JP6295777B2 - 発光装置及び発光装置を収容するためのエンボスキャリアテープ - Google Patents

Description

本発明は、発光装置、とりわけ発光素子を封止するレンズを有する発光装置の製造方法に関する。本発明は、また当該発光装置を収容するための エンボスキャリアテープに関する。

発光ダイオード等の半導体チップ（発光素子）を用いた発光装置は小型化が容易で且つ高い発光効率が得られることから、広く用いられている。
このような発光装置の中には、例えば、実装基板の上面側方向等の特定の方向により多くの光量を得るために、半導体チップからの光を所望の方向に屈折させるレンズ（レンズとして機能する封止部）を有するものがある。レンズを備えたこの種の発光装置は、照明やバックライトをはじめとする多くの用途で用いられている。

このような発光装置に用いられるレンズは、通常、発光素子を覆うように実装基板上に配置される。そして、発光素子の発光のうち、多くはレンズにより屈折し、レンズの上面から所望の方向に向かうこととなる。
しかし、このようにレンズを配置すると、レンズの下面の大部分は、実装基板の表面と接触することになる。この結果、発光素子を出た光の一部、とりわけ、下方に向かう光は、レンズを出て実装基板に達する。これは、レンズを形成するガラスまたは樹脂等の透光性材料の屈折率ｎ_１と基板を形成する材料の屈折率ｎ_２について、ｎ_１よりｎ_２の方が大きいため全反射が起こらない、またはｎ_１の方がｎ_２より大きくてもその差が小さいため全反射が起こる臨界角が大きくなることによる。

そして、実装基板に達した光の一部は反射され再びレンズ内に戻るものの、実装基板に達した光のかなりの部分が実装基板により吸収されてしまう。この実装基板による吸収は、実装基板の表面の反射率を高くすることで緩和することができる。しかし、このような既知の緩和策を行っても、相当量の光が、実装基板に吸収されるため、光取り出し効率が低下するという問題があった。
そこで、例えば特許文献１に示されるように、平面視において基板の外側までレンズ（特にレンズの底面）を延在させた発光装置が知られている。図１２（ａ）は、平面視において、レンズの底面が実装基板の外側まで延在している従来の発光装置１０００を示す模式上面図であり、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＸＩｂ−ＸＩｂ断面を示す模式断面図である。発光装置１０００では、実装基板４に垂直な方向（図１２（ａ）、（ｂ）のＺ方向からの上面視）からの上面視において、レンズ１０９の底面１２９が実装基板４の外側にまで延在している。

発光装置１０００では、実装基板４の上に発光素子２が実装されている。発光素子２および実装基板４の上面がレンズ１０９の内部に配置され、レンズ１０９の底面１２９より実装基板４の下面が露出している。

図１２（ａ）、（ｂ）からも判るように、レンズ１０９の底面１２９のうち、実装基板４の外側にまで延在している部分（以下、「外側延在部」と言う場合がある）は空気と接している。発光装置１０００は更に別の基板（２次基板）に実装基板４の下面を実装して使用する。そして、レンズ１０９の底面１２９と２次基板の上面との間が離間し、レンズ底面１２９の外側延在部が空気と接することが可能となる。
空気は、屈折率が小さいことから、レンズ１０９を形成するガラスまたは樹脂等の透光性材料の屈折率ｎ１と空気の屈折率ｎ_airとの差が大きな値となり、全反射が起こる臨界角が小さな値となる。この結果、発光素子２から底面１２９に達した光の大部分が反射され、底面１２９から外部に出る光の量を抑制することができる。
これにより、発光装置１０００は高い取り出し効率、とりわけレンズ上面１２８からの高い取り出し効率を得ることができる。

特開２００７−２７３７６４号公報

発光装置１０００を上述のような２次基板等に実装する際に、レンズ１０９の底面１２９の外側延在部の下部が空間となっていることに起因して、発光装置１０００が傾いて実装されてしまう場合があった。
例えば、２次基板と接触する前に発光装置１０００が傾くと、傾いたままの状態で、すなわち、底面１２９の外周部の一部と実装基板４の下面（例えば下面の一部）が２次基板に接触した状態で発光装置１０００が２次基板に実装（固定）されてしまう場合があった。
また、２次基板に発光装置１０００の実装基板４の下面が接触した後、発光装置１０００のレンズ１０９の外周部の一部に意図しない負荷（力）が付与された場合も発光装置１０００は容易に傾き、底面１２９の外周部の一部と実装基板４の下面（例えば下面の一部）が２次基板に接触した状態で発光装置１０００が２次基板に実装（固定）されてしまう場合があった。

