JP6361536B2 - スイッチング素子の駆動装置 - Google Patents

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Description

本発明は、スイッチング素子のスイッチング動作で電力変換を行うスイッチング素子の駆動装置に関するものである。
例えば、直流電圧と交流電圧との間で電力変換を行う交流モータ用の電力変換回路として、電源線間に1相分につき上アーム用と下アーム用の一対のスイッチング素子が直列接続されて構成されたものが知られている。この種の電力変換回路では、上下アームのスイッチング素子が交互に駆動されることで、直流電圧と交流電圧との間で電力を変換する。
ところで、上アーム用と下アーム用の一対のスイッチング素子の双方がオン状態になると、直流電源を短絡する電流経路が形成されることによるデッドショートが生じる。このため、上アーム用の指令信号のオン期間と下アーム用の指令信号のオン期間との間にデッドタイムを設け、上アーム用と下アーム用の一対のスイッチング素子の双方が所定期間だけオフ状態になるようにして、デッドショートが生じることを抑制している。
また、スイッチング素子のオンオフの切り替えが実施される際にサージ電圧や電力損失が発生することが懸念される。そのため、サージ電圧や電力損失に影響する電力変換回路の電源電圧などのパラメータの値に基づいて、スイッチング素子のオンオフの切り替えが実施される際の切替速度を可変に設定している。これにより、スイッチング素子をサージ電圧から保護しつつ、電力損失の低減を図っている(特許文献1参照)。
特開2011−10441号公報
ところで、スイッチング素子の切替速度が変更されると、指令信号に設けられたデッドタイムに対して一対のスイッチング素子が実際に共にオフ状態となる実デッドタイムが変化する。このため、実デッドタイムが長期化することによる電力損失の増大及びトルク制御性の悪化や、実デッドタイムが消失することによるデッドショートの発生といった不都合が懸念される。そこで、電力損失の増大及びトルク制御性の悪化や、デッドショートの発生を抑制するための処置が必要となると考えられる。また、切替速度の設定機能や、それ以外にデッドタイムに関する補正機能等を実現する上では、信号の伝達処理や構成等が煩雑になることが懸念される。
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、所望とするデッドタイム補正機能を簡易に実現できるスイッチング素子の駆動装置を提供することにある。
本発明のスイッチング素子の駆動装置は、上アーム及び下アームに設けられ直列接続体をなす一対のスイッチング素子のオン及びオフを指令する指令信号であって、一対のスイッチング素子を共にオフ状態にするデッドタイムを含む指令信号を生成する制御部と、制御部にて生成された指令信号を入力し、該指令信号に基づいてスイッチング素子をオンオフさせる駆動部と、を備える。また、スイッチング素子のオン時及びオフ時の少なくとも一方の切替速度を可変に設定するための速度調整パラメータを取得する取得手段と、取得手段により取得した速度調整パラメータに基づいて、切替速度を可変に設定する速度設定手段と、取得手段により取得した速度調整パラメータ、及び速度設定手段により設定した切替速度のいずれかに基づいて、スイッチング素子がオン動作又はオフ動作を開始する際の開始タイミングを補正する補正手段と、を備え、制御部及び駆動部のいずれかに、取得手段、速度設定手段及び補正手段が設けられていることを特徴とする。
速度調整パラメータに基づいて、スイッチング素子の切替速度が可変に設定されるとともに、その切替速度の変化に対応して、オン動作又はオフ動作を開始する際の開始タイミングが補正される。この場合、切替速度が変化される場合であっても、一対のスイッチング素子が実際に共にオフ状態となる期間(実デッドタイム)を適正な期間に保持することができる。
また、制御部及び駆動部のいずれか一方に、速度調整パラメータを取得するパラメータ取得機能と、スイッチング素子の切替速度を設定する切替速度設定機能と、一対のスイッチング素子のオン動作とオフ動作を開始する際の開始タイミングを補正するデッドタイム補正機能とを持たせる構成とした。このため、デッドタイム補正機能を含む上記各機能を実現する場合において、その機能実現のために制御部と駆動部との間で信号の伝達が増大することを抑制することができる。これにより、上記3機能を具備するスイッチング素子の駆動装置を簡易に実現できることとなる。例えば、パラメータ取得機能と切替速度設定機能とを制御部と駆動部とのいずれかに備える場合に、その2機能を備える側に対して、新たにデッドタイム補正機能の追加を行えばよく、所望とするデッドタイム補正機能を簡易に実現できる。
