JP6370173B2 - Ｍｒセンサおよびカードリーダ - Google Patents

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Description

本発明は、カードに記録された磁気データを読み取るためのカードリーダに使用されるカードリーダ用のＭＲセンサに関する。また、本発明は、このＭＲセンサを備えるカードリーダに関する。
従来、カードに記録された磁気データを読み取るカードリーダが知られている（たとえば、特許文献１参照）。特許文献１に記載のカードリーダは、カードに記録された磁気データを読み取るための磁気ヘッドを備えている。また、このカードリーダは、カードの挿入口から挿入されたカードの磁気ストライプに磁気データが記録されているのか否かを検知するためのプリヘッド（磁気ヘッド）を備えている。
カードリーダが利用される業界において、従来、犯罪者がプリヘッドから出力される信号を不正に取得して、カードに記録された磁気情報を不正に取得するいわゆるタッピングが大きな問題となっている。特許文献１に記載のカードリーダでは、プリヘッドの内部に、カードに記録された磁気データに応じた信号と異なる信号を出力する偽信号出力回路が設けられており、犯罪者がプリヘッドから出力される信号を取得しても、カードに記録された磁気データに応じた信号を取得することができない。そのため、このカードリーダでは、犯罪者による磁気情報の不正取得を阻止することが可能となっている。
特開２０１０−２０５１８７号公報
上述のように、特許文献１に記載のカードリーダでは、プリヘッドの内部に偽信号出力回路が設けられているため、犯罪者による磁気情報の不正取得を阻止することが可能となっている。しかしながら、このカードリーダでは、プリヘッドの内部に偽信号出力回路が設けられているため、プリヘッドが高価になる。
そこで、本発明の課題は、カードリーダに搭載されたときにカードの磁気ストライプに磁気データが記録されているのか否かを検知することが可能であっても、犯罪者による磁気情報の不正取得を阻止することが可能で、かつ、コストを低減することが可能なカードリーダ用のＭＲセンサを提供することにある。また、本発明の課題は、かかるＭＲセンサを備えるカードリーダを提供することにある。
上記の課題を解決するため、本発明のＭＲセンサは、第１のトラックの磁気データと第２のトラックの磁気データとが記録可能な磁気ストライプを有するカードの磁気ストライプに磁気データが記録されているのか否かを検知するためのカードリーダ用のＭＲセンサであって、互いに直列に接続され第１のトラックが通過する位置に配置される第１の抵抗体および第２の抵抗体と、互いに直列に接続され第２のトラックが通過する位置に配置される第３の抵抗体および第４の抵抗体とを備え、第２の抵抗体および第４の抵抗体は、電源に接続され、第１の抵抗体および第３の抵抗体は、接地され、直列に接続される第１の抵抗体と第２の抵抗体との間の第１中点と、直列に接続される第３の抵抗体と第４の抵抗体との間の第２中点との電位差が出力となっていることを特徴とする。
本発明のＭＲセンサは、上記のように構成されているため、ＭＲセンサがカードリーダに搭載された場合、磁気ストライプに磁気データが記録されたカードがＭＲセンサの設置箇所を通過したときに、ＭＲセンサから、カードに記録された磁気データに応じた信号と異なる信号を出力させることが可能になる。したがって、本発明では、ＭＲセンサがカードリーダに搭載されたときに、カードの磁気ストライプに磁気データが記録されているのか否かを検知することが可能であっても、犯罪者による磁気情報の不正取得を阻止することが可能になる。また、本発明では、第１〜第４の抵抗体の配置等を工夫することで、ＭＲセンサから、カードに記録された磁気データに応じた信号と異なる信号を出力させることが可能になるため、ＭＲセンサの構成を簡素化することが可能になり、その結果、ＭＲセンサのコストを低減することが可能になる。
本発明において、第１の抵抗体と第２の抵抗体とは、カードの通過方向において、第１のトラックに０データが記録されたときの第１のトラックのビット間隔の半分の奇数倍の距離、離れた状態で配置され、第３の抵抗体と第４の抵抗体とは、カードの通過方向において、第２のトラックに０データが記録されたときの第２のトラックのビット間隔の半分の奇数倍の距離、離れた状態で配置されていることが好ましい。このように構成すると、ＭＲセンサから出力される信号の振幅を大きくすることが可能になる。したがって、カードの磁気ストライプに磁気データが記録されているのか否かをより適切に検知することが可能になる。
本発明において、第１の抵抗体、第２の抵抗体、第３の抵抗体および第４の抵抗体は、
カードの通過方向に直交する第１方向において、複数回折り返されて形成されていること
が好ましい。このように構成すると、第１〜第４の抵抗体に流れる電流を小さくすること
が可能になる。したがって、ＭＲセンサの消費電力を抑制することが可能になる。
また、上記の課題を解決するため、本発明のＭＲセンサは、第１のトラックの磁気データと第２のトラックの磁気データとが記録可能な磁気ストライプを有するカードの磁気ストライプに磁気データが記録されているのか否かを検知するためのカードリーダ用のＭＲセンサであって、互いに直列に接続される第１の抵抗体および第２の抵抗体と、互いに直列に接続される第３の抵抗体および第４の抵抗体とを備え、第１の抵抗体および第４の抵抗体は、第１のトラックが通過する位置に配置され、第２の抵抗体および第３の抵抗体は、第２のトラックが通過する位置に配置され、第２の抵抗体および第４の抵抗体は、電源に接続され、第１の抵抗体および第３の抵抗体は、接地され、第１の抵抗体、第２の抵抗体、第３の抵抗体および第４の抵抗体は、カードの通過方向に直交する第１方向において２回以上折り返されて形成され、直列に接続される第１の抵抗体と第２の抵抗体との間の第１中点と、直列に接続される第３の抵抗体と第４の抵抗体との間の第２中点との電位差が出力となっていることを特徴とする。
本発明のＭＲセンサは、上記のように構成されているため、ＭＲセンサがカードリーダに搭載された場合、磁気ストライプに磁気データが記録されたカードがＭＲセンサの設置箇所を通過したときに、ＭＲセンサから、カードに記録された磁気データに応じた信号と異なる信号を出力させることが可能になる。したがって、本発明では、ＭＲセンサがカードリーダに搭載されたときに、カードの磁気ストライプに磁気データが記録されているのか否かを検知することが可能であっても、犯罪者による磁気情報の不正取得を阻止することが可能になる。また、本発明では、第１〜第４の抵抗体の配置や形状等を工夫することで、ＭＲセンサから、カードに記録された磁気データに応じた信号と異なる信号を出力させることが可能になるため、ＭＲセンサの構成を簡素化することが可能になり、その結果、ＭＲセンサのコストを低減することが可能になる。
本発明において、第１のトラックに０データが記録されたときの第１のトラックのビット間隔の２倍をλ１とし、第２のトラックに０データが記録されたときの第２のトラックのビット間隔の２倍をλ２とし、ｎ１、ｎ２を０以上の整数とし、ｍを３以上の整数とすると、第１の抵抗体、第２の抵抗体、第３の抵抗体および第４の抵抗体は、第１方向において、ｍ−１回折り返されて形成され、第１の抵抗体は、第１方向に平行な直線状に形成され、カードの通過方向において、（ｎ１λ１／ｍ＋λ１／２ｍ）のピッチで配置されるｍ個の第１抵抗部を備え、第２の抵抗体は、第１方向に平行な直線状に形成され、カードの通過方向において、（ｎ２λ２／ｍ＋λ２／２ｍ）のピッチで配置されるｍ個の第２抵抗部を備え、第３の抵抗体は、第１方向に平行な直線状に形成され、カードの通過方向において、（ｎ２λ２／ｍ＋λ２／２ｍ）のピッチで配置されるｍ個の第３抵抗部を備え、第４の抵抗体は、第１方向に平行な直線状に形成され、カードの通過方向において、（ｎ１λ１／ｍ＋λ１／２ｍ）のピッチで配置されるｍ個の第４抵抗部を備えることが好ましい。このように構成すると、磁気ストライプに磁気データが記録されたカードがＭＲセンサの設置箇所を通過したときの、第１の抵抗体、第２の抵抗体、第３の抵抗体および第４の抵抗体のそれぞれの抵抗変化率の振幅を小さくすることが可能になる。
