JP6342653B2 - ヒータおよびこれを備えたグロープラグ - Google Patents

ヒータおよびこれを備えたグロープラグ Download PDF

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本発明は、例えば燃焼式車載暖房装置における点火用または炎検知用のヒータ、石油ファンヒータ等の各種燃焼機器の点火用のヒータ、自動車エンジンのグロープラグ用のヒータ、酸素センサ等の各種センサ用のヒータ、測定機器の加熱用のヒータ等に利用されるヒータおよびこれを備えたグロープラグに関するものである。
グロープラグに用いられるセラミックヒータは、導体を構成する導電性セラミックスと、セラミック体を構成する絶縁性セラミックスとで構成されているものが知られている。この導体は、棒状のセラミック体に埋設されており、発熱抵抗体とリードとで構成されている。従来の発熱抵抗体の一般的な形状は、セラミック体の基端(後端)部から延びて先端部で折り返し、再び基端部へ戻るU字状等の形状であった。
特公平5−28478号公報
近年、より急速に昇温できるヒータが要求されている。このような要求として、例えばエンジンの始動時に急速に昇温させるということがあり、そのためには発熱抵抗体に大電流を流す必要がある。しかしながら、発熱抵抗体に大電流を流した場合には、その一部が局所的に発熱してしまう結果、ヒータの温度分布が不均一になってしまうという問題点があった。
本発明は上記の問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、発熱抵抗体に大電流を流した場合にも、ヒータの温度分布を均一に制御することが可能な、高い信頼性および耐久性を有するヒータおよびこれを備えたグロープラグを提供することにある。
中心軸を有する棒状のセラミック体と、該セラミック体に前記中心軸に沿って埋設された発熱抵抗体と、該発熱抵抗体の端部のそれぞれに接続されるとともに、該端部から前記セラミック体の後端に向かって伸びる一対のリードとを備え、該発熱抵抗体は、それぞれ
前記セラミック体の前記中心軸に沿って伸びて前記セラミック体の先端側において接続された第1らせん部と第2らせん部とから成り、前記第1らせん部の軸と前記第2らせん部の軸とが重なっているとともに、前記第1らせん部と前記第2らせん部とは、前記第1らせん部と前記第2らせん部との重なっている軸に対して線対称の関係にあり、前記一対のリードは、前記第1らせん部に接続された第1のらせん状部と前記第2らせん部に接続された第2のらせん状部とを有し、前記第1のらせん状部の軸と前記第2のらせん状部の軸とが重なっているとともに、前記第1らせん状部と前記第2らせん状部とは、前記第1らせん状部と前記第2らせん状部との重なっている軸に対して線対称の関係にあることを特徴とするものである。
また、本発明のヒータは、上記の構成において、前記発熱抵抗体は、前記第1らせん部と前記第2らせん部との接続部が前記中心軸上に位置しているとともに、前記接続部に前記セラミック体の先端側に向かう凸部を有しており、該凸部の全体が前記セラミック体に埋設されていることを特徴とするものである。
また、本発明のヒータは、上記の構成において、前記凸部が前記中心軸に重なって出ていることを特徴とするものである。
また、本発明のグロープラグは、上記のいずれかの構成のヒータと、該ヒータの後端側に取り付けられた筒状の金属部材とを備えていることを特徴とするものである。
本発明のヒータによれば、発熱抵抗体がセラミック体の中心軸に沿って伸びてセラミック体の先端側において接続された第1らせん部と第2らせん部とから成り、第1らせん部の軸と第2らせん部の軸とが重なっているとともに、この重なっている軸に対して第1らせん部と第2らせん部とが線対称の関係にある。このように、発熱抵抗体を全体として対称ならせん形状にすることで、これに応じてセラミック体の高温部の分布がらせん状になる。セラミック体の高温部の分布がらせん状になっていると、高温部と低温部とが交互に配置され、かつそれら高温部と低温部との間隔が短くなるため、セラミック体の高温部から低温部へ熱が移動しやすくなる。その結果、発熱抵抗体に大電流を流した場合にその一部が局所的に発熱したとしても、高温部と低温部との温度差をより小さくすることができるため、ヒータの温度分布が均一になるように制御することが可能となる。これによって、高い信頼性および耐久性を有するヒータを提供することができる。
