JP6476515B2 - 制御装置、制御方法及びプログラム - Google Patents
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Description
特許文献1には、関連する技術として、冷房運転から暖房運転に切り替わる際にパワー素子の近傍の結露を判定し、結露が発生している場合にパワー素子の温度を上昇させて結露の発生を抑制する技術が記載されている。
以下、図面を参照しながら実施形態について詳しく説明する。
本発明の一実施形態による制御装置を備える冷媒回路の構成について説明する。
図1で示すように、本実施形態による冷媒回路1は、室内機10と、室外機20と、を備える。
室内機10が備える熱交換器101は、暖房運転時に凝縮器として機能する。また、熱交換器101は、冷房運転時に蒸発器として機能する。
吸込センサ102は、熱交換器101に設けられ、熱交換器101の吸込ガスの温度を検出する。
熱交センサ103、104は、室内機10の熱交換器101に設けられ、熱交換器101の温度を検出する。
なお、熱交センサ103と熱交センサ104のそれぞれは、熱交換器101において異なる箇所の温度を検出する。
外温センサ202は、室外機20の熱交換器201に設けられ、熱交換器201の外気の温度を検出する。
熱交センサ203、204は、室外機20の熱交換器201に設けられ、熱交換器201の温度を検出する。
なお、熱交センサ203と熱交センサ204のそれぞれは、熱交換器201において異なる箇所の温度を検出する。
チェックジョイント206は、熱交換器201と四方弁207との間に設けられ、冷媒の充填などを行う。
圧縮機209は、圧縮機モータ210とマフラ212との間に設けられ、圧縮機モータ210を動力源として、低温で低圧のガス冷媒を高温で高圧のガス冷媒にする。
吐出管センサ211は、圧縮機209とマフラ212との間の吐出管に設けられ、吐出管の温度を検出する。
高圧スイッチ213は、マフラ212と四方弁207との間に設けられ、マフラ212が出力するガス冷媒が所定の圧力以下の場合に閉状態となる。また、高圧スイッチ213は、マフラ212が出力するガス冷媒が所定の圧力を超えた場合に開状態となる。
マフラ214は、熱交換器101と四方弁207との間に設けられ、熱交換器101と四方弁207の間での冷媒の脈動を抑制する。
電子膨張弁215と熱交換器101との間の冷媒管Aには、駆動回路3が固定されたアルミニウムブロック300が冷媒管Aに接触して配置されており、駆動回路3よりも低温の冷媒が冷媒管Aの内部を流れることにより駆動回路3が冷却される。駆動回路3は、後述するように、パワー素子によって構成される回路である。例えば、駆動回路3は、圧縮機モータ210を駆動するIGBT(Insulated Gated Bipolar Transistor)などのパワートランジスタによって構成されるインバータ回路である。
冷媒回路制御部217は、吸込センサ102、熱交センサ103、熱交センサ104、外温センサ202、熱交センサ203、熱交センサ204、及び、吐出管センサ211による検出結果に基づいて、室内温度が所望の温度となるように冷媒回路1の各機能部を制御する。例えば、冷媒回路制御部217は、電子膨張弁215の弁開度を制御し、減圧調整と流量調整を行う。また、冷媒回路制御部217は、冷媒回路1において、暖房運転時に過冷却熱交205の周囲温度が所定の温度以下になった場合に一時的に冷房運転とするデフロスト制御を行う。例えば、冷媒回路制御部217は、過冷却熱交205の近傍に設けられた温度センサが所定の温度以下の温度を検出した場合にデフロスト制御を行う。
駆動回路3は、図3〜図5に示すように、インテリジェントパワーモジュール301と、パワートランジスタ302(302a、302b、302c、302d、・・・)と、ダイオード303である。インテリジェントパワーモジュール301と、パワートランジスタ302(302a、302b、302c、302d、・・・)と、ダイオード303とで構成される。
インテリジェントパワーモジュール301は、IGBTやパワーMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)などのパワー素子で構成された駆動回路や保護回路などが1つのケースに封止されている。ここで、ケースとは、モールド樹脂などで形成される、パッケージとも呼ばれるものである。インテリジェントパワーモジュール301は、複数の端子T1を有する。
また、パワートランジスタ302は、IGBTやパワーMOSFETなどのトランジスタであり、各トランジスタが1つのケースに封止されている。パワートランジスタ302は、複数の端子T2を有する。例えば、パワートランジスタ302がIGBTである場合、ゲート、コレクタ、エミッタの3つの端子を有する。また、パワートランジスタ302がパワーMOSFETである場合、ゲート、ドレイン、ソースの3つの端子を有する。
また、ダイオード303は、P型半導体とN型半導体が接続された一方向に電流を流す素子であり、1つのケースに封止されている。ダイオード303は、アノードとカソードの2つの端子を有する。駆動回路3のそれぞれの端子は、冷媒回路1における駆動対象である圧縮機モータ210などの部品やパワー素子制御部218に接続される。インテリジェントパワーモジュール301は、パワー素子制御部218による制御に基づいて、駆動対象である部品を駆動する。
