合して環を形成することはない。
上記一般式（１）において、Ｙ１で表される有機基としては、アルキル基、脂肪族環式基、芳香環基又はヘテロ環基等が挙げられる。
Ｙ１のアルキル基は、炭素数１〜５のものが好ましい。
Ｙ１の脂肪族環式基は、単環型であっても、多環型であってもよく、炭素数３〜１５の脂肪族環式基であることが好ましい。Ｙ１の脂肪族環式基の具体例としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、デカヒドロナフチル基、シクロデシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、及び、２−ノルボルニル基などを挙げることができる。
Ｙ１の芳香環基としては、ベンゼン環、ナフタレン環などの炭素数６〜１８（より好ましくは炭素数６〜１０）の芳香環基、あるいは、例えば、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾピロール環、トリアジン環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、トリアゾール環、チアジアゾール環、チアゾール環等のヘテロ環を含む芳香環基を好ましい例として挙げることができ、ベンゼン環、ナフタレン環であることがより好ましく、ベンゼン環基であることが特に好ましい。
Ｙ１のヘテロ環基は、炭素数６〜２０のヘテロ環基であることが好ましい。Ｙ１のヘテロ環基の具体例としては、例えば、ピリジル基、ピラジル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオフェン基、ピペリジル基、ピペラジル基、フラニル基、ピラニル基、クロマニル基等が挙げられる。
Ｙ１としてのアルキル基、脂肪族環式基、芳香環基、アラルキル基及びヘテロ環基は、置換基を更に有していてもよい。
Ｙ１としてのアルキル基が更に有し得る置換基としては、例えば、脂肪族環式基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基及びニトロ基などが挙げられる。上記置換基同士が互いに結合して環を形成してもよく、上記置換基同士が互いに結合して環を形成するときの環は、脂肪族環式基又はフェニル基が挙げられる。
Ｙ１としての脂肪族環式基が更に有し得る置換基としては、アルキル基、及び、アルキル基が更に有し得る置換基の具体例として前述した各基が挙げられる。
Ｙ１としての芳香環基、アラルキル基及びヘテロ環基が更に有し得る置換基としては、例えば、ニトロ基、フッ素原子等のハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルキル基、アルコキシ基、脂肪族環式基、アリール基、アルコキシカルボニル基、アシル基、及びアルコキシカルボニルオキシ基などが挙げられる。
上記一般式（１）において、Ｙ２で表される１価の有機基としては、アルキル基、脂肪族環式基、芳香環基又はヘテロ環基等が挙げられる。
Ｙ２のアルキル基は、炭素数１〜１０のアルキル基であることが好ましい。Ｙ２のアルキル基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、及び、ｔ−ブチル基などを挙げることができる。
Ｙ２としての脂肪族環式基、芳香環基又はヘテロ環基の具体例及び好ましい例は、例えば、上述したＹ１としての脂肪族環式基、芳香環基又はヘテロ環基について記載したものと同様である。
Ｙ２としてのアルキル基、脂肪族環式基、芳香環基及びヘテロ環基は、置換基を更に有していてもよく、Ｙ２が更に有し得る置換基は、上述したＹ１のアルキル基が有し得る置換基と同様である。
一般式（１）中、Ｙ３としての芳香環基の具体例としては、上述したＹ１及びＹ２としての芳香環基について記載したものと同様の具体例が挙げられ、好ましい具体例も同様である。
一般式（１）において、Ｙ１、Ｙ２及びＹ３のうち、少なくとも一つが芳香環基を含むか、あるいは、Ｙ１及びＹ２が互いに結合して芳香環を形成している。この一般式（１）により表される繰り返し単位(ａ)が有する少なくとも一つの芳香環は、ベンゼン環、ナフタレン環がより好ましく、ベンゼン環であることが特に好ましい。
一般式（１）中、Ｌ１で表される２価の連結基としては、アルキレン基、芳香環基、シクロアルキレン基、−ＣＯＯ−Ｌ１’−、−Ｏ−Ｌ１’−、−ＣＯＮＨ−、これらの２つ以上を組み合わせて形成される基等が挙げられる。ここで、Ｌ１’はアルキレン基、シクロアルキレン基、芳香環基、アルキレン基と芳香環基を組み合わせた基を表す。
Ｌ１で表される２価の連結基としてのアルキレン基としては、好ましくはメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数１〜８のアルキレン基が挙げられる。
Ｌ１で表される２価の連結基としてのシクロアルキレン基は、炭素数３〜２０のシクロアルキレン基であることが好ましく、例えば、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロヘプチレン基、シクロオクチレン基、ノルボルニレン基又はアダマンチレン基が挙げられる。
Ｌ１で表される２価の連結基としての芳香環基は、ベンゼン環、ナフタレン環基などの炭素数６〜１８の芳香環基、あるいは、例えば、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾピロール環、トリアジン環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、トリアゾール環、チアジアゾール環、チアゾール環等のヘテロ環を含む芳香環基を好ましい例として挙げることができる。
Ｌ１’が表すアルキレン基、シクロアルキレン基及び芳香環基の定義及び好ましい範囲は、Ｌで表される２価の連結基としてのアルキレン基、シクロアルキレン基及び芳香環基におけるものと同様である。
Ｌ１’が表すアルキレン基と芳香環基を組み合わせた基におけるアルキレン基及び芳香環基の定義及び好ましい範囲は、Ｙ３で表される２価の連結基としてのアルキレン基及び芳香環基におけるものと同様である。
Ｙ３がＹ１と結合して環を形成する場合における、Ｙ３で表される３価の芳香環基としては、Ｙ１で表される芳香環基の上記した具体例から３個の任意の水素原子を除してなる基を好適に挙げることができる。
Ｌ１がＹ１と結合して環を形成する場合における、Ｌ１で表される３価の連結基としては、Ｌ１で表される２価の連結基の上記した具体例から１個の水素原子を除いてなる基を好適に挙げることができる。
一般式（１）中、Ｒ１及びＲ２で表される置換基としては、水素原子、アルキル基、脂肪族環式基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ環基であることが好ましい。
Ｒ１及びＲ２のアルキル基は、本発明の一形態において、炭素数１〜１５のアルキル基であることが好ましく、炭素数１〜１０のアルキル基であることがより好ましく、炭素数１〜６のアルキル基であることが更に好ましい。Ｒ１及びＲ２のアルキル基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基及びドデシル基などを挙げることができ、Ｒ１及びＲ２のアルキル基は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基又はｔ−ブチル基であることが好ましい。
Ｒ１及びＲ２の脂肪族環式基は、単環型であっても、多環型であってもよい。本発明の一形態において、Ｒ１及びＲ２の脂肪族環式基は、炭素数３〜１５の脂肪族環式基であることが好ましく、炭素数３〜１０の脂肪族環式基であることがより好ましく、炭素数３〜６の脂肪族環式基であることが更に好ましい。Ｒ１及びＲ２の脂肪族環式基の具体例としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、デカヒドロナフチル基、シクロデシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、及び、２−ノルボルニル基などを挙げることができる。Ｒ１及びＲ２の脂肪族環式基は、シクロプロピル基、シクロペンチル基、又は、シクロヘキシル基であることが好ましい。
Ｒ１及びＲ２のアリール基は、炭素数６〜１５のアリール基であることが好ましく、炭素数６〜１２のアリール基であることがより好ましく、複数の芳香環が単結合を介して互いに連結された構造（例えば、ビフェニル基、ターフェニル基）も含む。Ｒ１及びＲ２のアリール基の具体例としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、ビフェニル基、ターフェニル基等が挙げられる。Ｒ１１１〜Ｒ１１３のアリール基は、フェニル基、ナフチル基、又は、ビフェニル基であることが好ましい。
Ｒ１及びＲ２のアラルキル基は、炭素数６〜２０のアラルキル基であることが好ましく、炭素数７〜１２のアラルキル基であることより好ましい。Ｒ１及びＲ２のアラルキル基の具体例としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。
Ｒ１及びＲ２のヘテロ環基は、炭素数６〜２０のヘテロ環基であることが好ましく、炭素数６〜１２のヘテロ環基であることがより好ましい。Ｒ１及びＲ２のヘテロ環基の具体例としては、例えば、ピリジル基、ピラジル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオフェン基、ピペリジル基、ピペラジル基、フラニル基、ピラニル基、クロマニル基等が挙げられる。
Ｒ１及びＲ２としてのアルキル基、脂肪族環式基、アリール基、アラルキル基及びヘテロ環基は、置換基を更に有していてもよい。
Ｒ１及びＲ２としてのアルキル基が更に有し得る置換基としては、例えば、脂肪族環式基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基及びニトロ基などが挙げられる。上記置換基同士が互いに結合して環を形成してもよく、上記置換基同士が互いに結合して環を形成するときの環は、炭素数３〜１０の脂肪族環式基又はフェニル基が挙げられる。
Ｒ１及びＲ２としての脂肪族環式基が更に有し得る置換基としては、アルキル基、及び、アルキル基が更に有し得る置換基の具体例として前述した各基が挙げられる。
なお、アルキル基の炭素数、及び、脂肪族環式基が更に有し得る置換基の炭素数は、それぞれ、好ましくは、１〜８である。
Ｒ１及びＲ２としてのアリール基、アラルキル基及びヘテロ環基が更に有し得る置換基としては、例えば、ニトロ基、フッ素原子等のハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルキル基（好ましくは炭素数１〜１５）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１５）、脂肪族環式基（好ましくは炭素数３〜１５）、アリール基（好ましくは炭素数６〜１４）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜７）、アシル基（好ましくは炭素数２〜１２）、及びアルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは炭素数２〜７）などが挙げられる。
本発明の一形態において、一般式（１）中のＹ３が芳香環基であり、且つ、Ｌ１が単結合であるとき、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方は、炭素数６以上のアルキル基、脂肪族環式基、芳香環基、ヘテロ環基又はハロゲン原子を表す。
ハロゲン原子を除くこれらの基は、更に置換基を有していてもよく、更に有し得る置換基は、例えば、アルキル基、脂肪族環式基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基及びニトロ基などから適宜選択される。
Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方が炭素数６以上のアルキル基である場合、炭素数６〜１５のアルキル基であることが好ましく、炭素数６〜１０のアルキル基であることがより好ましい。
また、本発明の一形態において、Ｒ１及びＲ２のいずれか一方は、例えば脂肪族環式基であることが好ましい。
一般式（１）において、Ｍ１で表される有機基は、＊−Ｍ−Ｑで表される基であることが好ましい。＊は一般式（１）の酸素原子に連結する結合手を表す。Ｍは、単結合又は２価の連結基を表す。Ｑは、アルキル基、脂肪族環式基、アリール基又はヘテロ環基を表す。
Ｍとしての２価の連結基は、例えば、アルキレン基（好ましくは炭素数１〜８のアルキレン基、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基又はオクチレン基）、シクロアルキレン基（好ましくは炭素数３〜１５のシクロアルキレン基、例えば、シクロペンチレン基又はシクロヘキシレン基）、−Ｓ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＳ−、−ＳＯ２−、−Ｎ（Ｒ０）−、又はこれらの２種以上の組み合わせであり、総炭素数が２０以下のものが好ましい。ここで、Ｒ０は、水素原子又はアルキル基（例えば炭素数１〜８のアルキル基であって、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ヘキシル基及びオクチル基等）である。
Ｍは、単結合、アルキレン基、又は、アルキレン基と−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＳ−及び−Ｎ（Ｒ０）−の少なくとも一つとの組み合わせからなる２価の連結基が好ましく、単結合、アルキレン基、又はアルキレン基と−Ｏ−との組み合わせからなる２価の連結基がより好ましい。ここで、Ｒ０は上述のＲ０と同義である。
Ｍは置換基を更に有していてもよく、Ｍが更に有し得る置換基は、例えば、脂肪族環式基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基及びニトロ基などが挙げられる。上記置換基同士が互いに結合して環を形成してもよく、上記置換基同士が互いに結合して環を形成するときの環は、炭素数３〜１０の脂肪族環式基又はフェニル基が挙げられる。
Ｑとしてのアルキル基の具体例及び好ましい例は、例えば、炭素数１〜１５のアルキル基であることが好ましい。Ｑのアルキル基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基及びドデシル基などを挙げることができる。
Ｑとしての脂肪族環式基は、単環型であってもよく、多環型であってもよい。この脂肪族環式基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、２−ノルボルニル基、ボルニル基、イソボルニル基、４−テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデシル基、８−トリシクロ［５．２．１．０２，６］デシル基、２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル基が挙げられる。中でも、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、２−アダマンチル基、８−トリシクロ［５．２．１．０２，６］デシル基、２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル基が挙げられる。
Ｑとしてのアリール基の具体例及び好ましい例は、例えば、炭素数６〜１５のアリール基であることが好ましく、複数の芳香環が単結合を介して互いに連結された構造（例えば、ビフェニル基、ターフェニル基）も含む。Ｑのアリール基の具体例としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、ビフェニル基、ターフェニル基等が挙げられる。Ｑのアリール基は、フェニル基、ナフチル基、又は、ビフェニル基であることが好ましい。
Ｑとしてのヘテロ環基の具体例及び好ましい例は、例えば、炭素数６〜２０のヘテロ環基であることが好ましい。Ｑのヘテロ環基の具体例としては、例えば、ピリジル基、ピラジル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオフェン基、ピペリジル基、ピペラジル基、フラニル基、ピラニル基、クロマニル基等が挙げられる。
Ｑとしてのアルキル基、脂肪族環式基、アリール基及びヘテロ環基は、置換基を有していてもよく、例えば、アルキル基、脂肪族環式基、シアノ基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基が挙げられる。
本発明の一形態において、Ｍ１は、アルキル基、脂肪族環式基で置換されたアルキル基、脂肪族環式基、アラルキル基、アリールオキシアルキル基又はヘテロ環基であることが好ましく、アルキル基又は脂肪族環式基であることがより好ましい。Ｒ２としてのアルキル基、Ｒ２としての「脂肪族環式基」及び「脂肪族環式基で置換されたアルキル基」における脂肪族環式基、並びに、Ｍ１で表される基としての「アラルキル基（アリールアルキル基）」及び「アリールオキシアルキル基」におけるアリール基の具体例及び好ましい例は、それぞれ、Ｑとしてのアルキル基、脂肪族環式基、及び、アリール基で説明したものと同様である。
Ｍ１としての「脂肪族環式基で置換されたアルキル基」、「アラルキル基（アリールアルキル基）」及び「アリールオキシアルキル基」におけるアルキル部位の具体例及び好ましい例は、それぞれ、Ｍとしてのアルキレン基で説明したものと同様である。
Ｍ１としてのヘテロ環基の具体例及び好ましい例は、Ｑとしてのヘテロ環基で説明したものと同様である。
Ｍ１により表される有機基として、具体的には、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルエチル基、２−アダマンチル基、８−トリシクロ［５．２．１．０２，６］デシル基、２−ビシクロ［２．２．１］ヘプチル基、ベンジル基、２−フェネチル基、２−フェノキシエチレン基等が挙げられる。
一般式（１）中のＹ３が芳香環基であり、且つ、Ｌ１が単結合であるとき、Ｍ１により表される有機基は、一形態において、環構造を含まない基であってもよい。
Ｒ１及びＲ２の一方とＭ１は、互いに結合して、式中の酸素原子と共に環を形成してもよい。その場合に形成される含酸素複素環構造としては、単環、多環又はスピロ環のものであってもよく、好ましくは、単環の含酸素複素環構造であり、その炭素数は好ましくは３〜１０、より好ましくは４又は５である。
また、上記したように、Ｍが２価の連結基である場合、Ｑは単結合又は別の連結基を介してＭに結合し、環を形成してもよい。上記別の連結基としては、アルキレン基（好ましくは炭素数１〜３のアルキレン基）が挙げられ、形成される環は、５又は６員環であることが好ましい。
また、本発明の他の形態において、一般式（１）中のＹ３が芳香環基であり、且つ、Ｌ１が２価の連結基であるとき、Ｌ１は脂肪族環式基を含まず、且つ、Ｒ１及びＲ２の一方とＭ１は、互いに結合して環を形成することはない。
この場合において、一般式（１）中のＲ１及びＲ２の少なくとも一方は、炭素数７以上のアルキル基、脂肪族環式基、ハロゲン原子、炭素数１３以上の芳香環基、又はヘテロ環基であることが好ましい。
一般式（１）で表される繰り返し単位（ａ）は、一般式（２）〜（４）のいずれかで表される繰り返し単位であることが好ましい。
まず、一般式（２）により表される繰り返し単位（以下、「繰り返し単位（ｂ）」ともいう。）について説明する。
一般式（２）中、
Ｙ４及びＹ５は、それぞれ独立して、水素原子又は有機基を表し、互いが結合して芳香環を形成してもよい。
Ｌ１１は、単結合又は２価の連結基を表す。Ｌ１１は、Ｙ４と結合して環を形成してもよく、この場合のＬ１１は、３価の連結基を表す。
Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立して、水素原子又は置換基を表す。
Ｍ２は、有機基を表す。
Ｒ３及びＲ４の一方とＭ２は、互いに結合し、式中の酸素原子と共に環を形成してもよい。
但し、Ｙ４及びＹ５のうち、少なくとも一つが芳香環を含むか、あるいは、Ｙ４及びＹ５が互いに結合して芳香環を形成している。
一般式（２）において、Ｙ４及びＹ５により表される有機基の定義及び好ましい範囲は、上述した一般式（１）中のＹ１及びＹ２により表される有機基と同様である。
一般式（２）において、Ｌ１１により表される２価の連結基の定義及び好ましい範囲は、上述した一般式（１）中のＹ３により表される２価の連結基と同様である。
一般式（２）において、Ｒ３により表される置換基の定義及び好ましい範囲は、上述した一般式（１）中のＲ１により表される２価の連結基と同様である。本発明の一形態において、Ｒ３は水素原子であることが好ましい。
一般式（２）において、Ｒ４により表される置換基の定義及び好ましい範囲は、上述した一般式（１）中のＲ２により表される２価の連結基と同様である。本発明の一形態において、Ｒ４は、水素原子、アルキル基、脂肪族環式基又は芳香環基であることが好ましい。
一般式（２）において、Ｍ２により表される有機基の定義及び好ましい範囲は、上述した一般式（１）中のＭ１により表される有機基と同様である。本発明の一形態において、Ｍ２はアルキル基であることが好ましい。
一般式（２）において、Ｙ４及びＹ５の少なくとも一つは芳香環を含むか、あるいは、Ｙ４及びＹ５が互いに結合して芳香環を形成している。
すなわち、一般式（２）により表される繰り返し単位（ｂ）は、一般式（１）により表される繰り返し単位（ａ）に対し、必須要件として含まれる少なくとも１つの芳香環の位置を限定したものである。
この一般式（２）が有する少なくとも１つの芳香環基としては、ベンゼン環、ナフタレン環基などの炭素数６〜１８（より好ましくは炭素数６〜１０）の芳香環基、あるいは、例えば、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾピロール環、トリアジン環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、トリアゾール環、チアジアゾール環、チアゾール環等のヘテロ環を含む芳香環基を好ましい例として挙げることができ、ナフタレン環であることがより好ましく、ベンゼン環基であることが特に好ましい。
また、一般式（２）が有する少なくとも１つの芳香環基は、置換基を更に有していてもよく、この置換基としては、例えば、アルキル基、脂肪族環式基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基及びニトロ基などが挙げられる。
本発明の一形態において、一般式（２）中、Ｙ４により表される置換基が芳香環基であることが好ましく、ベンゼン環基であることがより好ましい。Ｙ４が芳香環基である場合、Ｙ５は水素原子であることが好ましい。
次に、一般式（３）により表される繰り返し単位（以下、「繰り返し単位（ｃ）」ともいう。）について説明する。
一般式（３）中、
Ｙ６及びＹ７は、それぞれ独立して、水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｌ２は、式中の芳香環とカルボキシル基との間に挟まれた原子数が１である２価の連結基を表す。
Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、脂肪族環式基、ハロゲン原子、芳香環基、又はヘテロ環基を表す。
Ｍ３は、有機基を表す。
Ｒ５及びＲ６の一方とＭ３は、互いに結合して環を形成することはない。
ｎは０又は１以上の整数を表す。
一般式（３）により表される繰り返し単位（ｃ）は、繰り返し単位（ａ）が必須要件として含む少なくとも１つの芳香環を、式中の下記芳香環基として含むものであり、この芳香環基は、ベンゼン環又はナフタレン環であることが好ましく、ベンゼン環であることがより好ましい。すなわち、一般式（３）中のｎは、０又は１であることが好ましく、０であることがより好ましい。
一般式（３）中、Ｙ６で表される１価の有機基としては、アルキル基、脂肪族環式基、アリール基又はヘテロ環基等が挙げられる。
Ｙ６としてのアルキル基は、炭素数１〜５のものが好ましく、炭素数１〜３のものがより好ましく、メチル基であることが更に好ましい。
Ｙ６の脂肪族環式基は、単環型であっても、多環型であってもよく、炭素数３〜１５の脂肪族環式基であることが好ましく、炭素数３〜１０の脂肪族環式基であることがより好ましく、炭素数３〜６の脂肪族環式基であることが更に好ましい。Ｙ６の脂肪族環式基の具体例としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、デカヒドロナフチル基、シクロデシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、及び、２−ノルボルニル基などを挙げることができる。
Ｙ６のアリール基は、炭素数６〜１５のアリール基であることが好ましく、炭素数６〜１２のアリール基であることがより好ましく、複数の芳香環が単結合を介して互いに連結された構造（例えば、ビフェニル基、ターフェニル基）も含む。Ｙ６のアリール基の具体例としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、ビフェニル基、ターフェニル基等が挙げられる。Ｙ６がアリール基である場合、（ｎ＋１）価の芳香環基を表し、Ｙ７と結合して環を形成する場合には（ｎ＋２）価の芳香環基を表す。
Ｙ６のヘテロ環基は、炭素数６〜２０のヘテロ環基であることが好ましく、炭素数６〜１２のヘテロ環基であることがより好ましい。Ｙ６のヘテロ環基の具体例としては、例えば、ピリジル基、ピラジル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオフェン基、ピペリジル基、ピペラジル基、フラニル基、ピラニル基、クロマニル基等が挙げられる。
Ｙ６としてのとしてのアルキル基、脂肪族環式基、アリール基、アラルキル基及びヘテロ環基は、置換基を更に有していてもよい。
Ｙ６としてのとしてのアルキル基が更に有し得る置換基としては、例えば、脂肪族環式基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基及びニトロ基などが挙げられる。上記置換基同士が互いに結合して環を形成してもよく、上記置換基同士が互いに結合して環を形成するときの環は、炭素数３〜１０の脂肪族環式基又はフェニル基が挙げられる。本発明の一形態において、Ｙ６としてのアルキル基が置換基を有する場合、その置換基はフッ素原子であることが好ましい。
Ｙ６としての脂肪族環式基が更に有し得る置換基としては、アルキル基、及び、アルキル基が更に有し得る置換基の具体例として前述した各基が挙げられる。
なお、上記アルキル基の炭素数、及び、脂肪族環式基が更に有し得る置換基の炭素数は、それぞれ、好ましくは、１〜８である。
Ｙ６としてのアリール基、アラルキル基及びヘテロ環基が更に有し得る置換基としては、例えば、ニトロ基、フッ素原子等のハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルキル基（好ましくは炭素数１〜１５）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１５）、脂肪族環式基（好ましくは炭素数３〜１５）、アリール基（好ましくは炭素数６〜１４）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜７）、アシル基（好ましくは炭素数２〜１２）、及びアルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは炭素数２〜７）などが挙げられる。
