JP6329998B2 - 電力制御用スイッチング素子の駆動回路 - Google Patents

電力制御用スイッチング素子の駆動回路 Download PDF

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Description

本発明は、電力制御用スイッチング素子の駆動回路に関し、特にオン/オフ駆動と状態監視の信頼性を向上させることができる電力制御用スイッチング素子の駆動回路に関するものである。
交流モータに供給される電力の制御のために交流を直流に変換し、直流をインバータによって再び交流に変換するような電力変換又は電力制御用として、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、MOSFET(Metal Oxide Semi−conductor Field Effect Transistor)のような電力制御用半導体スイッチング素子が使用される。
本発明は、このような電力制御用半導体スイッチング素子の駆動回路に関するものである。
このような電力制御用半導体スイッチング素子の駆動回路において、従来技術を図1を参照して説明すると、次の通りである。
図示されているように、従来技術による電力制御用半導体スイッチング素子の駆動回路は、ドライバ(Driver)回路部20と制御回路10を含むように構成される。
図1において符号30は駆動回路のオン(ON)又はオフ(OFF)駆動対象である半導体スイッチング素子(以下、スイッチング素子と略称する)である。
スイッチング素子30は、代表的に上述したようなIGBTやMOSFETで構成され得る。
スイッチング素子30は、エミッタ(Emitter)30bとゲート(Gate)30a、及びコレクタ(Collector)30cを有することができ、エミッタ30bとゲート30a間の電圧差に応じてオン又はオフされる。例えばエミッタ30bとゲート30a間の電圧差が12−20ボルト(V)のときにスイッチング素子30はオンされ、エミッタ30bとゲート30a間の電圧差が0−11ボルト(V)のときにスイッチング素子30はオフされる。
また、スイッチング素子30がオン状態のときにエミッタ30bとコレクタ30c間の電圧差はオフ状態の十〜数十ボルトの電圧から2−3ボルト(V)に低くなるため、コレクタ電圧を検出することによりスイッチング素子30がオン状態であるか否かを判定することができる。ただし、エミッタ30bとコレクタ30c間に流れる電流量に応じて、エミッタ30bとコレクタ30c間の電圧差の変動があり得る。
ドライバ回路部20は、スイッチング素子30のゲート30a及びコレクタ30cに接続され、ゲート30aに駆動信号を出力してスイッチング素子30をオン状態に駆動したり、該駆動信号の出力を停止してスイッチング素子30をオフ状態にする回路部である。ここで、駆動信号は、例えば数アンペア(A)程度の電流信号、又は、例えば十〜数十ボルト(V)の電圧信号とすることができる。
ドライバ回路部20は駆動信号を抜き出す集積回路から構成され得る。
ドライバ回路部20は、スイッチング素子30のコレクタ電圧値を示す電圧検出信号をスイッチング素子30のコレクタ30cから受信することができる。
符号40aは、電圧検出信号をドライバ回路部20に伝達する伝達側回路を指し示す。
図1において、符号40は伝達側回路40aの電圧がスイッチング素子30のコレクタ30cの電圧よりも高いときにターンオン(turn on)される伝達側回路40aの保護用ダイオードを指し示す。
また、ドライバ回路部20は、スイッチング素子30のコレクタ30cから受信した電圧検出信号によるコレクタ電圧値とドライバ回路部20の状態を示す監視信号を制御回路10に提供する。そして、図1において、ドライバ回路部20と制御回路10間の左方向を指し示す矢印が監視信号の伝達を示す。
制御回路10は、ドライバ回路部20に接続され、ドライバ回路部20にスイッチング素子30のオン又はオフの制御コマンド信号を出力する。図1において、ドライバ回路部20と制御回路10間の右方向を指し示す矢印が、オン又はオフの制御コマンド信号の伝達を示す。
したがって、制御回路10は、ドライバ回路部20が提供する監視信号に基づいて、現在のスイッチング素子30のオン/オフ状態とドライバ回路部20の状態を判定することができる。
しかし、上述した従来技術による電力制御用半導体スイッチング素子の駆動回路は、1つのドライバ回路部20だけでスイッチング素子30の開閉駆動と状態監視を実行するものとして構成される。したがって、1つのドライバ回路部20が焼けてしまう焼損などの故障が発生した時、スイッチング素子30の開閉駆動と状態監視が両方とも不可能になる問題がある。
