JP6370173B2 - Mrセンサおよびカードリーダ - Google Patents
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Description
カードの通過方向に直交する第1方向において、複数回折り返されて形成されていること
が好ましい。このように構成すると、第1〜第4の抵抗体に流れる電流を小さくすること
が可能になる。したがって、MRセンサの消費電力を抑制することが可能になる。
(カードリーダの概略構成)
図1は、本発明の実施の形態にかかるカードリーダ1の概略図である。図2は、図1に示すカード2の裏面を示す図である。
図3は、図1に示すMRセンサ10の回路図である。図4は、本発明の実施の形態1にかかるMRセンサ10の平面図である。図5は、図1に示す磁気ヘッド7の出力信号と、図4に示すMRセンサ10の出力信号との相違を説明するための図であり、(A)は磁気ヘッド7の出力信号の一例を示す図、(B)はMRセンサ10の出力信号の一例を示す図である。
以上説明したように、本形態では、磁気ストライプ2aに磁気データが記録されたカード2がMRセンサ10の設置箇所を通過すると、MRセンサ10から信号が出力される。また、本形態では、MRセンサ10の出力信号SG3は、磁気ストライプ2aに記録された磁気データに応じた信号(磁気ヘッド7の出力信号SG1、SG2)と異なっている。そのため、本形態では、磁気ストライプ2aに磁気データが記録されているのか否かを検知することが可能であっても、犯罪者による磁気情報の不正取得を阻止することが可能になる。また、本形態では、抵抗体R1〜R4の形状や配置等を工夫することで、MRセンサ10の出力信号SG3を、磁気ストライプ2aに記録された磁気データに応じた信号と異ならせることができるため、MRセンサ10の構成を簡素化することが可能になり、その結果、MRセンサ10のコストを低減することが可能になる。
上述した形態では、抵抗体R1〜R4は、Y方向において、複数回折り返されて形成されているが、抵抗体R1〜R4は、図6に示すように、Y方向に平行な直線状に形成されても良い。この場合には、たとえば、上述した形態と同様に、抵抗体R1と抵抗体R2とは、X方向において、距離D1離れた状態で配置され、抵抗体R3と抵抗体R4とは、X方向において、距離D2離れた状態で配置される。また、X方向において、抵抗体R1と抵抗体R3とはほぼ同じ位置に配置され、抵抗体R3と抵抗体R4とはほぼ同じ位置に配置される。なお、図6では、上述した形態と同一の構成には、同一の符号を付している。
(MRセンサの構成)
図7は、本発明の実施の形態2にかかるMRセンサ10の平面図である。図8は、図7に示すMRセンサ10の出力信号の一例を示す図である。
以上説明したように、本形態においても、磁気ストライプ2aに磁気データが記録されたカード2がMRセンサ10の設置箇所を通過すると、MRセンサ10から信号が出力され、MRセンサ10の出力信号SG3は、磁気ストライプ2aに記録された磁気データに応じた信号(磁気ヘッド7の出力信号SG1、SG2)と異なっている。そのため、本形態においても、実施の形態1と同様に、磁気ストライプ2aに磁気データが記録されているのか否かを検知することが可能であっても、犯罪者による磁気情報の不正取得を阻止することが可能になる。また、本形態においても、MRセンサ10のコストを低減することが可能になる。
上述した形態では、第1抵抗部11のピッチP1および第4抵抗部14のピッチP4は、(n1λ1/m+λ1/2m)となっているが、ピッチP1、P4は、(n1λ1/m+λ1/2m)以外の値であっても良い。同様に、上述した形態では、4個の第2抵抗部12のピッチP2および第3抵抗部13のピッチP3は、(n2λ2/m+λ2/2m)となっているが、ピッチP2、P3は、(n2λ2/m+λ2/2m)以外の値であっても良い。また、上述した形態では、ピッチP1とピッチP4とが等しくなっているが、ピッチP1とピッチP4とが異なっていても良い。同様に、上述した形態では、ピッチP2とピッチP3とが等しくなっているが、ピッチP2とピッチP3とが異なっていても良い。
