JP6368719B2 - 水素製造のための方法 - Google Patents

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Description

本発明は、セリウム及びニッケルをベースとするオキシハイドライド材料を用いて、炭素の生成がなくアルコールから出発する、低い温度で水素を製造するための方法と、アルコールを水素に変換するための触媒としてのかかる材料の用途とに関する。
二水素ガスHは、より一般的には「水素」と称され、その高いエネルギーポテンシャルの故に、様々な用途において使用され得る。それは自然の状態では存在しないことから、一次エネルギー源から出発して製造され、次に輸送され、貯蔵されそして使用者に分配されねばならない。
水素は今やエネルギーの供給源として売り出されており、その最終用途により電気、熱、又は動力へ変換され得る。水素はとりわけ燃料電池の供給用に使用され得、この燃料電池はその場合ガス状の燃料−水素−の酸化により、かつ酸素の還元により、電気及び熱を生成する電気化学コンバータを構成する。水素を供給された燃料電池は、住居、工業、及びネットワークの領域における静止系において、また輸送及び携帯機器(電話、コンピュータ)の分野における移動系において使用され得る。水素を主要なエネルギーベクトル及び燃料として使用することは、一方では化石エネルギーへのグローバルな依存の低減に、他方では温室効果ガス(CH、CO)及び大気汚染(CO、NO)の放出削減に貢献することも可能である。
今日、水素は本質的に、天然ガスの水蒸気改質によるか、又は石油残渣若しくは石炭のガス化により、炭化水素から出発して製造される。経済的見地からは、化石エネルギー源から出発する最も魅力的な水素製造のための方法は、軽質炭化水素原料を変換して、水素H、一酸化炭素CO、二酸化炭素CO、メタンCH、及び水HOの混合物からなるガスを合成することである。このガスは、ニッケル触媒の存在下で、炭化水素を水蒸気と反応させることにより得られる。これらの方法の欠点は、変換が高温(840℃から950℃)及び中程度の圧力(20から30バール)において起こること、及びそれらが化石資源を必要とすることである。
新規な燃料電池技術と、環境及び経済的な制約との観点から、恒常的な工業的ニーズに応えるため、おそらくは無尽蔵でありかつ化石エネルギー源よりも環境攪乱を引き起さない再生可能エネルギーに関心が高まっている。それらは、温室効果の増大にはほとんど寄与せず、かつ低エネルギー供給に関連したコストゲインを与えるという利点をもつ。
これらの再生可能なエネルギー源は、アルコール、及び特にバイオマスから得られるバイオエタノールを包含する。エタノールは最も広く使用されるバイオ燃料である。それは3つの主要なタイプの作物穀物:糖料植物(例えばサトウキビ及びテンサイ)、デンプン料植物(例えばコムギ及びトウモロコシ)、及びリグノセルロース材料(例えば木材)、から出発して製造される。
エタノールの吸熱性水蒸気改質は、反応(1)に従って起こる:
OH + 3HO → 6H + 2CO (1)
この反応は、水蒸気の存在下に起こり、エネルギーの供給を要する。実際、特に触媒を使用して、反応を補助することが必要である。この反応に必要なエネルギーは、反応混合物に酸素又は空気を添加することにより供給され得る。次いで、以下に定義される、エタノールの部分酸化の発熱反応がある:
OH + 1.5O → 3H + 2CO (2)
この反応の経過において、エタノールの一部が焼かれ、反応(1)が同時に起こるために必要なエネルギーが供給される。
しかしながら、エタノールからの水素製造は、操作条件や用いる触媒に依存する副産物の生成と触媒の失活、といった欠点をもつ。
実際、エタノールの脱水素は、反応(3)に従ってアセトアルデヒド及び水素を産生し、一方エタノール(及び/又はアセトアルデヒド)の分解は、反応(4)に従ってメタン、一酸化炭素、及び水素を産生する:
OH → CO + H (3)
OH → CH + CO + H (4)
メタンは、改質が非常に難しいという特徴があり、このことはHの収率に有害効果を及ぼす。
アセトンもまた、反応(5)に従って生成され得る:
2COH + HO → CHCOCH + CO + 4H (5)
最後に、カーボンデポジットが触媒上に観察され得る。このカーボンデポジットは、ブードワ(Boudouard)反応などの種々の反応に起因し得るが、一般には以下の反応(6)及び(7)に由来し、これによりエタノールが脱水されてエチレン(6)を生成し、それが重合反応(7)によりコークへ変換される:
OH → C + HO (6)
→ コーク (7)
例え少量でも、エチレンは速やかに固体炭素(コーク)の生成をもたらし、それは触媒の表面を汚染して、触媒活性の低下をもたらす。
このカーボンデポジットは、エタノールの水蒸気改質反応にとって最も有害な要素であることが知られており、触媒の非活性化及び工業用水蒸気改質反応器の閉塞の原因である。
バイオエタノールの使用に伴うもう1つの問題は、バイオマスの発酵により得られる水溶液から出発する、エタノール蒸留法のコストが高いことである。
そのような状況では、それ故、バイオエタノールなどの再生可能資源から得られた有機化合物のC−C結合を切断することができ、かつエタノールが非常に薄い水溶液、即ちそのモル比HO/COHが高い形態で供給された場合でも良好な性能を与える、低コストの触媒又は電極触媒を提案することが必要になってきた。
アルコール又はアルコール混合物の水蒸気改質を実施するのに適した触媒は、前述の副産物の生成を避けながら、高いレベルの水素製造を可能にしなければならない。
貴金属は、文献では、水素化/脱水素化においてまたC−C結合切断の促進に、活性が高いとして周知されている(非特許文献1)。一般に、最も研究されてきた貴金属は、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、及び白金である。しかしながら、それらの高いコストは、なおこれらの貴金属を使用することの欠点である。
以来、水素製造のための低コストの触媒を使用した数多くの製法が開発されてきた。
まず、ニッケル又はコバルトタイプの卑金属が記載された;次に、触媒の活性相を改善しかつ副産物の生成を低減する目的で、いくつかの金属をベースとする混合触媒が提案された。
