JP6425621B2 - Power converter - Google Patents

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Description

この発明は、半導体素子で構成されたスイッチング回路のスイッチング損失低減とスイッチング時のトランスの巻線損失を低減できる電力変換装置に関するものである。   The present invention relates to a power conversion device capable of reducing switching loss of a switching circuit formed of semiconductor elements and reducing winding loss of a transformer during switching.

従来の電力変換装置は、例えば直交型のトランスを用いてインダクタンスを調整し、出力変動を解消する電源構成としている(例えば、特許文献1)。
また、トランスのコアにギャップを設け、漏れインダクタンスによりソフトスイッチングする電源構成により、損失を低減している(例えば、特許文献2)。
The conventional power conversion device adjusts the inductance using, for example, an orthogonal transformer, and has a power supply configuration that eliminates output fluctuation (for example, Patent Document 1).
In addition, a loss is reduced by providing a gap in the core of the transformer and performing a soft switching by a leakage inductance (for example, Patent Document 2).

特開平7−335456号公報JP-A-7-335456 特開平5−67536号公報JP-A-5-67536

このような電力変換装置では、トランスに直交する磁路を構成したり、漏れ磁束を得るためにコアにギャップを設ける必要があるなど、形状が特定されると共に、漏れ磁束による磁気干渉で巻線の損失が増加するなどの問題があった。   In such a power conversion device, it is necessary to form a magnetic path orthogonal to the transformer, to provide a gap in the core in order to obtain a leakage flux, and so on. Problems such as increased loss of

この発明は、上記のような問題点を解消するために成されたものであって、トランスのコアにギャップを設けることなく、またコアの磁路を直交するような構成をとることなく、スイッチング回路の半導体素子のターンオン時の突入電流を抑制することによるスイッチング損失低減と、スイッチングオフ期間のトランス巻線に発生する振動電流を減衰することにより、トランスの巻線損失を低減することができる電力変換装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is possible to provide switching without providing a gap in the core of the transformer and without adopting a configuration in which the magnetic paths of the core are orthogonal to each other. Power that can reduce the winding loss of the transformer by reducing the switching loss by suppressing the inrush current at turn-on of the semiconductor element of the circuit, and attenuating the oscillating current generated in the transformer winding during the switching off period It aims at providing a converter.

この発明に係る電力変換装置においては、直流電圧を交流電圧に変換する第1のスイッチング回路、第1のスイッチング回路に接続されたトランス、トランスに接続された整流回路により整流された電圧を出力するものであって、トランスの入力側の第1の巻線と出力側の第2の巻線と磁気的に結合する第3の巻線、第3の巻線から負荷に流れる電流をオン、オフする第2のスイッチング回路、第1のスイッチング回路がオフのとき、第3の巻線から負荷に電流が流れるように第2のスイッチング回路を制御する指令手段を備え、指令手段は、第1のスイッチング回路をオフする前に、第3の巻線から負荷に電流が流れるように第2のスイッチング回路をオンすることを特徴とする電力変換装置。

In the power converter according to the present invention, a first switching circuit for converting a DC voltage to an AC voltage, a transformer connected to the first switching circuit, and a voltage rectified by a rectifying circuit connected to the transformer are output. The third winding magnetically coupled to the first winding on the input side of the transformer and the second winding on the output side, and the current flowing from the third winding to the load is turned on and off. A second switching circuit, and command means for controlling the second switching circuit such that current flows from the third winding to the load when the first switching circuit is off, the command means comprising: A power converter characterized in that the second switching circuit is turned on so that current flows from the third winding to the load before the switching circuit is turned off .

この発明は、トランスの第3の巻線に流れる電流をスイッチング回路と同期して制御することにより、スイッチング時の損失を低減することができる。   The present invention can reduce switching loss by controlling the current flowing in the third winding of the transformer in synchronization with the switching circuit.

この発明の実施の形態1を示す電力変換装置の回路概略図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a circuit schematic of the power converter device which shows Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態1を示すトランスの巻線状態図である。FIG. 3 is a winding state diagram of a transformer showing Embodiment 1 of the present invention. この発明の実施の形態1を示すトランスの漏れ磁界強度の説明図である。It is explanatory drawing of the leakage magnetic field intensity of the transformer which shows Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態1を示すトランスの漏れ磁界強度の説明図である。It is explanatory drawing of the leakage magnetic field intensity of the transformer which shows Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態1を示す漏れインダクタンスとスイッチング損失の波形図である。It is a wave form diagram of the leakage inductance and the switching loss which show Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態1を示すトランスの電圧波形図である。It is a voltage waveform figure of the transformer which shows Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態1を示すトランスの等価回路図である。It is an equivalent circuit schematic of the transformer which shows Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態1を示すトランスの電圧波形図である。It is a voltage waveform figure of the transformer which shows Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態2を示すスイッチタイミング波形図である。It is a switch timing waveform chart which shows Embodiment 2 of this invention. この発明の実施の形態2を示すトランスの電圧波形図である。It is a voltage waveform figure of the transformer which shows Embodiment 2 of this invention. この発明の実施の形態3を示す電力変換装置の回路概略図である。It is the circuit schematic of the power converter device which shows Embodiment 3 of this invention. この発明の実施の形態3を示すトランスの等価回路図である。It is an equivalent circuit schematic of the transformer which shows Embodiment 3 of this invention. この発明の実施の形態3を示すトランスの電圧波形図である。It is a voltage waveform figure of the transformer which shows Embodiment 3 of this invention. この発明の実施の形態4を示す電力変換装置の回路概略図である。It is the circuit schematic of the power converter device which shows Embodiment 4 of this invention. この発明の実施の形態4を示すトランスの巻線状態図である。It is a winding state figure of the transformer which shows Embodiment 4 of this invention. この発明の実施の形態4を示すトランスの漏れ磁界強度の説明図である。It is explanatory drawing of the leakage magnetic field intensity of the transformer which shows Embodiment 4 of this invention. この発明の実施の形態4を示すトランスの漏れ磁界強度の説明図である。It is explanatory drawing of the leakage magnetic field intensity of the transformer which shows Embodiment 4 of this invention. この発明の実施の形態4を示すスイッチングタイミング波形図である。It is a switching timing waveform figure which shows Embodiment 4 of this invention.