(MRセンサの構成)
図9は、本発明の実施の形態3にかかるMRセンサ10の平面図である。図10(A)は、図9に示す抵抗体R1〜R4の抵抗変化率α1、α2と磁束密度との関係を示すグラフであり、図10(B)は、図10(A)において磁束密度が所定の値であるときの抵抗体R2、R3の抵抗変化率α1、抵抗体R1、R4の抵抗変化率α2、および、抵抗体R2、R3の抵抗変化率α1と抵抗体R1、R4の抵抗変化率α2との比率を示す一覧表である。図11は、図9に示すMRセンサ10の出力信号の一例を示す図である。
以上説明したように、本形態においても、磁気ストライプ2aに磁気データが記録されたカード2がMRセンサ10の設置箇所を通過すると、MRセンサ10から信号が出力され、MRセンサ10の出力信号SG3は、磁気ストライプ2aに記録された磁気データに応じた信号(磁気ヘッド7の出力信号SG1、SG2)と異なっている。そのため、本形態においても、実施の形態1、2と同様に、磁気ストライプ2aに磁気データが記録されているのか否かを検知することが可能であっても、犯罪者による磁気情報の不正取得を阻止することが可能になる。また、本形態においても、MRセンサ10のコストを低減することが可能になる。
図12は、本発明の実施の形態3の変形例にかかるMRセンサ10の平面図である。図13は、本発明の実施の形態3の変形例にかかるMRセンサ10の平面図である。
上述した形態は、本発明の好適な形態の一例ではあるが、これに限定されるものではなく本発明の要旨を変更しない範囲において種々変形実施が可能である。
2 カード
2a 磁気ストライプ
2c トラック(第1のトラック)
2d トラック(第2のトラック)
3 カード挿入口
4 カード挿入部
10 MRセンサ
11 第1抵抗部
12 第2抵抗部
13 第3抵抗部
14 第4抵抗部
C1 第1中点
C2 第2中点
R1 抵抗体(第1の抵抗体)
R2 抵抗体(第2の抵抗体)
R3 抵抗体(第3の抵抗体)
R4 抵抗体(第4の抵抗体)
X カードの通過方向
Y カードの通過方向に直交する方向、第1方向
Claims (11)
- 第1のトラックの磁気データと第2のトラックの磁気データとが記録可能な磁気ストライプを有するカードの前記磁気ストライプに磁気データが記録されているのか否かを検知するためのカードリーダ用のMRセンサであって、
互いに直列に接続され前記第1のトラックが通過する位置に配置される第1の抵抗体および第2の抵抗体と、互いに直列に接続され前記第2のトラックが通過する位置に配置される第3の抵抗体および第4の抵抗体とを備え、
前記第2の抵抗体および前記第4の抵抗体は、電源に接続され、
前記第1の抵抗体および前記第3の抵抗体は、接地され、
直列に接続される前記第1の抵抗体と前記第2の抵抗体との間の第1中点と、直列に接続される前記第3の抵抗体と前記第4の抵抗体との間の第2中点との電位差が出力となっていることを特徴とするMRセンサ。 - 前記第1の抵抗体と前記第2の抵抗体とは、前記カードの通過方向において、前記第1のトラックに0データが記録されたときの前記第1のトラックのビット間隔の半分の奇数倍の距離、離れた状態で配置され、
前記第3の抵抗体と前記第4の抵抗体とは、前記カードの通過方向において、前記第2のトラックに0データが記録されたときの前記第2のトラックのビット間隔の半分の奇数倍の距離、離れた状態で配置されていることを特徴とする請求項1記載のMRセンサ。 - 前記第1の抵抗体、前記第2の抵抗体、前記第3の抵抗体および前記第4の抵抗体は、
前記カードの通過方向に直交する第1方向において、複数回折り返されて形成されている