したがって、本発明は、上述した従来技術の問題点を解消するものであって、本発明の目的は、スイッチング素子の開閉駆動と状態監視のための構成を多重化して、スイッチング素子の開閉駆動と状態監視の動作信頼性を向上させることができる電力制御用スイッチング素子の駆動回路を提供することである。
上記本発明の目的は、電力制御用スイッチング素子の駆動回路において、
前記電力制御用スイッチング素子をオン状態又はオフ状態に制御するように、前記電力制御用スイッチング素子に接続されるドライバ回路部;
前記電力制御用スイッチング素子及び前記ドライバ回路部に接続され、前記ドライバ回路部に前記電力制御用スイッチング素子に対するオン又はオフの制御信号を伝達したり、前記電力制御用スイッチング素子のオン状態又はオフ状態を検出した監視信号を提供する第1ロジックデバイス(Logic Device);
前記電力制御用スイッチング素子及び前記第1ロジックデバイスに接続され、前記第1ロジックデバイスに前記電力制御用スイッチング素子に対するオン又はオフの制御信号を伝達したり、前記電力制御用スイッチング素子のオン状態又はオフ状態を検出した監視信号を提供する第2ロジックデバイス;及び
前記第1ロジックデバイスと前記第2ロジックデバイスに接続され、前記第1ロジックデバイスと前記第2ロジックデバイスのうち少なくともいずれか一方に、前記電力制御用スイッチング素子に対するオン又はオフの制御コマンド信号を提供する制御部;を含む電力制御用スイッチング素子の駆動回路を提供することによって達成され得る。
本発明の好ましい一態様によれば、前記ドライバ回路部は、前記電力制御用スイッチング素子をオン又はオフ制御するように共通の前記電力制御用スイッチング素子に重複して接続される複数のドライバ回路部を含む。
本発明の好ましい他の一態様によれば、前記第1ロジックデバイスと前記第2ロジックデバイスは、前記電力制御用スイッチング素子のオン状態又はオフ状態を検出した監視信号を受信するために、前記電力制御用スイッチング素子のゲートとコレクタに接続される。
本発明の好ましいさらなる他の一態様によれば、前記第2ロジックデバイスと前記電力制御用スイッチング素子のゲートとの間、前記第2ロジックデバイスと前記電力制御用スイッチング素子のコレクタとの間、及び前記第1ロジックデバイスと前記電力制御用スイッチング素子のゲートとの間にそれぞれ接続され、前記監視信号の電圧レベルを下げるレベルダウンシフター(Level Down Shifter)をさらに含む。
本発明の好ましいさらなる他の一態様によれば、前記制御部は、前記第1ロジックデバイスと前記第2ロジックデバイスからそれぞれ受信した前記電力制御用スイッチング素子のオン状態又はオフ状態の監視信号が互いに異なる場合、前記第1ロジックデバイスと前記第2ロジックデバイスのうちいずれか一方に異常があるものと判定するように構成される。
本発明の好ましいさらなる他の一態様によれば、前記制御部は、前記オン又はオフの制御コマンド信号と、前記第1ロジックデバイスと前記第2ロジックデバイスからそれぞれ受信した前記電力制御用スイッチング素子のオン状態又はオフ状態の監視信号に基づいて、前記第1ロジックデバイスと前記第2ロジックデバイスのうち異常が発生したロジックデバイスを特定するように構成される。
本発明の好ましいさらなる他の一態様によれば、前記第1ロジックデバイスと前記第2ロジックデバイスは、それぞれFPGA(Field Programmable Gate Array)、MCU(Micro−Computer Unit)、CPLD(Complex Programmable Logic Device)とASIC(Application−Specific Integrated Circuit)のいずれか一つから構成される。
本発明の好ましいさらなる他の一態様によれば、本発明に係る電力制御用スイッチング素子の駆動回路は、前記ドライバ回路部と前記電力制御用スイッチング素子のゲートとの間に接続され、前記電力制御用スイッチング素子をオン状態又はオフ状態に制御するためのゲート駆動信号を所定の電圧信号にする抵抗をさらに含む。
本発明の好ましいさらなる他の一態様によれば、前記レベルダウンシフターは、抵抗レール(Resistor Rail)、比較器、演算増幅器のうちいずれか一つから構成される。
本発明に係る電力制御用スイッチング素子の駆動回路は、ドライバ回路部と制御部との間に接続されてスイッチング素子のオン/オフ制御コマンド信号をドライバ回路部に伝達し、スイッチング素子のオン/オフ状態を監視して制御部に伝達するロジックデバイスを含み、該ロジックデバイスを複数の構成とすることにより、スイッチング素子のオン/オフ制御及び監視動作の信頼性を従来技術に比べて向上させることができる効果を提供することができる。
