JP2018059803A - 赤外線サーモグラフの評価用部材 - Google Patents
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Abstract
【課題】電子機器設計者が入手しやすい道具を用いて手軽に赤外線サーモグラフの狭い面積のピーク検出能力を定量的に把握することができる評価技術を提供する。【解決手段】赤外線サーモグラフの温度検出に係る性能を評価するための評価用部材であって、前記評価用部材は、複数の金属パターンを層として重ねた平板状の基板で構成され、前記基板の表面に形成され、赤外線サーモグラフと対峙する評価用パターンと、前記基板を加熱するためのヒータパターンと、を備えた、赤外線サーモグラフの評価用部材。【選択図】図9
Description
本発明は、赤外線放射を検出して温度を測定する機器の解像度を評価する技術に関する。
近年、電子部品を実装したプリント基板の検査のために赤外線サーモグラフを用いる方法が提案されている。赤外線サーモグラフは、対象物から出ている赤外線放射エネルギーを検出して、その温度分布を画像表示する技術である。
プリント基板への赤外線サーモグラフの提供例については特許文献1のような先行文献がある。特許文献1では、基板の温度分布を撮像して、該基板の良不良を判定する方法を開示する。
また、電子機器の設計プロセスにおいても、赤外線サーモグラフによってPCBに実装した電子部品の温度を確認し、動作の安定性、安全性を確認することができる。
赤外線サーモグラフにおいて、赤外線画像の1画素に対応する被写体の大きさが各メーカーから公開されている。
例えば、図13では、被写体203のXμm四方が受光素子207の1画素207aに対応している。尚、ここでは、便宜上、図13のようにXμm四方を1画素に拡大するレンズを“Xμmレンズ”205と称する。
ところで、本発明者の知見によると、1画素の大きさと被写体203のピーク温度を検出可能な面積との間には乖離がみられる。すなわち、被写体203のXμm四方の内側にピーク温度があったとしても、その周囲の温度の影響によって、実際のピーク温度よりも低い温度として検出される。
これは、赤外線サーモグラフの測定系全体における変調伝達関数(Modulation Transfer Function:略称MTF)の影響であると考えられる。
このため、Xμmレンズで被写体203のピーク温度を捉えるには、被写体203の高温部がXμm四方の数倍の広さに及んでいる必要がある。尚、この広さは赤外線サーモグラフの性能に依存し、また、画像処理により低温部から高温部への遷移部分のピークを強調するような補正をかけている場合もある。
ところで、温度測定対象物としてのプリント基板は、部品の微細化により、測定すべき電子素子の高温部の面積がますます小さくなっている。
電子機器設計上のサーマルマネジメント過程においては、正確なピーク温度を捕捉することが必要であるが、そのためには先ず、使用する赤外線サーモグラフの狭い面積におけるピーク温度の検出能力を定量的に把握することが必要となる。
しかしながら、上述したように、1画素の大きさと被写体のピーク温度を検出可能な面積の乖離について、十分認識、対応がなされていないのが実情である。
また、赤外線サーモグラフの性能評価法としては、コリメータを用いた方法などがあるものの、評価装置自体が大掛りであり、扱いが簡単ではないという問題がある。
本発明は、電子機器設計者が入手しやすい道具を用いて手軽に赤外線サーモグラフの狭い面積のピーク検出能力を定量的に把握することができる評価技術を提供することを目的とする。
本発明の一観点によれば、赤外線サーモグラフの温度検出に係る性能を評価するための評価用部材であって、前記評価用部材は、複数の金属パターンを層として重ねた平板状の基板で構成され、前記基板の表面に形成され、赤外線サーモグラフと対峙する評価用パターンと、前記基板を加熱するためのヒータパターンと、を備えた、赤外線サーモグラフの評価用部材が提供される。
ヒータパターンにより、基板を加熱することができるため、ホットプレートなどの別装置を用いなくても良い。
前記評価用部材は、さらに、前記評価用パターンを反転させた形態の反転パターンを備えても良い。
これにより、表裏で平均的放射率が基板面内で一様になる方向となるため、放射率違いによる面上の温度変化が生じにくくなる。
前記ヒータパターンは、前記評価用パターンと前記反転パターンとの間に配置された構成でも良い。
前記評価用部材は、さらに、前記ヒータパターンによる発熱を均熱化するための均熱化パターンを備える構成でも良い。
ヒータパターンのパターンによる熱の不均一を抑制することができる。
前記均熱化パターンは、前記評価用パターンと前記ヒータパターンとの間に配置された構成でも良い。
前記評価用パターンは、第1領域と、前記第1領域に隣接して形成された第2領域とを備え、前記第2領域は、前記第1領域よりも広く、前記評価用部材を加熱したときに放射される赤外線の量が、前記第1領域と前記第2領域とで異なるように構成されていても良い。
本発明によれば、赤外線サーモグラフの狭い面積のピーク検出能力を簡単に把握することができる。
以下に、本発明の実施の形態による赤外線サーモグラフの評価用部材、赤外線サーモグラフの性能評価方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。
(第1の実施の形態)
