JP2016121065A - ワイヤーの気相合成 - Google Patents
ワイヤーの気相合成 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016121065A JP2016121065A JP2016016818A JP2016016818A JP2016121065A JP 2016121065 A JP2016121065 A JP 2016121065A JP 2016016818 A JP2016016818 A JP 2016016818A JP 2016016818 A JP2016016818 A JP 2016016818A JP 2016121065 A JP2016121065 A JP 2016121065A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- growth
- gas
- wires
- particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/005—Growth of whiskers or needles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/42—Gallium arsenide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
- C30B29/62—Whiskers or needles
Abstract
Description
− AlivisatosらによるUS2005/0054004に例示されているような、例えばコロイド化学の方法による液相合成、
− WO2004/004927A2およびWO2007/10781A1にそれぞれ提示されているSamuelsonらの研究に例示されているような、触媒粒子有り、または無しでの、基材からのエピタキシャル成長、または、
− LieberらによるWO2004/038767A2に例示されているような、レーザーを利用した触媒成長プロセスの方法による気相合成。
− 気体中に浮遊する触媒種晶粒子を供給すること、
− 形成しようとするワイヤーの構成物質を含む気体状前駆物質を供給すること、
− 気体−粒子−前駆物質の混合物を、反応器、典型的にはチューブ炉に通すこと、および、
− 上記の触媒種晶粒子が上記の気体中に浮遊している間に、上記の気体状前駆物質を含む気相合成において、上記の触媒種晶粒子からワイヤーを成長させること、
からなる基本的ステップを含む。
)に応じて、その後のワイヤーの成長が、軸方向もしくは半径方向に起こるか、またはその両方の組み合わせとして起こる。
− 気体中に浮遊する触媒種晶粒子2を供給すること、
− 形成しようとするワイヤー1の構成物質を含む気体状前駆物質3、4を供給すること、および、
− 触媒種晶粒子が気体中に浮遊している間に、気体状前駆物質3、4を含む気相合成において、触媒種晶粒子2からワイヤー1を成長させること、
を含む。
示す。図示のように、触媒粒子が、気体状前駆物質3、4が存在し反応が起こる場所である反応器内へと、気体によって先へ搬送される。反応器に入る前に、または直接反応器へ、前駆物質気体を気体流に添加してもよい。
る。当業者に理解されるように、異なる気体状前駆物質からワイヤーを形成するために反応器の構成を変更する必要はなく、単に気体状前駆物質を差し替えるだけである。その上、図3および図4に例示したプロセスは、ドーパントの有無に関らず行うことができる。絶縁体を成長させることも可能である。単一のもしくは複数の反応器、または1つの反応
器内の複数の反応区間を用いて、異なる組成、ドーピングもしくは導電型を有する小片、コアまたはシェルの形成を増進させることができる。その上、軸方向成長および半径方向成長は必ずしも完全に分離されるものではないが、ワイヤーを同時に半径方向および軸方向の両方に成長させることができる。適切な気体状前駆物質、流量、温度、圧力および粒子径を選択することにより、ワイヤー材料を、軸方向もしくは半径方向に、またはその2つの成長モードを組み合わせて、成長させることができる。
たはN2等の気体流によって、粒子送出システムから搬送される。これ以降、粒子または
ワイヤーを含む気体流をエアロゾルと呼ぶ。GaAs(n型)ワイヤー成長モジュールは、前駆物質分子のための反応炉および気体送出システムからなる。この場合には、前駆物質分子はTMGa、AsH3およびSiH4である。SiH4がワイヤーをSiでドープす
るとともに、TMGaおよびAsH3がGaAs材料を形成し、その結果n型材料となる
。前駆物質分子は、反応炉に入る前に、エアロゾルと混合される。前駆物質は、反応炉に入る時にエアロゾル中の粒子と反応し、n型GaAsワイヤーを形成する。成長パラメータ(温度、流量、圧力等)は、所望の特性(長さ、結晶構造、形状等)を得るために改変される。ここではキャリアガスおよびn型GaAsワイヤーからなるエアロゾルは、GaAs(n型)ワイヤー成長モジュールの後に、GaAsワイヤー成長モジュールを出て、小量の流れと大量の流れとに分割される。小量の流れは、ワイヤーの粒度分布を分析するDMAに入る。大量の流れは、次のワイヤー成長モジュールに入る。GaAs(p型)ワイヤー成長モジュールは、先行成長したn型GaAsワイヤー上に、p型GaAsの軸方向延長を成長させるように設計される。上記の成長モジュールは、前駆物質がここではTMGa、AsH3およびDEZnからなること以外は、GaAs(n型)ワイヤー成長モ
ジュールと本質的に同一の設計を有する。DEZnがワイヤーをZnでドープするとともに、TMGaおよびAsH3がGaAs材料の軸方向延長を形成し、その結果p型材料と