例えば、特許文献1は、式Ce1−xに相当する、セリウムと、ランタニド及び/又はジルコニウム及び/又はイットリウムとをベースとする混合触媒の使用を記載する。これらの触媒は、約30時間にわたり安定であり、一酸化炭素の生成なしに水素に対し良好な選択性を与える。しかしながら、それらが使用される場合、水蒸気改質温度は高く(450℃−500℃程度)、かつ反応の最後に得られる混合物は、少量のアセトアルデヒド及びエチレンを含有する。
特許文献2は、ペロブスカイト構造La1−xNiOの触媒の使用を記載しており、これらは約30時間にわたり安定であり、かつアセトン及びエチレンの生成を回避することを可能にする。しかしながら、水蒸気改質反応がこれらの触媒を用いて行われるべき温度もまた高く(500℃程度)、かつ反応は5から10%程度の量のメタンの生成をもたらす。
特許文献3は、Ni−Cu/SiO混合触媒の存在下でのエタノールの水蒸気改質のための方法を記載する。この方法は、高温(700℃程度)において行われるが、かなり低い水素の収率(40mol%未満)と、触媒上でのカーボンデポジットの生成とをもたらす。それ故、炭素の生成は完全には回避されず、水蒸気改質の温度は高い。
最後に、式CeNi1.0の、セリウム及びニッケルをベースとする混合ナノオキシハイドライド触媒が最近提案された。この触媒は、沈殿剤としてのトリエチルアミンの存在下で、セリウム及びニッケルの硝酸塩混合物から対応する水酸化物を共沈することにより調製される。濾過の後、かくて得られた沈殿を100℃で乾燥させ、次いで500℃で4時間か焼する。得られた式CeNi1.0の酸化物は、次に、250℃の温度で10時間にわたる水素下での処理により、式CeNi1.0のオキシハイドライドの形態で活性化される。かくて得られた活性化触媒は、50時間にわたり安定であり、それは選択的であり、かつ低い温度、即ち約60℃程度の温度において、エタノールからの水素の生成を可能にする(非特許文献2)。しかしながら、この触媒をエタノールの水素への変換に使用することにはなお、5%のメタン及びアセトアルデヒド混合物と、時間当たり触媒グラム当たり約63mgという速度での無視できない量の固体炭素とを生成するという欠点がある。
国際公開第2009/009844号パンフレット 米国特許出願公開第2012/0201745号明細書 仏国特許出願公開第2795339号明細書
Aupretreら、「Catal.Commun.」、2002年、p.263 Pirezら、「Angew.Chem.Int.Ed.」、2011年、p.10193
本発明者らはそれ故、エタノールから、より一般的には低級アルコールから出発して、低い温度で水素製造反応を触媒するために有利に使用され得る経済的な材料であって、前記触媒が先行技術の触媒の欠点を示さず、かつとりわけ固体炭素の生成を最大限回避しながら、良好な収率で水素の生成をもたらす該材料を提供するという目標を設定した。
したがって本発明は、アルコール又はアルコール混合物の変換により、低い温度で水素を製造するための方法であって、前記方法が、以下の工程:
1)セリウム、ニッケル、酸素原子、水素原子、及び任意選択で、Al及びZrから選択される金属Mをベースとする、電気的に中性のオキシハイドライド材料M1を合成する第1の工程であって、前記材料において:
i)Ni/Ceモル比が0.1から5まで変化し、
ii)M/Ceモル比が0から1まで変化し、かつ
iii)前記材料M1中に存在する水素原子の少なくとも一部が、ハイドライドイオンの形態であり、
前記合成が1−i)から1−v)までのサブ工程:
1−i)少なくとも1つのセリウム前駆体、少なくとも1つのニッケル前駆体、及び任意選択で少なくとも1つの金属M前駆体を含んでなる水溶液を調製する第1のサブ工程、
1−ii)前記水溶液に少なくとも1つの沈殿剤を添加することにより、セリウム、ニッケル、及び任意選択で金属Mの前記前駆体を、セリウム、ニッケル、及び任意選択で金属Mの対応する水酸化物の形態で共沈させる第2のサブ工程、
1−iii)前記水酸化物を濾過して、濾過された固体を得る第3のサブ工程、
1−iv)サブ工程1−iii)において上記で得られた濾過固体を、約40℃と150℃との間の温度で、約1と24時間の間の時間にわたり乾燥させて、セリウム、ニッケル、酸素原子、水素原子、及び任意選択で金属Mをベースとする電気的に中性の固体材料M2を得る第4のサブ工程であり、ここで:
i)金属M、及びモル比Ni/Ce及びM/Ceの定義は、オキシハイドライド材料M1に関するものと同じであり、
ii)前記材料M2中に存在する水素原子の少なくとも一部は、酸素原子とともにヒドロキシル官能基を形成し、かつ
iii)前記固体材料M2は、ハイドライドイオンが無く、及び
1−v)先行工程において上記で得られた固体材料M2を水素の存在下に処理して、オキシハイドライド材料M1を得るための第5のサブ工程、
において実施される、該第1の工程と、
2)先行工程において上記で得られたオキシハイドライド材料M1を、低い温度において、最初に少なくとも1種の低級アルコール、水、及び窒素を含んでなるガス混合物と、そして2番目に酸素と接触させる、第2の工程とを含んでなり、
オキシハイドライド材料M1の合成工程がか焼のサブ工程を含まないことを特徴とする、前記方法に関する。
本発明においては、「か焼工程」という表現は、空気、酸素、又は中性ガス下での、300℃から800℃までの範囲内の温度における、特に1から6時間にわたる熱処理の工程を意味する。
いかなる理論にも束縛されることを望むものではないが、本発明者らはオキシハイドライド材料M1及び固体材料M2は、それぞれ以下の式(I)及び(I´):
CeMNi (I)
CeMNiy´z´ (I´)
[式中、Mは、Al及びZrから選択される金属であり、0≦p≦1;0.1≦x≦5;y、y´、z、及びz´の値は、しかしながらこれまで決定されていない]によって表され得ると考える。
実際、式TM[式中、Tは、セリウムなどの希土類であり、Mは、ニッケルなどの金属元素であり、0.01≦a≦10;1≦x≦10、かつ0.1≦y≦100]に対応する化合物を記載する特許出願FR2 876 996において既に公開されたものとは対照的に、本発明者らは、それぞれ上記の式(I)及び(I´)によって表される材料M1及びM2が、空気中で迅速に酸化及び/又は再水和することに気付いた。それ故、前記材料におけるy、y´、z、z´の値を測定するために現在利用可能な物理化学的特性評価のための方法はそれらを空気中に戻すことを含むことから、これらの方法は、かなり不確実で現実を反映しない値を提供し得るにすぎない。
本発明の1つの好ましい実施形態においては、セリウム前駆体は硝酸セリウム、酢酸セリウム、及び塩化セリウムから選択されるセリウム(III)塩であり、ニッケル前駆体は硝酸ニッケル、塩化ニッケル、及び硫酸ニッケルから選択されるニッケル(II)塩である。
