JP6445903B2 - LAMINATED FILM AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATED STRUCTURE - Google Patents

LAMINATED FILM AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATED STRUCTURE Download PDF

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Description

本発明は、絶縁フィルムを備える積層フィルムであって、例えばプリント配線板などにおいて、絶縁層を形成するために用いることができる積層フィルムに関する。また、本発明は、上記積層フィルムを用いる積層構造体の製造方法に関する。   The present invention relates to a laminated film including an insulating film, and relates to a laminated film that can be used for forming an insulating layer in, for example, a printed wiring board. Moreover, this invention relates to the manufacturing method of the laminated structure using the said laminated | multilayer film.

従来、積層板及びプリント配線板等の電子部品を得るために、様々な樹脂組成物が用いられている。例えば、多層プリント配線板では、内部の層間を絶縁するための絶縁層を形成したり、表層部分に位置する絶縁層を形成したりするために、樹脂組成物が用いられている。上記絶縁層の表面には、一般に金属部である配線が積層される。   Conventionally, various resin compositions have been used to obtain electronic components such as laminates and printed wiring boards. For example, in a multilayer printed wiring board, a resin composition is used in order to form an insulating layer for insulating inner layers or to form an insulating layer located in a surface layer portion. On the surface of the insulating layer, wiring that is generally a metal part is laminated.

また、絶縁層を形成するために、上記樹脂組成物をフィルム化した絶縁フィルムが用いられることがある。この絶縁フィルムは、取扱い性を高めるために、基材フィルムに積層された積層フィルムの形態で用いられることがある。   Moreover, in order to form an insulating layer, the insulating film which made the said resin composition into a film may be used. This insulating film may be used in the form of a laminated film laminated on a base film in order to improve the handleability.

例えば、プリント配線板用の層間絶縁フィルムを備える積層フィルムは、第1の基材フィルム上に、エポキシ樹脂組成物により形成された絶縁フィルムが積層され、絶縁フィルム上に第2の基材フィルムが積層されて形成されている。プリント配線板において絶縁層を形成する際には、一方の基材フィルムを絶縁フィルムから剥離する。絶縁フィルムを露出した表面側から、真空ラミネーターやプレスによって内層回路基板等の積層対象部材に積層する。その後、他方の基材フィルムを剥離する。その後、金属配線を形成したり、絶縁フィルムを硬化させたりして、プリント配線板が製造される。   For example, in a laminated film including an interlayer insulating film for a printed wiring board, an insulating film formed of an epoxy resin composition is laminated on a first base film, and a second base film is formed on the insulating film. It is formed by stacking. When forming an insulating layer in a printed wiring board, one base film is peeled from the insulating film. From the surface side where the insulating film is exposed, it is laminated on a lamination target member such as an inner circuit board by a vacuum laminator or a press. Then, the other base film is peeled off. Then, a printed wiring board is manufactured by forming a metal wiring or curing an insulating film.

上記のような積層フィルムは、例えば下記の特許文献1,2に開示されている。   The above laminated films are disclosed, for example, in Patent Documents 1 and 2 below.

下記の特許文献1には、エポキシ樹脂組成物を支持フィルムに塗工し、次いで上記エポキシ樹脂組成物に離型フィルムを重ねることにより得られる積層フィルムが開示されている。上記エポキシ樹脂組成物は、平均エポキシ当量が450未満であるビフェニル型エポキシ樹脂(A)と、平均エポキシ当量が450以上であるビスフェノールA型エポキシ樹脂(B)と、トリアジン環を有するフェノール系ノボラック樹脂(C)とを含有する。上記エポキシ樹脂組成物では、上記ビフェニル型エポキシ樹脂(A)に対する上記ビスフェノールA型エポキシ樹脂(B)の質量比が0.25〜2である。上記積層フィルムの使用時に、上記エポキシ樹脂組成物を半硬化状態にした後、上記支持フィルムが剥離される。   Patent Document 1 below discloses a laminated film obtained by coating an epoxy resin composition on a support film and then overlaying a release film on the epoxy resin composition. The epoxy resin composition includes a biphenyl type epoxy resin (A) having an average epoxy equivalent of less than 450, a bisphenol A type epoxy resin (B) having an average epoxy equivalent of 450 or more, and a phenolic novolac resin having a triazine ring. (C). In the said epoxy resin composition, the mass ratio of the said bisphenol A type epoxy resin (B) with respect to the said biphenyl type epoxy resin (A) is 0.25-2. At the time of use of the laminated film, the support film is peeled after the epoxy resin composition is brought into a semi-cured state.

下記の特許文献2には、支持ベースフィルムと、支持ベースフィルムの表面に積層された常温で固形の絶縁樹脂層及び保護フィルムとを備えるプリント配線板用層間絶縁材フィルム(積層フィルム)が開示されている。この積層フィルムでは、支持ベースフィルムがラミネート時に剥離可能に設けられている。   Patent Document 2 listed below discloses a printed wiring board interlayer insulating film (laminated film) comprising a supporting base film, and an insulating resin layer and a protective film which are laminated on the surface of the supporting base film at room temperature. ing. In this laminated film, the support base film is provided so as to be peelable at the time of lamination.

特開2009−29930号公報JP 2009-29930 A 特開2002−252470号公報JP 2002-252470 A

特許文献1,2に記載のような従来の積層フィルムでは、ラミネート工程後に、基材フィルムを絶縁フィルムの表面から良好に剥離することが困難なことがある。例えば、絶縁フィルムの表面に、基材フィルムの剥離時にすじが形成されることがある。この結果、絶縁フィルムにより形成された絶縁層の表面に金属層を形成したときに、絶縁層と金属層との密着強度が低くなったり、場所による密着強度の強度ムラが生じることがある。   In the conventional laminated films as described in Patent Documents 1 and 2, it may be difficult to peel the substrate film from the surface of the insulating film after the lamination process. For example, streaks may be formed on the surface of the insulating film when the base film is peeled off. As a result, when a metal layer is formed on the surface of the insulating layer formed of the insulating film, the adhesion strength between the insulation layer and the metal layer may be lowered, or unevenness in the adhesion strength depending on the location may occur.

また、基材フィルムの剥離性を高めるために、離型性が高い基材フィルムを用いただけでは、基材フィルムの表面上に絶縁フィルムを形成する際に、はじき等の塗工欠陥が生じやすくなる。一方、剥離後の絶縁層の表面が粘着質な状態であると、表面に環境中の浮遊物が汚染物として付着しやすいことがある。その対策として、特許文献1に記載のように、絶縁フィルムを半硬化状態にした後に、基材フィルムを剥離すると、溶剤などの揮発分が絶縁層内に残存しやすくなる。この結果、絶縁性などの信頼性が低下する。また、絶縁フィルムを半硬化状態にした後に、基材フィルムを剥離すると、基材フィルムの表面形状が絶縁層に転写されやすくなり、微細な金属配線を形成しにくくなる。   Also, in order to increase the peelability of the base film, just using a base film with high releasability, coating defects such as repellency are likely to occur when an insulating film is formed on the surface of the base film. Become. On the other hand, if the surface of the insulating layer after peeling is in a sticky state, suspended matters in the environment may easily adhere to the surface as contaminants. As a countermeasure, if the base film is peeled off after the insulating film is in a semi-cured state as described in Patent Document 1, volatile components such as a solvent easily remain in the insulating layer. As a result, reliability such as insulation is reduced. Further, when the base film is peeled after the insulating film is in a semi-cured state, the surface shape of the base film is easily transferred to the insulating layer, and it is difficult to form fine metal wiring.

本発明の目的は、絶縁フィルムを基材フィルムとともにラミネートした後に、基材フィルムを良好に剥離することができる積層フィルムを提供すること、並びに上記積層フィルムを用いる積層構造体の製造方法を提供することである。   An object of the present invention is to provide a laminated film capable of satisfactorily peeling the base film after laminating the insulating film together with the base film, and a method for producing a laminated structure using the laminated film. That is.

本発明の限定的な目的は、絶縁フィルムが硬化した絶縁層と金属層との接着強度を高めることができる積層フィルムを提供すること、並びに上記積層フィルムを用いる積層構造体の製造方法を提供することである。   A limited object of the present invention is to provide a laminated film capable of increasing the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer cured from the insulating film, and to provide a method for producing a laminated structure using the laminated film. That is.

本発明の広い局面によれば、絶縁フィルムと、前記絶縁フィルムの第1の表面に積層された第1の基材フィルムとを備え、前記絶縁フィルムの前記第1の表面とは反対側の第2の表面に積層された第2の基材フィルムを備えるか又は備えておらず、前記絶縁フィルムが、熱硬化性樹脂と硬化剤とフィラーと溶剤とを含み、前記絶縁フィルムの前記第2の表面側の深さ3μmまでの領域における前記溶剤の存在割合が、前記絶縁フィルムの前記第1の表面側の深さ3μmまでの領域における前記溶剤の存在割合よりも多く、前記絶縁フィルムは前記第2の表面側から、前記第1の基材フィルムが積層された状態で、積層対象部材にラミネートして用いられ、積層フィルムが前記第2の基材フィルムを備える場合には、前記絶縁フィルムが前記第2の表面側から前記積層対象部材にラミネートされる前に、前記絶縁フィルムの前記第2の表面から前記第2の基材フィルムが剥離される、積層フィルムが提供される。   According to a wide aspect of the present invention, an insulating film and a first base film laminated on the first surface of the insulating film are provided, and a first side opposite to the first surface of the insulating film is provided. Or the second base film laminated on the surface of 2, the insulating film includes a thermosetting resin, a curing agent, a filler, and a solvent, and the second of the insulating film The proportion of the solvent in the region up to a depth of 3 μm on the surface side is greater than the proportion of the solvent in the region up to a depth of 3 μm on the first surface side of the insulating film. When the first base film is laminated on the lamination target member and used from the surface side of 2, and the laminated film includes the second base film, the insulating film The second A laminated film is provided in which the second base film is peeled off from the second surface of the insulating film before being laminated on the lamination target member from the surface side.

本発明に係る積層フィルムのある特定の局面では、前記絶縁フィルムの前記第2の表面側の深さ3μmまでの領域における前記溶剤の存在割合の、前記絶縁フィルムの前記第1の表面側の深さ3μmまでの領域における前記溶剤の存在割合に対する比が、2以上、10以下である。   In a specific aspect of the laminated film according to the present invention, the depth of the first surface side of the insulating film in the proportion of the solvent in the region up to a depth of 3 μm on the second surface side of the insulating film. The ratio of the solvent in the region up to 3 μm is 2 or more and 10 or less.

本発明に係る積層フィルムのある特定の局面では、前記絶縁フィルムの前記第2の表面側の深さ3μmまでの領域における前記フィラーの存在割合が、前記絶縁フィルムの前記第1の表面側の深さ3μmまでの領域における前記フィラーの存在割合よりも多い。   In a specific aspect of the laminated film according to the present invention, the proportion of the filler in the region up to a depth of 3 μm on the second surface side of the insulating film is a depth on the first surface side of the insulating film. More than the abundance of the filler in the region up to 3 μm.

本発明に係る積層フィルムのある特定の局面では、前記絶縁フィルムの前記第2の表面側の深さ3μmまでの領域における前記フィラーの存在割合の、前記絶縁フィルムの前記第1の表面側の深さ3μmまでの領域における前記フィラーの存在割合に対する比が1.5以上、4.0以下であることがより好ましい。   In a specific aspect of the laminated film according to the present invention, the depth of the filler on the first surface side of the insulating film in the region up to 3 μm in depth on the second surface side of the insulating film. More preferably, the ratio of the filler to the existing ratio in the region up to 3 μm is 1.5 or more and 4.0 or less.

本発明に係る積層フィルムのある特定の局面では、前記絶縁フィルムに対する前記第2の基材フィルムの剥離強度が、前記絶縁フィルムに対する前記第1の基材フィルムの剥離強度よりも低い。   In a specific aspect of the laminated film according to the present invention, the peel strength of the second base film with respect to the insulating film is lower than the peel strength of the first base film with respect to the insulating film.

本発明に係る積層フィルムのある特定の局面では、前記絶縁フィルムに対する前記第1の基材フィルムの剥離強度が5mN/cm以上、30mN/cm以下である。   On the specific situation with the laminated film which concerns on this invention, the peeling strength of the said 1st base film with respect to the said insulating film is 5 mN / cm or more and 30 mN / cm or less.

本発明の広い局面によれば、上述した積層フィルムを用いて、前記積層フィルムが前記第2の基材フィルムを備える場合には、前記絶縁フィルムの前記第2の表面から前記第2の基材フィルムを剥離して、前記絶縁フィルムを前記第2の表面側から、前記第1の基材フィルムが積層された状態で、積層対象部材にラミネートするラミネート工程と、前記ラミネート工程後に、前記絶縁フィルムの前記第1の表面から前記第1の基材フィルムを剥離する剥離工程とを備える、積層構造体の製造方法が提供される。   According to a wide aspect of the present invention, when the laminated film includes the second base film using the above-described laminated film, the second base material from the second surface of the insulating film. A laminate step of peeling the film and laminating the insulating film from the second surface side in a state where the first base film is laminated, and a laminate target member, and after the laminating step, the insulating film And a peeling step of peeling the first base film from the first surface of the laminated structure.

本発明に係る積層構造体の製造方法のある特定の局面では、前記積層構造体の製造方法は、前記剥離工程後に、前記絶縁フィルムを予備硬化させる予備硬化工程と、前記予備硬化工程後に、前記絶縁フィルムの前記積層対象部材側とは反対の表面を粗化処理する粗化処理工程と、前記粗化処理工程後に、粗化処理された絶縁フィルムの前記積層対象部材側とは反対の表面に、めっき処理により金属層を形成するめっき工程と、前記めっき工程後に、予備硬化された絶縁フィルムを硬化させる本硬化工程とを備える。   In a specific aspect of the method for manufacturing a laminated structure according to the present invention, the method for manufacturing the laminated structure includes: a precuring step for precuring the insulating film after the peeling step; and a step after the precuring step. A roughening treatment step for roughening a surface opposite to the lamination target member side of the insulating film, and a surface opposite to the lamination target member side of the roughened insulation film after the roughening treatment step. And a plating step of forming a metal layer by plating, and a main curing step of curing the precured insulating film after the plating step.

