JP6486751B2 - 赤外線サーモグラフの分解能評価用パターン、赤外線サーモグラフの分解能評価方法 - Google Patents
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- 238000011156 evaluation Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 75
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 54
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 44
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 16
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 31
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 14
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- SWPMTVXRLXPNDP-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-2,6,6-trimethylcyclohexene-1-carbaldehyde Chemical compound CC1=C(C=O)C(C)(C)CC(O)C1 SWPMTVXRLXPNDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 LTCC Substances 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004637 bakelite Substances 0.000 description 1
- JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N benzene-1,4-diol;bis(4-fluorophenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1.C1=CC(F)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(F)C=C1 JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 229920006351 engineering plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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Description
表面実装抵抗器では、抵抗器で発生する熱の放熱割合は9割以上が端子部からの伝導によるプリント基板経由であり、抵抗器表面から周囲空間への熱伝達と輻射による放熱は僅か1割に満たない。このため、表面実装抵抗器では、使用温度環境を主たる放熱経路であり、部品と基板の境界である端子部の温度で規定するのが好ましい。
また、熱により破壊される部分は主としてホットスポットと呼ばれる発熱部であるため、故障解析などではホットスポット部の位置及び温度を正確に把握する技術が求められている。
部品の温度を測定する方法としては、熱電対で測定する方法がある。しかしながら、測定点が小さくなればなるほど測定誤差が大きくなってしまい、精度の良い測定は困難であった。具体的には、微小な熱電対を測定点に載置することが困難であり、熱結合させることはさらに難しい。また、熱電対の線部に熱が逃げてしまい温度が低下してしまったり、集中熱抵抗という問題が生じたりする等の問題がある。
部品等における各部の温度を簡便に正確に測定する方法の1つとして、赤外線サーモグラフ法による測定方法がある。赤外線サーモグラフによれば、測定対象物から出ている赤外線放射エネルギーを検出し、見かけの温度に変換して温度分布を求めるものである。より詳細には、赤外線放射エネルギーを集光レンズにより集光し、検知器により検知した信号を電気的に処理する等により、温度に変換することができる。
本発明は、赤外線放射率の異なる領域間の赤外線サーモグラフの分解能を容易に把握することができる技術を提供することを目的とする。
い材料からなる基本単位と、赤外線放射率が低い材料からなる基本単位を、面積比を変えて繰り返し配置することを特徴とする、サーモグラフの分解能測定パターンを形成する。また、それらパターンを組み合わせて放射率を変えた領域を作成する。
1枚のパターン基板内に領域を複数設けて配置することで、一度の測定で測定する場所(領域間の境界部、セラミック基板との境界を含む)を変えて測定できるので、時間もそれほど掛からず、何より測定基板を多数準備しなくて済む。
1画素に比べて基本単位が大きくなってしまうと、画素と基本単位配置のズレにより測定値がばらつく。パターンが細かくなればなるほど誤差が圧縮されて有利であるが、少なくとも1/2以下であれば良い。