このように、傾いた状態で発光装置１０００が２次基板に実装されると、例えば実装基板４の下面の配線パターンと２次基板の上面に配置した配線パターンとの間の導通が不十分である等の理由により、発光装置１０００に電力が供給されないという問題を生じていた。
また、喩え、実装基板４と２次基板の間との導通を確保でき、発光装置１０００を発光させることができたとしても、発光装置１０００が傾いているため、意図した方向（意図した角度範囲）に十分な光量を照射することができないという問題があった。

そこで本発明は、平面視において実装基板の外側まで延在するレンズを有する発光装置であって、実装時に傾いて実装されるのを抑制することができる発光装置を提供することを目的とする。

本発明に係る発光装置は、発光素子と、上面に前記発光素子が載置された基板と、前記発光素子と前記基板の上面を封止するレンズと、を含み、前記レンズの底面から前記基板の下面が露出し、前記基板の下面に垂直な方向からの上面視において前記レンズの底面が前記基板の外側にまで延在している外側延在部を有し、前記底面の前記外側延在部に凸部を有する。

本発明に係る発光装置のレンズは、発光素子と実装基板の上面とを封止するとともに、上面視において、実装基板の外側に延在する外側延在部を有する。このレンズの底面の外側延在部に、凸部を設けることにより、発光装置を２次基板等に実装する際に発光装置が傾くのを抑制できる。

図１（ａ）は、本発明の１つの実施形態に係る発光装置１００の模式上面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＩｂ−Ｉｂ断面を示す模式断面図である。 図２（ａ）は、発光装置１００の変形例１に係る発光装置１００Ａの模式上面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＩＩｂ−ＩＩｂ断面を示す模式断面図である。 図３（ａ）は、発光装置１００の変形例２に係る発光装置１００Ｂの模式上面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）のＩＩＩｂ−ＩＩＩｂ断面を示す模式断面図である。 図４（ａ）は、発光装置１００の変形例３に係る発光装置１００Ｃの模式上面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＩＶｂ−ＩＶｂ断面を示す模式断面図である。 図５は、実装前の発光装置を搬送するのに用いる、従来のエンボスキャリアテープ５００を模式的に示す斜視図である。 図６は、本発明の１つの実施形態に係るエンボスキャリアテープ５０を模式的に示す斜視図である。 図７（ａ）は、収容部６０に発光装置１００を挿入した状態を示す模式上面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＶＩＩｂ−ＶＩＩｂ断面を示す模式断面図である。 図８、は収容部６０の変形例の１つである収容部６０Ａに発光装置１００Ａ’を挿入した状態を示す模式上面図である。 図９は、収容部６０の別の変形例の１つである収容部６０Ｂに発光装置１００Ｂを挿入した状態を示す模式上面図である。 図１０（ａ）は、収容部６０の更に別の変形例の１つのである収容部６０Ｃに発光装置１００Ｃを挿入した状態を示す模式上面図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＸｂ−Ｘｂ断面を示す模式断面図である。 図１１は、凸部の上面視した形状である３角形の１つの頂点が、発光素子２の中心に最も近い位置することが好ましい理由を示す模式上面図であり、図１１（ａ）は、発光素子２の中心に最も近い部分が凸部３２の３角形状の頂点１つである場合を示し、図１１（ｂ）は、発光素子２の中心に最も近い部分が凸部３２Ｄの３角形の頂点以外の部分である場合を示す。 図１２（ａ）は、平面視において、レンズの底面が実装基板の外側まで延在している従来の発光装置１０００を示す模式上面図であり、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＸＩｂ−ＸＩｂ断面を示す模式断面図である。

以下、図面に基づいて本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、以下の説明では、必要に応じて特定の方向や位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、「右」、「左」及びそれらの用語を含む別の用語）を用いるが、それらの用語の使用は図面を参照した発明の理解を容易にするためであって、それらの用語の意味によって本発明の技術的範囲が制限されるものではない。複数の図面に表れる同一符号の部分は同一の部分又は部材を示す。
また、これらの図面は、本発明の理解を容易にするために、一部分を誇張して表示している場合がある。従って、縮尺および相対的な配置等が、本発明に係る実際の発光装置と異なる場合があることに留意されたい。

