JP6296467B2 - 波長変換装置の製造方法 - Google Patents
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Description
複数の波長変換モジュールを得るステップと、
上記複数の波長変換モジュールを一つの底板の一方の側の表面に装着固定するステップとを含む波長変換装置の製造方法を提供し、
各上記波長変換モジュールは順に一体に積層されたセラミックス基板、反射層及び蛍光体層を含む。
上記セラミックス基板に、上記乱反射スラリーを塗装し、焼結し、乱反射層を形成するステップと、
上記乱反射層に上記蛍光体スラリーを塗装し、焼結し、蛍光体層を形成するステップとを含み、ここで、上記乱反射スラリーの第1のガラス粉の軟化点温度は、上記蛍光体スラリーの第2のガラス粉の軟化点温度より高い。
一つの基板に上記蛍光体スラリーを塗装し、焼結し、蛍光体層を形成するステップと、
上記蛍光体層に上記乱反射スラリーを塗装し、焼結し、乱反射層を形成するステップと、
上記基板に対し、離型を行い、一方の側の表面に蛍光体層が付着している乱反射層を取り出し、乱反射層のもう一つの面を上記セラミックス基板に接着又は焼結するステップとを含み、
ここで、上記蛍光体スラリーの第2のガラス粉の軟化点温度は上記乱反射スラリーの第1のガラス粉の軟化点温度より高い。
蛍光セラミックスブロックを得るステップと、
上記蛍光セラミックスブロックの底面に全反射誘電体膜をメッキするステップとを含む。
さらに、上記全反射誘電体膜の外表面に金属保護膜がメッキされる。
さらに、上記波長変換モジュール又は蛍光セラミックスモジュールが接着、溶接又は機械締付の方法により、上記底板に固定される。
1.セラミックス基板又は蛍光セラミックスを用い、従来の鏡面金属板を代え、セラミックス材料の融点が金属より高いため、金属よりも高い温度を耐えることができ、また、セラミックス担体と蛍光体との間の界面熱抵抗が低いため、蛍光体層の熱をセラミックス担体に伝導し、空気に放出することができ、波長変換装置の熱安定性を向上させる。なお、セラミックス担体の熱膨張係数が低く、高温下で変形しにくく、且つ蛍光体層の熱膨張係数に近く、微小変形しても、蛍光体層が付着しにくいことを招くことはない。
2.波長変換装置の製造難度を低下させ、生産期間を短縮することができる。一つのセラミックス基底に、一括で異なる蛍光体粉層のナイフ塗布を完成させる難度が高く、且つ、異なる色セグメントは、数回に分けて、ナイフ塗布、焼結する必要があり、製造期間が長く、例えば、四つの蛍光体層は順に塗装、焼結する必要があり、即ち四つの焼結期間が必要である。
本発明において、各蛍光体層は異なる波長変換モジュールに分けることができるため、寸法が小さく、一括でナイフ塗布成型しやすく、且つ、異なる色の蛍光体層はそれぞれ同時に焼結することができ、カラーホイールの製造期間が短縮され、例えば、上述した四つの蛍光体層は、本発明において、二つの焼結期間のみが必要である。
3.モジュール式の構造は融通性に富んでおり、高性能の波長変換装置の製造に有利である。反射層も、蛍光体層も全体が一つのセラミックス基底に塗装されている場合、特殊なプロセス処理(例えば、焼結、焼鈍などの熱処理)を行うとき、セラミックス基底における各機能層の性能制限を考慮する必要があり(例えば、赤色蛍光体が用いられた赤色蛍光体層は600℃以上の高温を耐えることができない)、複雑な構造の高性能のカラーホイールを設計するとき、これらの性能の制限のため、設計案をトレードオフに採用せざるを得ず、各種蛍光体又は各種製造プロセスの最適効率の発揮に不利である。
本発明において、異なる波長変換モジュールは、異なる設計が行われた蛍光体の色に必要な領域の寸法に対応し、分割することができ、異なる色の蛍光体の発光、発熱特性に応じて、異なる反射層又は熱伝導プロセス、例えばセラミックス表面の金属化、熱伝導フィラー粒子、表面の銀メッキなどを用いる。各色セグメントはそれぞれ、その最適なプロセスで製造することができ、他のセグメントの性能による影響を考慮する必要がなく、高性能のカラーホイールの設計・製造に有利である。
4.消耗品を減少させ、コストを節約することができる。本発明におけるモジュール式の波長変換装置も製品の品質管理に有利であり、従来のカラーホイールは、ある一つの蛍光体区間は品質問題が生じれば、カラーホイール全体は使用できなくなるが、本発明により提供された波長変換装置の場合、ある一つの波長変換モジュールは品質問題が生じるとき、補充として改めて一つのモジュールを別途製造することができ、品質管理のコストを低下させる。
図1及び図3を参照し、当該波長変換装置の製造方法は、まず、三つの波長変換モジュール2a、2b、2cをそれぞれ製造し、そして、三つの波長変換モジュールを一つの底板1の一方の側の表面に装着固定することである。
S1、乱反射スラリー及び蛍光体スラリーを製造するステップ、
S2、セラミックス基板に乱反射スラリーを塗装し、焼結し、乱反射層を形成するステップ、
S3、乱反射層に蛍光体スラリーを塗装し、焼結し、蛍光体層を形成して、波長変換モジュールを得るステップに分けられている。
本実施例が実施例一と相違する点は、各波長変換モジュールを得るステップが異なることであり、他の説明していない特性は実施例一を参照する。
P1、乱反射スラリー及び蛍光体スラリーを製造するステップと、
P2、一つの基板に蛍光体スラリーを塗装し、焼結し、蛍光体層を形成するステップと、
P3、蛍光体層に乱反射スラリーを塗装し、焼結し、乱反射層を形成するステップと、