本発明に係る積層フィルムは、絶縁フィルムと、上記絶縁フィルムの第1の表面に積層された第1の基材フィルムとを備える。本発明に係る積層フィルムは、上記絶縁フィルムの上記第1の表面とは反対側の第2の表面に積層された第2の基材フィルムを備えるか又は備えていない。本発明に係る積層フィルムでは、上記絶縁フィルムが、熱硬化性樹脂と硬化剤とフィラーと溶剤とを含み、上記絶縁フィルムの上記第2の表面側の深さ3μmまでの領域における上記溶剤の存在割合が、上記絶縁フィルムの上記第1の表面側の深さ3μmまでの領域における上記溶剤の存在割合よりも多いので、上記絶縁フィルムを上記第2の表面側から、上記第1の基材フィルムが積層された状態で、積層対象部材にラミネートして用いることで、絶縁フィルムを第1の基材フィルムとともにラミネートした後に、第1の基材フィルムを良好に剥離することができる。   The laminated film according to the present invention includes an insulating film and a first base film laminated on the first surface of the insulating film. The laminated film according to the present invention includes or does not include the second base film laminated on the second surface opposite to the first surface of the insulating film. In the laminated film according to the present invention, the insulating film contains a thermosetting resin, a curing agent, a filler, and a solvent, and the presence of the solvent in a region up to a depth of 3 μm on the second surface side of the insulating film. Since the ratio is higher than the ratio of the solvent in the region up to the depth of 3 μm on the first surface side of the insulating film, the insulating film is moved from the second surface side to the first base film. By laminating and using on the member to be laminated in a state where is laminated, the first base film can be favorably peeled after laminating the insulating film together with the first base film.

図1は、本発明の一実施形態に係る積層フィルムを模式的に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a laminated film according to an embodiment of the present invention. 図2(a)〜(d)は、本発明の一実施形態に係る積層フィルムを用いて、積層構造体を製造する各工程を説明するための模式的な断面図である。2A to 2D are schematic cross-sectional views for explaining each step of manufacturing a laminated structure using the laminated film according to one embodiment of the present invention. 図3(a)〜(c)は、本発明の一実施形態に係る積層フィルムを用いて、積層構造体を製造する各工程を説明するための模式的な断面図である。FIGS. 3A to 3C are schematic cross-sectional views for explaining each step of manufacturing a laminated structure using the laminated film according to one embodiment of the present invention.

以下、本発明の詳細を説明する。   Details of the present invention will be described below.

(積層フィルム)
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
(Laminated film)
Hereinafter, the present invention will be clarified by describing specific embodiments of the present invention with reference to the drawings.

図1は、本発明の一実施形態に係る積層フィルムを模式的に示す断面図である。   FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a laminated film according to an embodiment of the present invention.

積層フィルム1は、絶縁フィルム2と、第1の基材フィルム3と、第2の基材フィルム4を備える。第1の基材フィルム3は、絶縁フィルム2の第1の表面2aに積層されている。第2の基材フィルム4は、絶縁フィルム2の第1の表面2aとは反対側の第2の表面2bに積層されている。   The laminated film 1 includes an insulating film 2, a first base film 3, and a second base film 4. The first base film 3 is laminated on the first surface 2 a of the insulating film 2. The second base film 4 is laminated on the second surface 2 b opposite to the first surface 2 a of the insulating film 2.

本発明では、積層フィルムは、絶縁フィルムの第2の表面に積層された第2の基材フィルムを備えることが好ましい。但し、積層フィルムは、絶縁フィルムの第2の表面に積層された第2の基材フィルムを備えていなくてもよい。積層フィルムは、絶縁フィルムの第2の表面に積層された第2の基材フィルムを備えるか又は備えていない。   In this invention, it is preferable that a laminated | multilayer film is equipped with the 2nd base film laminated | stacked on the 2nd surface of the insulating film. However, the laminated film may not include the second base film laminated on the second surface of the insulating film. The laminated film includes or does not include the second base film laminated on the second surface of the insulating film.

絶縁フィルム2は、熱硬化性樹脂と硬化剤とフィラーと溶剤とを含む。積層フィルム1では、絶縁フィルム2の第2の表面2b側の深さ3μmまでの領域における溶剤の存在割合X2は、絶縁フィルム2の第1の表面2a側の深さ3μmまでの領域における溶剤の存在割合X1よりも多い。従って、絶縁フィルム2では、溶剤が偏在している。絶縁フィルム2は、溶剤の濃度分布を有する。   The insulating film 2 includes a thermosetting resin, a curing agent, a filler, and a solvent. In the laminated film 1, the solvent existing ratio X2 in the region up to 3 μm deep on the second surface 2 b side of the insulating film 2 is the solvent content in the region up to 3 μm deep on the first surface 2 a side of the insulating film 2. More than the existing ratio X1. Therefore, the solvent is unevenly distributed in the insulating film 2. The insulating film 2 has a solvent concentration distribution.

積層フィルム1では、絶縁フィルム2は第2の表面2b側から、第1の基材フィルム3が積層された状態で、積層対象部材にラミネートして用いられる。絶縁フィルム2が第2の表面2b側から積層対象部材にラミネートされる前に、絶縁フィルム2の第2の表面2bから第2の基材フィルム4が剥離される。   In the laminated film 1, the insulating film 2 is used by laminating on the member to be laminated in the state where the first base film 3 is laminated from the second surface 2 b side. Before the insulating film 2 is laminated on the lamination target member from the second surface 2b side, the second base film 4 is peeled off from the second surface 2b of the insulating film 2.

本発明では、積層フィルムが第2の基材フィルムを備える場合には、絶縁フィルムが第2の表面側から積層対象部材にラミネートされる前に、絶縁フィルムの上記第2の表面から第2の基材フィルムが剥離される。   In the present invention, in the case where the laminated film includes the second base film, the second from the second surface of the insulating film before the insulating film is laminated to the lamination target member from the second surface side. The base film is peeled off.

本実施形態では、上述した構成を備えているので、また本発明では、上述した構成を備えているので、絶縁フィルムを第1の基材フィルムとともにラミネートした後に、第1の基材フィルムを良好に剥離することができる。第1の基材フィルムを容易に剥離することができ、剥離時にすじが形成されるのを抑えることができる。さらに、剥離後に、絶縁フィルムの表面に異物が付着し難くなる。さらに、第1の基材フィルムが剥離された後に、露出した絶縁フィルムの表面は、剥離すじなどがなく良好な形状である。このため、この絶縁フィルムの表面に金属層を配置することで、絶縁フィルムが硬化した絶縁層と金属層との密着強度を高めることができる。   In this embodiment, since the above-described configuration is provided, and in the present invention, since the above-described configuration is provided, the first base film is good after laminating the insulating film together with the first base film. Can be peeled off. The first base film can be easily peeled off, and the formation of streaks during peeling can be suppressed. Furthermore, it becomes difficult for foreign matter to adhere to the surface of the insulating film after peeling. Furthermore, after the first substrate film is peeled off, the exposed surface of the insulating film has a good shape without peeling stripes. For this reason, the adhesive strength of the insulating layer and metal layer which the insulating film hardened | cured can be improved by arrange | positioning a metal layer on the surface of this insulating film.

さらに、絶縁層上に形成する金属配線を微細化しても、金属配線を良好に形成することができる。   Furthermore, even if the metal wiring formed on the insulating layer is miniaturized, the metal wiring can be satisfactorily formed.

絶縁フィルムにおいて、溶剤等を偏在させる方法としては、例えば、異なる乾燥状態のフィルムを準備し、フィルムを複数枚重ねあわせる方法、沸点が異なる複数の溶剤を用いて、乾燥速度を制御する方法、並びに、フィルムの厚みを変更して、溶剤の揮発速度を制御する方法等が挙げられる。   Examples of the method of unevenly distributing the solvent in the insulating film include, for example, preparing films in different dry states, a method of stacking a plurality of films, a method of controlling a drying rate using a plurality of solvents having different boiling points, and And a method for controlling the volatilization rate of the solvent by changing the thickness of the film.

上記絶縁フィルムの上記第2の表面側の深さ3μmまでの領域は、上記第2の表面から、絶縁フィルムの厚み方向に内側に向かって厚み3μmの領域である。上記絶縁フィルムの上記第1の表面側の深さ3μmまでの領域は、上記第1の表面から、絶縁フィルムの厚み方向に内側に向かって厚み3μmの領域である。   The region up to a depth of 3 μm on the second surface side of the insulating film is a region having a thickness of 3 μm from the second surface toward the inside in the thickness direction of the insulating film. The region up to a depth of 3 μm on the first surface side of the insulating film is a region having a thickness of 3 μm from the first surface toward the inside in the thickness direction of the insulating film.

上記絶縁フィルムの上記第2の表面側の深さ3μmまでの領域における上記溶剤の存在割合X2は、上記絶縁フィルムの上記第2の表面側の深さ3μmまでの領域全体での上記溶剤の平均存在割合である。上記絶縁フィルムの上記第1の表面側の深さ3μmまでの領域における上記溶剤の存在割合X1は、上記絶縁フィルムの上記第1の表面側の深さ3μmまでの領域全体での上記溶剤の平均存在割合である。   The solvent existing ratio X2 in the region up to a depth of 3 μm on the second surface side of the insulating film is the average of the solvent in the entire region up to a depth of 3 μm on the second surface side of the insulating film. It is an existing ratio. The solvent existing ratio X1 in the region up to a depth of 3 μm on the first surface side of the insulating film is the average of the solvent in the entire region up to a depth of 3 μm on the first surface side of the insulating film. It is an existing ratio.

第1の基材フィルムをより一層良好に剥離し、絶縁層と金属層との密着強度をより一層高める観点からは、上記溶剤の存在割合X2の、上記溶剤の存在割合X1に対する比(X2/X1)は、好ましくは2以上、より好ましくは4以上である。上記比(X2/X1)は、好ましくは10以下である。上記比(X2/X1)が上記上限以下であると、第1の基材フィルム側にて溶剤が多くなり、銅張積層板などの積層対象部材にラミネートした後で、第1の基材フィルムと絶縁フィルムとの密着性が高くなり、剥離する前に意図せずに第1の基材フィルムが剥がれにくくなる。上記比(X2/X1)が上記下限以上であると、第2の基材フィルム側にて溶剤量が適度になり、タック性が低くなるために、銅張積層板などの積層対象部材にラミネートする際に積層対象部材と絶縁フィルムの間にボイドが生じ難くなり、絶縁フィルムにしわが発生しにくくなる。   From the viewpoint of further exfoliating the first substrate film and further increasing the adhesion strength between the insulating layer and the metal layer, the ratio of the solvent existing ratio X2 to the solvent existing ratio X1 (X2 / X1) is preferably 2 or more, more preferably 4 or more. The ratio (X2 / X1) is preferably 10 or less. If the ratio (X2 / X1) is less than or equal to the above upper limit, the amount of solvent increases on the first base film side, and the first base film is laminated after being laminated on a member to be laminated such as a copper clad laminate. The first base film is difficult to peel off unintentionally before peeling. When the ratio (X2 / X1) is equal to or greater than the above lower limit, the amount of solvent becomes appropriate on the second base film side, and tackiness is lowered. Therefore, the laminate is laminated on a member to be laminated such as a copper-clad laminate. When it does, a void becomes difficult to produce between a lamination | stacking object member and an insulating film, and it becomes difficult to generate | occur | produce a wrinkle in an insulating film.

第1の基材フィルムをより一層良好に剥離し、絶縁層と金属層との密着強度をより一層高める観点からは、上記絶縁フィルムの上記第2の表面側の深さ3μmまでの領域における上記フィラーの存在割合Y2は、上記絶縁フィルムの上記第1の表面側の深さ3μmまでの領域における上記フィラーの存在割合Y1よりも多いことが好ましい。第1の基材フィルムをより一層良好に剥離し、絶縁層と金属層との密着強度をより一層高める観点からは、上記絶縁フィルムの上記第2の表面側の深さ3μmまでの領域における上記フィラーの存在割合Y2の、上記絶縁フィルムの上記第1の表面側の深さ3μmまでの領域における上記フィラーの存在割合Y1に対する比(Y2/Y1)は、好ましくは1.5以上、より好ましくは2.5以上である。上記比(Y2/Y1)は、好ましくは4.0以下である。絶縁フィルムでは、フィラーが偏在していることが好ましい。絶縁フィルムは、フィラーの濃度分布を有することが好ましい。   From the viewpoint of further exfoliating the first base film and further enhancing the adhesion strength between the insulating layer and the metal layer, the above-mentioned region in the region up to a depth of 3 μm on the second surface side of the insulating film. The filler existing ratio Y2 is preferably larger than the filler existing ratio Y1 in the region up to a depth of 3 μm on the first surface side of the insulating film. From the viewpoint of further exfoliating the first base film and further enhancing the adhesion strength between the insulating layer and the metal layer, the above-mentioned region in the region up to a depth of 3 μm on the second surface side of the insulating film. The ratio (Y2 / Y1) of the filler existing ratio Y2 to the filler existing ratio Y1 in the region up to a depth of 3 μm on the first surface side of the insulating film is preferably 1.5 or more, more preferably 2.5 or more. The ratio (Y2 / Y1) is preferably 4.0 or less. In the insulating film, it is preferable that the filler is unevenly distributed. The insulating film preferably has a filler concentration distribution.

絶縁フィルムにおいて、フィラーを偏在させる方法としては、例えば、樹脂ワニスをフィルム化する段階(乾燥工程)で、フィラーとその他樹脂との比重差を利用して、フィラーを表面側から連続的又は段階的に偏在させる方法、並びにフィラー含有量の異なるフィルムを事前に準備して、フィルムを複数枚重ねあわせる方法等が挙げられる。   In the insulating film, as a method of unevenly distributing the filler, for example, in the step of forming a resin varnish into a film (drying step), the filler is continuously or stepwise from the surface side by utilizing the specific gravity difference between the filler and the other resin. And a method in which films having different filler contents are prepared in advance and a plurality of films are stacked.

絶縁フィルムを容易に形成し、第1の基材フィルムをより一層良好に剥離し、絶縁層と金属層との密着強度をより一層高める観点からは、上記絶縁フィルムに対する上記第2の基材フィルムの剥離強度が、上記絶縁フィルムに対する上記第1の基材フィルムの剥離強度よりも、好ましくは低く、より好ましくは30mN/cm以上低い。上記絶縁フィルムに対する上記第2の基材フィルムの剥離強度と、上記絶縁フィルムに対する上記第1の基材フィルムの剥離強度との差の絶対値は好ましくは20mN/cm以下である。上記絶縁フィルムに対する上記第1の基材フィルムの剥離強度は好ましくは5mN/cm以上、好ましくは30mN/cm以下である。   From the viewpoint of easily forming an insulating film, peeling the first base film better, and further increasing the adhesion strength between the insulating layer and the metal layer, the second base film with respect to the insulating film Is preferably lower than the peel strength of the first base film with respect to the insulating film, more preferably 30 mN / cm or more. The absolute value of the difference between the peel strength of the second base film with respect to the insulating film and the peel strength of the first base film with respect to the insulating film is preferably 20 mN / cm or less. The peel strength of the first base film with respect to the insulating film is preferably 5 mN / cm or more, and preferably 30 mN / cm or less.

