JP6459788B2 - センサの印加電圧制御装置 - Google Patents
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Description
図1〜5を参照して第一実施形態について説明する。図1に示すように、本実施形態では、直流電圧を印加することにより酸素量に応じた直流電流が流れるセンサの一例として酸素濃度センサ3を挙げ、この酸素濃度センサ3に印加する電圧を制御する印加電圧制御装置の一例とし印加電圧制御回路11を挙げる。図1に示すように、本発明の一実施形態に係る印加電圧制御装置としての印加電圧制御回路11は、酸素濃度センサ3の動作を制御するセンサ制御装置10の一部として組み込まれている。
次に、図6,7を参照して第二実施形態について説明する。図6に示すように、第二実施形態は、酸素濃度センサ3の素子温度に関連する素子温度関連情報としてセンサ出力電流Iac(交流電流Iac)を用いる点、及び、このセンサ出力電流Iacに基づきカットオフ周波数を可変とする点で第一実施形態と異なるものである。
図8を参照して第二実施形態の変形例を説明する。図8のタイムチャートには、カットオフ周波数の切り替え処理を実施中の(a)エンジン状態、(b)センサ温度(酸素濃度センサ3の実際の素子温度)、(c)CUT−OFF−SW(印加電圧制御回路11中のカットオフ周波数変更スイッチSW2の制御信号)、(d)カットオフ周波数、(e)AC電圧(交流電圧Vac)の印加波形、(g−2)センサ出力電流Idc(直流電流Idc)の時間変化が示されている。
次に、図9,10を参照して第三実施形態について説明する。図9に示すように、第三実施形態は、酸素濃度センサ3の素子温度に関連する素子温度関連情報として排気管2内の排気温度Te(センサ雰囲気ガス温度)を用いる点、及び、この排気温度Teに基づきカットオフ周波数を可変とする点で第一,第二実施形態と異なるものである。
次に、図11,12を参照して第四実施形態について説明する。図11に示すように、第四実施形態は、酸素濃度センサ3の素子温度に関連する素子温度関連情報としてヒータ電流Ihを用いる点、及び、このヒータ電流Ihに基づきカットオフ周波数を可変とする点で第一実施形態と異なるものである。
次に、図13,14を参照して第五実施形態について説明する。図13に示すように、第五実施形態は、酸素濃度センサ3の素子温度に関連する素子温度関連情報としてセンサ昇温電力Wrを用いる点、及び、このセンサ昇温電力Wrに基づきカットオフ周波数を可変とする点で第一実施形態と異なるものである。
5:ヒータ
11:印加電圧制御回路(印加電圧制御装置)
16:フィルタ回路(フィルタ処理部)
Vac:交流電圧
Iac:交流電流(センサ出力電流、素子温度関連情報)
Vdc:直流電圧
Idc:直流電流(センサ出力電流、素子温度関連情報)
Zac:センサインピーダンス(素子温度関連情報)
Te:排気温度(センサ雰囲気ガス温度、素子温度関連情報)
Ih:ヒータ電流(素子温度関連情報)
Wr:センサ昇温電力(素子温度関連情報)
Claims (15)
- 直流電圧(Vdc)を印加することにより酸素量に応じた直流電流(Idc)が流れ、交流電圧(Vac)を印加することによりセンサインピーダンス(Zac)に応じた交流電流(Iac)が流れる特性を持つセンサ素子(4)、を備えたセンサ(3)の印加電圧制御装置(11)において、
前記センサ素子に印加する前記交流電圧のカットオフ周波数を可変とするフィルタ処理部(16)を備え、
前記フィルタ処理部は、前記センサ素子の温度である素子温度に関連する素子温度関連情報(Zac,Iac,Idc,Te,Ih,Wr)に基づいて前記カットオフ周波数を可変とする
ことを特徴とするセンサの印加電圧制御装置。 - 前記フィルタ処理部は、前記素子温度関連情報に基づいて、前記素子温度が相対的に低いときに前記カットオフ周波数を相対的に高く設定し、前記素子温度が相対的に高いときに前記カットオフ周波数を相対的に低く設定する、
