JP6416132B2 - スパッタリング装置 - Google Patents
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Description
本出願は、2013年3月1日に出願された米国特許仮出願第61/771,460号の利益を主張し、該仮出願は、参照により本明細書に組み込まれる。
例示的実施形態
Claims (19)
- マグネトロン組立体であって、
剛性支持構造(102)と、
前記剛性支持構造(102)に移動可能に取り付けられた磁石棒構造(104、144、312)と、
前記剛性支持構造(102)に連結され、かつ回転可能なターゲットシリンダ(172、210、322)の表面からの前記磁石棒構造(104、144、312)の距離を変化させるように構成された少なくとも1つの作動機構(108、146)と、
前記マグネトロン組立体の外部からコマンド信号を受信し、かつ前記マグネトロン組立体の外部に情報信号を送信するように構成された通信デバイス(158、176;320,330)と、を備え、
前記作動機構(108、146)が、
ホールプローブのためのセンサポート(120)と、
圧縮ガスを受容するように構成された空気圧作動ポート(122)と、
前記空気圧作動ポート(122)と連通するベローズ(124)と、前記ベローズ(124)および前記磁石棒構造(104、144、312)に連結された制御シャフト(130)と、
前記制御シャフト(130)に連結された戻しばね(128)と、
ホールプローブフィードバックのための前記制御シャフト(130)内の磁石(126)と、を備える、マグネトロン組立体。 - マグネトロン組立体であって、
剛性支持構造(102)と、
前記剛性支持構造(102)に移動可能に取り付けられた磁石棒構造(104、144、312)と、
前記剛性支持構造(102)に連結され、かつ回転可能なターゲットシリンダ(172、210、322)の表面からの前記磁石棒構造(104、144、312)の距離を変化させるように構成された少なくとも1つの作動機構(108、146)と、
前記マグネトロン組立体の外部からコマンド信号を受信し、かつ前記マグネトロン組立体の外部に情報信号を送信するように構成された通信デバイス(158、176;320,330)と、を備え、
前記作動機構(108、146)が、
ステッピングモータ(148))と、
前記ステッピングモータ(148)に動作可能に連結されたベベルギヤ(150)と、
前記ベベルギヤ(150)と嵌合されるねじ付きハウジング(152)と、
前記磁石棒構造(104、144、312)と前記ねじ付きハウジング(152)との間に連結されるねじ付きポスト(154)と、を備える、マグネトロン組立体。 - 請求項1又は2に記載のマグネトロン組立体において、前記作動機構(108、146)が、ばね荷重空気圧構造またはばね荷重油圧構造を備える、マグネトロン組立体。
- 請求項1又は2に記載のマグネトロン組立体において、前記作動機構(108、146)が、回転ケーブルまたはプッシュ/プルケーブルを備える、マグネトロン組立体。
- 請求項1又は2に記載のマグネトロン組立体において、前記作動機構(108、146)が、サーボ、ステッピングモータ(148)、または圧電モータを備えるモータ付き構造を含む、マグネトロン組立体。
- 請求項1又は2に記載のマグネトロン組立体において、前記回転可能なターゲットシリンダ(172、210、322)の前記表面に対する前記磁石棒構造(104、144、312)の位置を測定するように動作可能な位置指示機構を更に備える、マグネトロン組立体。
- 請求項6に記載のマグネトロン組立体において、前記位置指示機構が、直接感知によって、または間接メトリックによって、前記磁石棒構造(104、144、312)の位置を測定する、マグネトロン組立体。
- 請求項6に記載のマグネトロン組立体において、前記位置指示機構が、ホールプローブおよび磁石(126)を備える、マグネトロン組立体。
- 請求項6に記載のマグネトロン組立体において、前記位置指示機構が、データをさらに処理することなく直接オペレータに送信するデジタルインジケータを備える、マグネトロン組立体。
- 請求項6に記載のマグネトロン組立体において、前記作動機構(108、146)が、サーボ、ステッピングモータ(148)、または圧電モータを備えるモータ付き構造を含み、前記位置指示機構が、前記モータ付き構造との直接連結からのフィードバックを含む、マグネトロン組立体。
- 請求項1又は2に記載のマグネトロン組立体において、前記作動機構(108、146)と動作可能に通信する電子制御装置(156、316)をさらに備える、マグネトロン組立体。
- 請求項11に記載のマグネトロン組立体において、前記作動機構(108、146)および前記電子制御装置(156、316)に通電するように構成されたバッテリ電源(160)(160)をさらに備える、マグネトロン組立体。
- 請求項11に記載のマグネトロン組立体において、前記通信デバイス(158、176;320,330)が、前記電子制御装置(156、316)に動作可能に連結されたトランシーバを備える、マグネトロン組立体。
- 請求項13に記載のマグネトロン組立体において、前記トランシーバが、無線周波数トランシーバ、光トランシーバ、または超音波トランシーバを含む、マグネトロン組立体。
- 請求項11に記載のマグネトロン組立体において、前記ターゲットシリンダ(172、210、322)内に位置し、前記電子制御装置(156、316)に動作可能に連結される第1のトランシーバ(176、330)と、
前記ターゲットシリンダ(172、210、322)の外部に位置し、かつ前記第1のトランシーバ(176、330)と信号通信する第2のトランシーバ(176、330)と、を更に備え、
前記第1および第2のトランシーバ(176、330)が、光トランシーバを含む、マグネトロン組立体。 - 請求項15に記載のマグネトロン組立体において、前記第1のトランシーバ(176、330)に連結され、かつ前記第2のトランシーバ(176、330)に連結された第2の光ファイバーケーブル(224)と光通信する第1の光ファイバーケーブル(216)をさらに備える、マグネトロン組立体。