Ｙ６は、水素原子、又は、炭素数１〜５のアルキル基であることが好ましく、水素原子、又は、炭素数１〜３のアルキル基であることがより好ましく、水素原子、メチル基又はエチル基であることが更に好ましく、水素原子であることが特に好ましい。
一般式（３）中のＹ７で表される１価の有機基としては、アルキル基、脂肪族環式基、アリール基又はヘテロ環基等が挙げられる。
Ｙ７としてのアルキル基は、炭素数１〜１０のアルキル基であることが好ましく、炭素数１〜５のアルキル基であることがより好ましく、炭素数１〜３のアルキル基であることが更に好ましく、炭素数１又は２のアルキル基（すなわち、メチル基又はエチル基）であることが好ましい。Ｙ７のアルキル基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、及び、ｔ−ブチル基などを挙げることができる。
Ｙ７としての脂肪族環式基、アリール基又はヘテロ環基の具体例及び好ましい例は、例えば、上述したＹ６としての脂肪族環式基、アリール基又はヘテロ環基について記載したものと同様である。
Ｙ７としてのアルキル基、脂肪族環式基、アリール基又はヘテロ環基は置換基を更に有していてもよく、これらの基が更に有し得る置換基は、上述したＹ６としてのアルキル基、脂肪族環式基、アリール基又はヘテロ環基が有し得る置換基と同様である。
Ｙ７は、水素原子、又は、炭素数１〜５のアルキル基であることが好ましく、水素原子、又は、炭素数１〜３のアルキル基であることがより好ましく、水素原子、メチル基又はエチル基であることが更に好ましく、水素原子であることが特に好ましい。
一般式（３）中、Ｌ２としての２価の連結基は、例えば、メチレン基、−Ｓ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＳ−、−ＳＯ２−、−Ｎ（Ｒ０）−が好ましく、メチレン基及び−Ｏ−がより好ましく、メチレン基が特に好ましい。ここで、Ｒ０は上述のＲ０と同義である。また、一般式（３）中のｎが０である場合のＬ２としての２価の連結基は、オルト位、メタ位、及びパラ位のいずれにも結合し得るが、パラ位が特に好ましい。
一般式（３）において、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、脂肪族環式基、ハロゲン原子、芳香環基、又はヘテロ環基を表す。
Ｒ５及びＲ６のアルキル基は、炭素数１〜２０のものが好ましい。なお、アルキル基の炭素数は、７以上が好ましい。これによりドライエッチング性能が向上する。
Ｒ５及びＲ６の脂肪族環式基は、単環型であっても、多環型であってもよく、炭素数３〜１５の脂肪族環式基であることが好ましく、炭素数３〜１０の脂肪族環式基であることがより好ましく、炭素数５〜１０の脂肪族環式基であることが更に好ましい。Ｒ５及びＲ６の脂肪族環式基の具体例としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、デカヒドロナフチル基、シクロデシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、及び、２−ノルボルニル基などを挙げることができ、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、及び、２−ノルボルニル基であることが好ましい。
Ｒ５及びＲ６のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子が特に好ましい。
Ｒ５及びＲ６の芳香環基は、炭素数６〜１８のアリール基であることが好ましく、複数の芳香環が単結合を介して互いに連結された構造（例えば、ビフェニル基、ターフェニル基）も含む。Ｒ５及びＲ６のアリール基の具体例としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、ビフェニル基、ターフェニル基等が挙げられる。なお、芳香環基の炭素数は、１３以上が好ましい。これによりドライエッチング性能が向上する。
Ｒ５及びＲ６のヘテロ環基は、炭素数６〜２０のヘテロ環基であることが好ましく、炭素数６〜１２のヘテロ環基であることがより好ましい。Ｒ５及びＲ６のヘテロ環基の具体例としては、例えば、ピリジル基、ピラジル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオフェン基、ピペリジル基、ピペラジル基、フラニル基、ピラニル基、クロマニル基等が挙げられる。
Ｒ５及びＲ６としてのアルキル基、脂肪族環式基、ハロゲン原子、芳香環基、又はヘテロ環基は置換基を更に有していてもよく、Ｒ５が更に有し得る置換基は、上述したＹ１のアルキル基が有し得る置換基と同様である。
本発明の一形態において、Ｒ５及びＲ６の少なくとも一方は、炭素数７以上のアルキル基、脂肪族環式基、ハロゲン原子、炭素数１３以上の芳香環基、又はヘテロ環基であることが好ましい。
ハロゲン原子を除くこれらの基は、更に置換基を有していてもよく、更に有し得る置換基は、例えば、アルキル基、脂肪族環式基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基及びニトロ基などから適宜選択される。
Ｒ５及びＲ６の少なくとも一方が炭素数７以上のアルキル基である場合、炭素数７〜１５のアルキル基であることがより好ましく、炭素数７〜１０のアルキル基であることが更に好ましい。
また、Ｒ５及びＲ６の少なくとも一方が炭素数１３以上の芳香環基である場合、炭素数１３以上の芳香環基であることがより好ましく、炭素数１３〜１８の芳香環基であることが更に好ましい。
更に、本発明の一形態において、Ｒ５及びＲ６の少なくとも一方は、水素原子、アルキル基、脂肪族環式基、芳香環基であることが好ましい。
一般式（３）において、Ｍ３により表される有機基の定義及び好ましい範囲は、上述した一般式（１）中のＭ１により表される有機基と同様である。但し、Ｍ３は、Ｒ５及びＲ６の一方と結合して環を形成することはない。
本発明の一形態において、Ｍ３は、炭素数７以上のアルキル基、脂肪族環式基、ハロゲン原子又は炭素数１３以上の芳香環基、ヘテロ環基であることが好ましい。
Ｍ３が炭素数７以上のアルキル基である場合、炭素数７〜１５のアルキル基であることがより好ましく、炭素数７〜１０のアルキル基であることが更に好ましい。
また、Ｍ３が炭素数１３以上の芳香環基である場合、炭素数１３〜１８の芳香環基であることがより好ましい。
本発明の一形態において、一般式（３）で表される繰り返し単位（ｃ）は、一般式（３ｃ）で表される繰り返し単位であることが好ましい。
一般式（３ａ）中、Ｙ６、Ｙ７、Ｌ２、Ｒ５、Ｒ６、ｎは、上述した一般式（３）中の各基と同義である。
一般式（３ａ）中、Ｍ及びＱは、上述した一般式（１）において、Ｍ１の一形態を示す＊−Ｍ−ＱにおけるＭ及びＱと同義である。
次に、一般式（４）により表される繰り返し単位（以下、「繰り返し単位（ｄ）」ともいう。）について説明する。
一般式（４）中、
Ｙ８及びＹ９は、それぞれ独立して、水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｒ７は、炭素数６以上のアルキル基、脂肪族環式基、芳香環基、ヘテロ環基又はハロゲン原子を表す。
Ｒ８は、水素原子、又は置換基を表す。
Ｍ４は、有機基を表す。
Ｒ７及びＲ８の一方とＭ４は、互いに結合して、式中の酸素原子と共に環を形成してもよい。
ｎは、０又は１以上の整数を表す。
一般式（４）により表される繰り返し単位（ｄ）は、繰り返し単位（ａ）が必須要件として含む少なくとも１つの芳香環を、式中の下記芳香環基として含むものであり、この芳香環基は、ベンゼン環又はナフタレン環であることが好ましく、ベンゼン環であることがより好ましい。すなわち、一般式（４）中のｎは、０又は１であることが好ましく、０であることがより好ましい。
一般式（４）中、Ｙ８及びＹ９は、それぞれ、上記一般式（３）におけるＹ６及びＹ７と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
一般式（４）において、Ｒ７は、炭素数６以上のアルキル基、脂肪族環式基、ハロゲン原子、芳香環基、又はヘテロ環基を表す。
ハロゲン原子を除くこれらの基は、更に置換基を有していてもよく、更に有し得る置換基は、例えば、アルキル基、脂肪族環式基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基及びニトロ基などから適宜選択される。
Ｒ７のアルキル基において、炭素数が６以上であることは、ドライエッチング性能の観点から好ましい。
Ｒ７は、炭素数６〜１５のアルキル基であることが好ましく、炭素数６〜１０のアルキル基であることがより好ましい。
上記一般式（４）において、Ｒ７で表される脂肪族環式基、ハロゲン原子、芳香環基、及びヘテロ環基の定義及び好ましい範囲は、上述したＲ５としての脂肪族環式基、ハロゲン原子、芳香環基、及びヘテロ環基と同様である。また、これらの基が有してもよい置換基は、上述したＹ１のアルキル基が有し得る置換基と同様である。
本発明の一形態において、Ｒ７は脂肪族環式基であることが好ましい。
Ｒ７としてのアルキル基、脂肪族環式基、芳香環基、又はヘテロ環基は置換基を更に有していてもよく、これらの基が更に有し得る置換基は、上述したＹ１としてのアルキル基、脂肪族環式基、芳香環基、又はヘテロ環基が有し得る置換基と同様である。
一般式（４）において、Ｒ８により表される有機基は、一般式(１)中のＲ１により表される有機基と同義である。
本発明の一形態において、Ｒ８は、水素原子、アルキル基、脂肪族環式基、芳香環基であることが好ましい。
一般式（４）において、Ｍ４により表される有機基の定義及び好ましい範囲は、上述した一般式（１）中のＭ１により表される有機基と同様である。また、Ｍ４により表される有機基は、一形態において、環構造を含まない基であてもよい。
以下に、一般式（１）で表される繰り返し単位（ａ）の具体例を示すが、本発明は、これに限定されるものではない。
樹脂（Ｐ１）における上記一般式（１）で表される繰り返し単位（ａ）の含有率（複数種類含有する場合はその合計）は、樹脂（Ｐ１）中の全繰り返し単位に対して１０〜９０モル％であることが好ましく、３０〜８０モル％であることがより好ましく、５０〜７０モル％であることが更に好ましい。
本発明の一形態において、樹脂（Ｐ１）は、下記一般式（Ａ）で表される繰り返し単位を有することが好ましい。
一般式（Ａ）中、
Ｒ４１、Ｒ４２及びＲ４３は、各々独立に、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。（但し、Ｒ４２はＡｒ４又はＸ４と結合して環を形成していてもよく、その場合のＲ４２は単結合又はアルキレン基を表す。）。
Ｘ４は、単結合、アルキレン基、−ＣＯＯ−、又は−ＣＯＮＲ６４−を表す。（ここで、Ｒ６４は、水素原子又はアルキル基を表す。）。
Ｌ４は、単結合、−ＣＯＯ−、又はアルキレン基を表す。
Ａｒ４は、（ｎ＋１）価の芳香環基を表し、Ｒ４２と結合して環を形成する場合には（ｎ＋２）価の芳香環基を表す。
ｎは、１〜４の整数を表す。
Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３のアルキル基としては、好ましくは置換基を有していても良いメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、ドデシル基など炭素数２０以下のアルキル基が挙げられ、より好ましくは炭素数８以下のアルキル基、特に好ましくは炭素数３以下のアルキル基が挙げられる。
Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３のアルコキシカルボニル基に含まれるアルキル基の具体例及び好ましい例としては、上記Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３のアルキル基におけるものと同様である。
Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子が特に好ましい。
Ａｒ４は、（ｎ＋１）価の芳香環基を表す。ｎが１である場合における２価の芳香環基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基などの炭素数６〜１８のアリーレン基、あるいは、例えば、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール等のヘテロ環を含む芳香環基を好ましい例として挙げることができる。
ｎが２以上の整数である場合における（ｎ＋１）価の芳香環基の具体例としては、２価の芳香環基の上記した具体例から、（ｎ−１）個の任意の水素原子を除してなる基を好適に挙げることができる。
（ｎ＋１）価の芳香環基は、更に置換基を有していても良い。
Ｌ４におけるアルキレン基としては、好ましくは置換基を有していてもよいメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数１〜８個のものが挙げられる。
Ｘ４により表されるアルキレン基としては、一般式（Ａｂ）におけるＬが表す２価の連結基としてのアルキレン基におけるものと同様であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｒ４２とＡｒ４又はＸ４とが結合して環を形成した場合のＲ４２としてのアルキレン基は、直鎖状であっても分岐状であってもよく、炭素数１〜５のものが好ましい。
Ｒ４２とＸ４とが結合して環を形成した場合のＸ４としてのアルキレン基は、直鎖状であっても分岐状であってもよく、炭素数１〜５のものが好ましい。
Ｘ４により表わされる−ＣＯＮＲ６４−（Ｒ６４は、水素原子、アルキル基を表す）におけるＲ６４のアルキル基としては、Ｒ４１〜Ｒ４３のアルキル基と同様のものが挙げられる。
Ｘ４としては、単結合、アルキレン基、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−が好ましく、単結合、−ＣＯＯ−がより好ましい。
Ａｒ４としては、置換基を有していても良い炭素数６〜１８の芳香環基がより好ましく、ベンゼン環基、ナフタレン環基、ビフェニレン環基が特に好ましい。
繰り返し単位（ｂ）は、ヒドロキシスチレン構造を備えていることが好ましい。即ち、Ａｒ４は、ベンゼン環基であることが好ましい。
上記各基における好ましい置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基等を挙げることができ、置換基の炭素数は８以下が好ましい。
一般式（Ａ）で表される繰り返し単位は、下記式（Ａ１）又は（Ａ２）で表される繰り返し単位であることが好ましい。Ｒ’’は、水素原子又はメチル基を表す。
一般式（Ａ）で表される繰り返し単位（ｂ）の具体例としては、下記に示すもののほか、特開２０１４−４１３２８号公報の段落０２２６〜０２２７等に記載のものを援用することができ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
樹脂（Ｐ１）は、一般式（Ａ）で表される繰り返し単位を２種類以上含んでいてもよい。
樹脂（Ｐ１）における上記一般式（Ａ）で表される繰り返し単位の含有率（複数種類含有する場合はその合計）は、感活性光線性又は感放射線性膜の、有機溶剤を含む現像液に対する溶解コントラストを向上させる観点から、樹脂（Ｐ１）中の全繰り返し単位に対して好ましくは１０〜７０モル％であり、より好ましくは１５〜５５モル％であり、最も好ましくは２０〜４０モル％である。
樹脂（Ｐ１）は、更に、下記一般式（Ａ５）で表される繰り返し単位を含有していてもよい。
式（Ａ５）中、
Ｘは、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、アリール基、カルボキシル基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、又はアラルキル基を表す。
Ａ４は、酸の作用により脱離しない炭化水素基を表す。
一般式（Ａ５）に於ける、Ａ４の酸の作用により脱離しない炭化水素基としては、上記の酸分解性基以外の炭化水素基が挙げられ、例えば、酸の作用により脱離しないアルキル基（好ましくは炭素数１〜１５）、酸の作用により脱離しないシクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜１５）、酸の作用により脱離しないアリール基（好ましくは炭素数６〜１５）等を挙げることができる。
Ａ４の酸の作用により脱離しない炭化水素基は、更に、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基等で置換されていてもよい。
以下に、一般式（Ａ５）で表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
また、上記で例示された繰り返し単位とは異なる酸分解性基を有する繰り返し単位の態様として、樹脂（Ｐ１）は、アルコール性水酸基を生じる繰り返し単位を有していてもよい。この場合、アルコール性水酸基を生じる繰り返し単位は、下記一般式（Ｉ−１）乃至（Ｉ−１０）からなる群より選択される少なくとも１つにより表されることが好ましい。アルコール性水酸基を生じる繰り返し単位は、下記一般式（Ｉ−１）乃至（Ｉ−３）からなる群より選択される少なくとも１つにより表されることがより好ましく、下記一般式（Ｉ−１）により表されることが更に好ましい。
式中、
Ｒａは、各々独立に、水素原子、アルキル基又は−ＣＨ２−Ｏ−Ｒａ２により表される基を表す。ここで、Ｒａ２は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。
Ｒ１は、（ｎ＋１）価の有機基を表す。
Ｒ２は、ｍ≧２の場合は各々独立に、単結合又は（ｎ＋１）価の有機基を表す。
ＯＰは、各々独立に、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる上記の基を表す。ｎ≧２及び／又はｍ≧２の場合、２以上のＯＰが互いに結合して、環を形成していてもよい。
Ｗは、メチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。
ｎ及びｍは、１以上の整数を表す。なお、一般式（Ｉ−２）、（Ｉ−３）又は（Ｉ−８）においてＲ２が単結合を表す場合、ｎは１である。
ｌは、０以上の整数を表す。
Ｌ１は、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−Ｏ−、−Ａｒ−、−ＳＯ３−又は−ＳＯ２ＮＨ−により表される連結基を表す。ここで、Ａｒは、２価の芳香環基を表す。
Ｒは、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。
Ｒ０は、水素原子又は有機基を表す。
Ｌ３は、（ｍ＋２）価の連結基を表す。
ＲＬは、ｍ≧２の場合は各々独立に、（ｎ＋１）価の連結基を表す。
ＲＳは、ｐ≧２の場合は各々独立に、置換基を表す。ｐ≧２の場合、複数のＲＳは、互いに結合して環を形成していてもよい。
ｐは、０〜３の整数を表す。
Ｒａは、水素原子、アルキル基又は−ＣＨ２−Ｏ−Ｒａ２により表される基を表す。Ｒａは、水素原子又は炭素数が１〜１０のアルキル基であることが好ましく、水素原子又はメチル基であることがより好ましい。
Ｗは、メチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。Ｗは、メチレン基又は酸素原子であることが好ましい。
Ｒ１は、（ｎ＋１）価の有機基を表す。Ｒ１は、好ましくは、非芳香族性の炭化水素基である。この場合、Ｒ１は、鎖状炭化水素基であってもよく、脂環状炭化水素基であってもよい。Ｒ１は、より好ましくは、脂環状炭化水素基である。
Ｒ２は、単結合又は（ｎ＋１）価の有機基を表す。Ｒ２は、好ましくは、単結合又は非芳香族性の炭化水素基である。この場合、Ｒ２は、鎖状炭化水素基であってもよく、脂環状炭化水素基であってもよい。
Ｒ１及び／又はＲ２が鎖状炭化水素基である場合、この鎖状炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。また、この鎖状炭化水素基の炭素数は、１〜８であることが好ましい。例えば、Ｒ１及び／又はＲ２がアルキレン基である場合、Ｒ１及び／又はＲ２は、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、イソプロピレン基、ｎ−ブチレン基、イソブチレン基又はｓｅｃ−ブチレン基であることが好ましい。
Ｒ１及び／又はＲ２が脂環状炭化水素基である場合、この脂環状炭化水素基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。この脂環状炭化水素基は、例えば、モノシクロ、ビシクロ、トリシクロ又はテトラシクロ構造を備えている。この脂環状炭化水素基の炭素数は、通常は５以上であり、６〜３０であることが好ましく、７〜２５であることがより好ましい。
この脂環状炭化水素基としては、例えば、以下に列挙する部分構造を備えたものが挙げられる。これら部分構造の各々は、置換基を有していてもよい。また、これら部分構造の各々において、メチレン基（−ＣＨ２−）は、酸素原子（−Ｏ−）、硫黄原子（−Ｓ−）、カルボニル基〔−Ｃ（＝Ｏ）−〕、スルホニル基〔−Ｓ（＝Ｏ）２−〕、スルフィニル基〔−Ｓ（＝Ｏ）−〕、又はイミノ基〔−Ｎ（Ｒ）−〕（Ｒは水素原子若しくはアルキル基）によって置換されていてもよい。
例えば、Ｒ１及び／又はＲ２がシクロアルキレン基である場合、Ｒ１及び／又はＲ２は、アダマンチレン基、ノルアダマンチレン基、デカヒドロナフチレン基、トリシクロデカニレン基、テトラシクロドデカニレン基、ノルボルニレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロヘプチレン基、シクロオクチレン基、シクロデカニレン基、又はシクロドデカニレン基であることが好ましく、アダマンチレン基、ノルボルニレン基、シクロヘキシレン基、シクロペンチレン基、テトラシクロドデカニレン基又はトリシクロデカニレン基であることがより好ましい。
Ｒ１及び／又はＲ２の非芳香族性の炭化水素基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜４のアルコキシ基、カルボキシ基、及び炭素数２〜６のアルコキシカルボニル基が挙げられる。上記のアルキル基、アルコキシ基及びアルコキシカルボニル基は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、及びアルコキシ基が挙げられる。
Ｌ１は、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−Ｏ−、−Ａｒ−、−ＳＯ３−又は−ＳＯ２ＮＨ−により表される連結基を表す。ここで、Ａｒは、２価の芳香環基を表す。Ｌ１は、好ましくは−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−又は−Ａｒ−により表される連結基であり、より好ましくは−ＣＯＯ−又は−ＣＯＮＨ−により表される連結基である。
Ｒは、水素原子又はアルキル基を表す。アルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルキル基の炭素数は、好ましくは１〜６であり、より好ましくは１〜３である。Ｒは、好ましくは水素原子又はメチル基であり、より好ましくは水素原子である。
Ｒ０は、水素原子又は有機基を表す。有機基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキニル基、及びアルケニル基が挙げられる。Ｒ０は、好ましくは、水素原子又はアルキル基であり、より好ましくは、水素原子又はメチル基である。
Ｌ３は、（ｍ＋２）価の連結基を表す。即ち、Ｌ３は、３価以上の連結基を表す。このような連結基としては、例えば、後掲の具体例における対応した基が挙げられる。
ＲＬは、（ｎ＋１）価の連結基を表す。即ち、ＲＬは、２価以上の連結基を表す。このような連結基としては、例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基及び後掲の具体例における対応した基が挙げられる。ＲＬは、互いに結合して又は下記ＲＳと結合して、環構造を形成していてもよい。
ＲＳは、置換基を表す。この置換基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、及びハロゲン原子が挙げられる。
ｎは、１以上の整数である。ｎは、１〜３の整数であることが好ましく、１又は２であることがより好ましい。また、ｎを２以上とすると、有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解コントラストを更に向上させることが可能となる。従って、こうすると、限界解像力及びラフネス特性を更に向上させることができる。
ｍは、１以上の整数である。ｍは、１〜３の整数であることが好ましく、１又は２であることがより好ましい。
ｌは、０以上の整数である。ｌは、０又は１であることが好ましい。
ｐは、０〜３の整数である。
アルコール性水酸基を生じる繰り返し単位は、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位であることが好ましい。
以下に、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位の具体例を示す。なお、具体例中、Ｒａ及びＯＰは、一般式（Ｉ−１）乃至（Ｉ−３）における各々と同義である。また、複数のＯＰが互いに結合して環を形成している場合、対応する環構造は、便宜上「Ｏ−Ｐ−Ｏ」と表記している。
酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基は、下記一般式（ＩＩ−１）〜（ＩＩ−４）からなる群より選択される少なくとも１つにより表されることが好ましい。
式中、
Ｒ３は、各々独立に、水素原子又は１価の有機基を表す。Ｒ３は、互いに結合して、環を形成していてもよい。
Ｒ４は、各々独立に、１価の有機基を表す。Ｒ４は、互いに結合して、環を形成していてもよい。Ｒ３とＲ４とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。
Ｒ５は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。少なくとも２つのＲ５は、互いに結合して、環を形成していてもよい。但し、３つのＲ５のうち１つ又は２つが水素原子である場合は、残りのＲ５のうち少なくとも１つは、アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。
酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基は、下記一般式（ＩＩ−５）〜（ＩＩ−９）からなる群より選択される少なくとも１つにより表されることも好ましい。
式中、
Ｒ４は、一般式（ＩＩ−１）〜（ＩＩ−３）におけるものと同義である。