また、本発明のグロープラグによれば、上記のヒータと、このヒータの後端側に取り付けられた筒状の金属部材を備えていることから、発熱抵抗体に大電流を流した場合にもヒータの温度分布が均一になるように制御することが可能なものとなる。
本発明のヒータの実施形態の一例を示す概略透視上面図である。 (a)は図1におけるA領域を示す概略透視部分上面図であり、(b)は(a)に示す断面i〜iiiにおける断面図である。 (a)は図2(a)と同様の概略透視部分上面図であり、(b)は(a)に示す断面i〜ivにおける断面図である。 (a)は図2(a)と同様の概略透視部分上面図であり、(b)は(a)に示す断面i〜ivにおける断面図である。 本発明のグロープラグの実施形態の一例を示す、一部を断面で示した概略透視上面図である。
以下、本発明の実施形態に係るヒータについて、図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明のヒータの実施形態の一例を示す概略透視上面図である。図1に示すように、このヒータ10は、中心軸Cを有する棒状のセラミック体1と、セラミック体1に中心軸Cに沿って埋設された発熱抵抗体2とを備えている。発熱抵抗体2は、それぞれセラミック体1の中心軸Cに沿って伸びてセラミック体1の先端側において接続された第1らせん部2aと第2らせん部2bとから成り、第1らせん部2aの軸と第2らせん部2bの軸とが重なっているとともに、この重なっている軸に対して第1らせん部2aの軸と第2らせん部2bが線対称の関係にある。発熱抵抗体2を第1らせん部2aと第2らせん部2bとを組み合わせて全体としてもらせん形状にすることで、これに応じてセラミック体1の高温部の分布がらせん状になる。セラミック体1の高温部の分布がらせん状になっていると、高温部と低温部とが交互に配置され、かつそれら高温部と低温部との間隔が短くなるため、セラミック体1において高温部から低温部へ熱が移動しやすくなる。その結果、発熱抵抗体2に大電流を流した場合にその一部が局所的に発熱したとしても、セラミック体1において高温部と低温部の温度差を従来よりも小さくすることができるため、ヒータ10の温度分布が均一になるように制御することが可能となる。
本実施形態のヒータ10におけるセラミック体1は、中心軸Cを有する棒状に形成されたものである。このセラミック体1には発熱抵抗体2およびリード3が埋設されている。ここで、本例におけるセラミック体1はセラミックスから成る。これにより急速昇温時の信頼性が高いヒータ10を提供することが可能になる。具体的には、本例におけるセラミ
ック体1は、酸化物セラミックス,窒化物セラミックスまたは炭化物セラミックス等の電気的な絶縁性を有するセラミックスから成る。特に、セラミック体1は、窒化珪素質セラミックスから成ることが好適である。窒化珪素質セラミックスは、主成分である窒化珪素が高強度、高靱性、高絶縁性および耐熱性の観点で優れているからである。窒化珪素質セラミックスから成るセラミック体1は、例えば、主成分の窒化珪素に対して、焼結助剤として3〜12質量%のY,YbまたはEr等の希土類元素酸化物および0.5〜3質量%のAlを加え、さらに焼結体に含まれるSiO量が1.5〜5質量%となるようにSiOを混合し、所定の形状に成形し、その後、1650〜1780℃でホットプレス焼成することによって得ることができる。
セラミック体1は、中心軸Cを有する棒状、例えば丸棒状あるいは角棒状等のものであり、その長さが例えば20〜50mmに形成され、丸棒状の場合にはその直径が例えば3〜5mmに形成される。
なお、セラミック体1として窒化珪素質セラミックスから成るものを用いる場合は、原料にMoSiO,WSi等を混合して分散させることが好ましい。この場合には、母材である窒化珪素質セラミックスの熱膨張率を発熱抵抗体2の熱膨張率に近付けることができ、ヒータ10の耐久性を向上させることができる。
発熱抵抗体2は、セラミック体1中に中心軸Cに沿って伸びるように配置されて埋設されている。本例のヒータ10において発熱抵抗体2は、それぞれセラミック体1の中心軸Cに沿って伸びてセラミック体1の先端側において接続された第1らせん部2aと第2らせん部2bとから成る。そして、第1らせん部2aの軸と第2らせん部2bの軸とが重なっているとともに、この重なっている軸に対して第1らせん部2aと第2らせん部2bとが線対称の関係にある。この関係の概略を図1および図2に示している。