実施形態におけるシステム構成図。 制御部及びドライブユニットの構成図。 デッドタイム補正の概要を示す図。 Vdcと遅延時間Tdとの関係を示す図。 デッドタイム補正の処理手順を示すフローチャート。 デッドタイム補正の態様を示すタイムチャート。 制御部及びドライブユニットの構成図。 Vcesatと遅延時間Tdとの関係を示す図。 デッドタイム補正の処理手順を示すフローチャート。
(第1実施形態)
以下、本発明を具体化した第1の実施形態を図面に基づいて説明する。本実施形態のスイッチング素子の駆動装置は、交流のモータジェネレータ(以下、モータと称する)を備える電力変換システムに適用される。
図1において、電力変換システム100は、モータ11、直流電源10、電力変換装置としてのコンバータ20及びインバータ30、制御部50、ドライブユニット25,60を備えて構成されている。モータ11は、3相同期型又は3相誘導型の回転機である。インバータ30はモータ11に接続されるとともに、コンバータ20を介して直流電源10に接続されている。コンバータ20とインバータ30との間には、インバータ30に印加される電源電圧Vdc(いわゆるシステム電圧)を平滑化する平滑コンデンサ22とVdcを検出する電圧検出部23が設けられている。モータ11とインバータ30との間には、インバータ30からモータ11へ出力される出力電流Ioutを検出する電流検出部31が設けられている。直流電源10は、高電圧電源であり、リチウムイオン電池、ニッケル水素電池などの充放電可能な二次電池、キャパシタなどが用いられる。制御部50及びドライブユニット60がスイッチング素子の駆動装置に相当する。
コンバータ20は、昇圧及び降圧が可能なDCDCコンバータであり、モータ11の力行時には、直流電源10からの電圧を昇圧して、インバータ30へ供給する。モータ11の回生時には、モータ11の発電により発生した電圧(直流電圧に変換後の電圧)を降圧して、直流電源10を充電する。詳しくは、コンバータ20は、リアクトル21、スイッチング素子Q1,Q2、ダイオードD1,D2を備えている。スイッチング素子Q1,Q2は直列接続されている。ダイオードD1,D2は、各スイッチング素子Q1,Q2に対して、エミッタ側からコレクタ側に電流を流すようにそれぞれ逆並列に接続されている。リアクトル21は、スイッチング素子Q1,Q2の間と、直流電源10に接続されている。
コンバータ20は、インバータ30に印加されるVdcを所定の電圧範囲で調整する。この場合、コンバータ20は、直流電源10の電圧を下限値として、その下限値から所定の電圧の上限値までインバータ30のVdcを調整する。
インバータ30は、U相アーム、V相アーム、W相アームを備えている。各相アームは、2つずつ直列接続されたスイッチング素子Q11〜Q16と、各スイッチング素子Q11〜Q16に対してそれぞれ逆並列に接続されたダイオードD11〜D16を備えて構成されている。
詳しくは、U相アームは、スイッチング素子Q11,Q14及びダイオードD11,D14を備えている。V相アームは、スイッチング素子Q12,Q15及びダイオードD12,D15を備えている。W相アームは、スイッチング素子Q13,Q16及びダイオードD13,D16を備えている。以上の構成において、インバータ30の各相アームの上アーム用と下アーム用との中間点は、それぞれモータ11に接続されている。
電力変換装置を構成する各スイッチング素子Q1,Q2,Q11〜Q16には、IGBT素子が用いられる。これ以外にも各スイッチング素子Q1,Q2,Q11〜Q16には、MOS−FET、バイポーラトランジスタ等を用いてもよい。
各スイッチング素子Q1,Q2,Q11〜Q16には、感温ダイオードよりなる温度検出部24が設けられており、温度検出部24は各スイッチング素子Q1,Q2,Q11〜Q16の素子温度Tを検出する。
制御部50は、低電圧バッテリ(図示略)を電源とし、CPU、ROM、RAM等からなるマイクロコンピュータを主体として構成されている。制御部50は、モータ11の制御量をその指令値に制御すべく、コンバータ20、インバータ30の各スイッチング素子Q1,Q2,Q11〜Q16をオンオフ制御するためのパルス状の指令信号を生成する。
本実施形態では、モータ11の制御量としてトルク指令値TRを使用する。制御部50は、トルク指令値TRを受け、VdcやIout等のモータ11の出力トルクを調整するためのトルク調整パラメータに基づいて、スイッチング素子Q1,Q2,Q11〜Q16のオンオフを制御するパルス状の指令信号を生成する。なお、トルク指令値TRは、車両の制御を統括する上位の制御装置(ECU)(図示略)から入力される。
また、上アームスイッチング素子Q11〜Q13と下アームスイッチング素子Q14〜Q16が共にオン状態になると、直流電源10を短絡する電流経路が形成されることによるデッドショートが生じる。このため、上アームスイッチング素子Q11〜Q13の指令信号のオン期間と下アームスイッチング素子Q14〜Q16の指令信号のオン期間との間にデッドタイムを設け、上下アームの一対のスイッチング素子Q11〜Q16の双方が所定期間だけオフ状態になるようにして、デッドショートが生じることを抑制している。
