JP6490928B2 - マルチバンドフィルタ - Google Patents
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Description
第1の実施形態について説明する。
先ず、本実施形態に係るマルチバンドフィルタの構成について説明する。
図1は、本実施形態に係るマルチバンドフィルタを例示する斜視図である。
図2は、本実施形態に係るマルチバンドフィルタを例示する等価回路図である。図2に示す第1フィルタ部261は、図1に示す第1フィルタ部161に相当する。図2に示す第2フィルタ部281は、図1に示す第2フィルタ部181に相当する。図2に示す入出力部217は、図1に示す入出力部117に相当する。図2に示す入出力部247は、図1に示す入出力部147に相当する。
図3に示すように、第1共振器220は、容量性素子Cl1と誘導性素子Ll1で表すことができる。また、第2共振器230は、容量性素子Ch1と誘導性素子Lh1で表すことができる。図3に示す誘導性素子Ll1は、例えば図2に示す誘導性素子Ll11と誘導性素子Ll12を直列に接続したものである。容量性素子Cl1と容量性素子Ch1との間で容量性結合が発生し、誘導性素子Ll1と誘導性素子Lh1との間で誘導性結合が発生する。第1共振器220と第2共振器230の間の結合係数kの大きさは、誘導性結合係数kmと容量性結合係数keの差の絶対値で表され、下記数式1のようになる。すなわち、誘導性の結合と容量性の結合は打ち消し合う。
図4は、本実施形態における共振器の配置を例示するパターン図である。
図5は、横軸に図4に示すギャップdをとり、縦軸に結合係数kをとって、本実施形態に係る共振器の配置と結合係数kの関係を例示するグラフである。
図6は、本実施形態における2つの共振器の間に存在する範囲をギャップdと共に例示するパターン図である。
図7は、本実施形態の第1の比較例における共振器の配置を例示するパターン図である。
図8は、横軸に図7に示すギャップdをとり、縦軸に結合係数kをとって、共振器の配置と結合係数kの関係を例示するグラフである。
図9は、本実施形態の第2の比較例における共振器の配置を例示するパターン図である。
図10は、横軸に図9に示すギャップdをとり、縦軸に結合係数kをとって、共振器の配置と結合係数kの関係を例示するグラフである。
図11は、本実施形態に係るマルチバンドフィルタを例示する斜視図である。
図12は、本実施形態における共振器の配置を例示するパターン図である。
本実施形態における上記以外の構成は、前述の第1の実施形態と同様である。
本実施形態に係るマルチバンドフィルタ2は、大きな電流が流れる線路中央部319と線路中央部329はギャップdだけ離れている。電界が強い両端開放部318と両端開放部328はギャップdよりも離れている。従って、誘導性結合は容量性結合よりも大きくなり、誘導性結合が支配的となる。
本実施形態における上記以外の動作及び効果は、前述の第1の実施形態と同様である。
図13は、本実施形態に係るマルチバンドフィルタを例示する斜視図である。
図14は、本実施形態における共振器を例示する斜視図である。
図15は、本実施形態における共振器を例示する等価回路図である。
図16は、本実施形態における共振器の配置を例示するパターン図である。
本実施形態における上記以外の構成は、前述の第1の実施形態と同様である。
図13及び図16に示すように、本実施形態に係るマルチバンドフィルタ3においては、第1共振器420及び第2共振器430を下記のように配置する。
図17は、本実施形態の第1の比較例における共振器の配置を例示するパターン図である。
図17においては、図16と比較して、第1共振器420がZ方向から見て180度回転している。このような配置の場合、容量が発生する開放部489と開放部499との間の距離が、磁界が発生する線路中央部484と線路中央部494との距離よりも大きくなる。その結果、誘導性結合が支配的になる。これにより、第1共振器420と第2共振器430との結合が極めて強くなる。
