JP6328699B2 - 遊技機 - Google Patents

Description

本発明は、遊技動作に起因する抽選処理によって大当り状態を発生させる遊技機に関し、特に、セキュリティ対策を向上させた遊技機に関する。

パチンコ機などの弾球遊技機は、遊技盤に設けた図柄始動口と、複数の表示図柄による一連の図柄変動態様を表示する図柄表示部と、開閉板が開閉される大入賞口などを備えて構成されている。そして、図柄始動口に設けられた検出スイッチが遊技球の通過を検出すると入賞状態となり、遊技球が賞球として払出された後、図柄表示部では表示図柄が所定時間変動される。その後、７・７・７などの所定の態様で図柄が停止すると大当り状態となり、大入賞口が繰返し開放されて、遊技者に有利な遊技状態を発生させている。

このような遊技状態を発生させるか否かは、図柄始動口に遊技球が入賞したことを条件に実行される大当り抽選で決定されており、上記の図柄変動動作は、この抽選結果を踏まえたものとなっている。そのため、例えば、強力な永久磁石をして、遊技球を図柄始動口に不正入賞させる違法行為も懸念されるとこであり、遊技盤の複数個所に、磁気センサを配置する構成が知られている（特許文献１〜特許文献４）。

特開２０１６−０４２８８６号公報 特開２０１５−２２３４８９号公報 特開２０１５−１６００６５号公報 特開２０１５−１１９７６０号公報

ここで、磁気センサが異常を検出するための判定閾値が低すぎると、通常の遊技行為を、不正遊技と誤認してしまうことがあり、これでは、不正遊技と誤認された遊技者との間で、深刻なトラブルが生じかねない。一方、遊技客とのトラブルを恐れるあまり、判定閾値を高め過ぎると、今度は、不正遊技を見逃すことになり、遊技ホールに過大な損害を与えてしまう。

ところで、遊技機は、一般に、可動役物などを駆動する駆動モータの個数や、その駆動パワーが機種毎に違うので、全ての遊技機に、画一的な判定閾値を最適に設定することはできない。また、例え、同一の機種であっても、磁気センサの近くに駆動モータなどの電磁部材が存在するか否かに基づいて、最適な判定閾値に設定できれば非常に好適である。

本発明は、上記の着想に鑑みてなされたものであって、判定閾値を適切に設定することができる遊技機を提供することを課題とする。

上記の課題を解決するため、本発明は、遊技盤に一又は複数の磁気センサを配置すると共に、所定のスイッチ信号に基づいて抽選処理を実行し、その抽選結果に応じた遊技動作を実行可能な遊技機であって、コンピュータ回路で構成される所定の制御手段は、磁気センサに対して、所定タイミングで動作制御信号を送信する一方、判定閾値を超える磁気異常を検出した磁気センサから異常レベルの検出信号を受けるよう構成され、電源投入後、第１レベルの動作制御信号出力することで、磁気センサに判定閾値を設定させる第１手段と、第１手段が機能して設定された判定閾値に基づく磁気センサの異常検出動作を、一時停止させるべく、第２レベルの動作制御信号を出力する第２手段と、を有して構成され、第１手段は、電源投入後、プログラム処理を経ることなく、第２レベルの動作制御信号を出力した上で、その後の所定タイミングで、プログラム処理によって第１レベルの動作制御信号を出力して、磁気センサに判定閾値を設定させる。

動作制御信号を出力する動作には、実施例のように、オープンコレクタ構成のトランジスタがＯＮ動作またはＯＦＦ動作する動作態様も含まれる。

所定の制御手段は、好ましくは、コンピュータ回路のＣＰＵがリセットされて実行が開始されるメイン処理と、メイン処理による開始設定に基づいて動作が開始されるタイマ割込み処理と、を有して構成され、磁気センサによる判定閾値の設定動作は、タイマ割込みが動作を開始するまで完了するよう第１手段が機能するよう構成されている。

上記何れの発明も、第２手段が第２レベルの動作制御信号の出力を終えた後も、所定時間は、異常検出動作が機能しないよう構成されているのが好ましく、また、電源投入後、設定された判定閾値は、電源遮断まで変更不能に構成されているのが好ましい。また、検出信号を伝送する伝送路が断線すると、制御手段が、異常レベルの検出信号を受けるよう構成されること、及び／又は、複数Ｎ個の磁気センサに対応して、制御手段が、Ｎ個の検出信号を受けるよう構成されることが好適である。また、電源投入後、判定閾値を設定する動作中、異常を検出すると、異常レベルの検出信号が伝送されるよう構成すれば防犯機能が高い。

上記の通り、本発明によれば、磁気センサの配置位置や、遊技機の機種毎に、各磁気センサに適切な判定閾値を設定することができる。

本実施例のパチンコ機を示す斜視図である。 本実施例の遊技盤の概略正面図である。 本実施例の全体回路構成を示すブロック図である。 磁気センサの回路構成を示す図面である。 主制御部の制御動作と、磁気センサの回路動作を説明する図面である。 主制御部のメイン処理を説明するフローチャートである。

以下、実施例に基づいて本発明を詳細に説明する。図１は、本実施例のパチンコ機ＧＭを示す斜視図である。このパチンコ機ＧＭは、島構造体に着脱可能に装着される矩形枠状の木製外枠１と、外枠１に固着されたヒンジ２を介して開閉可能に枢着される前枠３とで構成されている。

この前枠３には、遊技盤５が、裏側からではなく、表側からワンタッチコネクタを利用して着脱自在に装着され、その前側には、ガラス扉６と前面板７とが夫々開閉自在に枢着されている。ここで、ワンタッチコネクタとは、一の装着操作で複数の接点が接続状態となり、一の分離操作で複数の接点が分離状態となる接続コネクタＣ１〜Ｃ４（図３参照）を意味する。

ガラス扉６の外周には、ＬＥＤランプなどによる電飾ランプが、略Ｃ字状に配置されている。一方、ガラス扉６の下側には、スピーカが配置されている。

前面板７には、発射用の遊技球を貯留する上皿８が装着され、前枠３の下部には、上皿８から溢れ出し又は抜き取った遊技球を貯留する下皿９と、発射ハンドル１０とが設けられている。発射ハンドル１０は、その回動角度に応じた強度で動作する打撃槌によって遊技球が発射される。

ここで、打撃槌は、発射ソレノイドによって駆動されており、打撃槌が機能するまでの発射準備のため、球送りソレノイドが機能している。また、発射ハンドル１０には、発射ソレノイドの発射強度を調整可能な強度ボリュームと、遊技者が発射ハンドル１０に触れているか否かを検出するタッチセンサと、遊技者が発射停止を指示する発射停止スイッチと、が配置されている。

そして、発射ハンドル１０の回転位置を示す発射強度信号と、タッチセンサからのタッチセンサ信号と、停止スイッチ信号は、発射接続基板２７を経由して、発射制御基板２５に伝送されるよう構成されている（図３参照）。

一方、上皿８の外周面には、チャンスボタン１１が設けられている。このチャンスボタン１１は、遊技者の左手で操作できる位置に設けられており、遊技者は、発射ハンドル１０から右手を離すことなくチャンスボタン１１を操作できる。このチャンスボタン１１は、通常時には機能していないが、ゲーム状態がボタンチャンス状態となると内蔵ランプが点灯されて操作可能となる。なお、ボタンチャンス状態は、必要に応じて設けられるゲーム状態である。

上皿８の右部には、カード式球貸し機に対する球貸し操作用の操作パネル１２が設けられ、カード残額を３桁の数字で表示する度数表示部と、所定金額分の遊技球の球貸しを指示する球貸しスイッチと、ゲーム終了時にカードの返却を指令する返却スイッチとが設けられている。

図２に示すように、遊技盤５の表面には、金属製の外レールと内レールとからなるガイドレール１３が環状に設けられ、その略中央には、背面側に延びる中央開口ＨＯが設けられている。そして、中央開口ＨＯの奥底には、液晶カラーディスプレイで構成された表示装置ＤＳが配置されている。