実施の形態1.
以下、この発明の実施の形態1による電力変換装置100について説明する。図1は、この発明の実施の形態1による電力変換装置100の回路概略図である。
図1に示すように、直流電圧源1、直流電圧源1に接続され、直流電圧を交流電圧に変換する第1のスイッチング回路2、この第1のスイッチング回路2は半導体素子、例えばMOSFET(Metal−Oxide−semiconductor field−effect transistor)などで構成される。第1のスイッチング回路2に接続され、交流電圧を昇圧または降圧するトランス3、このトランス3は、巻線3a、3b、3cがそれぞれn1:n3:n2の比でコアに巻回され、3eはトランス3の漏れインダクタンスを示す。巻線3bに接続され、変圧した交流を直流に整流する整流回路4、この整流回路4に接続され、整流された直流電圧で動作する負荷5、巻線3cに接続され、共振電圧をダンピングするダンピング抵抗7、巻線3cとダンピング抵抗7との接続をオン、オフする第2のスイッチング回路6、第1のスイッチング回路2および第2のスイッチング回路6にオン、オフを指令する指令手段200から構成される。指令手段200は、CPUまたは、ロジックICなどで構成される。指令手段200と第2のスイッチング回路6により、巻線3cに流れる電流を制御する。
Embodiment 1
Hereinafter, power converter 100 according to Embodiment 1 of the present invention will be described. FIG. 1 is a circuit schematic diagram of a power conversion device 100 according to a first embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 1, a DC voltage source 1 and a first switching circuit 2 connected to the DC voltage source 1 for converting a DC voltage to an AC voltage, the first switching circuit 2 is a semiconductor element such as a MOSFET (Metal (for example) -Oxide-semiconductor field-effect transistor) etc. A transformer 3 connected to the first switching circuit 2 for boosting or stepping down an AC voltage, in which the windings 3a, 3b and 3c are wound around the core at a ratio of n1: n3: n2, respectively, and 3e is The leakage inductance of the transformer 3 is shown. A rectifier circuit 4 connected to the winding 3b to rectify a transformed alternating current to a direct current, connected to the rectifier circuit 4 and connected to a load 5 operating with the rectified DC voltage and a winding 3c to damp a resonant voltage Damping resistor 7, second switching circuit 6 for turning on and off the connection between winding 3c and damping resistor 7, command means 200 for commanding first switching circuit 2 and second switching circuit 6 to turn on and off Configured The command means 200 is configured by a CPU or a logic IC. The current flowing in the winding 3 c is controlled by the command means 200 and the second switching circuit 6.

このように構成される電力変換装置100の動作について説明する。
指令手段200からの指令に基づき、第1のスイッチング回路2がオンする際、第2のスイッチング回路6をオフするように制御する。これにより、巻線3cに電流が流れず、トランス3の結合度が下がり、漏れインダクタンス3eが増加するため、第1のスイッチング回路2に流れ込む電流が限流され、第1のスイッチング回路2のオン時のスイッチング損失を低減することができる。
また、指令手段200からの指令に基づき、第1のスイッチング回路2をオフする際、第2のスイッチング回路6をオンするように制御する。これにより、ダンピング抵抗7が作用し、巻線3aの共振電圧を抑制することができ、トランス3の巻線損失を低減することができる。
The operation of power converter 100 configured as described above will be described.
When the first switching circuit 2 is turned on, the second switching circuit 6 is controlled to be turned off based on the command from the command means 200. As a result, no current flows in the winding 3c, the degree of coupling of the transformer 3 decreases, and the leakage inductance 3e increases, so that the current flowing into the first switching circuit 2 is current limited, and the first switching circuit 2 is turned on. Switching loss can be reduced.
When the first switching circuit 2 is turned off, the second switching circuit 6 is controlled to be turned on based on the command from the command means 200. Thereby, the damping resistance 7 acts to suppress the resonance voltage of the winding 3a, and the winding loss of the transformer 3 can be reduced.

まず、第1のスイッチング回路2オン時のスイッチング損失を低減できる動作を詳述する。
図2、図3、図4は、第2のスイッチング回路6のオン、オフ制御により、トランス3の漏れインダクタンス3eを調整できることを説明する図である。
一般にトランスの漏れインダクタンスは、磁気回路中に蓄積された磁気エネルギーWを用い、一次換算した漏れインダクタンスをLl、電流をi1とすると、次式で表される。

Figure 0006425621
First, an operation capable of reducing the switching loss when the first switching circuit 2 is on will be described in detail.
2, 3 and 4 are diagrams for explaining that the leakage inductance 3e of the transformer 3 can be adjusted by the on / off control of the second switching circuit 6. FIG.
In general, the leakage inductance of the transformer is expressed by the following equation, using magnetic energy W stored in the magnetic circuit, and assuming that L1 is the leakage inductance converted to primary and the current is i1.
Figure 0006425621

また、漏れ磁束の空間をS、漏れ磁束の磁界強度をH、磁束密度をB、透磁率をμとすると、磁気エネルギーWは次式で表される。

Figure 0006425621
Further, assuming that the space of the leakage flux is S, the magnetic field strength of the leakage flux is H, the magnetic flux density is B, and the magnetic permeability is μ, the magnetic energy W is expressed by the following equation.
Figure 0006425621

この関係から、漏れ磁束の磁界強度Hを小さくすれば空間に蓄えられる磁気エネルギーWが減少し、漏れインダクタンスを小さくできることがわかる。   From this relationship, it can be seen that if the magnetic field strength H of the leakage flux is reduced, the magnetic energy W stored in the space is reduced, and the leakage inductance can be reduced.

