JP6313975B2 - ワイヤーの気相合成 - Google Patents
ワイヤーの気相合成 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6313975B2 JP6313975B2 JP2013510045A JP2013510045A JP6313975B2 JP 6313975 B2 JP6313975 B2 JP 6313975B2 JP 2013510045 A JP2013510045 A JP 2013510045A JP 2013510045 A JP2013510045 A JP 2013510045A JP 6313975 B2 JP6313975 B2 JP 6313975B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- growth
- semiconductor nanowire
- semiconductor
- particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/005—Growth of whiskers or needles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/42—Gallium arsenide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
- C30B29/62—Whiskers or needles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
Description
− AlivisatosらによるUS2005/0054004に例示されているような、例えばコロイド化学の方法による液相合成、
− WO2004/004927A2およびWO2007/10781A1にそれぞれ提示されているSamuelsonらの研究に例示されているような、触媒粒子有り、または無しでの、基材からのエピタキシャル成長、または、
− LieberらによるWO2004/038767A2に例示されているような、レーザーを利用した触媒成長プロセスの方法による気相合成。
− 気体中に浮遊する触媒種晶粒子を供給すること、
− 形成しようとするワイヤーの構成物質を含む気体状前駆物質を供給すること、
− 気体−粒子−前駆物質の混合物を、反応器、典型的にはチューブ炉に通すこと、および、
− 上記の触媒種晶粒子が上記の気体中に浮遊している間に、上記の気体状前駆物質を含む気相合成において、上記の触媒種晶粒子からワイヤーを成長させること、
からなる基本的ステップを含む。
− 気体中に浮遊する触媒種晶粒子2を供給すること、
− 形成しようとするワイヤー1の構成物質を含む気体状前駆物質3、4を供給すること、および、
− 触媒種晶粒子が気体中に浮遊している間に、気体状前駆物質3、4を含む気相合成において、触媒種晶粒子2からワイヤー1を成長させること、
を含む。
− InAs、InP、GaAs、GaPおよびそれらの合金(InxGa1-xAsyP1-y)
− InSb、GaSbおよびそれらの合金(InxGa1-xSb)
− AlP、AlAs、AlSbおよびそれらの合金、例えばAlP1-xAsx
− Alと合金化したInGaAsP、例えばAlxGa1-xAs
− Sbと合金化したInGaAsP、例えばGaAsySb1-y
− InN、GaN、AlNおよびそれらの合金(InxGa1-xN)
− Si、Geおよびそれらの合金、すなわち(SixGe1-x)
− CdSe、CdS、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、MgSe、MgTeおよびそれらの合金
− SiOx、C(ダイヤモンド)、C(カーボンナノチューブ)SiC、BN
が含まれるが、これらに限定されない。
− Au、Cu、Ag
− In、Ga、Al
− Fe、Ni、Pd、Pt
− Sn、Si、Ge、Zn、Cd
− 上記のものの合金、例えばAu−In、Au−Ga、Au−Si
が含まれるが、これらに限定されない。
− InGaAl−AsPSbシステムでは、nドーパントとしてS、Se、Si、C、Sn、pドーパントとしてZn、Si、C、Be
− AlInGaNシステムでは、nドーパントとしてSi、pドーパントとしてMg
− Siでは、nドーパントとしてP、As、Sb、pドーパントとしてB、Al、Ga、In
− CdZn−OSSeTeシステムでは、pドーパントとしてLi、Na、K、N、P、As、nドーパントとしてAl、Ga、In、Cl、I
が含まれるが、これらに限定されない。
Claims (11)
- 半導体ナノワイヤー(1)を形成する方法であって、
− 気体中に浮遊する触媒種晶粒子(2)を供給すること、
− 形成しようとする前記半導体ナノワイヤー(1)の構成物質を含む気体状前駆物質(3、4)を供給すること、
− 少なくとも1つの触媒粒子の表面に少なくとも1つの種結晶を形成すること、および、
− 前記触媒種晶粒子が前記気体中に浮遊している間に、前記気体状前駆物質(3、4)を含む気相合成において、前記形成された種結晶の少なくとも1つから、少なくとも1つの単結晶の半導体ナノワイヤー(1)を、高温にされた反応器の中でエピタキシャルに成長させること、を含み、
前記半導体ナノワイヤー(1)は、GaとAsを構成元素とする組成式GaAsyP1-y(yは0.5以上であり、y=1の場合を含む)で標記されるIII−V族半導体ナノワイヤーであり、
前記触媒種晶粒子(2)が、前記気体状前駆物質(3、4)と混合されたエアロゾルとして供給され、
前記半導体ナノワイヤーが、前記反応器内部の全圧が50〜1100mbarの範囲にあり、前記反応器の温度が380〜700℃の範囲にある条件での化学気相成長プロセス中に形成される、
方法。 - 前記半導体ナノワイヤー(1)が連続プロセスで形成される、請求項1に記載の方法。
- 形成される前記半導体ナノワイヤー(1)が、GaAsナノワイヤーからなる、請求項1または2に記載の方法。
- 少なくとも1つの前記半導体ナノワイヤーの直径が、前記触媒種晶粒子の大きさおよび/または前記種結晶の大きさによって決定される、請求項1から3のいずれかに記載の方法。
- 前記半導体ナノワイヤー(1)は第1の部位と第2の部位を有しており、前記第1の部位は第1の組成または第1の導電型を有し、前記第2の部位は第2の組成または第2の導電型を有しており、前記第1の組成または第1の導電型は前記第2の組成または第2の導電型と異なる半導体ナノワイヤー(1)であり、