制御部50は、モータ11の駆動に際し、トルク調整パラメータに基づき、コンバータ20の各スイッチング素子Q1,Q2をオンオフさせるオンオフ比(例えばデューティ比)を算出し、指令信号を生成する。この指令信号に基づいてスイッチング素子Q1,Q2がオンオフされることによりVdcが制御される。
コンバータ20の各スイッチング素子Q1,Q2にはドライブユニット25がそれぞれ接続され、インバータ30の各スイッチング素子Q11〜Q16には、ドライブユニット60が接続されている。ドライブユニット25,60は、1チップ化された半導体集積回路や低電圧電源を備えて構成されており、制御部50から入力されたパルス状の指令信号から、各スイッチング素子Q1,Q2,Q11〜Q16のゲートを駆動するゲート駆動信号を生成したり、スイッチング素子Q1,Q2,Q11〜Q16の駆動状態を監視したりする。
各ドライブユニット25,60と制御部50との間の信号伝送は、インターフェース18を介して行われる。インターフェース18は、高電圧の直流電源10を備える高電圧システムと低電圧バッテリ(図示略)を備える低電圧システムとの間を電気的に絶縁することで、コンバータ20及びインバータ30に供給される高い駆動電圧(例えば数100V)から、制御部50を保護するためのものであり、例えば、光絶縁素子(フォトカプラ)などが使用される。
ここで、図2に、制御部50及びドライブユニット60の概略構成図を示す。なお、図2には、便宜上、スイッチング素子Q11に対する構成を例示するが、各スイッチング素子Q11〜Q16についても同様の構成を有している。
制御部50は、電圧検出部23からVdcを取得し、電流検出部31からIoutを取得する。そして、Vdc及びIoutに基づいて指令信号を生成する。また、制御部50は、温度検出部24から素子温度Tを入力し、素子温度Tに基づいて、出力電力を制限する。また、制御部50はメモリ51を備えている。メモリ51には、個々のスイッチング素子Q1,Q2,Q11〜Q16の特性のばらつき等が記憶されている。
ドライブユニット60は、ゲート駆動部61と過電流保護部62を備えている。ゲート駆動部61は、制御部50から入力されたパルス状の指令信号に基づいて、各スイッチング素子Q11〜Q16のオンオフを制御するゲート駆動信号を出力する。すなわち、ゲート駆動部61は、パルス状の指令信号のオン指令によりスイッチング素子Q11〜Q16の駆動電圧(ゲート電圧Vg)を上昇させ、指令信号のオフ指令によりスイッチング素子Q11〜Q16のVgを低下させるようにゲート駆動信号を出力する。
過電流保護部62は、スイッチング素子Q11〜Q16のコレクタエミッタ間電圧Vce(素子電圧)の飽和電圧Vcesat又はコレクタエミッタ間電流Ice(素子電流)を取得するとともに、Vcesatが所定の過電圧閾値以上であると判定された場合、又はIceが所定の過電流閾値以上であると判定された場合に、スイッチング素子Q11〜Q16を強制的にオフ状態に切り替える。これにより、短絡等に起因して過電流が生じる際に、いち早い対応が可能となる。
次に、制御部50が行う切替速度の設定について説明する。切替速度は、スイッチング素子Q11〜Q16のスイッチング動作の際に発生するサージ電圧や電力損失の値に相関するパラメータ(速度調整パラメータ)に基づいて設定される。本実施形態では、トルク調整パラメータであるVdcを速度調整パラメータとして用い、そのVdcに基づいて切替速度の設定が行われる構成とした。また、制御部50が切替速度の情報をドライブユニット60に出力することで、ドライブユニット60はその情報に基づいてVgの上昇速度又は低下速度を変化させ、切替速度を変更する。
切替速度はVdcが低いほど大きくなるように設定される。すなわち、切替速度が大きいほど、スイッチング素子Q11〜Q16のスイッチング動作の際に発生する電力損失は低減されるが、サージ電圧は増大する。この点、Vdcが低いときは、サージ電圧が増大しても、スイッチング素子Q11〜Q16を耐圧破壊に至らしめることはないため、切替速度を大きくし、電力損失が増大することを抑制する。なお、トルク調整パラメータであるIoutに基づいて切替速度の設定が行われる構成としてもよい。また、Vdc及びIoutに基づいて切替速度の設定が行われる構成でもよい。
ここで、スイッチング素子Q11〜Q16の切替速度が変更されると、指令信号に設けられたデッドタイムに対して上下アームの一対のスイッチング素子Q11〜Q16が実際に共にオフ状態となる実デッドタイムが変化し、実デッドタイムが長期化することによる電力損失の増大及びトルク制御性の悪化や、実デッドタイムが消失することによるデッドショートの発生といった不都合が懸念される。