図2は、トランス3の巻線の状態を示しており、コア3fに巻線3a、3c、3bの順に同心上に巻回されている。図3は、図2の巻線配置の一部を拡大し(図中破線で囲まれた部分)、トランス3のコア3fを起点とし、起点からの距離dに応じて巻線に流れる電流とその向きにより、漏れ磁束の磁界強度が変化することを説明している。
図3において、第2のスイッチング回路6がオンしているときには、例えば巻線3aには紙面奥から手前に向かって2Iの電流が流れ、巻線3cと巻線3bにはそれぞれ手前から奥に向かってIの電流が流れる。
電流Iが流れて漏れ磁束の磁界H0が生じるとすると、巻線3aが全て含まれる距離d1で電流は2Iとなるため2H0の磁界が生じ、巻線3cを全て含む距離d2では、巻線3cには巻線3aと逆向きに電流Iが流れるため、磁界はH0減じてH0となり、巻線3bを全て含む距離d3では、巻線3aと逆向きに電流Iが流れるため磁界はさらにH0減じて0となる。このように、縦軸に漏れ磁束の磁界強度H、横軸に距離dをとり、以上説明した巻線に流れる電流により生じる漏れ磁束の磁界のグラフで囲まれる面積X1がトランス3の漏れインダクタンス3eの大きさを表すことになる。
FIG. 2 shows the state of the windings of the transformer 3, which are concentrically wound around the core 3f in the order of the windings 3a, 3c and 3b. FIG. 3 is an enlarged view of a part of the winding arrangement of FIG. 2 (a portion surrounded by a broken line in FIG. 3), starting from the core 3f of the transformer 3 and the current flowing in the winding according to the distance d It is explained that the magnetic field strength of the leakage flux changes depending on the direction.
In FIG. 3, when the second switching circuit 6 is on, for example, a current of 2I flows through the winding 3a from the back to the front of the drawing, and each of the winding 3c and the winding 3b is from the front to the back A current of I flows toward.
Assuming that the current I flows and the magnetic field H0 of the leakage flux is generated, the current becomes 2I at a distance d1 where all the windings 3a are included, and a magnetic field of 2H0 is generated, and at a distance d2 including all the windings 3c, the windings 3c Since the current I flows in the opposite direction to the winding 3a, the magnetic field is reduced by H0 to H0, and the current I flows in the opposite direction to the winding 3a at the distance d3 including all the windings 3b, so the magnetic field is further reduced H0. It becomes 0. Thus, taking the magnetic field strength H of the leakage flux on the vertical axis and the distance d on the horizontal axis, the area X1 surrounded by the graph of the magnetic field of the leakage flux generated by the current flowing in the winding described above is the leakage inductance 3e of the transformer 3 Represents the size of the

同様に、図4に第2のスイッチング回路6がオフしている場合を示すと、巻線3aには紙面奥から手前に向かって2Iの電流が流れるため、距離d1で2H0の磁界が生じるが、巻線3cには電流が流れないため距離d2では磁界の変化が無く2H0の磁界が生じ、巻線3bに紙面手前から奥に向かって電流2Iが流れるため、距離d3で磁界は2H0減じて、0となる。
従って漏れ磁束の磁界のグラフで囲まれる面積で示される漏れインダクタンスの大きさX2は、上述した第2のスイッチング回路6がオンしている図3のX1よりも大きくなる。以上のように、第2のスイッチング回路6をオン、オフすることにより、巻線3cに電流を流す場合と流さない場合とで磁気回路に蓄積されるエネルギー(グラフで囲まれる面積)が変わるため、トランス3の漏れインダクタンス3eの調整が可能となる。
Similarly, when the second switching circuit 6 is turned off in FIG. 4, a current of 2I flows in the winding 3a from the back to the front of the drawing, so a magnetic field of 2H0 is generated at the distance d1. Since no current flows in winding 3c, there is no change in the magnetic field at distance d2 and a magnetic field of 2H0 is generated, and current 2I flows in the winding 3b from the front to the back of the drawing sheet, so the magnetic field is reduced by 2H0 at distance d3. It becomes 0.
Therefore, the magnitude X2 of the leakage inductance indicated by the area surrounded by the magnetic flux graph of the leakage flux is larger than X1 in FIG. 3 in which the second switching circuit 6 described above is on. As described above, when the second switching circuit 6 is turned on and off, the energy (area surrounded by the graph) stored in the magnetic circuit changes depending on whether current flows through the winding 3c or not. , Adjustment of the leakage inductance 3e of the transformer 3 becomes possible.

図5は、上述のように漏れインダクタンス3eを調整して、半導体素子で構成される第1のスイッチング回路2のスイッチング損失を低減できることを説明した波形図である。
図中、上部に半導体素子のドレインとソース間の電圧と電流の関係を示し、下部に電流の変化によるスイッチング損失の変化を示している。縦軸は大きさを表し、横軸は時間経過を示す。
時間t1で、第1のスイッチング回路2がオンした際に、第2のスイッチング回路6をオフにした状態では、オンにした状態よりも漏れインダクタンスを大きくできるため、図中、破線で示すように、ドレイン―ソース間の電流が限流され、スイッチング損失が低減できる。
FIG. 5 is a waveform diagram illustrating that the leakage loss 3e can be adjusted as described above to reduce the switching loss of the first switching circuit 2 formed of a semiconductor element.
In the figure, the upper part shows the relationship between the voltage and current between the drain and the source of the semiconductor element, and the lower part shows the change in switching loss due to the change in current. The vertical axis represents the size, and the horizontal axis represents the passage of time.
When the first switching circuit 2 is turned on at time t1, in the state in which the second switching circuit 6 is turned off, the leakage inductance can be made larger than in the state where the second switching circuit 6 is turned on. The current between the drain and the source is limited, and the switching loss can be reduced.