前駆物質の組成、前駆物質のモル流量、キャリアガスの流量、温度、圧力、またはドーパントと関係する、1つまたは複数のパラメータを制御することによって、各半導体ナノワイヤー(1)の成長中の成長条件を変化させ、その結果、半導体ナノワイヤー片が、先行形成された半導体ナノワイヤー部分の上で、その縦方向に軸方向成長するか、または、シェルが、前記の先行形成された半導体ナノワイヤー部分の上で、その半径方向に半径方向成長するか、または、材料が、軸方向成長と半径方向成長との組み合わせとして付加されるようにし、さらに、前記成長条件を変化させて、各半導体ナノワイヤー(1)内で組成、ドーピング、導電型に関してヘテロ構造を得る、請求項1から4のいずれかに記載の方法。 - 前駆物質の組成、前駆物質のモル流量、キャリアガスの流量、温度、圧力、もしくはドーパントと関係する1つまたは複数のパラメータを制御することによって、前記成長条件を経時的に変化させるか、あるいは、前記触媒種晶粒子(2)の粒度分布を変化させ、その結果、異なる特性の半導体ナノワイヤー(1)が形成されるようにする、請求項5に記載の方法。
- 前記触媒種晶粒子(2)を含む気体が、1つまたは複数の反応区間を通って連続的に流れ、各反応区間は、前記半導体ナノワイヤーに材料を付加することによって、前記半導体ナノワイヤー成長に寄与し、各反応区間の通過後に成長した半導体ナノワイヤーが前記気体によって搬送される、もしくは、前記触媒種晶粒子(2)が帯電される、請求項1から6のいずれかに記載の方法。
- 形成される半導体ナノワイヤー(1)のその場分析をさらに含む、請求項1から7のいずれかに記載の方法。
- 前記半導体ナノワイヤー形成プロセスを妨害することなく、その場分析パラメータからのフィードバックによって、前記半導体ナノワイヤー成長を制御することをさらに含む、請求項1から8のいずれかに記載の方法。
- 前記その場分析が、前記半導体ナノワイヤー(1)の光学特性を明らかにするために、形成される半導体ナノワイヤー(1)を照射すること、および前記半導体ナノワイヤー(1)からの発光を検出することを含む、請求項8または9に記載の方法。
- 前記半導体ナノワイヤー(1)を、基材に沿った連続的なプロセスで、前記基材上に付着させることおよび/または整列させることをさらに含む、請求項1に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE1050466 | 2010-05-11 | ||
SE1050466-0 | 2010-05-11 | ||
PCT/SE2011/050599 WO2011142717A1 (en) | 2010-05-11 | 2011-05-11 | Gas-phase synthesis of wires |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016016818A Division JP2016121065A (ja) | 2010-05-11 | 2016-02-01 | ワイヤーの気相合成 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013526474A JP2013526474A (ja) | 2013-06-24 |
JP2013526474A5 JP2013526474A5 (ja) | 2014-06-26 |
JP6313975B2 true JP6313975B2 (ja) | 2018-04-18 |
Family
ID=44914587
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013510045A Active JP6313975B2 (ja) | 2010-05-11 | 2011-05-11 | ワイヤーの気相合成 |
JP2016016818A Pending JP2016121065A (ja) | 2010-05-11 | 2016-02-01 | ワイヤーの気相合成 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016016818A Pending JP2016121065A (ja) | 2010-05-11 | 2016-02-01 | ワイヤーの気相合成 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9447520B2 (ja) |
EP (1) | EP2569466A4 (ja) |
JP (2) | JP6313975B2 (ja) |
KR (1) | KR101777894B1 (ja) |
CN (2) | CN102971452B (ja) |
WO (1) | WO2011142717A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6313975B2 (ja) * | 2010-05-11 | 2018-04-18 | クナノ・アーベー | ワイヤーの気相合成 |
US9610456B2 (en) | 2011-11-30 | 2017-04-04 | Neuronano Ab | Nanowire-based devices for light-induced and electrical stimulation of biological cells |
EP2809837A4 (en) * | 2012-02-03 | 2015-11-11 | Qunano Ab | GAS CONTINUOUS AND HIGH SPEED PHASE SYNTHESIS OF NANOWILES WITH ADJUSTABLE PROPERTIES |
TWI480224B (zh) * | 2012-02-03 | 2015-04-11 | Nat Univ Tsing Hua | 半導體奈米線製作方法與半導體奈米結構 |
CN104380469B (zh) | 2012-04-12 | 2018-06-22 | 索尔伏打电流公司 | 纳米线官能化、分散和附着方法 |
CN104508190B (zh) * | 2012-05-25 | 2017-12-15 | 索尔伏打电流公司 | 同心流反应器 |
US9224920B2 (en) * | 2012-11-23 | 2015-12-29 | Lg Display Co., Ltd. | Quantum rod and method of fabricating the same |
