JP6473774B2 - 組成物 - Google Patents
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Description
[1]
カチオンとアニオンとを含む結晶性粒子を有する組成物であって、
前記カチオンの10モル%以上95モル%以下が第14族元素カチオンであり、
前記カチオンの5モル%以上90モル%以下が対カチオンであり、ここで、当該対カチオンが、2種類以上のカチオンを含み、
前記アニオンの5モル%以上95モル%以下が第17族元素アニオンであり、
前記アニオンの5モル%以上95モル%以下が分子アニオンであり、
前記結晶性粒子が、前記第17族元素アニオンに対して前記第14族元素カチオンが6配位した八面体構造を有し、かつ、当該八面体同士が頂点共有して少なくとも合計4つの八面体が連なっている構造を有する、組成物。
[2]
前記カチオンの10モル%以上80モル%以下が前記対カチオンである、[1]に記載の組成物。
[3]
前記対カチオンの1モル%以上99モル%以下が分子カチオンである、[1]又は[2]のいずれかに記載の組成物。
[4]
前記分子カチオンが有機アンモニウムカチオンを含む、[3]に記載の組成物。
[5]
前記分子カチオンがホルムアミジニウムカチオンを含む、[3]又は[4]に記載の組成物。
[6]
前記対カチオンの1モル%以上99モル%以下が第一族元素カチオンである、[1]又は[2]に記載の組成物。
[7]
前記第一族元素カチオンがセシウムカチオンである、[6]に記載の組成物。
[8]
前記対カチオンが、1モル%以上99モル%以下の分子カチオン及び1モル%以上99モル%以下の第一族元素カチオンを含む、[1]又は[2]に記載の組成物。
[9]
前記アニオンの10モル%以上80モル%以下が前記第17族元素アニオンである、[1]〜[8]のいずれかに記載の組成物。
[10]
前記第17族元素アニオンが、塩素アニオン、臭素アニオン及びヨウ素アニオンからなる群より選択される少なくとも1種を含む、[1]〜[9]のいずれかに記載の組成物。
[11]
前記アニオンの10モル%以上80モル%以下が、前記分子アニオンである、[1]〜[10]のいずれかに記載の組成物。
[12]
前記分子アニオンが有機分子アニオンである、[1]〜[11]のいずれかに記載の組成物。
[13]
前記分子アニオンが窒素を含む、[1]〜[12]のいずれかに記載の組成物。
[14]
前記分子アニオンがシアン酸アニオン、チオシアン酸アニオン及びセレノシアン酸アニオンからなる群より選択される少なくとも1種を含む、[1]〜[13]のいずれかに記載の組成物。
[15]
前記カチオンの15モル%以上80モル%以下が前記第14族元素カチオンである、[1]〜[14]のいずれかに記載の組成物。
[16]
前記第14族元素カチオンが、錫カチオン及び鉛カチオンの少なくとも一方を含む、[1]〜[15]のいずれかに記載の組成物。
[17]
形態が粒子である、[1]〜[16]のいずれかに記載の組成物。
[18]
形態が薄膜である、[1]〜[16]のいずれかに記載の組成物。
[19]
[1]〜[18]のいずれかに記載の組成物の製造方法であって、
非プロトン性極性溶剤と、前記対カチオンと、前記第14族元素カチオンと、前記第17族元素アニオンと、前記分子アニオンとを含む溶液であって、前記第17族元素アニオンと前記第14族元素カチオンのモル比(第17族元素アニオン/第14族元素カチオン)が0.1以上5以下であり、かつ、前記分子アニオンと前記第14族元素カチオンのモル比(分子アニオン/第14族元素カチオン)が0.1以上5以下である溶液を調製する工程と、
前記溶液から溶剤を除去する工程と、
を含む、組成物の製造方法。
[20]
前記溶液を0℃以上150℃以下で加熱する工程をさらに含む、[19]に記載の組成物の製造方法。
[21]
[1]〜[18]のいずれかに記載の組成物の、半導体材料としての使用。
[22]
[1]〜[18]のいずれかに記載の組成物の、太陽電池材料としての使用。
[23]
[1]〜[18]のいずれかに記載の組成物の、太陽電池の光吸収層としての使用。
[24]
[1]〜[18]のいずれかに記載の組成物の、光センサーとしての使用。