次に、第1のスイッチング回路2オフ時にトランス3の巻線損失を低減できる動作につき詳述する。
図6は、第1のスイッチング回路2がオン、オフのスイッチング動作をする際のトランス3の電圧波形図である。この時、第2のスイッチング回路6はオフである。
図7は、第1のスイッチング回路2オフ時のトランス3の一次側換算した等価回路であり、トランス3は、漏れインダクタンス3eとトランスの巻線抵抗3gで表され、第1のスイッチング回路2の寄生コンデンサ成分2aとで共振回路を構成し、図6のt2−t3、t4―t5領域で示されるような共振電圧が発生する。
図8に示すように、この共振電圧の発生する(第1のスイッチング回路2がオフとなる)タイミングで第2のスイッチング回路6をt2、t4のタイミングでオンするとダンピング抵抗7が接続される。図7に示すダンピング抵抗7はその抵抗値をRとすると、巻線3aの巻数n1と巻線3bの巻数n2を用いて以下の式で表される抵抗がトランス3に並列接続され、共振電圧がダンピングされる。

Figure 0006425621
Next, an operation capable of reducing the winding loss of the transformer 3 when the first switching circuit 2 is off will be described in detail.
FIG. 6 is a voltage waveform diagram of the transformer 3 when the first switching circuit 2 performs the on / off switching operation. At this time, the second switching circuit 6 is off.
FIG. 7 shows an equivalent circuit obtained by converting the primary side of the transformer 3 when the first switching circuit 2 is off. The transformer 3 is represented by a leakage inductance 3 e and a winding resistance 3 g of the transformer. The parasitic capacitor component 2a constitutes a resonant circuit, and a resonant voltage as shown in the t2-t3 and t4-t5 regions of FIG. 6 is generated.
As shown in FIG. 8, when the second switching circuit 6 is turned on at timings t2 and t4 at the timing when the resonance voltage is generated (the first switching circuit 2 is turned off), the damping resistor 7 is connected. Assuming that the resistance value of the damping resistor 7 shown in FIG. 7 is R, a resistor represented by the following equation is connected in parallel to the transformer 3 using the number n1 of turns of the winding 3a and the number n2 of turns of the winding 3b. Is dumped.
Figure 0006425621

このように実施の形態1の構成では、指令手段200により第2のスイッチング回路をオフすることにより、トランスの巻線3cに電流を流さないように制御し、漏れインダクタンスを大きく見せることができ、電流の傾きが小さくなるため第1のスイッチング回路2のオン時に生じるスイッチング損失を低減することができる。また、指令手段200により第2のスイッチング回路をオンすることにより、トランス3の巻線3cに電流を流すように制御することでトランス3の巻線損失を低減することができる。   As described above, in the configuration of the first embodiment, by turning off the second switching circuit by the command means 200, control can be performed so that current does not flow to the winding 3c of the transformer, and the leakage inductance can be made large. Since the slope of the current is reduced, it is possible to reduce the switching loss that occurs when the first switching circuit 2 is turned on. Further, by turning on the second switching circuit by the command means 200, it is possible to reduce the winding loss of the transformer 3 by performing control so that current flows to the winding 3c of the transformer 3.

実施の形態2
上記実施の形態1では、図8で説明した通り、第1のスイッチング回路2と第2のスイッチング回路6が同じタイミングで切替わる。実施の形態1で説明した通り、第2のスイッチング回路6をオンしている時は、漏れインダクタンス3eは小さく、オフしている時は、漏れインダクタンス3eは大きくなる。第1のスイッチング回路2がオフしている期間に生じる振動エネルギーは、漏れインダクタンス3eが大きいほど大きくなるため、これをできるだけ小さくすることが望ましい。
つまり、図9のスイッチング回路制御時のトランス3の電圧波形において、第2のスイッチング回路6を、図8と同様にタイミングAで動作させると、漏れインダクタンス3eが大きいt2、t4のタイミングで第1のスイッチング回路2がターンオフすることになり、ターンオフ直後の巻線3aに生じる共振電圧は大きくなる。
これに対し、第2のスイッチング回路6をタイミングBのように、第1のスイッチング回路2がターンオフするよりも、Δt1だけ前に第2のスイッチング回路6をターンオンさせる。これにより、トランスの漏れインダクタンス3eを小さくした状態で第1のスイッチング回路2がターンオフするため、巻線3aに生じるターンオフ直後の共振電圧を小さくし、トランス3の巻線損失をさらに低減することができる。
図10は、図9で説明したタイミングAおよびタイミングBでのトランス電圧Vtの収束状態を示す波形図である。破線がタイミングAを実線がタイミングBを示す。タイミングBでの動作のほうがトランス電圧は早く収束する。
図9、図10とも図8と同様、第1のスイッチング回路がオンするタイミングでは第2のスイッチング回路がオフであり、トランスの巻線3cに電流を流さないように制御することにより、漏れインダクタンスを大きく見せることができ、電流の傾きが小さくなるため第1のスイッチング回路2のオン時に生じるスイッチング損失を低減することができる。
Embodiment 2
In the first embodiment, as described in FIG. 8, the first switching circuit 2 and the second switching circuit 6 are switched at the same timing. As described in the first embodiment, the leakage inductance 3e is small when the second switching circuit 6 is on, and the leakage inductance 3e is large when the second switching circuit 6 is off. The vibration energy generated during the period in which the first switching circuit 2 is off increases as the leakage inductance 3 e increases. Therefore, it is desirable to reduce the vibration energy as much as possible.
That is, in the voltage waveform of the transformer 3 at the time of control of the switching circuit of FIG. 9, when the second switching circuit 6 is operated at timing A as in FIG. 8, the first one is performed at timings t2 and t4 where the leakage inductance 3e is large. The switching circuit 2 is turned off, and the resonant voltage generated in the winding 3a immediately after the turning off is increased.
On the other hand, as in the timing B, the second switching circuit 6 is turned on by Δt1 before the first switching circuit 2 is turned off. As a result, the first switching circuit 2 is turned off in a state where the leakage inductance 3e of the transformer is reduced, so that the resonance voltage immediately after the turn-off generated in the winding 3a is reduced and the winding loss of the transformer 3 is further reduced. it can.
FIG. 10 is a waveform diagram showing the convergence state of the transformer voltage Vt at the timing A and the timing B described in FIG. The broken line indicates timing A and the solid line indicates timing B. The transformer voltage converges faster in the operation at timing B.
9 and 10, the second switching circuit is off at the timing when the first switching circuit is turned on, as in FIG. 8, and the leakage inductance is controlled by controlling so that no current flows to the winding 3c of the transformer. Therefore, the switching loss generated when the first switching circuit 2 is turned on can be reduced.

