JP6407419B2 - 回路装置の駆動方法 - Google Patents

Description

本発明は、回路装置の駆動方法及び当該方法を実施する計算ユニット並びにコンピュータプログラムに関する。

背景技術
ＢＬＤＣモータ（BrushLess DC-Motor、ブラシレス直流モータとも称する）は、特に簡単な構造を有している。従来の電気モータとは異なり、ＢＬＤＣモータには機械的なコミュテータは含まれていない。

ＢＬＤＣモータを駆動する回転磁界をインバータによって発生させることができ、この目的でインバータの半導体スイッチ素子を、様々な態様で制御することができる。この制御を、例えばパルス幅変調（ＰＷＭ）によって、ブロック動作において、空間ベクトル変調、三角波−矩形波変調、三角波−正弦波変調、又は、フラットトップ変調によって、行うことができる。

独国特許出願公開第１０２０１２２１０６５８号明細書（DE102012210658A1）によれば、インバータとして構成された回路装置により、空間ベクトル変調を用いて回転磁界を供給することができる。インバータは各相ごとに、それぞれ１つのハイサイドスイッチとローサイドスイッチとを備えた制御段を有している。この場合、回転磁界を形成するために、永久磁石を有するＢＬＤＣモータのロータの角度ポジションに応じて、制御段のハイサイドスイッチとローサイドスイッチが交互に制御される。

独国特許出願公開第１０２０１２２１０６５８号明細書

ＢＬＤＣモータを駆動可能な電力は、インバータの損失電力に左右される。損失電力によってインバータが加熱し、これによってＢＬＤＣモータの最大出力が制限される。

よって、かかる回路装置から供給可能な電力を高める、という要求が存在する。

発明の概要
本発明によれば、独立請求項の特徴を備えた回路装置の駆動方法及び当該方法を実施する計算ユニット並びにコンピュータプログラムが提案される。従属請求項及び以下の説明には、有利な実施形態が示されている。

例えば三相ＢＬＤＣモータのための、少なくとも３つの相のための少なくとも３つの制御段を備えた回路装置が用いられる。制御段は各々、１つのハイサイドスイッチと１つのローサイドスイッチとを含み、これらのハイサイドスイッチ及びローサイドスイッチを各々、導通状態と非導通状態とに移行可能である。ここで、第１のステップにおいて、ハイサイドスイッチ及び／又はローサイドスイッチの温度に作用するパラメータが求められる。次のステップにおいて、ハイサイドスイッチ又はローサイドスイッチが、求められたパラメータに応じてグループとして選択される。さらに次のステップでは、環流フェーズにおいて、選択されたハイサイドスイッチ又はローサイドスイッチにより、環流フェーズの間、環流が形成されるように、選択されたハイサイドスイッチ又はローサイドスイッチが制御される。

ここで「ハイサイドスイッチ又はローサイドスイッチをグループとして選択する」とは、すべてのハイサイドスイッチを選択するか、又は、すべてのローサイドスイッチを選択し、選択されたすべてのスイッチに同じ制御信号を印加する、ということである。このようにすれば、環流フェーズの間はハイサイドスイッチのみ又はローサイドスイッチのみに、それらの温度に応じて負荷が加わり、ひいては加熱される。よって、回路装置は、環流フェーズの間、より緩慢に加熱し、その結果、制御されるコンポーネント、例えばＢＬＤＣモータに対し、より多くのエネルギーを供給できるようになる。しかも、制御されるコンポーネントの出力をそのままに維持しながらも、回路装置の寸法を小さくすることができ、このことによって、回路装置の所要スペースが小さくなり、かつ、回路装置にかかるコストが節減される。

