JP6304030B2 - 光送信器および光通信装置 - Google Patents

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Description

本発明は、複数の光変調信号を並列に出射する光送信器、この光送信器を有する光通信装置に関する。
現在、いわゆる電子機器の内部に光通信装置を実装する場合がある。このような光通信装置は、たとえば、光送信器と、M本の光導波路と、光受信器と、を有する。光送信器は、外部入力されるM個の電気信号をM個の光変調信号に変換し、ビーム光として並列に出射する。
M本の光導波路は、ビーム光として並列に出射されたM個の光変調信号を並列に導波する。光受信器は、M個の光導波路により並列に導波されたM個の光変調信号を受信し、M個の電気信号に変換する。
上述のような光通信装置の光送信器は、単純には、M個の半導体レーザーなどの発光素子と、M個の光変調器と、を有している。このような光送信器では、M個の発光素子が個々に出射するビーム光をM個の光変調器で個々に変調している。
しかしながら、現在の半導体レーザーは、通常の電子回路に比較して信頼性が充分ではなく、予期せぬタイミングで使用不能となることがある。上述のような構成では、M個の半導体レーザーの1個が使用不能となっても、光送信器の全体が使用不能となる。
これを解決するため、半導体レーザーを1個とし、そのビーム光を光ファイバーなどにより光学的にM個に並列に分配し、このM個のビーム光をM個の光変調器で個々に変調して光変調信号とする光送信器の提案がある(たとえば、特許文献1参照)。
特開2007−256716号公報
上述した特許文献1の光送信器では、M個の発光素子とM個の光変調器とを組み合わせた光送信器に比較して、半導体レーザーの個数がM分の1である1個としている。このため、その1個の半導体レーザーが使用不能となることにより、光送信器の全体が使用不能となる確率もM分の1となる。
しかしながら、1個の半導体レーザーが使用不能となると、光送信器の全体が使用不能となることに変わりはない。このため、高い冗長性を実現することができないという課題があった。
本発明は、上述のような課題を解決する光送信器、この光送信器を含む光通信装置を提供するものである。
本発明の一実施形態における光送信器は、光を出射する少なくとも2個の発光素子と、前記発光素子が出射する光が入射する入力ポートおよび前記入力ポートに入射した光を少なくとも2個に分岐させて出射する出力ポートを有する分岐器と、前記出力ポートから出射される光を個々に変調する光変調器とを有している。
本発明の一実施形態における光通信装置は、本発明の光送信器と、前記光送信器のM個の前記光変調器から個々に出射される光を並列に導波するM本の光導波路と、M本の前記光導波路からM個の光を並列に受光する光受信器とを有している。
本発明の光送信器は、高い冗長性を実現することができる。
本発明の第1の実施形態における光送信器の回路構造を示す模式的なブロック図である。 本発明の第2の実施形態における光通信装置の回路構造を示す模式的なブロック図である。 本発明の第2の実施形態における光通信装置の光送信器の回路構造を示す模式的なブロック図である。 本発明の第2の実施形態における光通信装置の光送信器である光素子装置の構造を示す模式的な回路図である。 本発明の第2の実施形態における光送信器のN×M分岐器を形成している2×2分岐器である方向性結合器型の3dBカプラの構造を示す模式的な回路図である。 本発明の第2の実施形態における光送信器の方向性結合器型の3dBカプラの回路構造を示す模式的な平面図である。 本発明の第2の実施形態における光送信器の方向性結合器型の3dBカプラの内部構造を示す、図7の(a)は図6のa−a′断面図、図7の(b)は図6のb−b′断面図である。 本発明の第2の実施形態における光送信器のMZI光変調器の構造を示す模式的な回路図である。 本発明の第2の実施形態における光送信器のMZI光変調器の回路構造を示す模式的な平面図である。 本発明の第2の実施形態における光送信器のMZI光変調器の内部構造を示し、図10の(a)は図9のa−a′断面図、図10の(b)は図9のb−b′断面図である。 本発明の第2の実施形態における光送信器の発光素子である第1の半導体レーザーおよび第2の半導体レーザーの波長およびスペクトル強度の関係を示す特性図である。 本発明の第2の実施形態における光送信器で第1の半導体レーザーおよび第2の半導体レーザーの出力の経時変化を示す特性図である。 本発明の第2の実施形態における光送信器の第1の変形例の回路構造を示す模式的なブロック図である。 本発明の第2の実施形態における光送信器の第2の変形例の回路構造を示す模式的なブロック図である。 本発明の第3の実施形態における光送信器の構造を示す模式的な回路図である。 本発明の第4の実施形態における光送信器である光素子装置の構造を示す模式的な回路図である。 本発明の第5の実施形態における光送信器である光素子装置の構造を示す模式的な回路図である。 本発明の第5の実施形態における光素子装置の発光素子であるレーザーアレイの回路構造を示し、図17の(a)は模式的な平面図、図17の(b)は図17(a)のa−a′断面図である。 本発明の第6の実施形態における光送信器である光素子装置の構造を示す模式的な回路図である。 本発明の第6の実施形態における光素子装置の発光素子であるレーザーアレイの回路構造を示す、図19の(a)は模式的な平面図、図19の(b)は図19の(a)のa−a′断面図である。 本発明の実施の形態における光送信器の変形例の構造を示す模式的な回路図である。 第2の実施形態の変形例における光送信器である光素子装置の構造を示す模式的な回路図である。 本発明の第2の実施形態の変形例における光送信器の変形例のN×M分岐器を形成する2×2分岐器であるマルチモード干渉結合器型の3dBカプラの構造を示す模式的な回路図である。 本発明の第2の実施形態の変形例における光送信器の変形例のマルチモード干渉結合器型の3dBカプラの回路構造を示す模式的な平面図である。 本発明の第2の実施形態の変形例における光送信器の変形例のマルチモード干渉結合器型の3dBカプラの内部構造を示す、図23の(a)は図22のa−a′断面図、図23の(b)は図22のb−b′断面図である。 本発明の第2の実施形態の変形例における光送信器の変形例のN×M分岐器を形成するN×Mスターカプラの構造を示す模式的な回路図である。 本発明の第2の実施形態の変形例における光送信器の変形例のリング光変調器の構造を示す模式的な回路図である。 本発明の第2の実施形態の変形例における光送信器の変形例のリング光変調器の回路構造を示す模式的な平面図である。 本発明の第2の実施形態の変形例における光送信器の変形例のリング光変調器の内部構造を示す、図26のa−a′断面図である。 本発明の第2の実施形態の変形例における光送信器の変形例のリング光変調器の構造を示す模式的な回路図である。 本発明の第2の実施形態の変形例における光送信器の変形例の電界吸収型の光変調器の構造を示す模式的なブロック図である。 本発明の第2の実施形態の変形例における光送信器の変形例の第1の半導体レーザーおよび第2の半導体レーザーの出力の経時変化を示す特性図である。