Ｒ６は、各々独立に、水素原子又は１価の有機基を表す。Ｒ６は、互いに結合して、環を形成していてもよい。
酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基は、一般式（ＩＩ−１）乃至（ＩＩ−３）から選択される少なくとも１つにより表されることがより好ましく、一般式（ＩＩ−１）又は（ＩＩ−３）により表されることが更に好ましく、一般式（ＩＩ−１）により表されることが特に好ましい。
Ｒ３は、上述した通り、水素原子又は１価の有機基を表す。Ｒ３は、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であることが好ましく、水素原子又はアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ３のアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。Ｒ３のアルキル基の炭素数は、１〜１０であることが好ましく、１〜３であることがより好ましい。Ｒ３のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、及びｎ−ブチル基が挙げられる。
Ｒ３のシクロアルキル基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。Ｒ３のシクロアルキル基の炭素数は、３〜１０であることが好ましく、４〜８であることがより好ましい。Ｒ３のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、及びアダマンチル基が挙げられる。
また、一般式（ＩＩ−１）において、Ｒ３の少なくとも一方は、１価の有機基であることが好ましい。このような構成を採用すると、特に高い感度を達成することができる。
Ｒ４は、１価の有機基を表す。Ｒ４は、アルキル基又はシクロアルキル基であることが好ましく、アルキル基であることがより好ましい。これらアルキル基及びシクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。
Ｒ４のアルキル基は、置換基を有していないか、又は、１つ以上のアリール基及び／又は１つ以上のシリル基を置換基として有していることが好ましい。無置換アルキル基の炭素数は、１〜２０であることが好ましい。１つ以上のアリール基により置換されたアルキル基におけるアルキル基部分の炭素数は、１〜２５であることが好ましい。１つ以上のシリル基により置換されたアルキル基におけるアルキル基部分の炭素数は、１〜３０であることが好ましい。また、Ｒ４のシクロアルキル基が置換基を有していない場合、その炭素数は、３〜２０であることが好ましい。
Ｒ５は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。但し、３つのＲ５のうち１つ又は２つが水素原子である場合は、残りのＲ５のうち少なくとも１つは、アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。Ｒ５は、水素原子又はアルキル基であることが好ましい。アルキル基は、置換基を有していてもよく、置換基を有していなくてもよい。アルキル基が置換基を有していない場合、その炭素数は、１〜６であることが好ましく、１〜３であることが好ましい。
Ｒ６は、上述した通り、水素原子又は１価の有機基を表す。Ｒ６は、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であることが好ましく、水素原子又はアルキル基であることがより好ましく、水素原子又は置換基を有していないアルキル基であることが更に好ましい。Ｒ６は、水素原子又は炭素数１〜１０のアルキル基であることが好ましく、水素原子又は炭素数１〜１０であり且つ置換基を有していないアルキル基であることが更に好ましい。
なお、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６のアルキル基及びシクロアルキル基としては、例えば、先にＲ３について説明したのと同様のものが挙げられる。
以下に、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基の具体例を示す。
以下に酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位の具体例を示す。下記具体例中、Ｘａ１は、水素原子、ＣＨ３、ＣＦ３、又はＣＨ２ＯＨを表す。
上記酸分解性基を有する繰り返し単位は、１種類であってもよいし、２種以上を併用してもよい。
樹脂（Ｐ１）における酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量（複数種類含有する場合はその合計）は、樹脂（Ｐ１）中の全繰り返し単位に対して好ましくは１０〜９０モル％であり、より好ましくは３０〜８０モル％であり、最も好ましくは５０〜７０モル％である。
樹脂（Ｐ１）は、下記一般式（４）により表される繰り返し単位を更に含んでも良い。
Ｒ４１は、水素原子又はメチル基を表す。Ｌ４１は、単結合又は２価の連結基を表す。Ｌ４２は、２価の連結基を表す。Ｓは、活性光線又は放射線の照射により分解して側鎖に酸を発生させる構造部位を表す。
一般式（４）で表される繰り返し単位の具体例としては、例えば、特開２０１４−４１３２８号公報の段落０１９５〜０２０９、特開２０１３−５４１９６号公報の段落００１６〜０１４５等に記載のものを援用することができ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
樹脂（Ｐ１）における一般式（４）で表される繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ｐ１）の全繰り返し単位に対して、１〜４０モル％の範囲が好ましく、２〜３０モル％の範囲がより好ましく、５〜２５モル％の範囲が特に好ましい。
樹脂（Ｐ１）は、一般式（Ａ）で現される繰り返し単位とは異なる、極性基を有する繰り返し単位（ｂ’）を含むことが好ましい。繰り返し単位（ｂ’）を含むことにより、例えば、樹脂を含んだ組成物の感度を向上させることができる。繰り返し単位（ｂ’）は、非酸分解性の繰り返し単位であること（すなわち、酸分解性基を有さないこと）が好ましい。
繰り返し単位（ｂ’）が含み得る「極性基」としては、例えば、以下の（１）〜（４）が挙げられる。なお、以下において、「電気陰性度」とは、Ｐａｕｌｉｎｇによる値を意味している。
（１）酸素原子と、酸素原子との電気陰性度の差が１．１以上である原子とが、単結合により結合した構造を含む官能基
このような極性基としては、例えば、ヒドロキシ基などのＯ−Ｈにより表される構造を含んだ基が挙げられる。
（２）窒素原子と、窒素原子との電気陰性度の差が０．６以上である原子とが、単結合により結合した構造を含む官能基
このような極性基としては、例えば、アミノ基などのＮ−Ｈにより表される構造を含んだ基が挙げられる。
（３）電気陰性度が０．５以上異なる２つの原子が二重結合又は三重結合により結合した構造を含む官能基
このような極性基としては、例えば、Ｃ≡Ｎ、Ｃ＝Ｏ、Ｎ＝Ｏ、Ｓ＝Ｏ又はＣ＝Ｎにより表される構造を含んだ基が挙げられる。
（４）イオン性部位を有する官能基
このような極性基としては、例えば、Ｎ＋又はＳ＋により表される部位を有する基が挙げられる。
以下に、「極性基」が含み得る部分構造の具体例を挙げる。
繰り返し単位（ｂ’）が含み得る極性基は、ヒドロキシル基、シアノ基、ラクトン基、スルトン基、カルボン酸基、スルホン酸基、アミド基、スルホンアミド基、アンモニウム基、スルホニウム基、カーボネート基（−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−）（例えば、環状炭酸エステル構造等）及びこれらの２つ以上を組み合わせてなる基より選択されることが好ましく、アルコール性ヒドロキシ基、シアノ基、ラクトン基、スルトン基、又は、シアノラクトン構造を含んだ基であることが特に好ましい。
樹脂にアルコール性ヒドロキシ基を備えた繰り返し単位を更に含有させると、樹脂を含んだ組成物の露光ラチチュード（ＥＬ）を更に向上させることができる。
樹脂にシアノ基を備えた繰り返し単位を更に含有させると、樹脂を含んだ組成物の感度を更に向上させることができる。
樹脂にラクトン基を備えた繰り返し単位を更に含有させると、有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解コントラストを更に向上させることができる。また、こうすると、樹脂を含んだ組成物のドライエッチング耐性、塗布性、及び基板との密着性を更に向上させることも可能となる。
樹脂にシアノ基を有するラクトン構造を含んだ基を備えた繰り返し単位を更に含有させると、有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解コントラストを更に向上させることができる。また、こうすると、樹脂を含んだ組成物の感度、ドライエッチング耐性、塗布性、及び基板との密着性を更に向上させることも可能となる。加えて、こうすると、シアノ基及びラクトン基のそれぞれに起因した機能を単一の繰り返し単位に担わせることが可能となり、樹脂の設計の自由度を更に増大させることも可能となる。
繰り返し単位（ｂ’）が有する極性基がアルコール性ヒドロキシ基である場合、下記一般式（Ｉ−１Ｈ）乃至（Ｉ−１０Ｈ）からなる群より選択される少なくとも１つにより表されることが好ましい。特には、下記一般式（Ｉ−１Ｈ）乃至（Ｉ−３Ｈ）からなる群より選択される少なくとも１つにより表されることがより好ましく、下記一般式（Ｉ−１Ｈ）により表されることが更に好ましい。
式中、Ｒａ、Ｒ１、Ｒ２、Ｗ、ｎ、ｍ、ｌ、Ｌ１、Ｒ、Ｒ０、Ｌ３、ＲＬ、ＲＳ及びｐは、一般式（Ｉ−１）乃至（Ｉ−１０）における各々と同義である。
酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位と、上記一般式（Ｉ−１Ｈ）乃至（Ｉ−１０Ｈ）からなる群より選択される少なくとも１つにより表される繰り返し単位とを併用すると、例えば、アルコール性ヒドロキシ基による酸拡散の抑制と、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基による感度の増大とにより、他の性能を劣化させることなしに、露光ラチチュード（ＥＬ）を改良することが可能となる。
アルコール性ヒドロキシ基を有する場合、その繰り返し単位の含有率は、樹脂（Ｐ１）中の全繰り返し単位に対し、１〜６０ｍｏｌ％が好ましく、より好ましくは３〜５０ｍｏｌ％、更に好ましくは５〜４０ｍｏｌ％である。
以下に、一般式（Ｉ−１Ｈ）乃至（Ｉ−１０Ｈ）の何れかにより表される繰り返し単位の具体例を示す。なお、具体例中、Ｒａは、一般式（Ｉ−１Ｈ）乃至（Ｉ−１０Ｈ）におけるものと同義である。
繰り返し単位（ｂ’）が有する極性基がアルコール性ヒドロキシ基またはシアノ基である場合、好ましい繰り返し単位の一つの態様として、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが挙げられる。このとき、酸分解性基を有さないことが好ましい。水酸基またはシアノ基で置換された脂環炭化水素構造に於ける、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。好ましい水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造としては、下記一般式（ＶＩＩａ）〜（ＶＩＩｃ）で表される部分構造が好ましい。これにより基板密着性、及び現像液親和性が向上する。
一般式（ＶＩＩａ）〜（ＶＩＩｃ）に於いて、
Ｒ２ｃ〜Ｒ４ｃは、各々独立に、水素原子又は水酸基又はシアノ基を表す。ただし、Ｒ２ｃ〜Ｒ４ｃの内の少なくとも１つは、水酸基を表す。好ましくは、Ｒ２ｃ〜Ｒ４ｃの内の１つ又は２つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式（ＶＩＩａ）に於いて、更に好ましくは、Ｒ２ｃ〜Ｒ４ｃの内の２つが、水酸基で、残りが水素原子である。
一般式（ＶＩＩａ）〜（ＶＩＩｃ）で表される部分構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式（ＡＩＩａ）〜（ＡＩＩｃ）で表される繰り返し単位を挙げることができる。
一般式（ＡＩＩａ）〜（ＡＩＩｃ）に於いて、
Ｒ１ｃは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
Ｒ２ｃ〜Ｒ４ｃは、一般式（ＶＩＩａ）〜（ＶＩＩｃ）に於ける、Ｒ２ｃ〜Ｒ４ｃと同義である。
樹脂（Ｐ１）は水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位を含有していても含有していなくてもよいが、含有する場合、水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ｐ１）中の全繰り返し単位に対し、１〜６０モル％が好ましく、より好ましくは３〜５０モル％、更に好ましくは５〜４０モル％である。
水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
繰り返し単位（ｂ’）は、極性基としてラクトン構造を有する繰り返し単位であってもよい。
ラクトン構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式（ＡＩＩ）で表される繰り返し単位がより好ましい。
一般式（ＡＩＩ）中、
Ｒｂ０は、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を有していてもよいアルキル基（好ましくは炭素数１〜４）を表す。
Ｒｂ０のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Ｒｂ０のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Ｒｂ０として、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。
Ａｂは、単結合、アルキレン基、単環又は多環のシクロアルキル構造を有する２価の連結基、エーテル結合、エステル結合、カルボニル基、又はこれらを組み合わせた２価の連結基を表す。Ａｂは、好ましくは、単結合、−Ａｂ１−ＣＯ２−で表される２価の連結基である。
Ａｂ１は、直鎖又は分岐アルキレン基、単環又は多環のシクロアルキレン基であり、好ましくはメチレン基、エチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基、ノルボルニレン基である。
Ｖは、ラクトン構造を有する基を表す。
ラクトン構造を有する基としては、ラクトン構造を有していればいずれでも用いることができるが、好ましくは５〜７員環ラクトン構造であり、５〜７員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式（ＬＣ１−１）〜（ＬＣ１−１７）のいずれかで表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。また、ラクトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造としては（ＬＣ１−１）、（ＬＣ１−４）、（ＬＣ１−５）、（ＬＣ１−６）、（ＬＣ１−８）、（ＬＣ１−１３）、（ＬＣ１−１４）である。
ラクトン構造部分は、置換基（Ｒｂ２）を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基（Ｒｂ２）としては、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数４〜７の１価のシクロアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数２〜８のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。より好ましくは炭素数１〜４のアルキル基、シアノ基、酸分解性基である。ｎ２は、０〜４の整数を表す。ｎ２が２以上の時、複数存在する置換基（Ｒｂ２）は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在する置換基（Ｒｂ２）同士が結合して環を形成してもよい。
ラクトン基を有する繰り返し単位は、通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、１種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体を混合して用いてもよい。１種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度（ｅｅ）が９０％以上のものが好ましく、より好ましくは９５％以上である。
樹脂（Ｐ１）はラクトン構造を有する繰り返し単位を含有しても含有しなくてもよいが、ラクトン構造を有する繰り返し単位を含有する場合、樹脂（Ｐ１）中のラクトン構造を有する繰り返し単位の含有量は、全繰り返し単位に対して、１〜７０モル％の範囲が好ましく、より好ましくは３〜６５モル％の範囲であり、更に好ましくは５〜６０モル％の範囲である。
以下に、樹脂（Ｐ１）中のラクトン構造を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。式中、Ｒｘは、Ｈ，ＣＨ３，ＣＨ２ＯＨ，又はＣＦ３を表す。
また、樹脂（Ｐ１）が有するスルトン基としては、下記一般式（ＳＬ−１）、（ＳＬ−２）が好ましい。式中のＲｂ２、ｎ２は、上述した一般式（ＬＣ１−１）〜（ＬＣ１−１７）と同義である。
樹脂（Ｐ１）が有するスルトン基を含む繰り返し単位としては、前述したラクトン基を有する繰り返し単位におけるラクトン基を、スルトン基に置換したものが好ましい。
また、繰り返し単位（ｂ’）が有しうる極性基が酸性基であることも特に好ましい態様の一つである。好ましい酸性基としてはフェノール性ヒドロキシル基、カルボン酸基、スルホン酸基、フッ素化アルコール基（例えばヘキサフロロイソプロパノール基）、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）メチレン基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルカルボニル）メチレン基、ビス（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルスルホニル）メチレン基、ビス（アルキルスルホニル）イミド基、トリス（アルキルカルボニル）メチレン基、トリス（アルキルスルホニル）メチレン基が挙げられる。なかでも繰り返し単位（ｂ）はカルボキシル基を有する繰り返し単位であることがより好ましい。酸性基を有する繰り返し単位を含有することによりコンタクトホール用途での解像性が増す。酸性基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接酸性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖に酸性基が結合している繰り返し単位、更には酸性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入のいずれも好ましい。特に好ましくはアクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位である。
繰り返し単位（ｂ’）が有しうる酸性基は、芳香環を含んでいてもいなくてもよい。繰り返し単位（ｂ’）が酸性基を有する場合、酸性基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ｐ１）中の全繰り返し単位に対し、３０モル％以下であることが好ましく、２０モル％以下であることがより好ましい。樹脂（Ｐ１）が酸性基を有する繰り返し単位を含有する場合、樹脂（Ｐ１）における酸性基を有する繰り返し単位の含有量は、通常、１モル％以上である。
酸性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。
具体例中、ＲｘはＨ、ＣＨ３、ＣＨ２ＯＨ又はＣＦ３を表す。
樹脂（Ｐ１）は下記一般式（ｃ１）で表される複数の芳香環を有する繰り返し単位（ｃ）を有していても良い。
一般式（ｃ１）中、
Ｒ３は、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はニトロ基を表し；
Ｙは、単結合又は２価の連結基を表し；
Ｚは、単結合又は２価の連結基を表し；
Ａｒは、芳香環基を表し；
ｐは１以上の整数を表す。
一般式（ｃ１）で表される繰り返し単位に関しては、特開２０１４−４１３２８号公報の段落０２６５〜０２７９に記載の内容を援用することができ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
樹脂（Ｐ１）は、繰り返し単位（ｃ）を含有してもしなくても良いが、含有する場合、繰り返し単位（ｃ）の含有率は、樹脂（Ｐ１）全繰り返し単位に対して、１〜３０モル％の範囲であることが好ましく、より好ましくは１〜２０モル％の範囲であり、更に好ましくは１〜１５モル％の範囲である。樹脂（Ｐ１）に含まれる繰り返し単位（ｃ）は２種類以上を組み合わせて含んでもよい。
本発明における樹脂（Ｐ１）は、繰り返し単位（ａ）〜（ｃ）以外の繰り返し単位を適宜有していてもよい。そのような繰り返し単位の一例として、更に極性基（例えば、上記の酸基、水酸基、シアノ基）を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を有することができる。これにより、有機溶剤を含む現像液を用いた現像の際に樹脂の溶解性を適切に調整することができる。このような繰り返し単位としては、一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位が挙げられる。
一般式（ＩＶ）中、Ｒ５は少なくとも１つの環状構造を有し、極性基を有さない炭化水素基を表す。
Ｒａは水素原子、アルキル基又は−ＣＨ２−Ｏ−Ｒａ２基を表す。式中、Ｒａ２は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Ｒａは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。
Ｒ５が有する環状構造には、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。単環式炭化水素基としては、たとえば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基などの炭素数３〜１２のシクロアルキル基、シクロへキセニル基など炭素数３〜１２のシクロアルケニル基が挙げられる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数３〜７の単環式炭化水素基であり、より好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。
多環式炭化水素基には環集合炭化水素基、架橋環式炭化水素基が含まれ、環集合炭化水素基の例としては、ビシクロヘキシル基、パーヒドロナフタレニル基などが含まれる。架橋環式炭化水素環として、例えば、ピナン、ボルナン、ノルピナン、ノルボルナン、ビシクロオクタン環（ビシクロ［２．２．２］オクタン環、ビシクロ［３．２．１］オクタン環等）などの２環式炭化水素環及び、ホモブレンダン、アダマンタン、トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカン、トリシクロ［４．３．１．１２，５］ウンデカン環などの３環式炭化水素環、テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカン、パーヒドロ−１，４−メタノ−５，８−メタノナフタレン環などの４環式炭化水素環などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素環には、縮合環式炭化水素環、例えば、パーヒドロナフタレン（デカリン）、パーヒドロアントラセン、パーヒドロフェナントレン、パーヒドロアセナフテン、パーヒドロフルオレン、パーヒドロインデン、パーヒドロフェナレン環などの５〜８員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環も含まれる。
好ましい架橋環式炭化水素環として、ノルボルニル基、アダマンチル基、ビシクロオクタニル基、トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカニル基、などが挙げられる。より好ましい架橋環式炭化水素環としてノルボルニル基、アダマンチル基が挙げられる。
これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、水素原子が置換されたヒドロキシル基、水素原子が置換されたアミノ基などが挙げられる。好ましいハロゲン原子としては臭素、塩素、フッ素原子、好ましいアルキル基としてはメチル、エチル、ブチル、ｔ−ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基は更に置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、水素原子が置換されたヒドロキシル基、水素原子が置換されたアミノ基を挙げることができる。
上記水素原子の置換基としては、たとえばアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。好ましいアルキル基としては、炭素数１〜４のアルキル基、好ましい置換メチル基としてはメトキシメチル、メトキシチオメチル、ベンジルオキシメチル、ｔ−ブトキシメチル、２−メトキシエトキシメチル基、好ましい置換エチル基としては、１−エトキシエチル、１−メチル−１−メトキシエチル、好ましいアシル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル基などの炭素数１〜６の脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基としては炭素数１〜４のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。
樹脂（Ｐ１）は、極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を含有してもしなくてもよいが、含有する場合、この繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ｐ１）中の全繰り返し単位に対し、１〜２０モル％が好ましく、より好ましくは５〜１５モル％である。
極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Ｒａは、Ｈ、ＣＨ３、ＣＨ２ＯＨ、又はＣＦ３を表す。
また、樹脂（Ｐ１）は、Ｔｇの向上やドライエッジング耐性の向上、先述のアウトオブバンド光の内部フィルター等の効果を鑑み、下記のモノマー成分を含んでも良い。
樹脂（Ｐ１）は、下記一般式（Ｖ）又は下記一般式（ＶＩ）で表される繰り返し単位を含有してもよい。
式中、
