JP6321823B2 - リング共振器に結合された直接変調レーザを備えるチューニング可能な発信デバイス - Google Patents
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Description
−(通常の)非ゼロ復帰(すなわち、NRZ)変調によって変調された光子を生成して、送信されるデータを作成するように構成される直接変調レーザ(すなわち、DML)を有するInP基板であって、直接変調レーザのアクティブ構造は、InP基板上にエピタキシャル成長する、InP基板と、
−InP基板のパッシブセクションに形成されるパッシブリング共振器であって、上記パッシブリング共振器は、InP基板のアクティブセクションおよびパッシブセクションの双方におけるpドープ型再成長と、それに続く、再成長のpドープを不活性にするためのInP基板のパッシブセクションへの水素添加を行うことによって、上記直接変調レーザとモノリシック集積され、上記パッシブリング共振器は、いくつかの共振のうち、データ変調によって生じるゼロレベルをフィルタリングするのに用いられる共振を有する、パッシブリング共振器と、
−この直接変調レーザに沿って、かつ/またはこのリング共振器の周りに配置され、フィルタリングに用いられる光子波長および/またはリング共振器の共振をチューニングする、チューニング手段と、
を備える。
・発信デバイスのリング共振器は、挿入損失を低減するように、発信デバイスの直接変調レーザに突き合わせ継手することができる。
・第1の実施形態において、発信デバイスのチューニング手段は、発信デバイスの直接変調レーザに沿って、かつ/または発信デバイスのリング共振器の周りに配置され、かつペルチェ加熱器を形成する加熱電極を備えることができる。
・第2の実施形態において、発信デバイスのチューニング手段は、発信デバイスの直接変調レーザ内に形成された、制御された位相シフトセクションを含むことができる。
・発信デバイスの直接変調レーザは、低電力帯域幅を得るために、多重量子井戸または量子ダッシュアクティブ層を、最適化された埋め込みリッジ・ストライプ(buried ridge stripe)(すなわち、BRS)技術と組み合わせたものから作成される。
・発信デバイスの直接変調レーザは、約1GHz〜8GHzに含まれる断熱曲線チャープを有することができる。
・発信デバイスは、光損失を変更するようにリング共振器内部に形成され、オン/オフ比特性および急峻性スロープ特性を調整して光損失を変更するように構成される、第1の半導体光増幅器(すなわち、SOA)を更に備えることができる。これは、SOA材料を、直接変調レーザの材料と同じものにすることができるため、追加の技術ステップを必要とせずに行うことができる。オン/オフ比特性は、リング共振器の伝達関数の各共振における送信の最大値と下の最小値との間のコントラスト値である。
・発信デバイスは、発信デバイスのリング共振器の後ろにパッシブ・テーパ・セクションを更に備えることができる。
・発信デバイスは、直接変調レーザの上方に形成され、光パワーを監視するように構成された集積フォトダイオードを更に備えることができる。
・発信デバイスは、リング共振器の下方に形成され、光損失を補償するように構成される第2の半導体光増幅器を更に備えることができる。
−InP基板上の直接変調レーザのアクティブ構造のエピタキシャル成長を実行するステップと、
−パッシブリング共振器のパッシブ構造の成長を可能にするために突き合わせ継手を実行するステップと、
−DFBタイプの直接変調レーザを形成するために直接変調レーザのアクティブ構造内にブラッグアレイを形成するステップと、
−アクティブ帯域およびパッシブ帯域と、パッシブリング共振器の一部であるリング形状を有する導波管と、直接変調レーザをパッシブリング共振器に結合する導波管とを形成するステップであって、上記導波管はパッシブリング共振器に接する、ステップと、
−アクティブセクションおよびパッシブセクションの双方のp型ドープ再成長を実行するステップと、
−直接変調レーザのための金属接点を形成するステップと、
−パッシブリング共振器の付近に金属製加熱電極を形成するステップと、
−再成長のp型ドープを不活性にするためにパッシブセクションへの水素添加を実行するステップと、
を含む。
−製造段階のための光ファイバへの送信および最終的なスクリーニングの最適化を容易にするための単純なチューニング手段と、
−DMLおよびリング共振器の完全な集積(突き合わせ継手またはシリカPLC水素添加を用いる)を通じた光結合損失の低減と、
−複雑で電力を消費する電子フィードバックループを用いる必要がないことと、
−2つのみのエピタキシャル成長を有する単純な技術プロセスと、
−リング共振器急峻性スロープを最適化することによって、大きな距離(通常、少なくとも100km)をカバーするために用いることができることと、
−リング共振器の負の分散を、特にその重要な結合条件近傍で利用することによって、色収差分散を補償するのに用いることができることと、
−モノリシック集積の場合、動作温度の変化が、リング共振器の有効屈折率とレーザの有効屈折率に同様に影響を及ぼし、レーザ波長とリング共振定数との間の離調(detuning)を保持することとを提供する。したがって、冷却されていない動作であっても、最適化された送信性能を維持することが予期される。
Claims (11)
- 選択された波長を用いて光子を送達するための発信デバイスであって、前記発信デバイス(1)は、