図18は、本実施形態の第2の比較例における共振器の配置を例示するパターン図である。
図18においては、図16と比較して、第2共振器430がZ方向から見て180度回転している。このような配置の場合、容量が発生する開放部489と開放部499との間の距離が、磁界が発生する線路中央部484と線路中央部494との距離よりも小さくなる。その結果、容量性結合が支配的になる。これにより、第1共振器420と第2共振器430との結合が極めて強くなる。
図19に示すように、本実施形態に係るマルチバンドフィルタ3は、第1の比較例及び第2の比較例と比べて、所望の周波数において、帯域外のアイソレーションが約10dB以上改善している。
図20は、本実施形態に係るマルチバンドフィルタを例示する斜視図である。
図20に示すように、本実施形態に係るマルチバンドフィルタ4は、前述の第3の実施形態に係るマルチバンドフィルタ3と比較して、下記の(а)〜(d)の点が異なっている。
(b)第2共振器730は、図13に示す前述の第3の実施形態における第2共振器430をZ方向から見て時計回りに180度回転させたパターン図である。
(c)上記(b)に伴い、分岐部716の終端部、及び、分岐部746の終端部が、(−Y)方向に延びている。
(d)結合線路部750が設けられている。
本実施形態における上記以外の構成は、前述の第3の実施形態と同様である。
その結果、分岐部715と分岐部746との間に発生した誘導性結合が打ち消され、帯域外のアイソレーション特性を改善することができる。
図21は、本変形例に係るマルチバンドフィルタを例示する斜視図である。
図21に示すように、本変形例に係るマルチバンドフィルタ5は、前述の第4の実施形態に係るマルチバンドフィルタ4と比較して、結合線路部750に代わって、結合線路部850及び851が設けられている点が異なっている。
本変形例における上記以外の構成は、前述の第4の実施形態と同様である。
Claims (10)
- 第1周波数の信号が入力され、第1容量性部分及び第1誘導性部分を有する第1共振器と、
前記第1周波数とは異なる第2周波数の信号が入力され、第2容量性部分及び第2誘導性部分を有する第2共振器と、
を備え、
前記第1共振器の一外縁と前記第2共振器の一外縁とは平行でありかつ互いにギャップを隔てて対向し、
前記第1容量性部分の第1容量成分と前記第2容量性部分の第2容量成分との結合の度合いを容量性結合係数とし、前記第1誘導性部分の第1誘導成分と前記第2誘導性部分の第2誘導成分との結合の度合いを誘導性結合係数とし、前記容量性結合係数と前記誘導性結合係数との差の絶対値を結合係数とするとき、前記容量性結合係数の曲線及び前記誘導性結合係数の曲線は前記ギャップの増大とともにそれぞれ単調に減少しつつ交差し、かつ前記ギャップの大きさは前記結合係数を所定値以下とする範囲とされ、
前記所定値は、0.001であり、
前記第1共振器及び前記第2共振器の形状は、一辺の中央部に欠けた部分を有する枠状の線路であり、
前記欠けた部分を両端部とし、
前記両端部に対向する部分を対向中央部とし、
前記第1共振器の両端部が前記第1容量性部分であり、
前記第1共振器の対向中央部が前記第1誘導性部分であり、
前記第2共振器の両端部が前記第2容量性部分であり、
前記第2共振器の対向中央部が前記第2誘導性部分であるマルチバンドフィルタ。 - 第1周波数の信号が入力され、第1容量性部分及び第1誘導性部分を有する第1共振器と、
前記第1周波数とは異なる第2周波数の信号が入力され、第2容量性部分及び第2誘導性部分を有する第2共振器と、
を備え、
前記第1共振器の一外縁と前記第2共振器の一外縁とは平行でありかつ互いにギャップを隔てて対向し、
前記第1容量性部分の第1容量成分と前記第2容量性部分の第2容量成分との結合の度合いを容量性結合係数とし、前記第1誘導性部分の第1誘導成分と前記第2誘導性部分の第2誘導成分との結合の度合いを誘導性結合係数とし、前記容量性結合係数と前記誘導性結合係数との差の絶対値を結合係数とするとき、前記容量性結合係数の曲線及び前記誘導性結合係数の曲線は前記ギャップの増大とともにそれぞれ単調に減少しつつ交差し、かつ前記ギャップの大きさは前記結合係数を所定値以下とする範囲とされ、