Ｒ６及びＲ7は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アルコキシ基又はアシロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、ハロゲン原子、エステル基（−ＯＣＯＲ又は−ＣＯＯＲ：Ｒは炭素数１〜６のアルキル基又はフッ素化アルキル基）、又はカルボキシル基を表す。
ｎ３は０〜６の整数を表す。
Ｘ４はメチレン基、酸素原子又は硫黄原子である。
一般式（Ｖ）又は一般式（ＶＩ）で表される繰り返し単位の具体例を下記に示すが、これらに限定されない。
また、樹脂（Ｐ１）は、環状炭酸エステル構造を有する繰り返し単位を有していてもよい。
環状炭酸エステル構造を有する繰り返し単位は、下記一般式（Ａ−１）で表される繰り返し単位であることが好ましい。
一般式（Ａ−１）中、ＲＡ １は、水素原子又はアルキル基を表す。
ＲＡ ２は、ｎが２以上の場合は各々独立して、置換基を表す。
Ａは、単結合、又は２価の連結基を表す。
Ｚは、式中の−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−で表される基と共に単環又は多環構造を形成する原子団を表す。
ｎは０以上の整数を表す。
一般式（Ａ−１）で表される繰り返し単位に関しては、特開２０１４−４１３２８号公報の段落０２９３〜０３０４に記載の内容を援用することができ、これらの内容は本明細書に組みこまれる。
本発明の組成物に用いられる樹脂（Ｐ１）において、各繰り返し構造単位の含有モル比は、レジストのドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。
以下に樹脂（Ｐ１）の具体例を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。
本発明の樹脂（Ｐ１）の形態としては、ランダム型、ブロック型、クシ型、スター型のいずれの形態でもよい。
樹脂（Ｐ１）は、例えば、各構造に対応する不飽和モノマーのラジカル、カチオン、又はアニオン重合により合成することができる。また各構造の前駆体に相当する不飽和モノマーを用いて重合した後に、高分子反応を行うことにより目的とする樹脂を得ることも可能である。
例えば、一般的合成方法としては、不飽和モノマー及び重合開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤に不飽和モノマーと重合開始剤の溶液を１〜１０時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。
重合に使用される溶媒としては、例えば、後述の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を調製する際に使用することができる溶剤等を挙げることができ、より好ましくは本発明の組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。
重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤（アゾ系開始剤、パーオキサイドなど）を用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）などが挙げられる。必要に応じて連鎖移動剤（例えば、アルキルメルカプタンなど）の存在下で重合を行ってもよい。
反応の濃度は５〜７０質量％であり、好ましくは１０〜５０質量％である。反応温度は、通常１０℃〜１５０℃であり、好ましくは３０℃〜１２０℃、更に好ましくは４０〜１００℃である。
反応時間は、通常１〜４８時間であり、好ましくは１〜２４時間、更に好ましくは１〜１２時間である。
反応終了後、室温まで放冷し、精製する。精製は、水洗や適切な溶媒を組み合わせることにより残留単量体やオリゴマー成分を除去する液々抽出法、特定の分子量以下のもののみを抽出除去する限外ろ過等の溶液状態での精製方法や、樹脂溶液を貧溶媒へ滴下することで樹脂を貧溶媒中に凝固させることにより残留単量体等を除去する再沈澱法やろ別した樹脂スラリーを貧溶媒で洗浄する等の固体状態での精製方法等の通常の方法を適用できる。例えば、上記樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒（貧溶媒）を、この反応溶液の１０倍以下の体積量、好ましくは１０〜５倍の体積量で、接触させることにより樹脂を固体として析出させる。
ポリマー溶液からの沈殿又は再沈殿操作の際に用いる溶媒（沈殿又は再沈殿溶媒）としては、このポリマーの貧溶媒であればよく、ポリマーの種類に応じて、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、ニトロ化合物、エーテル、ケトン、エステル、カーボネート、アルコール、カルボン酸、水、これらの溶媒を含む混合溶媒等の中から適宜選択して使用できる。これらの中でも、沈殿又は再沈殿溶媒として、少なくともアルコール（特に、メタノールなど）又は水を含む溶媒が好ましい。
沈殿又は再沈殿溶媒の使用量は、効率や収率等を考慮して適宜選択できるが、一般には、ポリマー溶液１００質量部に対して、１００〜１００００質量部、好ましくは２００〜２０００質量部、更に好ましくは３００〜１０００質量部である。
沈殿又は再沈殿する際の温度としては、効率や操作性を考慮して適宜選択できるが、通常０〜５０℃程度、好ましくは室温付近（例えば２０〜３５℃程度）である。沈殿又は再沈殿操作は、攪拌槽などの慣用の混合容器を用い、バッチ式、連続式等の公知の方法により行うことができる。
沈殿又は再沈殿したポリマーは、通常、濾過、遠心分離等の慣用の固液分離に付し、乾燥して使用に供される。濾過は、耐溶剤性の濾材を用い、好ましくは加圧下で行われる。乾燥は、常圧又は減圧下（好ましくは減圧下）、３０〜１００℃程度、好ましくは３０〜５０℃程度の温度で行われる。
なお、一度、樹脂を析出させて、分離した後に、再び溶媒に溶解させ、この樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒と接触させてもよい。即ち、上記ラジカル重合反応終了後、このポリマーが難溶あるいは不溶の溶媒を接触させ、樹脂を析出させ（工程ａ）、樹脂を溶液から分離し（工程ｂ）、改めて溶媒に溶解させ樹脂溶液Ａを調製（工程ｃ）、その後、この樹脂溶液Ａに、この樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒を、樹脂溶液Ａの１０倍未満の体積量（好ましくは５倍以下の体積量）で、接触させることにより樹脂固体を析出させ（工程ｄ）、析出した樹脂を分離する（工程ｅ）ことを含む方法でもよい。
重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤（アゾ系開始剤、パーオキサイドなど）を用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル２，２‘−アゾビス（２−メチルプロピオネート）などが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は５〜５０質量％であり、好ましくは１０〜３０質量％である。反応温度は、通常１０℃〜１５０℃であり、好ましくは３０℃〜１２０℃、更に好ましくは６０〜１００℃である。
本発明に係わる樹脂（Ｐ１）の分子量は、特に制限されないが、重量平均分子量が１０００〜１０００００の範囲であることが好ましく、１５００〜６００００の範囲であることがより好ましく、２０００〜３００００の範囲であることが特に好ましい。重量平均分子量を１０００〜１０００００の範囲とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、且つ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防ぐことができる。ここで、樹脂の重量平均分子量は、ＧＰＣ（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）測定（キャリア：ＴＨＦあるいはＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ））によって測定したポリスチレン換算分子量を示す。
また分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、好ましくは１．００〜５．００、より好ましくは１．０３〜３．５０であり、更に好ましくは、１．０５〜２．５０である。分子量分布の小さいものほど、解像度、レジスト形状が優れ、且つレジストパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。
本発明の樹脂（Ｐ１）は、１種類単独で、又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。樹脂（Ｐ１）の含有率は、本発明の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物中の全固形分を基準にして、２０〜９９質量％が好ましく、３０〜８９質量％がより好ましく、４０〜７９質量％が特に好ましい。
［２］樹脂（Ｐ１）とは異なる、酸の作用により分解し、現像液に対する溶解度が変化する樹脂（Ｂ）
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、樹脂（Ｐ１）とは異なる、酸の作用により分解し、現像液に対する溶解度が変化する樹脂（以下、樹脂（Ｂ）とも言う）を含有していても良い。
樹脂（Ｂ）は、極性基が酸の作用により分解し脱離する脱離基で保護された構造（以下、「酸分解性基」ともいう）を有する樹脂である。
樹脂（Ｂ）は、酸分解性基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。
極性基としては、例えば、カルボキシル基、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、スルホン酸基、チオール基等を挙げることができる。
酸の作用により脱離する基としては、例えば、−Ｃ（Ｒ３６）（Ｒ３７）（Ｒ３８）、−Ｃ（Ｒ３６）（Ｒ３７）（ＯＲ３９）、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｃ（Ｒ３６）（Ｒ３７）（Ｒ３８）、−Ｃ（Ｒ０１）（Ｒ０２）（ＯＲ３９）、−Ｃ（Ｒ０１）（Ｒ０２）−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｃ（Ｒ３６）（Ｒ３７）（Ｒ３８）等を挙げることができる。
式中、Ｒ３６〜Ｒ３９は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基表す。Ｒ３６とＲ３７とは、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ０１〜Ｒ０２は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。
樹脂（Ｂ）は、常法に従って（例えばラジカル重合）合成することができる。
樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は、ＧＰＣ法によりポリスチレン換算値として、好ましくは１，０００〜２００，０００であり、より好ましくは２，０００〜２０，０００、更により好ましくは３，０００〜１５，０００、特に好ましくは３，０００〜１０，０００である。重量平均分子量を、１，０００〜２００，０００とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、且つ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防ぐことができる。
分散度（分子量分布）は、通常１〜３であり、好ましくは１〜２．６、更に好ましくは１〜２、特に好ましくは１．４〜１．７の範囲のものが使用される。分子量分布の小さいものほど、解像度、レジスト形状が優れ、且つレジストパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。
樹脂（Ｂ）は、２種類以上組み合わせて使用してもよい。
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、樹脂（Ｂ）を含有してもしなくても良いが、含有する場合、樹脂（Ｂ）の添加量は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分に対し、通常１〜５０質量％であり、好ましくは１〜３０質量％であり、特に好ましくは１〜１５質量％である。
樹脂（Ｂ）としては、特開２０１０−２１７８８４号公報の段落［００５９］〜［０１６９］に記載されているもの、特願２０１１−２１７０４８号の段落［０２１４］〜［０５９４］に記載されているものが挙げられる。
［３］（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
本発明の組成物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（以下、「酸発生剤」又は「光酸発生剤」ともいう）を含有することが好ましい。
酸発生剤としては、公知のものであれば特に限定されないが、活性光線又は放射線の照射により、有機酸、例えば、スルホン酸、ビス（アルキルスルホニル）イミド、又はトリス（アルキルスルホニル）メチドの少なくともいずれかを発生する化合物が好ましい。
活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）は、低分子化合物の形態であっても良く、重合体の一部に組み込まれた形態であっても良い。また、低分子化合物の形態と重合体の一部に組み込まれた形態を併用しても良い。
活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）が、低分子化合物の形態である場合、分子量が３０００以下であることが好ましく、２０００以下であることがより好ましく、１０００以下であることが更に好ましい。
活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）が、重合体の一部に組み込まれた形態である場合、前述した酸分解性樹脂の一部に組み込まれても良く、酸分解性樹脂とは異なる樹脂に組み込まれても良い。
より好ましくは下記一般式（ＺＩ）、（ＺＩＩ）、（ＺＩＩＩ）で表される化合物を挙げることができる。
上記一般式（ＺＩ）において、
Ｒ２０１、Ｒ２０２及びＲ２０３は、各々独立に、有機基を表す。
Ｒ２０１、Ｒ２０２及びＲ２０３としての有機基の炭素数は、一般的に１〜３０、好ましくは１〜２０である。
また、Ｒ２０１〜Ｒ２０３のうち２つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。Ｒ２０１〜Ｒ２０３の内の２つが結合して形成する基としては、アルキレン基（例えば、ブチレン基、ペンチレン基）を挙げることができる。
Ｚ−は、非求核性アニオン（求核反応を起こす能力が著しく低いアニオン）を表す。
非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン（脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなど）、カルボン酸アニオン（脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなど）、スルホニルイミドアニオン、ビス（アルキルスルホニル）イミドアニオン、トリス（アルキルスルホニル）メチドアニオン等を挙げられる。
脂肪族スルホン酸アニオン及び脂肪族カルボン酸アニオンにおける脂肪族部位は、アルキル基であってもシクロアルキル基であってもよく、好ましくは炭素数１〜３０の直鎖又は分岐のアルキル基及び炭素数３〜３０のシクロアルキル基が挙げられる。
芳香族スルホン酸アニオン及び芳香族カルボン酸アニオンにおける芳香族基としては、好ましくは炭素数６〜１４のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。
上記で挙げたアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。この具体例としては、ニトロ基、フッ素原子などのハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１５）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜１５）、アリール基（好ましくは炭素数６〜１４）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜７）、アシル基（好ましくは炭素数２〜１２）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは炭素数２〜７）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜１５）、アルキルスルホニル基（好ましくは炭素数１〜１５）、アルキルイミノスルホニル基（好ましくは炭素数２〜１５）、アリールオキシスルホニル基（好ましくは炭素数６〜２０）、アルキルアリールオキシスルホニル基（好ましくは炭素数７〜２０）、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基（好ましくは炭素数１０〜２０）、アルキルオキシアルキルオキシ基（好ましくは炭素数５〜２０）、シクロアルキルアルキルオキシアルキルオキシ基（好ましくは炭素数８〜２０）等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基として更にアルキル基（好ましくは炭素数１〜１５）を挙げることができる。
アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数６〜１２のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルブチル基等を挙げることができる。
スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。
ビス（アルキルスルホニル）イミドアニオン、トリス（アルキルスルホニル）メチドアニオンにおけるアルキル基は、炭素数１〜５のアルキル基が好ましい。これらのアルキル基の置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基等を挙げることができ、フッ素原子又はフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。
また、ビス（アルキルスルホニル）イミドアニオンにおけるアルキル基は、互いに結合して環構造を形成してもよい。これにより、酸強度が増加する。
その他の非求核性アニオンとしては、例えば、弗素化燐（例えば、ＰＦ６ −）、弗素化硼素（例えば、ＢＦ４ −）、弗素化アンチモン（例えば、ＳｂＦ６ −）等を挙げることができる。
非求核性アニオンとしては、スルホン酸の少なくともα位がフッ素原子で置換された脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換された芳香族スルホン酸アニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたビス（アルキルスルホニル）イミドアニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたトリス（アルキルスルホニル）メチドアニオンが好ましい。非求核性アニオンとして、より好ましくはパーフロロ脂肪族スルホン酸アニオン（更に好ましくは炭素数４〜８）、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸アニオン、更により好ましくはノナフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオン、ペンタフロロベンゼンスルホン酸アニオン、３，５−ビス（トリフロロメチル）ベンゼンスルホン酸アニオンである。
酸強度の観点からは、発生酸のｐＫａが−１以下であることが、感度向上のために好ましい。
また、非求核性アニオンとしては、以下の一般式（ＡＮ１）で表されるアニオンも好ましい態様として挙げられる。
式中、
Ｘｆは、それぞれ独立に、フッ素原子、又は少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。
Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は、アルキル基を表し、複数存在する場合のＲ１、Ｒ２は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｌは、二価の連結基を表し、複数存在する場合のＬは同一でも異なっていてもよい。
Ａは、環状の有機基を表す。
ｘは１〜２０の整数を表し、ｙは０〜１０の整数を表し、ｚは０〜１０の整数を表す。
一般式（ＡＮ１）について、更に詳細に説明する。
Ｘｆのフッ素原子で置換されたアルキル基におけるアルキル基としては、好ましくは炭素数１〜１０であり、より好ましくは炭素数１〜４である。また、Ｘｆのフッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。
Ｘｆとして好ましくは、フッ素原子又は炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基である。Ｘｆの具体的としては、フッ素原子、ＣＦ３、Ｃ２Ｆ５、Ｃ３Ｆ７、Ｃ４Ｆ９、ＣＨ２ＣＦ３、ＣＨ２ＣＨ２ＣＦ３、ＣＨ２Ｃ２Ｆ５、ＣＨ２ＣＨ２Ｃ２Ｆ５、ＣＨ２Ｃ３Ｆ７、ＣＨ２ＣＨ２Ｃ３Ｆ７、ＣＨ２Ｃ４Ｆ９、ＣＨ２ＣＨ２Ｃ４Ｆ９が挙げられ、中でもフッ素原子、ＣＦ３が好ましい。特に、双方のＸｆがフッ素原子であることが好ましい。
Ｒ１、Ｒ２のアルキル基は、置換基（好ましくはフッ素原子）を有していてもよく、炭素数１〜４のものが好ましい。更に好ましくは炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基である。Ｒ１、Ｒ２の置換基を有するアルキル基の具体例としては、ＣＦ３、Ｃ２Ｆ５、Ｃ３Ｆ７、Ｃ４Ｆ９、Ｃ５Ｆ１１、Ｃ６Ｆ１３、Ｃ７Ｆ１５、Ｃ８Ｆ１７、ＣＨ２ＣＦ３、ＣＨ２ＣＨ２ＣＦ３、ＣＨ２Ｃ２Ｆ５、ＣＨ２ＣＨ２Ｃ２Ｆ５、ＣＨ２Ｃ３Ｆ７、ＣＨ２ＣＨ２Ｃ３Ｆ７、ＣＨ２Ｃ４Ｆ９、ＣＨ２ＣＨ２Ｃ４Ｆ９が挙げられ、中でもＣＦ３が好ましい。
Ｒ１、Ｒ２としては、好ましくはフッ素原子又はＣＦ３である。
ｘは１〜１０が好ましく、１〜５がより好ましい。
ｙは０〜４が好ましく、０がより好ましい。
ｚは０〜５が好ましく、０〜３がより好ましい。
Ｌの２価の連結基としては特に限定されず、―ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ―、−ＳＯ―、―ＳＯ２−、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基又はこれらの複数が連結した連結基などを挙げることができ、総炭素数１２以下の連結基が好ましい。このなかでも―ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−、−Ｏ−が好ましく、―ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−がより好ましい。
Ａの環状の有機基としては、環状構造を有するものであれば特に限定されず、脂環基、アリール基、複素環基（芳香族性を有するものだけでなく、芳香族性を有さないものも含む）等が挙げられる。
脂環基としては、単環でも多環でもよく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。中でも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基等の炭素数７以上のかさ高い構造を有する脂環基が、露光後加熱工程での膜中拡散性を抑制でき、ＭＥＥＦ向上の観点から好ましい。
アリール基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナンスレン環、アントラセン環が挙げられる。
複素環基としては、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ピリジン環由来のものが挙げられる。中でもフラン環、チオフェン環、ピリジン環由来のものが好ましい。
また、環状の有機基としては、ラクトン構造も挙げることができ、具体例としては、前述の樹脂（Ｐ１）が有していてもよい一般式（ＬＣ１−１）〜（ＬＣ１−１７）で表されるラクトン構造を挙げることができる。
上記環状の有機基は、置換基を有していてもよく、この置換基としては、アルキル基（直鎖、分岐、環状のいずれであっても良く、炭素数１〜１２が好ましい）、シクロアルキル基（単環、多環、スピロ環のいずれであっても良く、炭素数３〜２０が好ましい）、アリール基（炭素数６〜１４が好ましい）、ヒドロキシ基、アルコキシ基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基、チオエーテル基、スルホンアミド基、スルホン酸エステル基等が挙げられる。なお、環状の有機基を構成する炭素（環形成に寄与する炭素）はカルボニル炭素であっても良い。
Ｒ２０１、Ｒ２０２及びＲ２０３の有機基としては、アリール基、アルキル基、シクロアルキル基などが挙げられる。
Ｒ２０１、Ｒ２０２及びＲ２０３のうち、少なくとも１つがアリール基であることが好ましく、三つ全てがアリール基であることがより好ましい。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基などの他に、インドール残基、ピロール残基などのヘテロアリール基も可能である。Ｒ２０１〜Ｒ２０３のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数１〜１０の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基を挙げることができる。アルキル基として、より好ましくはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基等を挙げることができる。シクロアルキル基として、より好ましくは、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基等を挙げることができる。これらの基は更に置換基を有していてもよい。その置換基としては、ニトロ基、フッ素原子などのハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１５）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜１５）、アリール基（好ましくは炭素数６〜１４）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜７）、アシル基（好ましくは炭素数２〜１２）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは炭素数２〜７）等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