なる。この炉における成長パラメータは、前段の成長モジュールのものと必ずしも同一ではないが、その代わりに、高品質なp型GaAs材料を有するワイヤーの軸方向延長を得るために最適化される。上記のエアロゾルは、GaAs(p型)ワイヤー成長モジュールを出る時に、小量と大量の流れに分割される。小量の流れは、ワイヤーの粒度分布を分析するDMAに入る。大量の流れは、前述した方法のいずれかによってワイヤーを集めることのできるワイヤー捕集モジュールに入る。
Ga1-zN、ただしx≠y≠z)を有するInGaNシェルを形成するように構成された
並列のInGaNシェル成長モジュールへ分かれて入る。各分岐において成長条件が異なるがゆえに、ワイヤーの放射特性が異なるようになる。例えば、赤色、緑色および青色の波長域で放射を行うように構成されたワイヤーを実現することができる。少なくとも部分的に形成されたワイヤーを、InGaNシェル成長モジュールから共通の気体流中へ集めることによって、白色光LEDを組み立てるための、別々のワイヤーを同時に成長させ、集めることができる。
性を有するシステムを、図7に概略的に示す。図6のシステムにおける並列のInGaNシェル成長モジュールに加えて、p−AlGaN成長モジュールが、各InGaNシェル成長モジュールの後に続く。しかし、n−GaNワイヤー成長モジュールおよび、p−AlGaNシェル成長モジュールの後のAlO不活性化層成長モジュールは、異なるワイヤー向けでも、システムの複雑度を減少させるために、同一であってよい。
ら発するべきである。上記の吸収検出器は、この配置において、エアロゾルの吸収量を最大にするため、光源に対して優先的に配置される。
これ以降、Au凝集物/粒子を含むキャリアガスをエアロゾルと呼ぶ)によって、成長システムの異なるモジュール間へ搬送する。高温炉の後に、Au凝集物をそれぞれ単電子で帯電させる。この単電子帯電を用いることによって、微分型移動度分析器で、この場合は50nmに設定して、Au凝集物を大きさで選別する。上記のエアロゾルを450℃の温度の焼結炉内に通し、それによってAu凝集物が球形のAu粒子に圧縮される。焼結炉の後に、モル流量をそれぞれ2.4×10-2mmol/minおよび2.2×10-2mmol/minに設定した前駆物質気体TMGaおよびAsH3を、上記のエアロゾルと混合
させる。前駆物質気体を含む上記のエアロゾルは、(i)450℃または(ii)625℃の温度に設定した反応炉に入る。前駆物質は反応炉の内部で分解し、材料構成物質GaおよびAsを生じる。上記の材料構成物質は、気相中のAu粒子へ供給され、GaAs種結晶がAu粒子上に核生成する。ワイヤーの成長は、以下の2つの異なる成長モードによって、引き続き進行する。(i)材料が、Au粒子と、ワイヤーを形成するGaAs種結晶との界面に組み込まれる、軸方向成長モード、(ii)材料構成物質が、Au粒子−GaAs界面と、形成されるワイヤーの側面上との両方に組み込まれ、円錐形のワイヤーを形成する、軸方向および半径方向の成長モードの組み合わせ。上記のワイヤーは、反応炉の後に、キャリアガスによって付着チャンバーへ運ばれ、そこでSi基材に6kvの電圧が印加され、帯電したワイヤーが付着させられる。図10に示す通り、Au粒子は可視であり、より暗いナノワイヤーに対して明るいコントラストを有している。図11に示す通り、Au粒子は可視であり、円錐形のナノワイヤーの先端で明るいコントラストを有している。
区間内で行われる、単一段での成長に関して有効である。複数段での成長では、第1の核生成段は、典型的には、後に続く成長ステップに比べて、より高い温度、より少ない前駆物質流量、およびより小さいV/III比で行われるべきである。
の安定性が高いゆえに、より高温で形成されうる。
− InAs、InP、GaAs、GaPおよびそれらの合金(InxGa1-xAsyP1-y)
− InSb、GaSbおよびそれらの合金(InxGa1-xSb)
− AlP、AlAs、AlSbおよびそれらの合金、例えばAlP1-xAsx
− Alと合金化したInGaAsP、例えばAlxGa1-xAs
− Sbと合金化したInGaAsP、例えばGaAsySb1-y
− InN、GaN、AlNおよびそれらの合金(InxGa1-xN)
− Si、Geおよびそれらの合金、すなわち(SixGe1-x)
− CdSe、CdS、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、MgSe、MgTeおよびそれらの合金
− SiOx、C(ダイヤモンド)、C(カーボンナノチューブ)SiC、BN
が含まれるが、これらに限定されない。
− Au、Cu、Ag
− In、Ga、Al
− Fe、Ni、Pd、Pt
− Sn、Si、Ge、Zn、Cd
− 上記のものの合金、例えばAu−In、Au−Ga、Au−Si
が含まれるが、これらに限定されない。
− InGaAl−AsPSbシステムでは、nドーパントとしてS、Se、Si、C、Sn、pドーパントとしてZn、Si、C、Be
− AlInGaNシステムでは、nドーパントとしてSi、pドーパントとしてMg
− Siでは、nドーパントとしてP、As、Sb、pドーパントとしてB、Al、Ga、In
− CdZn−OSSeTeシステムでは、pドーパントとしてLi、Na、K、N、P、As、nドーパントとしてAl、Ga、In、Cl、I
が含まれるが、これらに限定されない。
Claims (22)
- ワイヤー(1)を形成する方法であって、
− 気体中に浮遊する触媒種晶粒子(2)を供給すること、
− 形成しようとする前記ワイヤー(1)の構成物質を含む気体状前駆物質(3、4)を供給すること、および、
− 前記触媒種晶粒子が前記気体中に浮遊している間に、前記気体状前駆物質(3、4)を含む気相合成において、前記触媒種晶粒子(2)から前記ワイヤー(1)を成長させること、