さらに、金属Mの前駆体は、硝酸ジルコニウムなどのジルコニウム(IV)塩、又は硝酸アルミニウムなどのアルミニウム(III)塩であってもよい。
さらに、本発明の方法の1つの好ましい特徴によれば、前記水溶液中のセリウム前駆体及びニッケル前駆体の濃度は、独立して、約0.1から1mol/lまで変化し、0.5mol/lに近い濃度がそれぞれの前駆体にとって特に好ましい。
金属Mが存在する場合、前記水溶液中の金属Mの前駆体の濃度は、独立して、約0.1から1mol/lまで変化する。
沈殿剤は、好ましくはトリエチルアミン、水酸化アンモニウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、及び炭酸ナトリウムから選択される。
セリウム及びニッケルの前記前駆体が、工程1−ii)に従ってセリウム及びニッケルの対応する水酸化物の形態で共沈し、かつ工程1−iii)に従って濾過された場合、得られた前記濾過された固体は、水で、及び/又はアルコールで、有利に洗浄及びリンスされ得る。
1つの特に好ましい実施形態によれば、1−iv)の乾燥サブ工程は、約100℃の温度で約24時間にわたり実施される。
物理化学的特性評価は、本発明者らにより、本発明による方法の乾燥サブ工程1−iv)においてかくて得られた固体材料M2について実施された(本出願を例示する実施例1、項1.2を参照)。これらの様々な特徴は、一方では固体材料M2が、圧倒的にヒドロキシル官能基の形態にあるように分配された水素原子を含んでなること、また他方ではその構造が、500℃でのか焼工程を含んでなるPirezら(同上)の方法を実施することにより得られた式CeNiの酸化物材料のものとは異なることを示した。
本発明による方法の次の工程1−v)の間、前記固体材料M2は、水素と接触させられた場合、その結晶構造中に存在するアニオン性の空隙内にハイドライドイオンを取り込むことができる。次いでオキシハイドライド材料M1が生じ、これにおいて水素原子の少なくとも一部はハイドライドイオンの形態にある。
実際、本発明の方法の工程1−v)による、水素存在下での固体材料M2の処理のための反応は、ハイドライドイオンをin situで生成することが可能であり、これらは次に固体材料中へ挿入される。
前記工程の間、固体材料M2中にいくつかのアニオン性空隙(□)が、以下の反応(8)に従って、既存のヒドロキシル官能基から出発して形成される:
2OH → O2− + □ + HO (8)
次に、水素下でin situの温度における固体材料M2の活性化の間に、固体材料O2−n+□(Mn+は固体のカチオンを表す)の活性部位が作られる。この活性部位はその場合は、一方ではハイドライドHをアニオン性間隙に挿入することにより、また他方ではカチオンHを固体材料のアニオンO2−と反応させて、以下の反応(9)に従ってヒドロキシル官能基を生成することにより、水素のヘテロリティックな解離を可能にする:
2−n+□ + H → OHn+ (9)
さらに、上記で提示されたメカニズムによって得られかつハイドライドイオンを含んでなる前記オキシハイドライド材料M1は、空気の存在下では自然発火性であり、例えごく短時間であっても空気に暴露させてはならない。
実際、オキシハイドライド材料M1のハイドライドイオンと酸素(空気中に存在)との間の反応は、非常に発熱性であり、以下の反応(10)に従って、前記材料中にヒドロキシル官能基の生成をもたらす:
+ 1/2 O → OH (10)
前記材料中で生成されたヒドロキシル官能基は、次に水の形態で除去され得る。
それ故、オキシハイドライド材料M1を空気中に戻すことを含む物理化学的特性評価は、ハイドライドイオンの除去をもたらす。
この非常に大きい反応性は、さらに、本発明の方法においては、オキシハイドライド材料M1を低い温度でアルコールと接触させる次の工程2)を実施するためのエネルギー供給として使用される。
本発明者らは、しかしながら、本発明の方法の工程1−v)によって得られたオキシハイドライド材料M1中のハイドライドイオンの存在を、中性子拡散実験によって証明することができた(本出願を例示する実施例2、項2.2を参照)。
一例として、水素の存在下での固体材料M2の処理のサブ工程1−v)は、オキシハイドライド材料M1中のハイドライドイオンの最大の取込みを得る目的で、約50℃から400℃までの範囲内の温度で、なおさらに好ましくは250℃程度の温度において、大気圧において有利に実施され得る。
目安として、水素の存在下での処理の温度が約250℃である場合、サブ工程1−v)の継続時間はそれ故1と10時間の間である。
本発明の1つのとりわけ好ましい実施形態によれば、水素の存在下での処理のサブ工程1−v)は、in situにおいて、即ち、低級アルコールの変換による水素の製造に適した反応器において直接行われる。このことは、サブ工程1−v)の間にかくて得られたオキシハイドライド材料M1が、工程2)において使用される前に空気中で酸化されるのを回避できるようにする。
か焼工程を受けることなく、本発明の方法の合成工程1)の終わりに得られたオキシハイドライド材料M1は、エタノール(及びより一般的には低級アルコール)の低温変換の反応に触媒作用を及ぼしかつ、これらの条件下で、固体炭素の生成を回避しながら良好な収率で水素の生成を可能にする。
この結果は、先行技術では普通に、とりわけPirezら(同上)により提案された、触媒などの製造のための方法が、一般に高温(500℃程度の)での熱処理からなるか焼工程を必ず用いることから特に驚くべきであり、また触媒ひいてはその触媒活性の安定性の改善を可能にする。
オキシハイドライド材料M1の中でも、そのM/Ceモル比がゼロに等しいもの、並びにそのNi/Ceモル比が0.3から1まで変化するものが好ましい。そのM/Ceモル比がゼロに等しくかつNi/Ceモル比が0.3から1まで変化するオキシハイドライド材料M1は、全く特に好ましい。
さらに、M/Ce比がゼロよりも真に大きい場合、オキシハイドライド材料M1は、さらに、多量のハイドライドイオンを貯蔵することができる。なおさらに好ましい1つの実施形態によれば、オキシハイドライド材料M1はそれ故、そのM/Ceモル比が約0.5に等しく、かつNi/Ceモル比が0.3から1まで変化するものが選択されよう。
本発明によれば、「低級アルコール」は、1から5個までの炭素原子を有するアルコールを意味し、中でも本発明者らはメタノール、エタノール、プロパン−1−オール、ブタン−1−オール、及びペンタン−1−オール、又はバイオエタノールなどのアルコール混合物を列挙し得る。