ことを特徴とする請求項1または2記載のMRセンサ。 - 第1のトラックの磁気データと第2のトラックの磁気データとが記録可能な磁気ストライプを有するカードの前記磁気ストライプに磁気データが記録されているのか否かを検知するためのカードリーダ用のMRセンサであって、
互いに直列に接続される第1の抵抗体および第2の抵抗体と、互いに直列に接続される第3の抵抗体および第4の抵抗体とを備え、
前記第1の抵抗体および前記第4の抵抗体は、前記第1のトラックが通過する位置に配置され、
前記第2の抵抗体および前記第3の抵抗体は、前記第2のトラックが通過する位置に配置され、
前記第2の抵抗体および前記第4の抵抗体は、電源に接続され、
前記第1の抵抗体および前記第3の抵抗体は、接地され、
前記第1の抵抗体、前記第2の抵抗体、前記第3の抵抗体および前記第4の抵抗体は、前記カードの通過方向に直交する第1方向において2回以上折り返されて形成され、
直列に接続される前記第1の抵抗体と前記第2の抵抗体との間の第1中点と、直列に接続される前記第3の抵抗体と前記第4の抵抗体との間の第2中点との電位差が出力となっていることを特徴とするMRセンサ。 - 前記第1のトラックに0データが記録されたときの前記第1のトラックのビット間隔の2倍をλ1とし、前記第2のトラックに0データが記録されたときの前記第2のトラックのビット間隔の2倍をλ2とし、n1、n2を0以上の整数とし、mを3以上の整数とすると、
前記第1の抵抗体、前記第2の抵抗体、前記第3の抵抗体および前記第4の抵抗体は、前記第1方向において、m−1回折り返されて形成され、
前記第1の抵抗体は、前記第1方向に平行な直線状に形成され、前記カードの通過方向において、n1λ1/m+λ1/2mのピッチで配置されるm個の第1抵抗部を備え、
前記第2の抵抗体は、前記第1方向に平行な直線状に形成され、前記カードの通過方向において、n2λ2/m+λ2/2mのピッチで配置されるm個の第2抵抗部を備え、
前記第3の抵抗体は、前記第1方向に平行な直線状に形成され、前記カードの通過方向において、n2λ2/m+λ2/2mのピッチで配置されるm個の第3抵抗部を備え、
前記第4の抵抗体は、前記第1方向に平行な直線状に形成され、前記カードの通過方向において、n1λ1/m+λ1/2mのピッチで配置されるm個の第4抵抗部を備えることを特徴とする請求項3記載のMRセンサ。 - 第1のトラックの磁気データと第2のトラックの磁気データとが記録可能な磁気ストライプを有するカードの前記磁気ストライプに磁気データが記録されているのか否かを検知するためのカードリーダ用のMRセンサであって、
互いに直列に接続される第1の抵抗体および第2の抵抗体と、互いに直列に接続される第3の抵抗体および第4の抵抗体とを備え、
前記第1の抵抗体は、前記第1のトラックが通過する位置に配置され、
前記第4の抵抗体は、前記第2のトラックが通過する位置に配置され、
前記第2の抵抗体および前記第4の抵抗体は、電源に接続され、
前記第1の抵抗体および前記第3の抵抗体は、接地され、
前記第1の抵抗体および前記第4の抵抗体は、前記カードの通過方向に直交する第1方向において2回以上折り返されて形成され、
前記第2の抵抗体および前記第3の抵抗体は、前記第1方向に平行な直線状に形成され、
前記第1の抵抗体は、前記第1方向に平行な直線状に形成される3個以上の第1抵抗部を備え、
前記第4の抵抗体は、前記第1方向に平行な直線状に形成される3個以上の第4抵抗部を備え、
前記カードの通過方向における前記第2の抵抗体の幅は、前記カードの通過方向における前記第1抵抗部の幅の1/10以下となっており、
前記カードの通過方向における前記第3の抵抗体の幅は、前記カードの通過方向における前記第4抵抗部の幅の1/10以下となっており、