本発明の第1の実施形態に関して図1を参照して以下に説明する。なお、図1は本実施の形態の光送信器の回路構造を示す模式的なブロック図である。
本実施の形態の光送信器100は、N(Nは2以上の自然数)個の発光素子111〜11Nと、N×M分岐器120と、M(Mは2以上の自然数)個の光変調器131〜13Mとを有している。
N個の発光素子111〜11Nは、半導体レーザーや高輝度LED(Light Emitting Diode)などからなり、ビーム光を各々出射する。N個の発光素子111〜11Nは、たとえば、N個のドライバ回路に個々に接続されており、これらN個のドライバ回路は、1個の制御回路に接続されている(図示せず)。
N×M分岐器120は、N個の入力ポート141〜14NおよびM個の出力ポート151〜15Mを有している。このN×M分岐器120は、N個の発光素子111〜11Nの1個から、N個の入力ポート141〜14Nの1個に入射するビーム光を、M個に等分に分岐させてM個の出力ポート151〜15Mから並列に出射する。
M個の光変調器131〜13Mは、M個の出力ポート151〜15Mから個々に入射するビーム光を各々変調する。
上述のような構成において、本実施の形態の光送信器100では、たとえば、制御回路がN個のドライバ回路の1個だけを選択的に制御する。このため、この1個のドライバ回路に接続されているN個の発光素子111〜11Nの1個だけが選択的に通常駆動され、その1個以外の残余の発光素子111〜11Nは予備として停止される。
そこで、たとえば、上述のように駆動される1個として第1の発光素子111が出射する1個のビーム光が、N×M分岐器120の第1の入力ポート141に入射される。この第1の入力ポート141に入射されたビーム光は、M個に等分に分岐されてM個の出力ポート151〜15Mから並列に出射される。
このように等分に並列に出射されるM個のビーム光が、M個の光変調器131〜13Mで個々に変調される。このため、本実施の形態の光送信器100は、M個のビーム光からなる光変調信号を並列に出力することができる。
たとえば、上述のように通常駆動されている第1の発光素子111に動作不良が発生した場合、その発光素子111を停止させるとともに、停止されていた第2の発光素子112を駆動させることにより、変調されたM個のビーム光の出射を維持することができる。
上述のような発光素子111〜11Nの切り換えは、発光素子111〜11Nの個数に対応した(N−1)回まで実行できるので、本実施の形態の光送信器100は、特許文献1の光送信器に比較して、使用不能となる確率を、さらにM分の1とすることができる。
このため、本実施の形態の光送信器100は、高い冗長性を実現することができる。
つぎに、本発明の第2の実施形態に関して図2ないし図12を参照して以下に説明する。なお、図2は、本実施の形態の光通信装置の回路構造を示す模式的なブロック図、図3は、光通信装置の光送信器の回路構造を示す模式的なブロック図、図4は、光送信器である光素子装置の構造を示す模式的な回路図である。
図5は、光送信器のN×M分岐器を形成している2×2分岐器である方向性結合器型の3dBカプラの構造を示す模式的な回路図、図6は、方向性結合器型の3dBカプラの回路構造を示す模式的な平面図、図7は、方向性結合器型の3dBカプラの内部構造を示す。図7の(a)は図6のa−a′断面図、図7の(b)はb−b′断面図である。
図8は、光送信器のMZI光変調器の構造を示す模式的な回路図、図9は、MZI光変調器の回路構造を示す模式的な平面図、図10は、MZI光変調器の内部構造を示す、図10の(a)は図9のa−a′断面図、図10の(b)は図9のb−b′断面図である。
図11は、光送信器の発光素子である第1の半導体レーザーおよび第2の半導体レーザーの波長およびスペクトル強度の関係を示す特性図、図12は、第1の半導体レーザーおよび第2の半導体レーザーの出力の経時変化を示す特性図である。
本発明の第2の実施形態の光通信装置10は、図2に示すように、光送信器でもある光送信装置500と、光導波路アレイ300と、光受信器アレイ400と、を有しており、光送信装置500は、図4に示すように、光送信器200を有している。
本発明の第2の実施形態の光送信器200は、図2ないし図4に示すように、レーザーアレイ210と、N×M分岐器である8×8分岐器220と、変調器アレイ230とを有している。
本発明の第2の実施形態の光送信器200では、レーザーアレイ210は、N=8個の発光素子である半導体レーザー211〜218からなり、これら8個の半導体レーザー211〜218は、ビーム光としてレーザー光を各々出射する。
8×8分岐器220は、図4および図7に示すように、12個の方向性結合器型の3dBカプラ260で形成されており、図3および図4に示すように、これら12個の3dBカプラ260が4×3にマトリクス接続されている。
これらの3dBカプラ260は、図5に示すように、2個の入力ポート261,262の1個に入射されるビーム光を等分に分岐させて2個の出力ポート263,264から出射する。
このような光カプラ260は、たとえば、図6および図7に示すように、Si(シリコン)基板26a上に順番に積層されているSiO下クラッド層26bとSiO上クラッド層26c、SiO下クラッド層26b上に形成されてSiO上クラッド層26cで封止されているSi光導波路26dからなる。
8×8分岐器220は、図3および図4に示すように、上述のような3dBカプラ260が4×3にマトリクス接続されているので、N=8個の入力ポート241〜248およびM=8個の出力ポート251〜258を有している。
このため、8×8分岐器220は、8個の半導体レーザー211〜218から8個の入力ポート241〜248に個々に入射するビーム光を、8個に等分に分岐して8個の出力ポート251〜258から並列に出射する。
変調器アレイ230は、M=8個のMZI(Mach‐Zehnder interferometer)型の光変調器231〜238からなる。これら8個の光変調器231〜238は、8×8分岐器220の8個の出力ポート251〜258から個々に入射するビーム光を各々変調する。