図2(a)はセラミック体1の先端側の部分である図1におけるA領域を拡大して示す概略透視部分上面図であり、先端側を図の左側にして後端側の図示を省略している。第1らせん部2aと第2らせん部2bとは、それぞれ中心軸Cの周りにらせん状に配置されていることから、図2(a)においては発熱抵抗体2のうち先端側から第1らせん部2aは図における下側を、第2らせん部2bは図における上側を通り、途中で交差して見える所からは第1らせん部2aは図における上側を、第2らせん部2bは図における下側を通って描かれている。また図2(b)は、発熱抵抗体2がらせん状に配置されている様子を示している。
図2(b)は、図2(a)に示す断面i〜iiiにおける断面図であり、それぞれセラミ
ック体1の後端側から先端側を見たときの断面を、セラミック体1の左右を図における左右として示している。断面iにおいては、第1らせん部2aと第2らせん部2bとが左右に並んで配置されている。そこから少し後端側に移動した断面iiにおいては、第1らせん部2aが左上に移動し、第2らせん部2bが右下に移動して配置されている。そこからさらに少し後端側に移動した断面iiiにおいては、第1らせん部2aが上側に移動し、第2
らせん部2bが下側に移動して配置されている。このように、第1らせん部2aと第2らせん部2bとがセラミック体1の中心軸Cに沿ってその周りにらせん状に伸びて配置されていることによって、発熱抵抗体2が全体として対称ならせん形状になっている。
なお、本例においては第1らせん部2aの軸と第2らせん部2bの軸とは重なって中心軸Cに一致しているが、両者が重なっている軸は、ヒータ10に要求される仕様に応じて中心軸Cからずれていてもよい。また、第1らせん部2aと第2らせん部2bとの接続部はセラミック体1の先端側に位置しているが、その位置は先端側において適宜に設定してよい。
発熱抵抗体2の形成材料としては、W,MoまたはTiなどの炭化物,窒化物または珪化物などを主成分とするものを使用することができる。セラミック体1が窒化珪素質セラミックスから成る場合には、セラミック体1との熱膨張率の差が小さい点、高い耐熱性を有する点および比抵抗が小さい点で、上記の材料の中でも炭化タングステン(WC)が発熱抵抗体2の材料として優れている。さらに、セラミック体1が窒化珪素質セラミックスからなる場合には、発熱抵抗体2は、無機導電体のWCを主成分とし、これに窒化珪素を20質量%以上の含有率で添加したものが好ましい。例えば、窒化珪素質セラミックスから成るセラミック体1中において、発熱抵抗体2となる導体成分は窒化珪素と比較して熱膨張率が大きいため、通常は引張応力が加わった状態にある。これに対して、発熱抵抗体2中に窒化珪素を添加することにより、熱膨張率をセラミック体1のそれに近付けて、ヒータ10の昇温時および降温時におけるセラミック体1と発熱抵抗体2との熱膨張率の差による熱応力を緩和することができる。また、発熱抵抗体2に含まれる窒化珪素の含有量が40質量%以下であるときには、発熱抵抗体2の抵抗値を比較的小さくして安定させることができる。従って、発熱抵抗体2に含まれる窒化珪素の含有量は20質量%〜40質量%であることが好ましい。より好ましくは、窒化珪素の含有量は25質量%〜35質量%がよい。また、発熱抵抗体2への同様の添加物として、窒化珪素の代わりに窒化硼素を4質量%〜12質量%添加することもできる。
発熱抵抗体2は断面形状が図2に示すような楕円形状の他に円形状あるいは三角形状、四角形状などの多角形状でもよく、その太さは、例えば0.5〜2mmである。発熱抵抗体2の長さは、らせん形状の長さが例えば4〜8mmであり、抵抗体自体の全体の長さが例えば6〜10mmである。さらに、第1らせん部2aおよび第2らせん部2bのらせんの径は例えば5〜8mmであり、らせんのピッチ(リードともいう、1回転で進む長さ)は例えば1〜2mmである。
セラミック体1には発熱抵抗体2と同様にリード3が埋設されている。リード3は、発熱抵抗体2の後端に接続されるとともにセラミック体1の後端側に伸びてセラミック体1の表面に設けられた端子部に通じている。具体的には、発熱抵抗体2の第1らせん部2aおよび第2らせん部2bの後端にそれぞれリード3が接合されていて、一方のリード3はセラミック体1の後端寄りの側面に設けられた端子部に導出され、他方のリード3はセラミック体1の後端の中央に設けられた端子部に導出されている。