さらに、上記の課題を解決するため、本発明のＭＲセンサは、第１のトラックの磁気データと第２のトラックの磁気データとが記録可能な磁気ストライプを有するカードの磁気ストライプに磁気データが記録されているのか否かを検知するためのカードリーダ用のＭＲセンサであって、互いに直列に接続される第１の抵抗体および第２の抵抗体と、互いに直列に接続される第３の抵抗体および第４の抵抗体とを備え、第１の抵抗体は、第１のトラックが通過する位置に配置され、第４の抵抗体は、第２のトラックが通過する位置に配置され、第２の抵抗体および第４の抵抗体は、電源に接続され、第１の抵抗体および第３の抵抗体は、接地され、第１の抵抗体および第４の抵抗体は、カードの通過方向に直交する第１方向において２回以上折り返されて形成され、第２の抵抗体および第３の抵抗体は、前記第１方向に平行な直線状に形成され、第１の抵抗体は、第１方向に平行な直線状に形成される３個以上の第１抵抗部を備え、第４の抵抗体は、第１方向に平行な直線状に形成される３個以上の第４抵抗部を備え、カードの通過方向における第２の抵抗体の幅は、カードの通過方向における第１抵抗部の幅の１／１０以下となっており、カードの通過方向における第３の抵抗体の幅は、カードの通過方向における第４抵抗部の幅の１／１０以下となっており、直列に接続される第１の抵抗体と第２の抵抗体との間の第１中点と、直列に接続される第３の抵抗体と第４の抵抗体との間の第２中点との電位差が出力となっていることを特徴とする。
さらにまた、上記の課題を解決するため、本発明のＭＲセンサは、第１のトラックの磁気データと第２のトラックの磁気データとが記録可能な磁気ストライプを有するカードの磁気ストライプに磁気データが記録されているのか否かを検知するためのカードリーダ用のＭＲセンサであって、互いに直列に接続される第１の抵抗体および第２の抵抗体と、互いに直列に接続される第３の抵抗体および第４の抵抗体とを備え、第１の抵抗体は、第１のトラックが通過する位置に配置され、第４の抵抗体は、第２のトラックが通過する位置に配置され、第２の抵抗体および第４の抵抗体は、電源に接続され、第１の抵抗体および第３の抵抗体は、接地され、第１の抵抗体および第４の抵抗体は、カードの通過方向に直交する第１方向において２回以上折り返されて形成され、第２の抵抗体および第３の抵抗体は、カードの通過方向において１回以上折り返されて形成され、直列に接続される第１の抵抗体と第２の抵抗体との間の第１中点と、直列に接続される第３の抵抗体と第４の抵抗体との間の第２中点との電位差が出力となっていることを特徴とする。
本発明において、たとえば、第２の抵抗体は、第１のトラックが通過する位置に配置され、第３の抵抗体は、第２のトラックが通過する位置に配置される。
また、上記の課題を解決するため、本発明のＭＲセンサは、第１のトラックの磁気データと第２のトラックの磁気データとが記録可能な磁気ストライプを有するカードの磁気ストライプに磁気データが記録されているのか否かを検知するためのカードリーダ用のＭＲセンサであって、互いに直列に接続される第１の抵抗体および第２の抵抗体と、互いに直列に接続される第３の抵抗体および第４の抵抗体とを備え、第１の抵抗体は、第１のトラックが通過する位置に配置され、第４の抵抗体は、第２のトラックが通過する位置に配置され、第２の抵抗体および第３の抵抗体は、第１のトラックが通過する位置から外れた位置であって、かつ、第２のトラックが通過する位置から外れた位置に配置され、第２の抵抗体および第４の抵抗体は、電源に接続され、第１の抵抗体および第３の抵抗体は、接地され、第１の抵抗体および第４の抵抗体は、カードの通過方向に直交する第１方向において２回以上折り返されて形成され、直列に接続される第１の抵抗体と第２の抵抗体との間の第１中点と、直列に接続される第３の抵抗体と第４の抵抗体との間の第２中点との電位差が出力となっていることを特徴とする。
本発明のＭＲセンサは、上記のように構成されているため、ＭＲセンサがカードリーダに搭載された場合、磁気ストライプに磁気データが記録されたカードがＭＲセンサの設置箇所を通過したときに、ＭＲセンサから、カードに記録された磁気データに応じた信号と異なる信号を出力させることが可能になる。したがって、本発明では、ＭＲセンサがカードリーダに搭載されたときに、カードの磁気ストライプに磁気データが記録されているのか否かを検知することが可能であっても、犯罪者による磁気情報の不正取得を阻止することが可能になる。また、本発明では、第１〜第４の抵抗体の配置や形状等を工夫することで、ＭＲセンサから、カードに記録された磁気データに応じた信号と異なる信号を出力させることが可能になるため、ＭＲセンサの構成を簡素化することが可能になり、その結果、ＭＲセンサのコストを低減することが可能になる。
本発明において、第１のトラックに０データが記録されたときの第１のトラックのビット間隔の２倍をλ１とし、第２のトラックに０データが記録されたときの第２のトラックのビット間隔の２倍をλ２とし、ｎ１、ｎ２を０以上の整数とし、ｍを３以上の整数とすると、第１の抵抗体および第４の抵抗体は、第１方向において、ｍ−１回折り返されて形成され、第１の抵抗体は、第１方向に平行な直線状に形成され、カードの通過方向において、（ｎ１λ１／ｍ＋λ１／２ｍ）のピッチで配置されるｍ個の第１抵抗部を備え、第４の抵抗体は、第１方向に平行な直線状に形成され、カードの通過方向において、（ｎ２λ２／ｍ＋λ２／２ｍ）のピッチで配置されるｍ個の第４抵抗部を備えることが好ましい。このように構成すると、磁気ストライプに磁気データが記録されたカードがＭＲセンサの設置箇所を通過したときの、第１の抵抗体および第４の抵抗体のそれぞれの抵抗変化率の振幅を小さくすることが可能になる。
本発明のＭＲセンサは、カードが挿入されるカード挿入口が形成されるとともにＭＲセンサが配置されるカード挿入部を備えるカードリーダに用いることができる。このカードリーダでは、カードの磁気ストライプに磁気データが記録されているのか否かを検知することが可能であっても、犯罪者による磁気情報の不正取得を阻止することが可能になる。また、このカードリーダでは、ＭＲセンサのコストを低減することが可能になり、その結果、カードリーダのコストを低減することが可能になる。
以上のように、本発明では、ＭＲセンサがカードリーダに搭載されたときにカードの磁気ストライプに磁気データが記録されているのか否かを検知することが可能であっても、犯罪者による磁気情報の不正取得を阻止することが可能になるとともに、ＭＲセンサのコストを低減することが可能になる。
本発明の実施の形態にかかるカードリーダの概略図である。 図１に示すカードの裏面を示す図である。 図１に示すＭＲセンサの回路図である。 本発明の実施の形態１にかかるＭＲセンサの平面図である。 図１に示す磁気ヘッドの出力信号と、図４に示すＭＲセンサの出力信号との相違を説明するための図であり、（Ａ）は磁気ヘッドの出力信号の一例を示す図、（Ｂ）はＭＲセンサの出力信号の一例を示す図である。 実施の形態１の変形例にかかるＭＲセンサの平面図である。 本発明の実施の形態２にかかるＭＲセンサの平面図である。 図７に示すＭＲセンサの出力信号の一例を示す図である。 本発明の実施の形態３にかかるＭＲセンサの平面図である。 （Ａ）は、図９に示す第１〜第４の抵抗体の抵抗変化率と磁束密度との関係を示すグラフであり、（Ｂ）は、（Ａ）において磁束密度が所定の値であるときの第２、第３の抵抗体の抵抗変化率、第１、第４の抵抗体の抵抗変化率、および、第２、第３の抵抗体の抵抗変化率と第１、第４の抵抗体の抵抗変化率との比率を示す一覧表である。 図９に示すＭＲセンサの出力信号の一例を示す図である。 本発明の実施の形態３の変形例にかかるＭＲセンサの平面図である。 本発明の実施の形態３の変形例にかかるＭＲセンサの平面図である。
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態を説明する。
［実施の形態１］
（カードリーダの概略構成）
図１は、本発明の実施の形態にかかるカードリーダ１の概略図である。図２は、図１に示すカード２の裏面を示す図である。
本形態のカードリーダ１は、カード２に記録された磁気データの読取やカード２への磁気データの記録を行うための装置であり、たとえば、ＡＴＭ等の所定の上位装置に搭載されて使用される。このカードリーダ１は、カード２が挿入されるカード挿入口３が形成されるカード挿入部４と、本体部５とを備えている。カードリーダ１の内部には、カード挿入口３から挿入されたカード２が通過するカード通過路６が形成されている。