このため、スイッチング素子Q11〜Q16のオン動作又はオフ動作を開始する際の開始タイミングを補正(デッドタイム補正)することにより、実デッドタイムが適正な期間に保持されるようする。
本実施形態では、切替速度の設定機能が加えられた制御部50に、さらにデッドタイム補正の機能を加える。この場合、制御部50は、速度調整パラメータとしてのVdcを用い、そのVdcに基づいて指令信号の立上がり又は立下がりタイミングを変更することによりデッドタイム補正を行う。この構成によれば、新規にハード構成を設ける必要がない上、制御部50とドライブユニット60との間での信号の伝達が増大することを抑制しつつ、切替速度の設定とデッドタイム補正が実現される。上記の構成に加えて、メモリ51に記憶されている個々のスイッチング素子Q11〜Q16の特性のばらつきを加味して、切替速度の設定やデッドタイム補正が行われるようにしてもよい。なお、Ioutに基づいてデッドタイム補正が行われる構成としてもよい。また、Vdc及びIoutに基づいてデッドタイム補正が行われる構成としてもよい。
図3を用いて、デッドタイム補正の概要を説明する。図3は、上下アームの一対のスイッチング素子Q11〜Q16において、一方がオンからオフに変化し、それに続いて他方がオフからオンに変化する際のスイッチング素子Q11〜Q16のIceの変化を示すタイムチャートである。図3(a)に、デッドタイム補正を実施しない場合を示し、図3(b)に、デッドタイム補正を実施する場合を示す。なお、スイッチング素子Q11〜Q16の切替速度はIceに応じたものとなっており、Iceが大きい場合に切替速度として小さい値が設定され(実線)、Iceが小さい場合に切替速度として大きい値が設定されるようになっている(一点鎖線)。なお、図3(a)では、指令信号の立下がりタイミングを同一とし、切替速度が小さい場合と大きい場合とでオフ時におけるIce減少開始のタイミングを同じにしている。また、指令信号の立上がりタイミングも同じにしているが、切替速度が小さい場合と大きい場合とでオン時におけるVgの上昇速度が相違することから、オン時のIceの上昇開始のタイミングを異ならせている。
図3(a)に示すように、デッドタイム補正を実施しない場合には、切替速度が小さければ実デッドタイムがD1となり、切替速度が大きければ実デッドタイムがD2となる。このとき、切替速度が小さい場合にデッドショートが生じないようにすべく、切替速度が小さい場合を基準に指令信号のデッドタイムが規定されており、切替速度が大きい場合には意図せず実デッドタイムが大きくなってしまう。
これに対し、図3(b)に示すように、デッドタイム補正を実施する場合には、切替速度に基づく指令信号の補正により、実デッドタイムの調整が行われている。すなわち、切替速度が大きい場合には、指令信号の立上がりタイミングと立下がりタイミングを切替速度が小さい場合に対して遅らせることで、切替速度が大小異なっていても、実デッドタイムがいずれもD1となっている。このため、切替速度が大きい場合に意図せず実デッドタイムが大きくなることを抑制できるようになっている。
図4に、速度調整パラメータであるVdcに対する遅延時間Tdの関係を示す。遅延時間Tdは、Vdcが低いほど大きく設定される。すなわち、制御部50は、Vdcが低いほど切替速度を大きく設定するため、実デッドタイムが意図せず大きくなる。このため、制御部50は、Vdcが低いほど遅延時間Tdを大きく設定することで、切替速度が大きい場合であっても、切替速度が小さい場合の実デッドタイムに保持するようにしている。
次に、デッドタイムの補正処理について図5のフローチャートを用いて説明する。本処理は、スイッチング素子Q11〜Q16ごとに制御部50により所定周期で繰り返し実行される。
まず、ステップS11では、スイッチング素子Q11〜Q16のスイッチング制御に用いるパラメータとして、Vdc、Ioutを取得する。ステップS12では、Vdc、Ioutに基づいて指令信号を生成する。ステップS13では、速度調整パラメータであるVdcに基づいて切替速度を設定する。
ステップS14では、Vdcに基づいてデッドタイム補正の要否を判定する。このとき、Vdcが所定値以下であれば、デッドタイム補正を要すると判定する。ステップS14でNOであればステップS16に進む。ステップS14でYESであればステップS15に進む。ステップS15では、ステップS12で生成した指令信号に対して、Vdcに基づいてデッドタイム補正を実施する。このとき、Vdcに応じて遅延時間Tdを設定し、その遅延時間Tdにより指令信号の立上がり及び立下がりタイミングを補正する。なお、立上がりの遅延時間Tdと立下りの遅延時間Tdとは各々個別に設定される。ステップS16では、指令信号と切替速度とをドライブユニット60に出力する。この後、本処理を終了する。
次に、デッドタイム補正の態様について図6のタイミングチャートを用いて説明する。なお、図6には、切替速度が小さい場合を実線で示し、切替速度が大きい場合を一点鎖線で示している。