１．実施形態１
図１（ａ）は、本発明の１つの実施形態に係る発光装置１００の模式上面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＩｂ−Ｉｂ断面を示す模式断面図である。なお、図１（ａ）では、上面配線パターン８ａの記載は省略している（後述する図２（ａ）、３（ａ）および４（ａ）も同じ）。
まず発光装置１００全体について説明した後、凸部３２の詳細について説明する。
発光装置１００は、実装基板４と、実装基板４の上に実装（載置）された発光素子２と、レンズ９とを含む。
発光素子２は、半導体層を含み、必要に応じて半導体層の外面を覆う蛍光体層６を含んでいる。半導体層は、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とを含み、その間で発光する。また、半導体層は必要に応じてｐ型半導体層とｎ型半導体層の間に活性層（発光層）を含んでよい。
なお、図１（ｂ）から判るように、発光素子２、実装基板４および蛍光体層６は、レンズ９の下方（とりわけ、レンズ９の上面２８の下方）に位置しており、図１（ａ）の上面図において（他の上面図も同じ）、発光素子２、実装基板４および蛍光体層６は、レンズ９を透過した状態が示されている。

実装基板４の表面および内部には発光素子２に電力を供給する配線パターン８が形成されている。
より詳細には、実装基板４の上面（図１のＺ方向側の主面）には２つの上面配線パターン８ａが配置され、２つの上面配線パターン８ａの一方が、発光素子２のｐ型半導体層と電気的に接続され、他方が、発光素子２のｎ型半導体層と電気的に接続されている。
なお、本明細書においては、図１（ａ）、図１（ｂ）のように図を示す数字が同じで、数字の後の括弧内の小文字のアルファベットが異なる図を総称して「図１」のように、その数字で呼ぶことがある。
２つの上面配線パターン８ａは、それぞれ、例えば貫通ビアのような基板貫通配線８ｂと、下面配線パターン８ｃとを介して、発光装置１００の外部に設けた配線等と電気的に接続可能である。
このような外部の配線として、図示しない２次基板（第２の基板）に設けた配線パターンを挙げることができる。例えば、２次基板の上面に実装基板４の下面を実装することで、実装基板４の下面配線パターン８ｃと２次基板の配線パターンとを電気的に接続することができる。これにより、発光素子２に外部電源から電力を供給することが可能となる。

レンズ９は、上面２８と底面２９とを有し、底面２９からレンズ９の内部に発光素子２と実装基板４の上面（図１において、実装基板４のＸ−Ｙ面に平行な２つの主面のうち、Ｚ側の主面）とがその内部に埋め込まれている（すなわち、発光素子２と、実装基板４の上面とがレンズ９の内部に封止されている）。また、レンズ９の底面２９からは、実装基板４の下面（図１において、実装基板４のＸ−Ｙ面に平行な２つの主面のうち、−Ｚ側の面）が露出している。

図１に示す実施形態では、発光素子２はその全体がレンズ９の内部に封止されている。実装基板４は、上面全体がレンズ９の内部に封止され、４つの側面は、それぞれ、その一部分がレンズ９の内部に配置されている。この結果、実装基板４の下面は、レンズ９の底面２９から露出している。
このような構成を有することにより、発光素子２からの発光を確実にレンズ９の内部に導くことができる。さらに、例えば、実装基板４の下面を２次基板の上面等の実装面に載置した場合（すなわち、発光装置１００を広い基板等の上面に配置した場合）でも、レンズ９の底面２９のうち、上面視（実装基板４の下面に垂直な方向（図１のＺ方向）からの上面視）において実装基板４の外側にまで延在している部分（以下、「外側延在部」と言う場合がある）を、確実に、基板材料等と比べて屈折率の低い空気に接触させることができる。