本発明に係る電力制御用スイッチング素子の駆動回路において、ドライバ回路部は複数のドライバ回路から構成されるため、いずれかのドライバ回路の故障発生時にもスイッチング素子のオン/オフ制御及び監視動作が不能な状態の発生を防止することができる効果を提供することができる。
本発明に係る電力制御用スイッチング素子の駆動回路において、第1ロジックデバイスと第2ロジックデバイスは、電力制御用スイッチング素子のゲートとコレクタに接続されるため、電力制御用スイッチング素子のゲート電圧とコレクタ電圧及びゲート電圧とコレクタ電圧の電圧差を検出することができ、演算することができるため、電力制御用スイッチング素子のオン/オフ状態を正確に判定することができる効果を提供することができる。
本発明に係る電力制御用スイッチング素子の駆動回路は、レベルダウンシフターをさらに含むため、監視信号の電圧レベルを第1ロジックデバイス及び第2ロジックデバイスの適切な入力電圧レベルに下げて提供することができる効果を提供することができる。
本発明に係る電力制御用スイッチング素子の駆動回路において、制御部は、制御部に含まれるロジック回路又は処理プログラムによって第1ロジックデバイスと第2ロジックデバイスからそれぞれ受信した電力制御用スイッチング素子のオン状態又はオフ状態の監視信号が互いに異なるとき、第1ロジックデバイスと第2ロジックデバイスのうちいずれか一方に異常があるものと判定するため、ロジックデバイスの正常状態を監視することができる効果を提供することができる。
本発明に係る電力制御用スイッチング素子の駆動回路において、制御部は、自身が出力したオン又はオフの制御コマンド信号のデータと、スイッチング素子のオン状態又はオフ状態の監視信号に基づいて、第1ロジックデバイスと第2ロジックデバイスのうち異常が発生したロジックデバイスを正確に特定することができる効果を提供することができる。
本発明に係る電力制御用スイッチング素子の駆動回路において、第1ロジックデバイスと第2ロジックデバイスは、それぞれFPGA、MCU、CPLD及びASICのうちいずれか一つから構成され得るため、ロジックデバイスを取捨選択して構成することができる効果を提供することができる。
本発明に係る電力制御用スイッチング素子の駆動回路は、ドライバ回路部とスイッチング素子のゲート間に接続される抵抗を含むため、ゲート駆動信号を所定の電圧信号にすることができる効果を提供することができる。
本発明に係る電力制御用スイッチング素子の駆動回路において、レベルダウンシフターは、抵抗レール(Resistor Rail)、比較器、演算増幅器のいずれかから構成されるため、レベルダウンシフターを取捨選択して構成することができる効果を提供することができる。
従来技術に係る電力制御用スイッチング素子の駆動回路の構成を示すブロック図である。 本発明の好ましい一実施形態に係る電力制御用スイッチング素子の駆動回路の構成を示すブロック図である。 本発明の好ましい一実施形態に係る電力制御用スイッチング素子の駆動回路において、制御部のオン又はオフの制御コマンドとそれに伴うスイッチング素子のオン/オフ動作過程を示すフローチャートである。 本発明の好ましい一実施形態に係る電力制御用スイッチング素子の駆動回路において、スイッチング素子のオン状態又はオフ状態の判定動作及びロジックデバイスの異常(故障)発生判定の動作過程を示すフローチャートである。
上述した本発明の目的とそれを達成するための本発明の構成及びその作用効果は、添付の図2を参照した本発明の好ましい一実施形態に係る電力制御用スイッチング素子の駆動回路に関する以下の説明によってより明確に理解することができるだろう。
図2に示すように、本発明の好ましい一実施形態に係る電力制御用スイッチング素子(以下、単にスイッチング素子とも称する)5の駆動回路は、ドライバ(Driver)回路部4、第1ロジックデバイス2、第2ロジックデバイス3及び制御部1を含むように構成され得る。
図2において符号5は、例えばIGBTやMOSFETで構成される電力制御用スイッチング素子を指し示し、ゲート5aと、エミッタ5b及びコレクタ5cを含む。
スイッチング素子5は、エミッタ5bとゲート5a間の電圧差に応じてオン又はオフされる。例えばエミッタ5bとゲート5a間の電圧差が12−20ボルト(V)のときにスイッチング素子5はオンされ、エミッタ5bとゲート5a間の電圧差が0−11ボルト(V)のときにスイッチング素子5はオフされる。