前記第1及び第2の基本単位のうち、赤外線放射率が低い部分が金属膜であることが好ましい。前記第1の基本単位と前記第2の基本単位とのうち、赤外線放射率が高い部分が絶縁基板であることが好ましい。
前記絶縁基板は、窒化アルミニウム、窒化珪素、セラミックス基板、ガラス、またはガラスエポキシ基板であることが好ましい。
前記第1の基本単位と前記第2の基本単位とのうち赤外線放射率が低い部分の金属は、Au、Cu、Cr、Pt、Pd、Ag、Ni、Sn、はんだのうちから選択される少なくともいずれか1の金属であることが好ましい。
先の出願では、一様温度で放射率の異なる領域を形成してその境界部を赤外線サーモグラフで撮像し、熱画像の高温部と低温部の遷移域の温度勾配から、空間分解能を簡易的に定量化する測温パターンが開示されている。また、そのパターンを赤外線サーモグラフ法で観察して解像度の高いレンズを用いたときの光学系および受光素子間干渉などを含めた総合的な解像度特性(MTF)を、ガウス関数を用いたフィルタ(以下ガウシャンフィルタ)のカットオフ周波数(半波長値)を変えたときの高域成分の欠如として近似して確認している。
これは、被測定物表面の放射率の違いに着目し実際の温度の違いでは無く、同一温度で赤外線放射により測定した場合に温度的なコントラストの発生する材料を用いてパターンを作製することで赤外線サーモグラフ法の総合的な解像度を測定するものである。
尚、本明細書において、「基本単位」とは、パターン形成の基本となる最小寸法を有する最小パターン要素又は構成単位のことである。また、「領域」とは、基本単位を組み合わせて放射率の異なる特定の範囲を形成している単位のことである。「一画素想定エリア
」とは、赤外線サーモグラフの1画素で測定している範囲のことである。放射率の異なる領域を隣接させて作りこんだ基板を「パターン基板」と称する。Pt、セラミックスなどのもともとの素材がそのまま露出している範囲を、「部分」と称する。
赤外線放射率の高い材料と赤外線放射率の低い材料を略同一面で作り込むと、それぞれの赤外線放射率が大きく異なるため、加熱手段で全体を昇温すると、実際には同一温度であっても赤外線放射率の高い材料が高温部として測定され、赤外線放射率の低い材料が低温部として測定される。
赤外線放射率の違いを得るために実際に表面温度を変えることで赤外線放射率を変えて温度測定を行うことは困難である。場所により温度を変えることは難しく、特に、微細な範囲で温度を変えようとすることは不可能に近い。
一例を挙げると、セラミックス部と金属部とからなるパターンの場合、セラミックス部が高温部として測定され、金属部が低温部として測定される。また、領域境界部を挟んでどちらも金属部を含んでいる場合には、金属の割合の大小関係に依存して、金属割合が大きい方が低温部として測定され、金属割合が小さい方が高温部として測定される。
微細領域の面積割合を変化させることは、周知のパターニング技術を用いることにより容易である。
測定時に、基板全体を高温に加熱することで温度観測値の差を作り出すことができるため、チャートが変質・破損しない程度まで温度を上昇させることでコントラストを明確に作り出すことができる。
である。使用時の耐熱性、入手しやすさ細かなパターン作製工程を考慮すれば、基板として使用できるアルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、ガラスエポキシ、LTCC、ガラスがより好ましい。
0μm)放射が多くなる。従って、それぞれを組み合わせた測定パターンでは、単体材料よりも赤外線波長が広く分布する。この分布した波長を波長毎に強度測定することが分光放射率の測定である。
実際の電子部品などの温度を測定しようとする場合には、このような広い波長の赤外線が出ているはずであり、このような材料がきちんと測定できるのかを検証して把握しておくことが重要である。
その結果として、赤外線放射率の異なるものを測定しても空間周波数には違いが見られないことが確認できれば、測定器の解像度は表面の放射率の差の影響を受けていないといえる。
先の出願では赤外線放射率の高い/低い材料を組み合わせて、MTFを簡単に測定できるパターンを提案した。本実施の形態は、さらにそのパターン内に階調を準備することで赤外線分光的な測定も可能なパターンを提案している。
(第1の実施の形態)
まず、本発明の第1の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
図1A及び図1Bは、本発明の実施の形態による赤外線サーモグラフ測定システムの構成例を示す図である。図1Aは、システムの一構成例を示す機能ブロック図であり、図1Bは、斜視図である。
データ処理部21は、外付けのPC等であり、赤外線サーモグラフ1から出力されたデータを蓄積して、外部でフィルタ処理を行ったり、空間的、時間的にデータ処理を行う。
図1Bに示すように、加熱手段11により、本実施の形態によるパターンが形成されたパターン基板17を測定する。
例えばアルミナ99.5%のアルミナ(セラミックス)基板23(図2(a))にフォトレジスト24を塗布し(図2(b))、後述する図3の構成で作成したクロムマスク(