直列に接続される前記第1の抵抗体と前記第2の抵抗体との間の第1中点と、直列に接続される前記第3の抵抗体と前記第4の抵抗体との間の第2中点との電位差が出力となっていることを特徴とするMRセンサ。 - 第1のトラックの磁気データと第2のトラックの磁気データとが記録可能な磁気ストライプを有するカードの前記磁気ストライプに磁気データが記録されているのか否かを検知するためのカードリーダ用のMRセンサであって、
互いに直列に接続される第1の抵抗体および第2の抵抗体と、互いに直列に接続される第3の抵抗体および第4の抵抗体とを備え、
前記第1の抵抗体は、前記第1のトラックが通過する位置に配置され、
前記第4の抵抗体は、前記第2のトラックが通過する位置に配置され、
前記第2の抵抗体および前記第4の抵抗体は、電源に接続され、
前記第1の抵抗体および前記第3の抵抗体は、接地され、
前記第1の抵抗体および前記第4の抵抗体は、前記カードの通過方向に直交する第1方向において2回以上折り返されて形成され、
前記第2の抵抗体および前記第3の抵抗体は、前記カードの通過方向において1回以上折り返されて形成され、
直列に接続される前記第1の抵抗体と前記第2の抵抗体との間の第1中点と、直列に接続される前記第3の抵抗体と前記第4の抵抗体との間の第2中点との電位差が出力となっていることを特徴とするMRセンサ。 - 前記第2の抵抗体は、前記第1のトラックが通過する位置に配置され、
前記第3の抵抗体は、前記第2のトラックが通過する位置に配置されることを特徴とする請求項6または7記載のMRセンサ。 - 第1のトラックの磁気データと第2のトラックの磁気データとが記録可能な磁気ストライプを有するカードの前記磁気ストライプに磁気データが記録されているのか否かを検知するためのカードリーダ用のMRセンサであって、
互いに直列に接続される第1の抵抗体および第2の抵抗体と、互いに直列に接続される第3の抵抗体および第4の抵抗体とを備え、
前記第1の抵抗体は、前記第1のトラックが通過する位置に配置され、
前記第4の抵抗体は、前記第2のトラックが通過する位置に配置され、
前記第2の抵抗体および前記第3の抵抗体は、前記第1のトラックが通過する位置から外れた位置であって、かつ、前記第2のトラックが通過する位置から外れた位置に配置され、
前記第2の抵抗体および前記第4の抵抗体は、電源に接続され、
前記第1の抵抗体および前記第3の抵抗体は、接地され、
前記第1の抵抗体および前記第4の抵抗体は、前記カードの通過方向に直交する第1方向において2回以上折り返されて形成され、
直列に接続される前記第1の抵抗体と前記第2の抵抗体との間の第1中点と、直列に接続される前記第3の抵抗体と前記第4の抵抗体との間の第2中点との電位差が出力となっていることを特徴とするMRセンサ。 - 前記第1のトラックに0データが記録されたときの前記第1のトラックのビット間隔の2倍をλ1とし、前記第2のトラックに0データが記録されたときの前記第2のトラックのビット間隔の2倍をλ2とし、n1、n2を0以上の整数とし、mを3以上の整数とすると、
前記第1の抵抗体および前記第4の抵抗体は、前記第1方向において、m−1回折り返されて形成され、
前記第1の抵抗体は、前記第1方向に平行な直線状に形成され、前記カードの通過方向において、n1λ1/m+λ1/2mのピッチで配置されるm個の第1抵抗部を備え、
前記第4の抵抗体は、前記第1方向に平行な直線状に形成され、前記カードの通過方向において、n2λ2/m+λ2/2mのピッチで配置されるm個の第4抵抗部を備えることを特徴とする請求項6から9のいずれかに記載のMRセンサ。 - 請求項1から10のいずれかに記載のMRセンサと、前記カードが挿入されるカード挿入口が形成されるとともに前記MRセンサが配置されるカード挿入部とを備えることを特徴とするカードリーダ。
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