このような光変調器231〜238は、たとえば、図4および図8ないし図10に示すように、Si基板23a、SiO下クラッド層23b、SiO上クラッド層23c、Si光導波路23d、p Si23e、n Si23f、電極23gからなる。
一般に、N×M分岐器は、N≦MかつM=2(nは自然数)の場合、2n−1×n個の3dBカプラ260をマトリクス接続した構造、または、その一部で実現することができる。以下、本実施の形態の光送信器200を一部とする光送信器である光送信装置500をより詳細に説明する。
本発明の第2の実施形態の光送信装置500は、図4に示すように、監視部である検出器アレイ290を有しており、この検出器アレイ290は8個の光検出器であるゲルマニウム受光器291〜298からなる。
これら8個のゲルマニウム受光器291〜298は、8個の半導体レーザー211〜218と8×8分岐器220の入力ポート241〜248とを光接続している8本の光導波路に個々に光接続されている。
これら8個のゲルマニウム受光器291〜298は、半導体レーザー211〜218から8×8分岐器220の8個の入力ポート241〜248まで出射されるビーム光を個々に検出する。
また、第2の実施形態の光送信装置500では、駆動部であるドライバアレイ510を有しており、このドライバアレイ510が、8個の半導体レーザー211〜218を選択的に駆動する。
このドライバアレイ510は、8個のドライバ回路511〜518を有しており、これら8個のドライバ回路511〜518の各々が8個の半導体レーザー211〜218に個々に接続されている。これらドライバ回路511〜518は、1個の制御回路520に接続されており、この1個の制御回路520に、8個のゲルマニウム受光器291〜298が接続されている。
これら8個のゲルマニウム受光器291〜298の検出結果に対応して1個の制御回路520がドライバ回路511〜518の1個を選択的に駆動することにより、8個の半導体レーザー211〜218の1個が選択的にビーム光を出射する。
なお、第2の実施形態の光送信装置500の半導体レーザー211〜218は、たとえば、図11に示すように、通常駆動される第aの半導体レーザー21aの中心波長がλ1で波長スペクトルの半値全幅がw1、通常停止されている第(a+1)の半導体レーザー21(a+1)の中心波長がλ2で波長スペクトルの半値全幅がw2とされている。
そして、第aの半導体レーザー21aと第(a+1)の半導体レーザー21(a+1)とは、
|λ1−λ2|≧(w1+w2)/2
を満足している。
また、第2の実施形態の光送信装置500では、図12に示すように、通常駆動される第aの半導体レーザー21aのビーム光の出力下限がP1で通常出力がP2と規定されている。
そして、制御回路520は、通常駆動させている第aの半導体レーザー21aのビーム光の出力がP2からP1まで低下することが検出されると、通常駆動させている第aの半導体レーザー21aの出力を0まで経時的に低下させるとともに、停止させていた予備の第(a+1)の半導体レーザー21(a+1)の出力を0からP2まで経時的に上昇させる。
上述のような光送信装置500には、図2に示すように、光導波路アレイ300の8本の光導波路301〜308が光接続されており、この8本の光導波路301〜308が、光受信器アレイ400の8個の光受信器401〜408に光接続されている。
なお、第2の実施形態の光送信器200は、上述のような8個の半導体レーザー211〜218と、12個の3dBカプラ260と、8個の光変調器231〜238と、8個のゲルマニウム受光器291〜298とが、1個の半導体基板であるシリコン基板201上に集積されている。その8個の半導体レーザー211〜218は、図4に示すように、個別に分割されて配置されている。
また、第2の実施形態の光送信装置500では、8個のドライバ回路511〜518と1個の制御回路520とが、光送信器200の1個の半導体基板であるシリコン基板201上に集積されていてもよく、別個の半導体基板であるシリコン基板(図示せず)に形成されていてもよい。
上述のような構成において、本発明における第2の実施形態の光送信器200は、第1の形態として前述した光送信器100と同様に機能する。そして、この光送信器200を一部とする光送信器である光送信装置500では、制御回路520は、8個のドライバ回路511〜518の1個である第1のドライバ回路511を通常駆動させるとともに、残余の予備の7個のドライバ回路512〜518を通常停止させておく。
このため、第1のドライバ回路511で通常駆動される第1の半導体レーザー211の1個が出射する1個のビーム光が8×8分岐器220で8個に並列に分岐されて8個の光変調器231〜238で個々に変調される。そして、この光送信装置500から並列に出射される8個の光変調信号は、8本の光導波路301で並列に導波され、8個の光受信器401〜408で個々に受光される。
このとき、第1の半導体レーザー211から8×8分岐器220の第1の入力ポート241まで出射されるビーム光が第1のゲルマニウム受光器291で検出されており、この第1のゲルマニウム受光器291の検出結果を制御回路520が常時監視している。
そして、前述のように第2の実施形態の光送信装置500では、図12に示すように、通常駆動される第aの半導体レーザー21aのビーム光の出力下限がP1で通常出力がP2と規定されている。
そして、上述のように第1の半導体レーザー211の出力が第1のゲルマニウム受光器291によりP2からP1まで低下することが検出されると、制御回路520は、通常駆動させている第1の半導体レーザー211の出力を0まで経時的に低下させるとともに、停止させていた予備の第2の半導体レーザー212の出力を0からP2まで経時的に上昇させる。
この場合、図11に示すように、通常駆動される第1の半導体レーザー211の中心波長がλ1で波長スペクトルの半値全幅がw1、通常停止されている第2の半導体レーザー212の中心波長がλ2で波長スペクトルの半値全幅がw2、であり、
|λ1−λ2|≧(w1+w2)/2
を満足しているので、上述のような経時的な半導体レーザー211,212の切り換え時に干渉などの問題が発生しない。
なお、上述のように第2の半導体レーザー212が通常駆動される状態となると、その出力が第2のゲルマニウム受光器292で常時検出されて制御回路520で監視され、第3の半導体レーザー213が予備とされる。