図１では、レンズ９は、実装基板（基板）４の側面（図１においてＸＺ面に平行な面およびＹＺ面に平行な面）の高さ方向（図１のＺ方向）中央付近から上を覆っている（すなわち、底面２９は実装基板４の側面とその高さ方向の略中央で接している）。しかし、例えば硬化前の樹脂のような硬化前のレンズ形成材料と、基板側面との濡れ性がよい場合等、レンズ９の形成条件等によっては、レンズ９は、実装基板４の側面に沿って下向きに（図１の−Ｚ方向）延在した下垂部７９を形成する場合がある。
下垂部７９は、その幅（図１のＸ方向長さ）が５０μｍ程度（例えば、０．２ｍｍ以下）と短いため、通常、この存在を無視してよい。この場合、喩え下垂部７９が存在しても、この下垂部７９を無視し、図示した底面２９（図１でＸ方向に平行に延在している）を延長して、実装基板４の側面と交わる部分を実装基板４と底面２９との境界としてよい。

レンズ９は、実装基板４の下面に垂直な方向（Ｚ方向）からの上面視において、その底面２９が実装基板４の外側にまで延在している（すなわち、底面２９は、実装基板４の外側に延在する「外側延在部」を有する）。
図１に示す実施形態では、レンズ９は半球状の形状を有している。このため、上面２８は球面（半球面）となっており、底面２９は平面となっている（実装基板４および発光素子２が埋め込まれている部分を除く。すなわち、外側延在部が平面となっている。）。
好ましくは、実装基板４の横方向（図１のＸ方向）の長さおよび縦方向（同Ｙ方向）の長さをレンズ９の外経より短くすることにより、図１に示すように実装基板４の外周全体において、レンズ９の底面２９が実装基板４の外側まで延在している（すなわち、実装基板４の外周全体にレンズ９の底面２９の外側延在部が形成されている。）。
しかし、これに限定されるものではなく、例えば、実装基板４の横方向の長さおよび縦方向の長さの一方をレンズ９の外径より長くし、他方をレンズ９の外径より短くする等により、実装基板４の外周の一部分において、レンズ９の底面２９が実装基板４の外側まで延在してもよい。

レンズ９の底面２９のうち、実装基板４の外側にまで延在している部分（外側延在部）は、上述のように、屈折率が低い空気と接することとなる。このため、この部分では全反射の臨界角が小さくなり、発光素子２から、この部分に達した光の多くが、反射されてレンズ９内部を進むこととなる。
これにより、高い取り出し効率を得ることができる。
なお、実装基板４および発光素子２は、上面視において、レンズ９の略中央に位置することが好ましい。レンズ９（とりわけ、レンズ９の上面２８）から外に出る光が均一になるからである。

レンズ９は、底面の２９の外側延在部上に、下方（図１の−Ｚ方向）に向けて凸となっている凸部３２を有している。
以下に凸部３２の詳細を説明する。
外側延在部に凸部３２を有することで、発光装置１００が実装時に傾くことを抑制できる。
すなわち、例えば、発光装置１００を２次基板の上面等の実装面に実装（載置）する場合、喩え、２次基板の上面等の実装面に接触する前に発光装置１００が傾いても発光装置１００が実装面に接触する際に、凸部３２（複数の凸部３２を有する場合は、少なくも１つの凸部３２）が当該実装面と接触することで、発光装置１００の傾きを是正または緩和することが可能となる。
また、発光装置１００が２次基板の上面と接触後に、例えば、レンズ９の上面２８の外周部の一部に作用する下向きの力のような、発光装置１００を傾けようとする意図しない力が作用しても、凸部３２（複数の凸部３２を有する場合は、少なくも１つの凸部３２）が当該実装面と接触することで、発光装置１００が傾くのを抑制できる。

凸部３２は、このように２次基板の上面等の実装面（発光装置１００を実装する基板の実装面）に接触することで発光装置１００の傾きを是正または緩和し、または抑制でき、この結果、発光装置１００が傾いて実装されるのを抑制できる。このため凸部３２の高さ（図１のＺ方向における底面２９と凸部３２の先端との間の距離）は、底面２９から発光装置１００を実装する基板の実装面（当該２次基板の上面）までの距離と略等しいか、または底面２９から発光装置１００を実装する基板の実装面までの距離より少し短い（例えば、１００〜３００μｍ短い）ことが好ましい。
従って、発光装置１００単体として見た場合、凸部３２の高さの好ましい形態として、２つの形態の何れかであることを例示できる。
１）凸部３２の高さは、レンズ９の底面２９から実装基板４の底面（下面配線パターン８ｃを有する場合は、下面配線パターン８ｃの表面（図１では下面））までの距離と略等しい（例えば、凸部３２の高さと、レンズ９の底面から実装基板４までの距離の差が１００μｍ以内である）。
２）凸部３２の高さは、レンズ９の底面から実装基板４の底面（下面配線パターン８ｃを有する場合は、下面配線パターン８ｃの表面（図１では下面））までの距離より少し（例えば、１００〜３００μｍ）短い。

