JP6438959B2 - 単一チップz軸線形磁気抵抗センサ - Google Patents
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Description
少なくとも1つの磁束ガイドを備えた磁束ガイドのセットと、を備え、
ブリッジは、互いに電気的に接続された交互に配置されたプッシュアームおよびプルアームによって構成され、
プッシュアームとプルアームは、X軸方向の磁界の成分を検出するための互いに電気的に接続された少なくとも1つの磁気抵抗検出素子をそれぞれ含んでおり、
磁束ガイドのすべてからなるセットがブリッジの全体を覆っており、
磁束ガイドの長軸がY軸に平行であり、磁束ガイドの短軸がX軸に平行である、単一チップZ軸線形磁気抵抗センサ。
図1は、本発明の単一チップZ軸線形磁気抵抗センサの概略的な構造図である。センサが、基板1と、複数の磁気抵抗検出素子2および3と、複数の磁束ガイド4と、電気的に接続された導体5と、はんだパッド6〜9とを備えることを、図1から見て取ることができる。はんだパッド6〜9は、それぞれ電源端子VBias、接地端子GND、および電圧出力端子V+およびV−として機能する。磁気抵抗検出素子2および3は、それぞれ磁束ガイド4の下方の長軸の各側に位置しており、磁束ガイド4は、すべての磁気抵抗検出素子を完全に覆うことができる。当然ながら、磁気抵抗検出素子2および3は、それぞれ磁束ガイド4の下方の長軸の両側において縁の外側に位置してもよい。この実施形態では、左右の最外側と中央に位置する3つの磁束ガイドの下方には磁気抵抗検出素子が配置されていないが、必要であれば、すべての磁束ガイドの下方に磁気抵抗検出素子を配置することもできる。すべての磁気抵抗検出素子2は、ブリッジのプッシュアームを形成するように互いに電気的に接続され、すべての磁気抵抗検出素子3は、ブリッジのプルアームを形成するように互いに電気的に接続され、プッシュアームとプルアームは間隔を置いて配置され、プッシュアーム、プルアームおよびはんだパッド6〜9は、電気的に接続された導体5によってブリッジを形成するように接続される。考えられる1つの実施形態においては、磁気抵抗検出素子が、磁束ガイドの短軸方向、即ちX軸方向に沿い、中央を含む磁束ガイドの下縁と磁束ガイドの中央との間の任意の位置に位置する場合に、単一チップZ軸線形磁気抵抗センサの線形動作の範囲を大きくできる。
Claims (15)
- ブリッジが載せられた基板と、
複数の磁束ガイドを含んでいるセットと、を備え、
前記ブリッジは、互いに電気的に接続された交互に配置されたプッシュアームおよびプルアームから構成され、
前記プッシュアームと前記プルアームは、それぞれ、X軸方向の磁界の成分を検出するための互いに電気的に接続された少なくとも1つの磁気抵抗検出素子を含んでおり、
前記磁束ガイドのすべてからなる前記セットが前記ブリッジのすべての前記磁気抵抗検出素子を覆っており、前記磁気抵抗検出素子の全体が前記磁束ガイドの下に配置されており、
前記プッシュアームの前記磁気抵抗検出素子と前記プルアームの前記磁気抵抗検出素子は間隔を置いて配置され、且つ前記プッシュアームの前記磁気抵抗検出素子と前記プルアームの前記磁気抵抗検出素子はそれぞれ前記磁束ガイドの中央長軸の下方の両側に位置しており、
前記磁束ガイドの長軸がY軸に平行であり、前記磁束ガイドの短軸がX軸に平行であり、
前記磁気抵抗検出素子がGMRまたはTMR検出素子であり、そのGMRまたはTMR検出素子のピン層が同じ磁化方向を有する、単一チップZ軸線形磁気抵抗センサ。 - 左右の最外側と中央に位置する3つの前記磁束ガイドの下方には前記磁気抵抗検出素子が配置されていない、請求項1に記載の単一チップZ軸線形磁気抵抗センサ。
- 前記磁気抵抗検出素子の長さと幅との間の比が1よりも大きい、請求項1または2に記載の単一チップZ軸線形磁気抵抗センサ。
- 外部磁界がもたらされていないときに、前記磁気抵抗検出素子の強磁性フリー層の磁化方向がY軸に平行であり、前記ピン層の磁化方向がX軸に平行である、請求項1または2に記載の単一チップZ軸線形磁気抵抗センサ。
- 前記磁気抵抗検出素子の前記強磁性フリー層の磁化方向は、永久磁石バイアス、二重交換バイアス、形状異方性、あるいは永久磁石バイアス、二重交換バイアスまたは形状異方性のうちの少なくとも2つからなる組み合わせによって、Y軸に平行に向けられている、請求項4に記載の単一チップZ軸線形磁気抵抗センサ。
- 前記ピン層の磁化方向はX軸に平行になるようにされていて、前記強磁性フリー層の磁化方向は、形状異方性の使用によってY軸に平行に向けられており、前記磁気抵抗検出素子の長さと幅との間の比が3よりも大きい、請求項5に記載の単一チップZ軸線形磁気抵抗センサ。
- 前記プッシュアームと前記プルアームが同じ数の磁気抵抗検出素子を有し、その磁気抵抗検出素子の長軸がY軸に平行である、請求項1に記載の単一チップZ軸線形磁気抵抗センサ。
- 前記ブリッジが、ハーフブリッジ、フルブリッジまたは疑似ブリッジである、請求項1に記載の単一チップZ軸線形磁気抵抗センサ。
- 前記磁束ガイドは、幅Lxよりも大きく且つ厚さLzよりも大きい長さLyを有し、前記磁束ガイドは、2つの隣り合う磁束ガイドの間の空間Sが前記幅Lx以上であるアレイにて配置され、前記磁束ガイドの材料は、Ni、Fe、CoおよびAlのうちの1つ以上の元素を含む軟磁性合金である、請求項1に記載の単一チップZ軸線形磁気抵抗センサ。
- 前記2つの隣り合う磁束ガイドの間の空間Sが2Lx〜3Lxの範囲である、請求項9に記載の単一チップZ軸線形磁気抵抗センサ。
- 前記ブリッジは、ワイヤボンドによって半導体パッケージのリードフレームへと接続され、標準的な半導体パッケージを形成するようにプラスチックに包まれている、請求項1に記載の単一チップZ軸線形磁気抵抗センサ。
- 前記半導体パッケージの方法が、ワイヤボンディング、フリップチップ、ボールグリッドアレイ(BGA)パッケージング、ウエハレベルパッケージング(WLP)、またはチップオンボード(COB)パッケージングを含む、請求項11に記載の単一チップZ軸線形磁気抵抗センサ。
- 前記基板は、前記ブリッジに電気的に接続された集積回路を備える、請求項1に記載の単一チップZ軸線形磁気抵抗センサ。
- 前記磁気抵抗検出素子は、前記磁束ガイドの下縁と前記磁束ガイドの中央との間の任意の位置に位置する、請求項1に記載の単一チップZ軸線形磁気抵抗センサ。
- 前記磁気抵抗検出素子は、前記磁束ガイドの縁から中心線までの距離の1/3〜2/3の間の任意の位置(1/3および2/3の地点を含む)に位置する、請求項14に記載の単一チップZ軸線形磁気抵抗センサ。
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