また、表示装置ＤＳの前面に形成される空間には、演出可動体ＡＭＵ（可動役物）が昇降自在に配置されている。演出可動体ＡＭＵは、昇降機構ＡＬＶに保持されて昇降される固定部材ＦＩＸと、固定部材ＦＩＸに支持されて回転する回転部材ＲＯＴとで構成されている。

昇降機構ＡＬＶの昇降動作や、回転部材ＲＯＴの回転動作は、ステッピングモータで構成された演出モータＭ１〜Ｍｘの回転によって実現される。なお、通常時には、演出可動体ＡＭＵは、昇降機構ＡＬＶに吊り上げられた状態で待機している。

遊技領域の適所には、図柄始動口１５、大入賞口１６、普通入賞口１７、ゲート１８が配設されている。これらの入賞口１５〜１８は、それぞれ内部に検出スイッチを有しており、遊技球の通過を検出できるようになっている。

表示装置ＤＳは、大当り状態に係わる特定図柄を変動表示すると共に背景画像や各種のキャラクタなどをアニメーション的に表示する装置である。この表示装置ＤＳは、中央部に特別図柄表示部Ｄａ〜Ｄｃと右上部に普通図柄表示部１９を有している。そして、特別図柄表示部Ｄａ〜Ｄｃでは、大当り状態の招来を期待させるリーチ演出が実行されたり、特別図柄表示部Ｄａ〜Ｄｃ及びその周りでは、当否結果を不確定に報知する予告演出などが実行される。

普通図柄表示部１９は普通図柄を表示するものであり、ゲート１８を通過した遊技球が検出されると、普通図柄が所定時間だけ変動し、遊技球のゲート１８の通過時点において抽出された抽選用乱数値により決定される停止図柄を表示して停止するようになっている。

図柄始動口１５は、左右一対の開閉爪を備えた電動式チューリップで開閉されるよう構成され、普通図柄表示部１９の変動後の停止図柄が当り図柄を表示した場合には、開閉爪が所定時間だけ、若しくは、所定個数の遊技球を検出するまで開放されるようになっている。なお、電動式チューリップは、不図示の第１ソレノイドが通電することで開放状態となる。

図柄始動口１５に遊技球が入賞すると、特別図柄表示部Ｄａ〜Ｄｃの表示図柄が所定時間だけ変動し、図柄始動口１５への遊技球の入賞タイミングに応じた抽選結果に基づいて決定される停止図柄で停止する。なお、特別図柄表示部Ｄａ〜Ｄｃ及びその周りでは、一連の図柄演出の間に、予告演出が実行される場合がある。また、予告演出の一種として、演出可動体ＡＭＵが中央開口ＨＯの位置に降下してくることがある。そして、降下した演出可動体ＡＭＵは、時計方向又は反時計方向に回転した後、元の位置に上昇する。

大入賞口１６は、前方に開放可能な開閉板１６ａで開閉制御されるが、特別図柄表示部Ｄａ〜Ｄｃの図柄変動後の停止図柄が「７７７」などの大当り図柄のとき、「大当りゲーム」と称する特別遊技が開始され、開閉板１６ａが開放されるようになっている。開閉板１６ａは、不図示の第２ソレノイドが通電状態となって開放する。

大入賞口１６の開閉板１６ａが開放された後、所定時間が経過し、又は所定数（例えば１０個）の遊技球が入賞すると開閉板１６ａが閉じる。このような動作は、最大で例えば１５回まで特別遊技が継続され、遊技者に有利な状態に制御される。なお、特別図柄表示部Ｄａ〜Ｄｃの変動後の停止図柄が特別図柄のうちの特定図柄であった場合には、特別遊技の終了後のゲームが高確率状態となるという特典が付与される。

図３は、上記した各動作を実現するパチンコ機ＧＭの全体回路構成を示すブロック図である。

図示の通り、このパチンコ機ＧＭは、ＡＣ２４Ｖを受けて各種の直流電圧と電源異常信号ＡＢＮ１，ＡＢＮ２を出力する電源基板２０と、遊技制御動作を中心統括的に担う主制御基板２１と、主制御基板２１から受けた制御コマンドＣＭＤに基づいてランプ演出及び音声演出を実行する演出制御基板２２と、演出制御基板２２から受けた制御コマンドＣＭＤ’に基づいて表示装置ＤＳを駆動する画像制御基板２３と、主制御基板２１から受けた制御コマンドＣＭＤ”に基づいて払出モータＭを制御して遊技球を払い出す払出制御基板２４と、遊技者の操作に応答して遊技球を発射させる発射制御基板２５と、を中心に構成されている。

主制御基板２１が出力する制御コマンドＣＭＤは、演出制御基板２２に伝送され、演出制御基板２２から出力される制御コマンドＣＭＤ’は、画像インタフェイス基板２８を経由して、画像制御基板２３に伝送される。また、主制御基板２１が出力する制御コマンドＣＭＤ”は、主基板中継基板３２を経由して、払出制御基板２４に伝送される。

制御コマンドＣＭＤ，ＣＭＤ’，ＣＭＤ”は、何れも１６ビット長であるが、主制御基板２１や払出制御基板２４が関係する制御コマンドは、８ビット長毎に２回に分けてパラレル送信されている。一方、演出制御基板２２から画像制御基板２３に伝送される制御コマンドＣＭＤ’は、１６ビット長をまとめてパラレル伝送されている。

これら主制御基板２１、演出制御基板２２、画像制御基板２３、及び払出制御基板２４には、ワンチップマイコンを備えるコンピュータ回路がそれぞれ搭載されている。そこで、これらの制御基板２１〜２４とインタフェイス基板２８に搭載された回路、及びその回路によって実現される動作を機能的に総称して、本明細書では、主制御部２１、演出制御部２２、画像制御部２３、及び払出制御部２４と言うことがある。

なお、画像インタフェイス基板２８と画像制御基板２３とは、配線ケーブルを経由することなく、雌雄コネクタで直結されており、画像制御基板２３と画像インタフェイス基板２８とで画像制御部２３を構成している。そして、演出制御部２２、画像制御部２３、及び払出制御部２４の全部又は一部がサブ制御部である。

ところで、このパチンコ機ＧＭは、図３の破線で囲む枠側部材ＧＭ１と、遊技盤５の背面に固定された盤側部材ＧＭ２とに大別されている。そして、枠側部材ＧＭ１と盤側部材ＧＭ２とは、一箇所に集中配置された接続コネクタＣ１〜Ｃ４によって電気的に接続されている。

枠側部材ＧＭ１には、ガラス扉６や前面板７が枢着された前枠３と、その外側の木製外枠１とが含まれており、機種の変更に拘わらず、長期間にわたって遊技ホールに固定的に設置される。一方、盤側部材ＧＭ２は、機種変更に対応して交換され、新たな盤側部材ＧＭ２が、元の盤側部材の代わりに枠側部材ＧＭ１に取り付けられる。

枠側部材ＧＭ１には、電源基板２０と、払出制御基板２４と、発射制御基板２５と、発射接続基板２７と、枠中継基板３５と、ランプ駆動基板３６とが含まれており、これらの回路基板が、前枠３の適所に各々固定されている。

ここで、ランプ駆動基板３６には、複数のＬＥＤが接続されており、これらのＬＥＤ群を駆動する駆動データＳＤＡＴＡは、シリアル信号として、演出制御基板２２→枠中継基板３４→接続コネクタＣ４→枠中継基板３５を経由して、ランプ駆動基板３６に搭載された複数のＬＥＤドライバに伝送される。

一方、遊技盤５の背面には、主制御基板２１、演出制御基板２２、画像制御基板２３及び画像インタフェイス基板２８が、表示装置ＤＳやその他の回路基板と共に固定されている。