上述のような8個の半導体レーザー211〜218の切り換えは、半導体レーザー211〜218の個数に対応した7回まで実行できるので、第2の実施形態の光送信装置500は、特許文献1の光送信器に比較して、使用不能となる確率を、さらに8分の1とすることができる。このため、本実施の形態の光送信器200は、高い冗長性を実現することができる。
また、第2の実施形態の光送信器200では、8個の半導体レーザー211〜218と、12個の3dBカプラ260と、8個の光変調器231〜238と、8個のゲルマニウム受光器291〜298とが、1個の半導体基板であるシリコン基板201上に集積されている。
このため、8個の半導体レーザー211〜218と、12個の3dBカプラ260と、8個の光変調器231〜238と、8個のゲルマニウム受光器291〜298とを、確実に光接続することができ、その生産性および実装密度を向上させることができる。
さらには、第2の実施形態の光送信器200では、8個の半導体レーザー211〜218が個別に分離されて配置されている。このため、8個の半導体レーザー211〜218にクロストークなどが発生することがない。
また、第2の実施形態の光送信器200では、半導体レーザー211〜218から8×8分岐器220の8個の入力ポート241〜248まで出射されるビーム光を、8個のゲルマニウム受光器291〜298で個々に検出する。
このため、半導体レーザー211〜218から8×8分岐器220の8個の入力ポート241〜248まで出射されるビーム光を、8個のゲルマニウム受光器291〜298で個々に直接的に検出することができる。
なお、本発明は第2の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許容する。たとえば、上記形態では光送信装置500の光送信器200のN×M分岐器である8×8分岐器220が、4×3にマトリクス接続された2×2の3dBカプラ260からなり、8個の半導体レーザー211〜218と8個の光変調器231〜238とが、12個の3dBカプラ260からなる1個の8×8分岐器220で光接続されていることを例示した。
しかしながら、図13Aに例示する光送信器600のように、2個の半導体レーザー211,212と2個の光変調器231,232とが、1個の3dBカプラ260からなる1個の光変調器601で光接続されていてもよい。
また、図13Bに例示する光送信器610のように、4個の半導体レーザー211〜214と4個の光変調器231〜234とが、4個の3dBカプラ260からなる1個の4×4光変調器611で光接続されていてもよい。
つぎに、本発明の第3の実施形態の光送信器である光通信装置を図14を参照して以下に説明する。なお、図14は、本実施の形態の光送信器の構造を示す模式的な回路図である。
本発明の第3の実施形態の光送信器700では、レーザーアレイ710の半導体レーザー711〜718が、8×8分岐器220へのビーム光の出射口と逆側に、漏出光が漏出する漏出口を有している。
そこで、検出器アレイ290の8個のゲルマニウム受光器291〜298は、8個の半導体レーザー711〜718の漏出口に個々に接続されており、8個の半導体レーザー711〜718の漏出口から個々に漏出する漏出光の出力からビーム光の出力を検出する。
なお、第3の実施形態の光送信器700でも、上述のような8個の半導体レーザー711〜718と、12個の3dBカプラ260と、8個の光変調器231〜238と、8個のゲルマニウム受光器291〜298とが、1個の半導体基板であるシリコン基板201上に集積されている。
上述のような構成において、第3の実施形態の光送信器700では、前述した光送信器200とは相違して、検出器アレイ290の8個のゲルマニウム受光器291〜298は、8個の半導体レーザー711〜718の漏出口から個々に漏出する漏出光の出力からビーム光の出力を検出する。
このため、半導体レーザー711〜718から8×8分岐器220まで導波されるビーム光を分岐させてゲルマニウム受光器291〜298に検出させる必要がなく、半導体レーザー711〜718から8×8分岐器220まで導波されるビーム光の出力低下を防止することができる。
さらには、8個の半導体レーザー711〜718と8×8分岐器220の8個の入力ポート241〜248とを光接続する光導波路の間隙に、8個のゲルマニウム受光器291〜298を形成する必要がない。このため、8個の半導体レーザー711〜718の間隔を最小として実装密度を向上させることができる。
とくに、第3の実施形態の光送信器700では、8個の半導体レーザー711〜718が一体成形されている。このため、8個の半導体レーザー711〜718の実装密度を容易に向上させることができ、その生産性を向上させることができる。
つぎに、本発明の第4の実施形態の光送信器について図15を参照して以下に説明する。なお、図15は、本実施の形態の光送信器である光送信装置の構造を示す模式的な回路図である。
第4の実施形態の光送信器でもある光送信装置530は、図示するように、光送信器720を有している。本実施の形態の光送信器720のレーザーアレイ210は、N=8個の発光素子である半導体レーザー211〜218からなり、変調器アレイ230は、M=8個のMZI型の光変調器231〜238からなる。
ただし、8個の半導体レーザー211〜218は、奇数番目と偶数番目との4個ずつの2個のグループに区分されている。このため、N×M分岐器531は、一段の4個の3dBカプラ260で形成されている。
第1グループの4個の半導体レーザー211,213,215,217の各々は、第1から第4の3dBカプラ260の第1の入力ポート261に個々に接続されており、第2グループの半導体レーザー212,214,216,218の各々は、第1から第4の3dBカプラ260の第2の入力ポート262に個々に接続されている。
また、8個の半導体レーザー211〜218には、奇数番目と偶数番目との4個ずつの2個のグループごとに、駆動部であるドライバアレイ510の、2個のドライバ回路511,512が個々に接続されている。
なお、第4の実施形態の光送信装置530の半導体レーザー211〜218は、たとえば、図11に示すように、通常駆動される第1グループの半導体レーザー211,213,215,217の中心波長がλ1で波長スペクトルの半値全幅がw1、通常停止されている第2グループの半導体レーザー212,214,216,218の中心波長がλ2で波長スペクトルの半値全幅がw2とされている。
そして、第1グループの半導体レーザー211,213,215,217および第2グループの半導体レーザー212,214,216,218は、
|λ1−λ2|≧(w1+w2)/2
を満足している。
また、第4の実施形態の光送信装置530では、図12に示すように、通常駆動される第1グループの半導体レーザー21aのビーム光の出力下限がP1で通常出力がP2と規定されている。