第1の基材フィルムをより一層良好に剥離し、絶縁層と金属層との密着強度をより一層高める観点からは、ラミネート工程後の上記絶縁フィルムに対する上記第1の基材フィルムの剥離強度は好ましくは10mN/cm以上、より好ましくは20mN/cm以上、好ましくは60mN/cm以下、より好ましくは40mN/cm以下である。上記剥離強度が上記下限以上であると、第1の基材フィルムの意図しない剥離が抑えられる。上記剥離強度が上記上限以下であると、第1の基材フィルムを良好に剥離することができる。   From the viewpoint of further peeling off the first base film and further increasing the adhesion strength between the insulating layer and the metal layer, the peel strength of the first base film with respect to the insulating film after the laminating step is Preferably it is 10 mN / cm or more, More preferably, it is 20 mN / cm or more, Preferably it is 60 mN / cm or less, More preferably, it is 40 mN / cm or less. When the peel strength is equal to or higher than the lower limit, unintended peeling of the first base film is suppressed. A 1st base film can be favorably peeled as the said peeling strength is below the said upper limit.

上記第1,第2の基材フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレートフィルム及びポリブチレンテレフタレートフィルムなどのポリエステル樹脂フィルム、ポリエチレンフィルム及びポリプロピレンフィルムなどのオレフィン樹脂フィルム、並びにポリイミド樹脂フィルム等が挙げられる。溶剤の存在割合を制御するために、上記第1の基材フィルムと上記第2の基材フィルムとが異なることが好ましい。   Examples of the first and second base films include polyester resin films such as polyethylene terephthalate film and polybutylene terephthalate film, olefin resin films such as polyethylene film and polypropylene film, and polyimide resin films. In order to control the presence ratio of the solvent, it is preferable that the first base film and the second base film are different.

上記絶縁フィルムに用いることができる各成分については、後に詳しく記載する。   Each component that can be used for the insulating film will be described in detail later.

(積層構造体の製造方法)
本発明に係る積層構造体の製造方法では、上述した積層フィルムを用いる。上記積層フィルムが上記第2の基材フィルムを備える場合には、上記絶縁フィルムの上記第2の表面から上記第2の基材フィルムを剥離して、上記積層フィルムが用いられる。本発明に係る積層構造体の製造方法は、ラミネート工程と、剥離工程とを備える。上記ラミネート工程は、上記絶縁フィルムを上記第2の表面側から、上記第1の基材フィルムが積層された状態で、積層対象部材にラミネートする工程である。上記剥離工程は、上記ラミネート工程後に行われる。上記剥離工程は、上記絶縁フィルムの上記第1の表面から上記第1の基材フィルムを剥離する工程である。
(Manufacturing method of laminated structure)
In the manufacturing method of the laminated structure according to the present invention, the above-described laminated film is used. When the laminated film includes the second base film, the second base film is peeled from the second surface of the insulating film, and the laminated film is used. The method for manufacturing a laminated structure according to the present invention includes a laminating step and a peeling step. The laminating step is a step of laminating the insulating film from the second surface side on the lamination target member in a state where the first base film is laminated. The peeling step is performed after the laminating step. The peeling step is a step of peeling the first base film from the first surface of the insulating film.

本発明に係る積層構造体の製造方法では、上述した構成を備えているので、絶縁フィルムを第1の基材フィルムとともにラミネートした後に、第1の基材フィルムを良好に剥離することができる。第1の基材フィルムを容易に剥離することができ、剥離時にすじが形成されるのを抑えることができる。さらに、第1の基材フィルムが剥離された後に、露出した絶縁フィルムの表面は、良好な形状である。このため、この絶縁フィルムの表面に金属層を配置することで、絶縁フィルムが硬化した絶縁層と金属層との密着強度を高めることができる。   In the manufacturing method of the laminated structure which concerns on this invention, since the structure mentioned above is provided, after laminating | stacking an insulating film with a 1st base film, a 1st base film can be peeled favorably. The first base film can be easily peeled off, and the formation of streaks during peeling can be suppressed. Furthermore, after the first base film is peeled off, the exposed surface of the insulating film has a good shape. For this reason, the adhesive strength of the insulating layer and metal layer which the insulating film hardened | cured can be improved by arrange | positioning a metal layer on the surface of this insulating film.

上記積層対象部材としては、金属層を表面に有する基板、金属層を表面に有する絶縁層等が挙げられる。上記積層対象部材は、金属層を表面に有する基板であってもよく、金属層を表面に有する絶縁層であってもよい。上記金属層を表面に有する基板は、回路基板であることが好ましい。   Examples of the member to be laminated include a substrate having a metal layer on the surface and an insulating layer having a metal layer on the surface. The lamination target member may be a substrate having a metal layer on the surface or an insulating layer having a metal layer on the surface. The substrate having the metal layer on the surface is preferably a circuit board.

本発明に係る積層構造体の製造方法は、1)上記剥離工程後に、上記絶縁フィルムを予備硬化させる予備硬化工程、2)上記予備硬化工程後に、上記絶縁フィルムの上記積層対象部材側とは反対の表面を粗化処理する粗化処理工程、3)上記粗化処理工程後に、粗化処理された絶縁フィルムの上記積層対象部材側とは反対の表面に、めっき処理により金属層を形成するめっき工程、並びに4)上記めっき工程後に、予備硬化された絶縁フィルムを硬化させる本硬化工程、の各工程を備えることが好ましい。   The manufacturing method of the laminated structure according to the present invention includes: 1) a pre-curing step for pre-curing the insulating film after the peeling step, and 2) after the pre-curing step, opposite to the lamination target member side of the insulating film. 3) Roughening treatment step for roughening the surface of the film 3) Plating for forming a metal layer by plating treatment on the surface opposite to the lamination target member side of the roughened insulating film after the roughening treatment step It is preferable to provide each process of the process and 4) the main hardening process of hardening the precured insulating film after the said plating process.

次に、図2(a)〜(d)及び図3(a)〜(c)を参照しつつ、積層構造体の製造方法の各工程を具体的に説明する。   Next, each process of the manufacturing method of a laminated structure is demonstrated concretely, referring FIG. 2 (a)-(d) and FIG. 3 (a)-(c).

先ず、図1に示す積層フィルム1を用意する。この積層フィルム1を用いて、絶縁フィルム2の第2の表面2bから第2の基材フィルム4を剥離する。第2の基材フィルム4の剥離後に、絶縁フィルム2と第1の基材フィルム3との積層フィルム1Aが得られる(図2(a)、前剥離工程(第1の剥離工程))。   First, the laminated film 1 shown in FIG. 1 is prepared. Using this laminated film 1, the second base film 4 is peeled from the second surface 2 b of the insulating film 2. After peeling of the second base film 4, a laminated film 1A of the insulating film 2 and the first base film 3 is obtained (FIG. 2 (a), pre-peeling step (first peeling step)).

次に、絶縁フィルム2を第2の表面2b側から、第1の基材フィルム3が積層された状態で、積層対象部材21にラミネートする(図2(b)、ラミネート工程)。ここでは、積層対象部材21として、金属層21bを表面に有する基板が用いられており、この基板は回路基板である。この基板は、基板本体21aと、基板本体21a上に金属層21bとを有する。ラミネート後に、絶縁フィルム2は、第2の表面2b側で、積層対象部材21と接する。絶縁フィルム2は、金属層21bが無い領域で基板本体21aと接し、金属層21bがある領域で金属層21bと接する。   Next, the insulating film 2 is laminated on the lamination target member 21 in a state where the first base film 3 is laminated from the second surface 2b side (FIG. 2B, laminating step). Here, a substrate having a metal layer 21b on the surface is used as the lamination target member 21, and this substrate is a circuit board. This substrate has a substrate body 21a and a metal layer 21b on the substrate body 21a. After lamination, the insulating film 2 is in contact with the lamination target member 21 on the second surface 2b side. The insulating film 2 is in contact with the substrate body 21a in a region where the metal layer 21b is not present, and is in contact with the metal layer 21b in a region where the metal layer 21b is present.

次に、上記ラミネート工程後に、絶縁フィルム2の第1の表面2aから第1の基材フィルム3を剥離する。第1の基材フィルム3を剥離すると、絶縁フィルム2の第1の表面2aが露出する(図2(c)、剥離工程(第2の剥離工程))。この剥離工程は、後述する予備硬化工程前に行われることが好ましい。剥離工程が、予備硬化工程前に行われると、溶剤などの揮発分が絶縁層内に残存しにくくなる。この結果、絶縁性などの信頼性の低下が抑えられる。また、第1の基材フィルムの剥離後に、第1の基材フィルムの表面形状が絶縁層に転写されにくくなる。   Next, the 1st base film 3 is peeled from the 1st surface 2a of the insulating film 2 after the said lamination process. When the 1st base film 3 is peeled, the 1st surface 2a of the insulating film 2 will be exposed (FIG.2 (c), peeling process (2nd peeling process)). This peeling step is preferably performed before the pre-curing step described later. If the peeling step is performed before the pre-curing step, volatile components such as a solvent hardly remain in the insulating layer. As a result, a decrease in reliability such as insulation can be suppressed. Further, after the first base film is peeled off, the surface shape of the first base film is hardly transferred to the insulating layer.

次に、上記剥離工程後に、絶縁フィルム2を予備硬化させる。絶縁フィルム2は、予備硬化された絶縁フィルム2Aになる(図2(d)、予備硬化工程)。   Next, after the peeling step, the insulating film 2 is precured. The insulating film 2 becomes a precured insulating film 2A (FIG. 2 (d), precuring step).

絶縁フィルムを適度に予備硬化させるための予備硬化温度は好ましくは100℃以上、好ましくは200℃以下、予備硬化時間は好ましくは0.5時間以上、好ましくは2時間以下である。   The pre-curing temperature for appropriately pre-curing the insulating film is preferably 100 ° C. or more, preferably 200 ° C. or less, and the pre-curing time is preferably 0.5 hours or more, preferably 2 hours or less.

次に、上記予備硬化工程後に、絶縁フィルム2の積層対象部材21側とは反対の第1の表面2a(上面)を粗化処理する。予備硬化された絶縁フィルム2Aは、粗化処理された絶縁フィルム2Bになる(図3(a)、粗化処理工程)。粗化処理前に膨潤処理を行ってもよい。   Next, after the preliminary curing step, the first surface 2a (upper surface) opposite to the lamination target member 21 side of the insulating film 2 is roughened. The pre-cured insulating film 2A becomes a roughened insulating film 2B (FIG. 3A, roughening treatment step). You may perform a swelling process before a roughening process.

上記粗化処理には、例えば、マンガン化合物、クロム化合物又は過硫酸化合物などの化学酸化剤等が用いられる。これらの化学酸化剤は、水又は有機溶剤が添加された後、水溶液又は有機溶媒分散溶液として用いられる。粗化処理に用いられる粗化液は、一般にpH調整剤などとしてアルカリを含む。粗化液は、水酸化ナトリウムを含むことが好ましい。   For the roughening treatment, for example, a chemical oxidizing agent such as a manganese compound, a chromium compound, or a persulfuric acid compound is used. These chemical oxidizers are used as an aqueous solution or an organic solvent dispersion after water or an organic solvent is added. The roughening liquid used for the roughening treatment generally contains an alkali as a pH adjuster or the like. The roughening solution preferably contains sodium hydroxide.

上記マンガン化合物としては、過マンガン酸カリウム及び過マンガン酸ナトリウム等が挙げられる。上記クロム化合物としては、重クロム酸カリウム及び無水クロム酸カリウム等が挙げられる。上記過硫酸化合物としては、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム及び過硫酸アンモニウム等が挙げられる。   Examples of the manganese compound include potassium permanganate and sodium permanganate. Examples of the chromium compound include potassium dichromate and anhydrous potassium chromate. Examples of the persulfate compound include sodium persulfate, potassium persulfate, and ammonium persulfate.

上記粗化処理の方法は特に限定されない。上記粗化処理の方法として、例えば、30〜90g/L過マンガン酸又は過マンガン酸塩溶液及び30〜90g/L水酸化ナトリウム溶液を用いて、処理温度30〜85℃及び1〜40分間の条件で、予備硬化された絶縁フィルムを処理する方法が好適である。この粗化処理は、1回又は2回行われることが好ましい。上記粗化処理の温度は50〜85℃の範囲内であることが好ましい。   The method for the roughening treatment is not particularly limited. As the method of the roughening treatment, for example, using a 30 to 90 g / L permanganate or permanganate solution and a 30 to 90 g / L sodium hydroxide solution, the treatment temperature is 30 to 85 ° C. and 1 to 40 minutes. A method of treating a precured insulating film under conditions is suitable. This roughening treatment is preferably performed once or twice. It is preferable that the temperature of the said roughening process exists in the range of 50-85 degreeC.

上記絶縁フィルムの粗化処理された表面の算術平均粗さRaは好ましくは50nm以上、より好ましくは70nm以上、好ましくは150nm以下、より好ましくは100nm以下である。上記算術平均粗さRaが上記下限以上及び上記上限以下であると、絶縁層と金属層との密着性がより一層高くなる。上記算術平均粗さは、JIS B0601−1994に準拠して測定される。   The arithmetic average roughness Ra of the roughened surface of the insulating film is preferably 50 nm or more, more preferably 70 nm or more, preferably 150 nm or less, more preferably 100 nm or less. When the arithmetic average roughness Ra is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the adhesion between the insulating layer and the metal layer is further enhanced. The arithmetic average roughness is measured according to JIS B0601-1994.

次に、上記粗化処理工程後に、粗化処理された絶縁フィルム2Bの積層対象部材21側とは反対の第1の表面2a(上面)に、めっき処理により金属層22を形成する(図3(b)、めっき工程)。ここでは、微細な金属配線である金属層22が形成されている。絶縁フィルム上に金属層を形成した後に、ドライフィルムレジストを積層し、露光及び現像して、レジストパターンを形成し、次に、レジストパターンの開口部においてエッチング処理により金属層を部分的に除去して、レジストパターンを剥離して、金属配線を形成してもよい。絶縁フィルム上にドライフィルムレジストを積層し、露光及び現像して、レジストパターンを形成し、次にレジストパターンの開口部において金属配線を形成し、レジストパターンを剥離して、金属配線を形成してもよい。また、ドライフィルムレジストを用いずに、直接にレジストパターンを形成してもよい。   Next, after the roughening treatment step, a metal layer 22 is formed by plating on the first surface 2a (upper surface) opposite to the lamination target member 21 side of the roughened insulating film 2B (FIG. 3). (B) Plating step). Here, a metal layer 22 which is a fine metal wiring is formed. After forming a metal layer on the insulating film, a dry film resist is laminated, exposed and developed to form a resist pattern, and then the metal layer is partially removed by etching at the opening of the resist pattern. Then, the resist pattern may be peeled off to form the metal wiring. A dry film resist is laminated on an insulating film, exposed and developed to form a resist pattern, then a metal wiring is formed in the opening of the resist pattern, the resist pattern is peeled off, and a metal wiring is formed. Also good. Moreover, you may form a resist pattern directly, without using a dry film resist.