図示の通り、電源基板２０は、接続コネクタＣ３を通して、電源中継基板３３に接続され、演出制御部２２は、電源中継基板３３を経由して、電源基板２０から３種類の直流電圧（５Ｖ，１２Ｖ，３５Ｖ）を受けている。演出制御部２２は、主制御部２１から制御コマンドＣＭＤとストローブ信号ＳＴＢとを受け、ランプ駆動基板２９やランプ／モータ駆動基板３０に搭載されたＬＥＤドライバやモータドライバに、駆動データＳＤＡＴＡ（シリアル信号）を供給している。
ている。

また、電源基板２０は、接続コネクタＣ２を通して、主基板中継基板３２に接続され、主制御基板２１は、主基板中継基板３２を経由して、３種類の直流電圧ＤＣ３５Ｖ，ＤＣ１２Ｖ，ＤＣ５Ｖと、バックアップ電源ＢＡＫと、電源異常信号ＡＢＮ１とを受けている。

主制御部２１には、係員が操作可能な初期化スイッチＳＷが配置されており、そのＯＮ操作を示すＲＡＭクリア信号ＣＬＲは、主制御部２１と払出制御部２４のワンチップマイコンに伝送されている。ここで、ＲＡＭクリア信号ＣＬＲは、各制御部２１，２４のワンチップマイコンの内蔵ＲＡＭの全領域を初期設定するか否かを決定する信号である。

払出制御基板２４は、中継基板を介することなく、電源基板２０に直結されており、主制御部２１が受けると同様の電源異常信号ＡＢＮ２や、バックアップ電源ＢＡＫを、３種類の直流電圧ＤＣ３５Ｖ，ＤＣ１２Ｖ，ＤＣ５Ｖと共に直接的に受けている。

また、払出制御基板２４には、遊技球の払出を特定する計数スイッチ信号や、ガラス扉６の開閉状態を特定するドア開放信号ＤＯＲが入力されている。本実施例では、ドア開放信号ＤＯＲは、ドア開放状態（異常）でＨレベル、ドア閉鎖状態（正常）でＬレベルとなるよう構成されている。

主制御部２１は、主基板中継基板３２と接続コネクタＣ１を経由して、払出制御部２４に制御コマンドＣＭＤ”を送信する一方、払出制御部２４からは、ガラス扉６の開閉状態を示すドア開放信号ＤＯＲや、遊技球の払出動作を示す賞球計数信号や、払出動作の異常に係わるステイタス信号ＣＯＮや、動作開始信号ＢＧＮを受信している。

ステイタス信号ＣＯＮには、例えば、補給切れ信号、払出不足エラー信号、下皿満杯信号が含まれる。動作開始信号ＢＧＮは、電源投入後、払出制御部２４の初期動作が完了したことを主制御部２１に通知する信号である。

また、主制御部２１は、遊技盤中継基板３１を経由して、遊技盤５の各遊技部品に接続されている。そして、遊技盤上の各入賞口１６〜１８に内蔵された検出スイッチのスイッチ信号を受ける一方、電動式チューリップなどのソレノイド類を駆動している。

ここで、検出スイッチは、主制御部２１から配電された電源電圧ＶＢ（１２Ｖ）で動作するよう構成されている。また、図柄始動口１５への入賞状態などを示す各検出スイッチ信号は、電源電圧ＶＢ（１２Ｖ）と電源電圧Ｖｃｃ（５Ｖ）とで動作するインタフェイスＩＣで、ＴＴＬレベル又はＣＭＯＳレベルのスイッチ信号に変換された上で、主制御部２１に伝送される。

また、主制御部２１は、遊技盤中継基板３１を経由して、複数Ｎ個の磁気センサＭＧ１〜ＭＧｎに接続されている。各磁気センサＭＧｉは、遊技盤の適所に配置され、各々に設定された判定閾値ＴＨｉを超える異常レベルの磁気を検出するとＯＮレベル（Ｈ）の磁気検出信号ＭＧＮｉを出力する。

上記の通り、本明細書では、磁気センサＭＧ１〜ＭＧｎを総称する場合には、添え字ｉを使用してＭＧｉと称する。また、判定閾値ＴＨｉや磁気検出信号ＭＧＮｉについても同様である。

本実施例では、全ての磁気センサＭＧｉは、その配置位置に応じた最適な判定閾値ＴＨｉに自動設定されるよう構成されている。本実施例の場合、この自動設定動作は、電源投入直後に実行されるＡタイプの磁気センサＭＧａもあれば、演出モータＭ１〜Ｍｘが回転する動作時に実行されるＢタイプの磁気センサＭＧｂもある。但し、ＡタイプであるかＢタイプであるかに拘わらず、何れの磁気センサＭＧｂも内部構成は全く同じである。

そして、演出モータＭ１〜Ｍｘに近接するなど、特殊位置に配置されるＢタイプの磁気センサＭＧｂは、演出モータＭ１〜Ｍｘの動作時に検出される周辺磁気に基づいて、最適な判定閾値ＴＨｂに自己決定される。

これは、特殊位置に配置されたＢタイプの磁気センサＭＧｂについて、判定閾値ＴＨｂを高めに設定しておかないと、演出モータＭ１〜Ｍｘの動作時に、通常の遊技動作を不正遊技と誤認してしまうおそれがあるからである。

一方、それ以外の通常位置に配置されたＡタイプの磁気センサＭＧａについては、例えば、電源投入後、ガラス扉６が閉じている時に検出される周辺磁気に基づいて、最適な判定閾値ＴＨａに自己決定される。なお、Ａタイプの磁気センサＭＧａには、ソレノイドが機能する図柄始動口１５や大入賞口１６に近接して配置される磁気センサも含まれている。

そのため、これらの磁気センサＭＧａは、ソレノイド通電時には、電源投入時には検出されない高レベルの周辺磁気を検知することになり、このソレノイド通電状態を異常発生と誤認しない判定閾値ＴＨａが必要となる。

しかし、本実施例では、後述する感度抵抗Ｒｓによる個別的な感度調整が可能であり、この感度調整によって判定閾値ＴＨａを高めることができるので、電源投入後に判定閾値を自動決定しても何ら弊害は生じない。

一方、感度調整では対処できないような特殊位置の磁気センサＭＧｂについては、磁気高レベルの状態で判定閾値ＴＨｂを自動決定している。

図４は、以上の動作を実現する磁気センサＭＧｉと、これを制御する主制御部２１の回路構成について、遊技盤中継基板３１の回路構成と共に図示したものである。

ここでは、演出モータＭ１〜Ｍｘに近接配置される磁気センサＭＧｂと、図柄始動口１５などを含む普通位置に配置される磁気センサＭＧａについて図示している。なお、磁気センサＭＧｂについて、その内部構成を具体的に図示しているが、全ての磁気センサＭＧ１〜ＭＧｎは、図示の回路構成と同じである。

全ての磁気センサＭＧｉは、図４の右上に記載の通り、電源端子Ｖｃｃと、グランド端子ＧＮＤと、制御信号端子ＣＴＬと、検出信号端子ＭＧＮと、抵抗端子ＡＤＪと、を有して構成されている。そして、抵抗端子ＡＤＪとグランド端子ＧＮＤとの間には、感度抵抗Ｒｓが接続される。なお、実際の感度抵抗Ｒｓは、遊技盤中継基板３１に配置される。

磁気センサＭＧｉの電源端子Ｖｃｃには、遊技盤中継基板３１を経由して、主制御部２１から電源電圧Ｖｃｃ（＋５Ｖ）が供給され、グランド端子ＧＮＤは、遊技盤中継基板３１と主制御部２１の該当端子に接続されている。

検出信号端子ＭＧＮは、遊技盤中継基板３１を経由して、主制御部２１のプルアップ抵抗Ｒ１６，Ｒ１７に接続されることで、磁気センサＭＧｉの磁気検出信号ＭＧＮを伝送している。Ｎ個の磁気センサＭＧｉからの磁気検出信号ＭＧＮ１〜ＭＧＮｎは、図示の通り、ＯＲ論理などで纏められることなく、全て個別的に主制御部２１に伝送されている。

