JP6400183B2 - 加熱放射に影響を及ぼすコーティングを有する光学素子及び光学装置 - Google Patents

Description

本発明は、光学素子及び少なくとも１つのかかる光学素子を有する光学装置に関する。

［関連出願の参照］
本願は、２０１４年８月１９日の独国特許出願第１０ ２０１４ ２１６ ４５８．３号の優先権を主張し、上記出願の全開示を参照により本願の内容に援用する。

約１ｎｍ〜約３５ｎｍのＥＵＶ波長域の使用波長での放射線の吸収が高いことから、例えばレンズ素子等の屈折光学系ではなくミラー素子がこの波長域用の光学素子として通常は用いられる。ＥＵＶ放射線を反射するこのような光学素子は、動作中に光学面に入射するＥＵＶ放射線の一部を吸収し、その過程で膨張する。吸収又は関連する膨張により、これらのミラー素子の光学面で変形が生じ、これが望ましくない光学収差をもたらす。

特許文献１は、温度制御デバイスを用いて反射光学素子の基板における場所依存温度分布を２つ又は３つの空間方向で制御して収差を補正することを開示している。温度制御デバイスは、例えば格子状に配置され得る抵抗発熱体の形態の発熱体を有し得る。熱放射線（例えば赤外線）により基板又は反射光学素子に作用してこれに熱影響を及ぼす放射源を、発熱体として設けることも可能である。ここで、赤外線の吸収に役立つ吸収層を、光学素子の反射面の下に配置することができる。基板においてできる限り均一な温度分布をもたらすために、基板のうちＥＵＶ放射線を反射する前面に熱放射線を供給するよう放射源を構成すること、又は基板の後面に熱放射線を供給することが可能である。

特許文献２は、電磁放射線を反射する前面及び後面を有する光学素子を熱的に操作するデバイスを有する、半導体リソグラフィ用の投影露光装置を開示している。後面から光学素子に作用する熱アクチュエータが設けられる。熱アクチュエータは、発光スペクトルが赤外線波長域にあり得るＬＥＤ又はレーザであり得る。このような熱アクチュエータは、基板を少なくとも部分的に通過し且つ多層コーティングも施された基板の前面に配置された吸収層により少なくとも部分的に吸収される電磁放射線を放出することができる。アクチュエータが放出した放射線に関して高い吸収を示すコーティングを、平面ミラーの後面に施すこともできる。使用波長の放射線に関して透明な基板を、平面ミラーの前面に配置することができる。

放熱の目的で、ＥＵＶ放射線を反射する光学素子は、通常は後面及び／又は周面から冷却される。設置空間に関する問題により、この目的で用いられるヒートシンクは、多くの場合は理想的に設計することができず、このような光学素子の後面で一定でない場所依存的に変わる温度分布を発生させる。原理上、十分な設置空間があれば、基板における温度分布をトモグラフィの３つの空間方向全部で適切に設定又は熱的に均一化することが可能である。

例えば、マイクロリソグラフィ投影レンズに屈折光学素子を有する波面補正装置を配置することが特許文献３から知られている。屈折光学素子の円周面の第１及び第２部分領域に、光学素子を少なくとも部分的に貫通する第１及び第２熱放射線を照射することができる。熱放射線の部分吸収により生じた光学素子内の屈折率分布が、波面誤差を変更又は少なくとも部分的に補正するのに役立つ。

特許文献４は、投影レンズに反射コーティング及びミラー基板を有するミラーの形態の波面補正装置を配置することを開示している。ミラー基板の円周面の第１及び第２部分領域それぞれに、ミラー基板を少なくとも部分的に貫通する第１及び第２熱放射線を照射することができる。熱放射線の部分吸収により生じた基板における温度分布が、波面誤差を変更又は少なくとも部分的に補正するのに役立つミラーの変形をもたらす。

ヒートシンクが引き起こす熱プロファイルを無効にするか又は基板における温度分布を均一化するために、例えば放射源を用いた、又はさらに上述した抵抗発熱体を用いた基板の前面からの付加的な加熱を原理上は行うことができる。しかしながら、ここでの問題は、基板の前面に配置されたＥＵＶ放射線を反射するコーティングが付加的な熱の導入により損傷を受け得ること、及び例えば基板の後面の熱プロファイルを基板の前面に対する作用により設定又は調節しようとする場合に、ヒステリシスが起こり得ることである。

国際公開第２０１２／０１３７４７号 国際公開第２００９／１５２９５９号 国際公開第２０１３／０４４９３６号 ＰＣＴ／ＥＰ２０１３／０００７２８号明細書

本発明の目的は、光学素子における温度分布の影響の単純化を可能にする光学素子及び光学装置を提供することである。

この目的は、基板と、基板の第１面に配置されてＥＵＶ波長域の使用波長を有する放射線を反射するよう構成された第１コーティングと、基板の第２面に配置されて基板の第２面に入射する加熱放射線に影響を及ぼす第２コーティングとを備えた、光学素子により達成される。

本発明による光学素子では、第２コーティングが基板の第２面に、すなわち基板から離間したヒートシンクが通常は配置される面に配置され、この第２コーティングは、基板の第２面に入射する加熱放射線に影響を及ぼすのに役立つ。第２コーティングは、基板の第２面の近くで、基板の第１面の近くで、且つ／又は基板内部で加熱放射線の目標通りの熱導入を発生させるのに特に役立ち得る。

第１面に配置されたコーティングは、ＥＵＶコーティングを通常は有するか又はＥＵＶコーティングからなる。かかるＥＵＶコーティングは、通常はＥＵＶ波長域の使用波長用の高反射率（ＨＲ）コーティングを有する。基板を有害なＥＵＶ放射線から保護するために（ＳＰＬ（「基板保護層」）コーティングとして知られるもの）、且つ／又は光学素子の望ましくない変形を防止するために（ＡＳＬ（「抗応力層」）コーティングとして知られるもの）、さらに別のコーティングをＨＲコーティングと基板との間に配置することができる。さらに、ＥＵＶコーティング全体を酸化又は腐食から保護することを意図したカバー層又はカバー層系（キャップコーティングとして知られるもの）を、反射コーティングに施すこともできる。

