JP6474916B2 - 高電圧電源装置および、荷電粒子ビーム装置 - Google Patents
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Description
また、非特許文献1には、荷電粒子ビーム装置であって,吸収電流を検出することで高精度な欠陥検出を可能にする手段が開示されている。
駆動回路の出力電圧を昇圧させるトランスと、トランスで昇圧させた電圧を更に昇圧させる昇圧回路と、トランスと昇圧回路とを覆うシールドと、昇圧回路から出力された高電圧をフィルタリングし平滑化して出力するフィルタ回路とを備えて構成し、複数のインピーダンス素子をループ状に結線して構成したインピーダンスループ回路を更に備え、昇圧回路の接地点とシールドの接地点とフィルタ回路の接地点とは、インピーダンスループ回路を介して接地されるように構成した。
荷電粒子ビーム装置1000は本体カラム100と、高電圧電源20、荷電粒子光学系制御部40、信号処理部50及び制御部60を備えて構成されている。
[数1]
[数2]
[数3]
図9に実施例3の電圧源回路302の構成例を示す。本実施例における電圧源回路302は、第1または第2の実施例の電圧源回路30又は301と基本的に同じ構成であるが、図9に示した構成において、インピーダンスループ回路39−2を構成する結線部39312,39313,39334,39324で接続されているインピーダンス素子Z1:3931、Z2:3932、Z3:3933,Z4:3934は、それぞれ容量素子C1、C2、C3、C4と抵抗素子R1,R2,R3,R4の並列接続で構成されている。抵抗素子R1,R2,R3,R4の抵抗値は,容量素子C1、C2、C3、C4が外乱である電磁ノイズの周波数に対して持つ抵抗値より大きくすることを特徴とする。
具体的には、インピーダンス素子Z1:3931、Z2:3932、Z3:3933,Z4:3934を構成する容量素子C1、C2、C3、C4と抵抗素子R1,R2,R3,R4は、以下の(数4)乃至(数10)の式を満足するように設定する。
[数4]
[数5]
[数6]
[数7]
[数8]
[数9]
[数10]
図10に実施例4における電圧源回路303の構成例を示す。図10に示した電圧源回路303は、実施例1で説明した電圧源回路30に,フィルタ回路34からの高電圧出力Voutを抵抗R1:4011と抵抗R2:4012の抵抗値の比に応じて分圧し帰還電圧Vfを生成する出力電圧分圧部401と,高電圧出力Voutを決定する参照電圧Vrを生成するデジタルアナログ変換器403および出力電圧制御部404と,帰還電圧Vfと参照電圧Vrを比較し,駆動回路31を制御する帰還回路402を更に備えた構成である。
具体的には、参照電圧Vrの遷移時間Trと、負荷電流Ioの異常値Iarmと、フィルタ回路34の容量素子値Cf、出力電圧Voutの変化量△Vは以下の式を満足する。
[数11]
2・・・集束レンズ
3・・・荷電粒子ビーム
4・・・対物レンズ
5・・・試料
6・・・2次荷電粒子
7・・・検出器
20・・・高電圧電源
21・・・エミッタ
22・・・サプレッサ電極
23・・・引出電極
24・・・アノード電極
31・・・駆動回路
32・・・トランス
33・・・昇圧回路
34・・・フィルタ回路
35・・・シールド
36・・・電流検出回路
Claims (10)
- 電子銃から発射した荷電粒子線を試料に照射して走査し前記試料から発生した二次荷電粒子を検出する検出器を備えた荷電粒子光学系と、
前記二次荷電粒子を前記検出器で検出した前記荷電粒子光学系からの出力信号を受けて処理する信号処理部と、
前記電子銃に高電圧を印加する高圧電源部と、
前記荷電粒子光学系を制御する荷電粒子光学系制御部と、
前記信号処理部と前記高電圧源部と前記荷電粒子光学系制御部とを制御する制御部と
を備えた荷電粒子ビーム装置であって、
前記電子銃は、荷電粒子を放出するエミッタと前記エミッタから放出された熱電子を遮蔽するサプレッサ電極と前記サプレッサ電極から荷電粒子を引き出して加速させる引出電極とアノード電極とを備え、
前記高圧電源部は、前記サプレッサ電極に高電圧を印加する第1の高圧電源部と、前記引き出し電極に高電圧を印加する第2の高圧電源部と、前記アノード電極に高電圧を印加する第3の高圧電源部とを備え、