ことを特徴とする、請求項1に記載のセンサの印加電圧制御装置。 - 前記素子温度関連情報は、前記センサ素子のインピーダンスである前記センサインピーダンスを含む
ことを特徴とする、請求項1または2に記載のセンサの印加電圧制御装置。 - 前記フィルタ処理部は、
前記センサインピーダンスが相対的に高いときに前記カットオフ周波数を相対的に高く設定し、
前記センサインピーダンスが相対的に低いときに前記カットオフ周波数を相対的に低く設定する、
ことを特徴とする、請求項3に記載のセンサの印加電圧制御装置。 - 前記素子温度関連情報は、前記センサ素子から出力される前記直流電流または前記交流電流であるセンサ出力電流(Iac,Idc)を含む
ことを特徴とする、請求項1または2に記載のセンサの印加電圧制御装置。 - 前記フィルタ処理部は、
前記センサ出力電流が相対的に小さいときに前記カットオフ周波数を相対的に高く設定し、
前記センサ出力電流が相対的に大きいときに前記カットオフ周波数を相対的に低く設定する、
ことを特徴とする、請求項5に記載のセンサの印加電圧制御装置。 - 前記素子温度関連情報は、前記センサが酸素量を検出する被検出ガスの温度であるセンサ雰囲気ガス温度(Te)を含む
ことを特徴とする、請求項1または2に記載のセンサの印加電圧制御装置。 - 前記フィルタ処理部は、
前記センサ雰囲気ガス温度が相対的に低いときに前記カットオフ周波数を相対的に高く設定し、
前記センサ雰囲気ガス温度が相対的に高いときに前記カットオフ周波数を相対的に低く設定する、
ことを特徴とする、請求項7に記載のセンサの印加電圧制御装置。 - 前記センサ素子が所定の設定温度となるように前記センサを加熱するヒータ(5)を備え、
前記素子温度関連情報は、前記ヒータが前記センサを加熱するときのヒータ電流(Ih)を含む
ことを特徴とする、請求項1または2に記載のセンサの印加電圧制御装置。 - 前記フィルタ処理部は、
前記ヒータ電流が相対的に高いときに前記カットオフ周波数を相対的に高く設定し、
前記ヒータ電流が相対的に低いときに前記カットオフ周波数を相対的に低く設定する、
ことを特徴とする、請求項9に記載のセンサの印加電圧制御装置。 - 前記フィルタ処理部は、
前記ヒータ電流が相対的に低いときに前記カットオフ周波数を相対的に高く設定し、
前記ヒータ電流が相対的に高いときに前記カットオフ周波数を相対的に低く設定する、
ことを特徴とする、請求項9に記載のセンサの印加電圧制御装置。 - 前記センサ素子が所定の設定温度となるように前記センサを加熱するヒータを備え、
前記素子温度関連情報は、前記ヒータが前記センサを加熱するときの消費電力量であるセンサ昇温電力(Wr)を含む
ことを特徴とする、請求項1または2に記載のセンサの印加電圧制御装置。 - 前記フィルタ処理部は、
前記センサ昇温電力が相対的に少ないときに前記カットオフ周波数を相対的に高く設定し、
前記センサ昇温電力が相対的に多いときに前記カットオフ周波数を相対的に低く設定する、
ことを特徴とする、請求項12に記載のセンサの印加電圧制御装置。 - 前記センサ素子が所定の設定温度となるように前記センサを加熱するヒータを備え、
前記素子温度関連情報は、前記ヒータが前記センサを加熱するときの経過時間であるセンサ昇温時間を含む
ことを特徴とする、請求項1または2に記載のセンサの印加電圧制御装置。 - 前記フィルタ処理部は、
前記センサ昇温時間が相対的に短いときに前記カットオフ周波数を相対的に高く設定し、
前記センサ昇温時間が相対的に長いときに前記カットオフ周波数を相対的に低く設定する、
ことを特徴とする、請求項14に記載のセンサの印加電圧制御装置。
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