JP6353398B2 - 光変調回路 - Google Patents
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Description
図1は、第1の実施形態における光変調回路100の構成例を示す図である。なお、図1では、簡略化のため、信号電極のみを示し、グランド電極は省略している。
以下、本発明の第2の実施形態である光変調回路200について説明する。この光変調回路200は、前述の光直交合成部140に代えて、直交偏波結合回路としての光直交合成部240を備える。光直交合成部240以外の構成は、図1に示した構成と同様である。
マッハツェンダ変調部210は、本実施形態においても、方向性結合器211,212を用いた2入力2出力のクロス・バースイッチ型構成となっており、第1の入力ポート215と、第2の入力ポート216と、第1の出力ポート217と、第2の出力ポート218とを備える。第1の出力ポート217は、光分岐部220に接続され、第2の出力ポート218は、後述する光直交合成部240に接続される。また、マッハツェンダ変調部210は、進行波型の変調電極213と、集中定数型のDCバイアス電極214とを備える。このDCバイアス電極214へのバイアス電圧によって、駆動信号電圧がゼロの状態において、マッハツェンダ変調部210のアーム間の位相差がπとなるよう調整可能となっている。終端器250は、変調電極213と接続され、変調電極213を伝搬するデータ信号d3の反射を防止するようになっている。
光変調回路200は、前述の光直交合成部140に代えて、直交偏波合成部240を備える。図5の例では、直交偏波合成部240は、偏波回転部243と、偏波ビームコンバイナ244とを備える。この場合、光直交合成部240の第1の入力ポート241及び第2の入力ポート242に入力される光信号が互いに直交する偏波状態で合成され、メイン出力ポート202から出力光信号d2が出力される。
上記各実施形態の光変調回路100,200により得られる効果は、当該光変調回路を形成する材料に依存しないため、材料について特に言及しなかったが、様々な材料によって実施することができる。例えば、かかる光変調回路100,200を形成する材料としては、(i)電気光学(Electro−Optic:EO)効果の一種であるポッケルス効果を有する多元系酸化物結晶(LiNbO3(LN)やKTa1-xNbxO3、K1-yLiyTa1-xNbxO3など)、(ii)ポッケルス効果及び量子閉じ込めシュタルク効果(Quantum Confined Stark Effect:QCSE)による屈折率変調が可能なGaAs系またはInP系の化合物半導体、(iii)クロモフォアなどのEO効果を有するポリマなどを用いることができる。
さらに、複雑な構成の光変調回路を低損失に作製するため、上記各実施形態の光変調回路100,200は、変形例1で説明した材料基板と石英系平面光波回路(PLC:Planar Lightwave Circuit)との異種基板接合型構成を用いてもよい。
上記各実施形態のマッハツェンダ変調部110,210の変調電極113,213は、シングルエンド型の場合について説明したが、差動型電極の場合でも、マッハツェンダ変調部110,210の応答特性は、上述した各実施形態で示した数式と同一の数式に帰着することになるため、電極配置の選択は、上記各実施形態の効果に影響を及ぼすものではない。すなわち、上記各実施形態のマッハツェンダ変調部110,210の変調電極113,213は、シングルエンド型または差動型のいずれにしても、上記各実施形態の効果を同様に得ることができる。一般に、プッシュプル駆動型マッハツェンダ変調回路における変調電極の配置は、基板の種類や結晶軸方向等に依存することが知られている。例えば、一般に、Xカット型のLN基板を用いる場合はシングルエンド型を採用し、Zカット型のLN基板を用いる場合は差動型を採用する(但し、Zカット型の場合も、分極反転を用いることでシングルエンド型とすることができる)。
上記各実施形態において、マッハツェンダ変調部110,210の両アームの光路長について言及しなかったが、全て等長設計である。実際には、プロセスエラーやDCドリフト等により光路長のズレが生じるが、一般にそのようなズレは、DCバイアスの調整より補償される。補償量は、材料や製造条件、変調器の使用環境等によって様々に異なるため、一意に定まるものではない。このため、上述した各実施形態において、DCバイアスにより付与されるアーム間位相差の値には、光路長補償分は、含まないものとする。
以上では、説明の容易のため、理想的な光回路であること想定して説明したが、実際には、導波路伝搬損失やカプラの過剰損失が存在するため、例えば第1の実施形態では、光直交合成部140において、第2の入力ポート142への入力信号は、第1の入力ポート141への入力信号に比べ帰還光路130およびマッハツェンダ変調部110を1回多く通過する分だけ大きな過剰損失を受けるため光強度が弱くなる。このため実際には、(1)光分岐部120において、第1の出力ポート121側への透過率が第2の出力ポート122への透過率に対し大きくなるよう、光分岐部120の分岐比を非対称に設計すること、(2)光直交合成部140において、第2の入力ポート142からメイン出力ポート102への透過率を第1の入力ポート141からメイン出力ポート102への透過率に対し大きくなるよう、光直交合成部140の結合比を非対称に設計すること、(3)光分岐部120の第2の出力ポート122と光直交合成部140の第1の入力ポート141との間に光減衰部を設けること、等により上記過剰損失分を補償するようにしてもよい。
110,210 マッハツェンダ変調部
120,220 光分岐部
130,230 帰還光路
140,240 直交偏波合成部
115,215 マッハツェンダ変調部の第1の入力ポート
116,216 マッハツェンダ変調部の第2の入力ポート
Claims (4)
- データ信号に応じて駆動する2入力2出力の1つのマッハツェンダ変調部と、
前記マッハツェンダ変調部の1本の出力に光学的に接続された1入力2出力の光分岐部と、
前記光分岐部の第1の出力ポートと前記マッハツェンダ変調部の第2の入力ポートとに光学的に接続され、前記第1の出力ポートからの光信号を前記第2の入力ポートに帰還させるための帰還光路と、
前記光分岐部の第2の出力ポートからの光信号と、前記マッハツェンダ変調部の第2の出力ポートからの光信号とを結合させる合成部と
を含み、
前記マッハツェンダ変調部の第1の入力ポートから、前記光分岐部の第1の出力ポートおよび前記帰還光路を介して、前記マッハツェンダ変調部の前記第2の入力ポートに至るまでの光路を伝搬する光信号の遅延時間は、前記データ信号のシンボル時間の自然数倍であることを特徴とする光変調回路。 - 前記マッハツェンダ変調部は、前記シンボル時間において、前記遅延時間が付与される光信号がクロス経由で透過するように調整されていることを特徴とする請求項1に記載の光変調回路。
- 前記合成部における前記光分岐部の第2の出力ポートからの光信号は、n番目(nは自然数)の前記データ信号のデータ値に対応するBPSK信号であり、
前記合成部における前記マッハツェンダ変調部の第2の出力ポートからの光信号は、n番目(nは自然数)の前記データ信号のデータ値と、n−m番目(mは自然数)の前記データ信号のデータ値との論理的排他値に対応するBPSK信号であることを特徴とする請求項1または2に記載の光変調回路。 - 前記合成部は、2つの前記光信号を同一の偏波状態または直交する偏波状態で合成するように構成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の光変調回路。
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