本例においては、リード3についても発熱抵抗体2と同様に、それぞれセラミック体1の中心軸Cに沿って伸びている、セラミック体1の先端側において第1らせん部2aに接続された第1のらせん状部と第2らせん部2bに接続された第2のらせん状部とから成り、セラミック体1の側面の端子部と後端の端子部とに引き出されるところまでが、これら第1のらせん状部の軸と第2のらせん状部の軸とが重なっているとともに、この重なっている軸に対して第1のらせん状部と第2のらせん状部とが線対称の関係にあるものとなっている。このようにリード3が発熱抵抗体2と同様に全体として対称ならせん形状になっていると、発熱抵抗体2から端子部までのリード3自体の長さが長くなるので、端子部の温度が低くなり、端子部に対する熱によるダメージを低減することができる。
なお、リード3は、発熱抵抗体2との接続部からそれぞれ直線状にセラミック体1の後端側に伸びて、そのまま後端の端子部に接続され、また途中で曲がって側面の端子部に接続されているものであってもよい。
このリード3は、発熱抵抗体2と同様の材料を用いて形成される。リード3は、例えば、発熱抵抗体2よりも断面積を大きくしたり、セラミック体1の形成材料の含有率を発熱抵抗体2よりも少なくしたりすることによって、単位長さ当たりの抵抗値が低くなってい
る。特に、WCが、セラミック体1との熱膨張率の差が小さい点、高い耐熱性を有する点および比抵抗が小さい点で、リード3の材料として好適である。また、リード3は無機導電体であるWCを主成分とし、これに窒化珪素を含有量が15質量%以上となるように添加することが好ましい。窒化珪素の含有量を増すにつれてリード3の熱膨張率をセラミック体1を構成する窒化珪素の熱膨張率に近付けることができる。また、窒化珪素の含有量が40質量%以下であるときには、リード3の抵抗値が小さくなるとともに安定する。従って、リード3における窒化珪素の含有量は15質量%〜40質量%が好ましい。より好ましくは、窒化珪素の含有量は20質量%〜35質量%とするのがよい。
また、リード3の断面形状および太さは発熱抵抗体2と同様でよいが、ヒータ10に要求される仕様に応じてこれらを発熱抵抗体2と異ならせていてもよい。らせん形状にする場合のらせんの寸法も、発熱抵抗体2と同様でよいが、異ならせていてもよい。長さはセラミック体1の内部において必要な長さに適宜設定すればよい。
次に、図3は、本発明のヒータの実施形態の他の例であるヒータ20を示す図2と同様の図である。図3(a)は図2(a)と同様の概略透視部分上面図であって、本例のヒータ20の構成はヒータ10と基本的に同じである。図3(b)も図2(b)と同様の断面図であるが、図3(a)に示す断面i〜iii(図2(a)に示す断面i〜iiiと同様である)に加えて、断面ivにおける断面図も示している。
図3に示すヒータ20は、ヒータ10とは異なる点として、発熱抵抗体2は、第1らせん部2aと第2らせん部2bとの接続部がセラミック体1の中心軸C上に位置しているとともに、この接続部にセラミック体1の先端側に向かう凸部4を有している。発熱抵抗体2における第1らせん部2aと第2らせん部2bとの接続部は、発熱抵抗体2の折り返し部となる部分であり、この接続部がセラミック体1の中心軸C上に位置していることにより、温度が低くなりがちなセラミック体1の先端部の中心に高温部が位置することとなるので、セラミック体1の先端部における高温部と低温部との温度差を小さくすることができる。さらに、この折り返し部付近に凸部4があることによって、温度が低くなりがちなセラミック体1の先端部を発熱抵抗体2の一部である凸部4でもって温めることができるため、ヒータ20の温度分布をより均一に制御することが可能となる。
図3(b)の断面ivにおける断面図に示すように、セラミック体1の後端側から先端側を見たときに、本例では凸部4がセラミック体1の中心からは右側にずれた位置に配置されている。この凸部4は、セラミック体1の中心から左にずれていても、あるいは上または下にずれていてもよく、ヒータ20に要求される仕様に応じて、セラミック体1の先端部を温めるのに好適な位置に配置すればよい。この凸部4の形状は、板状、円柱状または直方体状等である。また大きさは、太さを例えば0.05〜0.5mmに、長さを例えば0.1〜0.5mmに設定するとよい。
次に、図4は、本発明のヒータの実施形態の他の例であるヒータ30を示す図3と同様の図である。図4(a)は図3(a)と同様の概略透視部分上面図であって、本例のヒータ30の構成はヒータ20と基本的に同じである。図4(b)も図3(b)と同様の断面図であり、図4(a)に示す断面i〜ivにおける断面図を示している。