積層フィルムの使用により、金属層を微細配線にすることができる。微細配線である金属層のL/Sは好ましくは20μm以下/20μm以下、より好ましくは15μm以下/15μm以下、更に好ましくは10μm以下/10μm以下である。   By using a laminated film, the metal layer can be made into fine wiring. The L / S of the metal layer which is a fine wiring is preferably 20 μm or less / 20 μm or less, more preferably 15 μm or less / 15 μm or less, and further preferably 10 μm or less / 10 μm or less.

次に、上記めっき工程後に、予備硬化されかつ粗化処理された絶縁フィルム2Bを硬化させる。粗化処理された絶縁フィルム2Bは、絶縁層2Cになる(図3(c)、本硬化工程)。   Next, after the plating step, the pre-cured and roughened insulating film 2B is cured. The roughened insulating film 2B becomes the insulating layer 2C (FIG. 3C, main curing step).

上記本硬化工程において、絶縁フィルムを充分に硬化させるための本硬化温度は好ましくは150℃以上、好ましくは200℃以下、本硬化時間は好ましくは0.5時間以上、好ましくは2時間以下である。上記本硬化工程における本硬化温度は、上記予備硬化工程における予備硬化温度よりも好ましくは20℃以上高い。   In the main curing step, the main curing temperature for sufficiently curing the insulating film is preferably 150 ° C. or higher, preferably 200 ° C. or lower, and the main curing time is preferably 0.5 hours or longer, preferably 2 hours or shorter. . The main curing temperature in the main curing step is preferably 20 ° C. or more higher than the precuring temperature in the preliminary curing step.

上記本硬化工程では、複数の絶縁フィルムを積層した後に、複数の絶縁フィルムを一度に硬化させてもよい。   In the main curing step, the plurality of insulating films may be cured at once after the plurality of insulating films are laminated.

上記の工程を経て、積層構造体を得ることができる。   A laminated structure can be obtained through the above steps.

複数の金属層が複数の絶縁層を介して積層されているプリント配線板は、ビルドアップ法を用いて得ることが可能である。上記積層構造体は、プリント配線板であることが好ましく、ビルドアップ配線板であることが好ましい。上記ビルドアップ法では、金属部を上面に有する基板を用いて、基板上に絶縁層を形成する工程と、さらにその上に金属部を形成する工程と、さらにその上に絶縁層を形成する工程とが繰り返し行われる。これらの工程によって、多層ビルドアップ配線板が得られる。   A printed wiring board in which a plurality of metal layers are laminated via a plurality of insulating layers can be obtained by using a build-up method. The laminated structure is preferably a printed wiring board, and is preferably a build-up wiring board. In the build-up method, a step of forming an insulating layer on a substrate using a substrate having a metal portion on the upper surface, a step of further forming a metal portion thereon, and a step of forming an insulating layer thereon And are repeated. Through these steps, a multilayer build-up wiring board is obtained.

(絶縁フィルムの材料)
[熱硬化性樹脂]
上記絶縁フィルムに含まれる熱硬化性樹脂は特に限定されない。上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド、及びアクリル樹脂等が挙げられる。絶縁性や機械強度をより一層良好にする観点からは、上記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂であることが好ましい。上記熱硬化性樹脂は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(Insulating film material)
[Thermosetting resin]
The thermosetting resin contained in the insulating film is not particularly limited. Examples of the thermosetting resin include epoxy resin, polyimide, and acrylic resin. From the viewpoint of further improving the insulation and mechanical strength, the thermosetting resin is preferably an epoxy resin. As for the said thermosetting resin, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、アダマンタン骨格を有するエポキシ樹脂、トリシクロデカン骨格を有するエポキシ樹脂、及びトリアジン核を骨格に有するエポキシ樹脂等が挙げられる。上記エポキシ樹脂は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   Examples of the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, biphenyl novolac type epoxy resin, biphenol type epoxy resin, and naphthalene type epoxy resin. Fluorene type epoxy resin, phenol aralkyl type epoxy resin, naphthol aralkyl type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, epoxy resin having adamantane skeleton, epoxy resin having tricyclodecane skeleton, and triazine nucleus Examples thereof include an epoxy resin having a skeleton. As for the said epoxy resin, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

[硬化剤]
上記絶縁フィルムに含まれる硬化剤は特に限定されない。上記硬化剤は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Curing agent]
The curing agent contained in the insulating film is not particularly limited. As for the said hardening | curing agent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記硬化剤としては、シアネートエステル化合物(シアネートエステル硬化剤)、フェノール化合物(フェノール硬化剤)、アミン化合物(アミン硬化剤)、チオール化合物(チオール硬化剤)、イミダゾール化合物、ホスフィン化合物、酸無水物、活性エステル化合物及びジシアンジアミド等が挙げられる。なかでも、熱による寸法変化がより一層小さい絶縁層を形成する観点からは、上記硬化剤は、シアネートエステル化合物又はフェノール化合物であることが好ましい。上記硬化剤は、シアネートエステル化合物であることが好ましく、フェノール化合物であることも好ましい。上記硬化剤は、上記熱硬化性樹脂の熱硬化性基と反応可能な官能基を有することが好ましい。   As the curing agent, cyanate ester compound (cyanate ester curing agent), phenol compound (phenol curing agent), amine compound (amine curing agent), thiol compound (thiol curing agent), imidazole compound, phosphine compound, acid anhydride, Examples include active ester compounds and dicyandiamide. Among these, from the viewpoint of forming an insulating layer whose dimensional change due to heat is much smaller, the curing agent is preferably a cyanate ester compound or a phenol compound. The curing agent is preferably a cyanate ester compound, and is preferably a phenol compound. The curing agent preferably has a functional group capable of reacting with the thermosetting group of the thermosetting resin.

粗化処理された絶縁層の表面の表面粗さをより一層小さくし、絶縁層と金属層との接着強度をより一層高くし、かつ絶縁層の表面により一層微細な配線を形成する観点からは、上記硬化剤は、シアネートエステル化合物、フェノール化合物又は活性エステル化合物であることが好ましい。   From the viewpoint of further reducing the surface roughness of the roughened insulating layer, further increasing the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer, and forming finer wiring on the surface of the insulating layer. The curing agent is preferably a cyanate ester compound, a phenol compound or an active ester compound.

上記シアネートエステル化合物としては、ノボラック型シアネートエステル樹脂、ビスフェノール型シアネートエステル樹脂、並びにこれらが一部三量化されたプレポリマー等が挙げられる。上記ノボラック型シアネートエステル樹脂としては、フェノールノボラック型シアネートエステル樹脂及びアルキルフェノール型シアネートエステル樹脂等が挙げられる。上記ビスフェノール型シアネートエステル樹脂としては、ビスフェノールA型シアネートエステル樹脂、ビスフェノールE型シアネートエステル樹脂及びテトラメチルビスフェノールF型シアネートエステル樹脂等が挙げられる。   Examples of the cyanate ester compound include novolac-type cyanate ester resins, bisphenol-type cyanate ester resins, and prepolymers in which these are partially trimerized. As said novolak-type cyanate ester resin, a phenol novolak-type cyanate ester resin, an alkylphenol-type cyanate ester resin, etc. are mentioned. Examples of the bisphenol type cyanate ester resin include bisphenol A type cyanate ester resin, bisphenol E type cyanate ester resin, and tetramethylbisphenol F type cyanate ester resin.

上記シアネートエステル化合物の市販品としては、フェノールノボラック型シアネートエステル樹脂(ロンザジャパン社製「PT−30」及び「PT−60」)、及びビスフェノール型シアネートエステル樹脂が三量化されたプレポリマー(ロンザジャパン社製「BA−230S」、「BA−3000S」、「BTP−1000S」及び「BTP−6020S」)等が挙げられる。   Commercially available products of the above-mentioned cyanate ester compounds include phenol novolac type cyanate ester resins (Lonza Japan "PT-30" and "PT-60"), and prepolymers (Lonza Japan) in which bisphenol type cyanate ester resins are trimerized. "BA-230S", "BA-3000S", "BTP-1000S", and "BTP-6020S") manufactured by the company.

上記フェノール化合物は特に限定されない。該フェノール化合物として、従来公知のフェノール化合物を使用可能である。上記フェノール化合物は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   The phenol compound is not particularly limited. A conventionally well-known phenol compound can be used as this phenol compound. As for the said phenol compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記フェノール化合物としては、ノボラック型フェノール、ビフェノール型フェノール、ナフタレン型フェノール、ジシクロペンタジエン型フェノール、アラルキル型フェノール及びジシクロペンタジエン型フェノール等が挙げられる。   Examples of the phenol compound include novolak type phenol, biphenol type phenol, naphthalene type phenol, dicyclopentadiene type phenol, aralkyl type phenol, dicyclopentadiene type phenol and the like.

上記フェノール化合物の市販品としては、ノボラック型フェノール(DIC社製「TD−2091」)、ビフェニルノボラック型フェノール(明和化成社製「MEH−7851」)、アラルキル型フェノール化合物(明和化成社製「MEH−7800」)、並びにアミノトリアジン骨格を有するフェノール(DIC社製「LA−1356」及び「LA3018−50P」)等が挙げられる。   Examples of commercially available phenolic compounds include novolak type phenol (“TD-2091” manufactured by DIC), biphenyl novolac type phenol (“MEH-7851” manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.), and aralkyl type phenol compound (“MEH manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.). -7800 "), and phenols having aminotriazine skeletons (" LA-1356 "and" LA3018-50P "manufactured by DIC).

粗化処理された絶縁層の表面の表面粗さをより一層小さくし、絶縁層と金属層との接着強度をより一層高くし、かつ絶縁層の表面により一層微細な配線を形成する観点からは、上記フェノール化合物は、ビフェニルノボラック型フェノール化合物、又はアラルキル型フェノール化合物であることが好ましい。   From the viewpoint of further reducing the surface roughness of the roughened insulating layer, further increasing the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer, and forming finer wiring on the surface of the insulating layer. The phenol compound is preferably a biphenyl novolac type phenol compound or an aralkyl type phenol compound.

上記活性エステル化合物は特に限定されない。上記活性エステル化合物の市販品としては、DIC社製「HPC8000」及び「EXB9416」等が挙げられる。   The active ester compound is not particularly limited. Commercially available products of the active ester compounds include “HPC8000” and “EXB9416” manufactured by DIC.

上記絶縁フィルムに含まれている上記フィラーを除く固形分A100重量%中、上記熱硬化性樹脂と上記硬化剤との合計の含有量は、好ましくは75重量%以上、より好ましくは80重量%以上、好ましくは99重量%以下、より好ましくは97重量%以下である。   The total content of the thermosetting resin and the curing agent in the solid content A of 100% by weight excluding the filler contained in the insulating film is preferably 75% by weight or more, more preferably 80% by weight or more. , Preferably 99% by weight or less, more preferably 97% by weight or less.

上記熱硬化性樹脂と上記硬化剤との合計の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、より一層良好な絶縁層が得られ、溶融粘度を調整することができるためにフィラーの分散性が良好になり、かつ硬化過程で、意図しない領域に絶縁フィルムが濡れ拡がることを防止できる。さらに、絶縁層の熱による寸法変化をより一層抑制できる。また、上記熱硬化性樹脂と上記硬化剤との合計の含有量が上記下限未満であると、絶縁フィルムの回路基板の穴又は凹凸に対する埋め込みが困難になる。また、上記熱硬化性樹脂と上記硬化剤との合計の含有量が上記上限を超えると、溶融粘度が低くなりすぎて硬化過程で、意図しない領域に絶縁フィルムが濡れ拡がりやすくなる傾向がある。「固形分A」とは、熱硬化性樹脂と硬化剤と必要に応じて配合される他の固形分との総和をいう。固形分Aには、フィラーは含まれない。「固形分」とは、不揮発成分であり、成形又は加熱時に揮発しない成分をいう。   When the total content of the thermosetting resin and the curing agent is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, a better insulating layer can be obtained and the melt viscosity can be adjusted, so that the dispersion of the filler It becomes possible to prevent the insulating film from spreading and spreading in unintended areas during the curing process. Furthermore, the dimensional change by the heat | fever of an insulating layer can be suppressed further. Moreover, when the total content of the thermosetting resin and the curing agent is less than the lower limit, it is difficult to embed the insulating film in the holes or irregularities of the circuit board. In addition, when the total content of the thermosetting resin and the curing agent exceeds the upper limit, the melt viscosity tends to be too low and the insulating film tends to wet and spread in unintended regions during the curing process. “Solid content A” refers to the sum of the thermosetting resin, the curing agent, and other solid components blended as necessary. Solid content A does not contain a filler. “Solid content” refers to a non-volatile component that does not volatilize during molding or heating.

上記熱硬化性樹脂と上記硬化剤との配合比は特に限定されない。熱硬化性樹脂と硬化剤との配合比は、熱硬化性樹脂と硬化剤との種類により適宜決定される。   The compounding ratio of the thermosetting resin and the curing agent is not particularly limited. The mixing ratio of the thermosetting resin and the curing agent is appropriately determined depending on the type of the thermosetting resin and the curing agent.

[フィラー]
上記絶縁フィルムに含まれている上記フィラーとしては、有機フィラー及び無機フィラー等が挙げられる。無機フィラーが好ましい。上記フィラーは、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Filler]
Examples of the filler contained in the insulating film include organic fillers and inorganic fillers. Inorganic fillers are preferred. As for the said filler, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記無機フィラーとしては、シリカ、タルク、クレイ、マイカ、ハイドロタルサイト、アルミナ、酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素等が挙げられる。粗化処理された絶縁層の表面の表面粗さを小さくし、絶縁層と金属層との接着強度をより一層高くし、かつ絶縁層の表面により一層微細な配線を形成し、かつ絶縁層により良好な絶縁信頼性を付与する観点からは、上記無機フィラーは、シリカ又はアルミナであることが好ましく、シリカであることがより好ましく、溶融シリカであることが更に好ましい。シリカの使用により、絶縁層の線膨張率がより一層低くなり、かつ粗化処理された絶縁層の表面の表面粗さが効果的に小さくなり、絶縁層と金属層との接着強度が効果的に高くなる。シリカの形状は略球状であることが好ましい。   Examples of the inorganic filler include silica, talc, clay, mica, hydrotalcite, alumina, magnesium oxide, aluminum hydroxide, aluminum nitride, and boron nitride. The surface roughness of the roughened insulating layer is reduced, the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer is further increased, finer wiring is formed on the surface of the insulating layer, and the insulating layer From the viewpoint of imparting good insulation reliability, the inorganic filler is preferably silica or alumina, more preferably silica, and still more preferably fused silica. By using silica, the linear expansion coefficient of the insulating layer is further reduced, the surface roughness of the roughened insulating layer is effectively reduced, and the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer is effective. To be high. The shape of silica is preferably substantially spherical.