まず上アームスイッチング素子Q11〜Q13のオフ動作として、切替速度が小さい場合には、時刻t1で、上アーム用の指令信号の立下がりが生じる。その際、上アームスイッチング素子Q11〜Q13のVgが低下し始め、その後、ミラー期間を経てVgがさらに低下する。そして、時刻t3でVgがゲート電圧閾値Thを下回ることで、上アームスイッチング素子Q11〜Q13のIceが低下し始める。そしてその後、時刻t7でIceがゼロになる。
これに対し、切替速度が大きい場合には、時刻t1から遅延時間Tdが経過した時刻t2で、上アーム用の指令信号の立下がりが生じる。その際、上アームスイッチング素子Q11〜Q13のVgが低下し始め、その後、時刻t5でVgがゲート電圧閾値Thを下回ることで、上アームスイッチング素子Q11〜Q13のIceが低下し始める。そしてその後、切替速度が小さい場合と同様に時刻t7でIceがゼロになる。
また、下アームスイッチング素子Q14〜Q16のオン動作として、切替速度が小さい場合には、時刻t4で、下アーム用の指令信号が立ち上がりが生じる。その際、時刻t4で下アームスイッチング素子Q14〜Q16のVgが上昇し始め、その後、時刻t7でVgがゲート電圧閾値Thを上回ることで、下アームスイッチング素子Q14〜Q16のIceが上昇し始める。
これに対して、切替速度が大きい場合には、時刻t4から遅延時間Tdが経過した時刻t6で、下アーム用の指令信号の立上がりが生じる。その際、下アームスイッチング素子Q14〜Q16のVgが上昇し始め、その後、切替速度が小さい場合と同様に時刻t7でVgがゲート電圧閾値Thを上回ることで、下アームスイッチング素子Q14〜Q16のIceが上昇し始める。本実施形態では、上アームスイッチング素子Q11〜Q13のオフ動作が完了した直後に、下アームスイッチング素子Q14〜Q16のオン動作が開始するようにした。このため、上下アームの一対のスイッチング素子Q11〜Q16が実際に共にオフ状態となる実デッドタイムはゼロとなる。なお、実デッドタイムはゼロよりも大きい微小時間であってもよい。
上記動作では、切替速度が大小異なるものの、上アームスイッチング素子Q11〜Q13のIceがゼロになるまでのタイミングと、下アームスイッチング素子Q14〜Q16のIceが上昇し始めるタイミングがそれぞれ一定のまま保持される。そのため、実デッドタイムを所望の時間にすることができる。
以上、詳述した本実施形態によれば、以下の優れた効果が得られる。
Vdcに基づいて、スイッチング素子Q11〜Q16の切替速度が可変に設定されるとともに、その切替速度の変化に対応して、オン動作又はオフ動作を開始する際の開始タイミングが補正される。この場合、切替速度が変化される場合であっても、一対のスイッチング素子Q11〜Q16が実際に共にオフ状態となる期間(実デッドタイム)を適正な期間に保持することができる。
また、制御部50に、速度調整パラメータを取得するパラメータ取得機能と、スイッチング素子Q11〜Q16の切替速度を設定する切替速度の設定機能と、一対のスイッチング素子Q11〜Q16のオン動作とオフ動作を開始する際の開始タイミングを補正するデッドタイム補正機能とを持たせる構成とした。このため、デッドタイム補正機能を含む上記各機能を実現する場合において、その機能実現のために制御部50とドライブユニット60との間で信号の伝達が増大することを抑制することができる。これにより、上記3機能を具備するスイッチング素子Q11〜Q16の駆動装置を簡易に実現できることとなる。例えば、パラメータ取得機能と切替速度の設定機能を制御部50とドライブユニット60とのいずれかに備える場合に、その2機能を備える側に対して、新たにデッドタイム補正機能の追加を行えばよく、所望とするデッドタイム補正機能を簡易に実現できる。
制御部50においてVdc及びIoutに基づいて指令信号を生成する構成にあって、その指令信号を生成するハード構成を利用して切替速度の設定やデッドタイム補正の実施が可能となっている。そのため、デッドタイム補正を実施する上で、ハード構成の追加を要することはなくソフトウエアの追加のみでの対応が可能となる。
(第1実施形態の変形例)
・上記構成では、制御部50において、速度調整パラメータであるVdc又はIoutに基づいて切替速度の設定及びデッドタイム補正を実施する構成にしたが、これに代えて、速度調整パラメータであるVdc又はIoutに基づいて切替速度の設定を実施するとともに、その切替速度に基づいてデッドタイム補正を実施する構成にしてもよい。
・図2において、制御部50は、スイッチング素子Q11〜Q16の素子温度Tを温度検出部24から取得し、その素子温度Tに基づいて、スイッチング素子Q11〜Q16の出力電力を制限する電力制限処理を実施するものである。また、制御部50は、上記の素子温度Tの取得機能に加え、切替速度の設定機能及びデッドタイム補正機能を備えている。制御部50は、切替速度の設定機能として、速度調整パラメータとしての素子温度Tに基づいて切替速度を可変に設定し、デッドタイム補正機能として、素子温度T及び切替速度のいずれかに基づいて、スイッチング素子Q11〜Q16のオン動作又はオフ動作を開始する際の開始タイミングを補正する。