本形態では、図１に示すＸ方向でカード２が通過する。すなわち、Ｘ方向は、カード２の通過方向である。また、Ｘ方向に直交する図１のＺ方向は、カードリーダ１に取り込まれたカード２の厚さ方向であり、Ｘ方向とＺ方向とに直交する図１のＹ方向は、カードリーダ１に取り込まれたカード２の幅方向である。
カード２は、厚さが０．７〜０．８ｍｍ程度の略長方形状の塩化ビニール製のカードである。このカード２の裏面には、磁気データが記録される磁気ストライプ２ａが形成されている。磁気ストライプ２ａは、略長方形状に形成されるカード２の長手方向に沿って形成されている。カード２は、その裏面が下側を向いた状態で、かつ、カード２の長手方向がＸ方向（カード２の通過方向）と略一致した状態で、カードリーダ１に挿入されて、カードリーダ１内で搬送される。なお、カード２には、ＩＣチップや通信用のアンテナが内蔵されても良い。また、カード２は、厚さが０．１８〜０．３６ｍｍ程度のＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）カードであっても良いし、所定の厚さの紙カード等であっても良い。
磁気ストライプ２ａには、トラック２ｂ、トラック２ｃおよびトラック２ｄの３つの磁気データが記録可能となっている。トラック２ｂ、トラック２ｃおよびトラック２ｄは、カード２の短手方向においてこの順番に配置されている。本形態では、トラック２ｃの磁気データおよび／またはトラック２ｄの磁気データが磁気ストライプ２ａに記録されている。トラック２ｃの磁気データの記録密度は、７５ｂｐｉ（ｂｉｔ ｐｅｒ ｉｎｃｈ）であり、トラック２ｄの磁気データの記録密度は、２１０ｂｐｉである。本形態のトラック２ｃは、第１のトラックであり、トラック２ｄは、第２のトラックである。なお、トラック２ｂの磁気データが磁気ストライプ２ａに記録される場合には、トラック２ｂの磁気データの記録密度は２１０ｂｐｉである。
また、カードリーダ１は、カード２の磁気ストライプ２ａに記録された磁気データの読取や磁気ストライプ２ａへの磁気データの記録を行うための磁気ヘッド７と、カード通過路６においてカード２を搬送するための駆動ローラ８およびパッドローラ９と、カード２の磁気ストライプ２ａに磁気データが記録されているのか否かを検知するためのＭＲセンサ１０とを備えている。磁気ヘッド７、駆動ローラ８およびパッドローラ９は、本体部５に配置されている。磁気ヘッド７は、トラック２ｂ〜２ｄの３つの磁気データを個別に読み取ることが可能となるように、３つのチャンネルを備えている。ＭＲセンサ１０は、カード挿入部４に配置されている。以下、ＭＲセンサ１０の具体的な構成を説明する。
（ＭＲセンサの構成）
図３は、図１に示すＭＲセンサ１０の回路図である。図４は、本発明の実施の形態１にかかるＭＲセンサ１０の平面図である。図５は、図１に示す磁気ヘッド７の出力信号と、図４に示すＭＲセンサ１０の出力信号との相違を説明するための図であり、（Ａ）は磁気ヘッド７の出力信号の一例を示す図、（Ｂ）はＭＲセンサ１０の出力信号の一例を示す図である。
ＭＲセンサ１０は、図３に示すように、互いに直列に接続される第１の抵抗体Ｒ１（以下、抵抗体Ｒ１とする）および第２の抵抗体Ｒ２（以下、抵抗体Ｒ２とする）と、互いに直列に接続される第３の抵抗体Ｒ３（以下、抵抗体Ｒ３とする）および第４の抵抗体Ｒ４（以下、抵抗体Ｒ４とする）とを備えている。抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、たとえば、ニッケル鉄合金の薄膜によって形成されている。また、抵抗体Ｒ１および抵抗体Ｒ２と、抵抗体Ｒ３および抵抗体Ｒ４とは、並列に接続されている。なお、抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、ニッケル鉄合金以外の材料で形成されても良い。
抵抗体Ｒ２および抵抗体Ｒ４は、電源Ｖｃｃに接続されている。具体的には、抵抗体Ｒ１に接続されていない抵抗体Ｒ２の一端、および、抵抗体Ｒ３に接続されていない抵抗体Ｒ４の一端が電源Ｖｃｃへの接続端子Ｔ１に接続されており、接続端子Ｔ１が電源Ｖｃｃに接続されている。抵抗体Ｒ１および抵抗体Ｒ３は、接地されている。具体的には、抵抗体Ｒ２に接続されていない抵抗体Ｒ１の一端、および、抵抗体Ｒ４に接続されていない抵抗体Ｒ３の一端が接地用端子Ｔ２に接続されており、接地用端子Ｔ２が接地されている。
抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、Ｙ方向（カード２の短手方向）において、複数回折り返されて形成されている。本形態では、抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、Ｙ方向において２回折り返されて形成されている。抵抗体Ｒ１は、Ｙ方向に平行な直線状に形成される３個の第１抵抗部１１を備えている。抵抗体Ｒ２は、Ｙ方向に平行な直線状に形成される３個の第２抵抗部１２を備えている。抵抗体Ｒ３は、Ｙ方向に平行な直線状に形成される３個の第３抵抗部１３を備えている。抵抗体Ｒ４は、Ｙ方向に平行な直線状に形成される３個の第４抵抗部１４を備えている。
図４に示すように、抵抗体Ｒ１と抵抗体Ｒ２とは、Ｙ方向において同じ位置に配置されている。具体的には、抵抗体Ｒ１および抵抗体Ｒ２は、Ｙ方向においてトラック２ｃが通過する位置に配置されている。また、抵抗体Ｒ１と抵抗体Ｒ２とは、Ｘ方向において、距離Ｄ１離れた状態で配置されている。距離Ｄ１は、トラック２ｃに０データが記録されたときのトラック２ｃのビット間隔の半分の奇数倍の距離となっている。本形態では、距離Ｄ１は、トラック２ｃに０データが記録されたときのトラック２ｃのビット間隔の半分の距離となっている。具体的には、トラック２ｃに記録される磁気データの記録密度が７５ｂｐｉであるため、距離Ｄ１は、０．１７ｍｍ（＝２５．４/（７５×２））となっている。
Ｘ方向における３個の第１抵抗部１１のピッチＰ１は、トラック２ｃに０データが記録されたときのトラック２ｃのビット間隔の整数倍となっている。本形態では、ピッチＰ１は、トラック２ｃに０データが記録されたときのトラック２ｃのビット間隔となっており、ピッチＰ１は、０．３４ｍｍである。Ｘ方向における３個の第２抵抗部１２のピッチＰ２は、ピッチＰ１と等しくなっている。また、抵抗体Ｒ１と抵抗体Ｒ２とは、Ｚ方向から見たときに、Ｘ方向における抵抗体Ｒ１と抵抗体Ｒ２との間の中心位置を通過するＹ方向に平行な仮想線ＩＬ１に対して線対称に形成されている。
抵抗体Ｒ３と抵抗体Ｒ４とは、Ｙ方向において同じ位置に配置されている。具体的には、抵抗体Ｒ３および抵抗体Ｒ４は、Ｙ方向においてトラック２ｄが通過する位置に配置されている。また、抵抗体Ｒ３と抵抗体Ｒ４とは、Ｘ方向において、距離Ｄ２離れた状態で配置されている。距離Ｄ２は、トラック２ｄに０データが記録されたときのトラック２ｄのビット間隔の半分の奇数倍の距離となっている。本形態では、距離Ｄ２は、トラック２ｄに０データが記録されたときのトラック２ｄのビット間隔の半分の３倍の距離となっている。具体的には、トラック２ｄに記録される磁気データの記録密度が２１０ｂｐｉであるため、距離Ｄ２は、０．１８ｍｍ（＝２５．４×３/（２１０×２））となっている。
Ｘ方向における３個の第３抵抗部１３のピッチＰ３は、トラック２ｄに０データが記録されたときのトラック２ｄのビット間隔の整数倍となっている。本形態では、ピッチＰ３は、トラック２ｄに０データが記録されたときのトラック２ｄのビット間隔となっており、ピッチＰ３は、０．１２ｍｍである。Ｘ方向における３個の第４抵抗部１４のピッチＰ４は、ピッチＰ３と等しくなっている。また、抵抗体Ｒ３と抵抗体Ｒ４とは、Ｚ方向から見たときに、Ｘ方向における抵抗体Ｒ３と抵抗体Ｒ４との間の中心位置を通過するＹ方向に平行な仮想線ＩＬ２に対して線対称に形成されている。本形態では、Ｚ方向から見たときに、仮想線ＩＬ１と仮想線ＩＬ２とは、同一直線上に配置されている。