一実施形態では、第２コーティングは、使用波長とは異なり使用波長よりも高い第１加熱波長の加熱放射線を吸収する少なくとも１つの吸収層を有する。通常、加熱波長は、概して約１９３ｎｍを超える波長域、特に可視波長域又は赤外線波長域、例えば１．５μｍよりも高く、特に２０００ｎｍ〜２１００ｎｍ又は２３００ｎｍ〜２５００ｎｍの波長域にある。加熱放射線は、吸収層により受光され、吸収層内又は第２面の領域の基板内で熱導入を発生させ、これが基板の熱プロファイルの均一化に役立つ。

基板の厚さ方向での熱プロファイル又は温度勾配の均一化は、特に基板の第１面の領域における付加的な熱導入発生により支援され得る。第１面での熱導入は、例えば、基板の第１面に配置又は位置決めされる発熱体、例えば抵抗発熱体により、且つ／又は１つ又は複数の加熱光源を用いて基板の第１面に付加的な加熱放射線を放射することにより発生させることができる。付加的な加熱放射線の加熱波長は、第１波長と一致させても第１波長とは異なっていてもよい。

一発展形態では、少なくとも１つの吸収層は、基板と第１加熱波長の加熱放射線の反射を抑制するための少なくとも１つの反射防止層との間に配置される。特に、少なくとも１つの吸収層は、基板と、合わせて反射防止コーティングを形成する複数の反射防止層との間に配置することができる。

反射防止層又は反射防止コーティングは、基板の第２面又は吸収層に入射する第１加熱波長の加熱放射線の反射率を低減するのに役立つと共に、入射した加熱放射線のかなりの部分が反射されることを回避するのに役立つ。反射した加熱放射線は、反射防止層又は反射防止コーティングがなければ直接又は間接的に、すなわちさらに他の強反射コンポーネント、例えばヒートシンクを介して他の光学素子、例えばミラー、又は投影露光装置の場合はウェーハに入射し、ここで寄生的な望ましくない加熱をもたらす。

本願の意味の範囲内で、反射防止層又は反射防止コーティングは、反射した加熱放射線の弱め合う干渉により反射率の低下を達成する層又はコーティングを意味すると理解される。つまり、反射防止コーティングの層の層材料及び層厚が、反射防止コーティングに入射する各加熱波長の加熱放射線に関して弱め合う干渉が起こるように選択されるということである。弱め合う干渉に関連する層材料の特性は、合わせて各層材料の複素屈折率ｂ＝ｎ−ｉｋを形成する（波面依存）屈折率ｎ及び（波面依存）吸光率ｋである。

弱め合う干渉をもたらすために、反射防止コーティングは複数の個別層を有し得る。この場合、反射防止コーティングの層構成は、周期的又は部分的に周期的であることが好ましい。しかしながら、反射防止コーティングは、加熱波長の加熱放射線に関する反射防止効果を有するように層厚及び層特性（複素屈折率）を吸収層の特性に一致させた、単一の反射防止層のみを有することもできる。

一発展形態では、第１加熱波長の加熱放射線に関する少なくとも１つの吸収層の吸収率及び／又は少なくとも１つの反射防止層による反射の抑制は、１５００ｎｍを超える波長で極大を有する。少なくとも１つの吸収層及び／又は少なくとも１つの反射防止層の層材料は、この場合は上記加熱波長域の加熱波長の加熱放射線に最適化される。

さらに別の一発展形態では、第１加熱波長の加熱放射線を吸収する少なくとも１つの層は、第１加熱波長とは異なる第２加熱波長の加熱放射線を透過させるよう構成される。第２コーティングに設けられたさらに他の層も、第２波長の加熱放射線に関して通常は透明であり、その結果として基板の第２面に入射する第２加熱波長を有する加熱放射線は、事実上妨害されずに基板を貫通することができる。基板の材料は、第２加熱波長の加熱放射線に関して通常は透明であり、その結果として第２加熱波長の加熱放射線がほぼ吸収されずに基板を通過して第１コーティングに入射する。第１コーティングは、この場合、通常は第２加熱波長の加熱放射線を吸収するよう構成され、その結果として使用波長のＥＵＶ放射線を反射する光学素子の光学面の近くで熱導入が行われる。このように、適切な場合には、付加的な加熱放射線での基板の第１面の照射をなくすことが可能である。

基板材料は、例えば石英ガラス（ＳｉＯ_２）であり得る。しかしながら、ＥＵＶミラーにおいては通常、ゼロ膨張材料として知られるもの、すなわちそこで用いられる動作温度の範囲内で非常に低い熱膨張率（ＣＴＥ）しか有しない材料が基板材料として用いられる。このようなミラー材料は、ごく一部をチタンドープした合成非晶質石英ガラスである。このような市販のケイ酸塩ガラスは、ＵＬＥ（登録商標）（超低膨張ガラス）という商品名でCorning Inc.により販売されている。約１９３ｎｍ〜約２３００ｎｍの加熱波長に関しては、ミラー材料ＵＬＥ（登録商標）は低吸収を示す。ドープ石英ガラス、具体的にはＴｉＯ_２ドープ石英ガラスを用いる代わりに、ガラスセラミックをゼロ交差材料として用いることも可能である。このようなガラスセラミックは、例えばSCHOTTのＺＥＲＯＤＵＲ（登録商標）である。

さらに別の一実施形態では、第２加熱波長の加熱放射線に関する少なくとも１つの吸収層の透過率が、１５００ｎｍ未満の波長で極大を有する。この波長域の第２加熱波長を有する加熱放射線は、ほぼ損失なく層を通過できる。吸収層の材料は、例えばゲルマニウム（Ｇｅ）であり、約１．５μｍという比較的長い波長で吸収限界を有する。

代替的な一実施形態では、第２コーティングは、第１加熱波長の加熱放射線及び第１加熱波長とは異なる第２加熱波長の加熱放射線を透過させる少なくとも１つの層を有する。第２加熱波長の加熱放射線は、上述のように、基板を透過して第１コーティングの領域で熱導入を発生させる波長域内にあり得る。第１加熱波長は、基板材料により強く吸収される結果として第１波長の加熱放射線の熱導入が実質的に第２コーティングの近くで行われるように選択することができる。

一発展形態では、基板は、第１加熱波長の加熱放射線を少なくとも部分的に吸収する材料から形成される。例として、基板材料はＵＬＥ（登録商標）であり得る。この場合、第１加熱波長は、通常は２００ｎｍ未満であるか又は約３７００ｎｍを超える。他の基板材料、例えばＺｅｒｏｄｕｒ（登録商標）等のガラスセラミックでは、加熱放射線が吸収される波長域は、ＵＬＥ（登録商標）に関して上述した波長域から外れる。