上記フィラーの平均粒径は、好ましくは0.1μm以上、好ましくは20μm以下、より好ましくは1μm以下である。上記フィラーの平均粒径として、50%となるメディアン径(d50)の値が採用される。上記平均粒径は、レーザー回折散乱方式の粒度分布測定装置を用いて測定できる。   The average particle size of the filler is preferably 0.1 μm or more, preferably 20 μm or less, more preferably 1 μm or less. A median diameter (d50) value of 50% is adopted as the average particle diameter of the filler. The average particle size can be measured using a laser diffraction / scattering particle size distribution analyzer.

上記フィラーは、表面処理されていることが好ましく、カップリング剤により表面処理されていることがより好ましい。これにより、粗化処理された絶縁層の表面の表面粗さがより一層小さくなり、絶縁層と金属層との接着強度がより一層高くなり、かつ絶縁層の表面により一層微細な配線が形成され、かつより一層良好な配線間絶縁信頼性及び層間絶縁信頼性を絶縁層に付与することができる。   The filler is preferably surface-treated, and more preferably surface-treated with a coupling agent. As a result, the surface roughness of the roughened insulating layer is further reduced, the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer is further increased, and finer wiring is formed on the surface of the insulating layer. In addition, it is possible to provide the insulating layer with much better inter-wiring insulation reliability and interlayer insulation reliability.

上記カップリング剤としては、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤及びアルミニウムカップリング剤等が挙げられる。上記シランカップリング剤としては、アミノシラン、イミダゾールシラン、ビニルシラン及びエポキシシラン等が挙げられる。   Examples of the coupling agent include silane coupling agents, titanate coupling agents, and aluminum coupling agents. Examples of the silane coupling agent include amino silane, imidazole silane, vinyl silane, and epoxy silane.

上記絶縁フィルム100重量%中、上記フィラーの含有量は、より好ましくは55重量%以上、更に好ましくは60重量%以上、より好ましくは80重量%以下である。上記フィラーの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、粗化処理された絶縁層の表面の表面粗さがより一層小さくなり、絶縁層と金属層との接着強度がより一層高くなり、かつ絶縁層の表面により一層微細な配線を形成することができると同時に、このフィラー量であれば金属銅並に絶縁層の熱線膨張係数を低くすることも可能である。   The content of the filler in 100% by weight of the insulating film is more preferably 55% by weight or more, further preferably 60% by weight or more, and more preferably 80% by weight or less. When the content of the filler is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the surface roughness of the surface of the roughened insulating layer is further reduced, and the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer is further increased. In addition, finer wiring can be formed on the surface of the insulating layer, and at the same time, the thermal expansion coefficient of the insulating layer can be reduced to the same level as that of metallic copper.

本発明では、上記絶縁フィルム100重量%中、上記フィラーの含有量が多くても、上記フィラーの含有量が55重量%以上であっても、ラミネート後に、第1の基材フィルムを良好に剥離することができる。   In the present invention, even if the filler content is high or the filler content is 55% by weight or more in 100% by weight of the insulating film, the first base film is peeled off well after lamination. can do.

[溶剤]
上記絶縁フィルムに含まれている上記溶剤としては、アセトン、メタノール、エタノール、ブタノール、2−プロパノール、2−メトキシエタノール、2−エトキシエタノール、1−メトキシ−2−プロパノール、2−アセトキシ−1−メトキシプロパン、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、N,N−ジメチルホルムアミド、メチルイソブチルケトン、N−メチル−ピロリドン、n−ヘキサン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン及び混合物であるナフサ等が挙げられる。上記溶剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[solvent]
Examples of the solvent contained in the insulating film include acetone, methanol, ethanol, butanol, 2-propanol, 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, 1-methoxy-2-propanol, and 2-acetoxy-1-methoxy. Examples thereof include propane, toluene, xylene, methyl ethyl ketone, N, N-dimethylformamide, methyl isobutyl ketone, N-methyl-pyrrolidone, n-hexane, cyclohexane, cyclohexanone and naphtha which is a mixture. As for the said solvent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記絶縁フィルム100重量%中、上記溶剤の含有量は好ましくは1重量%以上、より好ましくは2重量%以上、好ましくは5重量%以下、より好ましくは4重量%以下である。上記溶剤の含有量が上記下限以上であると、絶縁フィルムが過度に流動しにくくなる。上記溶剤の含有量が上記上限以下であると、絶縁層に溶剤がより一層残存し難くなる。   In 100% by weight of the insulating film, the content of the solvent is preferably 1% by weight or more, more preferably 2% by weight or more, preferably 5% by weight or less, more preferably 4% by weight or less. When the content of the solvent is not less than the above lower limit, the insulating film hardly flows excessively. When the content of the solvent is not more than the above upper limit, the solvent is more difficult to remain in the insulating layer.

[他の成分及びエポキシ樹脂材料の詳細]
上記絶縁フィルムは、必要に応じて硬化促進剤、熱可塑性樹脂及びレベリング剤等を含んでいてもよい。
[Details of other components and epoxy resin materials]
The said insulating film may contain the hardening accelerator, the thermoplastic resin, the leveling agent, etc. as needed.

上記硬化促進剤の使用により、絶縁フィルムの硬化速度がより一層速くなる。絶縁フィルムを速やかに硬化させることで、絶縁層の架橋構造が均一になる。上記硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール化合物、リン化合物、アミン化合物及び有機金属化合物等が挙げられる。上記硬化促進剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   By using the curing accelerator, the curing speed of the insulating film is further increased. By rapidly curing the insulating film, the crosslinked structure of the insulating layer becomes uniform. Examples of the curing accelerator include imidazole compounds, phosphorus compounds, amine compounds, and organometallic compounds. As for the said hardening accelerator, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記熱可塑性樹脂としては、フェノキシ樹脂及びポリビニルアセタール樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   Examples of the thermoplastic resin include phenoxy resin and polyvinyl acetal resin. As for the said thermoplastic resin, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

以下、実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。   Hereinafter, the present invention will be specifically described by giving examples and comparative examples. The present invention is not limited to the following examples.

絶縁フィルムを形成するために、以下の材料を用いた。実施例、参考例及び比較例では、以下の成分を用いた。 In order to form the insulating film, the following materials were used. In the examples , reference examples and comparative examples, the following components were used.

(熱硬化性樹脂)
ビフェニル型エポキシ樹脂(日本化薬社製「NC3000H」)
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(DIC社製「850S」)
ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂(日本化薬社製「XD1000」)
(Thermosetting resin)
Biphenyl type epoxy resin (“NC3000H” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
Bisphenol A type epoxy resin (DIC Corporation "850S")
Dicyclopentadiene type epoxy resin (“XD1000” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)

(硬化剤)
フェノールノボラック硬化剤(明和化成社製「H4」)
アミノトリアジン変性フェノールノボラック硬化剤(DIC社製「LA−1356」)
ジシクロペンタジエン骨格活性エステル硬化剤(DIC社製「HPC8000」)
(Curing agent)
Phenol novolac curing agent (“H4” by Meiwa Kasei Co., Ltd.)
Aminotriazine-modified phenol novolac curing agent (“LA-1356” manufactured by DIC)
Dicyclopentadiene skeleton active ester curing agent (“HPC8000” manufactured by DIC)

(フィラー)
アミノフェニルシラン処理シリカ(平均粒径0.5μm(5μm以上の粗粒をカット済)、アドマテックス社製「SOC2」)
(Filler)
Aminophenylsilane-treated silica (average particle size 0.5 μm (coarse particles of 5 μm or more have been cut), “SOC2” manufactured by Admatechs)

(硬化促進剤)
2−エチル−4−メチルイミダゾール(四国化成工業社製「2E4MZ」)
(Curing accelerator)
2-Ethyl-4-methylimidazole (“2E4MZ” manufactured by Shikoku Chemicals)

(熱可塑性樹脂)
ビスフェノールアセトフェノン骨格フェノキシ樹脂(三菱化学社製「YX6954」)
(Thermoplastic resin)
Bisphenol acetophenone skeleton phenoxy resin ("YX6954" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation)

(レベリング剤)
レベリング剤(楠本化成社製「LS−480」)
(Leveling agent)
Leveling agent (“LS-480” manufactured by Enomoto Kasei Co., Ltd.)

(溶剤)
シクロヘキサノン
メチルエチルケトン
ジメチルホルムアミド(DMF)
トルエン
(solvent)
Cyclohexanone Methyl ethyl ketone Dimethylformamide (DMF)
toluene

第1,第2の基材フィルムとして以下のフィルムを用意した。   The following films were prepared as the first and second substrate films.

離型処理PETフィルム1(リンテック社製「2511」、表面自由エネルギー20mJ/m
離型処理PETフィルム2(リンテック社製「T157」、表面自由エネルギー45mJ/m
未処理PETフィルム(東レ社製「T60M」、表面自由エネルギー47mJ/m
ポリプロピレンフィルム(王子エフテックス社製「MA411」、表面自由エネルギー28mJ/m
Release processing PET film 1 (“2511” manufactured by Lintec Corporation, surface free energy 20 mJ / m 2 )
Release processing PET film 2 (“T157” manufactured by Lintec Corporation, surface free energy 45 mJ / m 2 )
Untreated PET film (“T60M” manufactured by Toray Industries, Inc., surface free energy 47 mJ / m 2 )
Polypropylene film ("MA411" manufactured by Oji F-Tex, surface free energy 28mJ / m 2 )

(実施例1)
(1)積層フィルムの作製
アミノフェニルシラン処理シリカ(アドマテックス社製「SOC2」)のシクロヘキサノンスラリー(固形分70重量%)107重量部に、ビフェニル型エポキシ樹脂(日本化薬社製「NC3000H」)11重量部と、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(DIC社製「850S」)5重量部と、シクロヘキサノン7.9重量部と、メチルエチルケトン7.7重量部とを加え、攪拌機を用いて、1200rpmで60分間撹拌した。次に、未溶解物がなくなったことを確認した。その後、アミノトリアジン変性フェノールノボラック硬化剤(DIC社製「LA−1356」)のメチルエチルケトン混合溶液(固形分50重量%)11重量部と、フェノールノボラック硬化剤(明和化成社製「H4」)3重量部とを加えて、1200rpmで60分間撹拌し未溶解物がなくなったことを確認した後、ビスフェノールアセトフェノン骨格フェノキシ樹脂(三菱化学社製「YX6954」)のメチルエチルケトン及びシクロヘキサノン混合溶液(固形分30重量%)0.67重量部と、2−エチル−4−メチルイミダゾール(四国化成工業社製「2E4MZ」)0.1重量部と、レベリング剤(楠本化成社製「LS−480」)0.01重量部とをさらに加え、1200rpmで30分間撹拌し、樹脂ワニスを得た。
Example 1
(1) Production of laminated film In 107 parts by weight of cyclohexanone slurry (solid content 70% by weight) of aminophenylsilane-treated silica ("SOC2" manufactured by Admatechs), biphenyl type epoxy resin ("NC3000H" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) 11 parts by weight, 5 parts by weight of bisphenol A type epoxy resin (“850S” manufactured by DIC), 7.9 parts by weight of cyclohexanone, and 7.7 parts by weight of methyl ethyl ketone are added, and the mixture is stirred at 1200 rpm for 60 minutes. Stir. Next, it was confirmed that there was no undissolved material. Thereafter, 11 parts by weight of a methyl ethyl ketone mixed solution (solid content 50% by weight) of aminotriazine-modified phenol novolak curing agent (“LA-1356” manufactured by DIC), and 3% by weight of phenol novolac curing agent (“H4” manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.) After stirring for 60 minutes at 1200 rpm and confirming that there was no undissolved material, a mixed solution of bisphenolacetophenone skeleton phenoxy resin (“YX6954” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) and cyclohexanone (solid content 30 wt%) ) 0.67 parts by weight, 0.1 part by weight of 2-ethyl-4-methylimidazole (“2E4MZ” manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) and 0.01 part by weight of a leveling agent (“LS-480” manufactured by Enomoto Kasei Co., Ltd.) Was further stirred at 1200 rpm for 30 minutes to obtain a resin varnish.

第2の基材フィルムとして離型処理PETフィルム1(リンテック社製「2511」)の離型面に、乾燥後の絶縁フィルム(樹脂組成物)の厚みが40μmとなるようにダイコーターにて樹脂ワニスを塗布し、100℃で2分間乾燥(乾燥条件)させて、絶縁フィルムを形成した。さらに、絶縁フィルムの表面に第1の基材フィルムとして離型処理PETフィルム2(リンテック社製「T157」)を80℃に加温されたロールラミネーターで貼り合せることにより、積層フィルム1を得た。   Resin with a die coater so that the thickness of the insulating film (resin composition) after drying is 40 μm on the release surface of the release-treated PET film 1 (“2511” manufactured by Lintec Corporation) as the second base film. A varnish was applied and dried at 100 ° C. for 2 minutes (drying conditions) to form an insulating film. Furthermore, the laminated film 1 was obtained by bonding a release-treated PET film 2 (“T157” manufactured by Lintec Corporation) as a first base film with a roll laminator heated to 80 ° C. on the surface of the insulating film. .

(2)積層構造体の作製
1)ラミネート工程:両面銅張積層板(各面の銅箔の厚さ18μm、基板厚み0.7mm、基板サイズ100mm×100mm、日立化成社製「MCL−E679FG」)を準備した。この両面銅張積層板の銅箔面の両面をメック社製「Cz8101」に浸漬して、銅箔の表面を粗化処理した。
(2) Production of laminated structure 1) Lamination process: Double-sided copper-clad laminate (thickness of copper foil on each side 18 μm, substrate thickness 0.7 mm, substrate size 100 mm × 100 mm, “MCL-E679FG” manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) ) Was prepared. Both surfaces of the copper foil surface of this double-sided copper-clad laminate were immersed in “Cz8101” manufactured by MEC, and the surface of the copper foil was roughened.

粗化処理された銅張積層板の両面に、名機製作所社製「バッチ式真空ラミネーターMVLP−500−IIA」を用いて、得られた積層フィルム1の第の基材フィルムを剥がし、絶縁フィルムの表面が銅張積層板面に対向するようにラミネート(真空ラミネート)して、積層構造体を得た。ラミネートの条件は、30秒減圧して気圧を13hPa以下とし、その後30秒間、100℃及び圧力0.8MPaでプレスする条件とした。 Using a “batch type vacuum laminator MVLP-500-IIA” manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd., the second base film of the obtained laminated film 1 is peeled off on both sides of the roughened copper clad laminate. Lamination (vacuum lamination) was performed so that the surface of the film faced the copper-clad laminate surface to obtain a laminated structure. The laminating condition was such that the pressure was reduced to 30 hPa or less by reducing the pressure for 30 seconds, and then pressing was performed at 100 ° C. and a pressure of 0.8 MPa for 30 seconds.

2)フィルム剥離工程:積層フィルム1の樹脂組成物がラミネートされた銅張積層板において、両側の第の基材フィルムを剥離した。 2) Film peeling process: In the copper clad laminated board on which the resin composition of the laminated film 1 was laminated, the first base film on both sides was peeled off.