駆動回路3は、アルミニウム製のアルミニウムブロック300にネジ304で固定されている。駆動回路3を構成するパワー素子のそれぞれのケースと、アルミニウムブロック300との間にはシリコーングリースなどが塗布され、熱伝導性が高められている。
駆動回路3が固定されたアルミニウムブロック300は、図5に示すように、冷媒管Aに接触して巻き付くように取り付けられている。冷媒管Aの内部を冷媒が流れると、冷媒の熱は冷媒管Aに伝わる。冷媒管Aの熱はアルミニウムブロック300に伝わる。アルミニウムブロック300の熱は駆動回路3に伝わる。駆動回路3は一般的に高温に発熱する。また、冷媒の温度は一般的に駆動回路3の発熱よりも低温である。その結果、冷媒管Aの内部を冷媒が流れることにより、駆動回路3は冷却される。
デフロスト制御により一時的に冷房運転を行った場合には、駆動回路3を構成するパワー素子は、暖房運転時よりも低温の冷媒によって冷却される。このとき、駆動回路3を構成するパワー素子では大きな温度変化が生じる。
そこで、本実施形態によるパワー素子制御部218は、冷媒回路制御部217がデフロスト制御を行っている間に、暖房運転時よりも駆動回路3を構成するパワー素子の損失を大きくする制御を行う。
具体的には、例えば、パワー素子制御部218は、冷媒回路制御部217がデフロスト制御を行っている間に、駆動回路3が圧縮機モータ210に供給する電流の周波数を暖房運転時よりも上昇させるように駆動回路3を制御する。このようにすれば、駆動回路3を構成するパワー素子が発熱して、デフロスト制御時のパワー素子の冷却を緩和することができるため、パワー素子における温度変化を低減することができる。
また、例えば、パワー素子制御部218は、冷媒回路制御部217がデフロスト制御を行っている間に、駆動回路3が圧縮機モータ210を三相変調で制御する。このようにすれば、駆動回路3を構成するパワー素子が発熱して、デフロスト制御時のパワー素子の冷却を緩和することができるため、パワー素子における温度変化を低減することができる。また、パワー素子制御部218は、暖房運転時には駆動回路3が圧縮機モータ210を二相変調で制御するように駆動回路3を制御する。このようにすれば、暖房運転時に駆動回路3が圧縮機モータ210を効率よく制御することができる。
また、例えば、パワー素子制御部218は、冷媒回路制御部217がデフロスト制御を行っている間に、駆動回路3の力率が暖房運転時よりも低下するように駆動回路3を制御する。より具体的には、例えば、パワー素子制御部218は、デフロスト制御を行っている間に、駆動回路3に遅延キャパシタが接続されるように制御して力率を低下させ、同一電力を使用した場合の電流を増加させる。このようにすれば、駆動回路3を構成するパワー素子が発熱して、デフロスト制御時のパワー素子の冷却を緩和することができるため、パワー素子における温度変化を低減することができる。
上述のように、本実施形態によるパワー素子制御部218は、冷媒回路制御部217がデフロスト制御を行っている間に、暖房運転時よりもパワー素子の損失を大きくする制御を行う。このようにすれば、暖房運転時とデフロスト制御時のパワー素子における温度変化を小さくすることができる。その結果、制御装置216は、パワー素子の寿命を長くすることができる。
なお、上述のように、パワー素子制御部218は、冷媒回路制御部217がデフロスト制御を行っている間に、暖房運転時よりもパワー素子の損失を大きくする制御を行うことにより、パワー素子の位置よりも冷媒の下流側に位置する別の素子の温度変化を小さくすることができる。例えば、図3に示す実線の矢印が冷房運転時の冷媒管Aの内部を流れる冷媒の向きであるとすると、冷媒の上流側から下流側にインテリジェントパワーモジュール301、パワートランジスタ302、ダイオード303が配置されている。ここで、パワー素子制御部218は、暖房運転時よりもインテリジェントパワーモジュール301の損失を大きくする制御を行ったとする。すると、インテリジェントパワーモジュール301の発熱により冷媒の温度が上昇する。インテリジェントパワーモジュール301の位置よりも冷媒の下流側に位置するパワートランジスタ302やダイオード303は、インテリジェントパワーモジュール301により温度上昇した冷媒により冷却される。その結果、インテリジェントパワーモジュール301の位置よりも冷媒の下流側に位置するパワートランジスタ302やダイオード303の暖房運転時とデフロスト制御時の温度変化が小さくなり、パワートランジスタ302やダイオード303の寿命が長くなる。
また、駆動回路3を構成するパワー素子の発熱がデフロスト制御時の冷媒の温度上昇に寄与し、過冷却熱交205の凍結や霜の付着が生じ難くなる。
駆動回路3を構成するパワー素子のケース温度をTc、パワー素子のケース内チップ表面のジャンクション温度をTjとする。そして、図6に示すように、ケース温度Tcとジャンクション温度Tjとの間に例えば20℃の温度差があるとする。