凸部３２は、１つ以上配置されていれば、上述の発光装置１００が傾いて実装されるのを抑制するという効果を得ることができる。
しかし、好ましくは２つ以上、より好ましくは３つ以上（図１の実施形態では４つ）の凸部３２を配置することが好ましい。より多くの方向において、発光装置１００が傾いて実装されるのを抑制できるからである。

好ましい実施形態の１つとして、凸部３２は、レンズ９と同じ材料により、レンズ９と一体で（例えば、レンズ９の底面２９と凸部３２との間に視認できるような継ぎ目を有さずに）形成されている。
例えば、レンズ９を形成する金型に凸部３２に対応する凹部を設ける等により簡単なプロセスで凸部３２を形成することができるからである。

凸部３２をレンズ９と同じ材料で形成すると、凸部３２は発光素子２が発する光（発光素子２が蛍光体層６を有する場合は、蛍光体層６により波長変換された光も含む）に対して透光性を有することとなる。
この場合、凸部３２に入った光が凸部３２から下方に出て行くのを抑制することを目的に、凸部３２に発光素子２が発する光を反射してレンズ９内に戻すよう、反射部材を含有させてよい。このような反射部材は、例えば、光反射性の無機または有機の任意の材料であってよく、形状も粒子状、フィラー状またはフィルム状等の任意の形状であってよい。
例えば、金型の凸部３２を形成するための凹部に粒子状の反射材料を予め配置した後、金型にレンズ形成材料を供給する等により、レンズ９と同じ材料により、レンズ９と一体で形成されている凸部３２に反射部材を含有させることができる。

凸部３２は、レンズ９と別に形成された後、レンズ９の底面２９上に固定してもよい。また予め形成されたレンズ９の底面２９上で凸部３２を形成してもよい。
凸部３２は、レンズ９と同じ材料により形成してもよく、またレンズ９と異なる任意の材料により形成してもよい。
この場合も、凸部３２に入った光が凸部３２から下方に出て行くのを抑制することを目的に、凸部３２に発光素子２が発する光を反射してレンズ９内に戻すように、反射部材を含有させてよい。
凸部３２を形成する材料と、別に反射部材を加えることで凸部３２は反射部材を含有してよい。また、例えば、白樹脂のような光反射性樹脂を用いて凸部３２を形成する（凸部３２自体を反射部材とする）ことで、凸部３２は反射部材を含有してもよい。

凸部３２は、角柱（例えば、３角柱、４角柱）、角錐、角錐台、円柱、円錐および円錐台を含む任意の形状を有してよい。すなわち、図１に示すような上面視（Ｚ方からの上面視）において、凸部は、多角形および円形を含む任意の形状であってよい。

図１に示す実施形態では、凸部３２は、３角柱の形状を有する。すなわち、図１（ａ）に示すように、上面視において、凸部３２は、３角形の形状を有している。この場合、発光素子２に最も近い側に３角形の頂点の１つが位置し、遠い側に頂点以外の部分（２つの頂点を結ぶ辺）が位置することが好ましい。
より詳細には、上面視において、凸部３２の形状である３角形の外周のうち、発光素子２の中心（図１（ａ）では、４角形上の発光素子の２つ対角線の交点が発光素子２の交点）に最も距離の近い部分が、当該３角形の３つの頂点（３つの角）いずれか１つである。
図１１は、凸部の上面視した形状である３角形の１つの頂点が、発光素子２の中心に最も近い位置することが好ましい理由を示す模式上面図であり、図１１（ａ）は、発光素子２の中心に最も近い部分が凸部３２の３角形状の頂点１つである場合を示し、図１１（ｂ）は、発光素子２の中心に最も近い部分が凸部３２Ｄの３角形の頂点以外の部分である場合を示す。
なお、図１１（ａ）は、図１（ａ）に相当する図であるが、理解を容易にするために図１（ａ）よりも大きな凸部３２が配置されている場合を示す。
図１１（ａ）に示した４つの凸部３２のうちの１つ凸部３２−１と、図１１（ｂ）に示した４つの凸部３２Ｄのうちの１つ凸部３２Ｄ−１とを例に説明する。凸部３２と、対応するそれぞれの凸部３２Ｄ（すなわち、凸部３２−１と凸部３２Ｄ−１）とは、上面視した時の頂点の位置が異なる（凸部３２−１をＺ軸方向に１８０度回転させると頂点の位置が凸部３２Ｄ−１と同じになる）以外は同じである。
発光素子２の中心から出射した光Ｌのうち、角度θ１の範囲内の方向に出射した光は凸部３２−１内に侵入する可能性がある。一方、発光素子２の中心から出射した光Ｌのうち、角度θ２の範囲内の方向に出射したは凸部３２Ｄ−１内に侵入する可能性がある。より高い発光効率を得るためには、凸部３２および凸部３２Ｄに侵入する光の量が少ない方がよい。図１１から明らかなように、θ１の方がθ２よりも小さい。このため、凸部３２を有する発光装置の方が、凸部３２Ｄを有する発光装置より高い発光効率を得ることができる。
なお、このようなメカニズムによる発光素子２から出た光の凸部３２内への進入の抑制は、上面視した形状が３角形の場合だけでなく、４角形を含む多角形においても適用できる。すなわち、上面視における形状が多角形の凸部３２は、上面視において、その形状である多角形の外周のうち、発光素子２の中心と最も距離の近い部分が、当該多角形の頂点（角）であることが好ましい。