図1は、本発明の第1の実施の形態による赤外線サーモグラフの評価用部材の一構成例を示す図であり、上図が平面図、下図が対応するA−A線に沿う断面図である。
図1は、本発明の第1の実施の形態による赤外線サーモグラフの評価用部材の一構成例を示す図であり、上図が平面図、下図が対応するA−A線に沿う断面図である。
基板31は、例えばアルミナセラミックからなり、左側の広い領域であるパターンXに形成される露出部(開口パターン)31b等の領域及び右側の領域のうちパターン31f等で覆われていない領域(図1上図の網掛けのない領域)は、例えば基板表面が露出する領域であり、高温部(赤外線の高放射部)である。パターンXのうち露出部以外の領域は、白金(Pt)等の薄膜金属により被膜されており、低温部(赤外線の低放射部、すなわち高放射部よりも放射される赤外線の量が少ない。)である。
尚、露出部31aから31dまでは、基板31表面が露出しており、高温部(赤外線の高放射部)である。パターン31eから31hまでは、パターンXと同様に白金(Pt)の金属膜からなり、低温部(赤外線の低放射部)である。なお、高温部、低温部とは、赤外線の放射率の違いによって赤外線サーモグラフでその様に観測される領域を指している。実際の温度は、同一であったり、また、高温部が低く、低温部が高いということもあり得る。
基板31は、加熱した際に赤外線サーモグラフにより高温に観測されるように、例えば、アルミナなどの熱伝導が良好で放射率の高い材料を用いることができる。その基板31上の略半分の領域(図1の左側)に、放射率の低い薄膜金属による被膜(パターンX)が形成されている。この領域は、加熱しても高温に観測されない部分になっている(「ポジ領域31x」とも称する。)。
パターンXは、その被膜の一部を、所定の数、大きさ、形状に抜いた部分を備えており、放射率の高いアルミナセラミックの基板31表面が、パターンXの中で部分的に露出している(露出部31a〜31d)。
パターンXが形成されていない側(右側)の領域(「ネガ領域31y」とも称する。)には、例えば、パターンXと同様の薄膜金属の被膜によりパターン部(薄膜金属による被覆部)31e〜31hまでが形成されている。ポジ領域31xとネガ領域31yは、金属皮膜のパターンが反転している。特に露出部31a〜31dとパターン部31e〜31hとは、線対称となるように配置されている。パターンXの側辺又はその近傍の平行線をその対称軸としている。
図2は、図1の一部領域の詳細な構成例を示す平面図であり、パターンの配置等の詳細を示す図である。図2において、例えば、ポジ領域31xにおける露出部(31a等)を第1領域R1aと定義する。また、例えば、幅y1で示される露出部(31a等)に隣接する領域を第2領域R2aと定義する。あるいは、例えば、ネガ領域31yにおけるパターン部(31e等)を第1領域R1bと定義する。また、例えば、幅y1で示されるパターン部(31e等)に隣接する領域を第3領域R2bと定義する。このように、意図的にある形状を設けた領域を第1領域、それに隣接する領域を第2領域とする。x2、y2等に関しても同様に、第1の領域、第2の領域が定義できる。
図2に示すように、例えば、露出部31aも露出部31bも、いずれも正方形又はそれに近い形状であり、例えば、以下の関係を有する。パターンXの側辺をJ、Lとし、上辺をKとする。x1、x2は、露出部31a、31b、パターン部31e、31fの上辺Kに沿った幅、y1、y2は、露出部31a、31b、パターン部31e、31fの側辺Jに沿った長さである。zは、側辺に沿ったパターン間隔である。
1) y1=w・x1
2) y2=w・x2
3) z=v・x2
4) x2>x1
5)上辺Kと、上辺Kに最も近い露出部(図2では露出部31a)との距離は、露出部31aと側辺Jとの距離(図2ではy1)以上とする。
6)側辺Lと、側辺Lに最も近い露出部(図2では露出部31b)との距離は、露出部31bと側辺Jとの距離(図2ではy2)以上とする。
7)ネガ領域31yのパターン31e、31fの配置は、露出部31a、露出部31bの、側辺Jに関する線対称となる位置に設けられている。
1) y1=w・x1
2) y2=w・x2
3) z=v・x2
4) x2>x1
5)上辺Kと、上辺Kに最も近い露出部(図2では露出部31a)との距離は、露出部31aと側辺Jとの距離(図2ではy1)以上とする。
6)側辺Lと、側辺Lに最も近い露出部(図2では露出部31b)との距離は、露出部31bと側辺Jとの距離(図2ではy2)以上とする。
7)ネガ領域31yのパターン31e、31fの配置は、露出部31a、露出部31bの、側辺Jに関する線対称となる位置に設けられている。
x1とx2のサイズの一例としては、x1=25μm、x2=50μmである。
また、v,wは、金属膜の形状によって干渉を避け、赤外線サーモグラフの分解能を測定するのに適した値を設定するのが好ましい。尚、干渉とは、赤外線サーモグラフで温度測定した場合に、y1が十分確保されないことにより、露出部31aと側辺Jとの間における金属膜部分の検出温度ディップが実際の温度よりも高く検出されたり、パターン部31eと側辺Jとの間のアルミナ部分の検出温度ピークが実際の温度よりも低く検出されたりすることを指す。上辺Kや側辺Lとの関係においても同様に、ある程度の間隔をとることが好ましい。
また、y1やy2が大きすぎた場合には、撮像している機器自体の映り込み等の影響により、正確な温度測定ができないおそれがある。