このように実施の形態2の構成では、指令手段200により、第1のスイッチング回路2をオフする前に第2のスイッチング回路6をオンして巻線3cに電流を流すように制御することにより、第1のスイッチング回路2のターンオフ直後の巻線3aに生じる共振電圧を小さくすることができ、トランス3の巻線損失をさらに低減することができる。   As described above, in the configuration of the second embodiment, the second switching circuit 6 is turned on by the command means 200 before the first switching circuit 2 is turned off so that a current flows to the winding 3c. The resonant voltage generated in the winding 3a immediately after the first switching circuit 2 is turned off can be reduced, and the winding loss of the transformer 3 can be further reduced.

実施の形態3.
実施の形態1、2では、共振電圧の低減にダンピング抵抗7を用いたが、この実施の形態では、容量性負荷8を第2のスイッチング回路6を介して巻線3cに接続する。
図11はこの発明の実施の形態3における電力変換装置110の回路概略図であり、図中、図1と同じ符号は同じ、又はこれに相当する構成を示す。
次に動作について説明する。指令手段200からの指令に基づき第1のスイッチング回路2をオフする際、第2のスイッチング回路6をオンし、巻線3cに接続された容量性負荷8により、巻線3aに共振電圧が生じないようにトランス3の巻線損失を低減することができる。
図12で、トランス3の一次換算した等価回路で示されるように、トランス3は、漏れインダクタンス3eと巻線抵抗3gで表され、第1のスイッチング回路2のオフ時に、第1のスイッチング回路2の寄生コンデンサ成分2aとで共振回路を構成し、共振電圧が発生する(図6のt2−t3、t4―t5領域参照)。
これに対し、第2のスイッチング回路6がオンすると、容量性負荷8の容量値をC1とすると、巻線3aの巻数n1と巻線3bの巻数n2を用いて、次式で表される容量がトランス3に並列接続され、共振電圧が変動する。

Figure 0006425621
この共振回路のアドミタンスYは、共振回路の容量をC、漏れインダクタンス3eの値をL、トランス3の巻線抵抗3gの抵抗値をRacとすると、次式で表される。
Figure 0006425621
これより、振動させないための条件が次式で表される。
Figure 0006425621
一例であるが、仮に共振している周波数でのRac=1Ω、漏れインダクタンスL=1μH、巻線比n1/n2=5の時、C1に40μFを接続すると、上記式の左辺は1.6となり、1より大きくなるため、共振が成立しないことになる。
以上のように、容量性負荷8を共振が生じない値に設定することで、図13に示すように、第1のスイッチング回路2がオフになるタイミングで第2のスイッチング回路6をオンすることにより、巻線3aに共振電圧が生じず、トランス3の巻線損失低減が図れる。 Third Embodiment
In the first and second embodiments, the damping resistor 7 is used to reduce the resonance voltage. However, in this embodiment, the capacitive load 8 is connected to the winding 3 c via the second switching circuit 6.
FIG. 11 is a schematic circuit diagram of a power conversion device 110 according to a third embodiment of the present invention, in which the same reference numerals as in FIG. 1 denote the same or corresponding parts.
Next, the operation will be described. When the first switching circuit 2 is turned off based on the command from the command means 200, the second switching circuit 6 is turned on, and the capacitive load 8 connected to the winding 3c generates a resonant voltage in the winding 3a. The winding loss of the transformer 3 can be reduced so as not to occur.
As shown in FIG. 12 as an equivalent circuit obtained by primary conversion of the transformer 3, the transformer 3 is represented by the leakage inductance 3e and the winding resistance 3g, and when the first switching circuit 2 is off, the first switching circuit 2 is The parasitic capacitor component 2a forms a resonant circuit to generate a resonant voltage (see t2-t3 and t4-t5 regions in FIG. 6).
On the other hand, when the second switching circuit 6 is turned on, assuming that the capacitance value of the capacitive load 8 is C1, using the number n1 of turns of the winding 3a and the number n2 of turns of the winding 3b, the capacitance Are connected in parallel to the transformer 3, and the resonant voltage fluctuates.
Figure 0006425621
The admittance Y of this resonant circuit is expressed by the following equation, where C is the capacitance of the resonant circuit, L is the value of the leakage inductance 3e, and Rac is the resistance value of the winding resistance 3g of the transformer 3.
Figure 0006425621
From this, the condition for preventing vibration is expressed by the following equation.
Figure 0006425621
As an example, if 40 μF is connected to C1 when Rac = 1Ω, leakage inductance L = 1 μH, and winding ratio n1 / n2 = 5 at a resonating frequency, the left side of the above equation becomes 1.6, 1 As this becomes larger, resonance will not be established.
As described above, by setting the capacitive load 8 to a value at which resonance does not occur, as shown in FIG. 13, the second switching circuit 6 is turned on at the timing when the first switching circuit 2 is turned off. As a result, no resonance voltage is generated in the winding 3a, and the winding loss of the transformer 3 can be reduced.