一発展形態では、少なくとも１つの透過層は、基板と、第１加熱波長及び第２加熱波長の加熱放射線の反射を抑制する少なくとも１つの反射防止層との間に配置される。さらに上述したように、反射防止層又は反射防止コーティングは、それがなければ他のコンポーネントで望ましくない熱導入をもたらし得る加熱放射線の反射を防止する。

さらに別の一実施形態では、第１コーティングは、第３加熱波長の加熱放射線を反射するよう構成された少なくとも１つの反射層を有する。この実施形態は、上記実施形態と組み合わせて、すなわち第１及び／又は第２加熱波長の加熱放射線を用いて実施することができ、この場合、第３加熱波長は、通常は第１及び／又は第２加熱波長とは異なる。しかしながら、この実施形態は、第１加熱波長及び第２加熱波長の加熱放射線を用いずに実施することもでき、すなわち、第３加熱波長を有する加熱波長のみが基板の第２面に入射する。反射層は、加熱放射線を反射するためにのみ第１コーティングに導入される追加層であり得る。適切な場合には、反射層又は加熱放射線を反射するコーティングを合わせて形成する複数の反射層は、いずれの場合も基板の第１面に施されるＥＵＶコーティングの一部であり得る。後者が当てはまるのは、特にＥＵＶコーティングがＳＰＬコーティング又はＡＳＬコーティングを有する場合であり得る。

この実施形態では、第３加熱波長は、基板材料により弱く又は中強度で吸収されるよう通常は選択される。ＵＬＥ（登録商標）を基板材料として用いると、加熱放射線の吸収が弱い第３加熱波長は、約４００ｎｍ〜約２３００ｎｍである。加熱放射線の中強吸収は、ミラー本体の（基板の）厚さに応じて約３５００ｎｍ〜約３７００ｎｍの加熱波長で起こる。ここで好ましい波長は、加熱放射線に関する基板の吸収力に応じて、したがって基板の厚さに応じて変わる。

さらに別の一実施形態では、第２コーティングは、第３加熱波長の加熱放射線の反射を抑制する少なくとも１つの反射防止層を有する。さらに上述したように、第３加熱波長に最適化された適切な反射防止コーティングが選択された場合、普通なら他のコンポーネントへの望ましくない熱導入につながり得る光学素子の第２面での加熱放射線の反射を回避又は大幅に低減することができる。

一発展形態では、少なくとも１つの反射層での第３加熱波長を有する加熱放射線の反射率及び／又は第３加熱波長に関する少なくとも１つの反射防止層による加熱放射線の反射の抑制は、３５００ｎｍ〜３７００ｎｍ、好ましくは３５５０ｎｍ〜３６５０ｎｍの波長域で極大を有する。少なくとも１つの反射層又は少なくとも１つの反射防止層は、上記波長域にある加熱放射線に最適化される。少なくとも１つの反射層がＳＰＬコーティング又はＡＳＬコーティングである場合、その層材料又は層厚は、上記波長域の加熱放射線の反射に最適化されるよう選択することもできる。

この実施形態では、第３波長の加熱放射線が基板材料により中強度で吸収されて、反射層で反射されて基板内部に戻った放射線部分が基板の第２面から出る前に完全に吸収されるようにすれば、通常は有利である。

代替的な一実施形態では、第２コーティングは、第１（通常は直線）偏光状態で第３波長の加熱放射線を透過させ且つ第１偏光状態とは異なる第２（通常は直線）偏光状態で第３波長の加熱放射線を反射するよう構成された、偏光選択層を有する。この実施形態では、加熱放射線は、表面法線に対して（ゼロ以外の）角度を付けて基板の第２面に入射する。加熱放射線は、例えばレーザの形態の加熱光源によって又は場合によっては偏光フィルタを用いて発生させるような、通常は直線偏光された加熱放射線である。

この実施形態では、加熱光源が発生させた加熱放射線は、通常は第１偏光状態で（すなわち直線偏光されて）偏光選択層に入射してこれを透過し、その結果として、反射の抑制又は反射防止層としての偏光選択層の利用により入射した加熱放射線のごく一部のみが反射される。透過した加熱放射線は、基板を通過し、第１コーティングの反射層で基板の第２面の方向に反射され、偏光選択層に再度入射する。加熱放射線が偏光選択層で反射して基板内部に戻ることを確実にするために、加熱放射線は、基板内部を通る際に第１偏光状態から通常は同様に直線偏光である第２偏光状態に変換されなければならない。

一発展形態では、光学素子はさらに、反射層と基板との間で第１コーティングに又は偏光選択層と基板との間で第２コーティングに配置される少なくとも１つの偏光変換層を有する。加熱放射線は、通常は偏光変換層を２回通過し、偏光変換層は、その過程で加熱放射線の偏光方向を９０°回転させ、その結果としてｓ偏光加熱放射線からｐ偏光加熱放射線が生成されるか又はその逆となる。適切な場合には、偏光変換層は、両方がいずれの場合も偏光状態の変化（リターデーション）を引き起こす第１コーティング及び第２コーティングの両方に設けることができ、これは要するに偏光方向の９０°回転をもたらす。

一発展形態では、第２コーティングは、第３加熱波長の加熱放射線を、但し適切な場合には第１偏光状態（上記参照）でのみ透過させるよう構成される。反射防止層、偏光選択層、及び存在する場合は同じく変更変換層は、第２面から基板に入射する第３加熱波長の加熱放射線を透過させる。今述べた実施形態を、第１及び第２加熱波長の加熱放射線を発生させるさらに上述した実施形態と組み合わせる場合、第２コーティングが第３加熱波長の加熱放射線を透過させるよう留意しなければならない。特に、第１、第２、及び第３加熱波長を異なるように選択すべきである。

一実施形態では、基板は、第２及び／又は第３波長の加熱放射線に関して少なくとも部分的に透明な材料から形成される。基板材料は、例えばＵＬＥ（登録商標）とすることができ、これは、さらに上述したように約４００ｎｍ〜約２３００ｎｍの波長に関して実質的に透明である。特に、偏光加熱放射線を用いるさらに上述した実施形態では、基板は第３加熱放射線に関して透明である。

さらに別の一実施形態では、光学素子は、ＥＵＶミラーの形態又はＥＵＶマスクの形態で構成される。ＥＵＶミラーは、通常はその表面全体でＥＵＶ放射線を反射するのに役立つ。ＥＵＶマスクは、ＥＵＶ放射線を反射する部分領域と、ＥＵＶ放射線を反射しないか又は多少反射するにすぎない（通常は吸収）部分領域とを有し、これらが合わせて、照明ユニットによるＥＵＶ放射線で照明され且つ投影レンズを用いてウェーハに結像される構造を形成する。反射した構造は、ＥＵＶ放射線の最大限の割合を反射すべきであり、ＥＵＶコーティング又はＨＲコーティングにより形成することができる。

本発明のさらに別の一態様は、上述したような少なくとも１つの光学素子と、光学素子に熱影響を及ぼす少なくとも１つのデバイスとを備えた光学装置であって、上記デバイスは、少なくとも１つの加熱波長の加熱放射線を発生させる少なくとも１つの、好ましくは複数の加熱光源を有し、且つ光学素子の基板の第２面に加熱放射線を照射するよう構成される光学装置に関する。

この目的で、加熱放射線は、ヒートシンクと基板の第２面との間の中間空間へ通常は誘導されるか、又は中間空間の領域で発生し、すなわち加熱光源がそこに配置される。少なくとも１つの光学素子を収容した光学装置は、例えば、ＥＵＶリソグラフィ装置の投影光学系、ＥＵＶマスクを検査するシステム、又はＥＵＶリソグラフィ装置であり得る。

光学素子への目標通りの局所的熱導入を行うために、デバイスは、基板の第２面においてそれぞれ異なる場所に加熱放射線を指向させる複数の加熱光源を通常は有する。局所的熱導入に目標通りに影響を及ぼすと共に、このようにして光学素子又は基板の熱プロファイルの均一化を行うために、熱影響用のデバイスは、加熱光源の放射出力を相互に独立して設定又は調節するよう構成される。

一実施形態では、熱影響用のデバイスは、格子型又は行列型の配置の複数の加熱光源を有する。加熱光源が等距離で配置された格子型配置は、所望の空間分解能で光学素子に熱影響を及ぼすことを可能にする。ビーム整形に適した光学系を、光源のそれぞれの上流に接続することができる。２つ以上の加熱波長の加熱放射線が用いられる場合、適切な場合には、各加熱波長を有する加熱放射線を発生させるようそれぞれ構成された加熱光源の２つ以上の加熱光源配置をデバイスに設けることができる。

加熱放射線の入力結合のために、例えば加熱ダイオードの形態の複数の加熱光源を、ヒートシンクのうち基板に面した側に通常は格子型配置で取り付けることができる。しかしながら、加熱光源をヒートシンクから離して配置すること、及び例えば光ファイバケーブルの形態のビーム誘導デバイスを用いてヒートシンクと光学素子の第２面との間の中間空間に加熱放射線を誘導し、ここで偏向素子、例えば偏向プリズム又はミラーを用いて基板の第２面へ指向させることも可能である。

一実施形態では、光学装置はＥＵＶリソグラフィ装置の形態で構成される。熱影響を及ぼすことが可能な光学素子は、例えばＥＵＶリソグラフィ装置の照明ユニット又は投影レンズに配置されたＥＵＶミラーであり得るが、ＥＵＶマスクでもあり得る。

本発明のさらに他の特徴及び利点は、本発明に必須の詳細を示す図面の図に基づいて、以下の本発明の例示的な実施形態の説明から、また特許請求の範囲から得られる。個々の特徴は、それぞれ単独で又は本発明の一変形形態においてまとめて任意の組み合わせで実現することができる。

例示的な実施形態を概略図で示し、以下の説明において説明する。

加熱放射線がＥＵＶミラーの底面に配置されたコーティングの吸収層で吸収される、ＥＵＶミラーの形態の光学素子及びＥＵＶミラーに熱影響を及ぼすデバイスの概略図を示す。 第１加熱波長の加熱放射線がコーティングで吸収され、第２加熱波長の加熱放射線がコーティングを透過する、図１と同様の図を示す。 第１加熱波長の加熱放射線がミラー基板の内部に吸収され、第２加熱波長の加熱放射線がコーティングを透過する、図１と同様の図を示す。 第３加熱波長の加熱放射線がＥＵＶミラーの前面に配置されたコーティングの反射層により反射される、図２ａと同様の概略図を示す。 第３加熱波長の加熱放射線がＥＵＶミラーの前面に配置されたコーティングの反射層により反射される、図２ａと同様の概略図を示す。 第３加熱波長の加熱放射線がＥＵＶミラーの前面に配置されたコーティングの反射層により反射される、図２ａと同様の概略図を示す。 ＥＵＶリソグラフィ装置の概略図を示す。

同一又は機能的に同一のコンポーネントに関しては、同一の参照符号を図面の以下の説明で用いる。

図１は、ＵＬＥ（登録商標）でできた基板２と、基板２の第１面（上面）２ａに施されたＥＵＶコーティングの形態の第１コーティング３と、第１面の反対側に位置付けられる基板２の第２面（底面）２ｂに施された第２コーティング４とを有する、ＥＵＶミラーの形態の光学素子１を概略的に示す。

ＥＵＶコーティング３は、使用波長λ_ＥＵＶのＥＵＶ放射線５を反射するコーティング３ｂ（ＨＲコーティングとして知られるもの）を有する。反射コーティング３ｂには、カバー層又はカバー層系（キャップコーティング３ｃとして知られるもの）がさらに施され、これは、例えばＥＵＶミラー１が水素プラズマで洗浄される場合にＥＵＶコーティング３の全体を酸化又は腐食から保護するためのものである。キャップコーティング３ｃは、周囲環境とのＥＵＶミラー１の境界面を形成するＥＵＶミラー１の光学面６に隣接して配置される。

反射コーティング３ｂは、通常は異なる屈折率を有する２つの材料の層対からなる複数の個別層（図１には図示せず）を有する。λ_ＥＵＶ＝１３．５ｎｍの範囲の使用波長のＥＵＶ放射線５が用いられる場合、個別層は通常はモリブデン及びケイ素でできている。使用波長λ_ＥＵＶに応じて、他の材料の組合せ、例えばモリブデン及びベリリウム、ルテニウム及びベリリウム、又はランタン及びＢ_４Ｃ等も同様に可能である。個別層に加えて、反射コーティング３ｂは、拡散を防止する中間層（バリア層として知られるもの）を通常は有する。

図１のＥＵＶコーティング３は、反射コーティング３ｂの下に、基板２を有害なＥＵＶ放射線５から保護するために（基板保護層）コーティング３ａとして知られるものを有する。ＳＰＬコーティング３ａに加えて、又はその代わりに、層応力に起因した望ましくない変形を回避するために、ＥＵＶミラー１の反射コーティング３ｂの下にＡＳＬ（応力防止層）コーティングとして知られるものを設けることもできる。

図１は、ＥＵＶミラー１に熱影響を及ぼすデバイス２０も同様に示し、これは、図１には例として２つを示す複数の加熱光源８を有し、ヒートシンク２１に取り付けることができる。加熱光源８は、基板２の第２面２ｂ、より詳細には第２コーティング４に照射する第１加熱波長λ_１Ｈの加熱放射線９を発生させるよう構成される。

第２コーティング４は吸収層４ａを有し、これは、図示の例では基板２の底面２ｂに直接施され、且つ第１加熱波長λ_１Ｈの加熱放射線９に関する吸収特性を有する。吸収層４ａの材料は、例えばゲルマニウム（Ｇｅ）層であり得る。ゲルマニウムは、約１．５μｍ、特に４００ｎｍ〜１０００ｎｍの波長まで十分に透明である。第１加熱波長λ_１Ｈの加熱放射線９の反射を抑制するのに役立つ反射防止層４ｂが、吸収層４ａに施される。反射防止層４ｂは、例えば多層コーティング又は積層体、例えば以下の積層体であり得る：（１Ｓｉ４．９８１Ｓｉ_３Ｎ_４）^５。この積層体に関する詳細は、独国特許出願第１０２０１４２０４１７１．６号から得ることができ、この態様に関して上記出願を本願の内容に援用する。

図示の例では、第１加熱波長λ_１Ｈは、約２０００ｎｍの赤外線領域内にあり、第１加熱波長λ_１Ｈの典型値は、約２０００ｎｍ〜約２１００ｎｍ又は２３００ｎｍ〜２５００ｎｍである。吸収層４ａの材料は、吸収率が１．５μｍを超える上記波長域で極大を有するよう選択される。しかしながら、広い波長域にわたる電磁放射線に関して強い吸収特性を有する材料があるので、吸収層４ａが上記波長域内でその吸収率Ａ_１Ｈの極大を有する必要があるとは限らない。

反射防止層４ｂの材料及びその層厚は、反射防止効果が上記波長域内で起こる、すなわち反射防止層４ｂに関しては第１加熱波長λ_１Ｈで加熱放射線９の反射Ｒ_１Ｈの抑制が極大となるよう選択される。個々の反射防止層４ｂの代わりに、反射防止コーティング、すなわち合わせて反射防止効果を有する複数の反射防止層４ｂを第２コーティング４に形成することもできる。

加熱放射線９は、基板２の底面２ｂの近く又はそれに隣接する基板内部で所望の温度プロファイルをもたらすために、ＥＵＶミラー１に熱影響を及ぼす、より詳細には吸収層４ａへの目標通りの場所依存熱導入を発生させるのに役立つ。所望の温度プロファイルは、ヒートシンク２１の存在に起因して基板２の底面２ｂの領域で生じた熱プロファイルに反する熱プロファイルに通常は対応し、その結果として、全体として理想的な場合には底面２ｂ全体で一定した温度が基板２において定まる。

したがって、通常は複数の追加の加熱光源１５が発生させる付加的な加熱放射線１４を基板２の上面２ａに照射することにより、基板２の上面２ａで温度分布の均一化を行うこともできる。図示の例では、追加の加熱光源１５の加熱波長λ_１Ｈは第１加熱波長λ_１Ｈに相当するが、そうする必要があるとは限らない。

動作中、ＥＵＶ放射線５はＥＵＶミラー１に入射し、その強度分布は、光学面６にわたって場所依存的に変わり、概して経時的に一定でない。場所依存的に変わるＥＵＶ放射線５の強度分布は、ＥＵＶミラー１の上面２ａで局所的に変わる熱導入を、したがって空間的又は時間的に一定でない温度分布をもたらす。追加の加熱放射線１４は、対向加熱に役立ち、すなわち基板２又はＥＵＶコーティング３が比較的低温である領域が付加的に加熱されることで、温度分布が均一化され、且つ理想的な場合には光学面６で全体的に一定の温度が得られる。

図２ａに示す例では、図１とは対照的に、基板２の上面２ａが基板２の底面２ｂから、すなわち基板２を通して加熱される。この目的で、第２加熱光源１０がヒートシンク２１に配置され、図示の例では約４００ｎｍである第２加熱波長λ_２Ｈの第２加熱放射線１１を発生させ、その典型値は約４００ｎｍ〜約１５００ｎｍである。

第２コーティング４、より詳細には第１加熱波長λ_１Ｈの加熱放射線９を吸収する層４ａは、第２加熱波長λ_２Ｈに関して透明である。第２加熱波長λ_２Ｈの加熱放射線１１は、基板２を透過してＥＵＶコーティング３で吸収される。ＥＵＶコーティング３による吸収が十分でない場合、付加的な吸収層又はコーティング、例えば金属層を、適切な場合にはＥＵＶコーティング３のうち基板２に面した側に設けることができる。

理想的な場合には、反射防止層４ｂは、反射の抑制が第１加熱波長λ_１Ｈの加熱放射線９及び第２加熱波長λ_２Ｈの加熱放射線１１の両方に関して最大であるよう構成される。適切な場合には、第２加熱波長λ_２Ｈの加熱放射線１１を透過させる層４ａは、第２加熱波長λ_２Ｈ及び場合によっては第１加熱波長λ_１Ｈに関する反射防止層としても働くことができるので、付加的な反射防止層を設けなくてもよくなる。

図２ｂに示す代替的且つ例示的な一実施形態では、第２コーティング４は、第１加熱波長λ_１Ｈの加熱放射線９及び第２加熱波長λ_２Ｈの加熱放射線１１の両方を透過させる層４ａ’を有する。図示の例の透過層４ａ’は、ゲルマニウム（Ｇｅ）でできており、両方の加熱波長λ_１Ｈ、λ_２Ｈに関して高い透過率Ｔ_１Ｈ、Ｔ_２Ｈを有する。第２加熱光源１０が発生させた第２加熱波長λ_２Ｈの加熱放射線１１は、図２ａに示すように基板２を通過し、ＥＵＶコーティング３で、より詳細にはＳＰＬコーティング３ｃで吸収されることにより、ここに熱導入をもたらす。第１加熱光源８が発生させた赤外線領域の第１加熱波長λ_１Ｈの加熱放射線９は、ＵＬＥ（登録商標）でできた基板２の内部で強く吸収され、したがって基板２の底面２ｂの近くで熱導入をもたらす。

第２コーティング４は、第１加熱波長λ_１Ｈの加熱放射線９の反射の抑制及び第２加熱波長λ_２Ｈの加熱放射線１１の反射の抑制の両方に役立つ反射防止コーティング又は反射防止層４ｂを有する。適切な場合には、透過層４ａ’を設けないことも可能である。第２加熱波長λ_２Ｈは、約２６５０ｎｍ〜約２８００ｎｍ又は約４０００ｎｍ〜約１００００ｎｍ、特に４５００ｎｍ〜５５００ｎｍであるよう選択され得る。前の例によれば、第１加熱波長λ_１Ｈは、約２０００ｎｍ〜約２１００ｎｍ及び約２３００ｎｍ〜約２５００ｎｍであり得る。

図３ａ〜ｃは、ＥＵＶコーティング３が、第３加熱光源１２が発生させた第３加熱波長λ_３Ｈの加熱放射線１３を反射するよう構成された付加的な最下層３ｄを有する、ＥＵＶミラー１の例を示す。図３ａ〜ｃに示すような付加的な反射層３ｄの代わりに、適切な場合には、ＳＰＬコーティング３ａが第３加熱波長λ_３Ｈの加熱放射線１３を反射する層として働くことも可能であり、その結果として付加的な反射層３ｄを省くことができる。第３加熱波長λ_３Ｈの加熱放射線１３は、基板２の内部で熱導入を発生させるのに役立ち、これは同様に温度分布の均一化に役立つ。

図３ａは、第１加熱波長λ_１Ｈの加熱放射線９及び第２加熱波長λ_２Ｈの加熱放射線１１が図２ａと同様に供給される、ＥＵＶミラー１の例を示す。さらに、第３加熱光源１２が発生させた第３加熱波長λ_３Ｈを有する加熱放射線１３が、第２コーティング４を透過し、基板２を通過し、反射層３ｄに入射し、反射層３ｄで反射して基板２内に戻る。この場合、第３加熱波長λ_３Ｈの加熱放射線１３に関する基板２のＵＬＥ（登録商標）材料の吸収率が中強度なので、反射層３ｄで反射された加熱放射線１３は、基板２の底面２ｂまで伝播せず底面２ｂで出ることができない。

加熱放射線１３が中強度で基板２により吸収される図３ａに示す例では、第３加熱波長λ_３Ｈは約３６００ｎｍであり、この場合の第３加熱波長λ_３Ｈの典型値は、基板２の厚さに応じて約３５００ｎｍ〜約３７００ｎｍである。基板２の厚さが特定されていれば、基板２の材料、この場合はＵＬＥ（登録商標）に関する波長依存透過曲線に基づいて、最適な加熱波長を確認することが可能である。同様の関係が、異なる材料、例えばＺｅｒｏｄｕｒ（登録商標）等でできた基板２にも当てはまる。反射層３ｄの反射率Ｒ_３Ｈは、上記波長域で最大である、又は極大を有する。

図３ａに示す例では、第２コーティング４は、第１加熱波長λ_１Ｈの加熱放射線９の反射の抑制及び第２加熱波長λ_２Ｈの加熱放射線１１の反射の抑制に加えて第３加熱波長λ_３Ｈの加熱放射線１３の反射を抑制するようにも構成された反射防止層４ｂを有する。反射防止層４ｂは、通常は各加熱波長λ_１Ｈ、λ_２Ｈ、λ_２Ｈで反射の抑制の極大又は極小反射率を有する。

図２ａ、ｂ、及び図３ａに示す例では、加熱放射線９、１１、１３が基板２の底面２ｂに対して実質的に垂直に揃えられるが、図３ｂに示す例では、第３加熱波長λ_３Ｈの加熱放射線１３が、基板２の底面２ｂの表面法線に関して通常は約１０°以下の角度αに揃えられる。角度αに加熱放射線１３を揃えるために、第３加熱光源１２は、適切な場合には適切に傾けられるようにヒートシンク２１上に位置決めすることができ、且つ／又はその放出特性を適当に設定することができる。図３ｂで同様に分かるように、例えばレーザダイオードとして構成され得る第３加熱光源１２は、図３ｂに示す例では図平面に対応するＸＹＺ座標系のＸＺ平面に関して第１偏光状態（ｓ偏光）を有する直線偏光加熱放射線１３を発生させる。

図３ｂに示す例では、第２コーティング４は、第３加熱波長λ_３Ｈのｓ偏光加熱放射線１３を透過させる偏光選択層４ａ’’を有し、その結果として基板２を通過して加熱放射線１３を反射する第１コーティング３の層３ｄで反射される。図３ｂでは、基板２の上面２ａと加熱放射線１３を反射する層３ｄとの間に偏光変換層３ｅが配置され、これは、第３加熱波長λ_３Ｈの加熱放射線を２回通過させ、反射した加熱放射線１３がｐ偏光となるように加熱放射線１３の偏光方向を９０°回転させる。ｐ偏光加熱放射線１３は、第２コーティング４の偏光選択層４ａ’’に入射し、それにより反射されて基板２の内部に戻る。

図３ｃに示すＥＵＶミラー１は、第１コーティング３ではなく第２コーティング４に偏光変換層４ｃが設けられている点のみが、図３ｂに示すＥＵＶミラー１と異なる。ｓ偏光加熱放射線１３は、基板２に入る前に偏光変換層３ｃを通過してそれにより円偏光される。反射層３ｄで反射された円偏光加熱放射線１３は、偏光変換層４ｃに再度入射し、ｐ偏光加熱放射線１３に変換される。ｐ偏光加熱放射線１３は、偏光選択層４ａ’’に入射し、それにより反射されて基板２に戻る。

図３ｂ及び図３ｃに示す例では、第３加熱波長λ_３Ｈは、基板２によりごくわずかに吸収されるよう選択され、すなわち通常は約４００ｎｍ〜約２３００ｎｍである。図３ａ〜ｃで分かるように、第２コーティング４の全体が、第３加熱波長λ_３Ｈの加熱放射線１３及び第２加熱波長λ_２Ｈの加熱放射線１１に関して透過性であるよう構成される。偏光選択層４ａ’’は、基板２の底面２ｂの領域を加熱するために第１加熱波長λ_１Ｈの加熱放射線９を吸収するようここでは構成される。

図２ａ、ｂ及び図３ａ〜ｃに関連してさらに上述したデバイス２０において、いずれの場合も、各加熱波長λ_１Ｈ、λ_２Ｈ、λ_３Ｈの加熱放射線９、１１、１３を発生させる第１、第２、又は第３加熱光源８、１０、１２のみが示されている。しかしながら、通常は複数の第１、第２、又は第３加熱光源８、１０、１２が格子型配置（行列）でヒートシンク２１に配置されることで、所望の空間分解能でのＥＵＶミラーの熱影響を達成する。加熱光源が発生させた加熱放射線８、１０、１２は実質的に単色とすることができ、すなわち、例えばレーザダイオード又はＬＥＤの場合のように放射強度が加熱波長で最大付近に集中する。代替的に、比較的広帯域の波長域で加熱放射線を放出する加熱光源を用いて、所望の加熱波長又は狭帯域の加熱波長域を適切な波長選択フィルタにより選択させることも可能である。

図１〜図３ｃに関連してさらに上掲したデバイス２０の代替として、第１、第２、及び／又は第３加熱光源８、１０、１２をヒートシンク２１から離して配置して、例えば光ファイバケーブルの形態のビーム誘導デバイスによりＥＵＶミラー１に供給させることができる。この場合は加熱放射線９、１１、１３を基板２と位置合わせするために、例えば光ファイバケーブルから出る加熱放射線９、１１、１３を基板２の底面２ｂの方向に偏向させる偏向デバイスを、ヒートシンク２１に取り付けることが可能である。

図４は、図１、図２ａ、ｂ、又は図３ａ〜ｃのＥＵＶミラー１を組み込むことができるＥＵＶリソグラフィ装置１０１の形態の光学装置を非常に概略的に示す。ＥＵＶリソグラフィ装置１０１は、５０ｎｍ未満、特に約５ｎｍ〜約１５ｎｍのＥＵＶ波長域で高エネルギー密度を有するＥＵＶ放射線を発生させるＥＵＶ光源１０２を有する。ＥＵＶ光源１０２は、例えば、レーザ誘起プズマを発生させるプラズマ光源の形態をとり得るか、又はシンクロトロン放射源として形成され得る。特に前者の場合、ＥＵＶ光源１０２のＥＵＶ放射線を照明ビーム１０４に集束させて、このようにしてエネルギー密度をさらに高めるために、図４に示すように、コレクタミラー１０３を用いることができる。照明ビーム１０４は、本例の場合は５個の反射光学素子１１２〜１１６（ミラー）を有する照明系１１０による構造化物体Ｍの照明に役立つ。

構造化物体Ｍは、例えば反射型マスクとすることができ、これは、物体Ｍ上に少なくとも１つの構造を生成するための反射領域及び非反射領域又は少なくとも反射性がかなり低い領域を有する。代替的に、構造化物体Ｍは、複数のマイクロミラーとすることができ、これらは、各ミラーに対するＥＵＶ放射線１０４の入射角を設定するために、１次元又は多次元配置で配置され且つ場合によっては少なくとも１つの軸に関して可動である。

構造化物体Ｍは、照明ビーム１０４の一部を反射して投影ビーム経路１０５を形成し、投影ビーム経路１０５は、構造化物体Ｍの構造に関する情報を運ぶと共に投影レンズ１２０に放射され、投影レンズ１２０は、構造化物体Ｍ又はその各部分領域の投影像を基板Ｗ上に生成する。基板Ｗ、例えばウェーハは、半導体材料、例えばケイ素を含み、ウェーハステージＷＳとも称するマウントに配置される。

本例では、投影レンズ１２０は、構造化物体Ｍ上にある構造の像をウェーハＷ上に生成するために６個の反射光学素子１２１〜１２６（ミラー）を有する。投影レンズ１２０のミラーの数は、通常は４個〜８個であるが、２つしかミラーを用いない場合もあり得る。

構造化物体Ｍの各物点ＯＰをウェーハＷ上の各像点ＩＰに結像する際に高い結像品質を達成するために、ミラー１２１〜１２６の表面形態には最高の要件が課される。また、ミラー１２１〜１２６の相互に対する位置又は位置合わせと、物体Ｍ及び基板Ｗに対する位置又は位置合わせとも、ナノメートル範囲の精度を要する。ＥＵＶミラー１２１〜１２６のそれぞれを、図１、図２ａ、ｂ、及び図３ａ〜ｃに関連してさらに上述したように構成することができ、例えば上述したように構成することができる熱的操作用の専用デバイス２０を、それに割り当てることができる。

図４に示す投影レンズ１２０では、第６ミラー１２６は、図３ａに示す熱影響を及ぼすことが可能なＥＵＶミラー１の形態で構成され、それに割り当てられた熱的操作用のデバイス２１は、ＥＵＶミラー１６における所望の通常は均一な温度分布を設定すると共に第６ＥＵＶミラー１２６の光学面６（図３ａ参照）上の望ましくない変形及びその結果としての望ましくない収差を回避するために、加熱光源８、１０、１２（図４には図示せず）を個別に駆動するよう構成される。

ＥＵＶミラー１２６又は光学面６の温度及び／又はＥＵＶミラー１２６の基板２の温度を捕捉する１つ又は複数のセンサを、ＥＵＶリソグラフィ装置１０１に配置することがさらに可能であることにより、熱影響用のデバイス２０は、ＥＵＶミラー１２６において所望の場所依存且つ時間依存熱導入を目標通りにもたらすためにＥＵＶミラー１２６への場所依存熱導入の調節を行うことができ、その結果として、ＥＵＶミラー１２６の温度分布が均一化される。

付加的又は代替的に、図２ａ、ｂ又は図３ａ〜ｃに示すように、ＥＵＶマスク１３０にデバイス２０が熱影響を及ぼすことも可能である。ＥＵＶマスク１３０は、この場合、さらに上述したＥＵＶミラー１のように構成され、入射したＥＵＶ放射線を反射しないか又はごくわずかに反射する吸収体材料の形態の部分領域が、ＥＵＶコーティング３の上面に付加的に形成される。吸収部分領域は、反射部分領域と共に、結像対象のＥＵＶマスク１３０の構造を形成する。

さらに上述したＥＵＶミラー１又は熱影響用のデバイス２０を、ＥＵＶ波長域用の他の光学系で、例えばＥＵＶマスクの検査システムで有利に用いることもできることを理解されたい。

Claims (19)

1. 光学素子（１、１２６）であって、
   基板（２）と、
   該基板（２）の第１面（２ａ）上に配置され且つＥＵＶ波長域の使用波長（λ_ＥＵＶ）を有する放射線（５）を反射するよう構成された第１コーティング（３）と、
   前記基板（２）の第２面（２ｂ）上に配置された、前記基板（２）の前記第２面（２ｂ）を照射する加熱放射線（９、１１、１３）に影響を及ぼす第２コーティング（４）と
   を備え、
   前記第１コーティング（３）は、前記基板（２）を通過した第３加熱波長（λ_３Ｈ）の加熱放射線（１３）を反射して前記基板（２）内に戻すよう構成された少なくとも１つの反射層（３ｄ）を有する光学素子。
2. 請求項１に記載の光学素子において、前記第２コーティング（４）は、前記使用波長（λ_ＥＵＶ）とは異なる第１加熱波長（λ_１Ｈ）の加熱放射線（９）を吸収する少なくとも１つの吸収層（４ａ）を有する光学素子。
3. 請求項２に記載の光学素子において、前記少なくとも１つの吸収層（４ａ）は、前記基板（２）と前記第１加熱波長（λ_１Ｈ）の前記加熱放射線（９）の反射を抑制する少なくとも１つの反射防止層（４ｂ）との間に配置される光学素子。
4. 請求項２又は３に記載の光学素子において、前記第１加熱波長（λ _１Ｈ ）は１５００ｎｍよりも高く、前記第１加熱波長（λ_１Ｈ）の加熱放射線（９）に関する前記少なくとも１つの吸収層（４ａ）の吸収率（Ａ_１Ｈ）及び／又は前記少なくとも１つの反射防止層（４ｂ）による反射の抑制が、１５００ｎｍを超える波長で極大を有する光学素子。
5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の光学素子において、第１加熱波長（λ_１Ｈ）の加熱放射線（９）を吸収する前記少なくとも１つの層（４ａ）は、前記第１加熱波長とは異なる第２加熱波長（λ_２Ｈ）の加熱放射線（１１）を透過させるよう構成される光学素子。
6. 請求項５に記載の光学素子において、前記第２加熱波長（λ _２Ｈ ）は４００ｎｍ〜１５００ｎｍであり、前記第２加熱波長（λ_２Ｈ）の加熱放射線（４）に関する前記少なくとも１つの吸収層（４ａ）の透過率（Ｔ_２Ｈ）が、１５００ｎｍ未満の波長で極大を有する光学素子。
7. 請求項１に記載の光学素子において、前記第２コーティング（４）は、第１加熱波長（λ_１Ｈ）の加熱放射線（９）及び前記第１加熱波長とは異なる第２加熱波長（λ_２Ｈ）の加熱放射線（１１）を透過させる少なくとも１つの層（４ａ’）を有する光学素子。
8. 請求項７に記載の光学素子において、前記基板（２）は、前記第１加熱波長（λ_１Ｈ）の加熱放射線（１１）を少なくとも部分的に吸収する材料から形成される光学素子。
9. 請求項７又は８に記載の光学素子において、前記少なくとも１つの透過層（４ａ’）は、前記基板（２）と前記第１加熱波長（λ_１Ｈ）及び前記第２加熱波長（λ_２Ｈ）の前記加熱放射線（９、１１）の反射を抑制する少なくとも１つの反射防止層（４ｂ）との間に配置される光学素子。
10. 請求項１〜９のいずれか１項に記載の光学素子において、前記第２コーティング（４）は、前記第３加熱波長（λ_３Ｈ）の加熱放射線（１３）の反射を抑制する少なくとも１つの反射防止層（４ｂ）を有する光学素子。
11. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載の光学素子において、前記第３加熱波長（λ _３Ｈ ）は３５００ｎｍ〜３７００ｎｍであり、前記第３加熱波長（λ_３Ｈ）に関する前記反射層（３ｄ）での前記加熱放射線（１３）の反射率（Ｒ_１Ｈ）及び／又は前記少なくとも１つの反射防止層（４ｂ）による前記加熱放射線（１３）の反射の抑制は、３５００ｎｍ〜３７００ｎｍの波長域で極大を有する光学素子。
12. 請求項１〜９のいずれか１項に記載の光学素子において、前記第２コーティング（４）は、第１直線偏光状態（ｓ）で前記第３波長（λ_３Ｈ）の加熱放射線（１３）を透過させ且つ前記第１直線偏光状態とは異なる第２直線偏光状態（ｐ）で前記第３波長（λ_３Ｈ）の加熱放射線（１３）を反射するよう構成された、偏光選択層（４ａ’’）を有する光学素子。
13. 請求項１２に記載の光学素子において、前記反射層（３ｄ）と前記基板（２）との間で前記第１コーティング（３）に又は前記偏光選択層（４ａ’’）と前記基板（２）との間で前記第２コーティング（４）に配置された、少なくとも１つの偏光変換層（３ｅ、４ｃ）をさらに備えた光学素子。
14. 請求項１〜１３のいずれか１項に記載の光学素子において、前記第２コーティング（４）は、前記第３加熱波長（λ_３Ｈ）の加熱放射線（１３）を透過させるよう構成される光学素子。
15. 請求項１〜１４のいずれか１項に記載の光学素子において、前記基板（２）は、前記第２及び／又は前記第３波長（λ_２Ｈ、λ_３Ｈ）の前記加熱放射線（１１、１３）に関して少なくとも部分的に透明である材料から形成される光学素子。
16. 請求項１〜１５のいずれか１項に記載の光学素子において、ＥＵＶミラー（１、１２６）又はＥＵＶマスク（１３０）として構成された光学素子。
17. 光学装置（１０１）であって、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の少なくとも１つの光学素子（１２６）と、該光学素子（１２６）に熱影響を及ぼす少なくとも１つのデバイス（２０）とを備え、該デバイスは、少なくとも１つの加熱波長（λ_１Ｈ、λ_２Ｈ、λ_３Ｈ）の加熱放射線（９、１１、１３）を発生させる少なくとも１つの加熱光源（８、１０、１２）を有し、且つ前記光学素子（１２６）の前記基板（２）の前記第２面（２ｂ）に加熱放射線（９、１１、１３）を照射するよう構成される光学装置。
18. 請求項１７に記載の光学装置において、前記デバイス（２０）は、格子型配置の複数の加熱光源（８、１０、１２）を有する光学装置。
19. 請求項１７又は１８に記載の光学装置において、EUVリソグラフィ装置（１０１）の形態で構成された光学装置。
    

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