JP6336165B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
本発明の別の態様に関する半導体装置は、第1導電型の半導体チップ本体に設けられた活性領域と、前記活性領域を平面視上囲み、前記半導体チップ本体表面に形成された第2導電型の耐圧保持構造と、前記半導体チップ本体端部の表面において、前記耐圧保持構造と離間し、かつ、前記半導体チップ本体端面に至って形成された第2導電型の高抵抗領域とを備え、前記高抵抗領域の第2導電型の不純物濃度は、前記耐圧保持構造の第2導電型の不純物濃度より低い。
<構成>
発明の実施形態を以下に説明する。以下の説明では第1導電型をn型、第2導電型をp型としたが、その逆としてもよい。半導体基板には4H−SiC等が用いられ、n型領域を形成する不純物の例としては窒素、リン等、p型の不純物を形成する不純物の例としてはホウ素、アルミニウム等が挙げられる。
本発明に関する実施形態によれば、半導体装置は、第1導電型の半導体チップ本体のn−ドリフト層1に設けられた活性領域と、活性領域を平面視上囲み、n−ドリフト層1表面に形成された第2導電型の耐圧保持構造2と、チップ本体端部9の表面において、耐圧保持構造2と離間して形成された高抵抗領域としてのp−領域4とを備える。ここで、高抵抗領域としてのp−領域4が形成された半導体チップ本体の表面は、電圧印加時に空乏化する。
<構成>
図2は、本発明の第2実施形態に関する半導体装置の構成を示す要部断面図である。高耐圧半導体装置の例として縦型構造のMOSFETを挙げている。図1と同様の構成については、同じ符号を付して図示し詳細な説明については省略する。
本発明に関する実施形態によれば、半導体装置は、耐圧保持構造2よりも平面視外側のチップ本体端部9でない表面に形成された、第1導電型のチャネルストッパ領域としてのn+領域8をさらに備える。
<構成>
図4は、本発明の第3実施形態に関する半導体装置の構成を示す要部断面図である。高耐圧半導体装置の例として縦型構造のショットキーダイオードを挙げている。図1と同様の構成については、同じ符号を付して図示し詳細な説明については省略する。
本発明に関する実施形態によれば、半導体装置が、高抵抗領域として深い準位を形成するイオン注入領域10を備えている。
Claims (4)
- 第1導電型の半導体チップ本体に設けられた活性領域と、
前記活性領域を平面視上囲み、前記半導体チップ本体表面に形成された第2導電型の耐圧保持構造と、
前記半導体チップ本体端部の表面において、前記耐圧保持構造と離間し、かつ、前記半導体チップ本体端面に至って形成された前記耐圧保持構造よりも抵抗が高い高抵抗領域と、
前記半導体チップ本体端部の表面において、前記耐圧保持構造と前記高抵抗領域との間に形成された第1導電型のチャネルストッパ領域とを備える、
半導体装置。 - 第1導電型の半導体チップ本体に設けられた活性領域と、
前記活性領域を平面視上囲み、前記半導体チップ本体表面に形成された第2導電型の耐圧保持構造と、
前記半導体チップ本体端部の表面において、前記耐圧保持構造と離間し、かつ、前記半導体チップ本体端面に至って形成された第2導電型の高抵抗領域とを備え、
前記高抵抗領域の第2導電型の不純物濃度は、前記耐圧保持構造の第2導電型の不純物濃度より低い、
半導体装置。 - 前記半導体チップ本体端部の表面において、前記耐圧保持構造と前記高抵抗領域との間に形成された第1導電型のチャネルストッパ領域をさらに備える、
請求項2に記載の半導体装置。 - 前記高抵抗領域が、チタン、バナジウムまたはクロムが注入されたイオン注入領域であることを特徴とする、
請求項1から請求項3のうちのいずれか1項に記載の半導体装置。
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