また、制御信号端子ＣＴＬには、遊技盤中継基板３１に配置されたＯＮ／ＯＦＦ制御トランジスタＱ１１〜Ｑ１２のコレクタ端子を経由して、動作制御信号ＣＴＬが供給されている。ここで、動作制御信号ＣＴＬは、主制御部２１が出力するセンサ制御信号ＳＮか、又は、ドア開放信号ＤＯＲに対応している。

図４の下部に示す通り、特殊位置に配置されたＢタイプの磁気センサＭＧｂには、論理反転されたセンサ制御信号ＳＮが動作制御信号ＣＴＬとして供給され、それ以外の普通位置に配置されたＡタイプの磁気センサＭＧａには、論理反転されたドア開放信号ＤＯＲが、動作制御信号ＣＴＬとして供給される。

主制御部２１は、払出制御部２４から伝送されたドア開放信号ＤＯＲを、そのまま転送するが、センサ制御信号ＳＮについては、電源リセット信号ＩＯＲＳＴと、キャリブレーション信号ＣＡＬと、ドア開放信号ＤＯＲと、に基づいて主制御部２１において生成される。

この点を具体的に説明すると、先ず、主制御部２１には、ＣＰＵによる書込み動作が可能なＤ型フリップフロップＤＦＦが設けられている。このフリップフロップＤＦＦは、クリア端子ＣＬＲに供給される電源リセット信号ＩＯＲＳＴによってクリアされ、ＣＰＵによるキャリブレーション信号ＣＡＬの書込み動作（以下、ＣＡＬ書込み動作という）によって、Ｈレベル（１ビット長）のキャリブレーション信号ＣＡＬがラッチされるよう構成されている。

そのため、電源投入後は、電源リセット信号ＩＯＲＳＴによって、フリップフロップＤＦＦのＣＡＬ出力が、ＣＡＬ＝Ｌとなり、その後のＣＡＬ書込み動作でＣＡＬ＝Ｈとなる。なお、フリップフロップＤＦＦのクロック端子ＣＬＫには、ＣＰＵのＣＡＬ書込み動作時に、有意レベルのチップセレクト信号ＣＳが供給される。

図示の通り、フリップフロップＤＦＦのＣＡＬ出力は、ＮＯＴゲートＧ８を経由して、ＯＲゲートＧ９に供給される。このＯＲゲートＧ９には、ドア開放信号ＤＯＲも供給されており、何れかの入力信号がＨレベルであれば、Ｈレベルのセンサ制御信号ＳＮとして、ＯＮ／ＯＦＦ制御トランジスタＱ１１をＯＮ動作させる。

先に説明した通り、ＣＰＵによるＣＡＬ書込み動作時までは、ＮＯＴゲートＧ８の出力がＨレベルを維持するので、このＨレベル維持状態では、ガラス扉６の開閉状態に拘わらず、ＯＮ／ＯＦＦ制御トランジスタＱ１１がＯＮ動作を継続する。

一方、ＣＰＵによるＣＡＬ書込み動作が実行されると、ガラス扉６が閉鎖状態（ドア開放信号ＤＯＲがＬレベル）であることを条件に、ＯＲゲートＧ９の出力がＬレベルに遷移して、ＯＮ／ＯＦＦ制御トランジスタＱ１１がＯＮ状態からＯＦＦ状態に遷移する。

本実施例では、ＯＮ／ＯＦＦ制御トランジスタＱ１１のＯＮ状態は、ガラス扉６の開放状態などの異常時を意味し、ＯＮ／ＯＦＦ制御トランジスタＱ１１のＯＦＦ状態は、正常状態を意味する。そこで、本実施例では、電源リセット後、継続してＯＮ状態であったＯＮ／ＯＦＦ制御トランジスタＱ１１がＯＦＦ状態（正常状態）に遷移すると、磁気センサＭＧｂにおいて、判定閾値ＴＨｂを自己決定するキャリブレーション動作を開始させるようにしている。

なお、ＣＰＵによるＣＡＬ書込み動作時に、もし、ガラス扉６が開放状態（ドア開放信号ＤＯＲがＨレベル）であれば、ＯＮ／ＯＦＦ制御トランジスタＱ１１は、引き続きＯＮ状態を継続することになり、その後、ガラス扉６が閉鎖状態に移行してから、磁気センサＭＧｂにおいて、上記したキャリブレーション動作が開始される。

ところで、ドア開放信号ＤＯＲを受けるＯＮ／ＯＦＦ制御トランジスタＱ１２は、ＣＰＵによるＣＡＬ書込み動作とは無関係であり、電源投入後、ガラス扉６が閉鎖状態（ドア開放信号ＤＯＲがＬレベル）であるか、或いは、開放状態から閉鎖状態に移行すると、磁気センサＭＧａにおいて、判定閾値ＴＨａを自己決定するキャリブレーション動作が実行される。

以上を踏まえて、磁気センサＭＧｉの内部回路を説明する。磁気センサＭＧｉは、外部磁気を検知して検知信号Ｅｏを出力する磁気検知部ＤＥＴと、内部クロックΦを計数するカウンタＣＮＴと、カウンタＣＮＴのカウント値をラッチ可能なラッチ回路ＬＴと、ラッチ回路ＬＴとカウンタのＯＲ出力を受けるＤＡコンバータＣＶと、ＤＡコンバータＣＶの比較出力Ｅｒを検知信号Ｅｏと比較する第１コンパレータＣＭＰ１と、ＤＡコンバータＣＶの比較出力Ｅｒにバイアス電圧Ｅｂを加算する加算回路ＡＭＰと、加算回路ＡＭＰの出力値（Ｅｒ＋Ｅｂ）を検知信号Ｅｏと比較する第２コンパレータＣＭＰ２と、第２コンパレータＣＭＰ２の出力に基づいてＯＮ／ＯＦＦ動作する出力トランジスタＱ１０と、を中心に構成されている。

図示の通り、カウンタＣＮＴのクロック端子ＣＫは、ＡＮＤゲートＧ１を経由して内部クロックΦを受けており、ＡＮＤゲートＧ１の他方側の入力端子には、主制御部２１から遊技盤中継基板３１を経由して伝送される動作制御信号ＣＴＬが供給されている。したがって、カウンタＣＮＴは、動作制御信号ＣＴＬ＝Ｈレベルの場合に限り、内部クロックΦを受けることになる。

また、カウンタＣＮＴのクリア端子ＣＬＲは、ＡＮＤゲートＧ２の出力を受けており、ＡＮＤゲートＧ２には、電源リセット信号ＲＳＴと、禁止信号Ｄｓとが供給されている。したがって、電源リセット信号ＲＳＴと、禁止信号Ｄｓの何れか一方がＬレベルであると、カウンタＣＮＴはクリア状態となる。一方、電源リセット信号ＲＳＴ＝Ｈレベル、且つ、禁止信号Ｄｓ＝Ｈレベルの場合には、カウンタＣＮＴの計数動作が許容されることになる。

ラッチ回路ＬＴは、カウンタＣＮＴの出力Ｄ０〜Ｄｎを受けると共に、電源電圧Ｖｃｃ＝Ｈレベルの規制信号Ｅｇを受けている。そして、ラッチ回路ＬＴのクリア端子ＣＬＲには、電源リセット信号ＲＳＴが供給されている。また、クロック端子ＣＬＫには、第１コンパレータＣＭＰ１の出力が供給されている。

そして、第１コンパレータＣＭＰ１の出力がＨレベルからＬレベルに立下ると、この立下りエッジに同期して、ラッチ回路ＬＴは、カウンタＣＮＴの出力Ｄ０〜Ｄｎと、Ｈレベルの規制信号Ｅｇを、内部保持して出力端子Ｑｘに出力するよう構成されている。