１つの実施形態によれば、環流フェーズの間、環流を形成する選択されたハイサイドスイッチ又はローサイドスイッチは導通状態にあり、他のハイサイドスイッチ又はローサイドスイッチは非導通状態にある。このようにすることで、環流フェーズの間は、選択されたハイサイドスイッチ又はローサイドスイッチのみに負荷が加わり、ひいては加熱される。これにより特に、スイッチの１つのグループをより強く冷却することができ、そのグループを好ましくは環流に用いることができる。このため、例えば冷却体又はより大きい冷却体により改善された放熱によって、制御されるコンポーネントの選択されたスイッチにより多くのエネルギーを供給することができる一方、他のスイッチについては、このように改善された放熱は不要である。

さらに別の実施形態によれば、ハイサイドスイッチ及び／又はローサイドスイッチの温度に作用するパラメータとして、損失電力、電流、電流レベル、電流持続時間、及び／又は、温度そのものが求められる。このようにして加熱が直接、検出される。これにより温度測定値の評価が簡単になる。

さらに別の実施形態によれば、グループとして選択するステップにおいて、パラメータが温度限界値と比較され、温度限界値の超過に応じて、温度限界値を超過していないハイサイドスイッチ又はローサイドスイッチが選択される。このようにすれば、現在選択されているハイサイドスイッチ又はローサイドスイッチが環流フェーズの間に過熱せず損傷しない、ということが容易に保証される。

さらに別の実施形態によれば、ハイサイドスイッチ及びローサイドスイッチのパラメータが求められ、パラメータが他よりも小さいハイサイドスイッチ又はローサイドスイッチが選択される。パラメータの分布を求めることによって、ハイサイドスイッチ又はローサイドスイッチにおいて温度負荷限界がそれぞれ異なること、及び／又は、冷却結合の良好さの程度がそれぞれ異なることを、選択の際に考慮することができる。このようにすれば、ハイサイドスイッチ及びローサイドスイッチの個々の負荷限界を最適に活用して、制御されるコンポーネントの最大出力を最大限にすることができる。

さらに別の実施形態によれば、ハイサイドスイッチ及びローサイドスイッチが配置された半導体部品、特にＩＣが使用され、当該半導体部品においては、ハイサイドスイッチが半導体部品の中央セクションに配置されており、ローサイドスイッチが半導体部品の周辺セクションに配置されている。半導体部品上でのこのような配置によって、ハイサイドスイッチはローサイドスイッチよりも良好に、半導体部品と冷却結合される。その場合、半導体部品を、１つの半導体基板上にハイサイドスイッチ及びローサイドスイッチと共に構築してもよいし、又は、半導体部品は、ハイサイドスイッチ及びローサイドスイッチを成す複数の半導体が取り付けられた１つの支持体を有していてもよい。本発明によれば、この種のブリッジＩＣにおける放熱を最適化することができる。ブリッジＩＣは、ハイサイドスイッチとしてｐチャネルトランジスタを有し、ローサイドスイッチとしてｎチャネルトランジスタを有することが多い。ｐチャネルトランジスタは、同等の出力特性においてｎチャネルトランジスタよりも広い面積を必要とする。しかも、ハイサイドスイッチは通常、ＩＣの中央に配置され、ローサイドスイッチは周辺に配置される。面積がより広いこと、及び、中央に配置されることから、ハイサイドスイッチをより良好に放熱させることができる。このため、ハイサイドスイッチがさらに余分に電力を処理できたとしても、ローサイドスイッチは、あまり良好な冷却結合状態にないことから、ブリッジは制約を受ける。

本発明は、車両における使用に特に適しており、その理由は、車両においては、場所によっては危機的な冷却特性を伴う厳しい周囲条件が生じるからである。好ましい用途は、例えば、スタート−ストップシステム、電動ターボチャージャ及びスタータ、操舵システム及び変速機、並びに、エアコンコンプレッサ及びファンにおける電気機械の制御である。

本発明に係る計算ユニットは、例えば自動車の制御装置であり、特にプログラム技術によって、本発明に係る方法を実施するように構成されている。

本発明に係る方法をソフトウェアの形態で実現するのも有利であり、なぜならばそのようにすることで、特にコストを引き下げることができるからであり、これは特に、その他のタスクのためにも設計されている制御装置が用いられ、従って、既存のものである場合である。コンピュータプログラムを供給するために適切なデータ担体は、特にディスク、ハードディスク、フラッシュメモリ、ＥＥＰＲＯＭ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ等である。また、コンピュータネットワーク（インターネット、イントラネット等）を介して、プログラムをダウンロードすることも可能である。