以上の点をふまえ、v,wは、3〜6の範囲で設定するとよい。好適にはv=5、w=5である。
このように、第2領域R2a、R2bは、第1領域R1a、R1bよりも広く、評価用部材を加熱したときに放射される赤外線の量が、第1領域R1a、R1bと第2領域R2a、R2bとで異なるようにしている。
露出部31a、31b、パターン部31e、31fのそれぞれの間の距離zは、露出部31a、31bまたはパターン部31e、31fのうち大きい方のサイズにより決まる。例えば、図2の例では、露出部31b>露出部31aであるため、露出部31aと露出部31bとの距離z=w・x2と設定される。あるいは、距離z≧w・x2としてもよい。
抜き形状(露出部)31a、31b、あるいは、パターンの形状31e、31fが正方形以外の場合、例えば図1の露出部31c、31d、パターン31g,31hで示すように、円形の場合は、x1、x2はその直径とし、三角形の場合は1辺の長さ、五角形の場合は対角線の長さのように、実効的なサイズを簡単に表すような値を設定すると良い。
なお、以下において、露出部31a、31b、31c、31dと、パターン31e、31f、31g、31h等を総称して、ドット状パターンと称する。
ドット状パターンは、図2あるいは後述する図3のように大きさを異ならせて複数形成しておくと良い。
また、本実施の形態では、図2に示すように、第1領域R1aおよび第2領域R2aからなる形状と線対称であり、且つ、これらと赤外線の放射が反転するように形成された反転領域(ネガ領域)R2b、R1bを有するようにしている。
或いは、図2において、第1領域R1a、第2領域R2a、第3領域R2bと定義し直した場合に、以下の関係を有するようにしても良い。
第3領域R2bは、第1領域R1aよりも広く、評価用部材を加熱したときに放射される赤外線の量が、第1領域と第3領域とでは略同一であり、第2領域はこれらと異なるように構成されている。
図3は、赤外線サーモグラフの評価用部材のより具体的な構成例を示す平面図である。 図3に示すように、アルミナからなる基板31に所定のパターンの金属膜41を形成する。図3において斜線の部分に金属膜が形成されている。
ポジ領域31x−1とネガ領域31y−1の複数のドット状パターンは例えば四角形である。ドットパターン1a、1b、…と1f、1g、…とは、それぞれ線対称に配置され、サイズの大きさに応じて、一対のドットパターン1a−1e、1b−1f間の距離も大きくなっている。
一方、ポジ領域31x−2とネガ領域31y−2の複数のドット状パターンは例えば円形である。パターン等の位置関係等は、上記のものと同じである。
一枚の基板31上に形状の異なるドット状パターンを形成することで、形状による温度測定精度の違いを評価することができ、より精密な性能評価が可能となる。
また、図3に示すように、大きさの異なるパターンを多種類形成しておくことで、どの程度の大きさまで正確な温度測定が可能か評価することが容易となる。
より具体的には、例えば、最も小さいドット状パターンの、一辺又は直径を25μmとし、次いで、50μm、75μm、…のように、25μmずつ、あるいは50μmずつ大きくしている。パターンのサイズ及び倍率は例示であり、これに限定されない。
このように、様々なサイズ、形状のパターンを形成しておくと、赤外線サーモグラフの性能評価を行うのに好適である。
(第2の実施の形態)
次に、本発明の第2の実施の形態について説明を行う。図4は、本発明の実施の形態による赤外線サーモグラフの評価用部材の製造方法の一例を示す図である。
次に、本発明の第2の実施の形態について説明を行う。図4は、本発明の実施の形態による赤外線サーモグラフの評価用部材の製造方法の一例を示す図である。
まず、図4(a)に示すように、例えば、アルミナ99.5%のセラミックからなる高い熱伝導率を有する基板31を準備する。基板31の表面にフォトレジスト33を塗布する。
次いで、図4(b)に示すように、フォトレジスト33を、露光現像し、第1の実施の形態で例示したような形状のパターニング(例えば、パターン51aから51d)を行う。
次いで、図4(c)に示すように、スパッタリング法などによって、パターン51aから51dを覆うように、例えばPt等からなる金属膜35を堆積する。金属膜35の厚さは例えば200nm程度である。
次いで、図4(d)に示すように、レジスト膜によるパターン51aから51dを除去することにより、金属膜によるパターンXやパターン31f等が形成された評価用部材が完成する。パターン31bは、基板面が露出する露出部(開口パターン)である。
基板31としては、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、ガラスエポキシ、ガラス等の基板が利用できる。
金属膜35は、Cu,Au,Pt,Cr,Al,Co,Fe,Mg,Mo,Ni,Pd,Sn,Ti,W,Znなどの金属や、はんだ、真鍮、インコネル、ニクロム、ステンレス等の合金が利用できる。
また、基板31として金属の板を用い、これに黒体塗料などによるパターンを形成してもよい。この場合、金属の基板の露出部は低温部(赤外線の低放射部)となり、黒体塗料が形成された部分は高温部(赤外線の高放射部)となる。
なお、基板表面に形成する金属膜又は黒体塗料の厚みによって、基板表面と段差が生じる場合は、撮像する際のフォーカス等の影響で測定誤差につながることがある。よって、このような段差が生じにくい、スパッタリング等による金属薄膜を形成することが好適である。