ここで、出力端子Ｑｘから出力されるＨレベルの規制信号Ｅｇは、ＮＯＴゲートＧ４を経由することでＬレベルの禁止信号Ｄｓとなって、ＡＮＤゲートＧ２とＡＮＤゲートＧ５に供給される。ＡＮＤゲートＧ５に、Ｌレベルの禁止信号Ｄｓが供給されることで、第１コンパレータＣＭＰ１の出力がＬレベルに変化した後、第１コンパレータＣＭＰ１の出力が更に変化しても、その変化が、ラッチ回路ＬＴに影響を与えることがない。すなわち、第１コンパレータＣＭＰ１の出力がＬレベルに変化することで、ラッチ回路ＬＴが、第１コンパレータＣＭＰ１から切り離されることになる。

Ｌレベルの禁止信号ＤｓがＡＮＤゲートＧ２供給されることで、第１コンパレータＣＭＰ１の出力がＬレベルに変化した後は、カウンタＣＮＴがクリア状態となり、その後も、ラッチ回路ＬＴの保持動作に基づき、Ｌレベルの禁止信号Ｄｓが維持され、クリア状態が永続的に維持されることになる。このように、第１コンパレータＣＭＰ１の出力がＬレベルに変化した後は、カウンタＣＮＴは、内部クロックΦを受けても計数動作を実行できないことになる。

ＤＡコンバータＣＶは、ＯＲゲート群Ｇ３〜Ｇ３を通して、ラッチ回路ＬＴとカウンタＣＮＴのＯＲ出力を受けて、アナログ変換した比較出力Ｅｒを出力している。

ここで、カウンタＣＮＴやラッチ回路ＬＴが電源リセットされた後は、ＯＲゲート群Ｇ３〜Ｇ３の出力が全てＬレベルであるので、比較出力Ｅｒは、最初はゼロレベルである。また、この時、磁気検知部ＤＥＴの磁気検知出力である検知信号Ｅｏは、Ｅｏ＞０であるので、第１コンパレータＣＭＰ１の出力は、Ｈレベルである。なお、ラッチ回路ＬＴが電源リセットされると、ＡＮＤゲートＧ５の制御入力端子はＨレベルとなるので、ラッチ回路ＬＴのクロック端子ＣＬＫは、ＡＮＤゲートＧ５を経由して、第１コンパレータＣＭＰ１の出力を受信可能となる。

最初はゼロレベルであった比較出力Ｅｒは、その後、カウンタＣＮＴの計数動作に基づいて、直線的に増加し、検知信号Ｅｏを上回ると、第１コンパレータＣＭＰ１の出力は、ＨレベルからＬレベルに変化することになり、ラッチ回路ＬＴのラッチ動作が実現される。

そして、その後は、先に説明した通り、カウンタＣＮＴが計数動作を実行しないので、ＤＡコンバータＣＶの入力は増加せず、比較出力Ｅｒが固定化されることになる。先に説明した通り、ＡＮＤゲートＧ５の制御入力端子に、Ｌレベルの禁止信号Ｄｓが供給されることで、ラッチ回路ＬＴは、第１コンパレータＣＭＰ１から切り離される。

加算回路ＡＭＰは、単一電源で動作するＯＰアンプで構成されており、反転入力端子に接続された２個の抵抗Ｒと、非反転入力端子に接続された２個の抵抗Ｒの全ての抵抗値が同一値であることから、加算回路ＡＭＰの出力は、比較出力Ｅｒと、バイアス電圧Ｅｂの加算値（Ｅｒ＋Ｅｂ）となる。

ここで、比較出力Ｅｒは、自然状態における磁気センサＭＧｉの周辺磁気に対応し（Ｅｒ≒Ｅｏ）、バイアス電圧Ｅｂは、磁気センサＭＧｉに固有の判定閾値ＴＨｉを規定するための調整値に対応する。すなわち、Ｅｒ＋Ｅｂの値が、磁気センサＭＧｉにとっての判定閾値ＴＨｉとなり、第２コンパレータＣＭＰ２において周辺磁気と比較される。

ここで、バイアス電圧Ｅｂは、外付けの感度抵抗Ｒｓと、その感度抵抗Ｒｓに供給される定電流値Ｉｏで規定されるよう構成されている（Ｅｂ＝Ｒｓ＊Ｉｏ）。そのため、磁気センサＭＧｉに配置位置などに基づいて、感度抵抗Ｒｓの抵抗値を最適設定することで、磁気センサＭＧｉ毎の最適判定閾値ＴＨｉを決定することができる。例えば、図柄始動口１５や大入賞口１６に近接して配置される磁気センサＭＧａのバイアス電圧（判定用調整値）Ｅｂは高めに設定される。

なお、感度抵抗Ｒｓの抵抗値が低いほど、その磁気センサＭＧｉが、外部磁気に敏感に反応することになり、また、磁気検出範囲が広がることになる。

このように、第２コンパレータＣＭＰ２では、個々的に最適設定された判定閾値ＴＨｉが、周辺磁気と比較される。但し、判定閾値ＴＨｉは、ＴＨｉ＝Ｅｒ＋Ｅｂ≒正常検知レベルＥｏ＋判定用調整値Ｅｂであって、定常状態（正常時）において、検知信号Ｅｏが判定閾値ＴＨｉを上回ることがないので（ＴＨｉ＞Ｅｏ）、第２コンパレータＣＭＰ２の出力は、Ｌレベルとなる。

第２コンパレータＣＭＰ２の出力は、ＮＡＮＤゲートＧ６で反転されて出力トランジスタＱ１０に供給されるので、定常状態（正常時）では、出力トランジスタＱ１０がＯＮ状態となり、磁気検出信号ＭＧＮｉは、主制御部２１においてＬレベルとなる。

一方、磁気検知部ＤＥＴが異常レベルの磁気を検知すると、検知信号Ｅｏが判定閾値ＴＨｉを上回るので（ＴＨｉ＜Ｅｏ）、第２コンパレータＣＭＰ２の出力が、ＬレベルからＨレベルに遷移する。

第２コンパレータＣＭＰ２の出力は、ＮＡＮＤゲートＧ６で反転されて出力トランジスタＱ１０に供給されるので、異常検出時には、出力トランジスタＱ１０がＯＦＦ状態となり、磁気検出信号ＭＧＮｉは、ＬレベルからＨレベルに遷移する。そのため、主制御部２１のＣＰＵは、磁気検出信号ＭＧＮｉの異常遷移に基づいて、適宜な報知動作を開始することになる。

ところで、磁気センサＭＧｉには、動作制御信号ＣＴＬを受けて０．５〜１秒程度の遅延動作を実行する遅延回路ＤＬＹと、遅延回路ＤＬＹの遅延出力ＣＴＬ’や動作制御信号ＣＴＬを受けるＡＮＤゲートＧ７と、ＡＮＤゲートＧ７のゲート出力ＯＰＮや第２コンパレータＣＭＰ２の出力を受けるＮＡＮＤゲートＧ６と、が設けられている。

そして、ＮＡＮＤゲートＧ６の出力は、出力トランジスタＱ１０に供給されている。そのため、動作制御信号ＣＴＬがＬレベルであれば、ＡＮＤゲートＧ７のゲート出力ＯＰＮがＬレベルになることで、出力トランジスタＱ１０は、第２コンパレータＣＭＰ２の出力レベルに拘わらず、必ず、ＯＮ動作することになる（正常判定の動作）。

この構成は、係員が、ガラス扉６を開放した状態では、例え、磁気検知部ＤＥＴが異常レベルの磁気を検知しても、異常Ｈレベルの磁気検出信号ＭＧＮｉを出力しないためである。すなわち、係員がガラス扉６を開放すると、ドア開放信号ＤＯＲがＨレベルに変化するので、遊技盤中継基板３１のＯＮ／ＯＦＦ制御トランジスタＱ１１，Ｑ１２がＯＮ動作して、動作制御信号ＣＴＬをＬレベルに変化させ、ＡＮＤゲートＧ７のゲート出力ＯＰＮをＬレベルにする。