また、Ｒ２０１〜Ｒ２０３のうち２つが結合して環構造を形成する場合、以下の一般式（Ａ１）で表される構造であることが好ましい。
一般式（Ａ１）中、
Ｒ１ａ〜Ｒ１３ａは、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。
Ｒ１ａ〜Ｒ１３ａのうち、１〜３つが水素原子でないことが好ましく、Ｒ９ａ〜Ｒ１３ａのいずれか１つが水素原子でないことがより好ましい。
Ｚａは、単結合又は２価の連結基である。
Ｘ−は、一般式（ＺＩ）におけるＺ−と同義である。
Ｒ１ａ〜Ｒ１３ａが水素原子でない場合の具体例としては、ハロゲン原子、直鎖、分岐、環状のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む）、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基（−Ｂ（ＯＨ）２）、ホスファト基（−ＯＰＯ（ＯＨ）２）、スルファト基（−ＯＳＯ３Ｈ）、その他の公知の置換基が例として挙げられる。
Ｒ１ａ〜Ｒ１３ａが水素原子でない場合としては、水酸基で置換された直鎖、分岐、環状のアルキル基であることが好ましい。
Ｚａの２価の連結基としては、アルキレン基、アリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、カルボニルオキシ基、カルボニルアミノ基、スルホニルアミド基、エーテル結合、チオエーテル結合、アミノ基、ジスルフィド基、−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯ−、−（ＣＨ２）ｎ−ＳＯ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、アミノカルボニルアミノ基、アミノスルホニルアミノ基等が挙げられる（ｎは１〜３の整数）。
なお、Ｒ２０１、Ｒ２０２及びＲ２０３のうち、少なくとも１つがアリール基でない場合の好ましい構造としては、特開２００４−２３３６６１号公報の段落００４７，００４８、特開２００３−３５９４８号公報の段落００４０〜００４６、米国特許出願公開第２００３／０２２４２８８Ａ１号明細書に式（Ｉ−１）〜（Ｉ−７０）として例示されている化合物、米国特許出願公開第２００３／００７７５４０Ａ１号明細書に式（ＩＡ−１）〜（ＩＡ−５４）、式（ＩＢ−１）〜（ＩＢ−２４）として例示されている化合物等のカチオン構造を挙げることができる。
一般式（ＺＩＩ）、（ＺＩＩＩ）中、
Ｒ２０４〜Ｒ２０７は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Ｒ２０４〜Ｒ２０７のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基としては、前述の化合物（ＺＩ）におけるＲ２０１〜Ｒ２０３のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基として説明したアリール基と同様である。
Ｒ２０４〜Ｒ２０７のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としても、前述の化合物（ＺＩ）におけるＲ２０１〜Ｒ２０３のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有していてもよいものが挙げられる。
Ｚ−は、非求核性アニオンを表し、一般式（ＺＩ）に於けるＺ−の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。
酸発生剤として、更に、下記一般式（ＺＩＶ）、（ＺＶ）、（ＺＶＩ）で表される化合物も挙げられる。
一般式（ＺＩＶ）〜（ＺＶＩ）中、
Ａｒ３及びＡｒ４は、各々独立に、アリール基を表す。
Ｒ２０８、Ｒ２０９及びＲ２１０は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
Ａは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。
Ａｒ３、Ａｒ４、Ｒ２０８、Ｒ２０９及びＲ２１０のアリール基の具体例としては、上記一般式（ＺＩ）におけるＲ２０１、Ｒ２０２及びＲ２０３としてのアリール基の具体例と同様のものを挙げることができる。
Ｒ２０８、Ｒ２０９及びＲ２１０のアルキル基及びシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ、上記一般式（ＺＩ）におけるＲ２０１、Ｒ２０２及びＲ２０３としてのアルキル基及びシクロアルキル基の具体例と同様のものを挙げることができる。
Ａのアルキレン基としては、炭素数１〜１２のアルキレン基（例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基など）を、Ａのアルケニレン基としては、炭素数２〜１２のアルケニレン基（例えば、エテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基など）を、Ａのアリーレン基としては、炭素数６〜１０のアリーレン基（例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基など）を、それぞれ挙げることができる。
酸発生剤の具体例としては、以下に示すもののほか、例えば、特開２０１４−４１３２８号公報の段落０３６８〜０３７７、特開２０１３−２２８６８号公報の段落０２４０〜０２６２、米国特許出願公開第２０１５／００４５３３号明細書の段落０３３９に記載のものを挙げることができる。
酸発生剤は、１種類単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
酸発生剤の含有率は、組成物の全固形分を基準として、好ましくは０．１〜５０質量％であり、より好ましくは０．５〜４５質量％であり、更に好ましくは１〜４０質量％である。
[４]酸の作用により分解して酸を発生する化合物
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、更に、酸の作用により分解して酸を発生する化合物を１種又は２種以上含んでいてもよい。上記酸の作用により分解して酸を発生する化合物が発生する酸は、スルホン酸、メチド酸又はイミド酸であることが好ましい。
本発明に用いることができる酸の作用により分解して酸を発生する化合物としては、例えば、特開２０１４−４１３２８号公報の段落０３７９〜０３８２に記載のものを援用することができ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
上述した酸の作用により分解して酸を発生する化合物は、１種単独で又は２種以上を組合せて使用することができる。
なお、酸の作用により分解して酸を発生する化合物の含有量は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分を基準として、０．１〜４０質量％であることが好ましく、０．５〜３０質量％であることがより好ましく、１．０〜２０質量％であることが更に好ましい。
［５］レジスト溶剤（塗布溶媒）
組成物を調製する際に使用できる溶剤としては、各成分を溶解するものである限り特に限定されないが、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ；別名１−メトキシ−２−アセトキシプロパン）など）、アルキレングリコールモノアルキルエーテル（プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ；別名１−メトキシ−２−プロパノール）など）、乳酸アルキルエステル（乳酸エチル、乳酸メチルなど）、環状ラクトン（γ−ブチロラクトンなど、好ましくは炭素数４〜１０）、鎖状又は環状のケトン（２−ヘプタノン、シクロヘキサノンなど、好ましくは炭素数４〜１０）、アルキレンカーボネート（エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなど）、カルボン酸アルキル（酢酸ブチルなどの酢酸アルキルが好ましい）、アルコキシ酢酸アルキル（エトキシプロピオン酸エチル）などが挙げられ、これらの溶剤を単独もしくは組み合わせて用いることができる。
その他使用可能な溶媒として、例えば、米国特許出願公開第２００８／０２４８４２５Ａ１号明細書の［０２４４］以降に記載されている溶剤などが挙げられる。
上記のうち、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート及びアルキレングリコールモノアルキルエーテルが好ましい。
これら溶媒は、単独で用いても２種以上を混合して用いてもよい。２種以上を混合する場合、水酸基を有する溶剤と水酸基を有しない溶剤とを混合することが好ましい。水酸基を有する溶剤と水酸基を有しない溶剤との質量比は、１／９９〜９９／１、好ましくは１０／９０〜９０／１０、更に好ましくは２０／８０〜６０／４０である。
水酸基を有する溶剤としてはアルキレングリコールモノアルキルエーテルが好ましく、水酸基を有しない溶剤としてはアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートが好ましい。
［６］塩基性化合物
本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、塩基性化合物を更に含んでいてもよい。塩基性化合物は、好ましくは、フェノールと比較して塩基性がより強い化合物である。また、この塩基性化合物は、有機塩基性化合物であることが好ましく、含窒素塩基性化合物であることが更に好ましい。
使用可能な含窒素塩基性化合物は特に限定されないが、例えば、以下の（１）〜（７）に分類される化合物を用いることができる。
（１）一般式（ＢＳ−１）により表される化合物
一般式（ＢＳ−１）中、
Ｒは、各々独立に、水素原子又は有機基を表す。但し、３つのＲのうち少なくとも１つは有機基である。この有機基は、直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、単環若しくは多環のシクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基である。
Ｒとしてのアルキル基の炭素数は、特に限定されないが、通常１〜２０であり、好ましくは１〜１２である。
Ｒとしてのシクロアルキル基の炭素数は、特に限定されないが、通常３〜２０であり、好ましくは５〜１５である。
Ｒとしてのアリール基の炭素数は、特に限定されないが、通常６〜２０であり、好ましくは６〜１０である。具体的には、フェニル基及びナフチル基等が挙げられる。
Ｒとしてのアラルキル基の炭素数は、特に限定されないが、通常７〜２０であり、好ましくは７〜１１である。具体的には、ベンジル基等が挙げられる。
Ｒとしてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、水素原子が置換基により置換されていてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基及びアルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。
なお、一般式（ＢＳ−１）により表される化合物では、Ｒのうち少なくとも２つが有機基であることが好ましい。
一般式（ＢＳ−１）により表される化合物の具体例としては、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−デシルアミン、トリイソデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン、ジデシルアミン、メチルオクタデシルアミン、ジメチルウンデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルドデシルアミン、メチルジオクタデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジヘキシルアニリン、２，６−ジイソプロピルアニリン、及び２，４，６−トリ（ｔ−ブチル）アニリンが挙げられる。
また、一般式（ＢＳ−１）により表される好ましい塩基性化合物として、少なくとも１つのＲがヒドロキシ基で置換されたアルキル基であるものが挙げられる。具体的には、例えば、トリエタノールアミン及びＮ，Ｎ−ジヒドロキシエチルアニリンが挙げられる。
なお、Ｒとしてのアルキル基は、アルキル鎖中に酸素原子を有していてもよい。即ち、オキシアルキレン鎖が形成されていてもよい。オキシアルキレン鎖としては、−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−が好ましい。具体的には、例えば、トリス（メトキシエトキシエチル）アミン、及び、ＵＳ６０４０１１２号明細書のカラム３の６０行目以降に例示されている化合物が挙げられる。
一般式（ＢＳ−１）で表される塩基性化合物のうち、そのようなヒドロキシル基や酸素原子等を有するものの例としては、例えば、以下のものが挙げられる。
（２）含窒素複素環構造を有する化合物
この含窒素複素環は、芳香族性を有していてもよく、芳香族性を有していなくてもよい。また、窒素原子を複数有していてもよい。更に、窒素以外のヘテロ原子を含有していてもよい。具体的には、例えば、イミダゾール構造を有する化合物（２−フェニルベンゾイミダゾール、２，４，５−トリフェニルイミダゾールなど）、ピペリジン構造を有する化合物〔Ｎ−ヒドロキシエチルピペリジン及びビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバケートなど〕、ピリジン構造を有する化合物（４−ジメチルアミノピリジンなど）、並びにアンチピリン構造を有する化合物（アンチピリン及びヒドロキシアンチピリンなど）が挙げられる。
好ましい含窒素複素環構造を有する化合物の例としては、例えば、グアニジン、アミノピリジン、アミノアルキルピリジン、アミノピロリジン、インダゾール、イミダゾール、ピラゾール、ピラジン、ピリミジン、プリン、イミダゾリン、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルフォリン及びアミノアルキルモルフォリンが挙げられる。これらは、置換基を更に有していてもよい。
好ましい置換基としては、例えば、アミノ基、アミノアルキル基、アルキルアミノ基、アミノアリール基、アリールアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ニトロ基、水酸基及びシアノ基が挙げられる。
特に好ましい塩基性化合物としては、例えば、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、４−メチルイミダゾール、Ｎ−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、４，５−ジフェニルイミダゾール、２，４，５−トリフェニルイミダゾール、２−アミノピリジン、３−アミノピリジン、４−アミノピリジン、２−ジメチルアミノピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、２−ジエチルアミノピリジン、２−（アミノメチル）ピリジン、２−アミノ−３−メチルピリジン、２−アミノ−４−メチルピリジン、２−アミノ５−メチルピリジン、２−アミノ−６−メチルピリジン、３−アミノエチルピリジン、４−アミノエチルピリジン、３−アミノピロリジン、ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペリジン、４−アミノ−２，２，６，６テトラメチルピペリジン、４−ピペリジノピペリジン、２−イミノピペリジン、１−（２−アミノエチル）ピロリジン、ピラゾール、３−アミノ−５−メチルピラゾール、５−アミノ−３−メチル−１−ｐ−トリルピラゾール、ピラジン、２−（アミノメチル）−５メチルピラジン、ピリミジン、２，４−ジアミノピリミジン、４，６−ジヒドロキシピリミジン、２−ピラゾリン、３−ピラゾリン、Ｎ−アミノモルフォリン及びＮ−（２−アミノエチル）モルフォリンが挙げられる。
また、環構造を２つ以上有する化合物も好適に用いられる。具体的には、例えば、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン及び１，８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕−ウンデカ−７−エンが挙げられる。
（３）フェノキシ基を有するアミン化合物
フェノキシ基を有するアミン化合物とは、アミン化合物が含んでいるアルキル基のＮ原子と反対側の末端にフェノキシ基を備えた化合物である。フェノキシ基は、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、カルボン酸エステル基、スルホン酸エステル基、アリール基、アラルキル基、アシロキシ基及びアリールオキシ基等の置換基を有していてもよい。
この化合物は、より好ましくは、フェノキシ基と窒素原子との間に、少なくとも１つのオキシアルキレン鎖を有している。１分子中のオキシアルキレン鎖の数は、好ましくは３〜９個、更に好ましくは４〜６個である。オキシアルキレン鎖の中でも−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−が特に好ましい。
具体例としては、２−［２−｛２―（２，２―ジメトキシ−フェノキシエトキシ）エチル｝−ビス−（２−メトキシエチル）］−アミン、及び、ＵＳ２００７／０２２４５３９Ａ１号明細書の段落［００６６］に例示されている化合物（Ｃ１−１）〜（Ｃ３−３）が挙げられる。
フェノキシ基を有するアミン化合物は、例えば、フェノキシ基を有する１級又は２級アミンとハロアルキルエーテルとを加熱して反応させ、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及びテトラアルキルアンモニウム等の強塩基の水溶液を添加した後、酢酸エチル及びクロロホルム等の有機溶剤で抽出することにより得られる。また、フェノキシ基を有するアミン化合物は、１級又は２級アミンと、末端にフェノキシ基を有するハロアルキルエーテルとを加熱して反応させ、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及びテトラアルキルアンモニウム等の強塩基の水溶液を添加した後、酢酸エチル及びクロロホルム等の有機溶剤で抽出することによって得ることもできる。
（４）アンモニウム塩
塩基性化合物として、アンモニウム塩も適宜用いることができる。
アンモニウム塩のカチオンとしては、炭素数１〜１８のアルキル基が置換したテトラアルキルアンモニウムカチオンが好ましく、テトラメチルアンモニウムカチオン、テトラエチルアンモニウムカチオン、テトラ（ｎ−ブチル）アンモニウムカチオン、テトラ（ｎ−ヘプチル）アンモニウムカチオン、テトラ（ｎ−オクチル）アンモニウムカチオン、ジメチルヘキサデシルアンモニウムカチオン、ベンジルトリメチルカチオン等がより好ましく、テトラ（ｎ−ブチル）アンモニウムカチオンがもっとも好ましい。
アンモニウム塩のアニオンとしては、例えば、ハライド、スルホネート、ボレート、フォスフェート、ヒドロキシド及びカルボキシレートが挙げられる。これらのうち、ヒドロキシド又はカルボキシレートが特に好ましい。
ハライドとしては、クロライド、ブロマイド及びアイオダイドが特に好ましい。
スルホネートとしては、炭素数１〜２０の有機スルホネートが特に好ましい。有機スルホネートとしては、例えば、炭素数１〜２０のアルキルスルホネート及びアリールスルホネートが挙げられる。
アルキルスルホネートに含まれるアルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、アルコキシ基、アシル基及びアリール基が挙げられる。アルキルスルホネートとして、具体的には、メタンスルホネート、エタンスルホネート、ブタンスルホネート、ヘキサンスルホネート、オクタンスルホネート、ベンジルスルホネート、トリフルオロメタンスルホネート、ペンタフルオロエタンスルホネート及びノナフルオロブタンスルホネートが挙げられる。
アリールスルホネートに含まれるアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基及びアントリル基が挙げられる。これらアリール基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、炭素数１〜６の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基及び炭素数３〜６のシクロアルキル基が好ましい。具体的には、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ヘキシル及びシクロヘキシル基が好ましい。他の置換基としては、炭素数１〜６のアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ、ニトロ、アシル基及びアシロキシ基が挙げられる。
カルボキシレートとしては、脂肪族カルボキシレートでも芳香族カルボキシレートでも良く、アセテート、ラクテート、ビルベート、トリフルオロアセテート、アダマンタンカルボキシレート、ヒドロキシアダマンタンカルボキシレート、ベンゾエート、ナフトエート、サリチレート、フタレート、フェノレート等が挙げられ、特にベンゾエート、ナフトエート、フェノレート等が好ましく、ベンゾエートが最も好ましい。
この場合、アンモニウム塩としては、テトラ（ｎ−ブチル）アンモニウムベンゾエート、テトラ（ｎ−ブチル）アンモニウムフェノレート等が好ましい。
このアンモニウム塩がヒドロキシドである場合、このアンモニウム塩は、炭素数１〜８のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びテトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−（ｎ−ブチル）アンモニウムヒドロキシド等のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドであることが特に好ましい。
（５）プロトンアクセプター性官能基を有し、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解してプロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する化合物（ＰＡ）
本発明に係る組成物は、塩基性化合物として、プロトンアクセプター性官能基を有し、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解してプロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する化合物〔以下、化合物（ＰＡ）ともいう〕を更に含んでいてもよい。
プロトンアクセプター性官能基とは、プロトンと静電的に相互作用し得る基或いは電子を有する官能基であって、例えば、環状ポリエーテル等のマクロサイクリック構造を有する官能基や、 π共役に寄与しない非共有電子対をもった窒素原子を有する官能基を意味する。π共役に寄与しない非共有電子対を有する窒素原子とは、例えば、下記一般式に示す部分構造を有する窒素原子である。
プロトンアクセプター性官能基の好ましい部分構造として、例えば、クラウンエーテル、アザクラウンエーテル、１〜３級アミン、ピリジン、イミダゾール、ピラジン構造などを挙げることができる。
化合物（ＰＡ）は、活性光線又は放射線の照射により分解してプロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する。ここで、プロトンアクセプター性の低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性への変化とは、プロトンアクセプター性官能基にプロトンが付加することに起因するプロトンアクセプター性の変化であり、具体的には、プロトンアクセプター性官能基を有する化合物（ＰＡ）とプロトンからプロトン付加体が生成する時、その化学平衡に於ける平衡定数が減少することを意味する。
化合物（ＰＡ）の具体例としては、例えば、下記化合物を挙げることができる。更に、化合物（ＰＡ）の具体例としては、例えば、特開２０１４−４１３２８号公報の段落０４２１〜０４２８、特開２０１４−１３４６８６号公報の段落０１０８〜０１１６に記載されたものを援用することができ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
また、本発明においては、一般式（ＰＡ−１）で表される化合物を発生する化合物以外の化合物（ＰＡ）も適宜選択可能である。例えば、イオン性化合物であって、カチオン部にプロトンアクセプター部位を有する化合物を用いてもよい。より具体的には、下記一般式（７）で表される化合物などが挙げられる。
式中、Ａは硫黄原子又はヨウ素原子を表す。
ｍは１又は２を表し、ｎは１又は２を表す。但し、Ａが硫黄原子の時、ｍ＋ｎ＝３、Ａがヨウ素原子の時、ｍ＋ｎ＝２である。
Ｒは、アリール基を表す。
ＲＮは、プロトンアクセプター性官能基で置換されたアリール基を表す。
Ｘ−は、対アニオンを表す。
Ｘ−の具体例としては、上述した一般式（ＺＩ）におけるＺ−と同様のものが挙げられる。
Ｒ及びＲＮのアリール基の具体例としては、フェニル基が好ましく挙げられる。
ＲＮが有するプロトンアクセプター性官能基の具体例としては、前述の式（ＰＡ−１）で説明したプロトンアクセプター性官能基と同様である。
本発明の組成物において、化合物（ＰＡ）の組成物全体中の配合率は、全固形分中０．１〜１０質量％が好ましく、より好ましくは１〜８質量％である。
（６）グアニジン化合物
本発明の組成物は、下式で表される構造を有するグアニジン化合物を更に含有していてもよい。
グアニジン化合物は３つの窒素によって共役酸のプラスの電荷が分散安定化されるため、強い塩基性を示す。
本発明のグアニジン化合物（Ａ）の塩基性としては、共役酸のｐＫａが６．０以上であることが好ましく、７．０〜２０．０であることが酸との中和反応性が高く、ラフネス特性に優れるため好ましく、８．０〜１６．０であることがより好ましい。
このような強い塩基性のため、酸の拡散性を抑制し、優れたパターン形状の形成に寄与することができる。
なお、ここで「ｐＫａ」とは、水溶液中でのｐＫａのことを表し、例えば、化学便覧（ＩＩ）（改訂４版、１９９３年、日本化学会編、丸善株式会社）に記載のものであり、この値が低いほど酸強度が大きいことを示している。水溶液中でのｐＫａは、具体的には、無限希釈水溶液を用い、２５℃での酸解離定数を測定することにより実測することができ、また、下記ソフトウェアパッケージ１を用いて、ハメットの置換基定数及び公知文献値のデータベースに基づいた値を、計算により求めることもできる。本明細書中に記載したｐＫａの値は、全て、このソフトウェアパッケージを用いて計算により求めた値を示している。
ソフトウェアパッケージ１：ＡｄｖａｎｃｅｄＣｈｅｍｉｓｔｒｙＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ（ＡＣＤ／Ｌａｂｓ）ＳｏｆｔｗａｒｅＶ８．１４ｆｏｒＳｏｌａｒｉｓ（１９９４−２００７ＡＣＤ／Ｌａｂｓ）。