このように実施の形態3の構成では、ダンピング抵抗7の代わりに共振が生じない値に設定した容量性負荷8を巻線3aと接続させることにより、指令手段200により、第1のスイッチング回路2をオフする際に第2のスイッチングをオンするように制御をすることにより、共振電圧を発生させず、トランス3の巻線損失をさらに低減することができる。   Thus, in the configuration of the third embodiment, the first switching circuit 2 is controlled by the command means 200 by connecting the capacitive load 8 set to a value at which no resonance occurs instead of the damping resistor 7 to the winding 3a. By controlling to turn on the second switching when turning off, it is possible to further reduce the winding loss of the transformer 3 without generating a resonant voltage.

実施の形態4
図14は、実施の形態1のトランスの漏れインダクタンスをさらに小さくできる電力変換装置120の回路概略図である。図中、実施の形態1と同一符号は、同じ構成又は相当する構成を示している。
トランス31は、巻線3a、3h、3b、3cがそれぞれ、n1:n1:n3:n2の比でコアに巻回される。31eはトランス31の漏れインダクタンスを示す。トランス31の巻線3aと巻線3hは並列に接続され、巻線3bは整流回路4に接続され、整流された直流電圧で負荷5を動作させる。巻線3cは第3のスイッチング回路9を介して整流回路11に接続され、整流された電圧で負荷12を動作させる。また、巻線3cは、第4のスイッチング回路10を介してダンピング抵抗7に接続される。第3のスイッチング回路9は指令手段210からの指令に基づき、整流回路11から負荷12に繋がる接続をオン、オフし、第4のスイッチング回路10は指令手段210からの指令に基づき、ダンピング抵抗7との接続をオン、オフする。
このように構成された電力変換装置120は、指令手段210からの指令に基づき、第1のスイッチング回路2がオンしている時、第3のスイッチング回路9をオンし、第4のスイッチング回路10をオフにする。これにより、巻線3cに電流が流れると、漏れ磁界がキャンセルされるため、トランス31の結合度が上がり、漏れインダクタンス31eが低下し、磁気干渉による巻線抵抗の増加が抑制され損失が低減できる。
Fourth Embodiment
FIG. 14 is a circuit schematic diagram of power converter 120 capable of further reducing the leakage inductance of the transformer of the first embodiment. In the figure, the same reference numerals as those in Embodiment 1 denote the same or corresponding components.
In the transformer 31, the windings 3a, 3h, 3b and 3c are wound around the core at a ratio of n1: n1: n3: n2, respectively. 31e indicates the leakage inductance of the transformer 31. The winding 3a and the winding 3h of the transformer 31 are connected in parallel, the winding 3b is connected to the rectifier circuit 4, and the load 5 is operated by the rectified DC voltage. The winding 3 c is connected to the rectifier circuit 11 via the third switching circuit 9 and operates the load 12 with the rectified voltage. The winding 3 c is connected to the damping resistor 7 via the fourth switching circuit 10. The third switching circuit 9 turns on and off the connection from the rectifier circuit 11 to the load 12 based on the command from the command means 210, and the fourth switching circuit 10 receives the damping resistor 7 based on the command from the command means 210. Switch on and off the connection.
The power conversion device 120 configured in this way turns on the third switching circuit 9 when the first switching circuit 2 is on based on the command from the command unit 210, and the fourth switching circuit 10 is turned on. Turn off. As a result, when a current flows through the winding 3c, the leakage magnetic field is canceled, so the degree of coupling of the transformer 31 is increased, the leakage inductance 31e is decreased, and the increase in winding resistance due to magnetic interference is suppressed, and the loss can be reduced. .