・図2において、ドライブユニット60は、スイッチング素子Q11〜Q16のコレクタエミッタ間電圧Vceの飽和電圧Vcesat又はコレクタエミッタ間電流Iceに基づいて過電流の有無を判定し、その判定結果に基づいて過電流保護を実施するものである。制御部50は、ドライブユニット60からVcesat又はIceを取得する取得機能を備えるとともに、切替速度の設定機能及びデッドタイム補正機能を備えている。制御部50は、切替速度の機能として、Vcesat又はIceに基づいて切替速度を可変に設定し、デッドタイム補正機能として、Vcesat又はIceと、切替速度とのいずれかに基づいて、スイッチング素子Q11〜Q16のオン動作又はオフ動作を開始する際の開始タイミングを補正する。
・ドライブユニット60において、スイッチング素子Q11〜Q16の素子温度Tを温度検出部24から取得し、その素子温度Tに基づいて、スイッチング素子Q11〜Q16の過熱保護を実施するようにしてもよい。この場合、制御部50は、ドライブユニット60から素子温度Tを取得する取得機能を備えるとともに、切替速度の設定機能及びデッドタイム補正機能を備えている。制御部50は、切替速度の設定機能として、速度調整パラメータとしての素子温度Tに基づいて切替速度を可変に設定し、デッドタイム補正機能として、素子温度T及び切替速度のいずれかに基づいて、スイッチング素子Q11〜Q16のオン動作又はオフ動作を開始する際の開始タイミングを補正する。
上記各構成によれば、制御部50又はドライブユニット60が備えているハード構成を利用して切替速度の設定やデッドタイム補正の実施が可能となっている。そのため、デッドタイム補正を実施する上で、ハード構成の追加を要することはなくソフトウエアの追加のみでの対応が可能となる。
(第2実施形態)
以下、第2の実施形態について、先の第1実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。この実施形態では、ドライブユニット60で、速度調整パラメータの取得と、切替速度の設定と、デッドタイム補正が行われる。
図7に、本実施形態における、制御部50及びドライブユニット60の構成図を示す。なお、図7には、便宜上、スイッチング素子Q11に対する構成を例示するが、各スイッチング素子Q11〜Q16についても同様の構成を有している。
制御部50は、Vdc及びIoutに基づいて指令信号を生成し、ドライブユニット60に出力する。ドライブユニット60は、ゲート駆動部61と過電流保護部62を備えていることに加えて、過熱保護部63と、切替速度設定部64と、デッドタイム補正部65を備えている。
過熱保護部63は、温度検出部24からスイッチング素子Q11〜Q16の素子温度Tを取得するとともに、素子温度Tが所定の過熱閾値以上であると判定されたときに、スイッチング素子Q11〜Q16を強制的にオフ状態に切り替えるものである。これにより、スイッチング素子Q11〜Q16が過熱状態になる際に、いち早い対応が可能となる。
切替速度設定部64では、過電流保護部62で用いるコレクタエミッタ間の飽和電圧Vcesatを利用し、Vcesatに基づいて切替速度の設定を実施する。つまり、速度調整パラメータとしてVcesatが用いられ、切替速度はVcesatが小さいほど大きくなるように設定される。なお、Vcesatは電源電圧Vdcに相当する値として用いられる。また、過電流保護部62で用いるコレクタエミッタ間電流Iceに基づいて切替速度の設定が行われる構成としてもよい。
デッドタイム補正部65では、切替速度設定部64と同様に、過電流保護部62で用いるVcesatを利用し、Vcesatに基づいてデッドタイム補正を実施する。このため、デッドタイム補正に関して、新規にハード構成を設ける必要がない上、制御部50とドライブユニット60との間での信号の伝達が増大することを抑制しつつ、切替速度の設定とデッドタイム補正が実現される。なお、過電流保護部62で用いるコレクタエミッタ間電流Iceに基づいてデッドタイム補正が行われる構成としてもよい。
ドライブユニット60に設けられたデッドタイム補正は、制御部50から入力した指令信号の立上がり又は立下がりに対して、スイッチング素子Q11〜Q16のオン動作又はオフ動作を開始するタイミングを遅延することにより行われる。
図8に、速度調整パラメータであるVcesatに対する遅延時間Tdの関係を示す。遅延時間Tdは、Vcesatが低いほど大きく設定される。すなわち、ドライブユニット60は、Vcesatが低いほど切替速度を大きく設定するため、実デッドタイムが意図せず大きくなる。このため、制御部50は、Vcesatが低いほど遅延時間Tdを大きく設定することで、切替速度が大きい場合であっても、切替速度が小さい場合の実デッドタイムに保持するようにしている。