なお、Ｙ方向における第１抵抗部１１の長さと、Ｙ方向における第２抵抗部１２の長さと、Ｙ方向における第３抵抗部１３の長さと、Ｙ方向における第４抵抗部１４の長さとは、等しくなっている。また、この長さは、Ｙ方向におけるトラック２ｃの幅およびトラック２ｄの幅よりも狭くなっている。たとえば、この長さは、２ｍｍである。また、Ｘ方向における第１抵抗部１１の幅と、Ｘ方向における第２抵抗部１２の幅と、Ｘ方向における第３抵抗部１３の幅と、Ｘ方向における第４抵抗部１４の幅とは、等しくなっている。たとえば、この幅は、８０μｍである。さらに、抵抗体Ｒ１の膜厚と、抵抗体Ｒ２の膜厚と、抵抗体Ｒ３の膜厚と、抵抗体Ｒ４の膜厚とは、等しくなっている。たとえば、この膜厚は、４５ｎｍである。
本形態では、直列に接続される抵抗体Ｒ１と抵抗体Ｒ２との間の第１中点Ｃ１（抵抗体Ｒ１と抵抗体Ｒ２との接続点）と、直列に接続される抵抗体Ｒ３と抵抗体Ｒ４との間の第２中点Ｃ２（抵抗体Ｒ３と抵抗体Ｒ４との接続点）との電位差（すなわち、電圧）がＭＲセンサ１０の出力となっており、磁気ストライプ２ａに磁気データが記録されたカード２（より具体的には、トラック２ｃの磁気データおよび／またはトラック２ｄの磁気データが記録されたカード２）がＭＲセンサ１０の設置箇所を通過すると、ＭＲセンサ１０から信号が出力される。
また、本形態では、磁気ヘッド７で磁気ストライプ２ａに記録された磁気データが読み取られたときに、磁気ヘッド７からの出力信号ＳＧ１が図５（Ａ）の実線のように変動する磁気データがトラック２ｃに記録され、かつ、磁気ヘッド７からの出力信号ＳＧ２が図５（Ａ）の二点鎖線のように変動する磁気データがトラック２ｄに記録されている場合に、カード２がＭＲセンサ１０の設置箇所を通過すると、第１中点Ｃ１の電位（中点電位）Ｖ１は、図５（Ｂ）の実線のように変動し、第２中点Ｃ２の電位（中点電位）Ｖ２は、図５（Ｂ）の二点鎖線のように変動し、ＭＲセンサ１０の出力信号ＳＧ３は、図５（Ｂ）の太実線のように変動する。
すなわち、本形態では、ＭＲセンサ１０の出力信号ＳＧ３は、磁気ストライプ２ａに記録された磁気データに応じた信号（すなわち、磁気ヘッド７の出力信号ＳＧ１、ＳＧ２）と異なっている。なお、本形態では、トラック２ｃの磁気データが発生させる磁界の方が、トラック２ｄの磁気データが発生させる磁界よりも強くなっている。そのため、図５（Ａ）に示すように、出力信号ＳＧ２の振幅は、出力信号ＳＧ１の振幅よりも小さくなっている。また、図５（Ｂ）に示すように、中点電位Ｖ２の振幅は、中点電位Ｖ１の振幅よりも小さくなっている。
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、磁気ストライプ２ａに磁気データが記録されたカード２がＭＲセンサ１０の設置箇所を通過すると、ＭＲセンサ１０から信号が出力される。また、本形態では、ＭＲセンサ１０の出力信号ＳＧ３は、磁気ストライプ２ａに記録された磁気データに応じた信号（磁気ヘッド７の出力信号ＳＧ１、ＳＧ２）と異なっている。そのため、本形態では、磁気ストライプ２ａに磁気データが記録されているのか否かを検知することが可能であっても、犯罪者による磁気情報の不正取得を阻止することが可能になる。また、本形態では、抵抗体Ｒ１〜Ｒ４の形状や配置等を工夫することで、ＭＲセンサ１０の出力信号ＳＧ３を、磁気ストライプ２ａに記録された磁気データに応じた信号と異ならせることができるため、ＭＲセンサ１０の構成を簡素化することが可能になり、その結果、ＭＲセンサ１０のコストを低減することが可能になる。
本形態では、抵抗体Ｒ１と抵抗体Ｒ２とは、Ｘ方向において、距離Ｄ１離れた状態で配置されており、距離Ｄ１は、トラック２ｃに０データが記録されたときのトラック２ｃのビット間隔の半分の奇数倍の距離となっている。また、抵抗体Ｒ３と抵抗体Ｒ４とは、Ｘ方向において、距離Ｄ２離れた状態で配置されており、距離Ｄ２は、トラック２ｄに０データが記録されたときのトラック２ｄのビット間隔の半分の奇数倍の距離となっている。そのため、本形態では、ＭＲセンサ１０から出力される出力信号ＳＧ３の振幅を大きくすることが可能になる。したがって、本形態では、カード２の磁気ストライプ２ａに磁気データが記録されているのか否かをより適切に検知することが可能になる。
本形態では、抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、Ｙ方向において、複数回折り返されて形成されている。そのため、本形態では、抵抗体Ｒ１〜Ｒ４に流れる電流を小さくすることが可能になる。したがって、本形態では、ＭＲセンサ１０の消費電力を抑制することが可能になる。
（実施の形態１の変形例）
上述した形態では、抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、Ｙ方向において、複数回折り返されて形成されているが、抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、図６に示すように、Ｙ方向に平行な直線状に形成されても良い。この場合には、たとえば、上述した形態と同様に、抵抗体Ｒ１と抵抗体Ｒ２とは、Ｘ方向において、距離Ｄ１離れた状態で配置され、抵抗体Ｒ３と抵抗体Ｒ４とは、Ｘ方向において、距離Ｄ２離れた状態で配置される。また、Ｘ方向において、抵抗体Ｒ１と抵抗体Ｒ３とはほぼ同じ位置に配置され、抵抗体Ｒ３と抵抗体Ｒ４とはほぼ同じ位置に配置される。なお、図６では、上述した形態と同一の構成には、同一の符号を付している。
上述した形態では、抵抗体Ｒ１と抵抗体Ｒ２との距離Ｄ１は、トラック２ｃに０データが記録されたときのトラック２ｃのビット間隔の半分の奇数倍の距離となっているが、距離Ｄ１は、トラック２ｃに０データが記録されたときのトラック２ｃのビット間隔の半分の奇数倍の距離以外の距離となっていても良い。同様に、上述した形態では、抵抗体Ｒ３と抵抗体Ｒ４との距離Ｄ２は、トラック２ｄに０データが記録されたときのトラック２ｄのビット間隔の半分の奇数倍の距離となっているが、距離Ｄ２は、トラック２ｄに０データが記録されたときのトラック２ｄのビット間隔の半分の奇数倍の距離以外の距離となっていても良い。
上述した形態では、第１抵抗部１１のピッチＰ１および第２抵抗部１２のピッチＰ２は、トラック２ｃに０データが記録されたときのトラック２ｃのビット間隔の整数倍となっているが、ピッチＰ１、Ｐ２は、トラック２ｃに０データが記録されたときのトラック２ｃのビット間隔の整数倍以外の値であっても良い。同様に、上述した形態では、第３抵抗部１３のピッチＰ３および第４抵抗部１４のピッチＰ４は、トラック２ｄに０データが記録されたときのトラック２ｄのビット間隔の整数倍となっているが、ピッチＰ３、Ｐ４は、トラック２ｄに０データが記録されたときのトラック２ｄのビット間隔の整数倍以外の値であっても良い。
［実施の形態２］
（ＭＲセンサの構成）
図７は、本発明の実施の形態２にかかるＭＲセンサ１０の平面図である。図８は、図７に示すＭＲセンサ１０の出力信号の一例を示す図である。
実施の形態１と実施の形態２とでは、ＭＲセンサ１０の構成が相違する。したがって、以下では、実施の形態２にかかるＭＲセンサ１０の構成と実施の形態１にかかるＭＲセンサ１０の構成との相違点を中心にして、実施の形態２にかかるＭＲセンサ１０の構成を説明する。なお、図７では、実施の形態１と同一の構成については、同一の符号を付している。
実施の形態１のＭＲセンサ１０と同様に、本形態のＭＲセンサ１０は、互いに直列に接続される抵抗体Ｒ１および抵抗体Ｒ２と、互いに直列に接続される抵抗体Ｒ３および抵抗体Ｒ４とを備えている。抵抗体Ｒ１および抵抗体Ｒ２と、抵抗体Ｒ３および抵抗体Ｒ４とは、並列に接続されている。また、抵抗体Ｒ２および抵抗体Ｒ４は、電源Ｖｃｃに接続され、抵抗体Ｒ１および抵抗体Ｒ３は、接地されている。すなわち、本形態のＭＲセンサ１０の回路図は、図３に示す回路図となる。
ｍを３以上の整数とすると、抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、Ｙ方向において、ｍ−１回折り返されて形成されている。すなわち、抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、Ｙ方向において、２回以上折り返されて形成されている。本形態では、ｍ＝４であり、抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、Ｙ方向において３回折り返されて形成されている。抵抗体Ｒ１は、Ｙ方向に平行な直線状に形成される４個（ｍ個）の第１抵抗部１１を備えている。抵抗体Ｒ２は、Ｙ方向に平行な直線状に形成される４個（ｍ個）の第２抵抗部１２を備えている。抵抗体Ｒ３は、Ｙ方向に平行な直線状に形成される４個（ｍ個）の第３抵抗部１３を備えている。抵抗体Ｒ４は、Ｙ方向に平行な直線状に形成される４個（ｍ個）の第４抵抗部１４を備えている。本形態のＹ方向は、第１方向である。