US9012883B2 (en) | 2012-12-21 | 2015-04-21 | Sol Voltaics Ab | Recessed contact to semiconductor nanowires |
US9574135B2 (en) * | 2013-08-22 | 2017-02-21 | Nanoco Technologies Ltd. | Gas phase enhancement of emission color quality in solid state LEDs |
CN107004727A (zh) * | 2014-11-07 | 2017-08-01 | 索尔伏打电流公司 | 密堆积胶体晶体膜的壳赋能(shell‑enabled)垂直对准和精密组装 |
US9951420B2 (en) * | 2014-11-10 | 2018-04-24 | Sol Voltaics Ab | Nanowire growth system having nanoparticles aerosol generator |
EP3260414A1 (en) | 2016-06-21 | 2017-12-27 | Sol Voltaics AB | Method for transferring nanowires from a fluid to a substrate surface |
EP3822395A1 (en) * | 2019-11-13 | 2021-05-19 | Fundación Imdea Materiales | Nanowires network |
CN112820634B (zh) * | 2021-01-14 | 2024-01-16 | 镓特半导体科技(上海)有限公司 | 半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001155999A (ja) | 1999-11-25 | 2001-06-08 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体層の積層方法及び該積層装置 |
US7301199B2 (en) * | 2000-08-22 | 2007-11-27 | President And Fellows Of Harvard College | Nanoscale wires and related devices |
KR100862131B1 (ko) | 2000-08-22 | 2008-10-09 | 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하버드 칼리지 | 반도체 나노와이어 제조 방법 |
WO2002076887A2 (en) * | 2001-03-26 | 2002-10-03 | National Research Council Of Canada | Process and apparatus for synthesis of nanotubes |
US20020184969A1 (en) | 2001-03-29 | 2002-12-12 | Kodas Toivo T. | Combinatorial synthesis of particulate materials |
US6872645B2 (en) * | 2002-04-02 | 2005-03-29 | Nanosys, Inc. | Methods of positioning and/or orienting nanostructures |
US7335908B2 (en) * | 2002-07-08 | 2008-02-26 | Qunano Ab | Nanostructures and methods for manufacturing the same |
US7534488B2 (en) | 2003-09-10 | 2009-05-19 | The Regents Of The University Of California | Graded core/shell semiconductor nanorods and nanorod barcodes |
US7335344B2 (en) * | 2003-03-14 | 2008-02-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for synthesizing filamentary structures |
WO2004087564A1 (en) * | 2003-04-04 | 2004-10-14 | Startskottet 22286 Ab | Precisely positioned nanowhiskers and nanowhisker arrays and method for preparing them |
US20070157873A1 (en) | 2003-09-12 | 2007-07-12 | Hauptmann Jonas R | Method of fabrication and device comprising elongated nanosize elements |
KR100708644B1 (ko) | 2004-02-26 | 2007-04-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 이를 구비한 평판 표시장치, 박막트랜지스터의 제조방법, 평판 표시장치의 제조방법, 및도너 시트의 제조방법 |
FI121334B (fi) | 2004-03-09 | 2010-10-15 | Canatu Oy | Menetelmä ja laitteisto hiilinanoputkien valmistamiseksi |
CA2572798A1 (en) * | 2004-07-07 | 2006-07-27 | Nanosys, Inc. | Systems and methods for harvesting and integrating nanowires |
FR2876751B1 (fr) | 2004-10-15 | 2007-01-19 | Centre Nat Rech Scient Cnrse | Appareil pour convertir l'energie des vagues en energie electrique |