本発明の1つの好ましい実施形態においては、前記ガス混合物中に使用されるアルコールは、エタノールである。
本発明によれば、「低い温度で」という表現は、一般に約20℃から60℃までの範囲の温度を示す。
それ故、上記に記載された通りの本発明による方法は、固体炭素の生成を全く相当程度まで制限しながら、主として水素及び二酸化炭素からなるガス混合物をもたらす。
本発明の1つの好ましい実施形態によれば、サブ工程1−v)に用いた固体材料M2の量は、約0.01から0.05gまで変化する。この量は、全く特に0.03g程度である。
上記記載の接触工程2)は、以下の順序に従って有利に実施され得る:
2−i)水/アルコール/窒素ガス混合物を、少なくとも130℃の温度、及びより好ましくは160℃の温度において、先行工程1)で得られたオキシハイドライド材料M1を含んでなる反応器に投入すること、
2−ii)反応器内に酸素を投入すること、及び少なくとも3分間の投入期間にわたり、温度を維持すること、そして次に
2−iii)60℃未満の温度、又はより好ましくは50℃程度の温度まで、温度を下げること。
実際、触媒反応は少なくとも130℃の温度において開始されるべきである。数分間の誘導時間の後、反応器内の温度は上昇する。次にごく少量のエネルギーの供給が必要であり、炉温は60℃未満の温度まで低下され得る。
ガス混合物中の水/アルコールモル比は、好ましくは1/2から13/1まで変化する。なおさらに好ましくは、水/アルコールモル比は約3/1である。
開始時に反応器内へ供給される水/アルコール/窒素ガス混合物は、有利には、水/アルコール/窒素ガス混合物に対し15mol%のアルコールを含有する。このことは、固体をオキシハイドライドの形態に維持することを可能にする。
さらに、ガス混合物に酸素を添加することは、エタノール変換の増大と、メタンCH、アセトアルデヒドCHCHO、アセトン(CHCO、及び一酸化炭素COなどの副産物の相対量の減少とを有利にもたらす。
さらに、二酸化炭素COの量は、Oの最高濃度において、即ち、O/アルコールモル比が約2.5/1である場合に増加する。
それ故、本発明の方法の1つの好ましい実施形態によれば、O/アルコールモル比は、約0.5/1から2.5/1まで変化する。
しかしながら、O/アルコールモル比が1.2/1を超える場合には生成される水素の量が減少することから、良い妥協は、O/アルコールモル比を好ましくは1.6/1に固定することからなる。
1つの好ましい実施形態においては、アルコール/水/O/Nガス混合物は、そのアルコール/水/O/Nガス混合物のモル比が1/3/1.6/1.3であるものが使用される。
本発明の1つの好ましい実施形態によれば、ガス混合物の流量は10から100ml/分まで変化し、なおさらに好ましくは、それは約60ml/分程度である。
それ故、本発明による水素製造のための方法は、上記記載の通りの本発明の方法の工程1)によって得られたオキシハイドライド触媒M1を使用することにより、良好な収率及び非常に少ないエネルギー供給で、アルコールの水素への低温変換を可能にする。
本発明の方法はまた、アルコールの変換反応がわずか50℃の温度において実施され得ることが本出願において示されていることから、性能の改善が可能な触媒を用いるという利点も有する。
さらに、本発明の方法は、メタン及びアセトアルデヒドの生成がほぼ完全に(<2%)回避され得ることを意味する。
さらに、驚くべきことに、オキシハイドライド材料M1(これは、次に本発明の水素製造のための方法の工程2)において使用される)の合成の間のか焼工程を除去することにより、炭素の生成が回避されたことが分かった。
か焼工程を除去すること、及び本発明の方法におけるアルコールの水素への変換の間の、2−i)及び2−iii)の順で温度を下げることもまた、製造コストの改善を可能にする。
最後に、本発明はまた、本発明の方法の合成の工程1)を実施することによって得られた通りのオキシハイドライド材料M1の、低温における、低級アルコールの水素への変換反応のための触媒としての用途にも関する。
本発明は、以下の模範的実施例によって例示されるが、それらに限定されるものではない。
実施例1における工程1−iv)から得られた乾燥化合物等の昇華還元法(PTR)による分析結果を表すグラフである。 実施例1における乾燥化合物等のX線回折法(XRD)による分析結果を表すグラフである。 実施例1において得られた乾燥化合物等の中性子拡散分析(INS)結果を表すグラフである。 実施例2における、触媒1を用いた水素の製造試験でのエタノール変換率及び生成されかつインラインで分析された種々のガス種の分布を、時間の関数として表したグラフである。 実施例2における、本発明の方法によって得られた触媒1と、比較のためのオキシハイドライド触媒の中性子拡散分析(INS)結果を表すグラフである。 図5の2つのINSスペクトル間の差を表すグラフである。 実施例3における、触媒2を用いた水素の製造試験でのエタノール変換率及び生成されかつインラインで分析された種々のガス種の分布を、時間の関数として表したグラフである。 実施例4における、触媒3を用いた水素の製造試験でのエタノール変換率及び生成されかつインラインで分析された種々のガス種の分布を、時間の関数として表したグラフである。
本発明の固体材料M2の調製及び特性評価−先行技術によるか焼化合物との比較
1.1 本発明の方法の乾燥工程1−iv)から得られる固体材料M2の調製(乾燥化合物)
1.1−a) Ni/Ceモル比が1に等しくM/Ceモル比が0に等しい、乾燥化合物1の調製
乾燥化合物1は、体積100mLの0.5M硝酸セリウム水溶液と、体積100mLの0.5M硝酸ニッケル水溶液とを含んでなる溶液から出発し、かつトリエチルアミンを沈殿剤として用いて、対応する水酸化物の共沈により調製した。
前記溶液を、メタノール中で1.5Mに希釈されたトリエチルアミンの体積250mLの溶液にすばやく滴下添加した。
この添加の間、金属水酸化物の沈殿が観察され、これを濾過し、水で及びメタノールで、回収された体積に等しい全体積を用いて、3回洗浄及びリンスした。得られた固体を次に100℃で24時間乾燥させ、そして粉砕した。
1.1−b) Ni/Ceモル比が0.5に等しくかつM/Ceモル比が0に等しい、乾燥化合物2の調製
乾燥化合物2は、体積200mLの0.5M硝酸セリウム水溶液と、体積100mLの0.5M硝酸ニッケル水溶液とを含んでなる溶液から出発し、かつトリエチルアミンを沈殿剤として用いて、対応する水酸化物の共沈により調製した。