3)硬化工程:内部の温度が150℃のギヤオーブン内に積層板を60分間入れ、絶縁フィルムを硬化させて、絶縁層を形成し、積層体を得た。   3) Curing step: The laminated plate was placed in a gear oven having an internal temperature of 150 ° C. for 60 minutes to cure the insulating film to form an insulating layer, thereby obtaining a laminated body.

4)粗化処理工程:得られた絶縁層を有する積層体を、下記の(a)膨潤処理をした後、下記の(b)粗化処理をした。   4) Roughening treatment step: The laminate having the obtained insulating layer was subjected to the following (a) swelling treatment, and then subjected to the following (b) roughening treatment.

(a)膨潤処理:
60℃の膨潤液(アトテックジャパン社製「スウェリングディップセキュリガントP」、和光純薬工業社製「水酸化ナトリウム」の水溶液)に、上記積層体を入れて、20分間揺動させた。その後、純水で洗浄した。すなわち、60℃で10分間膨潤処理を行った。
(A) Swelling treatment:
The laminate was placed in a 60 ° C. swelling solution (“Swelling Dip Securigant P” manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., “Sodium hydroxide” aqueous solution manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) and rocked for 20 minutes. Thereafter, it was washed with pure water. That is, the swelling treatment was performed at 60 ° C. for 10 minutes.

(b)粗化処理:
75℃の過マンガン酸ナトリウム(アトテックジャパン社製「コンセントレートコンパクトCP」、和光純薬工業社製「水酸化ナトリウム」)粗化水溶液に、上記積層体を入れて、20分間揺動させ、粗化処理された硬化物を得た。すなわち、75℃で20分間粗化処理を行った。
(B) Roughening treatment:
The above laminate is placed in a roughened aqueous solution of sodium permanganate at 75 ° C. (“Concentrate Compact CP” manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., “Sodium hydroxide” manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) and shaken for 20 minutes. A cured product was obtained. That is, a roughening treatment was performed at 75 ° C. for 20 minutes.

粗化処理された絶縁層を、40℃の中和液(アトテックジャパン社製「リダクションセキュリガントP」、和光純薬工業社製「硫酸」)により10分間洗浄した後、純水でさらに洗浄した。このようにして、銅張積層板上に、粗化処理された絶縁層(硬化物)を形成した。   The roughened insulating layer was washed for 10 minutes with a 40 ° C. neutralizing solution (“Reduction Securigant P” manufactured by Atotech Japan, “Sulfuric acid” manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), and further washed with pure water. . Thus, the roughened insulating layer (cured product) was formed on the copper clad laminate.

なお、絶縁層の粗化処理された表面の算術平均粗さRaは、50nmであった。   The arithmetic average roughness Ra of the roughened surface of the insulating layer was 50 nm.

5)無電解銅めっき工程
次に、絶縁層の粗化処理された表面上において、無電解銅めっきを以下の手順で行った。
5) Electroless copper plating step Next, electroless copper plating was performed in the following procedure on the roughened surface of the insulating layer.

絶縁層の表面を、55℃のアルカリクリーナ(アトテックジャパン社製「クリーナーセキュリガント902」)で5分間処理し、脱脂洗浄した。洗浄後、絶縁層を23℃のプリディップ液(アトテックジャパン社製「プリディップネオガントB」)で2分間処理した。その後、絶縁層を40℃のアクチベーター液(アトテックジャパン社製「アクチベーターネオガント834」)で5分間処理し、パラジウム触媒を付けた。次に、30℃の還元液(アトテックジャパン社製「リデューサーネオガントWA」)により、絶縁層を5分間処理した。   The surface of the insulating layer was treated with a 55 ° C. alkaline cleaner (“Cleaner Securigant 902” manufactured by Atotech Japan) for 5 minutes and degreased and washed. After washing, the insulating layer was treated with a 23 ° C. predip solution (“Predip Neogant B” manufactured by Atotech Japan) for 2 minutes. Thereafter, the insulating layer was treated with an activator solution at 40 ° C. (“Activator Neo Gant 834” manufactured by Atotech Japan) for 5 minutes, and a palladium catalyst was attached. Next, the insulating layer was treated with a reducing solution at 30 ° C. (“Reducer Neogant WA” manufactured by Atotech Japan) for 5 minutes.

次に、上記絶縁層を化学銅液(アトテックジャパン社製「ベーシックプリントガントMSK−DK」、アトテックジャパン社製「カッパープリントガントMSK」、アトテックジャパン社製「スタビライザープリントガントMSK」、アトテックジャパン社製「リデューサーCu」)に入れ、無電解めっきをめっき厚さが0.5μm程度になるまで実施して、銅めっき層を形成した。   Next, the above insulating layer is made of a chemical copper solution ("Basic Print Gantt MSK-DK" manufactured by Atotech Japan, "Copper Print Gantt MSK" manufactured by Atotech Japan, "Stabilizer Print Gantt MSK" manufactured by Atotech Japan, and Atotech Japan In the “reducer Cu”), electroless plating was performed until the plating thickness reached about 0.5 μm to form a copper plating layer.

無電解めっき後に、残留している水素ガスを除去するため、120℃の温度で30分間アニールした。無電解めっきの工程までのすべての工程は、ビーカースケールで処理液を1Lとし、絶縁層を揺動させながら実施した。   After electroless plating, annealing was performed at a temperature of 120 ° C. for 30 minutes in order to remove the remaining hydrogen gas. All the steps up to the electroless plating step were performed while using a beaker scale with a treatment liquid of 1 L and rocking the insulating layer.

6)電解銅めっき工程
無電解めっきされた積層構造体に給電することにより、厚さが25μmとなるまで、電解銅めっきを実施し、電解銅めっき層を形成した。電解銅めっきとして硫酸銅水溶液(和光純薬工業社製「硫酸銅五水和物」、和光純薬工業社製「硫酸」、アトテックジャパン社製「ベーシックレベラーカパラシド HL」、アトテックジャパン社製「補正剤カパラシド GS」)を用いて、0.6A/cmの電流を流した。
6) Electrolytic copper plating step By feeding power to the electrolessly plated laminated structure, electrolytic copper plating was performed until the thickness became 25 μm, thereby forming an electrolytic copper plating layer. As an electrolytic copper plating, an aqueous copper sulfate solution (“copper sulfate pentahydrate” manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., “sulfuric acid” manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., “basic leveler kaparaside HL” manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., “ A current of 0.6 A / cm 2 was applied using the corrector Kaparaside GS ”).

7)本硬化工程
電解めっきされた積層構造体を、180℃のギヤオーブンで60分間加熱し、本硬化させることで、銅めっきのアンカー部を引き締めることにより密着力を向上させ、銅めっきされた積層構造体を作製した。
7) Main curing step The electroplated laminated structure was heated in a gear oven at 180 ° C. for 60 minutes to be fully cured, thereby improving the adhesion by tightening the anchor portion of the copper plating, and the copper plating was performed. A laminated structure was produced.

8)配線形成工程
5)の工程がおわった積層構造体について、以下の手順(セミアディティブプロセス)で配線形成を行った。
8) Wiring formation process About the laminated structure which the process of 5) ended, wiring formation was performed in the following procedures (semi-additive process).

Step1:ドライフィルムレジスト(DFR)のラミネート工程
無電解銅めっき層上に、支持体であるPETフィルム上のアルカリ溶解型DFR(日立化成社製「RY−3525」)を、ロールラミネーター(大成ラミネーター社製「VA−700SH」)を用いて、温度150℃、圧力0.4MPa及び速度1.5m/sの条件にてラミネートして、積層構造体を得た。
Step 1: Laminating process of dry film resist (DFR) An alkali-soluble DFR (“RY-3525” manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) on a PET film as a support is applied to a roll laminator (Taisei Laminator) on an electroless copper plating layer. (VA-700SH)) was laminated under the conditions of a temperature of 150 ° C., a pressure of 0.4 MPa, and a speed of 1.5 m / s to obtain a laminated structure.

Step2:露光及び現像工程
得られた積層構造体を用いて、UV露光機(オーク製作所社製「EXA−1201」)にて、L/S=8μm/8μm、10μm/10μm、15μm/15μm、20μm/20μm、30μm/30μmのパターンマスクを介して、照射条件100mJ/cmで、DFRにUV照射を行った。
Step 2: Exposure and development process Using the obtained laminated structure, L / S = 8 μm / 8 μm, 10 μm / 10 μm, 15 μm / 15 μm, 20 μm using a UV exposure machine (“EXA-1201” manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd.) The DFR was irradiated with UV through a pattern mask of / 20 μm and 30 μm / 30 μm under irradiation conditions of 100 mJ / cm 2 .

Step3:DFR剥離工程
その後、25℃にて60分間保持した後で、DFRの支持体であるPETフィルムを剥離した。DFRの表面に、1重量%の炭酸ナトリウム水溶液を30℃にて、スプレー圧1.0kg/cmで80秒間スプレーし、現像を行い、未露光部を除去した。その後、20℃で、スプレー圧1.0kg/cmにて80秒間水洗を行い、乾燥することでDFRによるネガパターンを形成した。
Step 3: DFR peeling step Thereafter, after holding at 25 ° C. for 60 minutes, the PET film which is a DFR support was peeled off. The surface of the DFR was sprayed with a 1% by weight aqueous sodium carbonate solution at 30 ° C. under a spray pressure of 1.0 kg / cm 2 for 80 seconds, developed, and unexposed portions were removed. Thereafter, the film was washed with water at 20 ° C. under a spray pressure of 1.0 kg / cm 2 for 80 seconds and dried to form a negative pattern by DFR.

Step4:電解銅めっき工程
6)工程と同様にして、銅めっきされた積層構造体を得た。
Step 4: Electrolytic copper plating step 6) In the same manner as the step, a copper plated laminated structure was obtained.

Step5:DFR剥離及びクイックエッチング
40℃の苛性ソーダ水溶液中に、電解銅めっき後の積層構造体を浸漬することにより、銅めっき配線間に残っているDFRを剥離した。さらに、DFRの下部の絶縁層の表面において、微細粗化孔に残留する無電解めっきを、過酸化水素水−硫酸系のクイックエッチング液(JCU社製「SAC」)で除去した。
Step 5: DFR peeling and quick etching The DFR remaining between the copper plating wirings was peeled off by immersing the laminated structure after electrolytic copper plating in a caustic soda aqueous solution at 40 ° C. Further, the electroless plating remaining in the fine roughened holes on the surface of the insulating layer below the DFR was removed with a hydrogen peroxide-sulfuric acid-based quick etching solution (“SAC” manufactured by JCU).

(実施例2)
(1)積層フィルムの作製
第2の基材フィルムとして離型処理PETフィルム1(リンテック社製「2511」)の離型面に、乾燥後の絶縁フィルム(樹脂組成物)の厚みが25μmとなるようにダイコーターにて、実施例1で得られた樹脂ワニスを塗布し、100℃で1分間乾燥(乾燥条件)させた。さらに、樹脂面に第1の基材フィルムとして離型処理PETフィルム2(リンテック社製「T157」)を貼り合せることにより、積層フィルム2を得た。
(Example 2)
(1) Production of laminated film On the release surface of release-treated PET film 1 (“2511” manufactured by Lintec Corporation) as the second base film, the thickness of the insulating film (resin composition) after drying is 25 μm. Thus, the resin varnish obtained in Example 1 was applied with a die coater and dried at 100 ° C. for 1 minute (drying conditions). Furthermore, the laminated film 2 was obtained by bonding the mold release process PET film 2 ("T157" by Lintec Corporation) as a 1st base film on the resin surface.

(2)積層構造体の作製
得られた積層フィルム2を用いたこと以外は、実施例1と同様の方法で積層構造体を作製した。
(2) Production of Laminated Structure A laminated structure was produced in the same manner as in Example 1 except that the obtained laminated film 2 was used.

参考例3)
(1)積層フィルムの作製における乾燥条件を100℃で1分間乾燥させる条件に変更したこと以外は実施例1と同様にして、積層フィルム3を作製した。
( Reference Example 3)
(1) A laminated film 3 was produced in the same manner as in Example 1 except that the drying condition in producing the laminated film was changed to a condition of drying at 100 ° C. for 1 minute.

(2)積層構造体の作製
得られた積層フィルム3を用いたこと以外は、実施例1と同様の方法で積層構造体を作製した。
(2) Production of laminated structure A laminated structure was produced in the same manner as in Example 1 except that the obtained laminated film 3 was used.

参考例4)
(1)積層フィルムの作製
アミノフェニルシラン処理シリカ(アドマテックス社製「SOC2」)のメチルエチルケトンスラリー(固形分70重量%)107重量部に、ビフェニル型エポキシ樹脂(日本化薬社製「NC3000H」)11重量部と、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(DIC社製「850S」)5重量部と、シクロヘキサノン13.2重量部と、メチルエチルケトン2.5重量部とを加え、攪拌機を用いて、1200rpmで60分間撹拌した。次に、未溶解物がなくなったことを確認した。その後、アミノトリアジン変性フェノールノボラック硬化剤(DIC社製「LA−1356」)のメチルエチルケトン混合溶液(固形分50重量%)11重量部と、フェノールノボラック硬化剤(明和化成社製「H4」)3重量部とを加えて、1200rpmで60分間撹拌し未溶解物がなくなったことを確認した後、ビスフェノールアセトフェノン骨格フェノキシ樹脂(三菱化学社製「YX6954」)のメチルエチルケトン及びシクロヘキサノン混合溶液(固形分30重量%)0.67重量部と、2−エチル−4−メチルイミダゾール(四国化成工業社製「2E4MZ」)0.1重量部と、レベリング剤(楠本化成社製「LS−480」)0.01重量部とをさらに加え、1200rpmで30分間撹拌し、樹脂ワニスを得た。
( Reference Example 4)
(1) Production of laminated film Biphenyl type epoxy resin (“NC3000H” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) was added to 107 parts by weight of methyl ethyl ketone slurry (solid content: 70% by weight) of aminophenylsilane-treated silica (“SOC2” manufactured by Admatechs). 11 parts by weight, 5 parts by weight of a bisphenol A type epoxy resin (“850S” manufactured by DIC), 13.2 parts by weight of cyclohexanone, and 2.5 parts by weight of methyl ethyl ketone are added, and the mixture is stirred at 1200 rpm for 60 minutes. Stir. Next, it was confirmed that there was no undissolved material. Thereafter, 11 parts by weight of a methyl ethyl ketone mixed solution (solid content 50% by weight) of aminotriazine-modified phenol novolak curing agent (“LA-1356” manufactured by DIC), and 3% by weight of phenol novolac curing agent (“H4” manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.) After stirring for 60 minutes at 1200 rpm and confirming that there were no undissolved substances, a mixed solution of bisphenolacetophenone skeleton phenoxy resin (“YX6954” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) and cyclohexanone (solid content: 30% by weight) ) 0.67 parts by weight, 0.1 part by weight of 2-ethyl-4-methylimidazole (“2E4MZ” manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) and 0.01 part by weight of a leveling agent (“LS-480” manufactured by Enomoto Kasei Co., Ltd.) Was further stirred at 1200 rpm for 30 minutes to obtain a resin varnish.

