JP6484683B2 - 荷電粒子ビーム照射システム - Google Patents
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Description
荷電粒子ビーム発生装置2、
ビーム輸送系3、
治療室4、
照射装置5、5A、
制御装置6、
治療計画装置7、
直線加速器(ライナック)8、
円形加速器(シンクロトロン)9、
ビームダクト21、
偏向電磁石22、
入射器23、
出射用の高周波印加装置24、
出射用デフレクター28、
加速装置(加速空胴)29、
偏向電磁石31、
ビーム経路32、
患者用ベッド41、
ケーシング50、
第1走査電磁石(X方向走査電磁石)51、
第2走査電磁石(Y方向走査電磁石)52、
ビーム位置モニタ53、
線量モニタ54、54A、54B、
第1走査電磁石電源55、
第2走査電磁石電源56、
電源制御装置57、
ビーム位置計測装置58、
ビーム線量計測装置59、59A、59B
加速器・輸送系制御装置61、
中央制御装置62、
照射制御装置63、
第1線量カウンター64、64A
第2線量カウンター65、65B
Claims (8)
- 荷電粒子ビームを加速して出射する荷電粒子ビーム発生装置と、
加速された前記荷電粒子ビームを走査する走査電磁石を有し、前記荷電粒子ビームの進行方向に照射対象を複数に分割してなる層毎に設定された複数の照射スポットに、加速した前記荷電粒子ビームを出射する照射装置と、
前記照射装置内を通過する荷電粒子ビームの線量を求めるビーム線量計測器と、
前記走査電磁石で走査された荷電粒子ビームの位置及び幅のいずれか一方又はその両方を求めるビーム位置計測器を備え、
前記ビーム位置計測器は、
前記照射スポットに対して照射されるべき目標照射線量を分割して得られる線量値をスプリット線量とし、前記照射スポットへの荷電粒子ビームの照射中に、前記スプリット線量ごとに前記荷電粒子ビームの位置及び幅のいずれか一方又はその両方を演算して許容範囲内にあるか否かを判定し、
あるスプリット線量における当該判定が終了したあとに、次のスプリット線量における前記荷電粒子ビームの位置及び幅のいずれか一方又はその両方を演算して許容範囲内にあるか否かを判定することを特徴とする荷電粒子ビーム照射システム。 - 請求項1に記載の荷電粒子ビーム照射システムにおいて、
前記ビーム位置計測器は、
前記目標照射線量を前記スプリット線量と前記スプリット線量よりも小さい余剰線量とに基づき管理し、
最後に演算されたスプリット線量と前記余剰線量とに対応する前記荷電粒子ビームの位置及び幅を演算せず、当該照射スポットで求められた前記荷電粒子ビームの位置及び幅のいずれか一方又はその両方の情報に基づいて、最終スプリットの位置及び幅が前記許容範囲内にあるか否かを判定し、
前記スプリット線量は、前記最後に演算されたスプリット線量と前記余剰線量とに該当する前記荷電粒子ビームの照射において位置及び幅に異常が生じた場合であっても前記照射スポットごとの許容範囲を逸脱しない範囲で定められることを特徴とする荷電粒子ビーム照射システム。 - 請求項1または2いずれか1項に記載の荷電粒子ビーム照射システムにおいて、
前記ビーム位置計測器は、
前記荷電粒子ビームが前記スプリット線量に達したことを示すスプリット線量満了信号を受信すると、当該スプリット線量における前記荷電粒子ビームの位置及び幅のいずれか一方又はその両方の演算を開始することを特徴とする荷電粒子ビーム照射システム。 - 請求項1乃至3いずれか1項に記載の荷電粒子ビーム照射システムにおいて、
1の前記スプリット線量における前記荷電粒子ビームの位置及び幅のいずれか一方又はその両方の演算にかかる時間は、前記スプリット線量を照射する時間よりも短いことを特徴とする荷電粒子ビーム照射システム。 - 請求項1乃至4いずれか1項に記載の荷電粒子ビーム照射システムにおいて、
前記スプリット線量は、前記荷電粒子ビームの所定の基準線量値に基づいて設定されることを特徴とする荷電粒子ビーム照射システム。 - 請求項1乃至4いずれか1項に記載の荷電粒子ビーム照射システムにおいて、
前記スプリット線量は、所定の時間情報に基づいて設定されることを特徴とする荷電粒子ビーム照射システム。 - 請求項1乃至4いずれか1項に記載の荷電粒子ビーム照射システムにおいて、
前記スプリット線量は、ある照射スポットへの目標照射線量を前記基準線量値で割ったときの整数の商を用いて、当該照射スポットへの目標照射線量を等分割することによって設定されることを特徴とする荷電粒子ビーム照射システム。 - 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の荷電粒子ビーム照射システムにおいて、
前記ビーム位置計測器が前記スプリット線量ごとの前記荷電粒子ビームの位置及び幅のいずれか一方又はその両方が前記許容範囲内にないと判定すると、前記照射装置からの荷電粒子ビームの出射を停止する制御装置を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム照射システム。
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