以上のように、本実施の形態による赤外線サーモグラフの評価用部材の製造方法によれば、第1の実施の形態に示されるような赤外線サーモグラフの評価用部材を簡単に製造することができる。
(第3の実施の形態)
次に、本発明の第3の実施の形態による赤外線サーモグラフについて説明する。
図5A及び図5Bは、本発明の実施の形態による赤外線サーモグラフ測定システムの構成例を示す図である。図5Aは、システムの一構成例を示す機能ブロック図であり、図5Bは、装置の構成図である。
次に、本発明の第3の実施の形態による赤外線サーモグラフについて説明する。
図5A及び図5Bは、本発明の実施の形態による赤外線サーモグラフ測定システムの構成例を示す図である。図5Aは、システムの一構成例を示す機能ブロック図であり、図5Bは、装置の構成図である。
図5A及び図5Bに示すように、赤外線サーモグラフシステムは、光学測定系Aと、温度制御系Bとを有する。光学測定系Aは、赤外線サーモグラフ装置1と、データ処理部21とを有する。温度制御系Bは、加熱手段11、温度コントロール部12、温度検出部13を有する。赤外線サーモグラフ装置1は、測定対象から放射される光を集光する拡大レンズ3、集光された光から赤外線を検知するマイクロボロメータアレイなどの受光素子を含む赤外線検出部5、検知された赤外線のエネルギーを温度に換算する処理等を行う信号処理部7、出力部9を有する。赤外線検出部5はセンサにより赤外線を検出する部分であり、信号処理部7は赤外線の検出信号を電気信号に変換する。内部でフィルタ処理等の演算を行い温度分布情報にするように構成しても良い。出力部9は、信号処理部7で処理した信号、すなわち、温度に基づいて生成した赤外線熱画像を表示等する。
データ処理部21は、外付けのPC等であり、赤外線サーモグラフ装置1から出力されたデータを蓄積して、外部でフィルタ処理を行ったり、空間的、時間的にデータ処理を行う。
図5Bに示すように、加熱手段11により、本実施の形態によるパターンが形成された評価用部材17(上述の基板31)を測定する。
加熱手段(ホットプレート)11は温度コントロール部12によって設定された温度に制御管理される。また、加熱手段11は、前後左右に移動可能に構成される(機構は公知の構造のため図示を省略する)。加熱手段11には評価用部材17(基板31)が載置される。
赤外線カメラ1およびデータ処理部21を有する赤外線サーモグラフは、評価用部材17から放射される光を拡大レンズ3を通じて集光し、マイクロボロメータアレイ等の受光素子によって赤外線を検知する。そして、検知された赤外線のエネルギーを、温度を示すデータとして出力したり、温度分布を色識別可能な画像として出力する機能を備える。
赤外線カメラ1により撮像可能なエリア17aが限定されている場合は、加熱手段11を移動させて評価用部材17の温度分布を測定する。
以上の構成により、評価用部材17の温度分布を測定することができる。
以上の構成により、評価用部材17の温度分布を測定することができる。
(実施例1)
以下に、具体的な評価用部材による赤外線サーモグラフの検出能力評価処理の実施例について説明する。図6は、評価用部材におけるパターンと、測定結果として得られる温度プロファイルの対応関係を示す図である。図に示されている寸法は、例示である。
以下に、具体的な評価用部材による赤外線サーモグラフの検出能力評価処理の実施例について説明する。図6は、評価用部材におけるパターンと、測定結果として得られる温度プロファイルの対応関係を示す図である。図に示されている寸法は、例示である。
第1の実施の形態において説明した評価用部材と同様に、図6(a)に示す評価用部材において、例えば、露出部31bの領域を第1の領域R1aとし、この第1の領域R1aに隣接し、第1の領域R1aの端部から側辺Jまでの領域を第2の領域R2aと称する。
あるいは、パターン部31fの領域を第1の領域R1bとし、この第1の領域R1bに隣接し、第1の領域R1bの端部から側辺Jまでの領域を第2の領域R2bと称する。
図2で説明したように、本実施の形態による評価用部材は、第1領域R1aまたはR1b(露出部31b、パターン部31f)と、第1領域R1aまたはR1bに隣接して形成された第2領域R2aまたはR2bとを備えている。そして、第2領域R2aまたはR2bは、第1領域R1aまたはR1bよりも広く、評価用部材を加熱したときに放射される赤外線の量が、第1領域と第2領域とで異なるように構成されている。
領域の広さは、図2でも説明したように、領域の幅あるいは長さによって規定することができる。
まず、評価用部材Yを加熱し、図5A、図5Bに示す赤外線サーモグラフによって温度分布を測定し、図6(a)のA−A’(パターン31a、31eを横切る線に沿う)、B−B’(パターン31b、31fを横切る線に沿う)、C−C’(パターン31c、31gを横切る線に沿う)における温度分布をそれぞれ確認した場合の例を概念的に説明する。
各温度プロファイルにおいて、説明をわかりやすくするために、プロファイルのエッジを角にして描いている。実際には丸みを帯びて観測される。
評価用部材Yにおいて、実際には、ネガ領域31yの基板露出部分と、ポジ領域31xの基板露出部分は同じ温度(赤外線放射)のはずである。同様に、ポジ領域31xの金属膜部分と、ネガ領域31yの金属膜部分は同じ温度(赤外線放射)のはずである。