図７に示すように、抵抗体Ｒ１と抵抗体Ｒ４とは、Ｙ方向において同じ位置に配置されている。具体的には、抵抗体Ｒ１および抵抗体Ｒ４は、Ｙ方向においてトラック２ｃが通過する位置に配置されている。また、抵抗体Ｒ１と抵抗体Ｒ４とは、Ｘ方向において、所定の距離（たとえば、１．０６ｍｍ）、離れた状態で配置されている。抵抗体Ｒ２と抵抗体Ｒ３とは、Ｙ方向において同じ位置に配置されている。具体的には、抵抗体Ｒ２および抵抗体Ｒ３は、Ｙ方向においてトラック２ｄが通過する位置に配置されている。また、抵抗体Ｒ２と抵抗体Ｒ３とは、Ｘ方向において、所定の距離（たとえば、１．０９ｍｍ）、離れた状態で配置されている。また、Ｘ方向において、抵抗体Ｒ１と抵抗体Ｒ２とはほぼ同じ位置に配置され、抵抗体Ｒ３と抵抗体Ｒ４とはほぼ同じ位置に配置されている。
トラック２ｃに０データが記録されたときのトラック２ｃのビット間隔の２倍をλ１とし、トラック２ｄに０データが記録されたときのトラック２ｄのビット間隔の２倍をλ２とし、ｎ１、ｎ２を０以上の整数とし、また、上述のように、ｍを３以上の整数とすると、Ｘ方向における４個の第１抵抗部１１のピッチＰ１およびＸ方向における４個の第４抵抗部１４のピッチＰ４は、（ｎ１λ１／ｍ＋λ１／２ｍ）となっており、Ｘ方向における４個の第２抵抗部１２のピッチＰ２およびＸ方向における４個の第３抵抗部１３のピッチＰ３は、（ｎ２λ２／ｍ＋λ２／２ｍ）となっている。
本形態では、トラック２ｃに記録される磁気データの記録密度が７５ｂｐｉであるため、λ１は、０．６８ｍｍ（＝２５．４×２/７５）である。また、トラック２ｄに記録される磁気データの記録密度が２１０ｂｐｉであるため、λ２は、０．２４ｍｍ（＝２５．４×２/２１０）である。また、本形態では、ｎ１＝０、ｎ２＝１である。さらに、本形態では、上述のように、ｍ＝４である。そのため、本形態では、ピッチＰ１、Ｐ４は、０．０８５ｍｍであり、ピッチＰ２、Ｐ３は、０．０９１ｍｍである。
なお、実施の形態１と同様に、Ｙ方向における第１抵抗部１１の長さと、Ｙ方向における第２抵抗部１２の長さと、Ｙ方向における第３抵抗部１３の長さと、Ｙ方向における第４抵抗部１４の長さとは、等しくなっており、たとえば、この長さは、２ｍｍである。また、Ｘ方向における第１抵抗部１１の幅と、Ｘ方向における第２抵抗部１２の幅と、Ｘ方向における第３抵抗部１３の幅と、Ｘ方向における第４抵抗部１４の幅とは、等しくなっており、たとえば、この幅は、８０μｍである。さらに、抵抗体Ｒ１の膜厚と、抵抗体Ｒ２の膜厚と、抵抗体Ｒ３の膜厚と、抵抗体Ｒ４の膜厚とは、等しくなっており、たとえば、この膜厚は、４５ｎｍである。
実施の形態１と同様に、本形態では、直列に接続される抵抗体Ｒ１と抵抗体Ｒ２との間の第１中点Ｃ１と、直列に接続される抵抗体Ｒ３と抵抗体Ｒ４との間の第２中点Ｃ２との電位差がＭＲセンサ１０の出力となっており、トラック２ｃの磁気データおよび／またはトラック２ｄの磁気データが記録されたカード２がＭＲセンサ１０の設置箇所を通過すると、ＭＲセンサ１０から信号が出力される。
また、磁気ヘッド７で磁気ストライプ２ａに記録された磁気データが読み取られたときに、磁気ヘッド７からの出力信号ＳＧ１が図５（Ａ）の実線のように変動する磁気データがトラック２ｃに記録され、かつ、磁気ヘッド７からの出力信号ＳＧ２が図５（Ａ）の二点鎖線のように変動する磁気データがトラック２ｄに記録されている場合に、カード２がＭＲセンサ１０の設置箇所を通過すると、第１中点Ｃ１の電位（中点電位）Ｖ１は、図８の実線のように変動し、第２中点Ｃ２の電位（中点電位）Ｖ２は、図８の二点鎖線のように変動し、ＭＲセンサ１０の出力信号ＳＧ３は、図８の太実線のように変動する。すなわち、本形態においても、ＭＲセンサ１０の出力信号ＳＧ３は、磁気ストライプ２ａに記録された磁気データに応じた信号（すなわち、磁気ヘッド７の出力信号ＳＧ１、ＳＧ２）と異なっている。
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態においても、磁気ストライプ２ａに磁気データが記録されたカード２がＭＲセンサ１０の設置箇所を通過すると、ＭＲセンサ１０から信号が出力され、ＭＲセンサ１０の出力信号ＳＧ３は、磁気ストライプ２ａに記録された磁気データに応じた信号（磁気ヘッド７の出力信号ＳＧ１、ＳＧ２）と異なっている。そのため、本形態においても、実施の形態１と同様に、磁気ストライプ２ａに磁気データが記録されているのか否かを検知することが可能であっても、犯罪者による磁気情報の不正取得を阻止することが可能になる。また、本形態においても、ＭＲセンサ１０のコストを低減することが可能になる。
また、本形態では、Ｘ方向における第１抵抗部１１のピッチＰ１および第４抵抗部１４のピッチＰ４が（ｎ１λ１／ｍ＋λ１／２ｍ）となっており、Ｘ方向における第２抵抗部１２のピッチＰ２および第３抵抗部１３のピッチＰ３が（ｎ２λ２／ｍ＋λ２／２ｍ）となっているため、磁気ストライプ２ａに磁気データが記録されたカード２がＭＲセンサ１０の設置箇所を通過したときの、抵抗体Ｒ１、抵抗体Ｒ２、抵抗体Ｒ３および抵抗体Ｒ４のそれぞれの抵抗変化率の振幅を小さくすることが可能になる。
なお、実施の形態１では、トラック２ｃまたはトラック２ｄの一方のみの磁気データが記録されている場合、ＭＲセンサ１０からの出力信号ＳＧ３は、磁気ストライプ２ａに記録された磁気データに応じた信号の周期と異なる周期で変動するものの、磁気ストライプ２ａに記録された磁気データに応じた信号に近い形で変動する。そのため、実施の形態１では、トラック２ｃまたはトラック２ｄの一方のみの磁気データが記録されている場合、犯罪者によって磁気情報を不正に取得されるおそれがあるが、本形態では、トラック２ｃまたはトラック２ｄの一方のみの磁気データが記録されている場合であっても、ＭＲセンサ１０の出力信号ＳＧ３は、磁気ストライプ２ａに記録された磁気データに応じた信号と全く異なった信号となる。したがって、本形態では、トラック２ｃまたはトラック２ｄの一方のみの磁気データが記録されている場合であっても、犯罪者による磁気情報の不正取得を阻止することが可能になる。
（実施の形態２の変形例）
上述した形態では、第１抵抗部１１のピッチＰ１および第４抵抗部１４のピッチＰ４は、（ｎ１λ１／ｍ＋λ１／２ｍ）となっているが、ピッチＰ１、Ｐ４は、（ｎ１λ１／ｍ＋λ１／２ｍ）以外の値であっても良い。同様に、上述した形態では、４個の第２抵抗部１２のピッチＰ２および第３抵抗部１３のピッチＰ３は、（ｎ２λ２／ｍ＋λ２／２ｍ）となっているが、ピッチＰ２、Ｐ３は、（ｎ２λ２／ｍ＋λ２／２ｍ）以外の値であっても良い。また、上述した形態では、ピッチＰ１とピッチＰ４とが等しくなっているが、ピッチＰ１とピッチＰ４とが異なっていても良い。同様に、上述した形態では、ピッチＰ２とピッチＰ３とが等しくなっているが、ピッチＰ２とピッチＰ３とが異なっていても良い。
［実施の形態３］
（ＭＲセンサの構成）
図９は、本発明の実施の形態３にかかるＭＲセンサ１０の平面図である。図１０（Ａ）は、図９に示す抵抗体Ｒ１〜Ｒ４の抵抗変化率α１、α２と磁束密度との関係を示すグラフであり、図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）において磁束密度が所定の値であるときの抵抗体Ｒ２、Ｒ３の抵抗変化率α１、抵抗体Ｒ１、Ｒ４の抵抗変化率α２、および、抵抗体Ｒ２、Ｒ３の抵抗変化率α１と抵抗体Ｒ１、Ｒ４の抵抗変化率α２との比率を示す一覧表である。図１１は、図９に示すＭＲセンサ１０の出力信号の一例を示す図である。
実施の形態１、２と実施の形態３とでは、ＭＲセンサ１０の構成が相違する。したがって、以下では、実施の形態３にかかるＭＲセンサ１０の構成と実施の形態１、２にかかるＭＲセンサ１０の構成との相違点を中心にして、実施の形態３にかかるＭＲセンサ１０の構成を説明する。なお、図９では、実施の形態１、２と同一の構成については、同一の符号を付している。