を含む方法。 - 前記ワイヤー(1)が連続プロセスで形成される、請求項1に記載の方法。
- 形成される前記ワイヤー(1)が、前記気体によって搬送される、請求項1または2に記載の方法。
- 前記成長にエピタキシャル成長が含まれる、請求項1に記載の方法。
- 前駆物質の組成、前駆物質のモル流量、キャリアガスの流量、温度、圧力、またはドーパントと関係する、1つまたは複数のパラメータを制御することによって、各ワイヤー(1)の成長中の成長条件を変化させ、その結果、ワイヤー片が、先行形成されたワイヤー部分の上で、その縦方向に軸方向成長するか、または、シェルが、前記の先行形成されたワイヤー部分の上で、その半径方向に半径方向成長するか、または、材料が、軸方向成長と半径方向成長との組み合わせとして付加されるようにする、請求項1から4のいずれかに記載の方法。
- 前記成長条件を変化させて、各ワイヤー(1)内で組成、ドーピング、導電型に関してヘテロ構造を得る、請求項5に記載の方法。
- 前駆物質の組成、前駆物質のモル流量、キャリアガスの流量、温度、圧力、もしくはドーパントと関係する1つまたは複数のパラメータを制御することによって、前記成長条件を経時的に変化させるか、あるいは、前記触媒種晶粒子(2)の粒度分布を変化させ、その結果、異なる特性のワイヤー(1)が形成されるようにする、請求項1から4のいずれかに記載の方法。
- 前記触媒種晶粒子(2)が、前記気体状前駆物質(3、4)と混合されたエアロゾルとして供給される、請求項1から7のいずれかに記載の方法。
- 前記触媒種晶粒子(2)が、前記触媒粒子(2)の少なくとも1つの構成物質を含む気体状反応剤から形成することにより供給される、請求項1から7のいずれかに記載の方法。
- 前記触媒種晶粒子(2)を含む気体が、1つまたは複数の反応区間を通って連続的に流れ、各反応区間は、前記ワイヤーに材料を付加することによって、前記ワイヤー成長に寄与し、各反応区間の通過後に成長したワイヤーが前記気体によって搬送される、請求項1から9のいずれかに記載の方法。
- 前記触媒種晶粒子(2)が様々な大きさを有する、請求項1から10のいずれかに記載の方法。
- 前記触媒種晶粒子(2)が帯電される、請求項1から11のいずれかに記載の方法。
- 形成されるワイヤー(1)のその場分析をさらに含む、請求項1から12のいずれかに記載の方法。
- 前記ワイヤー形成プロセスを妨害することなく、その場分析パラメータからのフィードバックによって、前記ワイヤー成長を制御することをさらに含む、請求項1から13のいずれかに記載の方法。
- 前記その場分析が、ワイヤーの大きさを検出するため、および/もしくはワイヤーを大きさで選別するために、その場分析手段(12)を用いることを含む、請求項13または14に記載の方法。
- 前記その場分析が、前記ワイヤー(1)の光学特性を明らかにするために、形成されるワイヤー(1)を照射すること、および前記ワイヤー(1)からの発光を検出することを含む、請求項13または14に記載の方法。
- 前記気体状前駆物質(3、4)が半導体材料を含み、それによって半導体ワイヤーを形成する、請求項1から16のいずれかに記載の方法。
- 前記ワイヤー(1)を、基材に沿った連続的なプロセスで、前記基材上に付着させることおよび/または整列させることをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- ワイヤー(1)を成長させるための少なくとも1つの反応器(8)を備える、ワイヤーを形成するためのシステムであって、
− 気体中に浮遊する触媒種晶粒子(2)を前記反応器(8)へ供給するための手段(9)、
− 形成しようとする前記ワイヤー(1)の構成物質を含む気体状前駆物質(3、4)を前記反応器(8)へ供給するための手段、および、
− 前記触媒種晶粒子(2)が前記気体中に浮遊している間に、前記気体状前駆物質(3、4)を含む気相合成において前記触媒種晶粒子(2)から成長するワイヤー(1)を集めるための手段、
を備えるシステム。 - 直列および/または並列に配置される複数の反応器(8)を備える、請求項19に記載のシステム。
- 形成される前記ワイヤー(1)のその場分析手段(12)をさらに備える、請求項19または20に記載のシステム。
- その場分析のフィードバックのため、および成長条件の制御のための手段をさらに備える、請求項21に記載のシステム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE1050466-0 | 2010-05-11 | ||
SE1050466 | 2010-05-11 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013510045A Division JP6313975B2 (ja) | 2010-05-11 | 2011-05-11 | ワイヤーの気相合成 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016121065A true JP2016121065A (ja) | 2016-07-07 |
Family
ID=44914587
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013510045A Active JP6313975B2 (ja) | 2010-05-11 | 2011-05-11 | ワイヤーの気相合成 |