そして、制御回路520は、通常駆動させている第1グループの半導体レーザー21aのビーム光の出力がP2からP1まで低下することが検出されると、通常駆動させている第1グループの半導体レーザー21aの出力を0まで経時的に低下させるとともに、停止させていた予備の第2グループの半導体レーザー212,214,216,218の出力を0からP2まで経時的に上昇させる。
上述のような構成において、第4の実施形態の光送信器720は、第2の形態として前述した光送信器200などと同様に機能する。そして、この光送信器720を一部とする光送信器である光送信装置530では、制御回路520は、2個のドライバ回路511,512の1個である第1のドライバ回路511を通常駆動させるとともに、残余の予備の1個の第2のドライバ回路512を通常停止させておく。
このため、第1のドライバ回路511で通常駆動される第1グループの半導体レーザー211,213,215,217が並列に出射する4個のビーム光がN×M分岐器531で8個に並列に分岐されて8個の光変調器231〜238で個々に変調される。
そして、第4の実施形態の光送信装置530でも、図12に示すように、第1グループの半導体レーザー211,213,215,217の何れかの出力がP2からP1まで低下することが検出されると、制御回路520は、通常駆動させている第1グループの半導体レーザー211,213,215,217の出力を0まで経時的に低下させるとともに、停止させていた予備の第2グループの半導体レーザー212,214,216,218の出力を0からP2まで経時的に上昇させる。
この場合、図11に示すように、通常駆動される第1グループの半導体レーザー211,213,215,217の中心波長がλ1で波長スペクトルの半値全幅がw1、通常停止されている第2グループの半導体レーザー212,214,216,218の中心波長がλ2で波長スペクトルの半値全幅がw2、であり、
|λ1−λ2|≧(w1+w2)/2
を満足しているので、上述のような第1グループの半導体レーザー211,213,215,217および第2グループの半導体レーザー212,214,216,218の経時的な切り換え時に干渉などの問題が発生しない。
このため、第4の実施形態の光送信装置530では、上述のような第1グループの半導体レーザー211,213,215,217および第2グループの半導体レーザー212,214,216,218の切り換えは、そのグループの個数に対応した2回まで実行できる。
したがって、第4の実施形態の光送信装置530および光送信器720は、特許文献1の光送信器に比較して、使用不能となる確率を、さらに2分の1とすることができ、高い冗長性を実現することができる。
本実施の形態の光送信装置530では、上述のように8個の光変調信号を出力するが、その8個の半導体レーザー211〜218を駆動するドライバ回路511,512は2個でよい。このため、その生産性および実装密度を向上させることができる。
つぎに、本発明の第5の実施形態の光送信器である光素子装置を図16および図17を参照して以下に説明する。なお、図16は、本実施の形態の光送信器である光素子装置の構造を示す模式的な回路図、図17は、本実施の形態の光素子装置の発光素子であるレーザーアレイの回路構造を示す。図17の(a)は模式的な平面図、図17の(b)は図17の(a)のa−a′断面図である。
第5の実施形態の光送信器でもある光送信装置540は、図示するように、光送信器730を有している。本実施の形態の光送信器730のレーザーアレイ740は、N=8個の発光素子である半導体レーザー741〜748からなる。
ただし、8個の半導体レーザー741〜748は、第1から第4および第5から第8の、4個ずつの2個のグループに区分されている。このため、この2個のグループごとに、第1から第4の半導体レーザー741〜744は一体成形されており、第5から第8の半導体レーザー745〜748も一体成形されている。
このような半導体レーザー741〜748は、図17に示すように、Si基板74a、電極(Si基板上)74b、ハンダバンプ74c、電極(レーザー下部)74d、Si台座74e、レーザー活性領域74f、電極(レーザー上部)74gなどからなる。
第1から第4の半導体レーザー741〜744は、一体成形されているので電極(Si基板上)74bを共用しており、第5から第8の半導体レーザー745〜748も、一体成形されているので電極(Si基板上)74bを共用している。
さらには、このような半導体レーザー741〜748と光接続されている光導波路74hは、Si基板74a上のSiO下クラッド層74iおよびSiO上クラッド層74jの間に形成されている。
そこで、第5の実施形態の光送信器730のN×M分岐器531は、前述した光送信器540と同様に、4個の3dBカプラ260で形成されている。ただし、第1グループの第1から第4の半導体レーザー741〜744の各々は、第1から第4の3dBカプラ260の第1の入力ポート261に個々に光接続されており、第2グループの第5から第8の半導体レーザー745〜748の各々は、第1から第4の3dBカプラ260の第2の入力ポート262に個々に光接続されている。
また、第1から第4の半導体レーザー741〜744および第5から第8の半導体レーザー745〜748は、1個の切換スイッチ541を経由して1個の駆動部であるドライバ回路511に選択的に接続されており、その切換スイッチ541に制御回路520が接続されている。
上述のような構成において、第5の実施形態の光送信装置540は、前述した第4の実施形態光送信装置530などと同様に機能する。そして、この光送信装置540では、1個のドライバ回路器511は常時駆動されており、制御回路520は、切換スイッチ541によりドライバ回路511を第1グループの半導体レーザー741〜714に通常接続している。
そこで、この第1グループの半導体レーザー741〜714が並列に出射する4個のビーム光がN×M分岐器531で8個に並列に分岐されて8個の光変調器231〜238で個々に変調される。
このため、第5の実施形態の光送信装置540では、上述のような第1グループおよび第2グループの半導体レーザー741〜744,745〜748の切り換えは、そのグループの個数に対応した2回まで実行できる。
したがって、第5の実施形態の光送信装置540および光送信器730は、特許文献1の光送信器に比較して、使用不能となる確率を、さらに2分の1とすることができるので、高い冗長性を実現することができる。