図4に示すヒータ30は、ヒータ20とは異なる点として、発熱抵抗体2は、第1らせん部2aと第2らせん部2bとの接続部がセラミック体1の中心軸C上に位置しているとともに、この接続部にセラミック体1の先端側に向かう凸部4を有しており、この凸部4がセラミック体1の中心軸Cに重なって接続部から出ている。発熱抵抗体2における第1らせん部2aと第2らせん部2bとの接続部は、発熱抵抗体2の折り返し部となる部分であり、折り返し部は発熱抵抗体2の他の部分よりも応力が加わる部分である。この折り返
し部が中心軸C上に位置しているとともに、その中央に凸部4があることで、折り返し部中央において発熱抵抗体2の体積が増加することとなり、それによって応力への耐久性が増すため、繰り返し使用時に折り返し部にクラックが入り難くなり、繰り返し使用における昇温耐久性を向上させることが可能となる。さらに、ヒータ20における凸部4と同様に、ヒータ30の温度分布をより均一に制御することが可能となる。
次に、図5は、本発明のグロープラグの実施形態の一例を示す、一部を断面で示した概略透視上面図である。図5に示すように、このグロープラグ50は、上述のヒータ10と、ヒータ10の後端側に取り付けられた筒状の金属部材5を備えている。また、金属部材5の内側に配置されてヒータ10の後端の端子部に取り付けられた電極金具6とを備えている。本実施形態のグロープラグ50によれば、上述のヒータ10を使用していることから、大電流を流した場合にも温度分布が均一になるように制御することが可能となる。また、ヒータ10に代えてヒータ20またはヒータ30を用いてもよく、その場合には温度分布をより均一に制御することが可能となるとともに、さらに発熱抵抗体2の折り返し部にクラックが入り難くなることからセラミック体1においてもマイクロクラックの発生を抑えることが可能となるので、繰り返し使用における昇温耐久性を向上させることが可能となり、グロープラグの繰り返しの耐久性を向上させることが可能となる。
金属部材5は、セラミック体1を保持するための部材である。金属部材5は、筒状の部材であって、セラミック体1の後端側を囲むように取り付けられている。すなわち、筒状の金属部材5の内側に棒状のセラミック体1が挿入されている。金属部材5は、セラミック体1の後端側の側面に設けられてリード3が接続された端子部に電気的に接続されている。金属部材5は、例えば、ステンレスまたは鉄(Fe)−ニッケル(Ni)−コバルト(Co)合金から成る。
金属部材5とセラミック体1とは、端子部を間に挟んでろう材によって接合されている。ろう材は、金属部材5とセラミック体1との間にセラミック体1の後端側を囲むように設けられている。このろう材は、基本的にはセラミック体1の後端側の側面の全周に層状に設けられている。これにより、金属部材5がセラミック体1に強固に接合され、リード3が端子部およびろう材を介して金属部材5と電気的に接続される。
ろう材としては、ガラス成分を5〜20質量%含んだ銀(Ag)−銅(Cu)ろう、AgろうまたはCuろう等を用いることができる。ガラス成分はセラミック体1のセラミックスとの濡れ性が良く、摩擦係数が大きいため、ろう材とセラミック体1との接合強度またはろう材と金属部材5との接合強度を向上させることができる。
電極金具6は、金属部材5の内側に位置してセラミック体1の後端に端子部に電気的に接続するように取り付けられている。電極金具6は、種々の形態のものを用いることができるが、図5に示す例では、セラミック体1の後端に端子部を含んで被さるように取り付けられるキャップ部と外部の接続電極に電気的が接続されるコイル状部とが線状部で接続された構成である。この電極金具6は、金属部材5との間で短絡が生じないように、金属部材5の内周面から離れて保持されている。
電極金具6は、外部の接続電極との接続における応力緩和のために設けられたコイル状部を有する金属線である。電極金具6は、リード3が接続されている端子部に接触している。電極金具6は、リード3に電気的に接続されるとともに、外部の電源からの接続電極(図示せず)に電気的に接続される。外部の電源によって金属部材5と電極金具6との間に電圧を加えることによって、金属部材5および電極金具6を介して発熱抵抗体2に電流を流すことができる。電極金具6は、例えばニッケルまたはステンレスから成る。
次に、本実施の形態のヒータ10の製造方法の一例について説明する。
本実施の形態のヒータ10は、例えば、上記本実施の形態の構成における発熱抵抗体2、リード3およびセラミック体1の形状の金型を用いた射出成形法等によって形成することができる。