[25]
[1]〜[18]のいずれかに記載の組成物の、発光材料としての使用。
このように構成されているため、本実施形態の組成物は、光吸収特性に優れる。なお、本明細書において、「光吸収特性に優れる」とは、少なくとも、バンドギャップがより小さく、より長波長の光を吸収できることを意味する。
なお、本実施形態の組成物は、分子アニオンを含む。分子アニオンは、その立体的及び/又は静電的な効果によって、分子アニオンを含まない組成物とは大きく異なる特性を示す傾向にあるが、本発明者らが鋭意研究し実験を重ねた結果、対カチオンを2種類以上含ませることで、光吸収特性を向上できることを見出した。
本実施形態の組成物は、上記のとおり、カチオンとアニオンとを含み、前記カチオンの10モル%以上95モル%以下が第14族元素カチオンである。光吸収特性に有利となる、及び/又は価電子帯や伝導帯を形成する状態密度がより大きくなる観点から、前記14族元素カチオンの含有量は15モル%以上が好ましく、30モル%がより好ましく、40モル%がさらに好ましい。吸光係数が大きくなることは、集合体が効率良く照射された光を吸収するために有利であり、状態密度が高くなると、吸光係数の増大などに有利となる。また、対カチオンを多く含むことができる観点から、第14族元素カチオンの含有量は80モル%以下が好ましく、75%以下がより好ましく、65モル%以下がさらに好ましい。
前記分子カチオンの具体例としては、以下に限定されないが、アンモニウムカチオン、メチルアンモニウムカチオン、エチルアンモニウムカチオン、プロピルアンモニウムカチオン、ブチルアンモニウムカチオン、ペンタアンモニウムカチオン、ヘキサアンモニウムカチオン、ジメチルアンモニウムカチオン、ジエチルアンモニウムカチオン、ジプロピルアンモニウムカチオン、トリメチルアンモニウムカチオン、トリエチルアンモニウムカチオン、ホルムアミジニウムカチオン、アセトアミジニウムカチオン、グアニジウムカチオン、イミダゾールカチオン、アニリンカチオン、及びこれらの異性体などが挙げられ、イオン半径が小さいほど第14族元素カチオンを緻密に配列できる観点から、アンモニウムカチオン、メチルアンモニウムカチオン、エチルアンモニウムカチオン、ホルムアミジニウムカチオンがより好ましく、組成物が光吸収特性に有利である観点から、有機分子カチオンが特に好ましく、具体的には、メチルアンモニウムカチオン、エチルアンモニウムカチオン、ホルムアミジニウムカチオンが好ましく、ホルムアミジニウムカチオンがさらに好ましい。
この結晶構造ないし結晶子径は、X線結晶構造解析や透過型電子顕微鏡像の格子像などにより評価することができる。具体的には、後述する実施例に記載の方法に基づいて評価することができる。また、上記結晶構造は、例えば、後述する好ましい組成物の製造方法に従う等により得ることができる。
本実施形態の組成物の製造方法としては、特に限定されないが、例えば、後述する原料を用い、所定の工程を経るものとすることができる。本実施形態の組成物の原料としては、該組成物を構成するカチオン元素を含む物質、及び構成するアニオン元素を含む物質が好ましい。特に、非プロトン性極性溶剤と、前記対カチオンと、第14族元素カチオンと、前記第17族元素アニオンと、前記分子アニオンとを含む溶液であって、前記第17族元素アニオンと前記第14族元素カチオンのモル比(第17族元素アニオン/第14族元素カチオン)が0.1以上5以下であり、かつ、前記分子アニオンと前記第14族元素カチオンのモル比(分子アニオン/第14族元素カチオン)が0.1以上5以下である溶液を調製する工程と、前記溶液から溶剤を除去する工程と、を含むことが好ましい。
本実施形態の組成物は、半導体材料として利用することができる。本実施形態における半導体材料とは、価電子帯上端と伝導帯下端とのエネルギー差を有する材料などが挙げられる。
