JP6434865B2 - レンズ集積型光半導体集積デバイス及びその制御方法 - Google Patents
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Description
半導体基板の上に、屈折率の異なる2つ以上の層からなる光導波路層を有し、
前記光導波路層は少なくとも光利得を有する活性層と当該活性層に接続される非活性層とを有し、
前記非活性層の前記活性層が接続されていない側の前記光導波路層の一端の前記半導体基板の側面に、前記半導体基板の表面もしくは裏面に前記非活性層からの光を反射させ出射するためのミラーを有し、
前記半導体基板の表面もしくは裏面の光が出射する位置にレンズを有し、
前記活性層は半導体レーザを構成し、前記活性層にあたる前記半導体基板の表面もしくは裏面にレーザ電極を有し、
前記非活性層にあたる前記半導体基板の表面もしくは裏面に屈折率を制御するための制御電極を有し、
前記制御電極から前記非活性層に注入する電流を制御する制御回路を有し、
前記制御回路による前記非活性層に注入する電流の制御により前記非活性層の屈折率を変化させて前記半導体レーザからの光ビームの非活性層出射後の拡がり角を制御する
ことを特徴とする光半導体集積デバイス。
発明の構成1に記載の光半導体集積デバイスにおいて、
前記レーザ電極と前記制御電極の間の前記半導体基板の表面もしくは裏面に前記光導波路層まで達しない深さの分離溝を設けた
ことを特徴とする光半導体集積デバイス。
発明の構成1または2に記載の光半導体集積デバイスにおいて、
前記半導体レーザが、波長可変半導体レーザである
ことを特徴とする光半導体集積デバイス。
発明の構成3に記載の光半導体集積デバイスにおいて、
前記波長可変半導体レーザは各レーザが個別に発振制御および波長可変でき、且つ、各レーザの発振波長が重ならない、もしくは僅かに重なるように設計されたレーザ部が複数並んだレーザアレイ部を構成しており、
各レーザ部からの出射光を光合波し、前記非活性層に導入する合波器を有する
ことを特徴とする光半導体集積デバイス。
発明の構成1ないし4のいずれか1項に記載の光半導体集積デバイスの制御方法であって、
レンズ出射光の外部の光部品との結合効率を検出回路で検出し、検出された結合効率に応じて前記制御回路により前記制御電極から前記非活性層に注入する電流を制御して前記非活性層内部の屈折率を変化させることにより、結合効率が最大となるようにレンズ出射光のビーム径を制御する
ことを特徴とする光半導体集積デバイスの制御方法。
図1および図2を参照して、本発明のレンズ集積型の光半導体集積デバイスの一実施形態に係るレンズ集積型半導体レーザについて説明する。
図4を参照して、本発明の別の一実施形態に係るレンズ集積型波長可変半導体レーザについて説明する。
上記実施形態1、2はともに光半導体集積デバイスの光活性領域として半導体レーザを構成する例を説明したが、光源としてレーザダイオード(Laser Diode: LD)に替えて、あるいは加えて光変調器(例えば、EA(electro absorption)変調器)などもレンズとともに集積した光半導体集積デバイスとできることは明らかである。
3 ミラー
4 レンズ
5 制御電極
6 分離溝
10 下部クラッド層
11 活性層
12 上部クラッド層
13 レーザ電極
14 非活性層
30 レンズ集積型波長可変半導体レーザ
31 レーザアレイ
32 合波器
Claims (5)
- 半導体基板の上に、屈折率の異なる2つ以上の層からなる光導波路層を有し、
前記光導波路層は少なくとも光利得を有する活性層と当該活性層に接続される非活性層とを有し、
前記非活性層の前記活性層が接続されていない側の前記光導波路層の一端の前記半導体基板の側面に、前記半導体基板の表面もしくは裏面に前記非活性層からの光を反射させ出射するためのミラーを有し、
前記半導体基板の表面もしくは裏面の光が出射する位置にレンズを有し、
前記活性層は半導体レーザを構成し、前記活性層にあたる前記半導体基板の表面もしくは裏面にレーザ電極を有し、
前記非活性層にあたる前記半導体基板の表面もしくは裏面に屈折率を制御するための制御電極を有し、
前記制御電極から前記非活性層に注入する電流を制御する制御回路を有し、
前記制御回路による前記非活性層に注入する電流の制御により前記非活性層の屈折率を変化させて前記半導体レーザからの光ビームの非活性層出射後の拡がり角を制御する
ことを特徴とする光半導体集積デバイス。 - 請求項1に記載の光半導体集積デバイスにおいて、
前記レーザ電極と前記制御電極の間の前記半導体基板の表面もしくは裏面に前記光導波路層まで達しない深さの分離溝を設けた
ことを特徴とする光半導体集積デバイス。 - 請求項1または2に記載の光半導体集積デバイスにおいて、
前記半導体レーザが、波長可変半導体レーザである
ことを特徴とする光半導体集積デバイス。 - 請求項3に記載の光半導体集積デバイスにおいて、
前記波長可変半導体レーザは各レーザが個別に発振制御および波長可変でき、且つ、各レーザの発振波長が重ならない、もしくは僅かに重なるように設計されたレーザ部が複数並んだレーザアレイ部を構成しており、
各レーザ部からの出射光を光合波し、前記非活性層に導入する合波器を有する
ことを特徴とする光半導体集積デバイス。 - 請求項1ないし4のいずれか1項に記載の光半導体集積デバイスの制御方法であって、
レンズ出射光の外部の光部品との結合効率を検出回路で検出し、検出された結合効率に応じて前記制御回路により前記制御電極から前記非活性層に注入する電流を制御して前記非活性層内部の屈折率を変化させることにより、結合効率が最大となるようにレンズ出射光のビーム径を制御する
ことを特徴とする光半導体集積デバイスの制御方法。
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JP2015130469A JP6434865B2 (ja) | 2015-06-29 | 2015-06-29 | レンズ集積型光半導体集積デバイス及びその制御方法 |
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