まず、導電性セラミック粉末,樹脂バインダー等を含む、発熱抵抗体2およびリード3と成る導電性ペーストを作製するとともに、絶縁性セラミック粉末,樹脂バインダー等を含むセラミック体1と成るセラミックペーストを作製する。
次に、導電性ペーストを用いて射出成形法等によって発熱抵抗体2と成る所定パターンの導電性ペーストの成形体を形成する。具体的には、所定パターンの金型内に、導電性ペーストを充填して加熱することによって成形体を形成し、これを冷却して取り出したものが発熱抵抗体2となる。このとき、先端側において接続された第1らせん部2aと第2らせん部2bとからなり、これら第1らせん部2aの軸と第2らせん部2bの軸とが重なっている発熱抵抗体2の成形体を形成するには、上金型と下金型とを組み合わせた際に空洞部が発熱抵抗体2のらせん形状になる金型に、焼成後に抵抗体になる導電性ペーストを充填することで、発熱抵抗体2の成形体が得られる。
そして、この発熱抵抗体2を金型内に保持した状態で、導電性ペーストを金型内に充填してリード3と成る所定パターンの導電性ペーストの成形体を形成する。このとき、第1らせん部2aに接続された第1のらせん状部と第2らせん部2bに接続された第2のらせん状部とから成るリード3の成形体を形成して発熱抵抗体2に接続するには、上金型と下金型とを組み合わせた際に発熱抵抗体2を保持する空間があり、かつリード3となる空洞部がリード3のらせん形状になる金型に、焼成後に導体(低抵抗の抵抗体)になる導電性ペーストを充填することで、リード3の成形体が得られる。
これにより、全体として対称ならせん形状の発熱抵抗体2と、この発熱抵抗体2に接続されたらせん形状のリード3とが、金型内に保持された状態となる。
次に、金型内にこれら発熱抵抗体2およびリード3を保持した状態で、金型の一部をセラミック体1の成形用のものに取り替えた後、金型内にセラミック体1と成るセラミックペーストを充填する。これにより、発熱抵抗体2およびリード3がセラミックペーストの成形体中に埋設されたヒータ10の成形体が得られる。
次に、得られた成形体を例えば1650℃〜1780℃の温度、30MPa〜50MPaの圧力で焼成することにより、ヒータ10を作製することができる。なお、焼成は水素ガス等の非酸化性ガス雰囲気中で行なうことが好ましい。
なお、ヒータ20,30のように、発熱抵抗体2の第1らせん部2aと第2らせん部2bとの接続部に凸部4を形成する場合には、発熱抵抗体2の成形体を形成する際に、第1らせん部2aと第2らせん部2bとの接続部に凸部4となる空洞を設けた金型を用いればよい。
(実施例1)
本発明の実施例のヒータを、まず実施形態の一例であるヒータ10について以下のようにして作製した。
まず、炭化タングステン(WC)粉末を50質量%、窒化珪素(Si)粉末を3
5質量%、樹脂バインダーを15質量%含む導電性ペーストを、金型内に射出成形して図1および図2に示すような形状の発熱抵抗体2を作製した。
ここで、本発明の実施例である試料1として、上金型と下金型とを組み合わせた際に空洞部が発熱抵抗体2のらせん形状になる金型に、焼成後に抵抗体になる導電性ペーストを充填することによって、先端側において接続された第1らせん部2aと第2らせん部2bとから成り、第1らせん部2aの軸と第2らせん部2bの軸とが重なっているとともに、この重なっている軸に対して第1らせん部2aと第2らせん部2bとが線対称の関係にある発熱抵抗体2を作製した。このらせん形状の寸法は、発熱抵抗体2の太さを1mmとし、第1らせん部2aおよび第2らせん部2bの長さをそれぞれ6mmとし、らせんの径を4mmとし、らせんのピッチを2mmとした。
一方、比較評価用の試料2として、後端部から直線状に延びて先端部で折り返し、再び後端部へ戻るU字状の発熱抵抗体を作製した。この発熱抵抗体の寸法は、発熱抵抗体の太さを1mmとし、U字状部の長さを6mm、幅(間隔)を4mmとした。
次に、試料1および試料2の発熱抵抗体をそれぞれ金型内に保持した状態で、リードとなる上記の導電性ペーストを金型内に充填することにより、発熱抵抗体と接続させた。ここで、試料1においては上金型と下金型とを組み合わせた際に発熱抵抗体2を保持する空間があり、かつリード3となる空洞部がリード3のらせん形状になる金型に、焼成後に導体(低抵抗の抵抗体)になる導電性ペーストを充填することによって、発熱抵抗体2の第1らせん部2aおよび第2らせん部2bにそれぞれ接続されたらせん形状のリード3を作製した。このらせん形状の寸法は、リード3の太さを2mmとし、らせん形状の長さを25mmとし、らせんの径を4mmとし、らせんのピッチを2mmとした。これによって、図1および図2に示すような形状の発熱抵抗体2およびリード3を形成した。