・変形例１
図２（ａ）は、発光装置１００の変形例１に係る発光装置１００Ａの模式上面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＩＩｂ−ＩＩｂ断面を示す模式断面図である。なお、本明細書および添付の図面に記載した符号が付された部材について、「発光装置１００Ａ」の「１００Ａ」のように、数字の後にアルファベットの大文字が付された符号に対応する部材は、特段の断りがない構成については、数字が同じで、アルファベットが付されていないかまたは異なるアルファベットが付された符号に対応する部材と同じ構成を有してよい。

図２に示す発光装置１００Ａでは、その凸部３２Ａは円柱の形状を有する。すなわち、図２（ａ）に示すように、凸部３２Ａは、上面視においてその形状が円である。
このような、形状を有する凸部３２Ａは、角部を有しないため、金型内での形成および離型が容易であるという利点を有する。

・変形例２
図３（ａ）は、発光装置１００の変形例２に係る発光装置１００Ｂの模式上面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）のＩＩＩｂ−ＩＩＩｂ断面を示す模式断面図である。
図３に示す発光装置１００Ｂでは、その凸部３２Ｂの形状は長手方向がレンズ９の底面に平行な方向に延在する直方体である。
すなわち、図３（ａ）に示すように、凸部３２Ｂは、上面視においてその形状が、長辺がレンズ９の半径方向と異なる方向である長方形となっている。
凸部３２Ｂがこのような形状を有することで、図３に示す実施形態では、凸部が２つと少ないにも関わらず、より多くの方向（Ｘ−Ｚ面での角度範囲）において、発光装置１００Ｂが傾いて実装されるのを抑制できる。

・変形例３
図４（ａ）は、発光装置１００の変形例３に係る発光装置１００Ｃの模式上面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＩＶｂ−ＩＶｂ断面を示す模式断面図である。
発光装置１００Ｃのレンズ９Ｃの底面２９Ｃは、その外周部分（端部）に、実装基板４の上面に平行な方向（図４ではＸ方向）に対して傾斜している傾斜部を有している。
図４に示す実施形態では、底面２９Ｃの外側延在部全体が傾斜部となっているがこの実施形態に限定されるものではない。例えば、底面２９Ｃの外側延在部のうち実装基板４に近い側（基端側）は、実装基板４の上面に平行な平面（平面部）であって、外周側（実装基板４に遠い側（末端側））にのみ傾斜部を有してもよい。
なお、傾斜部は図４に示す断面図では直線で示されるが、この直線を図４のＺ軸方向に平行な軸の周りに回転させて得られる曲面（滑らかな曲面）となっている。

底面２９Ｃの傾斜部は、基端側と比べて端部側（実装基板４から遠い側）の方が、上部（図４のＺ方向）に位置している。

発光装置１００のように底面２９が平面の場合、発光素子２から斜め下方に出射し、底面２９と上面２８との境界部に達した光は、そのままレンズ９の外に出る場合がある。しかし、レンズ９Ｃでは、レンズ９において上面と底面の境界部分から出ていた光が、傾斜部に当たりレンズ９Ｃの上方向に反射される。これにより発光装置１００Ｃでは、よりいっそう取り出し効率を向上できる。
なお、レンズ９Ｃのその他の構成は、レンズ９と同じであってよい。