したがって、上記の構成によれば、係員が、仮に、磁気部材を磁気センサＭＧｉに近づけたとしても、異常報知動作が開始されることはなく、遊技客に不信感を与えることはない。

以上、磁気センサＭＧｉと主制御部２１との関係を説明したので、図５に基づいて、Ｂタイプの磁気センサＭＧｂの動作内容を確認する。タイミングＴ０で電源が投入されると、磁気センサＭＧｂの電源リセット信号ＲＳＴは、その後も、タイミングＴ１まではＬレベルを維持する。

そのため、このリセット期間中（Ｔ１−Ｔ０）に、カウンタＣＮＴと、ラッチ回路ＬＴが確実にリセットされ、カウンタＣＮＴとラッチ回路ＬＴの出力データが、全てＬレベルとなる。

このとき、ラッチ回路ＬＴの出力端子ＱｘもＬレベルであるので、禁止信号Ｄｓは、Ｈレベルとなる。そして、電源リセット信号ＲＳＴがＨレベルに変わるタイミングＴ１の後は、カウンタＣＮＴのクリア状態は解消され、カウンタＣＮＴが更新可能な状態となる。

一方、主制御部２１でも、電源リセット信号ＩＯＲＳＴが、所定時間、Ｌレベルを維持することで、フリップフロップＤＦＦのＣＡＬ出力がＬレベルとなる。そのため、ＮＯＴゲートＧ８の出力がＨレベルとなり、ドア開放信号ＤＯＲのレベルに拘わらず、センサ制御信号ＳＮがＨレベルとなり、ＯＮ／ＯＦＦ制御トランジスタＱ１１がＯＮ動作する。

この主制御部２１の動作によって、磁気センサＭＧｂに対する動作制御信号ＣＴＬは、Ｌレベルとなるので、これを受ける磁気センサＭＧｂのＡＮＤゲートＧ１の入力もＬレベルとなり、内部クロックΦがカウンタＣＮＴに供給されることはない。

なお、タイミングＴ１で、カウンタＣＮＴのクリア状態は解消され、カウンタＣＮＴが、更新可能な状態となるが、電源リセット後、直ちに、センサ制御信号ＳＮがＨレベルとなり、ＯＮ／ＯＦＦ制御トランジスタＱ１１がＯＮ動作して、動作制御信号ＣＴＬがＬレベルになるので、カウンタＣＮＴが更新動作を実行することがない。

また、動作制御信号ＣＴＬがＬレベルであるとき、ＮＡＮＤゲートＧ６は、Ｌレベルのゲート出力ＯＰＮを受けるので、出力トランジスタＱ１０は、ＯＮ状態を維持し、異常Ｈレベルの磁気検出信号ＭＧＮｂが出力されるおそれはない。

その後、タイミングＴ２で、ＣＰＵがＣＡＬ書込み動作を実行すると、その時のドア開放信号ＤＯＲがＬレベル（正常レベル）であれば、センサ制御信号ＳＮがＬレベルに変化し、動作制御信号ＣＴＬがＬレベルからＨレベルに遷移し、その後は、その正常Ｈレベルに維持される。

そのため、磁気センサＭＧｂのＡＮＤゲートＧ１の制御入力端子がＨレベルとなり、内部クロックΦがカウンタＣＮＴに供給され始める。その結果、カウンタＣＮＴのカウンタ出力が順次増加し、これを受けるＤＡコンバータＣＶのアナログ出力Ｅｒも順次増加する。

ＤＡコンバータＣＶのアナログ出力Ｅｒは、第１コンパレータＣＭＰ１において、その時の磁気検知部ＤＥＴの検知信号Ｅｏと比較されるが、タイミングＴ３で、Ｅｒ＞Ｅｏとなると、第１コンパレータＣＭＰ１の出力がＬレベルに遷移する。

この変化は、ＡＮＤゲートＧ５を経由して、ラッチ回路ＬＴのクロック端子ＣＬＫに伝えられるので、その時のカウンタＣＮＴのカウンタ出力が、ラッチ回路ＬＴにラッチされることになる。また、ラッチ回路ＬＴのラッチ動作によって、Ｈレベルの規制信号ＥｇがＮＯＴゲートＧ４を経由することでＬレベルの禁止信号Ｄｓとなり、ＡＮＤゲートＧ５の制御入力端子や、カウンタＣＮＴのクリア端子ＣＬＲをＬレベルに変化させる。

そして、ラッチ回路ＬＴのラッチ動作によって、カウンタＣＮＴのクリア状態が維持されることで、カウンタＣＮＴは、動作制御信号ＣＴＬのレベル変化に拘わらず、それ以降も、非動作状態を継続する。

先に説明した通り、ラッチ動作時のＤＡコンバータＣＶのアナログ出力Ｅｒは、加算回路ＡＭＰでバイアス加算（Ｅｒ＋Ｅｂ）されることで、その磁気センサＭＧｂにおける判定閾値ＴＨｂとなる（ＴＨｂ＝Ｅｒ＋Ｅｂ）。以上の動作によって、磁気センサ自らが、判定閾値ＴＨｂを自動設定するキャリブレーション動作が完了する。

本実施例では、ラッチ回路ＬＴのラッチ動作によって、カウンタＣＮＴの非動作状態が継続されるので、キャリブレーション動作は、電源リセット後一回に限定され、判定閾値ＴＨｉを異常に高めるような不正な設定動作の可能性を排除している。

なお、キャリブレーション動作中、ガラス扉６の開放操作によって動作制御信号ＣＴＬがＬレベルに変化した場合には、内部クロックΦのカウンタＣＮＴへの供給が停止されることで、キャリブレーション動作が中断される。そして、その後、動作制御信号ＣＴＬが正常Ｈレベルに復帰すると、キャリブレーション動作が再開されることになる。

また、キャリブレーション動作が完了した後、ガラス扉６の開放操作によって動作制御信号ＣＴＬがＬレベルに変化すると（図５（ｄ）のタイミングＴ４）、ＡＮＤゲートＧ７のゲート出力ＯＰＮがＬレベルとなり、磁気検出動作が回避される。そして、その後、ガラス扉６が閉鎖された後も、所定時間はゲート出力ＯＰＮのＬレベルが維持されることで、出力トランジスタＱ１０がＯＮ動作を継続し、磁気検出動作が実行されない。これらは、無意味な異常報知動作を回避するための動作であり、先に説明した通りである。

以上、センサ制御信号ＳＮに基づく動作制御信号ＣＴＬを受けるＢタイプの磁気センサＭＧｂについて説明したので、次に、ドア開放信号ＤＯＲを動作制御信号ＣＴＬとして受けるＡタイプの磁気センサＭＧａについて補足的に説明する。

電源投入後、ガラス扉６が閉鎖状態であって、ドア開放信号ＤＯＲが正常Ｌレベルであれば、遊技盤中継基板３１のＯＮ／ＯＦＦ制御トランジスタＱ１２を経由した動作制御信号ＣＴＬがＨレベルとなるので、図５のタイミングＴ１の後に、上記したキャリブレーション動作が実行される。

一方、電源投入後、ガラス扉６が開放状態の場合には、その後、開放状態から閉鎖状態に変わったタイミングから上記したキャリブレーション動作が実行される。

なお、キャリブレーション動作後、ガラス扉６の開放操作がされると、ガラス扉６の閉鎖後の所定時間も含め、事実上、磁気検出動作が実行されないことは磁気センサＭＧｂの場合と同じである。

以上、回路動作を中心に説明したので、最後に、図６のフローチャートに基づいて主制御部２１の制御動作について説明する。電源投入後、主制御部２１のＣＰＵは、割込み禁止状態に設定され、ワンチップマイコン各部が初期設定される（ＳＴ１）。

