JP6322297B2 - リソグラフィ装置及び露光方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 106
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 61
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 57
- 238000013178 mathematical model Methods 0.000 claims description 56
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 31
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 13
- 230000009466 transformation Effects 0.000 claims description 11
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 30
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000007620 mathematical function Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 6-[3-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperidin-1-yl]-3-oxopropyl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1CCN(CC1)C(CCC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)=O DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70208—Multiple illumination paths, e.g. radiation distribution devices, microlens illumination systems, multiplexers or demultiplexers for single or multiple projection systems
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
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- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
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Description
本願は、2014年6月12日出願の欧州出願第14172053.2号の利益を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
a)基板の複数のターゲット部分の各々に、少なくとも1つのアライメントマークを含む第1のパターンを転写するステップと、
b)ステップa)中に転写されたそれぞれ複数のアライメントマークの複数の位置を測定するとともに、それぞれ複数のアライメントマークについての複数のアライメントマーク変位(dx,dy)を、アライメントマークのそれぞれの事前に決定された名目位置とアライメントマークのそれぞれの測定された位置との差として決定するステップと、
c)フィッティングされた数学モデルを取得するために、複数のアライメントマーク変位に数学モデルをフィッティングするステップと、
d)フィッティングされた数学モデルに基づいて、複数のターゲット部分の各々における第1のパターンの位置を決定するステップと、
e)複数のターゲット部分の各々における第1のパターンの決定された位置を使用して、複数のターゲット部分の各々に第2のパターンを転写するステップと、
を含む露光方法が提供され、
数学モデルは、
極座標(r,θ)にて、
Z1=r2cos(2θ)、Z2=r2sin(2θ)、又は、
デカルト座標(x,y)にて、
Z1=x2−y2、Z2=xy、
の、多項式Z1及びZ2を含む。
放射ビームを条件付けるように構成された照明システムと、
パターニングデバイスを支持するように構築された支持体であって、パターニングデバイスは、パターンを付与された放射ビームを形成するためにその断面にパターンを伴う放射ビームを付与することが可能である、支持体と、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
パターンが付与された放射ビームを、基板のターゲット部分に投影するように構成された、投影システムと、
アライメントマークの位置を測定するように構成されたアライメントシステムと、
リソグラフィ装置の動作を制御するための制御ユニットと、
を備える、リソグラフィ装置が提供され、
投影システムは、第1のパターンが付与された放射ビームを基板の複数のターゲット部分に投影し、それによって第1のパターンを基板のターゲット部分の各々に転写するように構成され、第1のパターンは少なくとも1つのアライメントマークを含み、
アライメントシステムは、複数のアライメントマークの位置を測定するように、及び、複数のアライメントマークの各々についてのアライメントマーク変位(dx,dy)を、アライメントマークのそれぞれの事前に決定された名目位置とアライメントマークのそれぞれの測定された位置との差として決定するように構成され、
制御ユニットは、フィッティングされた数学モデルを取得するために、複数のアライメントマーク変位に数学モデルをフィッティングするように、及び、フィッティングされた数学モデルに基づいて、複数のターゲット部分の各々における第1のパターンの位置を決定するように構成され、
数学モデルは、
極座標(r,θ)にて、
Z1=r2cos(2θ)、Z2=r2sin(2θ)、又は、
デカルト座標(x,y)にて、
Z1=x2−y2、Z2=xy、
の、多項式P1及びP2を含み、
投影システムは、複数のターゲット部分の各々における第1のパターンの決定された位置を使用して、基板の複数のターゲット部分に第2のパターンが付与された放射ビームを投影するように構成される。
− 放射ビームB(例えばUV放射又はEUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
− パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
− 基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTa又はWTbと、
− パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ以上のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSと、を備える。