また、スイッチング素子5がオン状態のとき、エミッタ5bとコレクタ5c間の電圧差はオフ状態の十〜数十ボルトの電圧から2−3ボルト(V)に低くなるため、コレクタ電圧を検出することによりスイッチング素子5がオン状態である否かことを判定することができる。
好ましい実施形態によれば、スイッチング素子5のエミッタ5bは、回路の接地(Ground)又は印刷回路基板の接地に接続され得る。
また、好ましい実施形態によれば、スイッチング素子5のコレクタ5cの出力端(図2のコレクタ5c右側)は、電力変換のための電源供給部又は電力スイッチングが必要な回路部(不図示)に接続され得る。
ドライバ回路部4は、スイッチング素子5をオン(ON)状態又はオフ(OFF)状態に制御するように、スイッチング素子5に接続されてスイッチング素子5に駆動信号を提供する。
ここで、駆動信号は、例えば数アンペア(A)程度の電流信号、又は、例えば十〜数十ボルト(V)の電圧信号とすることができる。
ドライバ回路部4は駆動信号を抜き出す集積回路から構成され得る。
本発明の好ましい一態様によれば、いずれかのドライバ回路の故障発生時にもスイッチング素子5のオン/オフ制御及び監視の動作が不能な状態の発生を防止することができる。そのために、ドライバ回路部4は複数のドライバ回路を含むように構成され、その複数のドライバ回路は一つの共通のスイッチング素子5に重複して並列に接続される。
本発明の好ましい一態様によれば、ドライバ回路部4とスイッチング素子5のゲート5aとの間には、スイッチング素子5をオン状態又はオフ状態に制御するためのゲート駆動信号を所定の電圧信号にする抵抗が接続され得る。
第1ロジックデバイス2は、スイッチング素子5及びドライバ回路部4に接続され、ドライバ回路部4にスイッチング素子5に対するオン又はオフの制御信号を伝達したり、スイッチング素子5のオン状態又はオフ状態を検出した監視信号を提供する。
第2ロジックデバイス3は、スイッチング素子5及び第1ロジックデバイス2に接続され、第1ロジックデバイス2にスイッチング素子5に対するオン又はオフの制御信号を伝達したり、スイッチング素子5のオン状態又はオフ状態を検出した監視信号を提供する。
スイッチング素子5のオン状態又はオフ状態を検出した監視信号を受信するために、第1ロジックデバイス2と第2ロジックデバイス3は、それぞれスイッチング素子5のゲート5aとコレクタ5cに接続される。
第1ロジックデバイス2と第2ロジックデバイス3は、それぞれFPGA(Field Programmable Gate Array)、MCU(Micro Computer Unit)、CPLD(Complex Programmable Logic Device)及びASIC(Application−Specific Integrated Circuit)のうちいずれか一つから構成され得る。
本発明の好ましい一実施形態に係る電力制御用スイッチング素子5の駆動回路は、第1レベルダウンシフター(Level Down Shifter)6b、第2レベルダウンシフター6a及び第3レベルダウンシフター6cを含む。
第1レベルダウンシフター6b、第2レベルダウンシフター6a及び第3レベルダウンシフター6cは、それぞれ、第2ロジックデバイス3とスイッチング素子5のゲート5aとの間、第1ロジックデバイス2及び第2ロジックデバイス3とスイッチング素子5のコレクタ5cとの間、そして第1ロジックデバイス2とスイッチング素子5のゲート5aとの間にそれぞれ接続され、監視信号の電圧レベルを下げる。つまり、第1レベルダウンシフター6b、第2レベルダウンシフター6a及び第3レベルダウンシフター6cは、それぞれ監視信号の電圧レベルを第1ロジックデバイス2及び第2ロジックデバイス3の適正入力電圧レベルである、例えば3.3Vに下げて提供することができるようになる。
本発明の好ましい一態様によれば、第1レベルダウンシフター6b、第2レベルダウンシフター6a及び第3レベルダウンシフター6cは、それぞれ抵抗レール(Resistor Rail)、比較器、演算増幅器(Operational Amplifier)のいずれかから構成され得る。
図2に示すように、第2レベルダウンシフター6aとスイッチング素子5のコレクタ5cとの間には、監視信号の伝達経路側回路を保護するダイオード7が接続される。
スイッチング素子5のオン又はオフの状態を示すコレクタ電圧を第2ロジックデバイス3に伝達する監視信号の伝達経路、つまり、第2レベルダウンシフター6aの出力端の電圧が電力制御用スイッチング素子5のコレクタ5cの電圧よりも高いとき、ダイオード7はターンオン(turn on)される。そして、その逆の場合にはターンオフ(turn off)され、その後段の第2レベルダウンシフター6aと第2ロジックデバイス3と、制御部1を保護する。