図6(b)に示すA−A’温度プロファイルによれば、赤外線の低放射率の領域であるパターンXにおいては、符号100c、100dで示すように低温が検出される。符号100dにおいては、側辺Jから四角形の抜き部分までの距離が十分にとられているため、100cと同じ温度として検出される。
また、アルミナが露出した赤外線の高放射率の領域においては、符号100f、100eで示すように高温が検出される。
一方、ドット状パターン部分に注目してみると、100aにおいてはピークが表れているものの、100e、100fの温度まで達していない。また、100bにおいてディップが表れているものの、100c、100dの低温までは達していない。
すなわち、本実施例(b)における赤外線サーモグラフでは、一辺を75μmとするエリアにおいて温度のピーク、ディップ共に検出できないということになる。これは前述のとおり、変調伝達関数などの影響と考えられる。
同様に、図6(c)のB−B’プロファイルを評価すると、一辺を100μmとする領域において、101aのようにピークを検出することができる。しかしながら、101bにおいて101c、101dまで達していないため、ディップは検出できないことがわかる。
同様に、図6(d)のC−C’プロファイルを評価すると、一辺を125μmとする領域では、ピーク、ディップともに検出することができている。
以上の結果より、本実施例による赤外線サーモグラフの温度検測能力は、一辺を125μmとする領域においては正確なピーク温度、ディップ温度の測定ができると考えられる。
しかしながら、例えば、この赤外線サーモグラフを使って、ホットスポットがφ25μmのエリアで生じるような回路基板の熱分布を評価しようとすると、当該ホットスポットの温度が実際の温度よりも低い温度として観測されることになる。従って、正確な温度評価ができないということになる。
以上のように、ホットプレートでこの評価用部材を加熱してラインプロファイルを取得し、評価すれば、赤外線サーモグラフのピーク温度、ディップ温度の検出能力、即ち、どの程度の大きさ或いは範囲で生じた発熱であれば正確な温度測定が可能かを、上記のようにして確認することができる。
図7は、赤外線サーモグラフの性能評価方法の処理の流れの一例を示す図である。まず、ステップS1において処理が開始され(Start)、ステップS2において、図6に示すような評価用部材を準備する。次いで、ステップS3において、評価部材の加熱および赤外線カメラ1で撮像を行い、ステップS4において、第1の領域と第3の領域との温度のピーク又はディップの比較を行う。あるいは、第1領域において測定された温度と、加熱手段の設定温度を比較するようにしてもよい。
評価用部材は、前述のとおり、ドット状パターンは、隣接する露出部または金属膜と相互に緩衝しない様に、使用するレンズに応じて必要な距離を隔てて配置している。ドット状パターンが近すぎると互いに干渉し、正しい温度振幅が測定できず、また、遠すぎるとレンズの位置毎の分解能の違いやフォーカスの違いの影響により正しい測定ができない。
また、ドット状パターンに対し、赤外線サーモグラフの近接した同一視野内に入るように、隣接して十分に面積の広いセラミックの素体露出部分と金属薄膜部分を設けた事によって、ピーク又はディップ温度が検出できるかどうかを判別することができる。
(第4の実施の形態)
次に、本発明の第4の実施の形態による赤外線サーモグラフについて説明する。
上記の第1から第3までの各実施の形態においては、評価用パターンを加熱するためにホットプレートを用いた例を示した。
次に、本発明の第4の実施の形態による赤外線サーモグラフについて説明する。
上記の第1から第3までの各実施の形態においては、評価用パターンを加熱するためにホットプレートを用いた例を示した。
図8Aから図8Dまでは、本発明の第4の実施の形態による赤外線サーモグラフの評価用部材Xを構成する第1層から第4層までの、複数の金属パターンを層として重ねた平板状の基板の各構成例を示す図である。実施例1の基板31に相当する部位であり、上図が平面図、下図が対応する、それぞれ第1層から第4層までのA−A’線、B−B’線、C−C’線、D−D’線に沿う断面図であって、金属パターンの形状を示す断面図である。
なお、本明細書においては、第1層から第4層までを、それぞれに形成されたパターンPxにより、「Pxパターン」と称することがある。
図9は、図8に示す第1層から第4層の配置を示す分解斜視図であり、図10は、図8に示す第1層から第4層を積層した断面図である。図9では、各層を離して示しているが、実際には、赤外線サーモグラフの評価用部材は、図10のような積層構造(300、400、500、600)である。
基板は、例えば、エポキシ樹脂などの樹脂製の基板により構成することが可能である。金属パターンは、例えば、Cuなどにより形成することが可能である。製造工程としては、図4に示した方法と同様の方法を用いることもできる。また、銅箔が形成された樹脂製基板を用いてエッチングによりパターニングしてもよい。
基板材質はFR4など比較的熱伝導率の低い安価なものが使用できるが、パターン形成寸法に下限がある。例えばLTCCの多層基板などを用いれば、スパッタリングにより、10μm程度のパターニングも可能である。従って、高拡大率のレンズのピーク検出能力測定用には、LTCC(低温同時焼成セラミックス)などの無機基板を使用することも有効である。
なお、A−A’線に沿う方向が、温度プロファイルを得るための走査方向に沿うラインである。