領域内部は図4の構成であり、基本単位の大きさを、40、41は12.5μm、繰り返しピッチ42、43は25μmで作成した)をあてて露光現像し、洗浄を行い、基板23上にレジストパターン24を形成する。
スパッタ法でPt被膜を200nm程度の厚さで形成する。
次いで、洗浄液中でレジストパターン24を剥離しフォトレジストとその上の余分なPt膜を除去してPtパターン25が形成された図3に示すようなパターン基板17を完成させた(図2(c))。これにより、Pt部分25とアルミナ部分23aとを形成することができる。
図4に示すように、領域30から33までには、例えば、正方形の基本単位が正方格子状に配置されている。
上述のように、基本単位の大きさ40、41は、例えば、12.5μmであり、繰り返しピッチ42、43は、例えば25μmである。
サーモグラフの1画素エリアで確認できる温度は空間内を占める高赤外線放射物質と低赤外線放射物質との割合によって変化する。従って、1画素内での高赤外線放射物質の基本単位の形状には左右されないはずであり、領域内の基本単位の配置は、正方格子には限定されない。丸ドットや線の間隔と幅で放射率を調整するパターンでも良い。
一画素想定エリアAR1は、ピッチの半分を基本単位の大きさとしたときに、サーモグラフの1画素と想定している図示したエリアである。
尚、ピッチ/基本単位が2倍以下では画素が格子からずれる時に若干不安定な測定になる。従って、ピッチ/基本単位を2倍以上にすることが好ましい。
図1Bに示す加熱手段11上にパターン基板17を載せてその下面を加熱手段11の上面と密着させ、パターン基板17全体の温度を、温度コントロール部12を用いて周囲温度より65〜70度程度上昇させた。
温度をさらに上げれば、撮像のコントラストがさらに向上するが、温度を上げすぎるとパターン基板17に反りが生じ、パターン基板17の縁部が加熱手段11の上面から離れてしまう。そこで、加熱温度は、50〜100℃程度までの上昇にとどめておくのが好ましい。
尚、反りを抑制し温度分布をなくすために、基板周囲に枠などを用いて押さえておくようにしても良い。
ここで、図3に示すように、領域境界部P0を、金属単位比率の異なる領域すなわち赤外線放射率の異なる領域をまたぐようにして測定した。
図5Aおよび図5Bのパターンにおける各領域境界部(破線)が赤外線サーモグラフ装置の視野中央に収まるように配置し、撮影を行った。それぞれの測定時には、加熱手段11上に載置した図示しないステージを図示しない駆動機構により前後左右に動かして位置の調整を行った。水平方向の測定場所を符号52で示し、垂直方向の測定場所を符号51で示した。測定場所52、51の領域を使用した縦方向と横方向それぞれで赤外線放射率の変化に対する撮影を行い温度変化を測定した理由は、赤外線サーモグラフ装置における縦方向と横方向との測定結果には異方性があるためである。
図1A、図1Bの構成の赤外線サーモグラフ装置1を用いてパターン基板17の領域境界部を測定した。
ここでPt金属のある部分(基本単位)は低赤外線放射率の金属部分であり、セラミックス基板が露出している部分は高赤外線放射率部分である。パターンの各領域においては金属部分の割合をいうが、赤外線放射率を測定すると金属割合(%)と反対に観測される。
各赤外線放射率調整領域において、測定される温度の違いを確認したところ、図6のように、放射率調整領域の金属割合(%)と逆比例して測定される温度が低下した。その関係はほぼ直線となる。この結果から、高赤外線放射率材料と低赤外線放射率材料との面積比を変えると、それに比例させて赤外線放射率を段階的に変えることができることがわかった。
図7は、垂直方向の測定値と半波長65μmで計算したガウシャンフィルタの結果であり、図8は水平方向の測定値と半波長85μmで計算したガウシャンフィルタの結果であ
る。
また、縦方向と横方向においてそれぞれの金属割合の境界で測定された温度分布および温度振幅を表1および表2に示す。
また、これらの図は、比較しやすいように、横軸の中心で縦軸の大きさが0.5となるように補正をおこなった。
図7及び図8にプロット点として示した理論上得られるガウシャンフィルタの応答と、
曲線で示した測定結果とを比較すると、以下のような結論が得られる。
すなわち、図7のように、垂直方向に関しては、ガウシャンフィルタで近似すると、カットオフ半波長で65μm相当である。また、図8に示すように、水平方向に関しては、ガウシャンフィルタで近似すると、カットオフ半波長で85μm相当であった。
表1と図7および表2と図8から、金属面積の割合に対応した放射率の大小関係および温度振幅に関わらず、縦横それぞれ同一の応答が測定できていることがわかった。
本実施の形態によれば、金属割合(=放射率の大小)に依存せずに放射率の違いが検出できていることがわかる。このような広い波長の赤外線に関して、温度を精度良く測定できることがわかった。ここで、温度振幅は放射率の異なる領域間の差である。