実施の形態１、２のＭＲセンサ１０と同様に、本形態のＭＲセンサ１０は、互いに直列に接続される抵抗体Ｒ１および抵抗体Ｒ２と、互いに直列に接続される抵抗体Ｒ３および抵抗体Ｒ４とを備えている。抵抗体Ｒ１および抵抗体Ｒ２と、抵抗体Ｒ３および抵抗体Ｒ４とは、並列に接続されている。また、抵抗体Ｒ２および抵抗体Ｒ４は、電源Ｖｃｃに接続され、抵抗体Ｒ１および抵抗体Ｒ３は、接地されている。すなわち、本形態のＭＲセンサ１０の回路図は、図３に示す回路図となる。
実施の形態２と同様に、ｍを３以上の整数とすると、抵抗体Ｒ１、Ｒ４は、Ｙ方向において、ｍ−１回折り返されて形成されている。すなわち、抵抗体Ｒ１、Ｒ４は、Ｙ方向において、２回以上折り返されて形成されている。本形態では、ｍ＝４であり、抵抗体Ｒ１、Ｒ４は、Ｙ方向において３回折り返されて形成されている。抵抗体Ｒ１は、Ｙ方向に平行な直線状に形成される４個（ｍ個）の第１抵抗部１１を備えている。抵抗体Ｒ４は、Ｙ方向に平行な直線状に形成される４個（ｍ個）の第４抵抗部１４を備えている。一方、抵抗体Ｒ２および抵抗体Ｒ３は、Ｙ方向に平行な直線状に形成されている。
図９に示すように、抵抗体Ｒ１と抵抗体Ｒ２とは、Ｙ方向における抵抗体Ｒ１の中心とＹ方向における抵抗体Ｒ２の中心とが略一致するように配置されている。また、抵抗体Ｒ１および抵抗体Ｒ２は、Ｙ方向においてトラック２ｃが通過する位置に配置されている。また、抵抗体Ｒ１と抵抗体Ｒ２とは、Ｘ方向において、所定の距離、離れた状態で配置されている。抵抗体Ｒ３と抵抗体Ｒ４とは、Ｙ方向における抵抗体Ｒ３の中心とＹ方向における抵抗体Ｒ４の中心とが略一致するように配置されている。また、抵抗体Ｒ３および抵抗体Ｒ４は、Ｙ方向においてトラック２ｄが通過する位置に配置されている。また、抵抗体Ｒ３と抵抗体Ｒ４とは、Ｘ方向において、所定の距離、離れた状態で配置されている。Ｘ方向において、抵抗体Ｒ１と抵抗体Ｒ４とはほぼ同じ位置に配置されている。
実施の形態２と同様に、トラック２ｃに０データが記録されたときのトラック２ｃのビット間隔の２倍をλ１とし、トラック２ｄに０データが記録されたときのトラック２ｄのビット間隔の２倍をλ２とし、ｎ１、ｎ２を０以上の整数とし、また、上述のように、ｍを３以上の整数とすると、Ｘ方向における４個の第１抵抗部１１のピッチＰ１は、（ｎ１λ１／ｍ＋λ１／２ｍ）となっている。また、Ｘ方向における４個の第４抵抗部１４のピッチＰ４は、（ｎ２λ２／ｍ＋λ２／２ｍ）となっている。本形態では、実施の形態２と同様に、λ１は、０．６８ｍｍであり、λ２は、０．２４ｍｍであり、ｎ１＝０、ｎ２＝１であり、かつ、ｍ＝４であるため、ピッチＰ１は、０．０８５ｍｍとなり、ピッチＰ４は、０．０９１ｍｍとなっている。
Ｘ方向における抵抗体Ｒ２の幅は、Ｘ方向における第１抵抗部１１の幅の１／１０以下となっている。また、Ｘ方向における抵抗体Ｒ３の幅は、Ｘ方向における第４抵抗部１４の幅の１／１０以下となっている。本形態では、Ｘ方向における第１抵抗部１１の幅および第４抵抗部１４の幅は、たとえば、８０μｍとなっており、Ｘ方向における抵抗体Ｒ２の幅および抵抗体Ｒ３の幅は、たとえば、５μｍとなっている。
なお、Ｙ方向における第１抵抗部１１の長さと、Ｙ方向における第４抵抗部１４の長さとは、等しくなっており、たとえば、この長さは、２ｍｍである。また、Ｙ方向における抵抗体Ｒ２の長さと、Ｙ方向における抵抗体Ｒ３の長さとは、等しくなっており、たとえば、この長さは、０．５ｍｍである。さらに、抵抗体Ｒ１の膜厚と、抵抗体Ｒ２の膜厚と、抵抗体Ｒ３の膜厚と、抵抗体Ｒ４の膜厚とは、等しくなっており、たとえば、この膜厚は、４５ｎｍである。
ここで、本形態では、Ｘ方向における抵抗体Ｒ２の幅および抵抗体Ｒ３の幅が５μｍとなっており、Ｘ方向における抵抗体Ｒ２、Ｒ３の幅が狭いため、抵抗体Ｒ２、Ｒ３に磁界が加わっても（すなわち、トラック２ｃ、トラック２ｄに磁気データが記録されたカード２が抵抗体Ｒ２、Ｒ３の設置箇所を通過しても）、抵抗体Ｒ２、Ｒ３の抵抗変化率は非常に小さい。
また、Ｘ方向における抵抗体Ｒ２、Ｒ３の幅が、Ｘ方向における第１抵抗部１１、第４抵抗部１４の幅の１／１０になっている場合、磁界の強さ（磁束密度）に対する抵抗体Ｒ２、Ｒ３の抵抗変化率α１は、図１０（Ａ）の破線で示すように変動し、磁束密度に対する抵抗体Ｒ１、Ｒ４の抵抗変化率α２は、図１０（Ａ）の実線で示すように変動する。また、カード２の磁気ストライプ２ａに記録される磁気データの磁束密度は、一般に、０．５ｍＴ（ミリテスラ）〜３ｍＴである。
そのため、Ｘ方向における抵抗体Ｒ２、Ｒ３の幅が、Ｘ方向における第１抵抗部１１、第４抵抗部１４の幅の１／１０になっていれば、図１０（Ｂ）に示すように、抵抗体Ｒ１、Ｒ４の抵抗変化率α２に対する抵抗体Ｒ２、Ｒ３の抵抗変化率α１の比率（α１／α２×１００）を２８％以下に抑えることができる。すなわち、Ｘ方向における抵抗体Ｒ２、Ｒ３の幅が、Ｘ方向における第１抵抗部１１、第４抵抗部１４の幅の１／１０になっていれば、抵抗変化率α２に対する抵抗変化率α１の比率を１／３以下に抑えることができる。また、Ｘ方向における抵抗体Ｒ２、Ｒ３の幅が、Ｘ方向における第１抵抗部１１、第４抵抗部１４の幅の１／１０よりも小さくなっていれば、抵抗変化率α２に対する抵抗変化率α１の比率をさらに小さくすることができる。
実施の形態１、２と同様に、本形態では、直列に接続される抵抗体Ｒ１と抵抗体Ｒ２との間の第１中点Ｃ１と、直列に接続される抵抗体Ｒ３と抵抗体Ｒ４との間の第２中点Ｃ２との電位差がＭＲセンサ１０の出力となっており、トラック２ｃの磁気データおよび／またはトラック２ｄの磁気データが記録されたカード２がＭＲセンサ１０の設置箇所を通過すると、ＭＲセンサ１０から信号が出力される。
また、磁気ヘッド７で磁気ストライプ２ａに記録された磁気データが読み取られたときに、磁気ヘッド７からの出力信号ＳＧ１が図５（Ａ）の実線のように変動する磁気データがトラック２ｃに記録され、かつ、磁気ヘッド７からの出力信号ＳＧ２が図５（Ａ）の二点鎖線のように変動する磁気データがトラック２ｄに記録されている場合に、カード２がＭＲセンサ１０の設置箇所を通過すると、第１中点Ｃ１の電位（中点電位）Ｖ１は、図１１の実線のように変動し、第２中点Ｃ２の電位（中点電位）Ｖ２は、図１１の二点鎖線のように変動し、ＭＲセンサ１０の出力信号ＳＧ３は、図１１の太実線のように変動する。すなわち、本形態においても、ＭＲセンサ１０の出力信号ＳＧ３は、磁気ストライプ２ａに記録された磁気データに応じた信号（すなわち、磁気ヘッド７の出力信号ＳＧ１、ＳＧ２）と異なっている。なお、本形態では、上述のように、抵抗変化率α２に対する抵抗変化率α１の比率を１／３以下に抑えることができるため、ＭＲセンサ１０の出力信号ＳＧ３の振幅の大きさを確保することが可能である。
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態においても、磁気ストライプ２ａに磁気データが記録されたカード２がＭＲセンサ１０の設置箇所を通過すると、ＭＲセンサ１０から信号が出力され、ＭＲセンサ１０の出力信号ＳＧ３は、磁気ストライプ２ａに記録された磁気データに応じた信号（磁気ヘッド７の出力信号ＳＧ１、ＳＧ２）と異なっている。そのため、本形態においても、実施の形態１、２と同様に、磁気ストライプ２ａに磁気データが記録されているのか否かを検知することが可能であっても、犯罪者による磁気情報の不正取得を阻止することが可能になる。また、本形態においても、ＭＲセンサ１０のコストを低減することが可能になる。
また、本形態では、Ｘ方向における第１抵抗部１１のピッチＰ１が（ｎ１λ１／ｍ＋λ１／２ｍ）となっており、Ｘ方向における第４抵抗部１４のピッチＰ４が（ｎ２λ２／ｍ＋λ２／２ｍ）となっているため、磁気ストライプ２ａに磁気データが記録されたカード２がＭＲセンサ１０の設置箇所を通過したときの、抵抗体Ｒ１および抵抗体Ｒ４のそれぞれの抵抗変化率の振幅を小さくすることが可能になる。