1.ステップモードでは、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTa/WTbは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに付与されたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一静的露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTa/WTbがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
2.スキャンモードでは、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTa/WTbは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに付与されるパターンがターゲット部分Cに投影される(すなわち単一動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTa/WTbの速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の(非スキャン方向における)幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の(スキャン方向における)高さが決まる。
3.別のモードでは、マスクテーブルMTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTa/WTbを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTa/WTbを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
数学モデルのうちの第1の数学モデルを、数式(502)を解決することによって、アライメントマーク変位にフィッティングするステップと、
アライメントマーク変位の各々の残余(dx’,dy’)を、アライメントマーク変位と、フィッティングされた第1の数学モデルを使用して計算されたアライメントマーク変位のセットとの差として決定するステップと、
アライメントマーク変位の各々の残余(dx’,dy’)を、数学モデルの第2の数学モデルにフィッティングするステップであって、第2の数学モデルは多項式Z1及びZ2を含む、フィッティングするステップと、
を含むことができる。
Claims (12)
- a)基板の複数のターゲット部分の各々に、少なくとも1つのアライメントマークを含む第1のパターンを転写するステップと、
b)ステップa)中に転写されたそれぞれ複数のアライメントマークの複数の位置を測定するとともに、前記それぞれ複数のアライメントマークについての複数のアライメントマーク変位(dx,dy)を、前記アライメントマークのそれぞれの事前に決定された名目位置と前記アライメントマークの前記それぞれの測定された位置との差として決定するステップと、
c)フィッティングされた数学モデルを取得するために、前記複数のアライメントマーク変位に数学モデルをフィッティングするステップと、
d)前記フィッティングされた数学モデルに基づいて、前記複数のターゲット部分の各々における前記第1のパターンの位置を決定するステップと、
e)前記複数のターゲット部分の各々における前記第1のパターンの前記決定された位置を使用して、前記複数のターゲット部分の各々に第2のパターンを転写するステップと、
を含む露光方法であって、
前記数学モデルは、
極座標(r,θ)にて、
Z1=r2cos(2θ)、Z2=r2sin(2θ)、又は、
デカルト座標(x,y)にて、
Z1=x2−y2、Z2=xy、
の、多項式Z1及びZ2を含む、露光方法。 - 前記アライメントマーク変位(dx,dy)に前記数学モデルをフィッティングするステップは、
パラメータμx、μy、αx、αyは、前記多項式Z1及びZ2の振幅及び径方向の向きを表す、請求項1に記載の露光方法。 - μx=μy及びαx=αyである、請求項2に記載の露光方法。
- 前記数学モデルは、拡大M、回転R、又は変換Tを表す関数を含む、請求項1に記載の露光方法。
- 前記アライメントマーク変位に前記数学モデルをフィッティングするステップは、
前記数学モデルのうちの第1の数学モデル
dx=Mx・x−Ry・y+Cx
dy=Rx・x−My・y+Cy
を解くことによって、前記アライメントマーク変位にフィッティングするステップであって、Mx、Myはそれぞれx方向、y方向の拡大を表し、Cx、Cyはそれぞれx方向、y方向の変換を表し、Rx、Ryはz軸回りのそれぞれx軸、y軸の回転を表す、ステップと、 前記アライメントマーク変位の各々の残余(dx’,dy’)を、前記アライメントマーク変位と、前記フィッティングされた第1の数学モデルを使用して計算されたアライメントマーク変位のセットと、の差として決定するステップと、
前記アライメントマーク変位の各々の前記残余(dx’,dy’)を、前記数学モデルの第2の数学モデルにフィッティングするステップであって、前記第2の数学モデルは前記多項式Z1及びZ2を含む、ステップと、
を含む、請求項4に記載の露光方法。 - Mx=My及びRx=Ryである、請求項5に記載の露光方法。
- 前記複数のアライメントマークは、前記基板の内部領域の外側で選択され、
前記内部領域は、前記基板の半径の半分に等しい半径を有し、前記基板の中心と一致する中心を有する円形領域である、請求項1から6のいずれか一項に記載の露光方法。 - 放射ビームを条件付ける照明システムと、
パターニングデバイスを支持する支持体であって、前記パターニングデバイスは、パターンを付与された放射ビームを形成するためにその断面にパターンを伴う前記放射ビームを付与することが可能である、支持体と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターンが付与された放射ビームを、前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、
を備える、リソグラフィ装置であって、
請求項1から7のいずれか一項に記載の前記露光方法を実行する、リソグラフィ装置。 - 放射ビームを条件付ける照明システムと、
パターニングデバイスを支持する支持体であって、前記パターニングデバイスは、パターンを付与された放射ビームを形成するためにその断面にパターンを伴う前記放射ビームを付与することが可能である、支持体と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターンが付与された放射ビームを、前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、