(第1層について)
図8Aに示す第1層300は、基板301と、基板301上に形成され赤外線サーモグラフと対峙する金属製の評価用パターン311とを有する。
図8Aの左側から順番に、基板301の表面が露出した領域311x−1と、露出部301a、301b等が形成された領域311y−1と、領域311y−1に形成されたパターンを反転させたパターンであり、露出部301a、301bとネガ・ポジの関係となるパターン301e、301f等を有する領域311x−2と、樹脂基板301の表面が金属層により覆われた領域311y−2と、を有している。このように、第1層300では、領域311x−1・領域311y−1と、領域311x−2・領域311y−2とが、放射率の異なるネガとポジの関係で作られている。例えば、それぞれ図1、図3等のポジ・ネガ領域にそれぞれ対応する。このような金属層は、Cuにより形成されており、Cuの金属層の表面には、酸化防止のためAuのめっき処理が施されている。本実施例では金属層の厚みは約70μmとしており、これより薄くてもよい。赤外線サーモグラフで表面温度をより正確に測定するためには、基板301の表面ができるだけ平坦になるように、金属層は薄く形成することが好ましい。
図8Aに示す第1層300は、基板301と、基板301上に形成され赤外線サーモグラフと対峙する金属製の評価用パターン311とを有する。
図8Aの左側から順番に、基板301の表面が露出した領域311x−1と、露出部301a、301b等が形成された領域311y−1と、領域311y−1に形成されたパターンを反転させたパターンであり、露出部301a、301bとネガ・ポジの関係となるパターン301e、301f等を有する領域311x−2と、樹脂基板301の表面が金属層により覆われた領域311y−2と、を有している。このように、第1層300では、領域311x−1・領域311y−1と、領域311x−2・領域311y−2とが、放射率の異なるネガとポジの関係で作られている。例えば、それぞれ図1、図3等のポジ・ネガ領域にそれぞれ対応する。このような金属層は、Cuにより形成されており、Cuの金属層の表面には、酸化防止のためAuのめっき処理が施されている。本実施例では金属層の厚みは約70μmとしており、これより薄くてもよい。赤外線サーモグラフで表面温度をより正確に測定するためには、基板301の表面ができるだけ平坦になるように、金属層は薄く形成することが好ましい。
この第1層300は、基板301の左右パターンが放射率の異なるネガとポジの関係で作られており、評価用部材のベース層ということができる。
(第2層について)
図8Bに示す第2層400は、基板401と、基板401上に形成され、評価用パターン311に依存しない形状であり、基板401上を覆う金属層411とを有する。第2層400は、ヒートスプレッダ(熱拡散、熱均一化)機能を有する層であり、後述する第3層のヒータパターンによる発熱の面内均一性を向上させる機能を有する。第2層400は任意に設けることができるが、一般的に奇数層のプリント基板は作りづらいことが多いため、4層構成として、内層1層をヒータパターン(第3層)に、内層のもう一層をヒートスプレッダ(第2層)として使用することもできる。
図8Bに示す第2層400は、基板401と、基板401上に形成され、評価用パターン311に依存しない形状であり、基板401上を覆う金属層411とを有する。第2層400は、ヒートスプレッダ(熱拡散、熱均一化)機能を有する層であり、後述する第3層のヒータパターンによる発熱の面内均一性を向上させる機能を有する。第2層400は任意に設けることができるが、一般的に奇数層のプリント基板は作りづらいことが多いため、4層構成として、内層1層をヒータパターン(第3層)に、内層のもう一層をヒートスプレッダ(第2層)として使用することもできる。
(第3層について)
第3層は、第1層のパターンを加熱するためのヒータパターンを有する。
すなわち、第3層500は、基板501上に、通電により発熱するヒータパターンであって、例えば、温度プロファイルを得るための走査方向に沿う方向に長く延在する発熱体からなる線状の部材(ヒータパターン)503が形成されている。この線状の部材503は、蛇行状に形成され、温度プロファイルを得るための走査方向に沿うように、長く延在していることが好ましい。このようにすることで、ラインプロファイル取得ライン方向の温度の均一化を図ることができる。
第3層は、第1層のパターンを加熱するためのヒータパターンを有する。
すなわち、第3層500は、基板501上に、通電により発熱するヒータパターンであって、例えば、温度プロファイルを得るための走査方向に沿う方向に長く延在する発熱体からなる線状の部材(ヒータパターン)503が形成されている。この線状の部材503は、蛇行状に形成され、温度プロファイルを得るための走査方向に沿うように、長く延在していることが好ましい。このようにすることで、ラインプロファイル取得ライン方向の温度の均一化を図ることができる。
(第4層について)
図8Dに示す第4層600は、基板601と、基板601上に形成され、第1層300に形成された金属層に対応して形成されたパターンとを有する。図8Dに示す第4層600は、任意に設けることができる。
図8Dに示す第4層600は、基板601と、基板601上に形成され、第1層300に形成された金属層に対応して形成されたパターンとを有する。図8Dに示す第4層600は、任意に設けることができる。