本発明において、ｌｏｇＰとは、ｎ−オクタノール／水分配係数（Ｐ）の対数値であり、広範囲の化合物に対し、その親水性／疎水性を特徴づけることのできる有効なパラメータである。一般的には実験によらず計算によって分配係数は求められ、本発明においては、ＣＳＣｈｅｍＤｒａｗＵｌｔｒａＶｅｒ．８．０ｓｏｆｔｗａｒｅｐａｃｋａｇｅ（Ｃｒｉｐｐｅｎ’ｓｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎｍｅｔｈｏｄ）により計算された値を示す。
また、グアニジン化合物（Ａ）のｌｏｇＰが１０以下であることが好ましい。上記値以下であることによりレジスト膜中に均一に含有させることができる。
本発明におけるグアニジン化合物（Ａ）のｌｏｇＰは２〜１０の範囲であることが好ましく、３〜８の範囲であることがより好ましく、４〜８の範囲であることが更に好ましい。
また、本発明におけるグアニジン化合物（Ａ）はグアニジン構造以外に窒素原子を有さないことが好ましい。
以下、グアニジン化合物の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
（７） 窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物
本発明の組成物は、窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物（以下において、「低分子化合物（Ｄ）」又は「化合物（Ｄ）」ともいう）を含有することができる。低分子化合物（Ｄ）は、酸の作用により脱離する基が脱離した後は、塩基性を有することが好ましい。
酸の作用により脱離する基としては特に限定されないが、アセタール基、カルボネート基、カルバメート基、３級エステル基、３級水酸基、ヘミアミナールエーテル基が好ましく、カルバメート基、ヘミアミナールエーテル基であることが特に好ましい。
酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物（Ｄ）の分子量は、１００〜１０００が好ましく、１００〜７００がより好ましく、１００〜５００が特に好ましい。
化合物（Ｄ）としては、酸の作用により脱離する基を窒素原子上に有するアミン誘導体が好ましい。
化合物（Ｄ）は、窒素原子上に保護基を有するカルバメート基を有しても良い。カルバメート基を構成する保護基としては、下記一般式（ｄ−１）で表すことができる。
一般式（ｄ−１）において、
Ｒ’は、それぞれ独立に、水素原子、直鎖状又は分岐状アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルコキシアルキル基を表す。Ｒ’は相互に結合して環を形成していても良い。
Ｒ’として好ましくは、直鎖状、又は分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基である。より好ましくは、直鎖状、又は分岐状のアルキル基、シクロアルキル基である。
このような基の具体的な構造を以下に示す。
化合物（Ｄ）は、塩基性化合物と一般式（ｄ−１）で表される構造を任意に組み合わせることで構成することも出来る。
化合物（Ｄ）は、下記一般式（Ａ）で表される構造を有するものであることが特に好ましい。
なお、化合物（Ｄ）は、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物であるかぎり、上述の塩基性化合物に相当するものであってもよい。
一般式（Ａ）において、Ｒａは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。また、ｎ＝２のとき、２つのＲａは同じでも異なっていてもよく、２つのＲａは相互に結合して、２価の複素環式炭化水素基（好ましくは炭素数２０以下）若しくはその誘導体を形成していてもよい。
Ｒｂは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシアルキル基を示す。但し、−Ｃ（Ｒｂ）（Ｒｂ）（Ｒｂ）において、１つ以上のＲｂが水素原子のとき、残りのＲｂの少なくとも１つはシクロプロピル基、１−アルコキシアルキル基又はアリール基である。
少なくとも２つのＲｂが結合して脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成していてもよい。
ｎは０〜２の整数を表し、ｍは１〜３の整数を表し、ｎ＋ｍ＝３である。
一般式（Ａ）において、ＲａおよびＲｂが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基は、ヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい。Ｒｂが示すアルコキシアルキル基についても同様である。
Ｒａ及び／又はＲｂのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基（これらのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、上記官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい）としては、
例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン等の直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、これらのアルカンに由来する基を、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基の１種以上或いは１個以上で置換した基、
シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ノルボルナン、アダマンタン、ノラダマンタン等のシクロアルカンに由来する基、これらのシクロアルカンに由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の１種以上或いは１個以上で置換した基、
ベンゼン、ナフタレン、アントラセン等の芳香族化合物に由来する基、これらの芳香族化合物に由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の１種以上或いは１個以上で置換した基、
ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、インドール、インドリン、キノリン、パーヒドロキノリン、インダゾール、ベンズイミダゾール等の複素環化合物に由来する基、これらの複素環化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルキル基或いは芳香族化合物に由来する基の１種以上或いは１個以上で置換した基、直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基又はシクロアルカンに由来する基をフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等の芳香族化合物に由来する基の１種以上或いは１個以上で置換した基等或いは上述した置換基がヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基で置換された基等が挙げられる。
また、Ｒａが相互に結合して、形成する２価の複素環式炭化水素基（好ましくは炭素数１〜２０）若しくはその誘導体としては、例えば、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、１，４，５，６−テトラヒドロピリミジン、１，２，３，４−テトラヒドロキノリン、１，２，３，６−テトラヒドロピリジン、ホモピペラジン、４−アザベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、５−アザベンゾトリアゾール、１Ｈ−１，２，３−トリアゾール、１，４，７−トリアザシクロノナン、テトラゾール、７−アザインドール、インダゾール、ベンズイミダゾール、イミダゾ［１，２−ａ］ピリジン、（１Ｓ，４Ｓ）−（＋）−２，５−ジアザビシクロ［２．２．１］ヘプタン、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デック−５−エン、インドール、インドリン、１，２，３，４−テトラヒドロキノキサリン、パーヒドロキノリン、１，５，９−トリアザシクロドデカン等の複素環式化合物に由来する基、これらの複素環式化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、シクロアルカンに由来する基、芳香族化合物に由来する基、複素環化合物に由来する基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基の１種以上或いは１個以上で置換した基等が挙げられる。
一般式（Ａ）で表される化合物は、特開２００７−２９８５６９号公報、特開２００９−１９９０２１号公報などに基づき合成することができる。
本発明において、低分子化合物（Ｄ）は、一種単独でも又は２種以上を混合しても使用することができる。
本発明における特に好ましい化合物（Ｄ）の具体例としては、例えば、特開２０１４−４１３２８号公報の段落０４６８〜０４７０に記載のものを援用することができ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
（８）一般式（Ｉ）で表されるイオン性化合物
本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、下記一般式（Ｉ）で表されるイオン性化合物を含有してもよい。
一般式（Ｉ）中、
Ａ−は、有機酸アニオンを表し、Ｌは、単結合又は２価の連結基を表し、Ｘ＋は窒素カチオン、又は硫黄カチオンを表し、Ｒｘは、各々独立に、アルキル基又はアリール基を表す。複数のＲｘは互いに結合して環を形成していてもよく、形成される環は、環員として、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子を有していてもよい。
ｎ２は、Ｘ＋が窒素カチオンのとき３を表し、Ｘ＋が硫黄カチオンのとき２を表す。
一般式（Ｉ）により表されるイオン性化合物については、例えば、特開２０１４−１９９２７３号公報の段落０１６７〜０１７７に記載の内容を援用することができ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
本発明の組成物は、低分子化合物（Ｄ）を含有してもしなくてもよいが、含有する場合、化合物（Ｄ）の含有量は、上述した塩基性化合物と合わせた組成物の全固形分を基準として、通常、０．００１〜２０質量％、好ましくは０．００１〜１０質量％、より好ましくは０．０１〜５質量％である。
また、本発明の組成物が酸発生剤を含有する場合、酸発生剤と化合物（Ｄ）の組成物中の使用割合は、酸発生剤／［化合物（Ｄ）＋下記塩基性化合物］（モル比）＝２．５〜３００であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が２．５以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのレジストパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から３００以下が好ましい。酸発生剤／［化合物（Ｄ）＋上記塩基性化合物］（モル比）は、より好ましくは５．０〜２００、更に好ましくは７．０〜１５０である。
その他、本発明に係る組成物に使用可能なものとして、特開２００２−３６３１４６号公報の実施例で合成されている化合物、及び特開２００７−２９８５６９号公報の段落０１０８に記載の化合物等が挙げられる。
塩基性化合物として、感光性の塩基性化合物を用いてもよい。感光性の塩基性化合物としては、例えば、特表２００３−５２４７９９号公報、及び、Ｊ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ＆Ｔｅｃｈ．Ｖｏｌ．８，Ｐ．５４３−５５３（１９９５）等に記載の化合物を用いることができる。
塩基性化合物の分子量は、通常は１００〜１５００であり、好ましくは１５０〜１３００であり、より好ましくは２００〜１０００である。
これらの塩基性化合物は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明に係る組成物が塩基性化合物を含んでいる場合、その含有量は、組成物の全固形分を基準として、０．０１〜８．０質量％であることが好ましく、０．１〜５．０質量％であることがより好ましく、０．２〜４．０質量％であることが特に好ましい。
塩基性化合物の光酸発生剤に対するモル比は、好ましくは０．０１〜１０とし、より好ましくは０．０５〜５とし、更に好ましくは０．１〜３とする。このモル比を過度に大きくすると、感度及び／又は解像度が低下する場合がある。このモル比を過度に小さくすると、露光と加熱（ポストベーク）との間において、パターンの細りを生ずる可能性がある。より好ましくは０．０５〜５、更に好ましくは０．１〜３である。なお、上記モル比における光酸発生剤とは、上記樹脂の繰り返し単位（Ｂ）と上記樹脂が更に含んでいてもよい光酸発生剤との合計の量を基準とするものである。
［７］疎水性樹脂（ＨＲ）
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、上記樹脂（Ｐ１）とは別に疎水性樹脂（ＨＲ）を有していてもよい。
上記疎水性樹脂（ＨＲ）は、膜表面に偏在するために、フッ素原子を有する基、珪素原子を有する基、又は炭素数５以上の炭化水素基を含有することが好ましい。これらの基は樹脂の主鎖中に有していても、側鎖に置換していてもよい。以下に疎水性樹脂（ＨＲ）の具体例を示す。
なお、疎水性樹脂としてはこの他にも特開２０１１−２４８０１９号公報、特開２０１０−１７５８５９号公報、特開２０１２−０３２５４４号公報記載のものも好ましく用いることができる。
［８］ 界面活性剤
本発明に係る組成物は、界面活性剤を更に含んでいてもよい。界面活性剤を含有することにより、波長が２５０ｎｍ以下、特には２２０ｎｍ以下の露光光源を使用した場合に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥のより少ないパターンを形成することが可能となる。
界面活性剤としては、フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤を用いることが特に好ましい。
フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤としては、例えば、米国特許出願公開第２００８／０２４８４２５号明細書の［０２７６］に記載の界面活性剤が挙げられる。また、エフトップＥＦ３０１若しくはＥＦ３０３(新秋田化成(株)製)；フロラードＦＣ４３０、４３１若しくは４４３０(住友スリーエム(株)製)；メガファックＦ１７１、Ｆ１７３、Ｆ１７６、Ｆ１８９、Ｆ１１３、Ｆ１１０、Ｆ１７７、Ｆ１２０若しくはＲ０８（ＤＩＣ（株）製）；サーフロンＳ−３８２、ＳＣ１０１、１０２、１０３、１０４、１０５若しくは１０６（旭硝子（株）製）；トロイゾルＳ−３６６（トロイケミカル（株）製）；ＧＦ−３００若しくはＧＦ−１５０（東亜合成化学（株）製）、サーフロンＳ−３９３（セイミケミカル（株）製）；エフトップＥＦ１２１、ＥＦ１２２Ａ、ＥＦ１２２Ｂ、ＲＦ１２２Ｃ、ＥＦ１２５Ｍ、ＥＦ１３５Ｍ、ＥＦ３５１、ＥＦ３５２、ＥＦ８０１、ＥＦ８０２若しくはＥＦ６０１（（株）ジェムコ製）；ＰＦ６３６、ＰＦ６５６、ＰＦ６３２０若しくはＰＦ６５２０（ＯＭＮＯＶＡ社製）；又は、ＦＴＸ−２０４Ｇ、２０８Ｇ、２１８Ｇ、２３０Ｇ、２０４Ｄ、２０８Ｄ、２１２Ｄ、２１８Ｄ若しくは２２２Ｄ（（株）ネオス製）を用いてもよい。なお、ポリシロキサンポリマーＫＰ−３４１（信越化学工業（株）製）も、シリコン系界面活性剤として用いることができる。
また、界面活性剤は、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法（テロマー法ともいわれる）又はオリゴメリゼーション法（オリゴマー法ともいわれる）により製造されたフルオロ脂肪族化合物を用いて合成してもよい。具体的には、このフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を備えた重合体を、界面活性剤として用いてもよい。このフルオロ脂肪族化合物は、例えば、特開２００２−９０９９１号公報に記載された方法によって合成することができる。
フルオロ脂肪族基を有する重合体としては、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート若しくはメタクリレート及び／又は（ポリ（オキシアルキレン））メタクリレートとの共重合体が好ましく、不規則に分布していても、ブロック共重合していてもよい。
ポリ（オキシアルキレン）基としては、例えば、ポリ（オキシエチレン）基、ポリ（オキシプロピレン）基及びポリ（オキシブチレン）基が挙げられる。また、ポリ（オキシエチレンとオキシプロピレンとオキシエチレンとのブロック連結体）及びポリ（オキシエチレンとオキシプロピレンとのブロック連結体）等の、同じ鎖内に異なる鎖長のアルキレンを有するユニットであってもよい。
さらに、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート若しくはメタクリレートとの共重合体は、異なる２種以上のフルオロ脂肪族基を有するモノマー及び異なる２種以上の（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート若しくはメタクリレート等を同時に共重合してなる３元系以上の共重合体であってもよい。
例えば、市販の界面活性剤として、メガファックＦ１７８、Ｆ−４７０、Ｆ−４７３、Ｆ−４７５、Ｆ−４７６及びＦ−４７２（ＤＩＣ（株）製）が挙げられる。さらに、Ｃ６Ｆ１３基を有するアクリレート若しくはメタクリレートと（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート若しくはメタクリレートとの共重合体、Ｃ６Ｆ１３基を有するアクリレート若しくはメタクリレートと（ポリ（オキシエチレン））アクリレート若しくはメタクリレートと（ポリ（オキシプロピレン））アクリレート若しくはメタクリレートとの共重合体、Ｃ８Ｆ１７基を有するアクリレート若しくはメタクリレートと（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート若しくはメタクリレートとの共重合体、及び、Ｃ８Ｆ１７基を有するアクリレート若しくはメタクリレートと（ポリ（オキシエチレン））アクリレート若しくはメタクリレートと（ポリ（オキシプロピレン））アクリレート若しくはメタクリレートとの共重合体等が挙げられる。
また、米国特許出願公開第２００８／０２４８４２５号明細書の［０２８０］に記載されているフッ素系及び／又はシリコン系以外の界面活性剤を使用してもよい。
これら界面活性剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明に係る組成物が界面活性剤を含んでいる場合、その含有量は、組成物の全固形分を基準として、好ましくは０〜２質量％、より好ましくは０．０００１〜２質量％、更に好ましくは０．０００５〜１質量％である。
［９］ その他の添加剤
本発明の組成物は、上記に説明した成分以外にも、カルボン酸、カルボン酸オニウム塩、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ ｏｆ ＳＰＩＥ， ２７２４，３５５ （１９９６）等に記載の分子量３０００以下の溶解阻止化合物、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、酸化防止剤などを適宜含有することができる。
特にカルボン酸は、性能向上のために好適に用いられる。カルボン酸としては、安息香酸、ナフトエ酸などの、芳香族カルボン酸が好ましい。
カルボン酸の含有量は、組成物の全固形分濃度中、０．０１〜１０質量％が好ましく、より好ましくは０．０１〜５質量％、更に好ましくは０．０１〜３質量％である。
本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、解像力向上の観点から、膜厚１０〜２５０ｎｍで使用されることが好ましく、より好ましくは、膜厚２０〜２００ｎｍで使用されることが好ましく、さらに好ましくは３０〜１００ｎｍで使用されることが好ましい。組成物中の固形分濃度を適切な範囲に設定して適度な粘度をもたせ、塗布性、製膜性を向上させることにより、このような膜厚とすることができる。
本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の固形分濃度は、通常１．０〜１０質量％であり、好ましくは、２．０〜５．７質量％、更に好ましくは２．０〜５．３質量％である。固形分濃度を上記範囲とすることで、レジスト溶液を基板上に均一に塗布することができ、更にはラインウィズスラフネスに優れたレジストパターンを形成することが可能になる。その理由は明らかではないが、恐らく、固形分濃度を１０質量％以下、好ましくは５．７質量％以下とすることで、レジスト溶液中での素材、特には光酸発生剤の凝集が抑制され、その結果として、均一なレジスト膜が形成できたものと考えられる。
固形分濃度とは、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の総重量に対する、溶剤を除く他のレジスト成分の重量の重量百分率である。
本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤、好ましくは上記混合溶剤に溶解し、フィルター濾過した後、所定の支持体（基板）上に塗布して用いる。フィルター濾過に用いるフィルターのポアサイズは０．１μｍ以下、より好ましくは０．０５μｍ以下、更に好ましくは０．０３μｍ以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。フィルター濾過においては、例えば特開２００２−６２６６７号公報のように、循環的な濾過を行ったり、複数種類のフィルターを直列又は並列に接続して濾過を行ったりしてもよい。また、組成物を複数回濾過してもよい。更に、フィルター濾過の前後で、組成物に対して脱気処理などを行ってもよい。
［パターン形成方法］
次に、本発明のパターン形成方法を説明する。
上述したように、本発明のパターン形成方法は、
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、
上記膜を露光する工程、
露光後の上記膜を、現像液を用いて現像し、ポジ型のパターンを形成する工程をこの順序で含む。
上記の本発明のパターン形成方法によれば、超微細領域（例えば、ライン幅又はスペース幅が数十ｎｍオーダーの領域）において、高い解像力、高溶解コントラスト、並びに、高いドライエッチング性能を同時に満足するパターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供できる。その理由は定かではないが、以下のように推定される。
先ず、本発明のパターン形成方法において用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、一般式（１）で表される繰り返し単位を有する樹脂（Ｐ１）を含有しているため、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により形成された感活性光線性又は感放射線性膜と、基板との密着性が向上するものと考えられる。
これにより、ラインアンドスペースパターンを形成する時において、パターンの倒れが抑制され、結果として解像力が向上すると考えられる。
また、上記一般式（１）で表される繰り返し単位は、芳香環基を有しているため、上記繰り返し単位を有する樹脂（Ｐ１）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により形成された感活性光線性又は感放射線性膜の強度が向上し、ドライエッチング耐性が向上するものと考えられる。
さらに、樹脂（Ｐ１）が一般式（１）で表される繰り返し単位を含むことにより、樹脂（Ｐ１）の酸に対する反応性が向上すると共に、樹脂（Ｐ１）の酸による分解に伴う極性変化が大きくなると考えられる。
これにより、露光部と未露光部の、現像液に対する溶解コントラストが向上し、ラインアンドスペースパターン形成時の解像力が向上すると考えられる。
上記効果は、電子線又は極紫外線露光により微細なパターンを形成する場合において特に顕著であるものと考えられる。（１）製膜
本発明の感活性光線性又は感放射線性膜は、上記した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により形成される膜である。
より具体的には、感活性光線性又は感放射線性膜の形成は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の上述した各成分を溶剤に溶解し、必要に応じてフィルター濾過した後、支持体（基板）に塗布して行うことができる。フィルターとしては、ポアサイズ０．５μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下、更に好ましくは０．１μｍ以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。
組成物は、集積回路素子の製造に使用されるような基板（例：シリコン、二酸化シリコン被覆）上にスピンコーター等の適当な塗布方法により塗布される。その後乾燥し、感光性の膜を形成する。乾燥の段階では加熱（プリベーク）を行うことが好ましい。
膜厚には特に制限はないが、好ましくは１０〜５００ｎｍの範囲に、より好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲に、更により好ましくは１０〜１００ｎｍの範囲に調整する。スピナーにより感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を塗布する場合、その回転速度は、通常５００〜３０００ｒｐｍ、好ましくは８００〜２０００ｒｐｍ、より好ましくは１０００〜１５００ｒｐｍである。
加熱（プリベーク）の温度は６０〜２００℃で行うことが好ましく、８０〜１５０℃で行うことがより好ましく、９０〜１４０℃で行うことが更に好ましい。
加熱（プリベーク）の時間は、特に制限はないが、３０〜３００秒が好ましく、３０〜１８０秒がより好ましく、３０〜９０秒が更に好ましい。
加熱は通常の露光・現像機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行ってもよい。
必要により、市販の無機あるいは有機反射防止膜を使用することができる。更に感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の下層に反射防止膜を塗布して用いることもできる。反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、アモルファスシリコン等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜型のいずれも用いることができる。また、有機反射防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のＤＵＶ３０シリーズ感活性光線性又は感放射線性膜、ＤＵＶ−４０シリーズ、シプレー社製のＡＲ−２、ＡＲ−３、ＡＲ−５等の市販の有機反射防止膜を使用することもできる。（２）露光