暖房運転時に駆動回路3を構成するパワー素子のケース温度Tcが60℃であり、デフロスト制御時に駆動回路3を構成するパワー素子のケース温度Tcが−20℃に冷却される場合、駆動回路3を構成するパワー素子のジャンクション温度Tjは、80℃から0℃に温度変化することになる。このような場合にパワー素子制御部218は、冷媒回路制御部217がデフロスト制御を行っている間に、暖房運転時よりも駆動回路3を構成するパワー素子を10℃上昇させる制御を行うと、暖房運転時に0℃であったジャンクション温度Tjは、10℃に上昇する。このジャンクション温度Tjの上昇により、駆動回路3を構成するパワー素子のジャンクション温度の温度変化は80℃から70℃になり、ジャンクション温度の温度変化が10℃緩和されたことになる。
図7に示すジャンクション温度(接合温度)の温度変化とサイクル数との関係から、パワー素子のジャンクション温度の温度変化が80℃の場合、サイクル数は約12000である。また、ジャンクション温度の温度変化が70℃の場合、サイクル数は約30000である。すなわち、冷媒回路制御部217がデフロスト制御を行っている間に、暖房運転時よりも駆動回路3を構成するパワー素子を10℃上昇させる制御をパワー素子制御部218が行った場合、パワー素子のジャンクション温度の温度変化が80℃から70℃に10℃緩和されることにより、パワー素子の寿命が約2.5倍になる。
このようにすれば、冷媒回路1において、暖房運転時に一時的に冷房運転を行うデフロスト制御を行った場合に生じるパワー素子の温度変化を抑制することができる。その結果、パワー素子の寿命を長くすることができる。
3・・・駆動回路
10・・・室内機
20・・・室外機
101、201・・・熱交換器
102・・・吸込センサ
103、104、203、204・・・熱交センサ
202・・・外温センサ
205・・・過冷却熱交
206・・・チェックジョイント
207・・・四方弁
208・・・アキュムレータ
209・・・圧縮機
210・・・圧縮機モータ
211・・・吐出管センサ
212、214・・・マフラ
213・・・高圧スイッチ
215・・・電子膨張弁
216・・・制御装置
217・・・冷媒回路制御部
218・・・パワー素子制御部
300・・・アルミニウムブロック
301・・・インテリジェントパワーモジュール
302・・・パワートランジスタ
303・・・ダイオード
304・・・ネジ
Claims (6)
- 圧縮機モータを制御するインバータ回路を構成し、複数のパワー素子から構成されるインテリジェントパワーモジュールであって、他のパワー素子よりも冷媒の流れの上流側に位置する前記インテリジェントパワーモジュールを冷却する冷媒回路において、暖房運転時に一時的に冷房運転し熱交の温度を上昇させるデフロスト制御を行う冷媒回路制御部と、
前記冷媒回路制御部が前記デフロスト制御を行っている間に、前記暖房運転時よりも前記インテリジェントパワーモジュールの損失を大きくする制御を行うパワー素子制御部と、
を備える制御装置。 - 前記パワー素子制御部は、
前記冷媒回路制御部が前記デフロスト制御を行っている間に、前記暖房運転時よりも前記インバータ回路が前記圧縮機モータに電流を供給する際に、インバータのスイッチング周波数を上昇させるように前記インテリジェントパワーモジュールを制御する、
請求項1に記載の制御装置。 - 前記パワー素子制御部は、
前記冷媒回路制御部が前記デフロスト制御を行っている間に、前記インバータ回路が前記圧縮機モータを三相変調で制御し、前記暖房運転時には前記インバータ回路が前記圧縮機モータを二相変調で制御するように前記インテリジェントパワーモジュールを制御する、
請求項1または請求項2に記載の制御装置。 - 前記パワー素子制御部は、
前記冷媒回路制御部が前記デフロスト制御を行っている間に、前記暖房運転時よりも前記インバータ回路の力率が低下するように前記インテリジェントパワーモジュールを制御する、
請求項1または請求項3に記載の制御装置。 - 冷媒回路制御部は、圧縮機モータを制御するインバータ回路を構成し、複数のパワー素子から構成されるインテリジェントパワーモジュールであって、他のパワー素子よりも冷媒の流れの上流側に位置する前記インテリジェントパワーモジュールを冷却する冷媒回路において、暖房運転時に一時的に冷房運転し熱交の温度を上昇させるデフロスト制御を行い、
パワー素子制御部は、前記冷媒回路制御部が前記デフロスト制御を行っている間に、前記暖房運転時よりも前記インテリジェントパワーモジュールの損失を大きくする制御を行う、制御方法。 - コンピュータを、
圧縮機モータを制御するインバータ回路を構成し、複数のパワー素子から構成されるインテリジェントパワーモジュールであって、他のパワー素子よりも冷媒の流れの上流側に位置する前記インテリジェントパワーモジュールを冷却する冷媒回路において、暖房運転時に一時的に冷房運転し熱交の温度を上昇させるデフロスト制御を行う冷媒回路制御手段、
前記冷媒回路制御手段が前記デフロスト制御を行っている間に、前記暖房運転時よりも前記インテリジェントパワーモジュールの損失を大きくする制御を行うパワー素子制御手段、
として機能させるプログラム。
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