i)非ゼロ復帰変調によって変調された光子を生成して、送信されるデータを作成するように構成される直接変調レーザ(3)を有するInP基板(2)であって、該InP基板(2)は、p型ドープ再成長させた結晶からなるアクティブセクションおよびパッシブセクションを有し、該パッシブセクションは、ドープされた水素を包含し、前記直接変調レーザ(3)のアクティブ構造は、前記InP基板(2)上にエピタキシャル成長される、InP基板(2)と、
ii)前記InP基板(2)の前記パッシブセクションに形成されるパッシブリング共振器(4)であって、前記パッシブリング共振器(4)は、前記直接変調レーザ(3)とモノリシック集積され、前記パッシブリング共振器(4)は、いくつかの共振のうち、前記データ変調によって生じるゼロレベルをフィルタリングするのに用いられる共振を有する、パッシブリング共振器(4)と、
iii)前記直接変調レーザ(3)に沿って、かつ/または前記リング共振器(4)の周りに配置され、フィルタリングに用いられる光子波長および/または前記リング共振器の共振をチューニングする、チューニング手段(5)と、
を備える、
発信デバイス。 - 前記リング共振器(4)は、挿入損失を低減するように前記直接変調レーザ(3)に突き合わせ継手される、請求項1に記載の発信デバイス。
- 前記チューニング手段(5)は、前記直接変調レーザ(3)に沿って、かつ/または前記リング共振器(4)の周りに配置され、かつペルチェ加熱器を形成する加熱電極を備える、請求項1または2に記載の発信デバイス。
- 前記チューニング手段(5)は、前記直接変調レーザ(3)内に形成された、制御された位相シフトセクションを含む、請求項1または2に記載の発信デバイス。
- 前記直接変調レーザ(3)は、多重量子井戸または量子ダッシュアクティブ層と埋め込みリッジ・ストライプ構造とを組み合わせた構造を備える、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の発信デバイス。
- 前記直接変調レーザ(3)は、約1GHz〜8GHzに含まれる断熱曲線チャープを有する、請求項5に記載の発信デバイス。
- 光損失を変更するように前記リング共振器(4)内部に形成され、オン/オフ比特性および急峻性スロープ特性を調整して光損失を変更するように構成される、第1の半導体光増幅器(6)を更に備える、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の発信デバイス。
- 前記リング共振器(4)の後ろにパッシブ・テーパ・セクションを更に備える、請求項1乃至7のいずれか1項に記載の発信デバイス。
- 前記直接変調レーザ(3)の上方に形成され、光パワーを監視するように構成された集積フォトダイオード(7)を更に備える、請求項1乃至8のいずれか1項に記載の発信デバイス。
- 前記リング共振器(4)の下方に形成され、光損失を補償するように構成される第2の半導体光増幅器(8)を更に備える、請求項1乃至9のいずれか1項に記載の発信デバイス。
- 発信デバイス(1)を生成するための方法であって、
−InP基板(2)上の直接変調レーザ(3)のアクティブ構造のエピタキシャル成長を実行するステップと、
−挿入損失を低減するために、パッシブリング共振器(4)を、パッシブ材料中で前記直接変調レーザ(3)に突き合わせ継手するステップと、
−DFBタイプの直接変調レーザ(3)を形成するために前記直接変調レーザ(3)の前記アクティブ構造内にブラッグアレイを形成するステップと、
−アクティブセクションおよびパッシブセクションと、パッシブリング共振器(4)の一部であるリング形状を有する導波管と、前記直接変調レーザ(3)を前記パッシブリング共振器(4)に結合する導波管(9)とを形成するステップであって、前記導波管(9)は前記パッシブリング共振器(4)に接する、形成するステップと、
−前記アクティブセクションおよび前記パッシブセクションの双方のp型ドープ再成長を実行するステップと、
−前記直接変調レーザ(3)のための金属接点を形成するステップと、
−前記パッシブリング共振器(4)の付近に金属製加熱電極(5)を形成するステップと、
−前記再成長の前記p型ドープを不活性にするために前記パッシブセクションへの水素添加を実行するステップと、
を含む、方法。
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Families Citing this family (9)
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Family Cites Families (10)
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---|---|---|---|---|
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JP4505403B2 (ja) * | 2005-11-15 | 2010-07-21 | 富士通株式会社 | 光送信装置 |
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JP2009200339A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送信機の制御方法 |
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