なお、上述のように、実施の形態１では、トラック２ｃまたはトラック２ｄの一方のみの磁気データが記録されている場合、犯罪者によって磁気情報を不正に取得されるおそれがあるが、本形態では、実施の形態２と同様に、トラック２ｃまたはトラック２ｄの一方のみの磁気データが記録されている場合であっても、ＭＲセンサ１０の出力信号ＳＧ３は、磁気ストライプ２ａに記録された磁気データに応じた信号と全く異なった信号となる。したがって、本形態では、トラック２ｃまたはトラック２ｄの一方のみの磁気データが記録されている場合であっても、犯罪者による磁気情報の不正取得を阻止することが可能になる。
また、実施の形態２では、たとえば、トラック２ｃの磁気データが発生させる磁界の強さとトラック２ｄの磁気データが発生させる磁界の強さとが略等しくなっていて、抵抗体Ｒ１、Ｒ４で感知される磁界の強さと抵抗体Ｒ２、Ｒ３で感知される磁界の強さとが略等しくなっていると、磁気ストライプ２ａに磁気データが記録されたカード２がＭＲセンサ１０の設置箇所を通過するときの所定のタイミングでＭＲセンサ１０の出力が低下して、ＭＲセンサ１０の検知精度が低下するおそれがあるが、本形態では、かかる問題の発生を防止することが可能である。
（実施の形態３の変形例）
図１２は、本発明の実施の形態３の変形例にかかるＭＲセンサ１０の平面図である。図１３は、本発明の実施の形態３の変形例にかかるＭＲセンサ１０の平面図である。
図９に示すＭＲセンサ１０では、抵抗体Ｒ２および抵抗体Ｒ３は、Ｙ方向に平行な直線状に形成されている。この他にもたとえば、図１２に示すように、抵抗体Ｒ２および抵抗体Ｒ３は、Ｘ方向において、複数回折り返されて形成されても良い。具体的には、抵抗体Ｒ２および抵抗体Ｒ３は、抵抗体Ｒ２、Ｒ３のＸ方向に平行な部分が、抵抗体Ｒ２、Ｒ３のＹ方向に平行な部分よりも長くなるように、Ｘ方向において、複数回折り返されて形成されても良い。なお、抵抗体Ｒ２および／または抵抗体Ｒ３は、Ｘ方向において１回、折り返されて形成されても良い。
この場合であっても、抵抗体Ｒ２、Ｒ３に磁界が加わったときの（すなわち、トラック２ｃ、トラック２ｄに磁気データが記録されたカード２が抵抗体Ｒ２、Ｒ３の設置箇所を通過したときの）、抵抗体Ｒ２、Ｒ３の抵抗変化率は非常に小さい。そのため、この場合であっても、磁気ストライプ２ａに磁気データが記録されたカード２がＭＲセンサ１０の設置箇所を通過したときのＭＲセンサ１０の出力信号ＳＧ３は、たとえば、図１１の太実線のように変動する。すなわち、この場合であっても、磁気ストライプ２ａに磁気データが記録されたカード２がＭＲセンサ１０の設置箇所を通過したときのＭＲセンサ１０の出力信号ＳＧ３は、磁気ストライプ２ａに記録された磁気データに応じた信号（磁気ヘッド７の出力信号ＳＧ１、ＳＧ２）と異なる。したがって、この場合であっても、上述した実施の形態３の効果を得ることができる。なお、図１２では、図９に示す構成と同一の構成については、同一の符号を付している。
また、図１３に示すように、抵抗体Ｒ２および抵抗体Ｒ３は、トラック２ｃが通過する位置から外れた位置であって、かつ、トラック２ｄが通過する位置から外れた位置に配置されても良い。たとえば、抵抗体Ｒ２および抵抗体Ｒ３は、Ｙ方向において、トラック２ｃが通過する位置とトラック２ｄが通過する位置との間に配置されても良い。なお、図１３に示す例では、抵抗体Ｒ２、Ｒ３は、Ｙ方向において、複数回折り返されて形成されているが、抵抗体Ｒ２、Ｒ３は、他の形状に形成されても良い。
この場合であっても、抵抗体Ｒ２、Ｒ３に磁界が加わったときの（すなわち、トラック２ｃ、トラック２ｄに磁気データが記録されたカード２が抵抗体Ｒ２、Ｒ３の設置箇所を通過したときの）、抵抗体Ｒ２、Ｒ３の抵抗変化率は非常に小さい。そのため、この場合であっても、磁気ストライプ２ａに磁気データが記録されたカード２がＭＲセンサ１０の設置箇所を通過したときのＭＲセンサ１０の出力信号ＳＧ３は、たとえば、図１１の太実線のように変動し、磁気ストライプ２ａに記録された磁気データに応じた信号（磁気ヘッド７の出力信号ＳＧ１、ＳＧ２）と異なる。したがって、この場合であっても、上述した実施の形態３の効果を得ることができる。なお、図１３では、図９に示す構成と同一の構成については、同一の符号を付している。
また、図９、図１２に示すＭＲセンサ１０では、抵抗体Ｒ２は、Ｙ方向においてトラック２ｃが通過する位置に配置されているが、抵抗体Ｒ２は、Ｙ方向においてトラック２ｃが通過する位置から外れた位置に配置されても良い。また、図９、図１２に示すＭＲセンサ１０では、抵抗体Ｒ３は、Ｙ方向においてトラック２ｄが通過する位置に配置されているが、抵抗体Ｒ３は、Ｙ方向においてトラック２ｄが通過する位置から外れた位置に配置されても良い。
また、図９、図１２、図１３に示すＭＲセンサ１０では、第１抵抗部１１のピッチＰ１は、（ｎ１λ１／ｍ＋λ１／２ｍ）となっているが、ピッチＰ１は、（ｎ１λ１／ｍ＋λ１／２ｍ）以外の値であっても良い。同様に、図９、図１２、図１３に示すＭＲセンサ１０では、第４抵抗部１４のピッチＰ４は、（ｎ２λ２／ｍ＋λ２／２ｍ）となっているが、ピッチＰ４は、（ｎ２λ２／ｍ＋λ２／２ｍ）以外の値であっても良い。
［他の実施の形態］
上述した形態は、本発明の好適な形態の一例ではあるが、これに限定されるものではなく本発明の要旨を変更しない範囲において種々変形実施が可能である。
実施の形態１では、抵抗体Ｒ３、Ｒ４は、Ｙ方向においてトラック２ｄが通過する位置に配置されている。この他にもたとえば、抵抗体Ｒ３、Ｒ４は、Ｙ方向においてトラック２ｂが通過する位置に配置されても良い。この場合には、磁気ストライプ２ａに、トラック２ｄの磁気データが記録されずに、トラック２ｂの磁気データが記録される。また、実施の形態２では、抵抗体Ｒ２、Ｒ３は、Ｙ方向においてトラック２ｄが通過する位置に配置されているが、抵抗体Ｒ２、Ｒ３は、Ｙ方向においてトラック２ｂが通過する位置に配置されても良い。また、図９に示すＭＲセンサ１０および図１２に示すＭＲセンサ１０では、抵抗体Ｒ３、Ｒ４は、Ｙ方向においてトラック２ｄが通過する位置に配置されているが、抵抗体Ｒ３、Ｒ４は、Ｙ方向においてトラック２ｂが通過する位置に配置されても良い。また、図１３に示すＭＲセンサ１０では、抵抗体Ｒ４は、Ｙ方向においてトラック２ｄが通過する位置に配置されているが、抵抗体Ｒ４は、Ｙ方向においてトラック２ｂが通過する位置に配置されても良い。
上述した形態では、カードリーダ１は、駆動ローラ８およびパッドローラ９を有するカード搬送式のカードリーダであるが、カードリーダ１は、ユーザが手動で操作を行う手動式のカードリーダであっても良い。
１ カードリーダ
２ カード
２ａ 磁気ストライプ
２ｃ トラック（第１のトラック）
２ｄ トラック（第２のトラック）
３ カード挿入口
４ カード挿入部
１０ ＭＲセンサ
１１ 第１抵抗部
１２ 第２抵抗部
１３ 第３抵抗部
１４ 第４抵抗部
Ｃ１ 第１中点
Ｃ２ 第２中点
Ｒ１ 抵抗体（第１の抵抗体）
Ｒ２ 抵抗体（第２の抵抗体）
Ｒ３ 抵抗体（第３の抵抗体）
Ｒ４ 抵抗体（第４の抵抗体）
Ｘ カードの通過方向
Ｙ カードの通過方向に直交する方向、第１方向

Claims (11)

  1. 第１のトラックの磁気データと第２のトラックの磁気データとが記録可能な磁気ストライプを有するカードの前記磁気ストライプに磁気データが記録されているのか否かを検知するためのカードリーダ用のＭＲセンサであって、
    互いに直列に接続され前記第１のトラックが通過する位置に配置される第１の抵抗体および第２の抵抗体と、互いに直列に接続され前記第２のトラックが通過する位置に配置される第３の抵抗体および第４の抵抗体とを備え、
    前記第２の抵抗体および前記第４の抵抗体は、電源に接続され、
    前記第１の抵抗体および前記第３の抵抗体は、接地され、
    直列に接続される前記第１の抵抗体と前記第２の抵抗体との間の第１中点と、直列に接続される前記第３の抵抗体と前記第４の抵抗体との間の第２中点との電位差が出力となっていることを特徴とするＭＲセンサ。
  2. 前記第１の抵抗体と前記第２の抵抗体とは、前記カードの通過方向において、前記第１のトラックに０データが記録されたときの前記第１のトラックのビット間隔の半分の奇数倍の距離、離れた状態で配置され、
    前記第３の抵抗体と前記第４の抵抗体とは、前記カードの通過方向において、前記第２のトラックに０データが記録されたときの前記第２のトラックのビット間隔の半分の奇数倍の距離、離れた状態で配置されていることを特徴とする請求項１記載のＭＲセンサ。
  3. 前記第１の抵抗体、前記第２の抵抗体、前記第３の抵抗体および前記第４の抵抗体は、