前記溶液を、メタノール中で1.5Mに希釈されたトリエチルアミンの体積375mLの溶液にすばやく滴下添加した。
この添加の間に、金属水酸化物の沈殿が観察され、これを濾過し、水で及びメタノールで、回収された体積に等しい全体積を用いて、3回洗浄及びリンスした。得られた固体を次に100℃で24時間乾燥させ、そして粉砕した。
1.1−c) Ni/Ceモル比が0.25に等しくM/Ceモル比が0に等しい、乾燥化合物3の調製
乾燥化合物3は、体積200mLの0.5M硝酸セリウム水溶液と、体積50mLの0.5M硝酸ニッケル水溶液とを含んでなる溶液から出発し、かつトリエチルアミンを沈殿剤として用いて、対応する水酸化物の共沈により調製した。
前記溶液を、メタノール中で1.5Mに希釈されたトリエチルアミンの体積312.5mLの溶液にすばやく滴下添加した。
この添加の間、金属水酸化物の沈殿が観察され、これを濾過し、水で及びメタノールで、回収された体積に等しい全体積を用いて、3回洗浄及びリンスした。得られた固体を次に100℃で24時間乾燥させ、そして粉砕した。
1.2 乾燥化合物1、2、及び3の特性評価及び先行技術によるか焼化合物との比較
乾燥化合物1、2、及び3を、昇温還元法(PTR)の測定値によって分析した。
これらの測定は、マイクロメリティクス(Micromeritics)社により商品名Micromeritics AutoChem 2920 Analyzerで販売された、熱伝導検出器(TCD)を含んでなる分析器を用いて実施した。
添付の図1は、温度(℃)の関数としての水素消費(Hcons.、任意単位a.u.)における変化を、一方では、本発明の方法の工程1−iv)から得られた乾燥化合物1、2、及び3(固体材料M2)について、他方では、Pirezら(同上)において及びJalowiecki−Duhamelら(Int.J.Hydrogen Energy,2010年、第35巻、p.12741−12750)において既に記載された式CeNiに相当するあるか焼化合物について示す。
図1において、最初のピークは、オキシハイドライドをもたらす、水素存在下での処理工程を実施するために必要な温度に相当する。さらに、水素存在下により高い温度で処理することは、エタノールを先に生成されたオキシハイドライドと接触させる次の工程の間の、エタノール変換速度に減少をもたらすことが示されている。
図1によれば、乾燥化合物3(図1−Ia)、2(図1−Ib)、及び1(図1−Ic)は、水素存在下で、200℃と300℃の間の温度において、より特定的には約250℃−270℃の温度において処理されるべきである。実際、低温での還元のピークは250−270℃において観察される。
比較目的のため、500℃でか焼された化合物CeNi0.2(図1−IIa)、CeNi0.4(図1−IIb)、CeNi0.7(図1−IIc)、CeNi0.9(図1−IId)、及びCeNi1.0(図1−III)もまた、200℃と300℃の間の温度で水素存在下に処理されねばならない。
結論として、図1は、乾燥化合物1、2、及び3(固体材料M2)が、同等のニッケル含量でのか焼化合物とは異なる挙動を示し、乾燥化合物1、2、及び3(固体材料M2)では低い温度においてはるかに大きい還元のピークがあることを示している。
さらに、乾燥化合物1、2、及び3(本発明の方法の工程1−iv)によって得られた固体材料M2)の、また比較目的のための、Ponchelら(Phys.Chem.Chem.Phys.,2000年、第2巻、p.303−312)の論文に記載されたあるか焼化合物の、X線回折法(XRD)による分析を行った。
XRD分析は、ブルカー(Bruker)社により商品名D8 Advanceで販売された回折装置を用いて行った。
これらの分析は、化合物がセリア相CeO及び/又はニッケル相をもつかどうかを示すことを可能にする。先行技術のか焼化合物におけるニッケル相は、酸化ニッケルNiOに相当する。本発明の方法によって得られた乾燥化合物1、2、及び3(固体材料M2)におけるニッケル相は、XRDにより観察された場合、ニッケル水酸化物の複合混合物に相当する。低いNi含量では、何らNiと結合した相は見られず、それ故それは非晶質であってもよく、及び/又は、ニッケルイオンがセリア相内に挿入されて固溶体を形成していてもよい。
図2は、角度2θ(度)の関数としての強度(任意単位a.u.)の変化を示す。図2−Iでは、十字はセリア相CeOに相当する。図2−IIでは、黒丸はセリア相CeOに相当し、白い四角はニッケル相に相当する。
図2−Iは、本発明の方法によって得られた乾燥化合物3(図2−Ia)、2(図2−Ib)、及び1(図2−Ic)にはニッケル相がないことを示す。
比較目的のため、図2−IIは、化合物CeOにおいて、またニッケル含量の非常に低い、500℃でか焼された化合物CeNi0.2においては、ニッケル相が観察されないことを示す。対照的に、500℃でか焼された化合物CeNi0.5、CeNi0.7、及びCeNi1.0では、それが観察される。
セリア相に関しては、本発明による乾燥化合物1、2、及び3において、並びに先行技術の全てのか焼化合物においてそれは観察される。対照的に、本発明の乾燥化合物に相当するXRDスペクトル中のバックグラウンドノイズの存在(図2−I)は、セリア相がこれらの化合物中では、先行技術のか焼化合物(図2−II)におけるよりも不充分に結晶化されることを示している。
最後に、本発明の方法によって得られた乾燥化合物1、2、及び3(固体材料M2)の比表面積の測定を実施した。
これらの比表面積の測定は、BET法(ブルナウアー−エメット−テラー(Brunauer−Emmett−Teller))を用いて実施し、Micromeritics社により商品名Tristar II 3020で販売された装置を用いて行った。
以下の表1は、乾燥化合物1、2、及び3の、また比較のためのPirezら(同上)及びJalowiecki−Duhamelら(同上)において報告された式CeNi(xは0.07から1までの範囲)の様々なか焼化合物、NiO、及びCeOの比表面積(m.g−1)を示す。
Figure 0006368719
結論としては、本発明の乾燥化合物1、2、及び3、並びに先行技術のか焼化合物の比表面積は、全体を通して同程度の大きさである。
対照的に、乾燥化合物1の比表面積は、ニッケル含量の等しいか焼化合物(CeNi1.0)の比表面積(94m.g−1)よりも大きい(145m.g−1)。
表1はまた、その測定が可能であった場合の様々な化合物における、セリア相の結晶子寸法(nm)及びニッケル相の結晶子寸法(nm)を示す。