一方、試料2においては、発熱抵抗体の後端にそれぞれ接続された直線形状のリードを作製した。このリードの寸法は、リードの太さを2mm、長さを25mmとし、間隔を4mmとした。これによって、全体としてU字状の発熱抵抗体およびリードを形成した。
次に、試料1および試料2の発熱抵抗体およびリードをそれぞれ金型内に保持した状態で、窒化珪素(Si)粉末を85質量%、焼結助剤としてのイッテリビウム(Yb)の酸化物(Yb)を10質量%、発熱抵抗体およびリードに熱膨張率を近付けるための炭化タングステン(WC)を5質量%含むセラミックペーストを、金型内に射出成形した。これにより、セラミック体の中に発熱抵抗体およびリードが埋設された構成のヒータの成形体を形成した。
次に、得られたヒータの成形体を円筒状の炭素製の型に入れた後、窒素ガスから成る非酸化性ガス雰囲気中で、1700℃の温度、35Mpaの圧力でホットプレスを行ない焼結して、本発明の実施例となる試料1および比較例となる試料2のヒータを作製した。
そして、試料1および試料2について、発熱抵抗体に大電流を流した場合におけるヒータの温度分布を測定した。具体的には、設定温度を1200℃として5Aの電流を流すように発熱抵抗体に電圧を印加して、電圧印加開始5分後のヒータの温度分布を放射温度計を用いて測定した。
その結果、試料1では、らせん状の発熱抵抗体の配置に沿って、高温部と低温部とがらせん状に分布していたのに対して、試料2ではU字状の発熱抵抗体に沿って、高温部と低温部とが棒状(直線状)に分布していた。そして、試料1ではセラミック体1の表面の温度が最高温度部で1250℃、最低温度部で1230℃であった。これに対して、試料2
ではセラミック体の表面の温度が最高温度部で1260℃、最低温度部で1210℃であった。
この結果、試料2ではヒータの最高温度部と最低温度部の差が50℃と大きかったのに対して、試料1ではその差が20℃と小さかった。これにより、本発明によれば、ヒータの温度分布をより均一に制御することが可能であることが分かった。
(実施例2)
次に、本発明の実施例のヒータを、実施形態の一例であるヒータ20,30について以下のようにして作製した。
まず、炭化タングステン(WC)粉末を50質量%、窒化珪素(Si)粉末を35質量%、樹脂バインダーを15質量%含む導電性ペーストを、金型内に射出成形して図3および図4に示すような形状の発熱抵抗体2を作製した。
ここで、本発明の実施例である試料3、試料4として、上金型と下金型とを組み合わせた際に空洞部が発熱抵抗体2のらせん形状になる金型に、焼成後に抵抗体になる導電性ペーストを充填することによって、先端側において接続された第1らせん部2aと第2らせん部2bとから成り、第1らせん部2aの軸と第2らせん部2bの軸とが重なっているとともに、この重なっている軸に対して第1らせん部2aと第2らせん部2bとが線対称の関係にある発熱抵抗体2を作製した。
このとき、第1らせん部2aと第2らせん部2bとの接続部がセラミック体1の中心軸上に位置しているとともに、接続部にセラミック体1の先端側に向かう凸部4となる空洞を有している金型を使用することで、第1らせん部2aと第2らせん部2bとの接続部がセラミック体1の中心軸上に位置しているとともに、接続部にセラミック体1の先端側に向かう凸部4を有するらせん状の発熱抵抗体2を得た(試料3)。
また、凸部4となる空洞がセラミック体1の中心軸に重なって出ている金型を使用することで、セラミック体1の中心軸に重なって出ている凸部4を有する発熱抵抗体2を得た(試料4)。
これら試料3および試料4の発熱抵抗体2のらせん形状の寸法は、発熱抵抗体2の太さを1mmとし、らせん部の長さを6mmとし、らせんの径を4mmとし、らせんのピッチを2mmとした。
次に、試料3および試料4の発熱抵抗体2をそれぞれ金型内に保持した状態で、上金型と下金型とを組み合わせた際に発熱抵抗体2を保持する空間があり、かつリード3となる空洞部がリード3のらせん形状になる金型に、焼成後に導体になる導電性ペーストを充填することによって、発熱抵抗体2の第1らせん部2aおよび第2らせん部2bにそれぞれ接続されたらせん形状のリード3を作製した。このらせん形状の寸法は、リードの太さを2mmとし、らせん形状の長さを25mmとし、らせんの径を4mmとし、らせんのピッチを2mmとした。これによって、図3および図4に示すような形状の発熱抵抗体2およびリード3をそれぞれ試料3および試料4として形成した。