JP2016016818A Pending JP2016121065A (ja) | 2010-05-11 | 2016-02-01 | ワイヤーの気相合成 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013510045A Active JP6313975B2 (ja) | 2010-05-11 | 2011-05-11 | ワイヤーの気相合成 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9447520B2 (ja) |
EP (1) | EP2569466A4 (ja) |
JP (2) | JP6313975B2 (ja) |
KR (1) | KR101777894B1 (ja) |
CN (2) | CN107090593A (ja) |
WO (1) | WO2011142717A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9447520B2 (en) * | 2010-05-11 | 2016-09-20 | Qunano Ab | Gas-phase synthesis method for forming semiconductor nanowires |
US9610456B2 (en) | 2011-11-30 | 2017-04-04 | Neuronano Ab | Nanowire-based devices for light-induced and electrical stimulation of biological cells |
US20140345686A1 (en) * | 2012-02-03 | 2014-11-27 | Qunano Ab | High-throughput continuous gas-phase synthesis of nanowires with tunable properties |
TWI480224B (zh) * | 2012-02-03 | 2015-04-11 | Nat Univ Tsing Hua | 半導體奈米線製作方法與半導體奈米結構 |
CN104380469B (zh) | 2012-04-12 | 2018-06-22 | 索尔伏打电流公司 | 纳米线官能化、分散和附着方法 |
CN104508190B (zh) | 2012-05-25 | 2017-12-15 | 索尔伏打电流公司 | 同心流反应器 |
US9224920B2 (en) * | 2012-11-23 | 2015-12-29 | Lg Display Co., Ltd. | Quantum rod and method of fabricating the same |
US9012883B2 (en) | 2012-12-21 | 2015-04-21 | Sol Voltaics Ab | Recessed contact to semiconductor nanowires |
US9574135B2 (en) * | 2013-08-22 | 2017-02-21 | Nanoco Technologies Ltd. | Gas phase enhancement of emission color quality in solid state LEDs |
CN111725339A (zh) * | 2014-11-07 | 2020-09-29 | 索尔伏打电流公司 | 密堆积胶体晶体膜的壳赋能垂直对准和精密组装 |
US9951420B2 (en) * | 2014-11-10 | 2018-04-24 | Sol Voltaics Ab | Nanowire growth system having nanoparticles aerosol generator |
EP3260414A1 (en) | 2016-06-21 | 2017-12-27 | Sol Voltaics AB | Method for transferring nanowires from a fluid to a substrate surface |
EP3822395A1 (en) * | 2019-11-13 | 2021-05-19 | Fundación Imdea Materiales | Nanowires network |
CN112820634B (zh) * | 2021-01-14 | 2024-01-16 | 镓特半导体科技(上海)有限公司 | 半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004507104A (ja) * | 2000-08-22 | 2004-03-04 | プレジデント・アンド・フェローズ・オブ・ハーバード・カレッジ | ドープされた細長い半導体、そのような半導体の成長、そのような半導体を含んだデバイス、およびそのようなデバイスの製造 |
US20040109814A1 (en) * | 2001-03-26 | 2004-06-10 | Benoit Simard | Process and apparatus for synthesis of nanotubes |
JP2007527844A (ja) * | 2004-03-09 | 2007-10-04 | カナトゥ オイ | 単層、多層、機能化及びドープ処理カーボンナノチューブ、並びにそれらの複合物 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001155999A (ja) | 1999-11-25 | 2001-06-08 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体層の積層方法及び該積層装置 |
US7301199B2 (en) * | 2000-08-22 | 2007-11-27 | President And Fellows Of Harvard College | Nanoscale wires and related devices |