本実施形態の組成物は、キャリア移動の異方性に優れる観点から、電子輸送材と接触していることが好ましい。ここでいう電子輸送材とは、電子の有効質量の方が、正孔のものよりも小さい半導体などであり、電子の輸送に有利な材料などである。該組成物が薄膜のとき、接触面積を大きくすることで電子の移動に有利となる観点から、接触している電子輸送材も薄膜であることが好ましい。電子輸送材には、有機物や無機物を含む態様が挙げられるが、強度が高いことで、該組成物と合わせた強度が高くなる観点から、電子輸送材は無機物を含むことが好ましく、物性の調整が比較的容易である観点から、金属化合物であることがより好ましい。大気中で比較的容易に製造、及び保存できる観点から、電子輸送材は金属酸化物であることが、さらに好ましい。金属酸化物の具体例としては、以下に限定されないが、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化タングステン、酸化錫、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化マグネシウムなどを挙げることができ、電子の有効質量が小さい観点から、酸化チタン及び酸化ニオブが好ましく、材料が豊富で安価である観点から、酸化チタンがとりわけ好ましい。電子輸送材のピンホールなどの欠陥を少なくする観点から、電子輸送材に、前駆体材料を吸着、反応させる処理を施すことが好ましい。具体的には、塩化チタン種を電子輸送材に吸着後、加水分解させ酸化チタンを結着させる処理(以降、TiCl4処理と記す。)を施すことが好ましい。
薄膜に含まれる第14族カチオン量、対カチオン量、ハロゲンアニオン量、及び分子アニオン量は、調製した薄膜をSEM−EDX(SEM:SU−70,日立製作所社製、EDX:EMAX X−max,堀場製作所社製)により評価することによって求めた。
薄膜を構成する結晶性粒子の結晶構造、特に、結晶性粒子が第17族元素アニオンに対して第14族元素カチオンが6配位した八面体構造を有し、かつ、当該八面体構造の少なくとも4つ以上が頂点共有して共に連なっている構造を有することは、X線回折装置(D8・ブルカー社製)を用いて測定したX線回折(XRD)パターンから評価した。特に、Pb2+と、I-またはSCN-とによる八面体構造が頂点共有していることは、回折ピークの2θが13〜15°(d=5.9〜6.8Å)に存在することから評価し、当該八面体が頂点共有して少なくとも4つ以上が共に連なっている構造は、前記d値に対し、結晶子径が十分に大きい(結晶子径14Å以上)ことから判定した。前記八面体構造が頂点共有しており、かつ、当該八面体が頂点共有して少なくとも4つ以上が共に連なっている構造である場合は表1の「頂点共有八面体構造」に○を記し、前記いずれかを満たしていない場合は×と記した。
各例で調製された薄膜に対して下記のように測定された吸光度を縦軸とし、横軸を波長としたグラフのベースラインと減衰曲線の接線の交点をこの材料の吸収端とし、この吸収端の波長から、下記の式からバンドギャップエネルギーを算出した。
(バンドギャップエネルギー)=1240/(吸収端の波長)
なお、薄膜の吸光度は、スペクトロフォトメーター U4100(日立製作所社製)を用いて、スキャン速度300nm/分で測定を行った。
各例において、基板滴下後の溶液を加熱した際の温度を「加熱温度」とし、表1に示す。
各例で調製された溶液1〜4を、それぞれ、UV−オゾン処理を施した親水性の石英基板に塗布し、100℃で加熱することで溶剤除去して組成物の薄膜を得た。目視にて、これらの薄膜が基板に濡れ性を示した場合は疎水性×とし、薄膜が基板にはじかれた場合は疎水性○、と評価した。
溶剤としてDMFを用い、これに1.0Mのホルムアミジン・ヨウ化水素塩と、1.0Mのヨウ化セシウムと、1.0Mのチオシアン酸鉛となるように溶解させた(溶液1)。基板を石英板とし、窒素雰囲気中で溶液1を基板に滴下した。その際、4000rpmで30秒間スピンコート(スロープ時間:5秒)することとし、回転開始から15秒後に0.5mLのトルエンを滴下することとした。その後、100℃で5分加熱して、黒色の薄膜サンプルを得た。サンプルの結晶構造、及びバンドギャップを評価した。評価した結果を表1に示す。
実施例1の溶液1の代わりに、溶剤としてDMFを用い、これに2.0Mのメチルアミン・ヨウ化水素塩と、1.0Mのチオシアン酸鉛となるように溶解させた溶液(溶液2)を用いた以外は実施例1と同様にサンプルを調製、及び評価した。評価した結果を表1に示す。
実施例1の溶液1の代わりに、溶剤としてDMFを用い、これに2.0Mのヨウ化セシウムと、1.0Mのチオシアン酸鉛となるように溶解させた溶液(溶液3)を用いた以外は実施例1と同様にサンプルを調製、及び評価した。