前記第1の高圧電源部と前記第2の高圧電源部と前記第3の高圧電源部とはそれぞれ、複数のインピーダンス素子をループ状に結線して構成したインピーダンスループ回路を介して接地されている
ことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。 - 請求項1記載の荷電粒子ビーム装置であって、前記第1の高圧電源部と前記第2の高圧電源部と前記第3の高圧電源部とはそれぞれ、駆動回路と、前記駆動回路の出力電圧を昇圧させるトランスと、前記トランスで昇圧させた電圧を更に昇圧させる昇圧回路と、前記トランスと前記昇圧回路とを覆うシールドと、前記昇圧回路の出力をフィルタリングして平滑化するフィルタ回路とを備え、前記昇圧回路の接地点と前記シールドの接地点と前記フィルタ回路の接地点とは、それぞれ前記インピーダンスループ回路を構成するループ状に結線した複数のインピーダンス素子の異なる結線部と接続していることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項2記載の荷電粒子ビーム装置であって、前記フィルタ回路の接地点は前記インピーダンスループ回路の接地点と接続していることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項1記載の荷電粒子ビーム装置であって、前記インピーダンスループ回路は4つのインピーダンス素子をループ状に結線して構成され、前記ループ状に結線したうちの一つの結線部が接地され、前記設置された結線部と前記ループ状に結線した結線部のうちの前記接地された結線部と対向する位置の結線部とが容量素子で接続されていることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項1記載の荷電粒子ビーム装置であって、前記インピーダンスループ回路を構成するインピーダンス素子は、それぞれ、抵抗素子と容量素子とを組み合わせて構成されていることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項1記載の荷電粒子ビーム装置であって、試料の吸収電流を検出する吸収電流検出器と,前記電子銃の負荷電流を検出する負荷電流検出器と,前記負荷電流検出器で検出した負荷電流検出信号と前記吸収電流検出器で検出した吸収電流検出信号を用いて前記荷電粒子光学系の検出器で検出した2次過電粒子検出信号を演算処理する処理装置を更に備えることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 駆動回路と、
前記駆動回路の出力電圧を昇圧させるトランスと、
前記トランスで昇圧させた電圧を更に昇圧させる昇圧回路と、
前記トランスと前記昇圧回路とを覆うシールドと、
前記昇圧回路から出力された高電圧をフィルタリングし平滑化して出力するフィルタ回路とを備えた高電圧電源装置であって、
複数のインピーダンス素子をループ状に結線して構成したインピーダンスループ回路を更に備え、
前記昇圧回路の接地点と前記シールドの接地点と前記フィルタ回路の接地点とは、前記インピーダンスループ回路を介して接地されていることを特徴とする高電圧電源装置。 - 請求項7記載の高電圧電源装置であって、前記フィルタ回路の接地点は前記インピーダンスループ回路の接地点と接続していることを特徴とする高電圧電源装置。
- 請求項7記載の高電圧電源装置であって、前記インピーダンスループ回路は4つのインピーダンス素子をループ状に結線して構成され、前記ループ状に結線したうちの一つの結線部が接地され、前記設置された結線部と前記ループ状に結線した結線部のうちの前記接地された結線部と対向する位置の結線部とが容量素子で接続されていることを特徴とする高電圧電源装置。
- 請求項7記載の高電圧電源装置であって、前記インピーダンスループ回路を構成するインピーダンス素子は、それぞれ、抵抗素子と容量素子とを組み合わせて構成されていることを特徴とする高電圧電源装置。
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