放射率の高い領域と放射率の低い領域との境界をグラフ化したところ、被測定物であるパターン基板17の条件をふくめ、レンズと測定距離以外の条件が同じであっても測定値は大きく異なることが確認できた。その中でも高解像度の25μmレンズを用いた場合には測定データが理想状態の波形に近く、赤外線放射率の差が温度差として測定できていることがわかる。
一方、低解像度の200μmレンズの測定データでは境界のエッジがぼやけてしまい、ステップ応答が測定できていないことがわかる。このように、温度を精度良く測定するためには、解像度の高いレンズが必要であることが確認できた。
赤外線放射率のコントラストが取れるほどノイズの影響が減って測定精度が向上する。温度の絶対値は問題にならず、放射率の違う領域(中間階調)で差が測定できることが必要であり、コントラストが高い材料が好ましい。
ベース基板としてLTCC基板(Low Temperature Co−fired
Ceramics:低温焼成セラミックス基板)を使用し、Cuをスパッタリング法により片全面に形成した。その後にフォトリソグラフィー技術を用いて、2重量%過硫酸アンモニウム溶液でCuのエッチングを行い、LTCC基板上に測定用のパターンを形成した。
Cuは耐久性も考慮して、計算上150nmとなるようスパッタリング時間を調整し堆積したが、Cuの厚さは、金属光沢が出る程度であれば特に限定されない。
Cuのパターン上にフラッシュめっき技術を用いてAu層を形成して測定パターンとした。
このようにして作成した基板に関しても、上記と同様に、赤外線サーモグラフの分解能を容易に把握することができることがわかった。
この場合、レジストパターンによる樹脂形成部分の比率で領域を表現すると、樹脂形成比率と金属形成比率とは反対になる。領域を形成した外側の金属基板部分が金属割合100%となり、樹脂をベタで形成した部分が、金属割合0%となる。
このようにして作成した基板に関しても、上記と同様に、赤外線サーモグラフの分解能を容易に把握することができることがわかった。
本発明によれば、それらパターンを組み合わせて放射率を変えた領域を作成し、赤外線
放射率の違う領域をまたぐように測定することで赤外線放射率の異なる領域間の赤外線サーモグラフ分解能を容易に把握することができる。
本発明は、赤外線サーモグラフの分解能評価方法をコンピュータに実行させるためのプログラム、当該プログラムを記録する記録媒体であっても良い。
また、本発明の各構成要素は、任意に取捨選択することができ、取捨選択した構成を具備する発明も本発明に含まれるものである。
3…拡大レンズ
5…赤外線検出部
7…信号処理部
9…出力部
11…加熱手段
12…温度コントロール部
17…パターン基板
21…データ処理部
23…基板
24…レジストパターン部
25…Ptパターン部(単位)
36…高赤外線放射率材料単位
30、35…低赤外線放射率材料25%領域
31…低赤外線放射率材料50%領域
32…低赤外線放射率材料75%領域
33、34…低赤外線熱放射率材料100%領域
40… 水平方向赤外線放射率の低い材料基本単位
41… 垂直方向赤外線放射率の低い材料基本単位
42… 水平方向繰り返しピッチ
43… 垂直方向繰り返しピッチ
51… 水平方向測定場所
52… 垂直方向測定場所
Claims (12)
- 略同一平面上に、赤外線放射率が所望の比率になるように、第1の赤外線放射率を有する第1の材料からなる第1の基本単位と前記第1の赤外線放射率とは異なる第2の赤外線放射率を有する第2の材料からなる第2の基本単位との面積比が第1の面積比となる第1の領域と、前記第1の面積比とは異なる第2の面積比となる第2の領域とが配置されていることを特徴とする赤外線サーモグラフの分解能測定パターン。
- 前記第1及び第2の領域内において、前記第1の基本単位と前記第2の基本単位とを、繰り返し配置することを特徴とする、請求項1に記載の赤外線サーモグラフの分解能測定パターン。
- 前記第1の領域と前記第2の領域とが、面積比を変えて隣接配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の赤外線サーモグラフの分解能測定パターン。
- 赤外線放射率が段階的に異なる領域を複数配置したことを特徴とする請求項1から3までのいずれか1項に記載の赤外線サーモグラフの分解能測定パターン。
- 前記第1の基本単位及び前記第2の基本単位のうちの少なくともいずれか一方は、前記赤外線サーモグラフで測定しようとする拡大レンズを用いた時の1画素に相当する長さ以下であることを特徴とする請求項1から4までのいずれか1項に記載の赤外線サーモグラフの分解能測定パターン。
- 前記第1の基本単位及び前記第2の基本単位のうちの少なくともいずれか一方は、前記赤外線サーモグラフで測定しようとする拡大レンズを用いた時の1画素に相当する長さの1/2以下であることを特徴とする請求項1から4までのいずれか1項に記載の赤外線サーモグラフの分解能測定パターン。
- 前記第1及び第2の基本単位は、格子状またはドット状であることを特徴とする請求項1から6までのいずれか1項に記載の赤外線サーモグラフの分解能測定パターン。
- 前記第1の基本単位と前記第2の基本単位とのうち、赤外線放射率が低い部分が金属膜であることを特徴とする請求項1から7までのいずれか1項に記載の赤外線サーモグラフの分解能測定パターン。