制御部1は、第1ロジックデバイス2と第2ロジックデバイス3に接続され、第1ロジックデバイス2と第2ロジックデバイス3のうち少なくともいずれか一方にスイッチング素子5に対するオン又はオフの制御コマンド信号を提供することができる。
また、制御部1は、第1ロジックデバイス2と第2ロジックデバイス3からの監視信号に基づいて、第1ロジックデバイス2と第2ロジックデバイス3のうち少なくともいずれか一方の異常状態を判定することができる。
制御部1は、一実施形態によれば、処理プログラムに基づいて演算又は処理を実行する中央処理装置と処理プログラム、基準値、演算処理の値を格納するメモリを含むマイクロコンピュータから構成され得る。
制御部1は、第1ロジックデバイス2と第2ロジックデバイス3からそれぞれ受信したスイッチング素子5のオン状態又はオフ状態の監視信号が互いに異なる場合、第1ロジックデバイス2と第2ロジックデバイス3のいずれか一方に異常があるものと判定するように構成され得る。そのために、制御部1はその論理決定のための論理回路から構成されることができ、中央処理装置が処理プログラムをメモリから読み込んで、当該処理プログラムに基づいて2つの監視信号を比較して判定するように構成されることができる。
制御部1は、オン又はオフの制御コマンド信号と、第1ロジックデバイス2と第2ロジックデバイス3からそれぞれ受信したスイッチング素子5のオン状態又はオフ状態の監視信号に基づいて、第1ロジックデバイス2と第2ロジックデバイス3のうち異常(故障)が発生したロジックデバイスを正確に特定するように構成することができる。
制御部1と第1ロジックデバイス2と第2ロジックデバイス3は、一つの制御回路(Controller)10で構成され得る。
上述したように構成される本実施形態に係る電力制御用スイッチング素子5の駆動回路の動作を図2と図3を参照して説明する。
まず、制御部1のオン又はオフの制御コマンドとそれに伴うスイッチング素子のオン/オフ動作を説明する。(図3参照)
制御部1がスイッチング素子5のオン又はオフのために、オン又はオフの制御コマンド信号を出力すると、そのオン又はオフの制御コマンド信号は、第1ロジックデバイス2と第2ロジックデバイス3によって受信される(ステップS1)。
ここで制御部1からのオン又はオフの制御コマンド信号に応答し、第1ロジックデバイス2は、ドライバ回路部4にスイッチング素子5に対するオン又はオフの制御信号を伝達する。
第1ロジックデバイス2が伝達した信号がオンの制御コマンド信号である場合(ステップS2で「はい」の場合)、ドライバ回路部4を構成する複数のドライバ回路は、共通のスイッチング素子5のゲート5aに重複してゲート駆動信号を出力する(ステップS3)。
ドライバ回路部4がゲート駆動信号を出力した場合、スイッチング素子5の接地電位であるエミッタ電圧とゲート駆動信号によって形成されたゲート電圧間の電圧差が12−20ボルト(V)程度に大幅に増加する。したがって、スイッチング素子5はオン状態となる(ターンオンされる)(ステップS4)。
一方、第1ロジックデバイス2が伝達した信号がオフの制御コマンド信号である場合(ステップS2で「いいえ」の場合)、ドライバ回路部4を構成する複数のドライバ回路は、共通のスイッチング素子5のゲート5aにゲート駆動信号を出力しない(ステップS5)。
ドライバ回路部4がゲート駆動信号を出力しなかった場合、スイッチング素子5の接地電位であるエミッタ電圧とゲート駆動信号によって形成されたゲート電圧間の電圧差が0−11ボルト(V)程度に小さくなる。したがって、スイッチング素子5はオフ状態となる(ターンオフされる)(ステップS6)。
次に、スイッチング素子5のオン状態又はオフ状態の判定動作及びロジックデバイスの異常(故障)発生判定動作を図2及び図4を参照して説明する。
スイッチング素子5がオン状態のとき、エミッタ5bとコレクタ5c間の電圧差はオフ状態の十〜数十ボルトの電圧から2−3ボルト(V)に低くなる。
ここでコレクタ電圧も2−3ボルト(V)に低くなり、監視信号の伝達経路側の電圧、すなわち第2レベルダウンシフター6aとダイオード7との間の電圧よりも低くなる。これにより、ダイオード7がターンオンされ、コレクタ電圧で表示されるスイッチング素子5のオン状態の監視信号は、ダイオード7と、第2レベルダウンシフター6aを経て第2ロジックデバイス3と第1ロジックデバイス2に伝達される(ステップS7)。
また、ステップS8で、スイッチング素子5がオフ状態のとき、エミッタ5bとコレクタ5c間の電圧差は十〜数十ボルトの電圧に高くなる。