- 請求項16に記載のマグネトロン組立体において、前記ターゲットシリンダ(172、210、322)上のエンドキャップ(222)であって、前記第1の光ファイバーケーブルと前記第2の光ファイバーケーブルとの間で光信号が送信されることを可能にするウィンドウ(220)を有するエンドキャップ(222)をさらに備える、マグネトロン組立体。
- 請求項15に記載のマグネトロン組立体において、前記第1および第2のトランシーバ(176、330)が、超音波トランシーバを含む、マグネトロン組立体。
- 請求項18に記載のマグネトロン組立体において、前記第2のトランシーバ(176、330)が、ユーザー操作型の外部制御装置(344)と信号通信する、マグネトロン組立体。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361771460P | 2013-03-01 | 2013-03-01 | |
US61/771,460 | 2013-03-01 | ||
US14/019,877 US9418823B2 (en) | 2013-03-01 | 2013-09-06 | Sputtering apparatus |
US14/019,877 | 2013-09-06 | ||
PCT/US2014/018212 WO2014134004A1 (en) | 2013-03-01 | 2014-02-25 | Sputtering apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016514207A JP2016514207A (ja) | 2016-05-19 |
JP6416132B2 true JP6416132B2 (ja) | 2018-10-31 |
Family
ID=51420393
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015560242A Active JP6416132B2 (ja) | 2013-03-01 | 2014-02-25 | スパッタリング装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9418823B2 (ja) |
EP (2) | EP3686314B1 (ja) |
JP (1) | JP6416132B2 (ja) |
KR (1) | KR102147442B1 (ja) |
CN (1) | CN105026609B (ja) |
PL (2) | PL2961857T3 (ja) |
TW (1) | TWI612164B (ja) |
WO (1) | WO2014134004A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012109424A1 (de) * | 2012-10-04 | 2014-04-10 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Sputtermagnetron und Verfahren zur dynamischen Magnetfeldbeeinflussung |
US9312108B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-04-12 | Sputtering Components, Inc. | Sputtering apparatus |
KR102306695B1 (ko) * | 2014-03-14 | 2021-09-28 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 스마트 챔버 및 스마트 챔버 컴포넌트들 |
BE1021296B1 (nl) * | 2014-04-18 | 2015-10-23 | Soleras Advanced Coatings Bvba | Sputter systeem voor uniform sputteren |
AT14912U1 (de) * | 2015-05-06 | 2016-08-15 | Plansee Se | Anschlussstück für Rohrtarget |
WO2017139630A1 (en) * | 2016-02-12 | 2017-08-17 | Ipg Photonics Corporation | Laser alignment apparatus and system for alignment of output fiber of a fiber laser |
CN105714261A (zh) * | 2016-04-15 | 2016-06-29 | 河北物华天宝镀膜科技有限公司 | 一种旋转阴极磁棒装置 |
WO2019021519A1 (ja) * | 2017-07-25 | 2019-01-31 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置用のカソードユニット |
US10727034B2 (en) * | 2017-08-16 | 2020-07-28 | Sputtering Components, Inc. | Magnetic force release for sputtering sources with magnetic target materials |
GB2588425B (en) * | 2019-10-23 | 2021-10-27 | Elekta ltd | Magnetron condition monitoring |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3047113A1 (de) | 1980-12-13 | 1982-07-29 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Katodenanordnung und regelverfahren fuer katodenzerstaeubungsanlagen mit einem magnetsystem zur erhoehung der zerstaeubungsrate |