- 前記第1の基本単位と前記第2の基本単位とのうち、赤外線放射率が高い部分が絶縁基板であることを特徴とする請求項1から8までのいずれか1項に記載の赤外線サーモグラフの分解能測定パターン。
- 前記絶縁基板は、窒化アルミニウム、窒化珪素、セラミックス基板、ガラス、またはガラスエポキシ基板であることを特徴とする請求項9に記載の赤外線サーモグラフの分解能測定パターン。
- 前記第1の基本単位と前記第2の基本単位とのうち、赤外線放射率が低い部分の金属は、Au、Cu、Cr、Pt、Pd、Ag、Ni、Sn、はんだのうちから選択される少なくともいずれか1の金属であることを特徴とする請求項1から10までのいずれか1項に記載の赤外線サーモグラフの分解能測定パターン。
- 略同一平面上に、赤外線放射率が所望の比率になるように、第1の赤外線放射率を有する第1の材料からなる第1の基本単位と前記第1の赤外線放射率とは異なる第2の赤外線
放射率を有する第2の材料からなる第2の基本単位との面積比が第1の面積比となる第1の領域と、前記第1の面積比とは異なる第2の面積比となる第2の領域とが配置されているチャートを準備し、
前記チャートを測定温度まで昇温して赤外線サーモグラフで前記第1の領域と前記第2の領域とをその境界を挟んで撮像し、
撮像したデータを処理して位置と応答との関係を求め、サーモグラフ用のレンズの分解能を評価することを特徴とする赤外線サーモグラフの分解能評価方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015051930 | 2015-03-16 | ||
JP2015051930 | 2015-03-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016173353A JP2016173353A (ja) | 2016-09-29 |
JP6486751B2 true JP6486751B2 (ja) | 2019-03-20 |
Family
ID=57009015
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015076804A Active JP6486751B2 (ja) | 2015-03-16 | 2015-04-03 | 赤外線サーモグラフの分解能評価用パターン、赤外線サーモグラフの分解能評価方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6486751B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110621988A (zh) * | 2017-05-15 | 2019-12-27 | 三菱电机株式会社 | 缺陷检查装置以及缺陷检查方法 |
WO2022249485A1 (ja) * | 2021-05-28 | 2022-12-01 | 日本電気株式会社 | チャート及び製造方法、並びに判定システム、判定方法、及び記録媒体 |
WO2024069832A1 (ja) * | 2022-09-29 | 2024-04-04 | 日本電信電話株式会社 | マーカ |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57100324A (en) * | 1980-12-15 | 1982-06-22 | Fujitsu Ltd | Measuring system for modulation transmission function |
JPS6079129U (ja) * | 1983-11-07 | 1985-06-01 | 富士通株式会社 | 赤外線装置の性能測定用治具 |
GB8920614D0 (en) * | 1989-09-12 | 1989-10-25 | Secr Defence | Testing device for thermal imagers |
GB0321511D0 (en) * | 2003-09-13 | 2003-10-15 | Univ St Andrews | Radiometric calibration |
KR101018717B1 (ko) * | 2008-06-17 | 2011-03-04 | 한국표준과학연구원 | Pcba 비파괴검사 시스템의 적외선 열화상 카메라용성능평가 장치 및 방법 |
JP2012189437A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-04 | Fujifilm Corp | 遠赤外線レンズ用テストチャート |
-
2015
- 2015-04-03 JP JP2015076804A patent/JP6486751B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016173353A (ja) | 2016-09-29 |
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