ここでコレクタ電圧も数十ボルトに高くなり、監視信号の伝達経路側の電圧、すなわち第2レベルダウンシフター6aとダイオード7との間の電圧よりも大きくなる。これにより、ダイオード7がターンオフされ、コレクタ電圧で表示されるスイッチング素子5のオフ状態の監視信号は、ダイオード7以降の回路段に伝達されず、第2ロジックデバイス3と第1ロジックデバイス2に伝達されない。
また、スイッチング素子5の12−20ボルト(V)程度のゲート電圧が表示するスイッチング素子5のオン状態の監視信号も、第1レベルダウンシフター6bを介して第2ロジックデバイス3に伝達される。そして、第3レベルダウンシフター6cを介して第1ロジックデバイス2に伝達される(ステップS8)。
また、ステップS8で、スイッチング素子5がオフの状態のとき、スイッチング素子5の0ボルト(V)に近い程度のゲート電圧が表示するスイッチング素子5のオフ状態の監視信号も、第1レベルダウンシフター6bを介して第2ロジックデバイス3に伝達される。そして、第3レベルダウンシフター6cを介して第1ロジックデバイス2に伝達される。
そこで、第2ロジックデバイス3と第1ロジックデバイス2は、それぞれ図示されていない内部の比較器とANDゲートのような論理回路を介してコレクタ電圧とゲート電圧をそれぞれの基準電圧値(すなわち、予め決定されたスイッチング素子5がオン状態のときの基準コレクタ電圧値及び基準ゲート電圧値)と比較する。そして、2つの比較結果を論理回路で論理演算(例えば、論理積演算)処理してスイッチング素子5のオン状態又はオフ状態を正確に判定する(ステップS9)。
第2ロジックデバイス3と第1ロジックデバイス2がそれぞれ判定したスイッチング素子5のオン状態又はオフ状態の監視信号は、制御部1に伝達される。
そこで制御部1は、第2ロジックデバイス3と第1ロジックデバイス2がそれぞれ判定したスイッチング素子5のオン状態又はオフ状態の監視信号が示す値が一致するか否かを比較する。そして、第2ロジックデバイス3又は第1ロジックデバイス2の異常発生を判定することができる(ステップS10)。
ここで、第2ロジックデバイス3と第1ロジックデバイス2がそれぞれ判定したスイッチング素子5のオン状態又はオフ状態の監視信号が示す値が一致すると、制御部1は、第2ロジックデバイス3と第1ロジックデバイス2の両方が正常であると判定することができる(ステップS11)。
ここで、第2ロジックデバイス3と第1ロジックデバイス2がそれぞれ判定したスイッチング素子5のオン状態又はオフ状態の監視信号が示す値が一致しない場合、制御部1は、第2ロジックデバイス3と第1ロジックデバイス2のいずれか一方に異常(故障)が発生したものと判定することができる(ステップS12)。
また、第2ロジックデバイス3と第1ロジックデバイス2がそれぞれ判定したスイッチング素子5のオン状態又はオフ状態の監視信号の示す値が一致するか否かに加えて、当初制御部1が出力したオン又はオフの制御コマンド信号まで勘案すれば、制御部1は、第2ロジックデバイス3と第1ロジックデバイス2のうち異常(故障)が発生したロジックデバイスを正確に特定することができる(ステップS13及びステップS14)。
つまり、例えば制御部1がオンの制御コマンド信号を出力した状態で、第2ロジックデバイス3は、スイッチング素子5のオン状態を示す監視信号を制御部1に提供する。そして、第1ロジックデバイス2は、スイッチング素子5のオフ状態を示す監視信号を制御部1に提供した場合、制御部1は第1ロジックデバイス2の異常(故障)発生を判定することができる。
上述したように、本発明に係る電力制御用スイッチング素子の駆動回路は、ロジックデバイス、及び/又はドライバ回路を複数構成することにより、スイッチング素子のオン/オフ制御及び監視の動作の信頼性を従来技術に比べて向上させることができる。
また、ドライバ回路部が複数のドライバ回路から構成されるため、いずれかのドライバ回路の故障発生時にもスイッチング素子のオン/オフ制御及び監視の動作が不能な状態発生を防止することができる。
また、制御部は、制御部に含まれるロジック回路や処理プログラムによって、第1ロジックデバイスと第2ロジックデバイスからそれぞれ受信したスイッチング素子のオン状態又はオフ状態の監視信号が互いに異なるとき、第1ロジックデバイスと第2ロジックデバイスのいずれか一方に異常があるものと判定する。したがって、ロジックデバイスの正常状態を監視することができる。
本発明は、電力制御用スイッチング素子の駆動回路に利用することが可能である。
1 制御部
2 第1ロジックデバイス
3 第2ロジックデバイス
4 ドライバ回路部
5 電力制御用スイッチング素子