US20020184969A1 (en) | 2001-03-29 | 2002-12-12 | Kodas Toivo T. | Combinatorial synthesis of particulate materials |
US6872645B2 (en) * | 2002-04-02 | 2005-03-29 | Nanosys, Inc. | Methods of positioning and/or orienting nanostructures |
US7335908B2 (en) | 2002-07-08 | 2008-02-26 | Qunano Ab | Nanostructures and methods for manufacturing the same |
US7534488B2 (en) | 2003-09-10 | 2009-05-19 | The Regents Of The University Of California | Graded core/shell semiconductor nanorods and nanorod barcodes |
US7335344B2 (en) * | 2003-03-14 | 2008-02-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for synthesizing filamentary structures |
WO2004087564A1 (en) * | 2003-04-04 | 2004-10-14 | Startskottet 22286 Ab | Precisely positioned nanowhiskers and nanowhisker arrays and method for preparing them |
EP1678741A1 (en) | 2003-09-12 | 2006-07-12 | Kobenhavns Universitet | Method of fabrication and device comprising elongated nanosize elements |
KR100708644B1 (ko) | 2004-02-26 | 2007-04-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 이를 구비한 평판 표시장치, 박막트랜지스터의 제조방법, 평판 표시장치의 제조방법, 및도너 시트의 제조방법 |
WO2006016914A2 (en) * | 2004-07-07 | 2006-02-16 | Nanosys, Inc. | Methods for nanowire growth |
FR2876751B1 (fr) | 2004-10-15 | 2007-01-19 | Centre Nat Rech Scient Cnrse | Appareil pour convertir l'energie des vagues en energie electrique |
WO2007102781A1 (en) | 2006-03-08 | 2007-09-13 | Qunano Ab | Method for metal-free synthesis of epitaxial semiconductor nanowires on si |
JP4871177B2 (ja) | 2006-03-28 | 2012-02-08 | コリア インスティチュート オブ エナジー リサーチ | 超音波振動方式を用いたカーボンナノチューブ合成方法とその装置 |
JP2010509171A (ja) * | 2006-11-07 | 2010-03-25 | ナノシス・インク. | ナノワイヤー成長用システム及び方法 |
US8409659B2 (en) | 2006-12-01 | 2013-04-02 | GM Global Technology Operations LLC | Nanowire supported catalysts for fuel cell electrodes |
WO2008085129A1 (en) * | 2007-01-12 | 2008-07-17 | Qunano Ab | Nitride nanowires and method of producing such |
DE102007010286B4 (de) * | 2007-03-02 | 2013-09-05 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Verbindungshalbleiterwerkstoffs, einer III-N-Schicht oder eines III-N-Bulkkristalls, Reaktor zur Herstellung des Verbindungshalbleiterwerkstoffs, Verbindungshalbleiterwerkstoff, III-N-Bulkkristall und III-N-Kristallschicht |
KR101345440B1 (ko) | 2007-03-15 | 2013-12-27 | 삼성전자주식회사 | 메조세공 템플릿을 이용한 나노 구조체의 대량 제조방법 및그에 의해 제조된 나노 구조체 |
KR101475524B1 (ko) * | 2008-08-05 | 2014-12-23 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 풍부산화물을 포함하는 나노와이어 및 그의제조방법 |