CN101443265B (zh) | 2006-03-08 | 2014-03-26 | 昆南诺股份有限公司 | 在硅上无金属合成外延半导体纳米线的方法 |
JP4871177B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2012-02-08 | コリア インスティチュート オブ エナジー リサーチ | 超音波振動方式を用いたカーボンナノチューブ合成方法とその装置 |
CN101573778B (zh) * | 2006-11-07 | 2013-01-02 | 奈米系统股份有限公司 | 用于纳米线生长的系统与方法 |
US8409659B2 (en) | 2006-12-01 | 2013-04-02 | GM Global Technology Operations LLC | Nanowire supported catalysts for fuel cell electrodes |
KR20150052343A (ko) * | 2007-01-12 | 2015-05-13 | 큐나노 에이비 | 질화물 나노와이어 및 이의 제조 방법 |
DE102007010286B4 (de) * | 2007-03-02 | 2013-09-05 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Verbindungshalbleiterwerkstoffs, einer III-N-Schicht oder eines III-N-Bulkkristalls, Reaktor zur Herstellung des Verbindungshalbleiterwerkstoffs, Verbindungshalbleiterwerkstoff, III-N-Bulkkristall und III-N-Kristallschicht |
KR101345440B1 (ko) | 2007-03-15 | 2013-12-27 | 삼성전자주식회사 | 메조세공 템플릿을 이용한 나노 구조체의 대량 제조방법 및그에 의해 제조된 나노 구조체 |
KR101475524B1 (ko) * | 2008-08-05 | 2014-12-23 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 풍부산화물을 포함하는 나노와이어 및 그의제조방법 |
JP6313975B2 (ja) | 2010-05-11 | 2018-04-18 | クナノ・アーベー | ワイヤーの気相合成 |
-
2011
- 2011-05-11 JP JP2013510045A patent/JP6313975B2/ja active Active
- 2011-05-11 US US13/696,611 patent/US9447520B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-05-11 EP EP11780888.1A patent/EP2569466A4/en not_active Withdrawn
- 2011-05-11 WO PCT/SE2011/050599 patent/WO2011142717A1/en active Application Filing
- 2011-05-11 KR KR1020127031304A patent/KR101777894B1/ko active IP Right Grant
- 2011-05-11 CN CN201180034310.XA patent/CN102971452B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-05-11 CN CN201710173361.XA patent/CN107090593A/zh active Pending
-
2016
- 2016-02-01 JP JP2016016818A patent/JP2016121065A/ja active Pending
- 2016-09-02 US US15/255,766 patent/US10036101B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2569466A4 (en) | 2013-12-18 |
CN107090593A (zh) | 2017-08-25 |
KR101777894B1 (ko) | 2017-09-13 |
CN102971452B (zh) | 2017-03-29 |
US20170051432A1 (en) | 2017-02-23 |
US10036101B2 (en) | 2018-07-31 |
CN102971452A (zh) | 2013-03-13 |
US20130098288A1 (en) | 2013-04-25 |
WO2011142717A1 (en) | 2011-11-17 |
EP2569466A1 (en) | 2013-03-20 |
JP2016121065A (ja) | 2016-07-07 |
KR20130105295A (ko) | 2013-09-25 |
JP2013526474A (ja) | 2013-06-24 |
US9447520B2 (en) | 2016-09-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6313975B2 (ja) | ワイヤーの気相合成 | |
Zhuang et al. | Composition and Bandgap‐Graded Semiconductor Alloy Nanowires | |
KR102061093B1 (ko) | 동심 유동 반응기 | |
Sanjay et al. | Fabrication of Schottky barrier diodes on clump of gallium nitride nanowires grown by chemical vapour deposition | |
US20140151716A1 (en) | Process for the manufacture of a doped iii-n bulk crystal and a free-standing iii-n substrate, and doped iii-n bulk crystal and free-standing iii-n substrate as such | |