5a ゲート
5c コレクタ
6a 第2レベルダウンシフター(レベルダウンシフター)
6b 第1レベルダウンシフター(レベルダウンシフター)
6c 第3レベルダウンシフター(レベルダウンシフター)

Claims (8)

  1. 電力制御用スイッチング素子の駆動回路において、
    前記電力制御用スイッチング素子をオン状態又はオフ状態に制御するように、前記電力制御用スイッチング素子に接続されるドライバ回路部;
    前記電力制御用スイッチング素子及び前記ドライバ回路部に接続され、前記ドライバ回路部に前記電力制御用スイッチング素子に対するオン又はオフの制御信号を伝達したり、前記電力制御用スイッチング素子のオン状態又はオフ状態を検出した監視信号を提供する第1ロジックデバイス;
    前記電力制御用スイッチング素子及び前記第1ロジックデバイスに接続され、前記第1ロジックデバイスに前記電力制御用スイッチング素子に対するオン又はオフの制御信号を伝達したり、前記電力制御用スイッチング素子のオン状態又はオフ状態を検出した監視信号を提供する第2ロジックデバイス;及び
    前記第1ロジックデバイスと前記第2ロジックデバイスに接続され、前記第1ロジックデバイスと前記第2ロジックデバイスのうち少なくともいずれか一方に、前記電力制御用スイッチング素子に対するオン又はオフの制御コマンド信号を提供する制御部;
    を含み、
    前記制御部は、前記第1ロジックデバイス及び前記第2ロジックデバイスから受信した監視信号に基づいて、前記第1ロジックデバイス又は前記第2ロジックデバイスの少なくとも一方の異常状態を判定する電力制御用スイッチング素子の駆動回路。

  2. 前記ドライバ回路部は、
    前記電力制御用スイッチング素子をオン又はオフ制御するように共通の前記電力制御用スイッチング素子に重複して接続される複数のドライバ回路を含む、請求項1に記載の電力制御用スイッチング素子の駆動回路。
  3. 前記第1ロジックデバイスと前記第2ロジックデバイスは、前記電力制御用スイッチング素子のオン状態又はオフ状態を検出した監視信号を受信するために、前記電力制御用スイッチング素子のゲートとコレクタに接続される、請求項1に記載の電力制御用スイッチング素子の駆動回路。
  4. 前記第2ロジックデバイスと前記電力制御用スイッチング素子の前記ゲートとの間、前記第2ロジックデバイスと前記電力制御用スイッチング素子の前記コレクタとの間、及び前記第1ロジックデバイスと前記電力制御用スイッチング素子の前記ゲートとの間にそれぞれ接続され、前記監視信号の電圧レベルを下げるレベルダウンシフターをさらに含む、請求項3に記載の電力制御用スイッチング素子の駆動回路。
  5. 前記制御部は、
    前記第1ロジックデバイスと前記第2ロジックデバイスからそれぞれ受信した前記電力制御用スイッチング素子のオン状態又はオフ状態の監視信号が互いに異なる場合、前記第1ロジックデバイスと前記第2ロジックデバイスのいずれか一方に異常があると判定する、請求項1に記載の電力制御用スイッチング素子の駆動回路。
  6. 前記制御部は、前記オン又はオフの制御コマンド信号と、前記第1ロジックデバイスと前記第2ロジックデバイスからそれぞれ受信した前記電力制御用スイッチング素子のオン状態又はオフ状態の監視信号に基づいて、前記第1ロジックデバイスと前記第2ロジックデバイスのうち異常が発生したロジックデバイスを特定する、請求項1に記載の電力制御用スイッチング素子の駆動回路。
  7. 前記第1ロジックデバイスと前記第2ロジックデバイスは、それぞれFPGA、MCU、CPLD及びASICのいずれか一つから構成される、請求項1に記載の電力制御用スイッチング素子の駆動回路。
  8. 前記レベルダウンシフターは、
    抵抗レール、比較器、演算増幅器のうちいずれか一つから構成される、請求項4に記載の電力制御用スイッチング素子の駆動回路。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101971701B1 (ko) * 2017-03-29 2019-08-16 (주)스마트시스텍 Fpga를 사용한 고속 스위칭 구동장치
US11049386B2 (en) 2018-06-14 2021-06-29 Eaton Intelligent Power Limited Switch with current and voltage collection
US10783772B2 (en) * 2018-06-14 2020-09-22 Eaton Intelligent Power Limited Wireless switch with three-way control