アライメントマークの位置を測定するアライメントシステムと、
リソグラフィ装置の動作を制御する制御ユニットと、
を備える、リソグラフィ装置であって、
前記投影システムは、第1のパターンが付与された放射ビームを前記基板の複数のターゲット部分に投影し、それによって第1のパターンを前記基板の前記ターゲット部分の各々に転写し、前記第1のパターンは少なくとも1つのアライメントマークを含み、
前記アライメントシステムは、複数のアライメントマークの位置を測定するとともに、前記複数のアライメントマークの各々についてのアライメントマーク変位(dx,dy)を、前記アライメントマークのそれぞれの事前に決定された名目位置と前記アライメントマークの前記それぞれの測定された位置との差として決定し、
前記制御ユニットは、フィッティングされた数学モデルを取得するために、前記複数のアライメントマーク変位に数学モデルをフィッティングするとともに、前記フィッティングされた数学モデルに基づいて、前記複数のターゲット部分の各々における前記第1のパターンの位置を決定し、
数学モデルは、
極座標(r,θ)にて、
Z1=r2cos(2θ)、Z2=r2sin(2θ)、又は、
デカルト座標(x,y)にて、
Z1=x2−y2、Z2=xy、
の、多項式Z1及びZ2を含み、
前記投影システムは、前記複数のターゲット部分の各々における前記第1のパターンの前記決定された位置を使用して、前記基板の前記複数のターゲット部分に第2のパターンが付与された放射ビームを投影する、リソグラフィ装置。 - 前記制御ユニットは、
パラメータμx、μy、αx、αyは、前記多項式Z1及びZ2の振幅及び径方向の向きを表す、請求項9に記載のリソグラフィ装置。 - μx=μy及びαx=αyである、請求項10に記載のリソグラフィ装置。
- 前記数学モデルは、拡大M、回転R、又は変換Tを表す関数を含む、請求項9から11のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP14172053 | 2014-06-12 | ||
EP14172053.2 | 2014-06-12 | ||
PCT/EP2015/060537 WO2015189001A1 (en) | 2014-06-12 | 2015-05-13 | Lithographic apparatus and exposure method |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017524960A JP2017524960A (ja) | 2017-08-31 |
JP6322297B2 true JP6322297B2 (ja) | 2018-05-09 |
JP6322297B6 JP6322297B6 (ja) | 2018-07-11 |
Family
ID=50927996
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016568906A Active JP6322297B6 (ja) | 2014-06-12 | 2015-05-13 | リソグラフィ装置及び露光方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10095131B2 (ja) |
EP (1) | EP3155483A1 (ja) |
JP (1) | JP6322297B6 (ja) |
KR (1) | KR101890793B1 (ja) |
CN (1) | CN106462089B (ja) |
IL (1) | IL249046B (ja) |
NL (1) | NL2014799A (ja) |
TW (1) | TWI587101B (ja) |
WO (1) | WO2015189001A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018026373A1 (en) * | 2016-08-04 | 2018-02-08 | Kla-Tencor Corporation | Method and computer program product for controlling the positioning of patterns on a substrate in a manufacturing process |
WO2020108861A1 (en) | 2018-11-26 | 2020-06-04 | Asml Netherlands B.V. | Determining a mark layout across a patterning device or substrate |
JP7336201B2 (ja) * | 2019-02-18 | 2023-08-31 | キヤノン株式会社 | 形成方法、パターン形成システム、および物品の製造方法 |
KR20210141738A (ko) * | 2019-05-03 | 2021-11-23 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 경사 피팅 기법을 기반으로 정렬 모델을 결정하는 방법 |
JPWO2022224845A1 (ja) | 2021-04-23 | 2022-10-27 | ||
CN113534602B (zh) * | 2021-07-16 | 2024-05-14 | 长鑫存储技术有限公司 | 光罩的制备方法及光罩 |
CN117492336B (zh) * | 2024-01-02 | 2024-04-09 | 天府兴隆湖实验室 | 对准标记及图形对准方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63232424A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | Canon Inc | 位置合せ方法 |
US6064486A (en) * | 1998-05-21 | 2000-05-16 | Leland Stanford Junior University | Systems, methods and computer program products for detecting the position of a new alignment mark on a substrate based on fitting to sample alignment signals |
JP4143614B2 (ja) * | 2000-03-21 | 2008-09-03 | キヤノン株式会社 | 計測方法 |
JP2001345243A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Nikon Corp | 評価方法、位置検出方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