以下の説明及び添付した図面には、本発明のその他の利点及び実施形態が示されている。

なお、自明のとおり、これまでに挙げた特徴及び以下でさらに説明する特徴を、それぞれ記載どおりの組み合わせだけでなく、それとは別の組み合わせでも、又は、それぞれ単独でも、本発明の範囲を逸脱することなく適用することができる。

図面には、実施例に基づき本発明が概略的に図示されており、以下、それらの図面を参照しながら本発明について詳細に説明する。

３つの相を有する三相ＢＬＤＣモータを制御する回路装置を示す図。 三相ＢＬＤＣモータを制御する半導体部品におけるハイサイドスイッチ及びローサイドスイッチの配置を示す図。 従来の三角波−正弦波変調による三相の制御信号、デューティサイクル及び電流の時間的推移を示す図。 本発明の１つの好ましい実施形態による三相の制御信号、デューティサイクル及び電流の時間的推移を示す図。

発明を実施するための形態
図１には、被制御コンポーネントであるＢＬＤＣモータ４を制御する回路装置２が示されており、ここでは、回路装置２は、直流電圧電源６によって給電される。

この実施例によれば、ＢＬＤＣモータ４は、１つ又は複数の永久磁石を有するロータと、３つの相ｕ，ｖ，ｗに割り当てられた３つのステータ巻線を備えたステータとを有する。ステータ巻線各々の給電のために、回路装置２はそれぞれ１つの、即ち、全体では３つの制御段８ａ，８ｂ，８ｃを有する。

従って、この実施例の場合、回路装置２は、Ｂ６ブリッジインバータとして構成されている。自動車においてＢＬＤＣモータ４を制御するＢ６ブリッジインバータの好ましい用途は、例えば、スタート−ストップシステム、電動ターボチャージャ及びスタータ、操舵システム及び変速機、並びに、エアコンコンプレッサ及びファンなどである。

３つの制御段８ａ，８ｂ，８ｃ各々はそれぞれ、１つのハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃと、１つのローサイドスイッチ１２ａ，１２ｂ，１２ｃとを有している。さらにハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃ及びローサイドスイッチ１２ａ，１２ｂ，１２ｃには、それぞれ１つの環流ダイオード２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２４ａ，２４ｂ，２４ｃが割り当てられている。この実施例によれば、ハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃは、ｐチャネル半導体スイッチ素子、例えばｐチャネルトランジスタなどであり、ローサイドスイッチ１２ａ，１２ｂ，１２ｃは、ｎチャネル半導体スイッチ素子、例えばｎチャネルトランジスタなどである。トランジスタの代わりに、ｐチャネル若しくはｎチャネルの電力用ＭＯＳＦＥＴ又はサイリスタ、例えばＧＴＯなどを使用してもよい。

ハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃとローサイドスイッチ１２ａ，１２ｂ，１２ｃとを、導通状態及び非導通状態にするために、これらのハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃ各々及びローサイドスイッチ１２ａ，１２ｂ，１２ｃ各々は、制御ラインを介して回路装置２の制御装置１４と接続されている。この目的で、詳細に後述するように、制御装置１４からパルス幅変調された制御信号が発信され、それらの制御信号によって、導通状態から非導通状態への、及び、その逆への、ハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃ及びローサイドスイッチ１２ａ，１２ｂ，１２ｃの切り替えが行われる。制御装置１４を、例えば自動車の制御装置などにおける計算ユニットの一部分とすることができる。さらに制御装置１４は、ハードウェアコンポーネント及び／又はソフトウェアコンポーネントを含むことができる。

図２には、回路装置２の半導体部品１６（集積回路、ＩＣ）におけるハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃ及びローサイドスイッチ１２ａ，１２ｂ，１２ｃの好ましい配置が示されている。