US9447520B2 (en) | 2010-05-11 | 2016-09-20 | Qunano Ab | Gas-phase synthesis method for forming semiconductor nanowires |
-
2011
- 2011-05-11 US US13/696,611 patent/US9447520B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-05-11 KR KR1020127031304A patent/KR101777894B1/ko active IP Right Grant
- 2011-05-11 CN CN201710173361.XA patent/CN107090593A/zh active Pending
- 2011-05-11 JP JP2013510045A patent/JP6313975B2/ja active Active
- 2011-05-11 CN CN201180034310.XA patent/CN102971452B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-05-11 EP EP11780888.1A patent/EP2569466A4/en not_active Withdrawn
- 2011-05-11 WO PCT/SE2011/050599 patent/WO2011142717A1/en active Application Filing
-
2016
- 2016-02-01 JP JP2016016818A patent/JP2016121065A/ja active Pending
- 2016-09-02 US US15/255,766 patent/US10036101B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004507104A (ja) * | 2000-08-22 | 2004-03-04 | プレジデント・アンド・フェローズ・オブ・ハーバード・カレッジ | ドープされた細長い半導体、そのような半導体の成長、そのような半導体を含んだデバイス、およびそのようなデバイスの製造 |
US20040109814A1 (en) * | 2001-03-26 | 2004-06-10 | Benoit Simard | Process and apparatus for synthesis of nanotubes |
JP2007527844A (ja) * | 2004-03-09 | 2007-10-04 | カナトゥ オイ | 単層、多層、機能化及びドープ処理カーボンナノチューブ、並びにそれらの複合物 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
S. H. KIM ET AL.: "Understanding ion-mobility and transport properties of aerosol nanowires", J. AEROSOL SCI., vol. 38, JPN6015004778, 1 August 2007 (2007-08-01), GB, pages 823 - 842, XP022208061, ISSN: 0003443096, DOI: 10.1016/j.jaerosci.2007.06.003 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102971452A (zh) | 2013-03-13 |
US9447520B2 (en) | 2016-09-20 |
CN107090593A (zh) | 2017-08-25 |
WO2011142717A1 (en) | 2011-11-17 |
EP2569466A1 (en) | 2013-03-20 |
US20170051432A1 (en) | 2017-02-23 |
KR20130105295A (ko) | 2013-09-25 |
CN102971452B (zh) | 2017-03-29 |
KR101777894B1 (ko) | 2017-09-13 |
JP6313975B2 (ja) | 2018-04-18 |
EP2569466A4 (en) | 2013-12-18 |
JP2013526474A (ja) | 2013-06-24 |
US20130098288A1 (en) | 2013-04-25 |
US10036101B2 (en) | 2018-07-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6313975B2 (ja) | ワイヤーの気相合成 | |
Zhuang et al. | Composition and Bandgap‐Graded Semiconductor Alloy Nanowires | |
KR102061093B1 (ko) | 동심 유동 반응기 | |
US9461121B2 (en) | Process for the manufacture of a doped III-N bulk crystal and a free-standing III-N substrate, and doped III-N bulk crystal and free-standing III-N substrate as such | |
Sanjay et al. | Fabrication of Schottky barrier diodes on clump of gallium nitride nanowires grown by chemical vapour deposition | |
