JP6421126B2 - 磁気共鳴イメージング装置およびその撮像パラメータ変更支援方法 - Google Patents
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Description
基準値40%は目安として白い三角形が示す位置に表示される。SARまたはdB/dtの現在値については、スキャン(パルスシーケンス)ごとに分けて、同様にプログレスバー204やプログレスバー214等により、例えば黒い三角形が示す位置に表示される。
また、各スキャン間のコントラストが変わることなく、SARまたはdB/dtを低減するパラメータ調整ができるようになる。
Claims (15)
- 被検体を収容する空間に静磁場を発生させる静磁場発生源と、
前記静磁場に重畳する傾斜磁場を発生させる傾斜磁場発生部と、
前記被検体へ高周波磁場パルスを照射するための高周波磁場発生部と、
前記被検体から発生する核磁気共鳴信号を検出する信号検出部と、
前記静磁場発生源や前記傾斜磁場発生部や前記高周波磁場発生部や前記信号検出部をパルスシーケンスに従って制御するシーケンサと、
記憶装置と入力装置と出力装置とCPUを有する制御部とを備え、
前記制御部は、規定対象が入力操作に基づき入力されると、前記規定対象に関係する撮像パラメータを示唆する表示および前記撮像パラメータの変更方向を示唆する表示を前記出力装置に行い、
さらに前記制御部は、前記表示した撮像パラメータが変更されると、変更された前記撮像パラメータの値に基づき選択された前記規定対象の値を演算して求めることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。 - 請求項1に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記入力操作に基づき入力された前記規定対象が比吸収率である場合に、前記制御部は、前記比吸収率に関係する撮像パラメータを示唆する表示を前記出力装置に行い、さらに前記撮像パラメータの変更方向を示唆する情報を前記出力装置に表示することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。 - 請求項1に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記入力操作に基づき入力された前記規定対象が磁束密度の単位時間当たりの磁場変動率である場合に、前記制御部は、前記単位時間当たりの前記磁場変動率に関係する撮像パラメータを示唆する表示を前記出力装置に行い、さらに前記磁場変動率が低減するための前記撮像パラメータの変更方向を示唆する情報を前記出力装置に表示することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。 - 請求項1に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記出力装置に比吸収率に関係する撮像パラメータおよび磁束密度の単位時間当たりの磁場変動率に関係する撮像パラメータを含む撮像パラメータが表示され、
前記入力操作に基づき入力された前記規定対象が比吸収率である場合に、前記制御部は、前記出力装置に表示された撮像パラメータの内、前記比吸収率に関係する撮像パラメータを、他の撮像パラメータと区別してハイライト表示し、
前記入力操作に基づき入力された前記規定対象が磁束密度の単位時間当たりの磁場変動率である場合に、前記制御部は、前記出力装置に表示された撮像パラメータの内、前記単位時間当たりの前記磁場変動率に関係する撮像パラメータを、他の撮像パラメータと区別してハイライト表示することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。 - 請求項1に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
比吸収率あるいは単位時間当たりの磁場変動率の少なくとも一つが規定対象として前記出力装置に表示され、更に前記出力装置の表示面に前記規定対象に関係する複数の撮像パラメータが表示され、
前記規定対象の現在値および前記複数の撮像パラメータの各現在値がそれぞれ前記規定対象の表示や前記複数の撮像パラメータのそれぞれに対応して表示され、
前記規定対象の目標値が設定されると、前記設定された目標値に対応する前記複数の撮像パラメータのそれぞれの値が表示されることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。 - 請求項5に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記比吸収率あるいは前記単位時間当たりの磁場変動率の少なくとも一つからなる前記規定対象は、その現在値と目標値が許容値に対する相対表示で表されていることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。 - 請求項6に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記規定対象に関係する前記複数の撮像パラメータは、その値の増加が前記規定対象の改善に繋がる第1撮像パラメータと、その値の減少が前記規定対象の改善に繋がる第2撮像パラメータとを有し、
前記規定対象の現在値や前記第1撮像パラメータの現在値や前記第2撮像パラメータの現在値が、それぞれプログレスバーで、さらにそれぞれ並べて表示され、
前記規定対象の前記現在値のプログレスバーの軸の改善方向に合わせて、前記第1撮像パラメータの現在値を表すプログレスバーの軸の増加方向が配置され、さらに前記第2撮像パラメータの現在値を表すプログレスバーの軸の減少方向が配置されることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。 - 請求項6に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記規定対象の現在値と目標値を、許容値に対して設定した複数のレベルにより表示することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。 - 請求項1に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記出力装置の表示画面に、複数の撮像パラメータを表示する撮像パラメータ表示領域と、比吸収率あるいは磁束密度の単位時間当たりの磁場変動率の内の少なくとも一つの目標値を表示する目標値表示領域とが設けられ、
前記撮像パラメータ表示領域には、比吸収率に関係する撮像パラメータと、磁束密度の単位時間当たりの磁場変動率に関係する撮像パラメータを含む撮像パラメータとが、それぞれ並べて表示され、
前記目標値表示領域には、比吸収率あるいは磁束密度の単位時間当たりの磁場変動率の内の少なくとも一つの目標値が、許容値との相対関係で表示されることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。 - 請求項9に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記出力装置の表示画面に、比吸収率あるいは磁束密度の単位時間当たりの磁場変動率を選択する規定対象指定欄を表示する規定対象指定領域がさらに設けられ、規定対象指定領域に表示された規定対象指定欄に基づいて選択された規定対象の目標値が前記目標値表示領域に、許容値との相対関係で表示されることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。 - 請求項1に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記出力装置に表示された前記規定対象に関係する複数の前記撮像パラメータに対する選択操作に基づき、前記制御部によって選択状態を表す表示がされ、設定値の入力が許可されることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。 - 請求項1に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
撮像パラメータの変更方針を表示する変更方針表示領域に変更方針のリストが表示され、前記リストからの前記変更方針の選択に基づき、選択された変更方針に関係する撮像パラメータに関連を表す表示がなされることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。 - 請求項1に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記パルスシーケンスが複数指定された場合に、制御部はそれぞれの前記パルスシーケンスにおける規定対象の値を演算し、規定対象の値が最も厳しい状態にあるパルスシーケンスを変更対象とすることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。 - 請求項13に記載の磁気共鳴イメージング装置において、
表示画面に前記複数パルスシーケンスにおける規定対象の値を表示し、合わせて規定対象に関係する撮像パラメータの値を表示することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。 - パルスシーケンスに従って動作するシーケンサの制御に従って被検体を収容する空間に静磁場と傾斜磁場を発生し、前記被検体へ高周波磁場パルスを照射し、前記被検体から発生する核磁気共鳴信号を検出し、
記憶装置や入力装置や出力装置やCPUを有する制御部は、入力された規定対象に基づき、前記規定対象に関係する撮像パラメータを示唆する表示および前記撮像パラメータの変更方向を示唆する表示を前記出力装置に行い、
さらに前記表示した撮像パラメータの値が変更されると、変更された前記撮像パラメータの値に基づく前記選択された前記規定対象の値を演算して求めることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置の撮像パラメータ変更支援方法。
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