P4、上記基板に対し、離型を行い、一方の側の表面に蛍光体層が付着している乱反射層を取り出し、乱反射層のもう一つの面を上記セラミックス基板に接着又は焼結し、波長変換モジュールを得るステップとを含む。
本実施例が実施例一、二と相違する点は、すべてではなく、一部の波長変換モジュールを蛍光セラミックスモジュールに代えるため、本実施において、図5に示すように、左側のフローチャートに示すように、一部の波長変換モジュールについては、上述した実施例一又は実施例二におけるステップが行われ、他の一部については、蛍光セラミックスモジュールに代えられ、右側のフローチャートに示されている。
Q1、蛍光セラミックスブロックを得るステップと、
Q2、蛍光セラミックスブロックの底面に全反射誘電体膜をメッキするステップとを含み、
さらに、ステップQ3を含むこともでき、
Q3、全反射誘電体膜の外表面に金属保護膜をメッキする。
Q4、得た一つ又は複数の蛍光セラミックスモジュールを上述した底板に固定装着し、他の波長変換モジュールと、底板における同じ側に位置するようにする。
実施例三に基づき、本実施例は、波長変換モジュール、蛍光セラミックスモジュールを有することを除き、反射モジュールも有する。
Claims (13)
- 波長変換装置の製造方法であって、
複数の波長変換モジュールを得るステップと、
前記複数の波長変換モジュールを一つの底板の一方の側の表面に装着し固定するステップとを含み、
各前記波長変換モジュールは順に一体に積層されたセラミックス基板、反射層及び蛍光体層を含み、
前記反射層は乱反射層であり、前記乱反射層は白色散乱粒子、第1のガラス粉及び有機担体が混合され形成された乱反射スラリーにより、焼成されてなることを特徴とする波長変換装置の製造方法。 - 前記蛍光体層は蛍光体、第2のガラス粉及び有機担体を含む蛍光体スラリーにより焼成されてなることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記蛍光体層はシリコーン接着剤と蛍光体とを含む混合体が固化されることにより、形成されることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 各前記波長変換モジュールを得るステップは、
前記セラミックス基板に、前記乱反射スラリーを塗装し、焼結し、乱反射層を形成するステップと、
前記乱反射層に上記蛍光体スラリーを塗装し、焼結し、蛍光体層を形成するステップとを含み、
前記乱反射スラリーの第1のガラス粉の軟化点温度は、上記蛍光体スラリーの第2のガラス粉の軟化点温度より高いことを特徴とする請求項2に記載の製造方法。 - 各前記波長変換モジュールを得るステップは、
一つの基板に前記蛍光体スラリーを塗装し、焼結し、蛍光体層を形成するステップと、
前記蛍光体層に前記乱反射スラリーを塗装し、焼結し、乱反射層を形成するステップと、
前記基板に対し、離型を行い、一方の側の表面に蛍光体層が付着している乱反射層を取り出し、乱反射層のもう一つの面を上記セラミックス基板に接着又は焼結するステップとを含み、
前記蛍光体スラリーの第2のガラス粉の軟化点温度は前記乱反射スラリーの第1のガラス粉の軟化点温度より高いことを特徴とする請求項2に記載の製造方法。 - 前記第1のガラス粉及び第2のガラス粉は珪酸塩ガラス、鉛珪酸塩ガラス、アルミノ硼珪酸塩ガラス、アルミン酸塩ガラス、ソーダライムガラス、石英ガラスから選ばれる1種又は少なくとも2種の混合物であることを特徴とする請求項2に記載の製造方法。
- 前記白色散乱粒子は酸化アルミニウム、酸化チタン、窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、硫酸バリウムの中の1種、又は少なくとも2種の混合体であることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 各前記波長変換モジュールの蛍光体層は、1種の単色蛍光体により構成され、異なる単色蛍光体は異なる波長変換モジュールに設置されていることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記波長変換モジュールの合計数よりも少ない複数の波長変換モジュールは、蛍光セラミックスモジュールに代えられ、前記蛍光セラミックスモジュールは蛍光セラミックスブロック及び前記蛍光セラミックスブロックの底部に付着している全反射誘電体膜を含むことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 各前記蛍光セラミックスモジュールを得るステップは、
蛍光セラミックスブロックを得るステップと、
前記蛍光セラミックスブロックの底面に全反射誘電体膜をメッキするステップとを含むことを特徴とする請求項9に記載の製造方法。 - 各前記蛍光セラミックスモジュールを得るステップは、
前記全反射誘電体膜の外表面に金属保護膜をメッキするステップをさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の製造方法。 - 前記波長変換モジュール又は蛍光セラミックスモジュールを接着、溶接又は機械締付の方法により、前記底板に固定することを特徴とする請求項1又は9のいずれか一つに記載の製造方法。
- 前記底板は金属、金属合金又は金属及び無機材料が構成する混合物であることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
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