半導体部品１６を、１つの半導体基板上にハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃ及びローサイドスイッチ１２ａ，１２ｂ，１２ｃと共に構築してもよいし、又は、半導体部品１６は、ハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃ及びローサイドスイッチ１２ａ，１２ｂ，１２ｃを成す複数の半導体が取り付けられた１つの支持体を有していてもよい。

図２に示されているように、ハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃは、半導体部品１６の中央セクション１８に配置されており、ローサイドスイッチ１２ａ，１２ｂ，１２ｃは、半導体部品１６の周辺セクション２０に配置されている。半導体部品１６におけるこのような配置によって、ハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃは、半導体部品１６に対し、ローサイドスイッチ１２ａ，１２ｂ，１２ｃよりも良好に冷却結合される。

さらにｐチャネル半導体スイッチ素子として構成されたハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃは、ｎチャネル半導体スイッチ素子として構成されたローサイドスイッチ１２ａ，１２ｂ，１２ｃよりも広い面積を有している。このようにすれば、ハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃの放熱がより良好になる。

次に、図３及び図４をさらに参照しながら、回路装置２の駆動方法について説明する。図３及び図４にはそれぞれ一番上に、制御段８ａ，８ｂ，８ｃ各々のためのパルス幅変調された制御信号ＰＷＭ１，ＰＷＭ２，ＰＷＭ３が示されており、その下には、それらに対応するデューティサイクルＴ１，Ｔ２，Ｔ３が、さらにその下には、３つの相ｕ，ｖ，ｗを流れる電流ｉ_ｕ，ｉ_ｖ，ｉ_ｗが示されている。

相電流ｉ_ｕ，ｉ_ｖ，ｉ_ｗにより、ＢＬＤＣモータ４においてロータ駆動のために要求される周波数の回転磁界を形成する目的で、動作中、制御装置１４は、制御段８ａ，８ｂ，８ｃ各々のためにパルス幅変調された制御信号ＰＷＭ１，ＰＷＭ２，ＰＷＭ３を発生する。例えば、三角波−正弦波変調による制御が行われる（図３）。制御パターンにおいて以下に挙げる３つの制御フェーズを識別できる限り、基本的に任意の制御パターン（空間ベクトル、三角波−基本波等）に従って、制御を行うことができる。
・フェーズ１：すべての制御段８ａ，８ｂ，８ｃがアクティブなローサイドスイッチを有する（環流）。
・フェーズ２：すべての制御段８ａ，８ｂ，８ｃが同じスイッチ状態を有するわけではない。
・フェーズ３：すべての制御段８ａ，８ｂ，８ｃがアクティブなハイサイドスイッチを有する（環流）。

フェーズ１及びフェーズ３においては、モータへは新たなエネルギーが供給されない。モータ内のエネルギーは、すべてのスイッチを介して環流しながら徐々になくなっていく。これら両方のフェーズは機能的には同一であり、従って、これら両方のフェーズのうち一方のフェーズを省くことができる。省かれたフェーズは、他のフェーズによって置き換えられる。ここで重要であるのは、フェーズ２（それぞれ異なるスイッチ状態）がその時間経過中、変わらず維持されることである。

図４の場合のように、フェーズ１をフェーズ３によって置き換えることにより、及び、その逆に、フェーズ３をフェーズ１によって置き換えることにより、フラットトップ成分を含む図４に示すスイッチパターンが生じる。この目的で第１のステップにおいて、ハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃ及び／又はローサイドスイッチ１２ａ，１２ｂ，１２ｃの温度及び／又は損失電力を、ハイサイドスイッチ及び／又はローサイドスイッチの温度に作用するパラメータとして求める。この目的で、例えば、ハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃ及び／又はローサイドスイッチ１２ａ，１２ｂ，１２ｃの温度を測定し、評価することができる。別の選択肢として、ハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃ及び／又はローサイドスイッチ１２ａ，１２ｂ，１２ｃの電気的なパラメータを測定し、評価してもよい。ここで電気的なパラメータを、ハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃ及び／又はローサイドスイッチ１２ａ，１２ｂ，１２ｃに流れる電流、ハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃ及び／又はローサイドスイッチ１２ａ，１２ｂ，１２ｃに加わる電圧、又は、ハイサイドスイッチ及び／又はローサイドスイッチが導通状態にある期間、とすることができる。この期間を、例えば、制御信号ＰＷＭ１，ＰＷＭ２，ＰＷＭ３のデューティサイクルの評価により求めることができる。