    前記カードの通過方向に直交する第１方向において、複数回折り返されて形成されている
    ことを特徴とする請求項１または２記載のＭＲセンサ。
  4. 第１のトラックの磁気データと第２のトラックの磁気データとが記録可能な磁気ストライプを有するカードの前記磁気ストライプに磁気データが記録されているのか否かを検知するためのカードリーダ用のＭＲセンサであって、
    互いに直列に接続される第１の抵抗体および第２の抵抗体と、互いに直列に接続される第３の抵抗体および第４の抵抗体とを備え、
    前記第１の抵抗体および前記第４の抵抗体は、前記第１のトラックが通過する位置に配置され、
    前記第２の抵抗体および前記第３の抵抗体は、前記第２のトラックが通過する位置に配置され、
    前記第２の抵抗体および前記第４の抵抗体は、電源に接続され、
    前記第１の抵抗体および前記第３の抵抗体は、接地され、
    前記第１の抵抗体、前記第２の抵抗体、前記第３の抵抗体および前記第４の抵抗体は、前記カードの通過方向に直交する第１方向において２回以上折り返されて形成され、
    直列に接続される前記第１の抵抗体と前記第２の抵抗体との間の第１中点と、直列に接続される前記第３の抵抗体と前記第４の抵抗体との間の第２中点との電位差が出力となっていることを特徴とするＭＲセンサ。
  5. 前記第１のトラックに０データが記録されたときの前記第１のトラックのビット間隔の２倍をλ１とし、前記第２のトラックに０データが記録されたときの前記第２のトラックのビット間隔の２倍をλ２とし、ｎ１、ｎ２を０以上の整数とし、ｍを３以上の整数とすると、
    前記第１の抵抗体、前記第２の抵抗体、前記第３の抵抗体および前記第４の抵抗体は、前記第１方向において、ｍ−１回折り返されて形成され、
    前記第１の抵抗体は、前記第１方向に平行な直線状に形成され、前記カードの通過方向において、ｎ１λ１／ｍ＋λ１／２ｍのピッチで配置されるｍ個の第１抵抗部を備え、
    前記第２の抵抗体は、前記第１方向に平行な直線状に形成され、前記カードの通過方向において、ｎ２λ２／ｍ＋λ２／２ｍのピッチで配置されるｍ個の第２抵抗部を備え、
    前記第３の抵抗体は、前記第１方向に平行な直線状に形成され、前記カードの通過方向において、ｎ２λ２／ｍ＋λ２／２ｍのピッチで配置されるｍ個の第３抵抗部を備え、
    前記第４の抵抗体は、前記第１方向に平行な直線状に形成され、前記カードの通過方向において、ｎ１λ１／ｍ＋λ１／２ｍのピッチで配置されるｍ個の第４抵抗部を備えることを特徴とする請求項３記載のＭＲセンサ。
  6. 第１のトラックの磁気データと第２のトラックの磁気データとが記録可能な磁気ストライプを有するカードの前記磁気ストライプに磁気データが記録されているのか否かを検知するためのカードリーダ用のＭＲセンサであって、
    互いに直列に接続される第１の抵抗体および第２の抵抗体と、互いに直列に接続される第３の抵抗体および第４の抵抗体とを備え、
    前記第１の抵抗体は、前記第１のトラックが通過する位置に配置され、
    前記第４の抵抗体は、前記第２のトラックが通過する位置に配置され、
    前記第２の抵抗体および前記第４の抵抗体は、電源に接続され、
    前記第１の抵抗体および前記第３の抵抗体は、接地され、
    前記第１の抵抗体および前記第４の抵抗体は、前記カードの通過方向に直交する第１方向において２回以上折り返されて形成され、
    前記第２の抵抗体および前記第３の抵抗体は、前記第１方向に平行な直線状に形成され、
    前記第１の抵抗体は、前記第１方向に平行な直線状に形成される３個以上の第１抵抗部を備え、
    前記第４の抵抗体は、前記第１方向に平行な直線状に形成される３個以上の第４抵抗部を備え、
    前記カードの通過方向における前記第２の抵抗体の幅は、前記カードの通過方向における前記第１抵抗部の幅の１／１０以下となっており、
    前記カードの通過方向における前記第３の抵抗体の幅は、前記カードの通過方向における前記第４抵抗部の幅の１／１０以下となっており、
    直列に接続される前記第１の抵抗体と前記第２の抵抗体との間の第１中点と、直列に接続される前記第３の抵抗体と前記第４の抵抗体との間の第２中点との電位差が出力となっていることを特徴とするＭＲセンサ。
  7. 第１のトラックの磁気データと第２のトラックの磁気データとが記録可能な磁気ストライプを有するカードの前記磁気ストライプに磁気データが記録されているのか否かを検知するためのカードリーダ用のＭＲセンサであって、
    互いに直列に接続される第１の抵抗体および第２の抵抗体と、互いに直列に接続される第３の抵抗体および第４の抵抗体とを備え、
    前記第１の抵抗体は、前記第１のトラックが通過する位置に配置され、
    前記第４の抵抗体は、前記第２のトラックが通過する位置に配置され、
    前記第２の抵抗体および前記第４の抵抗体は、電源に接続され、
    前記第１の抵抗体および前記第３の抵抗体は、接地され、
    前記第１の抵抗体および前記第４の抵抗体は、前記カードの通過方向に直交する第１方向において２回以上折り返されて形成され、
    前記第２の抵抗体および前記第３の抵抗体は、前記カードの通過方向において１回以上折り返されて形成され、
    直列に接続される前記第１の抵抗体と前記第２の抵抗体との間の第１中点と、直列に接続される前記第３の抵抗体と前記第４の抵抗体との間の第２中点との電位差が出力となっていることを特徴とするＭＲセンサ。
  8. 前記第２の抵抗体は、前記第１のトラックが通過する位置に配置され、
    前記第３の抵抗体は、前記第２のトラックが通過する位置に配置されることを特徴とする請求項６または７記載のＭＲセンサ。
  9. 第１のトラックの磁気データと第２のトラックの磁気データとが記録可能な磁気ストライプを有するカードの前記磁気ストライプに磁気データが記録されているのか否かを検知するためのカードリーダ用のＭＲセンサであって、
    互いに直列に接続される第１の抵抗体および第２の抵抗体と、互いに直列に接続される第３の抵抗体および第４の抵抗体とを備え、
    前記第１の抵抗体は、前記第１のトラックが通過する位置に配置され、
    前記第４の抵抗体は、前記第２のトラックが通過する位置に配置され、
    前記第２の抵抗体および前記第３の抵抗体は、前記第１のトラックが通過する位置から外れた位置であって、かつ、前記第２のトラックが通過する位置から外れた位置に配置され、
    前記第２の抵抗体および前記第４の抵抗体は、電源に接続され、
    前記第１の抵抗体および前記第３の抵抗体は、接地され、
    前記第１の抵抗体および前記第４の抵抗体は、前記カードの通過方向に直交する第１方向において２回以上折り返されて形成され、
    直列に接続される前記第１の抵抗体と前記第２の抵抗体との間の第１中点と、直列に接続される前記第３の抵抗体と前記第４の抵抗体との間の第２中点との電位差が出力となっていることを特徴とするＭＲセンサ。
  10. 前記第１のトラックに０データが記録されたときの前記第１のトラックのビット間隔の２倍をλ１とし、前記第２のトラックに０データが記録されたときの前記第２のトラックのビット間隔の２倍をλ２とし、ｎ１、ｎ２を０以上の整数とし、ｍを３以上の整数とすると、
    前記第１の抵抗体および前記第４の抵抗体は、前記第１方向において、ｍ−１回折り返されて形成され、
    前記第１の抵抗体は、前記第１方向に平行な直線状に形成され、前記カードの通過方向において、ｎ１λ１／ｍ＋λ１／２ｍのピッチで配置されるｍ個の第１抵抗部を備え、
    前記第４の抵抗体は、前記第１方向に平行な直線状に形成され、前記カードの通過方向において、ｎ２λ２／ｍ＋λ２／２ｍのピッチで配置されるｍ個の第４抵抗部を備えることを特徴とする請求項６から９のいずれかに記載のＭＲセンサ。
  11. 請求項１から１０のいずれかに記載のＭＲセンサと、前記カードが挿入されるカード挿入口が形成されるとともに前記ＭＲセンサが配置されるカード挿入部とを備えることを特徴とするカードリーダ。
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