Shi et al. | Functional semiconductor nanowires via vapor deposition | |
Redwing et al. | Vapor-liquid-solid growth of semiconductor nanowires | |
Suo et al. | Synthetic strategies and applications of GaN nanowires | |
Sankaranarayanan et al. | Catalytic growth of gallium nitride nanowires on wet chemically etched substrates by chemical vapor deposition | |
US20140345686A1 (en) | High-throughput continuous gas-phase synthesis of nanowires with tunable properties | |
Azimi et al. | Tuning the crystal structure and optical properties of selective area grown InGaAs nanowires | |
Paiman et al. | Effects of growth rate on InP nanowires morphology and crystal structure | |
Liu et al. | Gallium nitride nanowires grown by hydride vapor phase epitaxy | |
Novák et al. | Structural and optical properties of individual GaP/ZnO core–shell nanowires | |
Son et al. | Catalyst-free synthesis and cathodoluminescent properties of ZnO nanobranches on Si nanowire backbones | |
KR101877319B1 (ko) | 산화아연 나노와이어의 제조장치 및 제조방법 | |
Nichols | Growth and Characterization of Chalcogenide Alloy Nanowires with Controlled Spatial Composition Variation for Optoelectronic Applications | |
Yan et al. | Controllable growth and optical properties of InP and InP/InAs nanostructures on the sidewalls of GaAs nanowires | |
Escobar Steinvall | Growth and characterisation of earth-abundant semiconductor nanostructures for solar energy harvesting | |
Kissinger | Indium Nitride Nanostructures Prepared by Various Growth Techniques | |
Huang et al. | Achieving Ultra-long GaN Nanorod Growth by Lowering Nucleation Energy Via Surface Modification for Optical Sensors | |
Park et al. | Horizontal assembly of single nanowire diode fabricated by pn junction GaN nw grown by MOCVD | |
Wang | Growth of gallium nitride nanowires by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) | |
KR20160025332A (ko) | 그래핀을 포함하는 나노와이어 구조체를 기반으로 하는 광전도 소자 및 그 제조 방법 | |
GRANDJEAN et al. | MOVPE growth of III-nitride nanostructures: From self-assembled growth to selective area growth |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161122 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20161214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170519 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170530 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170929 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20171016 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20171027 |