次に、試料3および試料4の発熱抵抗体2およびリード3をそれぞれ金型内に保持した状態で、窒化珪素(Si)粉末を85質量%、焼結助剤としてのイッテリビウム(Yb)の酸化物(Yb)を10質量%、発熱抵抗体2およびリード3に熱膨張率を近付けるための炭化タングステン(WC)を5質量%含むセラミックペーストを、金型内に射出成形した。これにより、セラミック体1の中に発熱抵抗体2およびリード3が埋設
された構成のヒータとなる成形体を形成した。
次に、得られたヒータの成形体を円筒状の炭素製の型に入れた後、窒素ガスから成る非酸化性ガス雰囲気中で、1700℃の温度、35MPaの圧力でホットプレスを行なって焼結させて、本発明の実施例となる試料3および試料4のヒータを作製した。
そして、試料1、試料3および試料4について、発熱抵抗体2に大電流を流した場合におけるヒータ先端の温度分布を測定した。具体的には、設定温度を1200℃として5Aの電流を流すように発熱抵抗体2に電圧を印加して、電圧印加開始5分後のヒータの温度分布を放射温度計を用いて測定した。
その結果、試料1では、ヒータ先端の表面の温度が最高温度部で1250℃、最低温度部で1230℃であった。これに対して、試料3ではヒータ先端の表面の温度が最高温度部で1250℃、最低温度部で1235℃であった。また、試料4ではヒータ先端表面の温度が最高温度部で1250℃、最低温度部で1240℃であった。
この結果、試料1ではヒータ先端の表面の最高温度部と最低温度部の差が20℃であったのに対して、試料3ではその差が15℃と小さく、試料4ではその差が10℃とさらに小さかった。これにより、本発明によれば、発熱抵抗体2が凸部4を有していることによって、ヒータ先端の表面の温度分布をより均一に制御することが可能であることが分かった。
そして、以上の試料1〜試料4について、昇温耐久性の試験を行なった。ここでは、試料1〜試料4のそれぞれについて、30秒間通電して1200℃まで昇温し、その後60秒間通電を停止するサイクルにて、繰返しON−OFF試験を実施した。
その結果、試料2のヒータでは耐久寿命(サイクル数)が約60000サイクルであった。これに対し、耐久寿命(サイクル数)が試料1のヒータでは約300000サイクル、試料3のヒータでは約350000サイクル、試料4のヒータでは約400000サイクルとなった。
これによって、本発明の実施例のヒータ(試料1、3、4)によれば、比較例のヒータ(試料2)に比べて、耐久寿命が5倍以上になることが分かった。
10,20,30:ヒータ
1:セラミック体
2:発熱抵抗体
3:リード
4:凸部
5:金属部材
50:グロープラグ

Claims (4)

  1. 中心軸を有する棒状のセラミック体と、該セラミック体に前記中心軸に沿って埋設された発熱抵抗体と、該発熱抵抗体の端部のそれぞれに接続されるとともに、該端部から前記セラミック体の後端に向かって伸びる一対のリードとを備え、
    該発熱抵抗体は、それぞれ前記セラミック体の前記中心軸に沿って伸びて前記セラミック体の先端側において接続された第1らせん部と第2らせん部とから成り、前記第1らせん部の軸と前記第2らせん部の軸とが重なっているとともに、
    前記第1らせん部と前記第2らせん部とは、前記第1らせん部と前記第2らせん部との重なっている軸に対して線対称の関係にあり、
    前記一対のリードは、前記第1らせん部に接続された第1のらせん状部と前記第2らせん部に接続された第2のらせん状部とを有し、前記第1のらせん状部の軸と前記第2のらせん状部の軸とが重なっているとともに、
    前記第1らせん状部と前記第2らせん状部とは、前記第1らせん状部と前記第2らせん状部との重なっている軸に対して線対称の関係にあることを特徴とするヒータ。
  2. 前記発熱抵抗体は、前記第1らせん部と前記第2らせん部との接続部が前記中心軸上に位置しているとともに、前記接続部に前記セラミック体の先端側に向かう凸部を有しており、該凸部の全体が前記セラミック体に埋設されていることを特徴とする請求項1に記載のヒータ。
  3. 前記凸部が前記中心軸に重なって出ていることを特徴とする請求項2に記載のヒータ。
  4. 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のヒータと、該ヒータの後端側に取り付けられた筒状の金属部材とを備えていることを特徴とするグロープラグ。
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