Redwing et al. | Vapor-liquid-solid growth of semiconductor nanowires | |
Shi et al. | Functional semiconductor nanowires via vapor deposition | |
Suo et al. | Synthetic strategies and applications of GaN nanowires | |
Sankaranarayanan et al. | Catalytic growth of gallium nitride nanowires on wet chemically etched substrates by chemical vapor deposition | |
US20140345686A1 (en) | High-throughput continuous gas-phase synthesis of nanowires with tunable properties | |
Yan et al. | Realization of Stranski–Krastanow InAs quantum dots on nanowire-based InGaAs nanoshells | |
Paiman et al. | Effects of growth rate on InP nanowires morphology and crystal structure | |
Liu et al. | Gallium nitride nanowires grown by hydride vapor phase epitaxy | |
Son et al. | Catalyst-free synthesis and cathodoluminescent properties of ZnO nanobranches on Si nanowire backbones | |
Nichols | Growth and Characterization of Chalcogenide Alloy Nanowires with Controlled Spatial Composition Variation for Optoelectronic Applications | |
Seong et al. | Growth and optical properties of gallium nitride nanowires produced via different routes | |
Yan et al. | Controllable growth and optical properties of InP and InP/InAs nanostructures on the sidewalls of GaAs nanowires | |
Kissinger | Indium Nitride Nanostructures Prepared by Various Growth Techniques | |
Tang et al. | Synthesis of InN nanowires using a two-zone chemical vapor deposition approach | |
Park et al. | Horizontal assembly of single nanowire diode fabricated by pn junction GaN nw grown by MOCVD | |
Escobar Steinvall | Growth and characterisation of earth-abundant semiconductor nanostructures for solar energy harvesting | |
Wang | Growth of gallium nitride nanowires by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) | |
Dogan et al. | III–V semiconductor nanowires: Nitrides (N-based; III-N) | |
KR20160025332A (ko) | 그래핀을 포함하는 나노와이어 구조체를 기반으로 하는 광전도 소자 및 그 제조 방법 | |
Persson et al. | n-type doping and morphology of GaAs nanowires in Aerotaxy |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140508 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140508 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150210 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150427 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20151006 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160201 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20160315 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20160520 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20170424 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170601 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171010 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180131 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180326 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6313975 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |