JP6397424B2 - 定量的ナノインデンテーション用マイクロ加工櫛形駆動機構 - Google Patents
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Description
作動に関する従来技術の制限
MEMSトランスデューサは、破壊試験(参考文献8および9参照のこと)、引っ張り試験(参考文献10、11、12および13参照のこと)、および押込み(参照文献5および15参照のこと)などの、ナノ機械試験用途に使用されてきた。しかしながら、公知のMEMSベースのナノ機械試験器うち、ナノインデンテーションに使用されてきたと知られているものは1つのみである。この公知のナノインデンタは2つの容量変位検知用極板のみを使用し、試料上の押込み力は圧電作動およびばね反作用を用いて印加される。侵入深さは圧子変位から作動距離を減算することにより推定される。
検知に関する従来技術の制限
従来のMEMSベースのナノ機械試験器には、変位検知のために静電容量変化を利用するものがある(参考文献5、6、10、11、17および18参照のこと)。しかしながら、大抵の従来のMEMSベースの機械試験器は、1対の変位測定用の極板または電極のみを有する検知コンデンサを採用する。単一対の電極のみを有する検知コンデンサを使用する変位測定はナノ機械試験には望ましくないが、これは、そのような測定方式は環境変化が原因の変位検知における誤差が生じやすいためである。そのような変位検知方式は、1対の電極間のギャップが減少するにつれて増加する比較的大きな非線形性をも有する。
ばね設計に関する従来技術の制限
ナノ機械試験器が正確な機械試験結果を提供するためには、可動電極またはプローブの移動は試験方向に制限されるべきである。ナノインデンテーションの場合、動きは試料表面に対して垂直であるべきであり、また圧子が試料剛性からの反作用を受けるものの、押込み実験の間維持されるべきである。機械試験方向を維持するため、トランスデューサばねは、試験方向の移動に対する軟質または可撓特性、および他の方向の移動に対する剛または非可撓特性を有するように設計されるべきである。
圧子チップ配線に関する従来技術の制限
いくつかのナノインデンテーション用途では、伝導性チップが使用され、電気測定または放電の目的で配線される。圧子チップは配線されると、機械的および電気的データ間の相関を見出すために、ナノインデンテーションの間、現場電気測定に使用できる(参考文献16参照のこと)。加えて、配線済み伝導性チップは、電子を放電し、電子の蓄積により引き起こされる引力を除去するために、現場電子顕微鏡ナノインデンテーション(参考文献4参照のこと)に使用される。伝導性チップをその他の電極から電気的に絶縁することは、MEMSデバイスでは、その小さいサイズおよび電気的レイアウト制限のために、困難である。1つの公知のMEMSナノインデンタの圧子チップ(参考文献5参照のこと)は、電気的ドリフトや雑音の増加を引き起こし得る検知コンデンサ極板の1つに接続される。チップの完全な絶縁は、電子顕微鏡測定において電子に起因する不要な影響を防止するために望ましい。
トランスデューサ・パッケージングに関する従来技術の制限
MEMSナノ機械試験器はパッケージ化されることで、試験器を汚染から保護し、またトランスデューサを電気的に遮蔽することが望ましい。MEMSトランスデューサは、汚染の結果として誤動作し得る多くの小さな特徴を有するので、汚染からの保護は、トランスデューサの寿命を延ばすために重要である。トランスデューサを電気的に遮蔽するために、伝導性パッケージング材料が使用できる。大抵のMEMSベースのナノ機械試験器は商用化されておらず、したがってトランスデューサをパッケージ化する必要は殆どなかった。1つの公知のナノ機械試験器であるMEMSナノインデンタは部分的に覆われているが、ばねとチップ装着用に設計された円形孔とが露出している。この露出領域は汚染されてしまうことがあり、電子顕微鏡用途で使用される場合には、電子を蓄積してしまうこともある。
衝突保護に関する従来技術の制限
櫛形駆動機構でのコンデンサ電極間のギャップ距離は小さいため、不適切な操作または誤った取扱いにより電極は容易に互いに接触してしまうことがあり、特に、櫛形駆動機構がナノ機械試験に使用されて櫛形駆動機構が不安定な動作を行い得る場合には顕著である。電極への些細な損傷でも事実上ナノ機械試験装置を不能としかねないが、これは櫛形駆動機構への僅かな損傷でも試験装置の較正が崩れてしまい、不正確なトランスデューサ定数が原因で、測定データを適切に試料の機械的性質に変換できなくなるからである。トランスデューサやコントローラ電子機器を永久損傷から保護するために、そのような電極接触は防止するべきであり、それは可動電極を安全な範囲内の動きに機械的に制限することにより防止できる。そのような安全特性は、公知のMEMSベースの機械試験器により使用されていることは知られていない。
圧子チップ装着に関する従来技術の制限
測定される押込みデータは、試料の機械的性質に変換できる負荷および除荷曲線を備える。この変換のためには、規定の形状を持つ圧子チップを採用することが有利である。しかしながら、MEMSデバイスのような小型のデバイスに圧子チップを装着することは、MEMSデバイスおよび圧子チップのサイズが小さいために困難である。小さいサイズに加えて、MEMS材料の脆性もそれを困難にする。従来の櫛形駆動機構には、試料に力を加えることができるものがある(参考文献17〜19参照のこと)が、力測定は規定の形状を有する圧子チップを用いて行われていないため、力に対する試料の測定された反作用は機械的性質(例えば、弾性率や硬さ)に変換できない。
可動電極104が押込み方向116に移動されると、和(CA+CD)は増加する一方で、和(CB+CC)は減少し、結果的に{(CA+CD)−(CB+CC)}は増加する。それ故に、CA、CB、CC、およびCDに対する既知の基準値を用いて求められるCCRIに対する基準値に対して、CCRIの値は、押込み方向116(即ち、z軸)への可動プローブ104の変位に比例する量だけ増加する。
CCRL={(CA+CB)−(CC+CD)}/{(CA+CB)+(CC+CD)}
可動プローブ104が横方向(即ち、x軸)に移動すると、検知コンデンサ130、132、134、および136の可動電極櫛歯は固定電極櫛歯に対して横方向に移動し、和(CA+CB)は増加する一方で、和(CC+CD)は固定および可動電極櫛歯の重複面積の変化が原因で減少し、結果的に{(CA+CB)−(CC+CD)}は増加する。それ故に、CA、CB、CC、およびCDに対する既知の基準値を用いて求められるCCRLに対する基準値に対して、CCRLの値は、横方向(即ち、x軸)への可動プローブ104の変位に比例する量だけ増加する。
CCRR={(CB+CD)−(CA+CC)}/{(CB+CD)+(CA+CC)}
可動プローブ104が時計回り方向に回転すると、和(CB+CD)は増加する一方で、和(CA+CC)は回転運動が原因で減少し、結果的に{(CB+CD)−(CA+CC)}は増加する。それ故に、CA、CB、CC、およびCDに対する既知の基準値を用いて求められるCCRRに対する基準値に対して、CCRRの値は、可動プローブ104の角回転に比例する量だけ増加する。
一実施形態において、プローブ104は試料表面38に向かって、その表面に実質的に垂直な方向に移動される。プローブ104は、試料に押込みまたは他の試験を実施する一部として移動されてよい。プローブ104を試料表面38に向かって移動しつつ、試料表面における第1の引力を、マイクロ電気機械トランスデューサ100を用いて求める。図23は、プローブ104が試料に接近するが試料に接触はしない際に存在する引力を示す接近データの一例である。この例では、引力は510で示される0.025μNである。
あるいは、他の装置を使用してプローブ104を試料36に対して移動させてよい。マイクロ機械トランスデューサ100はアクチュエータを含んでよい。アクチュエータは、プローブ104に結合される、作動装置および変位センサを含んでよい。他の実施形態において、トランスデューサ100外部のアクチュエータを使用してプローブを試料に対して移動させる。外部アクチュエータは、作動装置および変位センサを含んでよい。外部アクチュエータの非限定例には、圧電アクチュエータ、ボイスコイルアクチュエータまたはステッピングモータが含まれる。一実施形態において、アクチュエータはプローブに結合される。別の実施形態において、アクチュエータはプローブには結合されずに、試料ホルダに結合されてよい。
Claims (23)
- 本体と、
前記本体に対して移動可能なプローブと、
前記プローブ上の相互作用力を表すセンサ出力信号を提供する、ギャップ変更型の差動容量変位センサを含むマイクロ加工櫛形駆動機構と、を備える
マイクロ電気機械トランスデューサを提供するステップであって、前記差動容量変位センサが、複数の検知コンデンサを含み、各々の検知コンデンサが、複数の櫛形コンデンサを備え、各々は、互いに合わさると(which, together)前記プローブの位置を表す静電容量レベルを提供するように構成され、前記検知コンデンサの前記櫛形コンデンサの各々が、前記本体に結合される固定電極櫛歯(fixed electrode comb)と、前記プローブに結合される可動電極櫛歯とを含み、前記相互作用力が、引力又は粘着力であるものと、
前記プローブを試料表面に対して移動させるステップと、
前記試料表面接触せずに前記プローブを前記試料表面に対して移動しつつ、前記プローブと前記試料表面との間の相互作用力を、前記センサ出力を用いて求めるステップと、
を備え、
前記プローブが、電気的に絶縁される圧子チップを備える、
相互作用力を測定する方法。 - 前記相互作用力が、静電力、ファンデルワールス力、電磁力、毛管力のうちの1つである、請求項1に記載の方法。
- 前記プローブを前記試料表面に向かって、前記試料表面に垂直な方向に移動させるステップと、
前記プローブを、前記試料表面接触せずに前記試料表面に向かって移動しつつ、前記試料表面における第1の相互作用力を決定するステップと、
を更に備える、請求項1に記載の方法。 - 前記第1の相互作用力が決定された後に、前記プローブを前記試料表面に接触させるステップと、
前記試料表面に押込みを実行するステップと、
を更に備える、請求項3に記載の方法。 - 前記第1の相互作用力が決定された後に、前記プローブを前記試料表面から離れる方向に移動させるステップと、
前記プローブを、前記試料表面接触せずに前記試料表面から離れる方向に移動しつつ、第2の相互作用力を決定するステップと、
を備える、請求項4に記載の方法。 - 前記プローブを前記試料表面に対して移動させるステップが、
相互作用力を決定する前に、前記試料表面に前記プローブを接触させるステップを備え、
更に、
前記プローブを前記試料表面から離して移動させるステップと、
前記プローブを、前記試料表面接触せずに前記試料表面から離れる方向に移動しつつ、相互作用力を決定するステップと、
を更に備える、請求項1に記載の方法。 - 前記試料表面に前記プローブを接触させるステップが、前記表面に垂直に力を加えるステップを更に備える、請求項6に記載の方法。
- 本体と、
前記本体に対して移動可能なプローブと、
マイクロ加工櫛形駆動機構と、
を備えるマイクロ電気機械トランスデューサを提供するステップであって、前記マイクロ加工櫛形駆動機構が、
相互作用力を決定する前に、プローブを移動させ、試料に力を加えるための静電アクチュエータコンデンサと、
前記プローブでの界面相互作用力を表すセンサ出力信号を提供するためのギャップ変更型の差動容量変位センサであって、当該相互作用力が、引力又は粘着力であるものと、
を備えるものと、
前記プローブを試料表面に対して移動させるステップと、
前記試料表面接触せずに前記プローブを前記試料表面に対して移動しつつ、前記プローブと前記試料表面との間の相互作用力を、前記センサ出力を用いて求めるステップと、
を備え、
前記プローブが、電気的に絶縁される圧子チップを備える、
相互作用力を測定する方法。 - 前記相互作用力が、静電力、ファンデルワールス力、電磁力、毛管力のうちの1つである、請求項8に記載の方法。
- 前記プローブを前記試料表面に向かって、前記試料表面に垂直な方向に移動させるステップと、
を更に備える、請求項8に記載の方法。 - 前記試料での第1の引力を決定する前に、前記試料表面に押込みを実行するステップと、
前記プローブを、前記試料表面接触せずに前記試料表面に向かって移動しつつ、前記試料での第1の引力を決定するステップと、
を更に備える、請求項10に記載の方法。 - 前記プローブを前記試料表面から離れる方向に移動させるステップと、
前記プローブを、前記試料表面接触せずに前記試料表面から離れる方向に移動しつつ、第2の引力を決定するステップと、
を備える、請求項11に記載の方法。 - 前記プローブを前記試料表面に対して移動させるステップが、
相互作用力を決定する前に、前記試料表面に前記プローブを接触させるステップと、
前記プローブを前記試料表面から離して移動させるステップと、
前記プローブを、前記試料表面接触せずに前記試料表面から離れる方向に移動しつつ、相互作用力を決定するステップと、
を更に備える、請求項8に記載の方法。 - 前記試料表面に前記プローブを接触させるステップが、前記表面に垂直に力を加えるステップを更に備える、請求項13に記載の方法。
- 前記静電アクチュエータコンデンサが、前記アクチュエータコンデンサへのバイアス電圧の印加に応じて、試料表面に実質的に垂直な方向を含む変位軸に沿って前記プローブを駆動する、複数の櫛形コンデンサを備える、請求項8に記載の方法。
- 材料試料を試験する方法であって、
マイクロ電気機械ナノインデンタトランスデューサを使用するステップであって、前記マイクロ電気機械ナノインデンタトランスデューサが、
本体と、
前記本体に対して移動可能なチップを有するプローブと、
マイクロ加工櫛形駆動機構と、
を備え、
前記マイクロ加工櫛形駆動機構が、
前記アクチュエータコンデンサにバイアス電圧が印加されると、変位軸に沿って、前記チップと共に前記プローブを駆動する複数の櫛形コンデンサを備え、静電アクチュエータコンデンサと、
前記プローブ上の界面粘着力を表すセンサ出力信号を提供する、ギャップ変更型の差動容量センサであって、前記センサが複数の検知コンデンサを含み、各検知コンデンサが複数の櫛形コンデンサを備え、また各々は、互いに合わさると前記プローブの位置を表す静電容量レベルを提供するように構成され、前記アクチュエータコンデンサおよび前記検知コンデンサの前記櫛形コンデンサの各々が、前記本体に結合される固定電極櫛歯と、前記プローブに結合される可動電極櫛歯とを含む、差動容量センサと、
を備えるものと、
前記アクチュエータコンデンサにバイアス電圧を印加して、試料表面に対して前記プローブを移動させるステップと、
前記センサ出力を用いて、前記プローブと前記試料表面の間の界面粘着力を決定するステップであって、
前記界面粘着力が、引力又は粘着力であるものと、
を含み、
前記プローブが、電気的に絶縁される圧子チップを備える、
方法。 - 前記プローブが前記試料表面に向かって移動する際の、前記試料表面での第1の界面粘着力を決定するステップを更に含む、請求項16に記載の方法。
- 前記プローブを、前記試料表面から離れる方向に移動させるステップと、
前記プローブが、前記試料表面から離れる方向に移動する際に、前記試料での第2の界面粘着力を決定するステップと、
を含む、請求項16に記載の方法。 - 本体と、
前記本体に対して移動可能なプローブと、
前記プローブ上の相互作用力を表すセンサ出力信号を提供する、ギャップ変更型の差動容量変位センサを含むマイクロ加工櫛形駆動機構と、
試料表面に対して前記プローブを移動させるアクチュエータと、
を備える
マイクロ電気機械トランスデューサを提供するステップと、
前記プローブを試料表面に対して移動させるステップと、
前記試料表面に接触せずに前記プローブを前記試料表面に対して移動しつつ、前記プローブと前記試料表面との間の相互作用力を、前記センサ出力を用いて求めるステップと、
を備え、
前記プローブが、電気的に絶縁される圧子チップを備える、
相互作用力を測定する方法。 - 請求項19に記載の方法であって、前記アクチュエータが、作動装置及び変位センサを備える方法。
- 本体と、
前記本体に対して移動可能なプローブと、
前記プローブ上の相互作用力を表すセンサ出力信号を提供する差動容量変位センサを含むマイクロ加工櫛形駆動機構と、
を備える
マイクロ電気機械トランスデューサを提供するステップと、
前記プローブを移動させるアクチュエータを提供するステップと、
前記プローブを試料表面に対して移動させるステップと、
前記試料表面接触せずに前記プローブを前記試料表面に対して移動しつつ、前記プローブと前記試料表面との間の相互作用力を、前記センサ出力を用いて求めるステップであって、前記相互作用力が、表面引力又は粘着力を含むものと、
を備え、
前記プローブが、電気的に絶縁される圧子チップを備える、
相互作用力を測定する方法。 - 請求項21に記載の方法であって、前記アクチュエータが、作動装置及び変位センサを備える方法。
- 請求項22に記載の方法であって、
前記作動装置が、
圧電アクチュエータ、ボイスコイルアクチュエータ、又は、ステッピングモータならなるグループのうちの1つを備える方法。
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