第2の基材フィルムとして離型処理PETフィルム1(リンテック社製「2511」)の離型面に、乾燥後の絶縁フィルム(樹脂組成物)の厚みが25μmとなるようにダイコーターにて樹脂ワニスを塗布し、100℃で2分間乾燥(乾燥条件)させて、絶縁フィルムを形成した。さらに、絶縁フィルムの表面に第1の基材フィルムとして離型処理PETフィルム2(リンテック社製「T157」)を80℃に加温されたロールラミネーターで貼り合せることにより、積層フィルム4を得た。   Resin with a die coater so that the thickness of the insulating film (resin composition) after drying is 25 μm on the release surface of the release-treated PET film 1 (“2511” manufactured by Lintec Corporation) as the second base film. A varnish was applied and dried at 100 ° C. for 2 minutes (drying conditions) to form an insulating film. Furthermore, the laminated film 4 was obtained by bonding the release film PET film 2 (“T157” manufactured by Lintec Corporation) as a first base film with a roll laminator heated to 80 ° C. on the surface of the insulating film. .

(2)積層構造体の作製
得られた積層フィルム4を用いたこと以外は、実施例1と同様の方法で積層構造体を作製した。
(2) Production of laminated structure A laminated structure was produced in the same manner as in Example 1 except that the obtained laminated film 4 was used.

(実施例5)
(1)積層フィルムの作製における乾燥条件を100℃で0.5分間乾燥させる条件に変更したこと以外は参考例4と同様にして、積層フィルム5を作製した。
(Example 5)
(1) A laminated film 5 was produced in the same manner as in Reference Example 4 except that the drying condition in producing the laminated film was changed to a condition of drying at 100 ° C. for 0.5 minutes.

(2)積層構造体の作製
得られた積層フィルム5を用いたこと以外は、実施例1と同様の方法で積層構造体を作製した。
(2) Production of laminated structure A laminated structure was produced in the same manner as in Example 1 except that the obtained laminated film 5 was used.

(実施例6)
(1)積層フィルムの作製
アミノフェニルシラン処理シリカ(アドマテックス社製「SOC2」)のジメチルホルムアルデヒドスラリー(固形分70重量%)92重量部に、ジシクロペンタジエン(DCPD)型エポキシ樹脂(日本化薬社製「XD1000」)15重量部と、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(DIC社製「850S」)7重量部と、ジメチルホルムアルデヒド12.9重量部と、メチルエチルケトン0.8重量部とを加え、攪拌機を用いて、1200rpmで60分間撹拌した。次に、未溶解物がなくなったことを確認した。その後、アミノトリアジン変性フェノールノボラック硬化剤(DIC社製「LA−1356」)のメチルエチルケトン混合溶液(固形分50重量%)6重量部と、ジシクロペンタジエン(DCPD)骨格活性エステル硬化剤(DIC社製「HPC8000」)のトルエン混合溶液(固形分65重量%)16.9重量部とを加えて、1200rpmで60分間撹拌し未溶解物がなくなったことを確認した後、ビスフェノールアセトフェノン骨格フェノキシ樹脂(三菱化学社製「YX6954」)のメチルエチルケトン及びシクロヘキサノン混合溶液(固形分30重量%)1.7重量部と、2−エチル−4−メチルイミダゾール(四国化成工業社製「2E4MZ」)0.35量部と、レベリング剤(楠本化成社製「LS−480」)0.01重量部とをさらに加え、1200rpmで30分間撹拌し、樹脂ワニスを得た。
(Example 6)
(1) Production of laminated film 92 parts by weight of diphenylpentadiene (DCPD) type epoxy resin (Nippon Kayaku Co., Ltd.) in dimethylformaldehyde slurry (solid content 70% by weight) of aminophenylsilane-treated silica ("SOC2" manufactured by Admatechs) "XD1000"), 15 parts by weight, 7 parts by weight of bisphenol A type epoxy resin (DIC, "850S"), 12.9 parts by weight of dimethylformaldehyde, and 0.8 parts by weight of methyl ethyl ketone were added. And stirred for 60 minutes at 1200 rpm. Next, it was confirmed that there was no undissolved material. Thereafter, 6 parts by weight of a methylethylketone mixed solution (solid content 50% by weight) of an aminotriazine-modified phenol novolak curing agent (“LA-1356” manufactured by DIC) and a dicyclopentadiene (DCPD) skeleton active ester curing agent (manufactured by DIC) After adding 16.9 parts by weight of a “HPC8000” toluene mixed solution (solid content: 65% by weight) and stirring at 1200 rpm for 60 minutes, it was confirmed that there was no undissolved material, and then bisphenolacetophenone skeleton phenoxy resin (Mitsubishi) 1.7 parts by weight of a methyl ethyl ketone and cyclohexanone mixed solution (solid content 30% by weight) of “YX6954” manufactured by Kagaku Co., Ltd. and 0.35 parts by weight of 2-ethyl-4-methylimidazole (“2E4MZ” manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) And 0.01% leveling agent (“LS-480” manufactured by Enomoto Kasei Co., Ltd.) DOO further added, and stirred for 30 minutes at 1200 rpm, to obtain a resin varnish.

上記の樹脂ワニスを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、積層フィルム6を作製した。   A laminated film 6 was produced in the same manner as in Example 1 except that the above resin varnish was used.

(2)積層構造体の作製
得られた積層フィルム6を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、積層構造体を作製した。
(2) Production of Laminated Structure A laminated structure was produced in the same manner as in Example 1 except that the obtained laminated film 6 was used.

(比較例1)
(1)積層フィルムの作製
第1の基材フィルムとして未処理PETフィルム(東レ社製「T60M」)に、乾燥後の絶縁フィルム(樹脂組成物)の厚みが40μmとなるようにダイコーターにて樹脂ワニスを塗布し、100℃で2分間乾燥(乾燥条件)させた。さらに、樹脂面に第2の基材フィルムとしてポリプロピレンフィルム(王子エフテックス社製「MA411」)を貼り合せることにより、積層フィルムAを得た。
(Comparative Example 1)
(1) Production of laminated film Using a die coater so that the thickness of the insulating film (resin composition) after drying is 40 μm on an untreated PET film (“T60M” manufactured by Toray Industries, Inc.) as the first base film A resin varnish was applied and dried at 100 ° C. for 2 minutes (drying conditions). Furthermore, a laminated film A was obtained by bonding a polypropylene film (“MA411” manufactured by Oji F-Tex Co., Ltd.) as a second base film on the resin surface.

(2)積層構造体の作製
得られた積層フィルムAを用いたこと、並びにフィルム剥離工程において、ポリプロピレンフィルムを剥がしたこと以外は、実施例1と同様の方法で積層構造体を作製した。
(2) Production of Laminated Structure A laminated structure was produced in the same manner as in Example 1 except that the obtained laminated film A was used and the polypropylene film was peeled off in the film peeling step.

(比較例2)
(1)積層フィルムの作製
第1の基材フィルムとして未処理PETフィルム(東レ社製「T60M」)に、乾燥後の絶縁フィルム(樹脂組成物)の厚みが25μmとなるようにダイコーターにて樹脂ワニスを塗布し、100℃で1分間乾燥(乾燥条件)させた。さらに、樹脂面に第2の基材フィルムとしてポリプロピレンフィルム(王子エフテックス社製「MA411」)を貼り合せることにより、積層フィルムBを得た。
(Comparative Example 2)
(1) Production of laminated film Using a die coater such that the thickness of the insulating film (resin composition) after drying is 25 μm on an untreated PET film (“T60M” manufactured by Toray Industries, Inc.) as the first base film. A resin varnish was applied and dried at 100 ° C. for 1 minute (drying conditions). Furthermore, a laminated film B was obtained by laminating a polypropylene film (“MA411” manufactured by Oji F-Tex Co., Ltd.) as a second base film on the resin surface.

(2)積層構造体の作製
得られた積層フィルムBを用いたこと、並びにフィルム剥離工程において、ポリプロピレンフィルムを剥がしたこと以外は、実施例1と同様の方法で積層構造体を作製した。
(2) Production of laminated structure A laminated structure was produced in the same manner as in Example 1 except that the obtained laminated film B was used and the polypropylene film was peeled off in the film peeling step.

(比較例3)
(1)積層フィルムの作製
実施例6の樹脂ワニスを用いたこと以外は、比較例1と同様にして、積層フィルムCを作製した。
(Comparative Example 3)
(1) Production of Laminated Film A laminated film C was produced in the same manner as in Comparative Example 1 except that the resin varnish of Example 6 was used.

(2)積層構造体の作製
得られた積層フィルムCを用いたこと以外は、比較例1と同様にして、積層構造体を作製した。
(2) Production of laminated structure A laminated structure was produced in the same manner as in Comparative Example 1 except that the obtained laminated film C was used.

(評価)
(1)積層フィルム中の溶剤量
得られた積層フィルムの両面のフィルムを剥離し、絶縁フィルム(樹脂組成物)単体について200℃及び60分間の加熱前後の重量減少量を電子天秤にて測定し、溶剤量とした。
(Evaluation)
(1) Solvent amount in laminated film The films on both sides of the obtained laminated film were peeled off, and the weight loss before and after heating at 200 ° C. and 60 minutes was measured with an electronic balance for the insulating film (resin composition) alone. The amount of solvent was used.

(2)積層フィルム中の絶縁フィルムにおける溶剤の存在状態
得られた積層フィルムにおいて、絶縁フィルムの第2の表面側(第2の基材フィルムの積層側)の深さ3μmまでの領域における溶剤の存在割合X2と、絶縁フィルムの第1の表面側(第1の基材フィルムの積層側)の深さ3μmまでの領域における溶剤の存在割合X1とを評価した。
(2) Presence of the solvent in the insulating film in the laminated film In the obtained laminated film, the solvent in the region up to a depth of 3 μm on the second surface side (laminated side of the second base film) of the insulating film. The existence ratio X2 and the existence ratio X1 of the solvent in the region up to a depth of 3 μm on the first surface side of the insulating film (lamination side of the first base film) were evaluated.

評価方法:それぞれの表面について、FT−IR(Thermo ELECTRON 社製、NICOLET380)を用いてATRモードにて表面近傍のIRスペクトルを取得した。このスペクトルから、使用している溶剤に起因する主ピーク(今回の例であれば、ケトンやアミドに含まれるカルボニル基の伸縮振動由来(ケトンの場合:1700〜1740cm−1、アミドの場合:1515〜1650cm−1))の強度(Xsol)と基準ピーク(今回であれば、樹脂に含まれるベンゼン環の伸縮振動由来(1500cm−1付近))の強度(Xr)を算出した。この比率(Xsol/Xr)について、各面毎に測定し算出することにより溶剤の存在状態を把握した。 Evaluation method: About each surface, IR spectrum of the surface vicinity was acquired in ATR mode using FT-IR (Thermo ELECTRON company make, NICOLET380). From this spectrum, the main peak attributed to the solvent used (in this example, derived from the stretching vibration of the carbonyl group contained in the ketone or amide (in the case of ketone: 1700 to 1740 cm −1 , in the case of amide: 1515) ˜1650 cm −1 )) and the intensity (Xr) of the reference peak (in this case, derived from the stretching vibration of the benzene ring contained in the resin (near 1500 cm −1 )). About this ratio (Xsol / Xr), the presence state of the solvent was grasped | ascertained by measuring and calculating for every surface.

(3)積層フィルム中の絶縁フィルムにおけるフィラーの存在状態
得られた積層フィルムにおいて、絶縁フィルムの第2の表面側(第2の基材フィルムの積層側)の深さ3μmまでの領域におけるフィラーの存在割合Y2と、絶縁フィルムの第1の表面側(第1の基材フィルムの積層側)の深さ3μmまでの領域におけるフィラーの存在割合Y1とを評価した。
(3) Existence state of filler in insulating film in laminated film In the obtained laminated film, the filler in the region up to 3 μm deep on the second surface side of the insulating film (the laminated side of the second base film). The abundance ratio Y2 and the abundance ratio Y1 of the filler in the region up to a depth of 3 μm on the first surface side (lamination side of the first base film) of the insulating film were evaluated.

評価方法:絶縁フィルムのそれぞれの表面について、FT−IRを用いてATRモードにて表面近傍のIRスペクトルを取得した。このスペクトルから、フィラーに起因する主ピーク(今回の例であれば、シリカのSi−O−Si結合由来(1100〜1000cm−1))の強度(Ysi)と、基準ピーク(今回であれば、樹脂に含まれるベンゼン環の伸縮振動由来(1500cm−1付近))の強度(Yr)とを算出した。この比率(Ysi/Yr)について、各面毎に測定し算出することによりシリカの存在状態を把握した。 Evaluation method: About each surface of the insulating film, IR spectrum of the surface vicinity was acquired in ATR mode using FT-IR. From this spectrum, the intensity (Ysi) of the main peak due to the filler (in this example, derived from the Si—O—Si bond of silica (1100 to 1000 cm −1 )) and the reference peak (in this case, The strength (Yr) derived from the stretching vibration of the benzene ring contained in the resin (near 1500 cm −1 ) was calculated. About this ratio (Ysi / Yr), the presence state of the silica was grasped | ascertained by measuring and calculating for every surface.

(4)積層フィルムにおける第1,第2の基材フィルムの剥離強度
得られた積層フィルムにおいて、絶縁フィルムに対する第1の基材フィルムの25℃での剥離強度を以下の手法で評価した。
(4) Peel strength of first and second base film in laminated film In the obtained laminated film, the peel strength at 25 ° C. of the first base film with respect to the insulating film was evaluated by the following method.

評価方法:積層フィルムを50mm×100mmにカットした後、第2の基材フィルムを剥がしてから、両面テープにてSUS基板に固定した(絶縁フィルムの表面を基板に対向するように配置)。30mm巾にカッターで第1の基材フィルムに切れ込みを入れた。第1の基材フィルムの端部をめくり、90°剥離試験機(テスター産業社製「TE−3001」)を用いることにより、剥離強度を評価した。絶縁フィルムに対する第2の基材フィルムの25℃での剥離強度も同様にして、評価した。   Evaluation method: After the laminated film was cut to 50 mm × 100 mm, the second base film was peeled off, and then fixed to the SUS substrate with a double-sided tape (arranged so that the surface of the insulating film faces the substrate). The first base film was cut into a 30 mm width with a cutter. The end of the first base film was turned and the peel strength was evaluated by using a 90 ° peel tester (“TE-3001” manufactured by Tester Sangyo Co., Ltd.). The peel strength at 25 ° C. of the second base film with respect to the insulating film was similarly evaluated.