実際、先行技術のか焼化合物では、x≦0.3(低ニッケル含量)であるとき、ニッケル相の結晶子寸法を得ることはできない。さらに、ニッケル相の結晶子寸法は、乾燥化合物1、2、及び3については得られない。実際、これらの乾燥化合物では、ニッケル相はNi/Ceモル比が1よりも真に大きい場合に出現することが観察された。これらの観察は、上記記載のXRDスペクトルと一致する。
さらに、セリア相の結晶子寸法は、全ての乾燥化合物及びか焼化合物について測定可能であった。表1によれば、乾燥化合物中のCeOの平均粒径は、か焼化合物のCeOの平均粒径よりも小さい。
中性子拡散実験(INS)もまた、乾燥化合物1について、フランス、グルノーブルのラウエ・ランジュバン研究所(Institut Laue Langevin)(ILL)の分光計IN1 Lagrangeを使用して、10Kで、200と2500cm−1との間のエネルギー転移用のCu(220)モノクロメータを用いて実施し、500℃でか焼された化合物CeNi1.0について先に報告され、かつフランス、グルノーブルのラウエ・ランジュバン研究所(ILL)のIN1分光計を使用して、10Kで、200と2500cm−1との間のエネルギー転移用のCu(220)のモノクロメータを用いて得られたものと比較した。
INS分析を行うに先立ち、本発明者らが分析したい固体は、装置のセル内に設置され、200℃で2時間にわたるin situの真空下での処理を受けた。この処理は、それ故、周囲空気中に存在する物理吸着水が完全に除去されたことを保証し得る。
図3は、エネルギー(cm−1)の関数としての強度の変化(任意単位a.u.)を示す。
さらに具体的には、図3は、乾燥化合物1の中性子拡散分析(図3−I)、及び比較のための、Jalowiecki−Duhamelら、Int.J.Nuclear Hydrogen Production and Applications、2009年、第2巻、第2号、p.148−158において既に記載されたか焼化合物CeNi1.0の分析(図3−II)を示す。
図3−Iは、440cm−1及び660cm−1のピークによって特徴づけられる、乾燥化合物1における多数のヒドロキシル官能基の存在を示す。図3−IIもまた、250cm−1、400cm−1、及び630cm−1のピークによって特徴づけられる、500℃でか焼された化合物CeNi1.0におけるヒドロキシル官能基の存在を示す。
さらに、乾燥化合物1、2、及び3の化学式は、元素分析の結果に基づき評価され、以下の通りである:
− 化合物1について:CeMNiy´z´(I´−1)[式中、p=0、x=1、y´=5.8、及びz´=3.8]
− 化合物2について:CeMNiy´z´(I´−2)[式中、p=0、x=0.4、y´=4.0、及びz´=2.4]
− 化合物3について:CeMNiy´z´(I´−3)[式中、p=0、x=0.2、y´=3.3、及びz´=2.1]
本発明の方法による水素の製造
2.1 Ni/Ceモル比が1に等しくかつM/Ceモル比が0に等しいオキシハイドライド材料M1(触媒1)によって触媒される、本発明の方法による水素の製造
実施例1.1−a)において上記で得られた乾燥化合物1(固体材料M2)0.03gを、石英反応器内に投入した。この材料を次に、水素を用いてin situで、250℃で10時間処理して、対応するオキシハイドライド材料M1(触媒1)を生成した。
水及びエタノールの混合物を、3/1の水/エタノールモル比で調製した。
得られた混合物を、予熱チャンバ内で、エタノール/水素/窒素ガス混合物に対し約15mol%のエタノールが使用されるように窒素流中で加熱及び気化させた。
次いで触媒1を含有する反応器に、165℃で、60ml/分の全ガス流量を用いて、エタノール/水/窒素混合物のガス状流を満たした。次に酸素を、60ml/分の全ガス流量を用いて、エタノール/水/酸素/窒素ガス混合物が1/3/1.6/1.3であるように、反応器内へ供給した。炉温を、酸素の投入後2−3分間にわたって維持し、次に50℃に低下させた。
測定された反応温度は、反応器内部で320℃であり、大半はハイドライドイオンと酸素との間の反応性に起因する。
反応は、少なくとも50時間にわたり安定であった。
ガスは、反応器出口においてインラインで、ガスクロマトグラフィー(GC)により、
Thermo Electron Corporation社により商品名Trace GC Ultraで販売された、水素炎イオン化検出器(FID)及び熱伝導度検出器(TCD)へ結合されたクロマトグラフを用いて分析した。
データは、時間の関数として収集され、添付の図4に記録され、これにおいてエタノール変換率(mol%、黒の菱形)と、生成されかつインラインで分析された種々のガス種の分布(mol%)とが、時間の関数として表され(h)、白の菱形はHに、白丸はCOに、黒丸はCOに、白の三角形はCHに、そして白の四角形はアセトアルデヒドCHCHOに相当する。
エタノール及び酸素の完全な変換が得られた。
添付の図4は、反応が安定した様式で生じること、及び水素化合物が高比率で得られることを示す。
生成産物はガス状であり、42mol%のH、38mol%のCO、及び18mol%のCOを含んでなる。
非常に少量のメタン及びアセトアルデヒドが存在する(CH+CHCHO≦1.6%)。
50時間の反応後、か焼工程を受けたオキシハイドライドを用いたPirezら(同上)の論文に報告された63mg/ghという値に比較して、極めてわずかな炭素の生成(4mg/gh)が観察された。
2.2 Ni/Ceモル比が1に等しくかつM/Ceモル比が0に等しいオキシハイドライド材料M1(触媒1)の特性評価
中性子拡散実験(INS)を、本発明の方法によって得られた触媒1について、及び比較のため、Pirezら(同上)において記載された方法によって得られたオキシハイドライド触媒について、実施例1.2において上記に記載されたものと同じ装置を用いて実施した。
図5及び6は、エネルギー(cm−1)の関数としての、強度の変化(任意単位a.u.)を示す。
図5−Iは、乾燥化合物1を、本発明の方法の工程1−v)により、250℃で10時間にわたる水素存在下で処理した後に得られた触媒1の中性子拡散分析を示す(実線で描かれた曲線)。3つの幅広いピークが、約470cm−1、640cm−1、及び900cm−1において観察された。470cm−1のピークは、ハイドライドイオンに帰属される。得られた触媒1が酸素存在下に処理されると(点線で描かれた曲線)、470cm−1、及び900cm−1のピークは減少し、反応は非常に発熱性であり、また440cm−1及び660cm−1のピークを含めていくつかの幅広いピークが観察され、酸化の間のヒドロキシル官能基の生成が示唆される。