次に、スイッチング動作を開始する際の遅延処理について図9のフローチャートを用いて説明する。本処理は、各スイッチング素子Q11〜Q16に設けられたドライブユニット60により実行される。なお、本実施形態にかかるドライブユニット60は、ハードウェアであるため、図9に示す処理は、実際にはロジック回路によって実行される。
まず、ステップS21では、スイッチング素子Q11〜Q16がオフ状態であるか否かを判定する。ステップS21でNOであれば本処理を終了し、ステップS21でYESであればステップS22に進む。
ステップS22では、Vcesatを取得する。ステップS23では、Vcesatに基づいて、オン動作開始時及びオフ動作開始時の遅延時間Tdをそれぞれ設定する。例えば、Vcesatに応じてあらかじめ定められた複数の遅延時間Tdのうちいずれかが選択される。
ステップS24では、指令信号がオフ指令からオン指令に切り替わる立上がりのタイミングであるか否かを判定する。ステップS24でNOであればそのまま待機し、ステップS24でYESであればステップS25に進む。ステップS25では、指令信号の立上がりに対して、ステップS23で設定されたオン動作側の遅延時間Tdだけオン動作を開始するタイミングを遅延させる。
ステップS26では、指令信号がオン指令からオフ指令に切り替わる立下がりのタイミングであるか否かを判定する。ステップS26でNOであればそのまま待機し、ステップS26でYESであればステップS27に進む。
ステップS27では、指令信号の立下がりに対して、ステップS23で設定されたオフ動作側の遅延時間Tdだけそのタイミングからオフ動作を開始するタイミングを遅延させる。この後、本処理を終了する。
本実施形態におけるデッドタイム補正によれば第1実施形態と同様に、切替速度が大きい場合と、切替速度が小さい場合とにおいて、同じタイミングでスイッチング素子Q11〜Q16のIceをゼロにすることができる。また、一対のスイッチング素子Q11〜Q16のうち他方がオンになる際も、同様に遅延処理をすることで、Iceが流れ始めるタイミングを合わせることができる。
以上説明した本実施形態によれば、過電流保護の機能が付与されたドライブユニット60のハード構成を利用して、ドライブユニット60は切替速度の設定やデッドタイム補正の実施が可能となっている。そのため、デッドタイム補正を実施する上で、ハード構成の追加を要することはなく、デッドタイム補正機能を含む所望の機能を簡易に実現できる。
(第2実施形態の変形例)
・上記構成では、ドライブユニット60において、速度調整パラメータであるVcesat又はIceに基づいて切替速度の設定及びデッドタイム補正を実施する構成にしたが、これに代えて、速度調整パラメータであるVcesat又はIceに基づいて切替速度の設定を実施するとともに、その切替速度に基づいてデッドタイム補正を実施する構成にしてもよい。
・図7において、ドライブユニット60は、スイッチング素子Q11〜Q16の素子温度Tを温度検出部24から取得し、素子温度Tに基づいて、スイッチング素子Q11〜Q16の過熱保護を実施するものである。また、ドライブユニット60は、上記の取得機能に加え、切替速度の設定機能及びデッドタイム補正機能を備えている。ドライブユニット60は、切替速度の設定機能として、速度調整パラメータとしての素子温度Tに基づいて切替速度を可変に設定し、デッドタイム補正機能として、素子温度T及び切替速度のいずれかに基づいて、スイッチング素子Q11〜Q16のオン動作又はオフ動作を開始する際の開始タイミングを補正する。
Q11〜Q16…スイッチング素子、50…制御部、60…ドライブユニット(駆動部)。

Claims (8)

  1. 上アーム及び下アームに設けられ直列接続体をなす一対のスイッチング素子(Q11〜Q16)のオン及びオフを指令する指令信号であって、前記一対のスイッチング素子を共にオフ状態にするデッドタイムを含む指令信号を生成する制御部(50)と、
    前記制御部にて生成された指令信号を入力し、該指令信号に基づいて前記スイッチング素子をオンオフさせる駆動部(60)と、
    を備えるスイッチング素子の駆動装置であって、
    前記スイッチング素子のオン時及びオフ時の少なくとも一方の切替速度を可変に設定するための速度調整パラメータを取得する取得手段と、
    前記取得手段により取得した速度調整パラメータに基づいて、前記切替速度を可変に設定する速度設定手段と、
    前記取得手段により取得した速度調整パラメータ、及び前記速度設定手段により設定した切替速度のいずれかに基づいて、前記スイッチング素子がオン動作又はオフ動作を開始する際の開始タイミングを補正する補正手段と、
    を備え、