第２のステップにおいて、ハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃ又はローサイドスイッチ１２ａ，１２ｂ，１２ｃが、グループとして選択される。ハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃ又はローサイドスイッチ１２ａ，１２ｂ，１２ｃをグループとして選択するために、求められた温度が温度限界値と比較される。限界値の超過に応答して、限界値を超過していないハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃ又はローサイドスイッチ１２ａ，１２ｂ，１２ｃが選択される。これに対する代案として、又は、これに加えて考えられるのは、他よりも温度が低いハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃ又はローサイドスイッチ１２ａ，１２ｂ，１２ｃを選択することである。本実施例によれば、ハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃがグループとして選択され、詳細に後述するように、これらのスイッチに同じ制御信号が印加される。

さらに次のステップにおいて、環流フェーズの間、ハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃ及びローサイドスイッチ１２ａ，１２ｂ，１２ｃが、パルス幅変調された制御信号ＰＷＭ１，ＰＷＭ２，ＰＷＭ３の供給により制御装置１４によって、以下のように制御される。即ち、例えば、すべてのハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃが導通状態となり、すべてのローサイドスイッチ１２ａ，１２ｂ，１２ｃが非導通状態となり、そのようにしてすべてのハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃにより、ステータ巻線に蓄積された電気的又は磁気的なエネルギーを徐々になくしていく環流が形成されるよう、制御される。

さらに次のステップにおいて、電力給電フェーズの間、ハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃ及びローサイドスイッチ１２ａ，１２ｂ，１２ｃが、パルス幅変調された制御信号ＰＷＭ１，ＰＷＭ２，ＰＷＭ３の供給により制御装置１４によって、ハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃすべてが、又は、ローサイドスイッチ１２ａ，１２ｂ，１２ｃすべてが、同じ状態とはならないように制御される。

さらに次のステップにおいて、２つの電力給電フェーズの間におかれた後続の環流フェーズの間、ハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃ及びローサイドスイッチ１２ａ，１２ｂ，１２ｃが、パルス幅変調された制御信号ＰＷＭ１，ＰＷＭ２，ＰＷＭ３の供給により制御装置１４によって、以下のように制御される。即ち、例えば、新たにすべてのハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃが導通状態となり、すべてのローサイドスイッチ１２ａ，１２ｂ，１２ｃが非導通状態となり、そのようにして、再びすべてのハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃにより環流が形成されるように制御される。

このようにすれば、環流フェーズの間、ローサイドスイッチ１２ａ，１２ｂ，１２ｃよりも良好な冷却結合状態にあるハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃだけに負荷が加わり、即ち、それらのスイッチだけが加熱される。従って、回路装置２は、既述の動作により環流フェーズの間はより緩慢に加熱されるので、より多くのエネルギーをＢＬＤＣモータ４に供給することができる。しかも、ＢＬＤＣモータ４のモータ出力をそのままに維持しながらも、回路装置２の寸法を小さくすることができ、このことによって、回路装置の所要スペースが小さくなり、かつ、回路装置２にかかるコストが節減される。

ハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃに負荷が加わることによって、それらのスイッチが加熱され過ぎてしまい、ハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃ及び／又はローサイドスイッチ１２ａ，１２ｂ，１２ｃの温度測定によって、このことが検出されたならば、制御装置１４は、パルス幅変調された制御信号ＰＷＭ１，ＰＷＭ２，ＰＷＭ３の供給により、次の環流フェーズにおいて、ローサイドスイッチ１２ａ，１２ｂ，１２ｃを、今度はローサイドスイッチ１２ａ，１２ｂ，１２ｃが次の環流フェーズの間に導通状態となるように制御する。