JPH0234780A (ja) * | 1988-07-25 | 1990-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マグネトロンスパッタ用磁気回路 |
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US8349156B2 (en) | 2008-05-14 | 2013-01-08 | Applied Materials, Inc. | Microwave-assisted rotatable PVD |
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US8182662B2 (en) | 2009-03-27 | 2012-05-22 | Sputtering Components, Inc. | Rotary cathode for magnetron sputtering apparatus |
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WO2011068263A1 (ko) | 2009-12-03 | 2011-06-09 | (주)에스엔텍 | 원통형 스퍼터링 캐소드 |
US9093251B2 (en) | 2011-02-18 | 2015-07-28 | Toyota Motor Europe Nv/Sa | Sputtering magnetron assembly |
EP2626887A1 (en) | 2012-02-13 | 2013-08-14 | Soleras Advanced Coatings bvba | Online adjustable magnet bar |
DE102012109424A1 (de) * | 2012-10-04 | 2014-04-10 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Sputtermagnetron und Verfahren zur dynamischen Magnetfeldbeeinflussung |
US9312108B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-04-12 | Sputtering Components, Inc. | Sputtering apparatus |
-
2013
- 2013-09-06 US US14/019,877 patent/US9418823B2/en active Active
-
2014
- 2014-02-25 CN CN201480011904.2A patent/CN105026609B/zh active Active
- 2014-02-25 EP EP20162666.0A patent/EP3686314B1/en active Active
- 2014-02-25 EP EP14757416.4A patent/EP2961857B1/en active Active
- 2014-02-25 JP JP2015560242A patent/JP6416132B2/ja active Active
- 2014-02-25 WO PCT/US2014/018212 patent/WO2014134004A1/en active Application Filing
- 2014-02-25 PL PL14757416T patent/PL2961857T3/pl unknown
- 2014-02-25 PL PL20162666T patent/PL3686314T3/pl unknown
- 2014-02-25 KR KR1020157017634A patent/KR102147442B1/ko active IP Right Grant
- 2014-02-26 TW TW103106441A patent/TWI612164B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140246310A1 (en) | 2014-09-04 |
EP2961857A1 (en) | 2016-01-06 |
WO2014134004A1 (en) | 2014-09-04 |
EP3686314A1 (en) | 2020-07-29 |
KR102147442B1 (ko) | 2020-08-25 |
EP3686314B1 (en) | 2021-09-29 |
TW201441402A (zh) | 2014-11-01 |
PL2961857T3 (pl) | 2020-09-07 |
EP2961857B1 (en) | 2020-05-13 |
PL3686314T3 (pl) | 2022-01-31 |
JP2016514207A (ja) | 2016-05-19 |
TWI612164B (zh) | 2018-01-21 |
EP2961857A4 (en) | 2016-08-31 |
CN105026609B (zh) | 2018-12-14 |
US9418823B2 (en) | 2016-08-16 |
CN105026609A (zh) | 2015-11-04 |
KR20150126818A (ko) | 2015-11-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170224 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171213 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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