以下、動作につき詳述する。
図15は、トランス31の巻線の状態を示しており、コア3iに巻線3a、3c、3b、3hの順に同心上に巻回されており、巻線3aと巻線3hとで巻線3bと巻線3cとを挟み込んだ構成である。図16は図15の巻線の一部を拡大し、トランス31のコア3iを起点とし、起点からの距離dに応じて巻線に流れる電流とその向きにより、漏れ磁束の磁界強度が変化することを説明している。
図16において、第3のスイッチング回路9がオンし、第4のスイッチング回路10がオフされると、例えば巻線3a、3hには紙面奥から手前に向かってIの電流が流れ、巻線3cと3bにはそれぞれ手前から奥に向かってIの電流が流れる。
電流Iが流れて漏れ磁束の磁界H0が生じるとすると、巻線3aが全て含まれる距離d4で電流はIとなるためH0の磁界が生じ、巻線3cを全て含む距離d5では巻線3cには巻線3aと逆向きに電流Iが流れるため、磁界はH0減じて0となり、巻線3bを全て含む距離d6では巻線3aと逆向きに電流Iが流れるため、磁界はさらにH0減じて−H0となる。巻線3hを全て含むd7では、巻線3aと同じ向きに電流Iが流れるため、H0の磁界が生じ、0となる。このように漏れ磁界がキャンセルされるため、漏れインダクタンスを十分小さくできる。
図17は、第3のスイッチング回路9がオフし、第4のスイッチング回路10もオフされた場合の漏れインダクタンスの大きさを表す。例えば、巻線3aには紙面奥から手前に向かってIの電流が流れるため、距離d4でH0の磁界が生じるが、巻線3cには電流が流れないため距離d5では磁界の変化が無くH0の磁界が生じ、巻線3bには紙面手前から奥に向かって電流2Iが流れるため、磁界は2H0減じて距離d6で−H0となる。距離d7では、巻線3hに紙面奥から手前に向かってIの電流が流れるため、H0の磁界が生じ0となる。このため、漏れインダクタンスの大きさは、図16で示したものよりも大きくなる。
The operation will be described in detail below.
FIG. 15 shows the state of the windings of the transformer 31, which is concentrically wound around the core 3i in the order of the windings 3a, 3c, 3b and 3h, and the windings 3a and 3h are wound. It is the composition which inserted 3b and winding 3c. FIG. 16 is an enlarged view of a part of the winding of FIG. 15, starting from the core 3i of the transformer 31, and the magnetic field strength of the leakage flux changes according to the current flowing in the winding and its direction according to the distance d from the starting point. Explain that.
In FIG. 16, when the third switching circuit 9 is turned on and the fourth switching circuit 10 is turned off, for example, a current of I flows from the back to the front of the drawing through the windings 3a and 3h. The current I flows from the front to the back in 3b and 3b respectively.
Assuming that the current I flows and the magnetic field H0 of the leakage flux is generated, the current becomes I at a distance d4 at which all the windings 3a are included, and a magnetic field of H0 is generated, and at a distance d5 including all the windings 3c Since the current I flows in the opposite direction to the winding 3a, the magnetic field is reduced by H0 to 0, and the current I flows in the opposite direction to the winding 3a at a distance d6 including all the windings 3b. It becomes -H0. In d7 including all the windings 3h, the current I flows in the same direction as that of the windings 3a, so that a magnetic field of H0 is generated to be zero. Thus, since the leakage magnetic field is canceled, the leakage inductance can be sufficiently reduced.
FIG. 17 shows the magnitude of leakage inductance when the third switching circuit 9 is turned off and the fourth switching circuit 10 is also turned off. For example, since a current I flows in the winding 3a from the back to the front of the drawing, a magnetic field of H0 is generated at the distance d4, but no current flows in the winding 3c, and there is no change in the magnetic field at the distance d5 H0 The magnetic field is reduced by 2H0 and becomes -H0 at a distance d6. At the distance d7, a current of I flows through the winding 3h from the back to the front of the drawing surface, so that a magnetic field of H0 is generated and becomes 0. Therefore, the magnitude of the leakage inductance is larger than that shown in FIG.

このように実施の形態4の構成では、第1のスイッチング回路2がオンのとき、指令手段210からの指令により、第3のスイッチング回路9をオン、第4のスイッチング回路10をオフにすると、漏れ磁界がキャンセルされ、磁気干渉による巻線抵抗の増加が抑制され損失が低減される。   As described above, in the configuration of the fourth embodiment, when the third switching circuit 9 is turned on and the fourth switching circuit 10 is turned off by the command from the command unit 210 when the first switching circuit 2 is on, The leakage magnetic field is canceled, the increase in winding resistance due to magnetic interference is suppressed, and the loss is reduced.

実施の形態5
実施の形態4で説明した電力変換装置120の第1のスイッチング回路2、第3のスイッチング回路9、第4のスイッチング回路10のオン、オフの制御の一例を図18に示す。図18はスイッチング制御とトランスの電圧を示す波形図である。
第3のスイッチング回路9は第1のスイッチング回路2のターンオン時(t6)のΔt2後のt7にターンオンする。これにより、第1のスイッチング回路2がターンオンするとき(t6)は、第3のスイッチング回路9、第4のスイッチング回路10が共にオフであることにより図17でも説明した通り、第3のスイッチング回路9がオンのときよりも漏れインダクタンス31eが大きくなり、第1のスイッチング回路2のオン時(t6)の電流が限流されるため、スイッチング損失が低減できる。
第3のスイッチング回路9のオン時(t7)、トランス31の結合度は上がり、図16で説明したように、磁界がキャンセルされるため、漏れインダクタンスは小さくなり、磁気干渉による巻線の高周波抵抗増加が抑制され、トランス31の巻線損失増加が抑制される。
また、第1のスイッチング回路2のターンオフ時(t8)、第3のスイッチング回路9がオフし、第4のスイッチング回路10がオンする。これによりダンピング抵抗7が巻線3cに接続され、共振電圧がダンピングされ、巻線損失の低減が実現できる。
Fifth Embodiment
An example of on / off control of the first switching circuit 2, the third switching circuit 9, and the fourth switching circuit 10 of the power conversion device 120 described in the fourth embodiment is illustrated in FIG. 18. FIG. 18 is a waveform diagram showing switching control and transformer voltage.
The third switching circuit 9 is turned on at t7 after Δt2 when the first switching circuit 2 is turned on (t6). Thus, when the first switching circuit 2 is turned on (t6), the third switching circuit 9 and the fourth switching circuit 10 are both turned off, as described with reference to FIG. Since the leakage inductance 31 e becomes larger than when 9 is on, and the current of the first switching circuit 2 during on (t 6) is current-limited, switching loss can be reduced.
When the third switching circuit 9 is on (t7), the degree of coupling of the transformer 31 is increased, and the magnetic field is canceled as described in FIG. 16, so the leakage inductance is reduced, and the high frequency resistance of the winding due to magnetic interference The increase is suppressed, and the increase in the winding loss of the transformer 31 is suppressed.
Further, when the first switching circuit 2 is turned off (t8), the third switching circuit 9 is turned off and the fourth switching circuit 10 is turned on. As a result, the damping resistor 7 is connected to the winding 3c, the resonant voltage is damped, and the reduction of the winding loss can be realized.