第5の実施形態の光送信装置540では、上述のように8個の光変調信号を出力するが、その8個の半導体レーザー741〜748が、2個のグループごとに4個ずつ一体成形されている。このため、その生産性および実装密度を向上させることができる。
つぎに、本発明の第6の実施形態の光送信器である光素子装置を図18および図19を参照して以下に説明する。なお、図18は、第6の実施形態の光送信器である光素子装置の構造を示す模式的な回路図、図19の(a)と(b)は、第6の実施形態の光素子装置の発光素子であるレーザーアレイの回路構造を示す、図19の(a)は模式的な平面図、図19の(b)は図19の(a)におけるa−a′断面図である。
第6の実施形態の光送信器でもある光送信装置550は、図示するように、光送信器750を有している。第6の実施形態の光送信器750のレーザーアレイ760は、N=8個の発光素子である半導体レーザー761〜768からなる。
ただし、これら8個の半導体レーザー761〜768は、奇数番目と偶数番目との4個ずつの2個のグループに区分されている。ただし、8個の半導体レーザー761〜768は一体成形されており、第1および第2の共通電極771,772の接続により、第1グループおよび第2グループに区分されている。
このような半導体レーザー761〜768は、図19(b)に示すように、Si基板76a、電極(Si基板上)76b、ハンダバンプ76c、電極(レーザー下部)76d、Si台座76e、レーザー活性領域76f、電極(レーザー上部)76gなどからなる。
たとえば、第2グループの半導体レーザー762,764,766,768は、第2の共通電極772と電極(レーザー上部)76gとが、絶縁層76kに形成されているコンタクトホール76lで電気接続されている。
このため、8個の半導体レーザー761〜768は一体成形されているが、第1および第2の共通電極771,772とコンタクトホール761で電気接続されていることにより、奇数番目と偶数番目との4個ずつの2個のグループに区分されている。
さらには、このような半導体レーザー761〜768と光接続されている光導波路76hは、Si基板76a上のSiO下クラッド層76iおよびSiO上クラッド層76jの間に形成されている。
N×M分岐器531は、4個の3dBカプラ260で形成されており、第1グループの4個の半導体レーザー761,763,765,767の各々は、第1から第4の3dBカプラ260の第1の入力ポート261に個々に接続されており、第2グループの半導体レーザー762,764,766,768の各々は、第1から第4の3dBカプラ260の第2の入力ポート262に個々に接続されている。
また、8個の半導体レーザー761〜768には、奇数番目と偶数番目との4個ずつの2個のグループごとに、駆動部であるドライバアレイ510の、2個のドライバ回路511,512が個々に接続されている。
上述のような構成において、第6の実施形態の光送信器750は、第2の実施形態として前述した光送信器200などと同様に機能する。そして、この光送信器750を一部とする光送信器である光送信装置550では、制御回路520は、2個のドライバ回路511,512の1個である第1のドライバ回路511を通常駆動させるとともに、残余の予備の1個の第2のドライバ回路512を通常停止させておく。
このため、第1のドライバ回路511で通常駆動される第1グループの半導体レーザー761,763,765,767が並列に出射する4個のビーム光がN×M分岐器531で8個に並列に分岐されて8個の光変調器231〜238で個々に変調される。
そして、第6の実施形態の光送信装置550でも、第1グループの半導体レーザー761,763,765,767の何れかの出力低下が検出されると、制御回路520は、通常駆動させている第1グループの半導体レーザー761,763,765,767を停止させるとともに、停止させていた予備の第2グループの半導体レーザー762,764,766,768の駆動を開始する。
このため、第6の実施形態の光送信装置550では、上述のような第1グループの半導体レーザー761,763,765,767および第2グループの半導体レーザー762,764,766,768の切り換えは、そのグループの個数に対応した2回まで実行できる。
したがって、第6の実施形態の光送信装置550および光送信器750は、特許文献1の光送信器に比較して、使用不能となる確率を、さらに2分の1とすることができるので、高い冗長性を実現することができる。
第6の実施形態の光送信装置550では、上述のように8個の光変調信号を出力するが、その8個の半導体レーザー761〜768が一体成形されている。このため、その生産性および実装密度を向上させることができる。
なお、本発明は上記した第1〜6の実施形態および変形例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許容する。たとえば、第2の実施形態の光送信器200,600などでは、N=M=2(nは自然数)を満足していることを例示した。
さらに、第2の実施形態の変形例として、図20に例示する光送信器790では、レーザーアレイ791がN個ではない3個の発光素子である半導体レーザー711〜713からなる。そこで、N×M分岐器である3×8分岐器792は、第1段目の2個と第2段目の2個と第3段目の4個と3dBカプラ260で形成されている。
このため、第1段目の第2の3dBカプラ260の第2の入力ポート262には、半導体レーザー711は接続されていない。このような光送信器790でも、第2の実施形態の光送信器200などと同様に機能する。
そして、この光送信器790では、特許文献1の光送信器に比較して、使用不能となる確率を、さらに3分の1とすることができる。したがって、この光送信器790は、特許文献1の光送信器に比較して、使用不能となる確率を、さらに2分の1とすることができるので、高い冗長性を実現することができる。
また、第2の実施形態の光送信器200などでは、2×2分岐器が方向性結合器型の3dBカプラ260で形成されていることを例示した。さらに第2の実施形態の変形例として、図21ないし図23に示すように、2×2分岐器がマルチモード干渉結合型の3dBカプラ780で形成されていてもよい。
このような3dBカプラ780は、たとえば、図23に示すように、Si基板78a、SiO下クラッド層78b、Siスラブ光導波路78cからなる。
さらには、第2の実施形態の光送信器200などでは、N×M分岐器が複数の3dBカプラ260で形成されていることを例示した。さらに、第2の実施形態の変形例として、図24に示すように、N×M分岐器がN×Mスターカプラ810で形成されていてもよい。