比較目的のため、図5−IIは、Jalowiecki−Duhamelら、Int.J.Nuclear Hydrogen Production and Applications、2009年、第2巻、第2号、p.148−158による、水素存在下に250℃で10時間にわたり先行技術のか焼化合物CeNi1.0を処理した後に得られたオキシハイドライドの中性子拡散分析を示す(実線で描かれた曲線)。得られたオキシハイドライドが酸素存在下に処理された場合、INSスペクトルは点線で描かれた曲線によって表される。
結論としては、本発明の方法によって得られた触媒1(図5−I)と、か焼工程を含んでなる先行技術の方法によって得られたオキシハイドライド(図5−II)とで、中性子拡散分析は異なる。
図6−1は、図5−Iの2つのINSスペクトル間の差を示す(図5−Iの実線で描かれた曲線から図5−Iの点線で描かれた曲線を差し引いたもの)。図6−IIは、図5−IIの2つのINSスペクトル間の差を示す(図5−IIの実線で描かれた曲線から図5−IIの点線で描かれた曲線を差し引いたもの)。
図6はそれ故、水素存在下での処理の間に挿入され、次に酸素存在下での処理の間に反応して消失した、ハイドライドイオンの良好な可視化を提供する。それ故これらのハイドライドイオンは、490cm−1のかなり細いピークによって特徴づけられる。
本発明の方法による水素の製造
この実施例では、水素の製造は、そのNi/Ceモル比が0.5に等しくかつM/Ceモル比が0に等しいオキシハイドライド材料M1(触媒2)により触媒されて実施された。
実施例1.1−b)において上記で得られた通りの乾燥化合物2、0.03gを、石英反応器内に設置した。この材料を次に、水素を用いてin situで、250℃で10時間処理して、対応するオキシハイドライド材料M1(触媒2)を生成した。
水及びエタノールの混合物を、3/1の水/エタノールモル比で調製した。
得られた混合物を、予熱チャンバ内で、エタノール/水素/窒素ガス混合物に対し約15mol%のエタノールが使用されるように窒素流中で加熱及び気化させた。
次いで触媒2を含有する反応器に、160℃において、60ml/分の全ガス流量を用いて、エタノール/水/窒素混合物のガス状流を満たした。次に酸素を、60ml/分の全ガス流量を用いて、エタノール/水/酸素/窒素ガス混合物が1/3/1.6/1.3であるように、反応器内へ供給した。炉温を、酸素の投入後2−3分間にわたって維持し、次に50℃に低下させた。
測定された反応温度は、反応器内部で335℃であり、大半はハイドライドイオンと酸素との間の反応性に起因する。
反応は、少なくとも75時間にわたり安定であった。
ガスは、反応器出口においてインラインで、ガスクロマトグラフィーにより、実施例2において上記に示した通り分析された。
データは、時間の関数として収集され、添付の図7に記録されており、これにおいてエタノール変換率(mol%、黒の菱形)と、生成されかつインラインで分析された種々のガス種の分布(mol%)とが、時間の関数として表され(h)、白の菱形はHに、白丸はCOに、黒丸はCOに、白の三角形はCHに、そして白の四角形はアセトアルデヒドCHCHOに相当する。
エタノール及び酸素の完全な変換が観察された。
添付の図7は、反応が安定した様式で生じること、及び高比率で水素化合物が得られることを示す。
生成産物はガス状であり、37mol%のH、41mol%のCO、及び20mol%のCOを含んでなる。
非常に少量のメタン及びアセトアルデヒドが存在する(CH+CHCHO≦1.7%)。
75時間の反応後、か焼工程を受けたオキシハイドライドを用いたPirezら(同上)の論文に報告された63mg/ghという値に比較して、極めてわずかな炭素の生成(1.2mg/gh)が観察された。
本発明の方法による水素の製造
この実施例では、水素の製造は、そのNi/Ceモル比が0.25に等しくかつM/Ceモル比が0に等しいオキシハイドライド材料M1(触媒3)により触媒されて実施された。
実施例1.1−c)において上記で得られた通りの乾燥化合物3、0.03gを、石英反応器内に設置した。この材料を次に、水素を用いてin situで、250℃で10時間処理して、対応するオキシハイドライド材料M1(触媒3)を生成した。
水及びエタノールの混合物を、3/1の水/エタノールモル比で調製した。
得られた混合物を、予熱チャンバ内で、エタノール/水素/窒素ガス混合物に対し約15mol%のエタノールが使用されるように窒素流中で加熱及び気化させた。
次いで触媒3を含有する反応器に、256℃において、60ml/分の全ガス流量を用いて、エタノール/水/窒素混合物のガス状流を満たした。次に酸素を、60ml/分の全ガス流量を用いて、エタノール/水/酸素/窒素ガス混合物が1/3/1.6/1.3であるように、反応器内へ供給した。炉温を、酸素の投入後2−3分間にわたって維持し、次に50℃に低下させた。
測定された反応温度は、反応器内部で335℃であり、大半はハイドライドイオンと酸素との間の反応性に起因する。
反応は、少なくとも20時間にわたり安定であった。
ガスは、反応器出口においてインラインで、ガスクロマトグラフィーにより、実施例2において上記に示した通り分析された。
データは、時間の関数として収集され、添付の図8に記録されており、これにおいてエタノール変換率(mol%、黒の菱形)と、生成されかつインラインで分析された種々のガス種の分布(mol%)とが、時間の関数として表され(h)、白の菱形はHに、白丸はCOに、黒丸はCOに、白の三角形はCHに、そして白の四角形はアセトアルデヒドCHCHOに相当する。
エタノール及び酸素の完全な変換が観察された。
添付の図8は、反応が安定した様式で生じること、及び高比率で水素化合物が得られることを示す。
生成産物はガス状であり、34mol%のH、47mol%のCO、及び18mol%のCOを含んでなる。
非常に少量のメタン及びアセトアルデヒドが存在する(CH+CHCHO≦1.8%)。
20時間の反応後、か焼工程を受けたオキシハイドライドを用いたPirezら(同上)の論文に報告された63mg/ghという値に比較して、何ら炭素の生成は観察されなかった。

Claims (15)

  1. アルコール又はアルコール混合物の変換により、20℃から60℃までの範囲の温度で水素を製造するための方法であって、前記方法が、以下の工程:
    1)セリウム、ニッケル、酸素原子、水素原子、及び任意選択で、Al及びZrから選択される金属Mをベースとする、電気的に中性のオキシハイドライド材料M1を合成する第1の工程であって、前記材料において:
    i)Ni/Ceモル比が0.1から5まで変化し、
    ii)M/Ceモル比が0から1まで変化し、かつ
    iii)前記材料M1中に存在する水素原子の少なくとも一部が、ハイドライドイオンの形態であり、
    前記合成が1−i)から1−v)までのサブ工程:
    1−i)少なくとも1つのセリウム前駆体、少なくとも1つのニッケル前駆体、及び任意選択で少なくとも1つの金属M前駆体を含んでなる水溶液を調製する第1のサブ工程、
    1−ii)前記水溶液に少なくとも1つの沈殿剤を添加することにより、セリウム、ニッケル、及び任意選択で金属Mの前記前駆体を、セリウム、ニッケル、及び任意選択で金属Mの対応する水酸化物の形態で共沈させる第2のサブ工程、
    1−iii)前記水酸化物を濾過して、濾過された固体を得る第3のサブ工程、
    1−iv)サブ工程1−iii)において上記で得られた濾過固体を、40℃と150℃との間の温度で、1と24時間の間の時間にわたり乾燥させて、セリウム、ニッケル、酸素原子、水素原子、及び任意選択で金属Mをベースとする電気的に中性の固体材料M2を得る第4のサブ工程であり、ここで:
    i)金属M、及びモル比Ni/Ce及びM/Ceの定義は、オキシハイドライド材料M1に関するものと同じであり、
    ii)前記材料M2中に存在する水素原子の少なくとも一部は、酸素原子とともにヒドロキシル官能基を形成し、かつ
    iii)前記固体材料M2は、ハイドライドイオンが無く、及び
    1−v)先行工程において上記で得られた固体材料M2を水素の存在下に処理して、オキシハイドライド材料M1を得るための第5のサブ工程、
    において実施される、該第1の工程と、
    2)先行工程において上記で得られたオキシハイドライド材料M1を、20℃から60℃までの範囲の温度において、最初に少なくとも1種の低級アルコール、水、及び窒素を含んでなるガス混合物と、
    そして2番目に酸素と接触させる、第2の工程とを含んでなり、
    オキシハイドライド材料M1の合成工程がか焼のサブ工程を含まないことを特徴とする、
    前記方法。
  2. 前記セリウム前駆体が硝酸セリウム、酢酸セリウム、及び塩化セリウムから選択されるセリウム(III)塩であり、前記ニッケル前駆体が硝酸ニッケル、塩化ニッケル、及び硫酸ニッケルから選択されるニッケル(II)塩であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
  3. 前記水溶液中のセリウム前駆体及びニッケル前駆体の濃度が、独立して、0.1から1mol/lまで変化することを特徴とする、請求項1又は2に記載の方法。
  4. 前記沈殿剤が、トリエチルアミン、水酸化アンモニウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、及び炭酸ナトリウムから選択されることを特徴とする、請求項1から3のいずれか1項に記載の方法。
  5. 水素の存在下での固体材料M2の処理のサブ工程1−v)が、50℃から400℃までの温度で実施されることを特徴とする、請求項1から4のいずれか1項に記載の方法。
  6. 前記オキシハイドライド材料M1が、そのM/Ceモル比がゼロに等しく、かつNi/Ceモル比が0.3から1まで変化するものから選択されることを特徴とする、請求項1から5のいずれか1項に記載の方法。
  7. 前記アルコールがメタノール、エタノール、プロパン−1−オール、ブタン−1−オール、及びペンタン−1−オール、並びにバイオエタノールから選択されることを特徴とする、請求項1から6のいずれか1項に記載の方法。
  8. 前記の接触工程2)が、以下の順序:
    2−i)水/アルコール/窒素ガス混合物を、少なくとも130℃の温度において、先行工程1)で得られたオキシハイドライド材料M1を含んでなる反応器に投入すること、
    2−ii)前記反応器内に酸素を投入すること、及び少なくとも3分間の投入期間にわたり、温度を維持すること、次いで
    2−iii)60℃未満の温度まで温度を下げること、
    に従って実施されることを特徴とする、請求項1から7のいずれか1項に記載の方法。
  9. 順序2−i)の間に、前記水/アルコール/窒素ガス混合物が、160℃の温度において前記反応器内に投入されること、及び工程2−iii)の間に、温度が50℃の温度まで低下されることを特徴とする、請求項8に記載の方法。
  10. 開始時に前記反応器内へ供給される水/アルコール/窒素ガス混合物が、水/アルコール/窒素ガス混合物に対し15mol%のアルコールを含有することを特徴とする、請求項8又は9に記載の方法。
  11. 前記ガス混合物中の水/アルコールモル比が、1/2から13/1まで変化することを特徴とする、請求項1から10のいずれか1項に記載の方法。
  12. 前記水/アルコール/窒素/酸素ガス混合物の流量が10から100ml/分まで変化することを特徴とする、請求項1から11のいずれか1項に記載の方法。
  13. /アルコールモル比が、0.5/1から2.5/1まで変化することを特徴とする、請求項1から12のいずれか1項に記載の方法。
  14. そのアルコール/水/O/Nガス混合物のモル比が1/3/1.6/1.3である、アルコール/水/O/Nガス混合物が使用されることを特徴とする、請求項1から13のいずれか1項に記載の方法。
  15. 20℃から60℃までの範囲の温度で低級アルコールを水素に変換する反応のための方法であって、前記反応が請求項1から7のいずれか1項に定義された通りの方法の合成の工程1)を実施することにより得られるオキシハイドライド材料M1により触媒され、前記オキシハイドライド材料M1が電気的に中性であり、セリウム、ニッケル、酸素原子、水素原子、及び任意選択で、Al及びZrから選択される金属Mをベースとし、かつ前記材料において:
    i)Ni/Ceモル比が0.1から5まで変化し、
    ii)M/Ceモル比が0から1まで変化し、かつ
    iii)前記材料M1中に存在する水素原子の少なくとも一部が、ハイドライドイオンの形態である、該方法
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