    前記制御部及び前記駆動部のいずれかに、前記取得手段、前記速度設定手段及び前記補正手段が設けられていることを特徴とするスイッチング素子の駆動装置。
  2. 前記制御部は、前記一対のスイッチング素子に印加される電源電圧を電圧検出部(23)から取得し、その電源電圧に基づいて前記指令信号を生成するものである一方、前記取得手段、前記速度設定手段及び前記補正手段を備えており、
    前記取得手段は、前記電源電圧を前記速度調整パラメータとして取得し、
    前記速度設定手段は、前記電源電圧に基づいて前記切替速度を可変に設定し、
    前記補正手段は、前記電源電圧及び前記切替速度のいずれかに基づいて、前記開始タイミングを補正する請求項1に記載のスイッチング素子の駆動装置。
  3. 前記制御部は、前記一対のスイッチング素子のオンオフに応じて出力される出力電流を電流検出部(31)から取得し、その出力電流に基づいて前記指令信号を生成するものである一方、前記取得手段、前記速度設定手段及び前記補正手段を備えており、
    前記取得手段は、前記出力電流を前記速度調整パラメータとして取得し、
    前記速度設定手段は、前記出力電流に基づいて前記切替速度を可変に設定し、
    前記補正手段は、前記出力電流及び前記切替速度のいずれかに基づいて、前記開始タイミングを補正する請求項1又は2に記載のスイッチング素子の駆動装置。
  4. 前記制御部は、前記スイッチング素子の温度を温度検出部(24)から取得し、その素子温度に基づいて、前記スイッチング素子の出力電力を制限する電力制限処理を実施するものである一方、前記取得手段、前記速度設定手段及び前記補正手段を備えており、
    前記取得手段は、前記素子温度を前記速度調整パラメータとして取得し、
    前記速度設定手段は、前記素子温度に基づいて前記切替速度を可変に設定し、
    前記補正手段は、前記素子温度及び前記切替速度のいずれかに基づいて、前記開始タイミングを補正する請求項1乃至3のいずれか1項に記載のスイッチング素子の駆動装置。
  5. 前記駆動部は、前記スイッチング素子の温度を温度検出部(24)から取得し、その素子温度に基づいて、前記スイッチング素子の過熱保護を実施するものであり、
    前記制御部は、前記取得手段、前記速度設定手段及び前記補正手段を備えており、
    前記取得手段は、前記駆動部から前記素子温度を前記速度調整パラメータとして取得し、
    前記速度設定手段は、前記素子温度に基づいて前記切替速度を可変に設定し、
    前記補正手段は、前記素子温度及び前記切替速度のいずれかに基づいて、前記開始タイミングを補正する請求項1乃至3のいずれか1項に記載のスイッチング素子の駆動装置。
  6. 前記駆動部は、前記スイッチング素子に印加される素子電圧又は前記スイッチング素子に流れる素子電流に基づいて過電流の有無を判定し、その判定結果に基づいて過電流保護を実施するものであり、
    前記制御部は、前記取得手段、前記速度設定手段及び前記補正手段を備えており、
    前記取得手段は、前記駆動部から前記素子電圧又は前記素子電流を前記速度調整パラメータとして取得し、
    前記速度設定手段は、前記素子電圧又は前記素子電流に基づいて前記切替速度を可変に設定し、
    前記補正手段は、前記素子電圧又は前記素子電流と、前記切替速度とのいずれかに基づいて、前記開始タイミングを補正する請求項1乃至5のいずれか1項に記載のスイッチング素子の駆動装置。
  7. 前記駆動部は、前記スイッチング素子に印加される素子電圧又は前記スイッチング素子に流れる素子電流に基づいて過電流の有無を判定し、その判定結果に基づいて過電流保護を実施するものである一方、前記取得手段、前記速度設定手段及び前記補正手段を備えており、
    前記取得手段は、前記素子電圧又は前記素子電流を前記速度調整パラメータとして取得し、
    前記速度設定手段は、前記素子電圧又は前記素子電流に基づいて前記切替速度を可変に設定し、
    前記補正手段は、前記素子電圧又は前記素子電流と、前記切替速度とのいずれかに基づいて、前記開始タイミングを補正する請求項1に記載のスイッチング素子の駆動装置。
  8. 前記駆動部は、前記スイッチング素子の温度を温度検出部(24)から取得し、その素子温度に基づいて、前記スイッチング素子の過熱保護を実施するものである一方、前記取得手段、前記速度設定手段及び前記補正手段を備えており、
    前記取得手段は、前記素子温度を前記速度調整パラメータとして取得し、
    前記速度設定手段は、前記素子温度に基づいて前記切替速度を可変に設定し、
    前記補正手段は、前記素子温度及び前記切替速度のいずれかに基づいて、前記開始タイミングを補正する請求項1又は7に記載のスイッチング素子の駆動装置。
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