図8Dの左側から順番に、基板601の表面が金属層により覆われた領域611x−1と、図8Aの領域311y−1を反転させたパターンであり、パターン601a、601b等を有する領域611y−1と、領域311x−2を反転させたパターンであり、露出部601e、601fを有する領域611x−2と、樹脂基板601の表面が露出した領域611y−2と、を有している。領域611x−1・領域611y−1と領域611x−2・領域611y−2とが、パターン形状においてネガ・ポジの関係になっている。領域611y−1と領域611x−2とが、それぞれ図1、図3等のポジ・ネガ領域にそれぞれ対応したパターン形状になっている。
また、第4層は、第1層のパターンと比べて、そのパターンがポジ・ネガ反転された反転パターンになっている。
このように構成することにより、第1層と第4層とを積層したときに、表裏で平均的放射率が基板面内のどの位置でも一様になるように構成されるため、面内における放射率違いに依存する面上の温度変化が生じにくくなるという利点がある。
尚、上記の赤外線サーモグラフの評価用部材においては、ホットプレートの利用が必須ではないという利点がある。
また、第2層、第4層の少なくともいずれか一方を設けることで、第1層の評価用パターンに対して単に第3層のヒータパターンを設けた場合と比べて温度を一様にすることができる。
(評価用の測定系と評価結果の一例)
図11は、本実施の形態による赤外線サーモグラフ測定システム701の一構成例を示す側面図であり、図5Bに対応する図である。スペーサ711上に、本実施の形態による赤外線サーモグラフの評価用部材Xを載せている。そして、ピーク検出能力を測定したい赤外線サーモグラフ装置1は,ジグ基板Xの正面に配置せず、基板Xの法線に対し10度傾けて配置した。これは、放射率が低い部分に赤外線サーモグラフが映り込むのを防ぐためである。
図11は、本実施の形態による赤外線サーモグラフ測定システム701の一構成例を示す側面図であり、図5Bに対応する図である。スペーサ711上に、本実施の形態による赤外線サーモグラフの評価用部材Xを載せている。そして、ピーク検出能力を測定したい赤外線サーモグラフ装置1は,ジグ基板Xの正面に配置せず、基板Xの法線に対し10度傾けて配置した。これは、放射率が低い部分に赤外線サーモグラフが映り込むのを防ぐためである。
本実験で使用した赤外線サーモグラフのIFOV(Instantaneous Field Of View : 1ピクセルあたりの視野角)は3.1mradであり,ジグ基板Xから拡大レンズ3までの距離は,温度を精度よく測定できる最小値の0.5mとした。従って、1ピクセルに相当するジグX上の距離は計算上、1.55mmとなる。実測では、1.5mmであった。
図12に測定結果の一例を示す。図11に示す赤外線サーモグラフでピーク温度を測定するためには、高温部分が最小8mm角程度必要であることがわかる。
これは、1ピクセルに相当するジグX上の長さである1.5mmの5.3倍に相当する。
また、ディップ温度を測定するためには、低温部分が最小10mm角程度必要であるこがわかる。これは6.7ピクセルに相当する。
以上の結果から、本実施の形態において使用した赤外線サーモグラフでピークあるいはディップを検出するために必要な最小面積をピクセル数で表わすと、一辺5〜7ピクセルの正方形に相当することがわかった。
このように、本実施の形態によれば、赤外線サーモグラフのピーク、ディップ温度検出能力を簡単に推定できるジグ基板を得ることができた。
尚、図2で説明したように、例えば、ポジ領域31xにおける露出部(31a等)を第1領域R1aと定義する。また、例えば、幅y1で示される露出部(31a等)に隣接する領域を第2領域R2aと定義する。あるいは、例えば、ネガ領域31yにおけるパターン部(31e等)を第1領域R1bと定義する。このように、意図的にある形状を設けた領域を第1領域、それに隣接する領域を第2領域とする。x2、y2等に関しても同様に、第1の領域、第2の領域が定義できる。
すると、本実施の形態における評価用部材においても、第1領域と、第1領域に隣接して形成された第2領域とを備え、第2領域は、第1領域よりも広く、評価用部材を加熱したときに放射される赤外線の量が、前記第1領域と前記第2領域とで異なるように構成することができる。尚、領域の広さは、図2でも説明したように、領域の幅あるいは長さによって規定することができる。
上記の実施の形態において、添付図面に図示されている構成等については、これらに限定されるものではなく、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
本発明は、赤外線サーモグラフの分解能評価方法をコンピュータに実行させるためのプログラム、当該プログラムを記録する記録媒体であっても良い。
また、本発明の各構成要素は、任意に取捨選択することができ、取捨選択した構成を具備する発明も本発明に含まれるものである。
本発明は、赤外線サーモグラフィの評価装置として利用可能である。
1…赤外線サーモグラフ装置(赤外線カメラ)
3…拡大レンズ、5…赤外線検出部
7…信号処理部
9…出力部
11…加熱手段
12…温度コントロール部
13…温度検出部
17…評価用部材
21…データ処理部
31…基板
31a〜31d…露出部(パターン)
31e〜31h…パターン
31x…ポジ領域
31y…ネガ領域
300…第1層
301…基板