このように実施の形態5の構成では、指令手段210からの指令により、第1のスイッチング回路2がオン、オフに同期して、上述した通り、第1、第3、第4のスイッチング回路をオン、オフすることにより、巻線損失を低減することができる。
なお、この発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
As described above, in the configuration of the fifth embodiment, the first, third, and fourth switching circuits are synchronized as described above in synchronization with the on / off of the first switching circuit 2 by the command from the command unit 210. By turning on and off, the winding loss can be reduced.
In the present invention, within the scope of the invention, each embodiment can be freely combined, or each embodiment can be appropriately modified or omitted.

1 直流電圧源、2 第1のスイッチング回路、2a 寄生コンデンサ成分 3 トランス、3a 巻線、3b 巻線、3c 巻線、3e 漏れインダクタンス、3f コア、3g 巻線抵抗、3h 巻線、3i コア、4 整流回路、5 負荷、6 第2のスイッチング回路、7 ダンピング抵抗、8 容量性負荷、9 第3のスイッチング回路、10 第4のスイッチング回路、31 トランス、31e 漏れインダクタンス、100 電力変換装置、110 電力変換装置、120 電力変換装置、200 指令手段、210 指令手段   1 DC voltage source, 2 first switching circuit, 2a parasitic capacitor component 3 transformer, 3a winding, 3b winding, 3c winding, 3e leakage inductance, 3f core, 3g winding resistance, 3h winding, 3i core, 4 rectifier circuit 5 load 6 second switching circuit 7 damping resistance 8 capacitive load 9 third switching circuit 10 fourth switching circuit 31 transformer 31 e leakage inductance 100 power converter 110 Power converter, 120 Power converter, 200 command means, 210 command means

Claims (4)

直流電圧を交流電圧に変換する第1のスイッチング回路、前記第1のスイッチング回路に接続されたトランス、前記トランスに接続された整流回路により整流された電圧を出力する電力変換装置において、前記トランスの入力側の第1の巻線と出力側の第2の巻線と磁気的に結合する第3の巻線、前記第3の巻線から負荷に流れる電流をオン、オフする第2のスイッチング回路、前記第1のスイッチング回路がオフのとき、前記第3の巻線から前記負荷に電流が流れるように前記第2のスイッチング回路を制御する指令手段を備え、
前記指令手段は、前記第1のスイッチング回路をオフする前に、前記第3の巻線から前記負荷に電流が流れるように第2のスイッチング回路をオンすることを特徴とする電力変換装置。
A first switching circuit for converting a DC voltage to an AC voltage, a transformer connected to the first switching circuit, and a power conversion device for outputting a voltage rectified by a rectifier circuit connected to the transformer, the transformer A third winding magnetically coupled to a first winding on the input side and a second winding on the output side; a second switching circuit for turning on / off a current flowing from the third winding to the load Path, command means for controlling the second switching circuit such that current flows from the third winding to the load when the first switching circuit is off,
The power conversion device according to claim 1, wherein the command means turns on the second switching circuit so that current flows from the third winding to the load before the first switching circuit is turned off .
前記負荷はダンピング抵抗、または容量性を有する負荷であることを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。 The power converter according to claim 1, wherein the load is a dumping resistor or a load having a capacitive property. 直流電圧を交流電圧に変換する第1のスイッチング回路、前記第1のスイッチング回路に接続されたトランス、前記トランスに接続された第1の整流回路により整流された電圧を出力する電力変換装置において、前記トランスの入力側で前記第1のスイッチング回路と互いに並列に接続された第1と第4の巻線、前記トランスの出力側で前記第1の整流回路と接続される第2の巻線、前記第1、前記第2、前記第4の巻線と磁気的に結合する第3の巻線、前記第3の巻線に接続された第2のスイッチング回路、前記第2のスイッチング回路に並列に接続される第3のスイッチング回路、前記第3のスイッチング回路に接続される第2の整流回路、前記第2のスイッチング回路に接続される負荷、前記第1、前記第2、前記第3のスイッチング回路のオン、オフを制御する指令手段を備え、前記第1のスイッチング回路がオンのとき、前記第3のスイッチング回路をオン、前記第2のスイッチング回路をオフにして第3の巻線に電流を流し、前記第1のスイッチング回路がオフの時、前記第3のスイッチング回路をオフ、前記第2のスイッチング回路をオンにしたことを特徴とする電力変換装置。   In a power conversion device for outputting a voltage rectified by a first switching circuit for converting a DC voltage to an AC voltage, a transformer connected to the first switching circuit, and a first rectifier circuit connected to the transformer, First and fourth windings connected in parallel with the first switching circuit on the input side of the transformer, and a second winding connected to the first rectifier circuit on the output side of the transformer; A third winding magnetically coupled to the first, second, and fourth windings; a second switching circuit connected to the third winding; parallel to the second switching circuit , A second rectifier circuit connected to the third switching circuit, a load connected to the second switching circuit, the first, second, and third Switching Command means for controlling on / off of the path, and when the first switching circuit is on, the third switching circuit is turned on and the second switching circuit is turned off to supply current to the third winding And the third switching circuit is turned off and the second switching circuit is turned on when the first switching circuit is turned off. 前記第1のスイッチング回路がオンした後に、前記第3のスイッチング回路をオンすることを特徴とする請求項3に記載の電力変換装置。 After said first switching circuit is turned on, the power converter according to claim 3, characterized in that on the third switching circuit.
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