また、第2の実施形態の光送信器200などでは、光変調器231〜238がMZI型に形成されていることを例示した。さらに、第2の実施形態の変形例として、図25ないし図27に示すように、光変調器820が、光導波路が一本のリング型に形成されてもよい。
このようなリング型の光変調器820は、たとえば、第2の実施形態の変形例として、図26および図27に示すように、Si基板82a、SiO下クラッド層82b、n Si部82c、p Si部82d、Si光導波路82e、電極82f、SiO上クラッド層82gからなる。
一般に、N×M分岐器は、N≦MかつM=2(nは自然数)の場合、2n−1×n個の3dBカプラ260をマトリクス接続した構造、または、その一部で実現することができる。
同様に、第2の実施形態の変形例として、光変調器が、図28に示すように、光導波路が2本のリング型の光変調器830に形成されていてもよく、図29に示すように、電界吸収型の光変調器840に形成されていてもよい。
さらには、第2の実施形態の光送信装置500などでは、図11および図12に示したように、通常駆動される第aの半導体レーザー21aと通常停止されている第(a+1)の半導体レーザー21(a+1)とは、
|λ1−λ2|≧(w1+w2)/2
を満足しており、通常駆動させている第aの半導体レーザー21aのビーム光の出力がP2からP1まで低下することが検出されると、通常駆動させている第aの半導体レーザー21aの出力を0まで経時的に低下させるとともに、停止させていた予備の第(a+1)の半導体レーザー21(a+1)の出力を0からP2まで経時的に上昇させることを例示した。
しかしながら、第2の実施形態の変形例として、通常駆動されている第aの半導体レーザー21aの出力低下が検出器アレイ290で検出されると、図30に示すように、出力低下が検出された第aの半導体レーザー21aと3×8分岐器792の出力ポートを共有していて停止されていた、予備の第(a+1)の半導体レーザー21(a+1)の駆動を制御し、共有されている出力ポートから出射されるビーム光の出力を一定に補完してもよい。
その場合、通常駆動されている第aの半導体レーザー21aのビーム光の出力下限がP1で通常出力がP2であり、通常駆動させている第aの半導体レーザー21aのビーム光の出力がP2からP1まで低下することが検出されると、停止させていた予備の第(a+1)の半導体レーザー21(a+1)の出力を制御して、共有されている出力ポートから出射されるビーム光の合計の出力をP2とする。
また、上記形態の光送信器200などでは、複数の半導体レーザー211〜218と、複数の3dBカプラ260と、複数の光変調器231〜238とが、1個の半導体基板であるシリコン基板201上に集積されていることを例示した。しかしながら、その半導体レーザー211〜218が交換自在に形成されていてもよい(図示せず)。
本願は、2012年7月30日に、日本に出願された特願2012−168219号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
本発明によれば、高い冗長性を実現することができる光送信器を提供することが適用できる。
10 光通信装置
100 光送信器
111〜11N 発光素子
120 N×M分岐器
131〜13M 光変調器
141〜14N 入力ポート
151〜15M 出力ポート
200 光送信器
201 半導体基板であるシリコン基板
211〜218 発光素子である半導体レーザー
220 N×M分岐器である8×8分岐器
231〜238 光変調器
241〜248 入力ポート
251〜258 出力ポート
260 2×2分岐器である3dBカプラ
290 監視部である検出器アレイ
291〜298 光検出器
301〜308 光導波路
401〜408 光受信器
500 光送信器である光送信装置
510 駆動部であるドライバアレイ
511〜518 ドライバ回路
520 制御部である制御回路
530 光送信器である光送信装置
531 N×M分岐器
540 光送信器である光送信装置
550 光送信器である光送信装置
600 光送信器
601 N×M分岐器である2×2分岐器
610 光送信器
611 N×M分岐器である4×4分岐器
720 光送信器
730 光送信器
741〜748 発光素子である半導体レーザー
750 光送信器
761〜768 発光素子である半導体レーザー
790 光送信器
792 N×M分岐器である3×8分岐器
800 2×2分岐器である3dBカプラ
810 N×M分岐器であるN×Mスターカプラ
820 光変調器
830 光変調器
840 光変調器

Claims (10)

  1. 光を出射する少なくともN(Nは2以上の自然数)個の発光素子と、
    前記発光素子が出射する光が入射する入力ポートおよび前記入力ポートに入射した光を少なくとも2個に分岐させて出射する出力ポートを有する分岐器と、
    前記出力ポートから出射される光を個々に変調する光変調器と、
    N個の前記発光素子を選択的に駆動する駆動部と、
    N個の前記発光素子の動作不良の有無を個々に監視する監視部と、
    を有し
    前記分岐器は、N個の前記発光素子の一部からN個の前記入力ポートの一部に個々に入射する光を分岐させてM(Mは2以上の自然数)個の前記出力ポートから並列に出射するN×M分岐器からなり、
    前記光変調器は、M個あり、M個の前記出力ポートから個々に入射する光を各々変調し、
    さらに、
    前記駆動部でN個の前記発光素子の一部を通常駆動させるとともに残余の予備の前記発光素子を通常停止させておき、
    前記駆動部で通常駆動されていて監視部で出力低下が検出された前記発光素子の駆動を停止させ、
    出力低下で停止された前記発光素子と前記N×M分岐器の前記出力ポートを共有していて停止されていた予備の前記発光素子の少なくとも一部の駆動を開始させる制御部を有し、
    通常駆動されている前記発光素子の中心波長がλ1で波長スペクトルの半値全幅がw1、
    通常停止されている前記発光素子の中心波長がλ2で波長スペクトルの半値全幅がw2、とすると、
    |λ1−λ2|≧(w1+w2)/2
    を満足しており、
    通常駆動されている前記発光素子の光の出力下限がP1で通常出力がP2であり、
    前記制御部は、通常駆動させている前記発光素子の光の出力がP2からP1まで低下することが検出されると、通常駆動させている前記発光素子の出力を0まで経時的に低下させるとともに、停止させていた予備の前記発光素子の出力を0からP2まで経時的に上昇させる、光送信器。
  2. 前記駆動部は、N個の前記発光素子を個々に駆動する請求項1に記載の光送信器。