なお、上記のソフトウェア処理とは無関係に、Ａタイプの磁気センサＭＧａは、電源リセット信号ＩＯＲＳＴがＨレベルに変化するＴ１タイミング（図５（ｂ））で、主制御部２１が正常Ｌレベルのドア開放信号ＤＯＲを受けていることを条件に、各々の判定閾値ＴＨａが自動的に自己決定されている。

なお、ドア開放信号ＤＯＲが異常Ｈレベルである場合には、その後、正常Ｌレベルのドア開放信号ＤＯＲを受けたタイミングで、判定閾値ＴＨａが自動的に自己決定される。

一方、Ｂタイプの磁気センサＭＧｂについては、フリップフロップＤＦＦが電源リセットされたことで、ＯＮ／ＯＦＦ制御トランジスタＱ１１がＯＮ動作し、動作制御信号ＣＴＬがＬレベルとなることで、判定閾値ＴＨａの自己決定動作が待機状態となっている。

以上、ハードウェアに基づく初期動作を説明したが、ソフトウェア処理としては、ステップＳＴ１に続いて、入力ポートからＲＡＭクリア信号ＣＬＲを取得し、そのレベルを記憶する（ＳＴ２）。なお、ＲＡＭクリア信号ＣＬＲは、電源投入時の係員による初期化スイッチＳＷのＯＮ／ＯＦＦ操作状態を示している。ステップＳＴ２の処理が終われば、次に、リセット回路ＲＳＴのウォッチドッグタイマにクリアパルスを出力しつつ、所定の待機時間を消費する（ＳＴ３，ＳＴ４）。この時間消費処理によって、主制御部２１からの制御コマンドを受信すべきサブ制御部２２，２３，２４の準備動作が確実に完了する。

続いて、電源基板２０から出力されている電源異常信号ＡＢＮ１を取得し、これが正常レベルに変化するまで、同一の処理を繰返す（ＳＴ５〜ＳＴ６）。そして、電源異常信号ＡＢＮ１が正常レベル（Ｈ）であると判定されれば、内蔵ＲＡＭの書換え動作が許可される（ＳＴ７）。

次に、ＣＰＵは、演出制御部２２に対して、初期動作コマンドを送信する（ＳＴ８）。この初期動作コマンドは、演出可動体ＡＭＵによる可動演出を正常に実行するための制御コマンドであるが、ステップＳＴ３〜ＳＴ４の時間消費処理を経ているので、このタイミングでは、演出制御部２２の受信準備は確実に完了している。但し、ガラス扉６が閉鎖されていることを条件にステップＳＴ８の処理を実行しても良い。それは、ガラス扉６が閉鎖されていないと、ＣＡＬ書込み動作を実行しても（ＳＴ９）、キャリブレーション処理が開始されないためである。

そして、初期化コマンドを受けた演出制御部２２では、演出可動体ＡＭＵを原点位置に回収する回収動作を実行する。ここで、回収動作は、演出可動体ＡＭＵが原点領域に回収されている場合も含め実行され、演出可動体ＡＭＵは、一旦、原点領域から離脱した後、原点領域内の所定の原点位置に回収される。以上の回収動作が開始されることで、全ての演出モータＭ１〜Ｍｎは回転を開始することになる。なお、回収動作に要する時間は、例えば５秒程度である。

そこで、ＣＰＵは、所定の待機時間後にＣＡＬ書込み動作を実行する（ＳＴ９）。ＣＡＬ書込み動作は、図５のタイミングＴ２のソフトウェア動作として、先に説明した通りであり、フリップフロップＤＦＦに、１バイト長Ｈレベルのキャリブレーション信号ＣＡＬを書き込むことで実現される。なお、フリップフロップＤＦＦは、電源リセットされているので、このＴ２タイミングに至るまで、フリップフロップＤＦＦの出力ＣＡＬはＬレベルである。

そして、ステップＳＴ９の処理で、フリップフロップＤＦＦの出力ＣＡＬがＨレベルに遷移したことで、Ｂタイプの磁気センサＭＧｂでは、正常Ｌレベルのドア開放信号ＤＯＲを受けていることを条件に、キャリブレーション動作が実行され、各々の判定閾値ＴＨｂが自動的に最適に自己決定される。

なお、ドア開放信号ＤＯＲが異常Ｈレベルである場合には、その後、正常Ｌレベルのドア開放信号ＤＯＲを受けたタイミングで、判定閾値ＴＨａが自動的に自己決定される。但し、ステップＳＴ９のタイミング（図５のＴ２）で、ガラス扉６が開放されていることは事実上なく、また、演出モータＭ１〜Ｍｎの回収動作には５秒程度を要するので、万一、キャリブレーション動作の開始が多少遅れても、自動設定される判定閾値ＴＨａの値に問題はない。

次に、ステップＳＴ９のＣＡＬ書込み処理に続いて、ウォッチドッグタイマにクリアパルスを送信した上で、払出制御部２４から受けている電源投入信号のレベルを判定する（ＳＴ１０，ＳＴ１１）。そして、ステップＳＴ１１の判定によって、払出制御部２４が正常に動作していることが確認されたら、ステップＳＴ２の処理で先行取得したＲＡＭクリア信号のレベルを判定する（ＳＴ１２）。

ここで、ＲＡＭクリア信号がＯＮ状態であったと仮定すると、内蔵ＲＡＭの全領域をゼロクリアする（ＳＴ１７）。次に、ＲＡＭ領域がゼロクリアされたことを報知するためのＲＡＭクリアコマンドを、演出制御部２２に出力する（ＳＴ１８）。

一方、ＲＡＭクリア信号はＯＦＦ状態の場合には、ステップＳＴ１２の判定に続いて、バックアップフラグＢＦＬの内容が判定される（ＳＴ１３）。バックアップフラグＢＦＬとは、電断時に正常にバックアップ動作が実行されたことを示すデータである。

そして、ＢＦＬが正常値でない場合には、ステップＳＴ１３からステップＳＴ１７の処理に移行させて遊技機の動作を初期状態に戻す。一方、ＢＦＬが正常値であれば、チェックサム値を算出するためのチェックサム演算を実行する（ＳＴ１４）。

チェックサムの演算結果が、バックアップ保存されている正当値と一致いない場合には、ステップＳＴ１７の処理に移行させてＲＡＭクリア処理を実行し、遊技機の動作を初期状態に戻す。一方、ステップＳＴ１５の判定において、正当判定される場合には所定のバックアップ復帰コマンドをサブ制御部２２、２４に送信する（ＳＴ１６）。

このようにしてバックアップ復帰又はＲＡＭクリアに関する一連の処理が終わると、タイマ割込み動作（不図示）を起動する割込み信号を出力するＣＴＣ（Counter Timer Circuit ）を初期設定する（ＳＴ１９）。そして、ＣＰＵを割込み禁止状態にセットした状態で（ＳＴ２０）、各種のカウンタついて更新処理を実行し（ＳＴ２１）、その後、ＣＰＵを割込み許可状態に戻してステップＳＴ２０に戻る。

以上の通り、本実施例では、ハードウェア動作とソフトウェア処理とを組み合わせることで、同一の回路構成の磁気センサを、配置位置に基づいてＡタイプとＢタイプに区別し、各磁気センサに最適な判定閾値を、配置位置に基づいて最適タイミングで自動決定させている。

そして、主制御部２１は、不図示のタイマ割込み処理によって、定時的（例えば２ｍＳ毎）に磁気検出信号ＭＧＮｉのレベルを繰り返し判定することで、異常事態の発生を即座に把握している。

また、本実施例では、磁気センサＭＧ１〜ＭＧｎによる判定閾値の決定処理は、タイマ割込みが可能になるステップＳＴ１９の処理までに全て完了している。すなわち、ステップＳＴ９の処理タイミングと、ステップＳＴ１９の処理タイミングとの時間差は、判定閾値の決定処理に要する時間より十分長く設定されている。そのため、判定閾値の決定処理時に、異常レベルの磁気検出信号ＭＧＮｉが出力されても、主制御部２１は、これを認識しないので何ら問題がない。