301a、301b…パターン
301e301f…反転パターン
400…第2層
401…基板
411…金属層
500…第3層
501…基板
503…線状の部材
600…第4層
601…基板
601a、601b、601e、601f…反転パターン
701…赤外線サーモグラフ装置
R1a…第1領域
R2a…第2領域
R2b…第3領域
X…赤外線サーモグラフの評価用部材。
3…拡大レンズ、5…赤外線検出部
7…信号処理部
9…出力部
11…加熱手段
12…温度コントロール部
13…温度検出部
17…評価用部材
21…データ処理部
31…基板
31a〜31d…露出部(パターン)
31e〜31h…パターン
31x…ポジ領域
31y…ネガ領域
300…第1層
301…基板
301a、301b…パターン
301e301f…反転パターン
400…第2層
401…基板
411…金属層
500…第3層
501…基板
503…線状の部材
600…第4層
601…基板
601a、601b、601e、601f…反転パターン
701…赤外線サーモグラフ装置
R1a…第1領域
R2a…第2領域
R2b…第3領域
X…赤外線サーモグラフの評価用部材。
Claims (6)
- 赤外線サーモグラフの温度検出に係る性能を評価するための評価用部材であって、
前記評価用部材は、複数の金属パターンを層として重ねた平板状の基板で構成され、
前記基板の表面に形成され、赤外線サーモグラフと対峙する評価用パターンと、
前記基板を加熱するためのヒータパターンと、
を備えた、赤外線サーモグラフの評価用部材。 - 前記評価用部材は、
さらに、前記評価用パターンを反転させた形態の反転パターンを備える
請求項1に記載の赤外線サーモグラフの評価用部材。 - 前記ヒータパターンは、
前記評価用パターンと前記反転パターンとの間に配置された
請求項2に記載の赤外線サーモグラフの評価用部材。 - 前記評価用部材は、
さらに、前記ヒータパターンによる発熱を均熱化するための均熱化パターンを備える
請求項1から3までのいずれか1項に記載の赤外線サーモグラフの評価用部材。 - 前記均熱化パターンは、
前記評価用パターンと前記ヒータパターンとの間に配置された
請求項4に記載の赤外線サーモグラフの評価用部材。 - 前記評価用パターンは、
第1領域と、前記第1領域に隣接して形成された第2領域とを備え、
前記第2領域は、前記第1領域よりも広く、
前記評価用部材を加熱したときに放射される赤外線の量が、前記第1領域と前記第2領域とで異なるように構成されている
請求項1から5までのいずれか1項に記載の赤外線サーモグラフの評価用部材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016197268A JP2018059803A (ja) | 2016-10-05 | 2016-10-05 | 赤外線サーモグラフの評価用部材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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Family
ID=61907620
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2016197268A Pending JP2018059803A (ja) | 2016-10-05 | 2016-10-05 | 赤外線サーモグラフの評価用部材 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2018059803A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020021655A1 (ja) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 電力変換装置 |
WO2022249485A1 (ja) * | 2021-05-28 | 2022-12-01 | 日本電気株式会社 | チャート及び製造方法、並びに判定システム、判定方法、及び記録媒体 |
-
2016
- 2016-10-05 JP JP2016197268A patent/JP2018059803A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2020021655A1 (ja) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 電力変換装置 |
JPWO2020021655A1 (ja) * | 2018-07-25 | 2021-01-07 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 電力変換装置 |
US11431239B2 (en) | 2018-07-25 | 2022-08-30 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Power converter |
WO2022249485A1 (ja) * | 2021-05-28 | 2022-12-01 | 日本電気株式会社 | チャート及び製造方法、並びに判定システム、判定方法、及び記録媒体 |
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