前記所定値は、0.001であり、
前記第1誘導性部分及び前記第2誘導性部分は、メアンダ形状部の少なくとも一部をそれぞれ含み、
前記第1容量性部分及び前記第2容量性部分は、櫛形形状部の少なくとも一部をそれぞれ含むマルチバンドフィルタ。 - 前記ギャップの大きさが前記2つの曲線の交差するときのギャップの大きさよりも小さいとき、前記容量性結合係数は前記誘導性結合係数よりも大きい、請求項1又は2に記載のマルチバンドフィルタ。
- 前記ギャップの大きさは、前記結合係数が最小となる距離である請求項1〜3のいずれか1つに記載のマルチバンドフィルタ。
- 前記第1共振器と前記第2共振器とにそれぞれ容量性結合可能な結合線路部をさらに備えた請求項1〜4のいずれか1つに記載のマルチバンドフィルタ。
- 第1周波数の信号が入力され、第1容量性部分及び第1誘導性部分を有する第1共振器と、
前記第1周波数とは異なる第2周波数の信号が入力され、第2容量性部分及び第2誘導性部分を有する第2共振器と、
前記第1共振器と前記第2共振器とにそれぞれ容量性結合可能な結合線路部と、
を備え、
前記第1共振器の一外縁と前記第2共振器の一外縁とは平行でありかつ互いにギャップを隔てて対向し、
前記第1容量性部分の第1容量成分と前記第2容量性部分の第2容量成分との結合の度合いを容量性結合係数とし、前記第1誘導性部分の第1誘導成分と前記第2誘導性部分の第2誘導成分との結合の度合いを誘導性結合係数とし、前記容量性結合係数と前記誘導性結合係数との差の絶対値を結合係数とするとき、前記容量性結合係数の曲線及び前記誘導性結合係数の曲線は前記ギャップの増大とともにそれぞれ単調に減少しつつ交差し、かつ前記ギャップの大きさは前記結合係数を所定値以下とする範囲として決定され、
前記所定値は、0.001であるマルチバンドフィルタ。 - 前記結合線路部は、金属、超電導体又はY系銅酸化物高温超伝電導材料を含む請求項5または6に記載のマルチバンドフィルタ。
- 前記第1共振器及び前記第2共振器は、金属、超電導体又はY系銅酸化物高温超伝電導材料を含む請求項1〜7のいずれか1つに記載のマルチバンドフィルタ。
- 前記第1共振器、前記第2共振器及び前記結合線路部は、マイクロストリップ線路、ストリップ線路、又は、コプレーナ線路により形成される請求項1〜8のいずれか1つに記載のマルチバンドフィルタ。
- 第1周波数の信号が入力され、第1容量性部分及び第1誘導性部分を有する第1共振器と、
前記第1周波数とは異なる第2周波数の信号が入力され、第2容量性部分及び第2誘導性部分を有する第2共振器と、
を備え、
前記第1共振器の一外縁と前記第2共振器の一外縁とは平行でありかつ互いにギャップを隔てて対向し、
前記第1容量性部分の第1容量成分と前記第2容量性部分の第2容量成分との結合の度合いを容量性結合係数とし、前記第1誘導性部分の第1誘導成分と前記第2誘導性部分の第2誘導成分との結合の度合いを誘導性結合係数とし、前記容量性結合係数と前記誘導性結合係数との差の絶対値を結合係数とするとき、前記容量性結合係数の曲線及び前記誘導性結合係数の曲線は前記ギャップの増大とともにそれぞれ単調に減少しつつ交差し、かつ前記ギャップの大きさは前記結合係数を所定値以下とする範囲とされ、
前記所定値は、0.001であり、
前記第1共振器及び前記第2共振器の形状は、一辺の中央部に欠けた部分を有する枠状の線路であり、
前記第1容量性部分は、前記第1共振器の一辺の中央部に欠けた部分と、当該一辺の中央部に欠けた部分に接する枠上の線路を含み、
前記第2容量性部分は、前記第2共振器の一辺の中央部に欠けた部分と、当該一辺の中央部に欠けた部分に接する枠上の線路を含み、
前記第1誘導性部分は、前記第1共振器の一辺の中央部に欠けた部分を有する枠状の線路を含み、
前記第2誘導性部分は、前記第2共振器の一辺の中央部に欠けた部分を有する枠状の線路を含む、マルチバンドフィルタ。
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