また、磁気検出信号ＭＧＮｉは、異常時にはＨレベルであって、且つ、オープンコレクタ状態で磁気センサＭＧｉから主制御部２１に伝送されるので、磁気検出信号ＭＧＮｉを伝送する伝送路が断線した場合は、主制御部２１は、磁気異常と判定するフェールセーフ機能を発揮する。

ところで、本実施例の磁気センサＭＧｉは、自動決定された判定閾値ＴＨｉを超える磁気を検知する一方で、それ以下の磁気には反応しないので、判定閾値ＴＨｉが異常に高く設定されると、もはや、防犯機能を発揮できないことになる。

そのため、キャリブレーション動作を悪用する違法行為も懸念されるところである。例えば、停電復帰を奇貨として、或いは、不正に電断させた後の電源復帰時を狙って、強力磁石を磁気センサＭＧｉに近づけると、電源リセット後の自動キャリブレーション動作によって、判定閾値ＴＨｉが異常に高く設定されてしまうことなる。

そこで、かかる点を考慮して、キャリブレーション動作時に異常に高い磁気を検知した場合には、その異常を検出して報知できる構成を採るのが好ましい。

図５（ｂ）は、そのような異常判定機能を追加した磁気センサＭＧｉであり、カウンタＣＮＴの最上位ビットＤｎを受けるＤ型フリップフロップＤＦＦ’と、Ｄ型フリップフロップＤＦＦ’のＥＲ出力を受けるＮＯＴゲートＧ１０と、ＮＯＴゲートＧ１０のＥＲバー出力を受けるＡＮＤゲートＧ１１とが、追加的に設けられている。

ここで、カウンタＣＮＴの最上位ビットＤｎは、キャリブレーション動作時の周辺磁気が正常レベルであれば、ＯＮレベル（例えばＨレベル）とはなり得ない数値を生成するビットである。

また、Ｄ型フリップフロップＤＦＦ’は、Ｄ入力端子がＨレベル（Ｖｃｃ）とされ、クロック端子ＣＬＫへの入力信号が立上るタイミングで、ＨレベルのＤ入力がラッチされるよう構成されている。

そして、Ｄ型フリップフロップＤＦＦ’のクリア端子ＣＬＲに、カウンタＣＮＴと同じタイミングで電源リセットＲＳＴが供給されることで、フリップフロップＤＦＦ’のＥＲ出力はＬレベルとなる。

図示の通り、ＮＯＴゲートＧ１０の出力は、内部クロックΦをカウンタＣＮＴに伝えるＡＮＤゲートＧ１の入力端子に供給されている。また、ＡＮＤゲートＧ１１は、ＮＯＴゲートＧ１０と、ＮＡＮＤゲートＧ６の出力を受けている。したがって、ＡＮＤゲートＧ１１は、ＮＯＴゲートＧ１０とＮＡＮＤゲートＧ６の出力がＨレベルである場合に、出力トランジスタＱ１０をＯＮ動作させ、その結果、磁気検出信号ＭＧＮが正常Ｌレベルとなる。

以上の構成を踏まえて、キャリブレーション動作時の各部の動作を説明する。電源が投入されると、電源リセット信号ＲＳＴによって、カウンタＣＮＴの全出力Ｑ０〜Ｑｎと、フリップフロップＤＦＦ’のＥＲ出力はＬレベルとなる。そして、ＮＯＴゲートＧ１０の出力がＨレベルとなるので、動作制御信号ＣＴＬがＨレベルであれば、内部クロックΦがカウンタＣＮＴに供給されて、キャリブレーション動作が開始される。

すなわち、カウンタＣＮＴは内部クロックΦに基づいて更新動作を繰り返す。このとき、不正遊技者は、強力磁石を磁気センサＭＧｉに近づけていると仮定する。そのため、カウンタＣＮＴのカウンタ出力がいくら増加しても、カウンタ出力に基づいて生成される比較電圧Ｅｒが、検知信号Ｅｏを超えることがない。

そのため、遂には、カウンタＣＮＴの最上位ビットＱｎが、Ｈレベルに立上ることになり、この変化に基づいて、フリップフロップＤＦＦ’がラッチ動作をして、そのＥＲ出力がＬレベルからＨレベルに変り、ＮＯＴゲートＧ１０の出力がＬレベルに変る。

その結果、ＡＮＤゲートＧ１の入力がＬレベルとなり、カウンタＣＮＴの更新動作が停止される。また、ＡＮＤゲートＧ１１の入力がＬレベルになることで、出力トランジスタＱ１０がＯＮ動作（正常時動作）することが阻止される。

そして、カウンタＣＮＴの更新動作が停止されることで、カウンタＣＮＴの最上位ビットＱｎが変化することが阻止され、フリップフロップＤＦＦ’のＥＲ出力がＨレベルに維持されることで、出力トランジスタＱ１０は、電源遮断時まで、永続的にＯＦＦ状態となる。

このように、キャリブレーション異常時には、その後も、出力トランジスタＱ１０がＯＦＦ状態を維持するので、タイマ割込み処理が開始された後（図６のステップＳＴ１９の後）、主制御部２１は、直ちに磁気異常を把握することになり、適宜な異常報知動作が開始されることで、違法遊技者の目論見を成功させることはない。

以上、実施例について詳細に説明したが、具体的な記載内容は特に本発明を限定せず、適宜に変更可能である。特に、磁気センサの内部回路は一例を示したに過ぎず、同等の動作を実現する他の回路構成に代えても良い。また、磁気センサＭＧｉの個数は、何ら限定されず、単一個でもあっても良い。この点は、Ａタイプ、Ｂタイプの個数についても同様であり、複数の磁気センサの全てがＡタイプでも良いし、全てがＢタイプであっても良い。

ＧＭ 遊技機
２１ 所定の制御手段
ＭＧｉ 磁気センサ
ＣＴＬ 動作制御信号
ＴＨｉ 判定閾値
ＭＧＮｉ 検出信号

Claims (6)

1. 遊技盤に一又は複数の磁気センサを配置すると共に、所定のスイッチ信号に基づいて抽選処理を実行し、その抽選結果に応じた遊技動作を実行可能な遊技機であって、
   コンピュータ回路で構成される所定の制御手段は、磁気センサに対して、所定タイミングで動作制御信号を送信する一方、判定閾値を超える磁気異常を検出した磁気センサから異常レベルの検出信号を受けるよう構成され、
   電源投入後、第１レベルの動作制御信号出力することで、磁気センサに判定閾値を設定させる第１手段と、
   第１手段が機能して設定された判定閾値に基づく磁気センサの異常検出動作を、一時停止させるべく、第２レベルの動作制御信号を出力する第２手段と、
   を有して構成され、
   第１手段は、電源投入後、プログラム処理を経ることなく、第２レベルの動作制御信号を出力した上で、その後の所定タイミングで、プログラム処理によって第１レベルの動作制御信号を出力して、磁気センサに判定閾値を設定させることを特徴とする遊技機。
2. 第２手段が第２レベルの動作制御信号の出力を終えた後も、所定時間は、異常検出動作が機能しないよう構成されている請求項１に記載の遊技機。
3. 電源投入後、設定された判定閾値は、電源遮断まで変更不能に構成されている請求項１又は２に記載の遊技機。
4. 電源投入後、判定閾値を設定する動作中、異常を検出すると、異常レベルの検出信号が伝送されるよう構成されている請求項１〜３の何れかに記載の遊技機。
5. 検出信号を伝送する伝送路が断線すると、制御手段が、異常レベルの検出信号を受けるよう構成されている請求項１〜４の何れかに記載の遊技機。
6. 複数Ｎ個の磁気センサに対応して、制御手段が、Ｎ個の検出信号を受けるよう構成されている請求項１〜５の何れかに記載の遊技機。

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