即ち、ここで述べた次の環流フェーズの間、ハイサイドスイッチ１０ａ，１０ｂ，１０ｃからローサイドスイッチ１２ａ，１２ｂ，１２ｃへ、負荷の切り替えが行われる。

従って、回路装置２は、このような環流フェーズを用いた上述の動作により、さらにより緩慢に加熱されるので、さらにより多くのエネルギーをＢＬＤＣモータ４に供給することができ、又は、ＢＬＤＣモータ４のモータ出力を同じに維持しながらも、回路装置２の寸法をさらに小さくすることができる。

Claims (7)

1. 少なくとも３つの相（ｕ，ｖ，ｗ）のための少なくとも３つの制御段（８ａ，８ｂ，８ｃ）を備えた回路装置（２）の駆動方法であって、
   前記制御段（８ａ，８ｂ，８ｃ）は各々、１つのハイサイドスイッチ（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）と１つのローサイドスイッチ（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）とを含み、
   前記ハイサイドスイッチ（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）及び前記ローサイドスイッチ（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）を各々、導通状態と非導通状態とに移行可能であり、
   当該駆動方法は、
   ・前記ハイサイドスイッチ（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）及び／又は前記ローサイドスイッチ（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）の温度に作用するパラメータを求めるステップと、
   ・前記ハイサイドスイッチ（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）又は前記ローサイドスイッチ（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）を、前記温度に作用するパラメータに応じて、グループとして選択するステップと、
   ・選択した前記ハイサイドスイッチ（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）又は前記ローサイドスイッチ（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）を、環流フェーズにおいて、当該環流フェーズの間、選択した前記ハイサイドスイッチ（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）又は前記ローサイドスイッチ（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）によって環流が形成されるように制御するステップと、
   を含み、
   前記温度に作用するパラメータとして、前記ハイサイドスイッチ（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）及び／又は前記ローサイドスイッチ（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）の損失電力及び電流のうちの少なくとも一つを求め、
   前記ハイサイドスイッチ（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）及び前記ローサイドスイッチ（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）が配置された半導体部品（１６）を使用し、当該半導体部品（１６）においては、前記ハイサイドスイッチ（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）が、前記半導体部品（１６）の中央セクション（１８）に配置されており、前記ローサイドスイッチ（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）が、前記半導体部品（１６）の周辺セクション（２０）に配置されている、
   回路装置（２）の駆動方法。
2. 前記環流フェーズの間、前記環流を形成する前記選択されたハイサイドスイッチ（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）又は前記選択されたローサイドスイッチ（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）は導通状態にあり、他のハイサイドスイッチ（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）又はローサイドスイッチ（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）は非導通状態にある、
   請求項１に記載の方法。
3. 前記グループとして選択するステップにおいて、前記温度に作用するパラメータを温度限界値と比較し、前記温度限界値の超過に応じて、前記温度限界値を超過していない前記ハイサイドスイッチ（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）又は前記ローサイドスイッチ（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）を選択する、
   請求項１又は２に記載の方法。
4. 前記温度に作用するパラメータを求めるステップにおいて、前記ハイサイドスイッチ（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）及び前記ローサイドスイッチ（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）の前記温度に作用するパラメータを求め、前記グループとして選択するステップにおいて、前記温度に作用するパラメータが他よりも小さいハイサイドスイッチ（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）又はローサイドスイッチ（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）を選択する、
   請求項１乃至３のいずれか一項に記載の方法。
5. 計算ユニットにおいて実行されると、当該計算ユニットに請求項１乃至４のいずれか一項に記載の方法を実施させるためのコンピュータプログラム。
6. 請求項５に記載のコンピュータプログラムを実行するように構成された計算ユニット。
7. 請求項５に記載のコンピュータプログラムが記憶された機械読み取り可能記憶媒体。

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