  3. 前記駆動部は、N個の前記発光素子をL(Lは2以上でN以下の自然数)個のグループに区分して個別に駆動する請求項1に記載の光送信器。
  4. 前記監視部は、N個の前記発光素子の動作不良の有無をL個の前記グループごとに監視する請求項3に記載の光送信器。
  5. 前記監視部は、前記発光素子から前記N×M分岐器の前記入力ポートまで導波する光を検出する光検出器を有している請求項1ないし4の何れか一項に記載の光送信器。
  6. 前記発光素子は、前記N×M分岐器への光の出射口と逆側に漏出光が漏出する漏出口を有している半導体レーザーからなり、
    前記監視部は、前記発光素子の漏出口から漏出する前記漏出光の出力から光の出力を検出する光検出器を有している請求項1ないし4の何れか一項に記載の光送信器。
  7. 前記N×M分岐器は、少なくとも1個の2×2分岐器で形成されている請求項1ないし6の何れか一項に記載の光送信器。
  8. 前記N×M分岐器は、マトリクス接続されている複数の前記2×2分岐器で形成されている請求項7に記載の光送信器。
  9. N個の前記発光素子および前記N×M分岐器およびM個の前記光変調器が1個の半導体基板上に集積されている請求項1ないし8の何れか一項に記載の光送信器。
  10. 請求項1ないし9の何れか一項に記載の光送信器と、
    前記光送信器のM個の前記光変調器から個々に出射される光を並列に導波するM本の光導波路と、
    M本の前記光導波路からM個の光を並列に受光する光受信器と、
    を有している光通信装置。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10411812B1 (en) * 2013-03-15 2019-09-10 Forrest Rose Optical interconnect computing module tolerant to changes in position and orientation
US20160204868A1 (en) * 2015-01-13 2016-07-14 Huawei Technologies Co., Ltd. Summation of Parallel Modulated Signals of Different Wavelengths
US9692511B1 (en) * 2016-03-28 2017-06-27 Mellanox Technologies, Ltd. Redundant and reconfigurable optical transceiver
WO2018185562A2 (en) * 2017-04-06 2018-10-11 Rockley Photonics Limited Reliable laser light source
WO2021023872A1 (en) 2019-08-08 2021-02-11 Rockley Photonics Limited Faceplate pluggable remote laser source and system incorporating same
JP2021131486A (ja) * 2020-02-20 2021-09-09 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 光源が冗長化された集積化光送信器
US11630334B2 (en) * 2020-09-24 2023-04-18 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Optical coupler
CN112289884A (zh) * 2020-11-11 2021-01-29 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种激光冗余的光电集成电路
US20230412265A1 (en) * 2022-06-14 2023-12-21 Mellanox Technologies, Ltd. Transceiver module

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4787693A (en) * 1987-11-02 1988-11-29 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Passive star coupler
JP2859112B2 (ja) 1993-11-26 1999-02-17 日本電気 株式会社 発光アレーモジュール
JPH09247092A (ja) * 1996-03-07 1997-09-19 Toyo Commun Equip Co Ltd 光並列送信装置
JPH1065649A (ja) * 1996-08-26 1998-03-06 Nec Corp 波長多重光送信装置
JP3042605B2 (ja) * 1997-02-14 2000-05-15 日本電気株式会社 光送信器
JP3481442B2 (ja) * 1997-12-22 2003-12-22 日本電気株式会社 光ネットワーク
US7127168B2 (en) * 2001-06-13 2006-10-24 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Multi-wavelength optical modulation circuit and wavelength-division multiplexed optical signal transmitter
JP3835592B2 (ja) * 2001-06-13 2006-10-18 日本電信電話株式会社 光波長多重送信器
JP4569761B2 (ja) * 2005-03-08 2010-10-27 日本電気株式会社 光送信器、光伝送システム、および光中継器
JP4653167B2 (ja) * 2005-06-30 2011-03-16 富士通株式会社 光通信装置および光モジュール
JP2007256716A (ja) 2006-03-24 2007-10-04 Hitachi Ltd 光送信器
KR100866184B1 (ko) * 2007-01-29 2008-10-30 삼성전자주식회사 파장 분할 병렬 가시광 통신에서 가시광 색상 불균형 보정방법 및 장치
CN101813808A (zh) * 2009-02-25 2010-08-25 中国科学院半导体研究所 可扩展和重构的二维自由空间光学互连系统

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