露光は、活性光線又は放射線により行う。活性光線又は放射線としては、例えば、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、Ｘ線、極紫外線（ＥＵＶ光）及び電子線が挙げられる。これら活性光線又は放射線としては、例えば２５０ｎｍ以下、特には２２０ｎｍ以下の波長を有したものがより好ましい。このような活性光線又は放射線としては、例えば、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザー（１５７ｎｍ）、Ｘ線、極紫外線（ＥＵＶ光）及び電子線が挙げられる。好ましい活性光線又は放射線としては、例えば、ＫｒＦエキシマレーザー、電子線、Ｘ線及びＥＵＶ光が挙げられる。より好ましくは、電子線、Ｘ線及びＥＵＶ光であり、更に好ましくは、電子線及びＥＵＶ光である。（３）ベーク
露光後、現像を行う前にベーク（加熱）を行うことが好ましい。
加熱温度は６０〜１５０℃で行うことが好ましく、８０〜１５０℃で行うことがより好ましく、９０〜１４０℃で行うことが更に好ましい。
加熱時間は特に限定されないが、３０〜３００秒が好ましく、３０〜１８０秒がより好ましく、３０〜９０秒が更に好ましい。
加熱は通常の露光・現像機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行ってもよい。
ベークにより露光部の反応が促進され、感度やパターンプロファイルが改善する。また、リンス工程の後に加熱工程（Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ）を含むことも好ましい。加熱温度及び加熱時間は上述の通りである。ベークによりパターン間及びパターン内部に残留した現像液及びリンス液が除去される。
（４）現像及び現像液
本発明の組成物を用いて形成された感活性光線性または感放射線性を現像する工程において使用する現像液は特に限定しないが、例えば、アルカリ現像液を用いることが出来る。
アルカリ現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドドキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラペンチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、エチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ブチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリアミルアンモニウムヒドロキシド、ジブチルジペンチルアンモニウムヒドロキシド等のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルフェニルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルベンジルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピぺリジン等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液を使用することができる。更に、上記アルカリ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常０．１〜２０質量％である。アルカリ現像液のｐＨは、通常１０．０〜１５．０である。アルカリ現像液のアルカリ濃度及びｐＨは、適宜調製して用いることができる。アルカリ現像液は、界面活性剤や有機溶剤を添加して用いてもよい。
・界面活性剤
現像液には、必要に応じて界面活性剤を適当量含有させることができる。
界面活性剤としては、上述した、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に用いられる界面活性剤と同様のものを用いることができる。
界面活性剤の使用量は現像液の全量に対して、通常０．００１〜５質量％、好ましくは０．００５〜２質量％、更に好ましくは０．０１〜０．５質量％である。
・塩基性化合物
現像液は、塩基性化合物を含んでいてもよい。本発明で用いられる現像液が含みうる塩基性化合物の具体例及び好ましい例としては、上述した、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が含みうる塩基性化合物におけるものと同様である。
・現像方法
現像方法としては、たとえば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法（パドル法）、基板表面に現像液を噴霧する方法（スプレー法）、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法（ダイナミックディスペンス法）などを適用することができる。
また、現像を行う工程の後に、他の溶媒に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。
現像時間は未露光部の樹脂が十分に溶解する時間であれば特に制限はなく、通常は１０秒〜３００秒であり。好ましくは、２０秒〜１２０秒である。
現像液の温度は０℃〜５０℃が好ましく、１５℃〜３５℃が更に好ましい。（５）リンス
本発明のパターン形成方法は、現像工程の後にリンス工程を含むことが好ましい。
アルカリ現像の後に行うリンス処理におけるリンス液としては、純水を使用し、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
界面活性剤としては、上述した、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に用いられる界面活性剤と同様のものを用いることができ、その使用量はリンス液の全量に対して、通常０．００１〜５質量％、好ましくは０．００５〜２質量％、更に好ましくは０．０１〜０．５質量％である。
・リンス方法
リンス工程においては、現像を行ったウェハを上記リンス液を用いて洗浄処理する。
洗浄処理の方法は特に限定されないが、たとえば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法（回転吐出法）、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、基板表面にリンス液を噴霧する方法（スプレー法）、などを適用することができ、この中でも回転吐出方法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を２０００ｒｐｍ〜４０００ｒｐｍの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。
リンス時間には特に制限はないが、通常は１０秒〜３００秒であり。好ましくは１０秒〜１８０秒であり、最も好ましくは２０秒〜１２０秒である。
リンス液の温度は０℃〜５０℃が好ましく、１５℃〜３５℃が更に好ましい。
また、現像処理又はリンス処理の後に、パターン上に付着している現像液又はリンス液を超臨界流体により除去する処理を行うことができる。
更に、現像処理又はリンス処理又は超臨界流体による処理の後、パターン中に残存する溶剤を除去するために加熱処理を行うことができる。加熱温度は、良好なレジストパターンが得られる限り特に限定されるものではなく、通常４０℃〜１６０℃である。加熱温度は５０℃以上１５０℃以下が好ましく、５０℃以上１１０℃以下が最も好ましい。加熱時間に関しては良好なレジストパターンが得られる限り特に限定されないが、通常１５秒〜３００秒であり、好ましくは、１５〜１８０秒である。
一方でＥＢ露光やＥＵＶ露光の際、アウトガス抑止の目的、ブロッブ欠陥抑止の目的、逆テーパー形状改良による倒れ悪化、表面荒れによるＬＷＲ悪化等を防止する目的で、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物から形成される感活性光線性又は感放射線性膜の上層にトップコート層を形成してもよい。以下、トップコート層の形成に用いられるトップコート組成物について説明する。
本発明におけるトップコート組成物は溶媒が水又は有機溶剤であることが好ましい。より好ましくは水又はアルコール系溶剤である。
溶媒が有機溶剤である場合、感活性光線性又は感放射線性膜を溶解しない溶剤であることが好ましい。使用しうる溶剤としては、アルコール系溶剤、フッ素系溶剤、炭化水素系溶剤を用いることが好ましく、非フッ素系のアルコール系溶剤を用いることが更に好ましい。アルコール系溶剤としては、塗布性の観点からは１級のアルコールが好ましく、更に好ましくは炭素数４〜８の１級アルコールである。炭素数４〜８の１級アルコールとしては、直鎖状、分岐状、環状のアルコールを用いることができるが、直鎖状、分岐状のアルコールが好ましい。具体的には、例えば１−ブタノール、１−ヘキサノール、１−ペンタノールおよび３−メチル−１−ブタノールなどが挙げられる。
本発明におけるトップコート組成物の溶媒が水、アルコール系溶剤等である場合、水溶性樹脂を含有することが好ましい。水溶性樹脂を含有することにより、現像液への溶解性の均一性をより高めることができると考えられる。好ましい水溶性樹脂としては、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリヒドロキシスチレン、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリビニルエーテル、ポリビニルアセタール、ポリアクリルイミド、ポリエチレングリコール、ポリエチレンオキサイド、ポリエチレンイミン、ポリエステルポリオールおよびポリエーテルポリオール、多糖類、等が挙げられる。特に好ましくは、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリヒドロキシスチレン、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコールである。なお、水溶性樹脂としてはホモポリマーのみに限定されず、共重合体であっても構わない。例えば、上記で挙げたホモポリマーの繰り返し単位に相当するモノマーと、それ以外のモノマー単位を有する共重合体であってもよい。具体的には、アクリル酸―メタクリル酸共重合体、アクリル酸−ヒドロキシスチレン共重合体なども本発明に用いることができる。
また、トップコート組成物用の樹脂としては、特開２００９−１３４１７７、特開２００９−９１７９８記載の酸性基を有する樹脂も、好ましく用いることができる。
水溶性樹脂の重量平均分子量は、特に制限はないが、２０００から１００万が好ましく、更に好ましくは５０００から５０万、特に好ましくは１万から１０万である。ここで、樹脂の重量平均分子量は、ＧＰＣ（キャリア：ＴＨＦあるいはＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ））によって測定したポリスチレン換算分子量を示す。
トップコート組成物のｐＨは、特に制限はないが、好ましくは０〜１０、更に好ましくは０〜８、特に好ましくは１〜７である。
トップコート組成物の溶剤が有機溶媒である場合、トップコート組成物は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の項において前述した疎水性樹脂（ＨＲ）のような疎水性の樹脂を含有していてもよい。疎水性樹脂としては、特開２００８−２０９８８９号公報に記載の疎水性樹脂を用いることも好ましい。
トップコート組成物中の樹脂の濃度は、好ましくは０．１から１０質量％、さらに好ましくは０．２から５質量％、特に好ましくは０．３から３質量％である。
トップコート材料には樹脂以外の成分を含んでもよいが、トップコート組成物の固形分に占める樹脂の割合は、好ましくは８０から１００質量％であり、更に好ましくは９０から１００質量％、特に好ましくは９５から１００質量％である。
本発明におけるトップコート組成物の固形分濃度は、０．１〜１０であることが好ましく、０．２〜６質量％であることがより好ましく、０．３〜５質量％であることが更に好ましい。固形分濃度を上記範囲とすることで、トップコート組成物を感活性光線性又は感放射線性膜上に均一に塗布することができる。
トップコート材料に添加し得る樹脂以外の成分としては、界面活性剤、光酸発生剤、塩基性化合物などが挙げられる。光酸発生剤及び塩基性化合物の具体例としては、上述した活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び塩基性化合物と同様の化合物が挙げられる。
界面活性剤を使用する場合、界面活性剤の使用量は、トップコート組成物の全量に対して、好ましくは０．０００１〜２質量％、より好ましくは０．００１〜１質量％である。
トップコート組成物に界面活性剤を添加することによって、トップコート組成物を塗布する場合の塗布性が向上し得る。界面活性剤としては、ノニオン性、アニオン性、カチオン性および両性界面活性剤が挙げられる。
ノニオン性界面活性剤としては、ＢＡＳＦ社製のＰｌｕｆａｒａｃシリーズ、青木油脂工業社製のＥＬＥＢＡＳＥシリーズ、ファインサーフシリーズ、ブラウノンシリーズ、旭電化工業社製のアデカプルロニック Ｐ−１０３、花王ケミカル社製のエマルゲンシリーズ、アミートシリーズ、アミノーン ＰＫ−０２Ｓ、エマノーン ＣＨ−２５、レオドールシリーズ、ＡＧＣセイミケミカル社製のサーフロン Ｓ−１４１、第一工業製薬社製のノイゲンシリーズ、竹本油脂社製のニューカルゲンシリーズ、日信化学工業社製のＤＹＮＯＬ６０４、エンバイロジェムＡＤ０１、オルフィンＥＸＰシリーズ、サーフィノールシリーズ、菱江化学社製のフタージェント ３００、等を用いることができる。
アニオン性界面活性剤として、花王ケミカル社製のエマール２０Ｔ、ポイズ ５３２Ａ、ＴＯＨＯ社製のフォスファノール ＭＬ−２００、クラリアントジャパン社製のＥＭＵＬＳＯＧＥＮシリーズ、ＡＧＣセイミケミカル社製のサーフロンＳ−１１１Ｎ、サーフロンＳ−２１１、第一工業製薬社製のプライサーフシリーズ、竹本油脂社製のパイオニンシリーズ、日信化学工業社製のオルフィンＰＤ−２０１、オルフィンＰＤ−２０２、日本サーファクタント工業社製のＡＫＹＰＯ ＲＬＭ４５、ＥＣＴ−３、ライオン社製のライポン、等を用いる事ができる。
カチオン性界面活性剤として、花王ケミカル社製アセタミン24、アセタミン86等を用いる事ができる。
両性界面活性剤として、サーフロンＳ−１３１（ＡＧＣセイミケミカル社製）、エナジコールＣ−４０Ｈ、リポミン ＬＡ （以上 花王ケミカル社製）等を用いる事ができる。
またこれらの界面活性剤を混合して用いることもできる。
本発明のパターン形成方法では、基板上に上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて感活性光線性又は感放射線性膜を形成し得、感活性光線性又は感放射線性膜上に上記トップコート組成物を用いてトップコート層を形成し得る。この感活性光線性又は感放射線性膜の膜厚は、好ましくは１０〜１００ｎｍであり、トップコート層の膜厚は、好ましくは１０〜２００ｎｍ、更に好ましくは２０〜１００ｎｍ、特に好ましくは４０〜８０ｎｍである。
基板上に感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を塗布する方法としては、スピン塗布が好ましく、その回転数は１０００〜３０００ｒｐｍが好ましい。
例えば、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を精密集積回路素子の製造に使用されるような基板（例：シリコン／二酸化シリコン被覆）上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法により塗布、乾燥し、感活性光線性又は感放射線性膜を形成する。なお、予め公知の反射防止膜を塗設することもできる。また、トップコート層の形成前に感活性光線性又は感放射線性膜を乾燥することが好ましい。
次いで、得られた感活性光線性又は感放射線性膜上に、上記感活性光線性又は感放射線性膜の形成方法と同様の手段によりトップコート組成物を塗布、乾燥し、トップコート層を形成することができる。
トップコート層を上層に有する感活性光線性又は感放射線性膜に、通常はマスクを通して、電子線（ＥＢ）、Ｘ線又はＥＵＶ光を照射し、好ましくはベーク（加熱）を行い、現像する。これにより良好なパターンを得ることができる。
また、本発明は、本発明の感活性光線性又は感放射線性組成物を塗布した、すなわち、上記のようにして得られる感活性光線性又は感放射線性膜を塗布した、レジスト塗布マスクブランクスにも関する。このようなレジスト塗布マスクブランクスを得るために、フォトマスク作製用のフォトマスクブランクス上にレジストパターンを形成する場合、使用される透明基板としては、石英、フッ化カルシウム等の透明基板を挙げることができる。一般には、基板上に、遮光膜、反射防止膜、更に位相シフト膜、追加的にはエッチングストッパー膜、エッチングマスク膜といった機能性膜の必要なものを積層する。機能性膜の材料としては、ケイ素、又はクロム、モリブデン、ジルコニウム、タンタル、タングステン、チタン、ニオブ等の遷移金属を含有する膜が積層される。また、最表層に用いられる材料としては、ケイ素又はケイ素に酸素及び／又は窒素を含有する材料を主構成材料とするもの、更にそれらに遷移金属を含有する材料を主構成材料とするケイ素化合物材料や、遷移金属、特にクロム、モリブデン、ジルコニウム、タンタル、タングステン、チタン、ニオブ等より選ばれる１種以上、又は更にそれらに酸素、窒素、炭素より選ばれる元素を１以上含む材料を主構成材料とする遷移金属化合物材料が例示される。
遮光膜は単層でもよいが、複数の材料を塗り重ねた複層構造であることがより好ましい。複層構造の場合、１層当たりの膜の厚みは、特に限定されないが、５ｎｍ〜１００ｎｍであることが好ましく、１０ｎｍ〜８０ｎｍであることがより好ましい。遮光膜全体の厚みとしては、特に限定されないが、５ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、１０ｎｍ〜１５０ｎｍであることがより好ましい。
これらの材料のうち、一般にクロムに酸素や窒素を含有する材料を最表層に持つフォトマスクブランク上でネガ型化学増幅型レジスト組成物を用いてパターン形成を行った場合、基板付近でくびれ形状が形成される、いわゆるアンダーカット形状となりやすいが、本発明の感活性光線性又は感放射線性組成物を用いた場合、従来のものに比べてアンダーカット問題を改善することができる。
次いで、このレジスト塗布マスクブランクスを電子線またはＥＵＶ光によって露光し、好ましくはベーク（通常８０〜１５０℃、より好ましくは９０〜１３０℃で、通常１〜２０分間、好ましくは１〜１０分間）を行った後、アルカリ現像液を用いて現像する。これにより良好なパターンを得ることができる。そして、このパターンをマスクとして用いて、適宜エッチング処理及びイオン注入などを行い、半導体微細回路及びインプリント用モールド構造体やフォトマスク等を製造する。
また本発明は、レジスト塗布マスクブランクスを、露光及び現像して得られるフォトマスクにも関する。露光及び現像としては、上記に記載の工程が適用される。フォトマスクは半導体製造用として好適に使用される。
本発明におけるフォトマスクは、ＡｒＦエキシマレーザー等で用いられる光透過型マスクであっても、ＥＵＶ光を光源とする反射系リソグラフィーで用いられる光反射型マスクであってもよい。
［用途］
本発明のパターン形成方法は、超ＬＳＩや高容量マイクロチップの製造などの半導体微細回路作成に好適に用いられる。なお、半導体微細回路作成時には、パターンを形成された感活性光線性又は感放射線性膜は回路形成やエッチングに供された後、残った感活性光線性又は感放射線性膜部は、最終的には溶剤等で除去されるため、プリント基板等に用いられるいわゆる永久レジストとは異なり、マイクロチップ等の最終製品には、本発明に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に由来する感活性光線性又は感放射線性膜は残存しない。
また、本発明は、上記した本発明のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法、及び、この製造方法により製造された電子デバイスにも関する。
本発明の電子デバイスは、電気電子機器（家電、ＯＡ（office automation）・メディア関連機器、光学用機器及び通信機器等）に、好適に、搭載されるものである。
以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明の内容がこれにより限定されるものではない。
＜参考合成例１：化合物Ｍ−１−１の合成＞
(クロロエーテル化合物の合成)
４６．５０ｇのシクロヘキサンカルバルデヒドを２６３．５ｇのｎ−ヘキサンに溶解させ、６４．５ｇのｔ−ブタノール、４６．５０ｇの無水硫酸マグネシウム、４．８１ｇの１０−カンファースルホン酸を加えて、室温で６時間攪拌した。１０．４９ｇのトリエチルアミンを加えて、１０分間攪拌した後、ろ過して固体を取り除いた。４００ｇの酢酸エチルを加えて、有機層を２００ｇのイオン交換水で５回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去して、化合物（１）含有溶液を１０８．３３ｇ得た。
化合物（１）含有溶液３６．１１ｇに、１２．４７ｇの塩化アセチルを加えて、５０℃で２時間攪拌した。室温に戻した後、減圧条件で未反応の塩化アセチルを除去することで、クロロエーテル化合物として化合物（２）含有溶液を３４．２１ｇ得た。
（化合物Ｍ−Ｉ−１の合成）
１８．８２ｇのｔｒａｎｓ−桂皮酸を１３６．８ｇの脱水テトラヒドロフランに溶解させ、２３．６７ｇのトリエチルアミンを加えて、窒素雰囲気下で攪拌した。０℃に冷却し、３４．２１ｇの化合物（２）含有溶液を３０分かけて滴下し、２時間攪拌した。室温に戻した後、４００ｇの酢酸エチルを加えて、有機層を２００ｇのイオン交換水で５回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去した。カラムクロマトグラフィーで単離精製し、３０．４１ｇの化合物（Ｍ−Ｉ−１）を得た。
＜参考合成例２：化合物Ｍ−１−２の合成＞
１１．９２ｇの２−（４−ビニルフェニル）酢酸を６１．３２ｇの脱水テトラヒドロフランに溶解させ、１０．６４ｇのトリエチルアミンを加えて、窒素雰囲気下で攪拌した。０℃に冷却し、１５．３３ｇの上記クロロエーテル化合物(２)の合成方法と同様の方法にて合成した、化合物（２´）含有溶液を３０分かけて滴下し、２時間攪拌した。室温に戻した後、４００ｇの酢酸エチルを加えて、有機層を２００ｇのイオン交換水で５回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去した。カラムクロマトグラフィーで単離精製し、２３．５５ｇの化合物（Ｍ−Ｉ−３）を得た。
＜参考合成例３：化合物Ｍ−１−３の合成＞
１８．８２ｇの４−ビニル安息香酸を１３６．８ｇの脱水テトラヒドロフランに溶解させ、２３．６７ｇのトリエチルアミンを加えて、窒素雰囲気下で攪拌した。０℃に冷却し、３４．２１ｇの化合物（２）含有溶液を３０分かけて滴下し、２時間攪拌した。室温に戻した後、４００ｇの酢酸エチルを加えて、有機層を２００ｇのイオン交換水で５回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去した。カラムクロマトグラフィーで単離精製し、２６．７７ｇの化合物（Ｍ−Ｉ−３）を得た。
＜合成例１：樹脂Ｐ−６の合成＞
化合物（３）の５０．００質量％シクロヘキサノン溶液３．６１ｇと、６．３１ｇの化合物（Ｍ−Ｉ−１）と、０．３５ｇの重合開始剤Ｖ−６０１（和光純薬工業（株）製）とを、２８．０７ｇのシクロヘキサノンに溶解させた。反応容器中に１６．０９ｇのシクロヘキサノンを入れ、窒素ガス雰囲気下、８５℃の系中に４時間かけて滴下した。反応溶液を２時間に亘って加熱撹拌した後、これを室温まで放冷した。
上記反応溶液を、４００ｇのヘプタン／酢酸エチル＝９／１（質量比）中に滴下し、ポリマーを沈殿させ、ろ過した。２００ｇのヘプタン／酢酸エチル＝９／１（質量比）を用いて、ろ過した固体のかけ洗いを行なった。その後、洗浄後の固体を減圧乾燥に供して、４．２０ｇの樹脂（Ｐ−６）を得た。
＜合成例２：樹脂Ｐ−１５の合成＞
化合物（３）の５０．００質量％シクロヘキサノン溶液４．８７ｇと、５．６８ｇの化合物（Ｍ−Ｉ−２）と、０．３２ｇの重合開始剤Ｖ−６０１（和光純薬工業（株）製）とを、２５．２６ｇのシクロヘキサノンに溶解させた。反応容器中に１４．４８ｇのシクロヘキサノンを入れ、窒素ガス雰囲気下、８５℃の系中に４時間かけて滴下した。反応溶液を２時間に亘って加熱撹拌した後、これを室温まで放冷した。
上記反応溶液を、３５０ｇのヘプタン／酢酸エチル＝９／１（質量比）中に滴下し、ポリマーを沈殿させ、ろ過した。２００ｇのヘプタン／酢酸エチル＝９／１（質量比）を用いて、ろ過した固体のかけ洗いを行なった。その後、洗浄後の固体を減圧乾燥に供して、３．８２ｇの樹脂（Ｐ−１５）を得た。
＜合成例３：樹脂Ｐ−２６の合成＞
化合物（３）の５０．００質量％シクロヘキサノン溶液４．６９ｇと、８．２０ｇの化合物（Ｍ−Ｉ−３）と、０．４６ｇの重合開始剤Ｖ−６０１（和光純薬工業（株）製）とを、３６．４９ｇのシクロヘキサノンに溶解させた。反応容器中に２０．９２ｇのシクロヘキサノンを入れ、窒素ガス雰囲気下、８５℃の系中に４時間かけて滴下した。反応溶液を２時間に亘って加熱撹拌した後、これを室温まで放冷した。
上記反応溶液を、４００ｇのヘプタン／酢酸エチル＝９／１（質量比）中に滴下し、ポリマーを沈殿させ、ろ過した。２００ｇのヘプタン／酢酸エチル＝９／１（質量比）を用いて、ろ過した固体のかけ洗いを行なった。その後、洗浄後の固体を減圧乾燥に供して、５．８８ｇの樹脂（Ｐ−２６）を得た。
樹脂（Ｐ−６）、（Ｐ−１５）及び（Ｐ−２６）と同様にして、樹脂（Ｐ−１）〜（Ｐ−４０）を合成した。
得られた樹脂について、ＧＰＣ（キャリア：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ））測定により、重量平均分子量（Ｍｗ：ポリスチレン換算）、数平均分子量（Ｍｎ：ポリスチレン換算）及び分散度（Ｍｗ／Ｍｎ、以下「Ｐｄ」）を算出した。また、１Ｈ−ＮＭＲ（Ｎｕｃｌｅａｒ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）測定により、組成比（モル比）を算出した。
合成した樹脂の構造を、繰り返し単位の組成比（モル比）、質量平均分子量（Ｍｗ）、及び、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）と共に以下に示す。
以下、同様にして、樹脂（Ｐ’−１）〜（Ｐ’−６）を合成した。それぞれの合成した樹脂の構造、組成比（モル比）、重量平均分子量、分散度を以下に示す。
以下、実施例及び比較例に用いた、疎水性樹脂、酸発生剤、塩基性化合物、界面活性剤、溶剤、現像液及びリンス液を示す。
〔光酸発生剤〕