実施例1の溶液1の代わりに、溶剤としてDMFを用い、これにホルムアミジン・ヨウ化水素塩と、1.0Mのチオシアン酸鉛となるように溶解させた溶液(溶液4)を用いた以外は実施例1と同様にサンプルを調製、及び評価した。八面体構造を頂点共有した結晶構造は確認できなかった。
Claims (16)
- カチオンとアニオンとを含む結晶性粒子を有する組成物であって、
前記カチオンの10モル%以上95モル%以下が第14族元素カチオンであり、
前記カチオンの5モル%以上90モル%以下が対カチオンであり、ここで、当該対カチオンが、2種類以上のカチオンを含み、
前記アニオンの5モル%以上95モル%以下が第17族元素アニオンであり、
前記アニオンの5モル%以上95モル%以下が分子アニオンであり、
前記結晶性粒子が、前記第17族元素アニオンに対して前記第14族元素カチオンが6配位した八面体構造を有し、かつ、当該八面体同士が頂点共有して少なくとも合計4つの八面体が連なっている構造を有し、
前記第14族元素カチオンが、鉛カチオンを含み、
前記対カチオンが、セシウムカチオン及びホルムアミジニウムカチオンを含み、
前記第17族元素アニオンが、ヨウ素アニオンを含み、
前記分子アニオンが、チオシアン酸アニオンを含む、組成物。 - 前記カチオンの10モル%以上80モル%以下が前記対カチオンである、請求項1に記載の組成物。
- 前記対カチオンの1モル%以上99モル%以下がホルムアミジニウムカチオンである、請求項1又は2に記載の組成物。
- 前記対カチオンの1モル%以上99モル%以下がセシウムカチオンである、請求項1〜3のいずれか1項に記載の組成物。
- 前記アニオンの10モル%以上80モル%以下が前記第17族元素アニオンである、請求項1〜4のいずれか1項に記載の組成物。
- 前記アニオンの10モル%以上80モル%以下が、前記分子アニオンである、請求項1〜5のいずれか1項に記載の組成物。
- 前記カチオンの15モル%以上80モル%以下が前記第14族元素カチオンである、請求項1〜6のいずれか1項に記載の組成物。
- 形態が粒子である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の組成物。
- 形態が薄膜である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の組成物。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載の組成物の製造方法であって、
非プロトン性極性溶剤と、前記対カチオンと、前記第14族元素カチオンと、前記第17族元素アニオンと、前記分子アニオンとを含む溶液であって、前記第17族元素アニオンと前記第14族元素カチオンのモル比(第17族元素アニオン/第14族元素カチオン)が0.1以上5以下であり、かつ、前記分子アニオンと前記第14族元素カチオンのモル比(分子アニオン/第14族元素カチオン)が0.1以上5以下である溶液を調製する工程と、
前記溶液から溶剤を除去する工程と、
を含む、組成物の製造方法。 - 前記溶液を0℃以上150℃以下で加熱する工程をさらに含む、請求項10に記載の組成物の製造方法。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載の組成物の、半導体材料としての使用。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載の組成物の、太陽電池材料としての使用。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載の組成物の、太陽電池の光吸収層としての使用。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載の組成物の、光センサーとしての使用。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載の組成物の、発光材料としての使用。
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