(5)第1の基材フィルムの剥離強度
第1の基材フィルムを剥離する剥離工程(ラミネート工程後)において、絶縁フィルムに対する第1の基材フィルムの25℃での剥離強度を以下の手法で評価した。
(5) Peel strength of the first base film In the peel process (after the laminating process) for peeling the first base film, the peel strength at 25 ° C. of the first base film with respect to the insulating film is determined as follows. It was evaluated with.

評価方法:積層フィルムを50mm×100mmにカットした後、第2の基材フィルムを剥がしてから所定条件で銅張積層板に固定した(絶縁フィルムの表面を基板に対向するように配置)。第1の基材フィルム(PETフィルム)に10mm幅にカッターで切り込みを入れた。第1の基材フィルムの端部をめくり、90°剥離試験機(テスター産業社製「TE−3001」)を用いることにより、剥離強度を評価した。   Evaluation method: After the laminated film was cut to 50 mm × 100 mm, the second base film was peeled off, and then fixed to a copper-clad laminate under predetermined conditions (arranged so that the surface of the insulating film faces the substrate). The first base film (PET film) was cut into a 10 mm width with a cutter. The end of the first base film was turned and the peel strength was evaluated by using a 90 ° peel tester (“TE-3001” manufactured by Tester Sangyo Co., Ltd.).

(6)第1の基材フィルムのフィルム剥離性
第1の基材フィルムを剥離する剥離工程(ラミネート工程後)において、第1の基材フィルムを剥離した後に、絶縁フィルムの表面にすじがあるか否か、並びに絶縁フィルムの表面に異物が付着しているか否かを評価した。第1の基材フィルムのフィルム剥離性を下記の基準で判定した。
(6) Film peelability of the first base film In the peeling step (after the laminating process) for peeling the first base film, the surface of the insulating film has streaks after the first base film is peeled off. It was evaluated whether or not foreign matter had adhered to the surface of the insulating film. The film peelability of the first base film was determined according to the following criteria.

[第1の基材フィルムのフィルム剥離性の判定基準]
○:すじ及び異物の付着のいずれもがない
×:すじ及び異物の付着の少なくとも一方がある
[Criteria for determining film peelability of first base film]
○: No streak or foreign matter adhered ×: At least one of streaks or foreign matter adhered

(7)ラミネート後の第1の基材フィルムの付着状態
(2)積層構造体の作製における両面銅張積層板へ真空ラミネートした後のサンプルについて、第1の基材フィルムを剥離する前に、ラミネート後の第1の基材フィルムの付着状態を下記の基準にて評価した。
(7) Adhered state of first base film after lamination (2) For sample after vacuum laminating to double-sided copper-clad laminate in production of laminated structure, before peeling first base film, The adhesion state of the first base film after lamination was evaluated according to the following criteria.

[ラミネート後の第1の基材フィルムの付着状態の判定基準]
○:積層板を取り扱う工程において、意図せず剥離しない
△:積層板を取り扱う工程において、意図せずフィルムの端部のみが剥離してしまう
×:積層板を取り扱う工程において、意図せずフィルムの半分以上が剥離してしまう
[Criteria for Adhering State of First Substrate Film after Lamination]
○: In the process of handling the laminated plate, it does not unintentionally peel. Δ: In the process of handling the laminated plate, only the end of the film is unintentionally peeled. ×: In the process of handling the laminated plate, the film is not intended. More than half peel off

(8)ラミネート後の外観(泡がみ、しわ)
(2)積層構造体の作製における両面銅張積層板へ真空ラミネートする工程において、絶縁層の積層板へのラミネート後の外観を目視にて観察して、ラミネート後の外観(泡がみ、しわ)を下記の基準にて評価した。
(8) Appearance after lamination (foaming, wrinkles)
(2) In the step of vacuum laminating to a double-sided copper-clad laminate in the production of a laminated structure, the appearance after lamination of the insulating layer on the laminate is visually observed, and the appearance after lamination (foaming, wrinkles) ) Was evaluated according to the following criteria.

[ラミネート後の外観(泡がみ、しわ)の判定基準]
○:泡がみ(ボイド)、しわがどちらもない
△:泡がみ(ボイド)若しくはしわのいずれかがある
×:泡がみ(ボイド)及びしわが両方ともある
[Judgment criteria for appearance (bubbles, wrinkles) after lamination]
○: No bubbles (voids) or wrinkles △: Either bubbles (voids) or wrinkles ×: Both bubbles (voids) and wrinkles

(9)粗化処理された絶縁フィルムの算術平均粗さRa
非接触型表面粗さ計(ビーコインスツルメンツ社製「WYKO NT1100」)を用いて、VSIコンタクトモード、50倍レンズにより測定範囲を121μm×92μmとして、粗化処理された表面の算術平均粗さRaを測定した。なお、算術平均粗さRaは、無作為に選んだ測定箇所3点で測定し、測定値の平均値を採用した。
(9) Arithmetic mean roughness Ra of the roughened insulating film
Using a non-contact type surface roughness meter ("WYKO NT1100" manufactured by BEIKO INSTRUMENTS), the measurement range is set to 121 μm × 92 μm by a VSI contact mode and a 50 × lens, and the arithmetic average roughness Ra of the roughened surface is set to It was measured. The arithmetic average roughness Ra was measured at three measurement points selected at random, and the average value of the measurement values was adopted.

(10)絶縁層と金属層との密着強度(ピール強度)
実施例、参考例及び比較例の積層構造体の作製において、配線を形成せずに、全面に電解銅めっきを施した積層構造体を準備した。銅層に10mm幅にカッターで切り込みを入れた。銅層の端部をめくり、90°剥離試験機(テスター産業社製「TE−3001」)を用いて、銅層を20mm剥離した。このときのピール強度を測定した。
(10) Adhesion strength between the insulating layer and the metal layer (peel strength)
In the production of the laminated structures of Examples , Reference Examples, and Comparative Examples, a laminated structure in which electrolytic copper plating was applied to the entire surface without forming wirings was prepared. The copper layer was cut with a cutter to a width of 10 mm. The end of the copper layer was turned, and the copper layer was peeled by 20 mm using a 90 ° peel tester (“TE-3001” manufactured by Tester Sangyo Co., Ltd.). The peel strength at this time was measured.

(11)微細配線形成性
積層構造体の作製において、L/Sを8μm/8μm(アスペクト比:2)の微細配線を良好に形成することができるか否かを評価した。微細配線形成性を下記の基準で判定した。
(11) Fine wiring formability In the production of the laminated structure, it was evaluated whether or not fine wiring with L / S of 8 μm / 8 μm (aspect ratio: 2) could be formed satisfactorily. The fine wiring formability was determined according to the following criteria.

[微細配線形成性の判定基準]
○:L/S=8μm/8μmの微細配線をSEMで観察し、銅めっきパターンの剥離や不良がない
×:L/S=8μm/8μmの微細配線をSEMで観察し、銅めっきパターンの剥離や不良がある
[Judgment criteria for fine wiring formability]
○: L / S = 8 μm / 8 μm fine wiring is observed by SEM, and there is no peeling or defect of the copper plating pattern. X: L / S = 8 μm / 8 μm fine wiring is observed by SEM, and the copper plating pattern is peeled off. Or there is a defect

実施例、参考例及び比較例の詳細及び評価結果を下記の表1に示す。 The details and evaluation results of Examples , Reference Examples and Comparative Examples are shown in Table 1 below.

Figure 0006445903
Figure 0006445903

上記表1に示す実施例1,2と比較例1,2との評価結果の差異から、絶縁フィルムの第2の表面側の深さ3μmまでの領域における溶剤の存在割合が、絶縁フィルムの第1の表面側の深さ3μmまでの領域における溶剤の存在割合よりも多いことで、本発明の効果に優れることがわかる。   From the difference in evaluation results between Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2 shown in Table 1 above, the presence ratio of the solvent in the region up to a depth of 3 μm on the second surface side of the insulating film is It can be seen that the effect of the present invention is excellent when the amount of the solvent is larger than the presence ratio of the solvent in the region up to a depth of 3 μm on the surface side of 1.

また、実施例1と比較例1との評価結果の差異と、実施例2と比較例2との評価結果の差異とから、絶縁フィルムの第2の表面側の深さ3μmまでの領域における溶剤の存在割合と絶縁フィルムの第1の表面側の深さ3μmまでの領域における溶剤の存在割合との、存在割合差が大きいと、本発明の効果により一層優れることがわかる。   Moreover, the solvent in the area | region to the depth of 3 micrometers on the 2nd surface side of an insulating film from the difference of the evaluation result of Example 1 and the comparative example 1, and the difference of the evaluation result of Example 2 and the comparative example 2 It can be seen that the effect of the present invention is more excellent when the difference in the existence ratio between the existence ratio of the solvent and the existence ratio of the solvent in the region up to 3 μm deep on the first surface side of the insulating film is large.

1,1A…積層フィルム
2…絶縁フィルム
2a…第1の表面
2b…第2の表面
2A…予備硬化された絶縁フィルム
2B…粗化処理された絶縁フィルム
2C…絶縁層
3…第1の基材フィルム
4…第2の基材フィルム
21…積層対象部材
21a…基板本体
21b…金属層
22…金属層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,1A ... Laminated film 2 ... Insulating film 2a ... 1st surface 2b ... 2nd surface 2A ... Precured insulating film 2B ... Roughened insulating film 2C ... Insulating layer 3 ... 1st base material Film 4 ... Second base film 21 ... Lamination target member 21a ... Substrate body 21b ... Metal layer 22 ... Metal layer

Claims (7)

絶縁フィルムと、前記絶縁フィルムの第1の表面に積層された第1の基材フィルムとを備え、
前記絶縁フィルムの前記第1の表面とは反対側の第2の表面に積層された第2の基材フィルムを備え、
前記絶縁フィルムが、熱硬化性樹脂と硬化剤とフィラーと溶剤とを含み、
前記絶縁フィルムの前記第2の表面側の深さ3μmまでの領域における前記溶剤の存在割合が、前記絶縁フィルムの前記第1の表面側の深さ3μmまでの領域における前記溶剤の存在割合よりも多く、
前記絶縁フィルムの前記第2の表面側の深さ3μmまでの領域における前記溶剤の存在割合の、前記絶縁フィルムの前記第1の表面側の深さ3μmまでの領域における前記溶剤の存在割合に対する比が2以上、10以下であり、
前記絶縁フィルムは前記第2の表面側から、前記第1の基材フィルムが積層された状態で、積層対象部材にラミネートして用いられ、
記絶縁フィルムが前記第2の表面側から前記積層対象部材にラミネートされる前に、前記絶縁フィルムの前記第2の表面から前記第2の基材フィルムが剥離される、積層フィルム。
An insulating film, and a first base film laminated on the first surface of the insulating film,
The insulating Bei example the second base material film laminated on the second surface opposite to the first surface of the film,
The insulating film includes a thermosetting resin, a curing agent, a filler, and a solvent,
The proportion of the solvent in the region up to a depth of 3 μm on the second surface side of the insulating film is greater than the proportion of the solvent in a region up to a depth of 3 μm on the first surface side of the insulating film. Many
Ratio of the solvent existing ratio in the region up to a depth of 3 μm on the second surface side of the insulating film to the solvent existing ratio in a region up to a depth of 3 μm on the first surface side of the insulating film Is 2 or more and 10 or less,
The insulating film is used by laminating on the member to be laminated in a state where the first base film is laminated from the second surface side,
Before Symbol insulating film before being laminated on the laminated target member from said second surface side, said insulating the second base film from said second surface of the film is peeled off, the laminated film.
前記絶縁フィルムの前記第2の表面側の深さ3μmまでの領域における前記フィラーの存在割合が、前記絶縁フィルムの前記第1の表面側の深さ3μmまでの領域における前記フィラーの存在割合よりも多い、請求項1に記載の積層フィルム。 The filler present in the region up to a depth of 3 μm on the second surface side of the insulating film is greater than the filler present in the region up to a depth of 3 μm on the first surface side of the insulating film. The laminated film according to claim 1, wherein there are many. 前記絶縁フィルムの前記第2の表面側の深さ3μmまでの領域における前記フィラーの存在割合の、前記絶縁フィルムの前記第1の表面側の深さ3μmまでの領域における前記フィラーの存在割合に対する比が1.5以上、4.0以下である、請求項に記載の積層フィルム。 The ratio of the filler existing in the region up to a depth of 3 μm on the second surface side of the insulating film to the ratio of the filler in the region up to a depth of 3 μm on the first surface of the insulating film The laminated film according to claim 2 , wherein is 1.5 or more and 4.0 or less. 前記絶縁フィルムに対する前記第2の基材フィルムの剥離強度が、前記絶縁フィルムに対する前記第1の基材フィルムの剥離強度よりも低い、請求項1〜のいずれか1項に記載の積層フィルム。 The laminated film according to any one of claims 1 to 3 , wherein a peel strength of the second base film with respect to the insulating film is lower than a peel strength of the first base film with respect to the insulating film. 前記絶縁フィルムに対する前記第1の基材フィルムの剥離強度が5mN/cm以上、30mN/cm以下である、請求項1〜のいずれか1項に記載の積層フィルム。 The laminated film according to any one of claims 1 to 4 , wherein the peel strength of the first base film with respect to the insulating film is 5 mN / cm or more and 30 mN / cm or less. 請求項1〜のいずれか1項に記載の積層フィルムを用いて、前記絶縁フィルムの前記第2の表面から前記第2の基材フィルムを剥離して、
前記絶縁フィルムを前記第2の表面側から、前記第1の基材フィルムが積層された状態で、積層対象部材にラミネートするラミネート工程と、
前記ラミネート工程後に、前記絶縁フィルムの前記第1の表面から前記第1の基材フィルムを剥離する剥離工程とを備える、積層構造体の製造方法。
Claims a stacked film of any one of clauses 1-5, before Symbol by peeling the second base film from said second surface of the insulating film,
A lamination step of laminating the insulating film on the member to be laminated in a state where the first base film is laminated from the second surface side;
The manufacturing method of a laminated structure provided with the peeling process which peels a said 1st base film from the said 1st surface of the said insulating film after the said lamination process.
前記剥離工程後に、前記絶縁フィルムを予備硬化させる予備硬化工程と、
前記予備硬化工程後に、前記絶縁フィルムの前記積層対象部材側とは反対の表面を粗化処理する粗化処理工程と、
前記粗化処理工程後に、粗化処理された絶縁フィルムの前記積層対象部材側とは反対の表面に、めっき処理により金属層を形成するめっき工程と、
前記めっき工程後に、予備硬化された絶縁フィルムを硬化させる本硬化工程とを備える、請求項に記載の積層構造体の製造方法。
A pre-curing step of pre-curing the insulating film after the peeling step;
After the preliminary curing step, a roughening treatment step of roughening the surface opposite to the lamination target member side of the insulating film,
After the roughening treatment step, a plating step of forming a metal layer by plating on the surface opposite to the lamination target member side of the roughened insulating film,
The manufacturing method of a laminated structure according to claim 6 , further comprising a main curing step of curing the precured insulating film after the plating step.
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