光酸発生剤としては先に挙げた酸発生剤ｚ１〜ｚ３０から適宜選択して用いた。
〔塩基性化合物〕
〔疎水性樹脂〕
〔溶剤〕
Ｓ−１：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）（沸点１４６℃）
Ｓ−２：プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）（沸点１２０℃）
Ｓ−３：乳酸メチル（沸点１４５℃）
Ｓ−４：シクロヘキサノン（沸点１５７℃）
〔界面活性剤〕
Ｗ−１：メガファックＲ０８（ＤＩＣ（株）製；フッ素及びシリコン系）
Ｗ−２：ポリシロキサンポリマーＫＰ−３４１（信越化学工業（株）製；シリコン系）
Ｗ−３：トロイゾルＳ−３６６（トロイケミカル（株）製；フッ素系）
Ｗ−４：ＰＦ６３２０（ＯＭＮＯＶＡ社製；フッ素系）
〔現像液・リンス液〕
Ｇ−１：２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液
Ｇ−２：純水
〔実施例１Ａ〜４０Ａ、比較例１Ａ’〜６Ａ’（電子線（ＥＢ）露光）〕
（１）感活性光線性又は感放射性樹脂組成物の塗液調製及び塗設
下表１に示した組成を有する固形分濃度２．５質量％の塗液組成物を０．１μｍ孔径のメンブレンフィルターで精密ろ過して、感活性光線性又は感放射性樹脂組成物（レジスト組成物）溶液を得た。この感活性光線性又は感放射性樹脂組成物溶液を、予めヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）処理を施した６インチＳｉウェハ上に東京エレクトロン製スピンコーターＭａｒｋ８を用いて塗布し、１００℃、６０秒間ホットプレート上で乾燥して、膜厚５０ｎｍのレジスト膜を得た。
（２）ＥＢ露光及び現像
上記（１）で得られたレジスト膜が塗布されたウェハを、電子線描画装置（（株）日立製作所製ＨＬ７５０、加速電圧５０ＫｅＶ）を用いて、パターン照射を行った。この際、１：１のラインアンドスペースが形成されるように描画を行った。電子線描画後、ホットプレート上で、１００℃で６０秒間加熱した後、下表に記載のアルカリ現像液をパドルして３０秒間現像し、実施例および比較例の一部を除き、同表に記載のリンス液を用いてリンスをした後、４０００ｒｐｍの回転数で３０秒間ウェハを回転させた後、９５℃で６０秒間加熱を行うことにより、線幅１００ｎｍの１：１ラインアンドスペースパターンのレジストパターンを得た。
（３）レジストパターンの評価
走査型電子顕微鏡（（株）日立製作所製Ｓ−９２２０）を用いて、得られたレジストパターンを下記の方法で、解像力、耐ドライエッチング性能、溶解コントラストについて評価した。結果を下表１に示す。
（３−１）解像力
線幅１００ｎｍの１：１ラインアンドスペースパターンを解像する時の照射エネルギーを感度（Ｅｏｐ）とした。Ｅｏｐに於いて、分離している（１：１）のラインアンドスペースパターンの最小線幅を解像力とした。この値が小さいほど性能が良好であることを示す。
（３−２）耐ドライエッチング性能
上記（１）感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の塗液調整及び塗設において、膜厚２００ｎｍのレジスト膜を形成した後、Ｃ４Ｆ６（２０ｍＬ／ｍｉｎ）とＯ２（４０ｍＬ／ｍｉｎ）との混合ガスを用いて、温度２３℃の条件で３０秒間に亘ってプラズマエッチングを行った。その後、残膜量を求め、エッチング速度を算出した。そして、以下の判定基準に基づいて、エッチング耐性を評価した。
（判定基準）
Ａ：エッチング速度が１ｎｍ／秒未満の場合
Ｂ：エッチング速度が１ｎｍ／秒以上、１．５ｎｍ／秒未満の場合
Ｃ：エッチング速度が１．５ｎｍ／秒以上の場合
（３−３）溶解コントラスト
上記「（２）ＥＢ露光及び現像」において、露光量を０〜２５．０μＣの範囲で０．５μＣずつ変えながら面露光を行い、さらに１００℃で、９０秒間ベークした。その後２．３８％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液を用いて、各露光量での溶解速度を測定し、感度曲線を得た。この感度曲線において、レジストの溶解速度が飽和するときの露光量を感度とし、また感度曲線の直線部の勾配から溶解コントラスト（γ値）を算出した。γ値が大きいほど溶解コントラストに優れている。
〔１Ｂ〜４０Ｂ、比較例１Ｂ’〜６Ｂ’（極紫外線（ＥＵＶ）露光）〕
（４）感活性光線性又は感放射性樹脂組成物の塗液調製及び塗設
下表２に示す成分を同表に示す溶剤に固形分で１．５質量％溶解させ、それぞれを０．０５μｍ孔径のメンブレンフィルターで精密ろ過して、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物（レジスト組成物）溶液を得た。
この感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物溶液を、予めヘキサメチルジシラザン処理を施した６インチＳｉウェハ上に東京エレクトロン製スピンコーターＭａｒｋ８を用いて塗布し、１００℃、６０秒間ホットプレート上で乾燥して、膜厚５０ｎｍのレジスト膜を得た。
（５）ＥＵＶ露光及び現像
上記（４）で得られたレジスト膜の塗布されたウェハを、ＥＵＶ露光装置（Ｅｘｉｔｅｃｈ社製 Ｍｉｃｒｏ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｔｏｏｌ、ＮＡ０．３、Ｑｕａｄｒｕｐｏｌｅ、アウターシグマ０．６８、インナーシグマ０．３６）を用い、露光マスク（ライン／スペース＝１／１）を使用して、パターン露光を行った。露光後、ホットプレート上で、１００℃で９０秒間加熱した後、下表に記載のアルカリ現像液をパドルして３０秒間現像し、実施例および比較例の一部を除き、同表に記載のリンス液を用いてリンスした後、４０００ｒｐｍの回転数で３０秒間ウェハを回転させた後、９５℃で６０秒間ベークを行なうことにより、線幅５０ｎｍの１：１ラインアンドスペースパターンのレジストパターンを得た。
（６）レジストパターンの評価
走査型電子顕微鏡（（株）日立製作所製Ｓ−９３８０ＩＩ）を用いて、得られたレジストパターンを下記の方法で、解像力、耐ドライエッチング性能、溶解コントラストについて評価した。結果を下表２に示す。
（６−１）解像力
線幅１００ｎｍの１：１ラインアンドスペースパターンを解像する時の照射エネルギーを感度（Ｅｏｐ）とした。Ｅｏｐに於いて、分離している（１：１）のラインアンドスペースパターンの最小線幅を解像力とした。この値が小さいほど性能が良好であることを示す。
（６−２）耐ドライエッチング性能
上記（１）感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の塗液調整及び塗設において、膜厚２００ｎｍのレジスト膜を形成した後、Ｃ４Ｆ６（２０ｍＬ／ｍｉｎ）とＯ２（４０ｍＬ／ｍｉｎ）との混合ガスを用いて、温度２３℃の条件で３０秒間に亘ってプラズマエッチングを行った。その後、残膜量を求め、エッチング速度を算出した。そして、以下の判定基準に基づいて、エッチング耐性を評価した。
（判定基準）
Ａ：エッチング速度が１ｎｍ／秒未満の場合
Ｂ：エッチング速度が１ｎｍ／秒以上１．５ｎｍ／秒未満の場合
Ｃ：エッチング速度が１．５ｎｍ／秒以上の場合
（６−３）溶解コントラスト
上記（５）ＥＵＶ露光及び現像において、露光量を０〜１０．０ｍＪの範囲で０．５ｍＪずつ変えながら面露光を行い、さらに１００℃で、９０秒間ベークした。その後２．３８％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液を用いて、各露光量での溶解速度を測定し、感度曲線を得た。この感度曲線において、レジストの溶解速度が飽和するときの露光量を感度とし、また感度曲線の直線部の勾配から溶解コントラスト（γ値）を算出した。γ値が大きいほど溶解コントラストに優れている。
上記表から分かるように、実施例１Ａ〜４０Ａ、及び、実施例１Ｂ〜４０Ｂは、一般式（１）で表される繰り返し単位を有していない樹脂を使用した比較例１Ａ’〜６Ａ’及び、１Ｂ‘〜６Ｂ’と比較して、高解像性、高ドライエッチング耐性、並びに、高溶解コントラストを同時に満足することが明らかである。

Claims (13)

  1. 酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位として、少なくとも、下記一般式（１）で表される繰り返し単位（ａ）を含む樹脂（Ｐ１）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、
    前記膜を露光する工程、及び、
    露光後の前記膜を、現像液を用いて現像し、ポジ型のパターンを形成する工程
    を含むパターン形成方法であって、
    前記一般式（１）で表される繰り返し単位（ａ）が、下記一般式（２）で表される繰り返し単位であるパターン形成方法。
    一般式（１）中、
    Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立して、水素原子又は有機基を表し、互いが結合して芳香環を形成してもよい。
    Ｙ３は、単結合又は２価の芳香環基を表す。Ｙ３は、Ｙ１と結合して環を形成してもよく、この場合のＹ３は、３価の芳香環基を表す。
    Ｌ１は、単結合又は２価の連結基を表す。Ｌ１は、Ｙ１と結合して環を形成してもよく、この場合のＬ１は、３価の連結基を表す。
    Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、水素原子又は置換基を表す。
    Ｍ１は、有機基を表す。
    Ｒ１及びＲ２の一方とＭ１は、互いに結合して、式中の酸素原子と共に環を形成してもよい。
    但し、Ｙ１、Ｙ２及びＹ３のうち、少なくとも一つが芳香環を含むか、あるいは、Ｙ１及びＹ２が互いに結合して芳香環を形成している。
    Ｙ３が芳香環基であり、且つ、Ｌ１が単結合であるとき、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方は、炭素数６以上のアルキル基、脂肪族環式基、芳香環基、ヘテロ環基又はハロゲン原子を表す。
    Ｙ３が芳香環基であり、且つ、Ｌ１が２価の連結基であるとき、Ｌ１は脂肪族環式基を含まず、且つ、Ｒ１及びＲ２の一方とＭ１は、互いに結合して環を形成することはない。
    一般式（２）中、
    Ｙ ４ 及びＹ ５ は、それぞれ独立して、水素原子又は有機基を表し、互いが結合して芳香環を形成してもよい。
    Ｌ １１ は、単結合又は２価の連結基を表す。Ｌ １１ は、Ｙ ４ と結合して環を形成してもよく、この場合のＬ １１ は、３価の連結基を表す。
    Ｒ ３ 及びＲ ４ は、それぞれ独立して、水素原子又は置換基を表す。
    Ｍ ２ は、有機基を表す。
    Ｒ ３ 及びＲ ４ の一方とＭ ２ は、互いに結合し、式中の酸素原子と共に環を形成してもよい。
    但し、Ｙ ４ 及びＹ ５ のうち、少なくとも一つが芳香環を含むか、あるいは、Ｙ ４ 及びＹ ５ が互いに結合して芳香環を形成している。
  2. 一般式（２）中のＲ３が水素原子を表し、Ｒ４が水素原子、アルキル基、脂肪族環式基又は芳香環基を表す、請求項１に記載のパターン形成方法。
  3. 一般式（２）中のＭ２がアルキル基である、請求項１又は２に記載のパターン形成方法。
  4. 酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位として、少なくとも、下記一般式（１）で表される繰り返し単位（ａ）を含む樹脂（Ｐ１）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、
    前記膜を露光する工程、及び、
    露光後の前記膜を、現像液を用いて現像し、ポジ型のパターンを形成する工程
    を含むパターン形成方法であって、
    前記一般式（１）で表される繰り返し単位（ａ）が、下記一般式（３）で表される繰り返し単位であるパターン形成方法。
    一般式（１）中、
    Ｙ １ 及びＹ ２ は、それぞれ独立して、水素原子又は有機基を表し、互いが結合して芳香環を形成してもよい。
    Ｙ ３ は、単結合又は２価の芳香環基を表す。Ｙ ３ は、Ｙ １ と結合して環を形成してもよく、この場合のＹ ３ は、３価の芳香環基を表す。
    Ｌ １ は、単結合又は２価の連結基を表す。Ｌ １ は、Ｙ １ と結合して環を形成してもよく、この場合のＬ １ は、３価の連結基を表す。
    Ｒ １ 及びＲ ２ は、それぞれ独立して、水素原子又は置換基を表す。
    Ｍ １ は、有機基を表す。
    Ｒ １ 及びＲ ２ の一方とＭ １ は、互いに結合して、式中の酸素原子と共に環を形成してもよい。
    但し、Ｙ １ 、Ｙ ２ 及びＹ ３ のうち、少なくとも一つが芳香環を含むか、あるいは、Ｙ １ 及びＹ ２ が互いに結合して芳香環を形成している。
    Ｙ ３ が芳香環基であり、且つ、Ｌ １ が単結合であるとき、Ｒ １ 及びＲ ２ の少なくとも一方は、炭素数６以上のアルキル基、脂肪族環式基、芳香環基、ヘテロ環基又はハロゲン原子を表す。
    Ｙ ３ が芳香環基であり、且つ、Ｌ １ が２価の連結基であるとき、Ｌ １ は脂肪族環式基を含まず、且つ、Ｒ １ 及びＲ ２ の一方とＭ １ は、互いに結合して環を形成することはない。
    一般式（３）中、
    Ｙ６及びＹ７は、それぞれ独立して、水素原子又は１価の有機基を表す。
    Ｌ２は、式中の芳香環とカルボキシル基との間に挟まれた原子数が１である２価の連結基を表す。
    Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、脂肪族環式基、ハロゲン原子、芳香環基、又はヘテロ環基を表す。但し、Ｒ ５ 及びＲ ６ の少なくとも一方は、炭素数７以上のアルキル基、脂肪族環式基、ハロゲン原子、炭素数１３以上の芳香環基、又はヘテロ環基である。
    Ｍ３は、有機基を表す。
    Ｒ５及びＲ６の一方とＭ３は、互いに結合して環を形成することはない。
    ｎは０又は１以上の整数を表す。
  5. 一般式（３）中のＭ３が、炭素数７以上のアルキル基、脂肪族環式基、ハロゲン原子、炭素数１３以上の芳香環基、又はヘテロ環基である、請求項４に記載のパターン形成方法。
  6. 酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位として、少なくとも、下記一般式（１）で表される繰り返し単位（ａ）を含む樹脂（Ｐ１）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、
    前記膜を露光する工程、及び、
    露光後の前記膜を、現像液を用いて現像し、ポジ型のパターンを形成する工程
    を含むパターン形成方法であって、
    前記一般式（１）で表される繰り返し単位（ａ）が、下記一般式（４）で表される繰り返し単位であるパターン形成方法。
    一般式（１）中、
    Ｙ １ 及びＹ ２ は、それぞれ独立して、水素原子又は有機基を表し、互いが結合して芳香環を形成してもよい。
    Ｙ ３ は、単結合又は２価の芳香環基を表す。Ｙ ３ は、Ｙ １ と結合して環を形成してもよく、この場合のＹ ３ は、３価の芳香環基を表す。
    Ｌ １ は、単結合又は２価の連結基を表す。Ｌ １ は、Ｙ １ と結合して環を形成してもよく、この場合のＬ １ は、３価の連結基を表す。
    Ｒ １ 及びＲ ２ は、それぞれ独立して、水素原子又は置換基を表す。
    Ｍ １ は、有機基を表す。
    Ｒ １ 及びＲ ２ の一方とＭ １ は、互いに結合して、式中の酸素原子と共に環を形成してもよい。
    但し、Ｙ １ 、Ｙ ２ 及びＹ ３ のうち、少なくとも一つが芳香環を含むか、あるいは、Ｙ １ 及びＹ ２ が互いに結合して芳香環を形成している。
    Ｙ ３ が芳香環基であり、且つ、Ｌ １ が単結合であるとき、Ｒ １ 及びＲ ２ の少なくとも一方は、炭素数６以上のアルキル基、脂肪族環式基、芳香環基、ヘテロ環基又はハロゲン原子を表す。
    Ｙ ３ が芳香環基であり、且つ、Ｌ １ が２価の連結基であるとき、Ｌ １ は脂肪族環式基を含まず、且つ、Ｒ １ 及びＲ ２ の一方とＭ １ は、互いに結合して環を形成することはない。
    一般式（４）中、
    Ｙ８及びＹ９は、それぞれ独立して、水素原子又は１価の有機基を表す。
    Ｒ７は、無置換の炭素数６以上のアルキル基、脂肪族環式基、芳香環基、ヘテロ環基又はハロゲン原子を表す。
    Ｒ８は、水素原子、又は置換基を表す。
    Ｍ４は、有機基を表す。
    Ｒ７及びＲ８の一方とＭ４は、互いに結合して、式中の酸素原子と共に環を形成してもよい。
    ｎは、０又は１以上の整数を表す。
  7. 一般式（４）中のＲ７が脂肪族環式基を表す、請求項６に記載のパターン形成方法。
  8. 樹脂（Ｐ１）が、更に、一般式（Ａ）で示される繰り返し単位を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
    一般式（Ａ）中、
    Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。但し、Ｚ３はＡｒ２又はＸ１と結合して環を形成していてもよく、その場合のＺ３は単結合又はアルキレン基を表す。
    Ｘ１は、単結合、アルキレン基、−ＣＯＯ−、又は−ＣＯＮＲ９−を表す。ここで、Ｒ９は水素原子又はアルキル基を表す。
    Ｌ３は、単結合、−ＣＯＯ−、又はアルキレン基を表す。
    Ａｒ２は、(ｍ＋１)価の芳香環基、Ｚ３と結合して環を形成している場合には(ｍ＋２)価の芳香環基を表す。
    ｍは、１〜４の整数を表す。
  9. 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、
    前記膜を露光する工程、及び
    露光後の前記膜を、現像液を用いて現像し、ポジ型のパターンを形成する工程、
    を含むパターン形成方法に用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であり、
    酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位として、少なくとも、下記一般式（１）で表される繰り返し単位（ａ）を含む樹脂（Ｐ１）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、
    前記一般式（１）で表される繰り返し単位（ａ）が、下記一般式（２）で表される繰り返し単位である感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
    一般式（１）中、
    Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立して、水素原子又は有機基を表し、互いが結合して芳香環を形成してもよい。
    Ｙ３は、単結合又は２価の芳香環基を表す。Ｙ３は、Ｙ１と結合して環を形成してもよく、この場合のＹ３は、３価の芳香環基を表す。
    Ｌ１は、単結合又は２価の連結基を表す。Ｌ１は、Ｙ１と結合して環を形成してもよく、この場合のＬ１は、３価の連結基を表す。
    Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、水素原子又は置換基を表す。
    Ｍ１は、有機基を表す。
    Ｒ１及びＲ２の一方とＭ１は、互いに結合して、式中の酸素原子と共に環を形成してもよい。
    但し、Ｙ１、Ｙ２及びＹ３のうち、少なくとも一つが芳香環を含むか、あるいは、Ｙ１及びＹ２が互いに結合して芳香環を形成している。
    Ｙ３が芳香環基であり、且つ、Ｌ１が単結合であるとき、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方は、炭素数６以上のアルキル基、脂肪族環式基、芳香環基、ヘテロ環基又はハロゲン原子を表す。
    Ｙ３が芳香環基であり、且つ、Ｌ１が２価の連結基であるとき、Ｌ１は脂肪族環式基を含まず、且つ、Ｒ１及びＲ２の一方とＭ１は、互いに結合して環を形成することはない。
    一般式（２）中、
    Ｙ ４ 及びＹ ５ は、それぞれ独立して、水素原子又は有機基を表し、互いが結合して芳香環を形成してもよい。
    Ｌ １１ は、単結合又は２価の連結基を表す。Ｌ １１ は、Ｙ ４ と結合して環を形成してもよく、この場合のＬ １１ は、３価の連結基を表す。
    Ｒ ３ 及びＲ ４ は、それぞれ独立して、水素原子又は置換基を表す。
    Ｍ ２ は、有機基を表す。
    Ｒ ３ 及びＲ ４ の一方とＭ ２ は、互いに結合し、式中の酸素原子と共に環を形成してもよい。
    但し、Ｙ ４ 及びＹ ５ のうち、少なくとも一つが芳香環を含むか、あるいは、Ｙ ４ 及びＹ ５ が互いに結合して芳香環を形成している。
  10. 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、
    前記膜を露光する工程、及び
    露光後の前記膜を、現像液を用いて現像し、ポジ型のパターンを形成する工程、
    を含むパターン形成方法に用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であり、
    酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位として、少なくとも、下記一般式（１）で表される繰り返し単位（ａ）を含む樹脂（Ｐ１）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、
    前記一般式（１）で表される繰り返し単位（ａ）が、下記一般式（３）で表される繰り返し単位である感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
    一般式（１）中、
    Ｙ １ 及びＹ ２ は、それぞれ独立して、水素原子又は有機基を表し、互いが結合して芳香環を形成してもよい。
    Ｙ ３ は、単結合又は２価の芳香環基を表す。Ｙ ３ は、Ｙ １ と結合して環を形成してもよく、この場合のＹ ３ は、３価の芳香環基を表す。
    Ｌ １ は、単結合又は２価の連結基を表す。Ｌ １ は、Ｙ １ と結合して環を形成してもよく、この場合のＬ １ は、３価の連結基を表す。
    Ｒ １ 及びＲ ２ は、それぞれ独立して、水素原子又は置換基を表す。
    Ｍ １ は、有機基を表す。
    Ｒ １ 及びＲ ２ の一方とＭ １ は、互いに結合して、式中の酸素原子と共に環を形成してもよい。
    但し、Ｙ １ 、Ｙ ２ 及びＹ ３ のうち、少なくとも一つが芳香環を含むか、あるいは、Ｙ １ 及びＹ ２ が互いに結合して芳香環を形成している。
    Ｙ ３ が芳香環基であり、且つ、Ｌ １ が単結合であるとき、Ｒ １ 及びＲ ２ の少なくとも一方は、炭素数６以上のアルキル基、脂肪族環式基、芳香環基、ヘテロ環基又はハロゲン原子を表す。
    Ｙ ３ が芳香環基であり、且つ、Ｌ １ が２価の連結基であるとき、Ｌ １ は脂肪族環式基を含まず、且つ、Ｒ １ 及びＲ ２ の一方とＭ １ は、互いに結合して環を形成することはない。
    一般式（３）中、
    Ｙ６及びＹ７は、それぞれ独立して、水素原子又は１価の有機基を表す。
    Ｌ２は、式中の芳香環とカルボキシル基との間に挟まれた原子数が１である２価の連結基を表す。
    Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、脂肪族環式基、ハロゲン原子、芳香環基、又はヘテロ環基を表す。但し、Ｒ ５ 及びＲ ６ の少なくとも一方は、炭素数７以上のアルキル基、脂肪族環式基、ハロゲン原子、炭素数１３以上の芳香環基、又はヘテロ環基である。
    Ｍ３は、有機基を表す。
    Ｒ５及びＲ６の一方とＭ３は、互いに結合して環を形成することはない。
    ｎは０又は１以上の整数を表す。
  11. 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、
    前記膜を露光する工程、及び
    露光後の前記膜を、現像液を用いて現像し、ポジ型のパターンを形成する工程、
    を含むパターン形成方法に用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であり、
    酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位として、少なくとも、下記一般式（１）で表される繰り返し単位（ａ）を含む樹脂（Ｐ１）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、
    前記一般式（１）で表される繰り返し単位（ａ）が、下記一般式（４）で表される繰り返し単位である感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
    一般式（１）中、
    Ｙ １ 及びＹ ２ は、それぞれ独立して、水素原子又は有機基を表し、互いが結合して芳香環を形成してもよい。
    Ｙ ３ は、単結合又は２価の芳香環基を表す。Ｙ ３ は、Ｙ １ と結合して環を形成してもよく、この場合のＹ ３ は、３価の芳香環基を表す。
    Ｌ １ は、単結合又は２価の連結基を表す。Ｌ １ は、Ｙ １ と結合して環を形成してもよく、この場合のＬ １ は、３価の連結基を表す。
    Ｒ １ 及びＲ ２ は、それぞれ独立して、水素原子又は置換基を表す。
    Ｍ １ は、有機基を表す。
    Ｒ １ 及びＲ ２ の一方とＭ １ は、互いに結合して、式中の酸素原子と共に環を形成してもよい。
    但し、Ｙ １ 、Ｙ ２ 及びＹ ３ のうち、少なくとも一つが芳香環を含むか、あるいは、Ｙ １ 及びＹ ２ が互いに結合して芳香環を形成している。
    Ｙ ３ が芳香環基であり、且つ、Ｌ １ が単結合であるとき、Ｒ １ 及びＲ ２ の少なくとも一方は、炭素数６以上のアルキル基、脂肪族環式基、芳香環基、ヘテロ環基又はハロゲン原子を表す。
    Ｙ ３ が芳香環基であり、且つ、Ｌ １ が２価の連結基であるとき、Ｌ １ は脂肪族環式基を含まず、且つ、Ｒ １ 及びＲ ２ の一方とＭ １ は、互いに結合して環を形成することはない。
    一般式（４）中、
    Ｙ８及びＹ９は、それぞれ独立して、水素原子又は１価の有機基を表す。
    Ｒ７は、無置換の炭素数６以上のアルキル基、脂肪族環式基、芳香環基、ヘテロ環基又はハロゲン原子を表す。
    Ｒ８は、水素原子、又は置換基を表す。
    Ｍ４は、有機基を表す。
    Ｒ７及びＲ８の一方とＭ４は、互いに結合して、式中の酸素原子と共に環を形成してもよい。
    ｎは、０又は１以上の整数を表す。
  12. 請求項９〜１１のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性組成物を用いて形成される感活性光線性又は感放射線性膜。
  13. 請求項１〜８のいずれか１項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
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