CN109980680B (zh) * 2018-12-24 2020-11-03 深圳供电局有限公司 具备安全防护功能的微电网系统
US10873326B1 (en) 2019-10-07 2020-12-22 Eaton Intelligent Power Limited Input voltage sensing using zero crossing detection
US10924116B1 (en) * 2019-10-09 2021-02-16 Semiconductor Components Industries, Llc Analog switch multiplexer systems and related methods
CN111130525B (zh) * 2019-12-31 2024-03-15 北京旋极信息技术股份有限公司 一种控制电路、点火装置与开关控制系统

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04112225A (ja) * 1990-08-31 1992-04-14 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 集積回路装置
DE4100790A1 (de) * 1991-01-12 1992-07-16 Vdo Schindling Verfahren und schaltungsanordnung zur ueberwachung eines leistungstransistors
JP3564893B2 (ja) * 1996-09-02 2004-09-15 株式会社明電舎 電圧制御形スイッチング素子のゲート駆動回路
KR100275037B1 (ko) 1997-12-30 2000-12-15 김형벽 대용량 전원 스위칭 소자(igbt) 구동 제어회로.
KR100528674B1 (ko) 2000-08-18 2005-11-15 현대중공업 주식회사 대용량 전원 스위칭 소자(igbt) 구동 제어회로
FR2851056B1 (fr) * 2003-02-10 2005-04-08 Alstom Procede et systeme de commande d'un composant electronique de puissance, et support d'enregistrement d'informations comportant des instructions pour l'execution du procede
US7777370B2 (en) * 2007-05-03 2010-08-17 Honeywell International Inc. Integrated gate drive for use in control and protection of power modules
TW200849785A (en) * 2007-06-15 2008-12-16 Ind Tech Res Inst DC-DC converter
US20110182094A1 (en) 2007-08-13 2011-07-28 The Powerwise Group, Inc. System and method to manage power usage
JP5036466B2 (ja) * 2007-09-20 2012-09-26 東芝三菱電機産業システム株式会社 冗長制御型電力変換システムとその健全性確認方法
US20090296433A1 (en) * 2008-05-29 2009-12-03 General Electric Company Circuit and topology for very high reliability power electronics system
JP5408362B2 (ja) * 2010-10-29 2014-02-05 富士通株式会社 半導体回路の切替装置及び切替方法
JP5991526B2 (ja) * 2012-09-18 2016-09-14 株式会社デンソー スイッチング素子駆動ic
KR101836247B1 (ko) 2012-12-12 2018-03-08 현대자동차 주식회사 인버터 구동 장치
CN104237761B (zh) * 2013-06-13 2018-05-04 通用电气公司 绝缘栅双极型晶体管的失效模式检测及保护的系统和方法

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