US7261985B2 (en) * | 2004-03-12 | 2007-08-28 | Litel Instruments | Process for determination of optimized exposure conditions for transverse distortion mapping |
JP2006126078A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Nikon Corp | マーク位置検出装置及び設計方法及び評価方法 |
US7598006B1 (en) * | 2004-12-08 | 2009-10-06 | Litel Instruments | Method and apparatus for embedded encoding of overlay data ordering in an in-situ interferometer |
US8194242B2 (en) * | 2005-07-29 | 2012-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Substrate distortion measurement |
WO2009141720A1 (en) * | 2008-05-22 | 2009-11-26 | Micronic Laser Systems Ab | Method and apparatus for overlay compensation between subsequently patterned layers on workpiece |
US8706442B2 (en) | 2008-07-14 | 2014-04-22 | Asml Netherlands B.V. | Alignment system, lithographic system and method |
NL2003470A (en) | 2008-10-07 | 2010-04-08 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
EP2228685B1 (en) | 2009-03-13 | 2018-06-27 | ASML Netherlands B.V. | Level sensor arrangement for lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101675380B1 (ko) * | 2010-02-19 | 2016-11-14 | 삼성전자주식회사 | 오버레이 보정방법 및 그를 이용한 반도체 제조방법 |
US9360858B2 (en) * | 2011-08-08 | 2016-06-07 | Globalfoundries Inc. | Alignment data based process control system |
NL2010691A (en) | 2012-05-29 | 2013-12-02 | Asml Netherlands Bv | A method to determine the usefulness of alignment marks to correct overlay, and a combination of a lithographic apparatus and an overlay measurement system. |
WO2014032833A1 (en) * | 2012-08-29 | 2014-03-06 | Asml Netherlands B.V. | Deformation pattern recognition method, pattern transferring method, processing device monitoring method, and lithographic apparatus |
NL2011276A (en) | 2012-09-06 | 2014-03-10 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus and lithographic processing cell. |
-
2015
- 2015-05-13 JP JP2016568906A patent/JP6322297B6/ja active Active
- 2015-05-13 EP EP15722714.1A patent/EP3155483A1/en not_active Withdrawn
- 2015-05-13 WO PCT/EP2015/060537 patent/WO2015189001A1/en active Application Filing
- 2015-05-13 US US15/315,885 patent/US10095131B2/en active Active
- 2015-05-13 KR KR1020167035509A patent/KR101890793B1/ko active IP Right Grant
- 2015-05-13 CN CN201580030769.0A patent/CN106462089B/zh active Active
- 2015-05-13 NL NL2014799A patent/NL2014799A/en unknown
- 2015-05-28 TW TW104117218A patent/TWI587101B/zh active
-
2016
- 2016-11-17 IL IL249046A patent/IL249046B/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106462089A (zh) | 2017-02-22 |
KR101890793B1 (ko) | 2018-08-22 |
IL249046A0 (en) | 2017-01-31 |
NL2014799A (en) | 2016-03-31 |
CN106462089B (zh) | 2018-05-29 |
US10095131B2 (en) | 2018-10-09 |
KR20170003698A (ko) | 2017-01-09 |
JP6322297B6 (ja) | 2018-07-11 |
WO2015189001A1 (en) | 2015-12-17 |
US20170108783A1 (en) | 2017-04-20 |
IL249046B (en) | 2021-10-31 |
JP2017524960A (ja) | 2017-08-31 |
TW201610614A (zh) | 2016-03-16 |
TWI587101B (zh) | 2017-06-11 |
EP3155483A1 (en) | 2017-04-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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