このような、発光装置１００Ｃのレンズ９Ｃは、その底面２９Ｃの外側延在部に凸部３２Ｃを設けている。凸部３２Ｃの構成は、上述の凸部３２、３２Ａおよび３２Ｂと同じ構成を有してよい。
なお、底面２９Ｃの外側延在部が上述のように、平面部と傾斜部の両方を有する場合、凸部３２Ｃは、平面部と傾斜部のいずれか一方にのみ形成してもよく、また、平面部と傾斜部の両方に形成してもよい。

以下に、レンズ９（レンズ９Ｃも同様）に用いる材料を説明する。
レンズ９は、発光素子２が発する光、および蛍光体層６が発する光（蛍光体層６を用いる場合）に対して、透光性を有する任意の材料により形成してよい。例えば、レンズ９は、透明な樹脂またはガラス等からなる。このような樹脂として、例えば、硬質シリコーン樹脂およびエポキシ樹脂を例示できる。
レンズ９を形成するために用いるレンズ形成材料として、例えば、硬化剤を含む液状の樹脂、および溶融ガラスを例示できる。また、好ましいレンズ形成材料として、硬化剤を含むシリコーン樹脂および硬化剤を含むエポキシ樹脂を例示できる。

以下に、発光素子２と実装基板４の詳細を示す。
発光素子２は、例えば、ＬＥＤチップ等の半導体素子である。発光素子２に含まれる半導体層の具体的な例として、サファイア等の基板側から順に、ｎ型半導体層、活性層（発光層）及びｐ型半導体層が積層された構成を挙げることができる。用いる半導体として、例えば窒化物半導体であるＧａＮ系化合物半導体を例示できる。
なお、発光素子２は、これらの構成に限定されるものではなく、他の半導体材料を用いて構成してもよく、適宜、保護層や反射層などを備えてよい。

また、発光素子２が蛍光体層６を有する場合、蛍光体層６に用いる蛍光体として、黄色発光する、セリウムで賦活されたＹＡＧ系、ＬＡＧ系蛍光体、（Ｓｒ，Ｂａ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ等のシリケート系蛍光体およびこれらの組み合わせを挙げることができる。
また、蛍光体は黄色蛍光体に限られず、所望の発光スペクトルを持つ蛍光体を用いてもよい。例えば窒化物、酸窒化物系の蛍光体（ＣＡＳＮ系、ＳＣＡＳＮ系、αサイアロン系、βサイアロン系）、ハロゲン系の蛍光体（クロロシリケート系、ＫＳＦ系）、硫化物系の蛍光体など、各種の蛍光体を用いてもよい。また、量子ドットを用いてもよい。

実装基板４は、例えば、窒化アルミニウムやアルミナなどのセラミックス、および樹脂などを用いることができる。
実装基板４は上面配線パターン８ａおよび下面配線パターン８ｃに用いる金属膜としては、導電性がよく、発光素子２が発光する波長の光の反射率が高い材料が好ましい。例えば、導電性を確保するためにＴｉ／Ｐｔ／Ａｕなどを用いて配線パターンを形成し、反射率を向上させるために、更に表層にＡｇ、Ａｌ、Ｒｈなどを有する、単層膜又は多層膜を設けるようにしてもよい。
また、実装基板４の、貫通配線８ｂは例えば銅メッキ等により形成されたビアであってよい。
発光素子２は、例えばフリップチップ実装等の既知の方法により、実装基板４に実装（載置）されてよい。

以上に説明した発光装置１００（発光装置１００Ａ、１００Ｂおよび１００Ｃも同様）は、例えば特許文献１に示されるような製造方法をはじめとする、従来の発光装置１０００の製造方法として既知の任意の方法を用いて製造することができる。より具体的には、従来のレンズを形成するのに用いる金型に、凸部３２に対応する凹部（キャビティ）を設けることにより、凸部３２を有するレンズ９を得ることができる。
また、発光装置１００Ｃのレンズ９Ｃの底面２９Ｃの傾斜部は、例えば、レンズ９Ｃを形成する金型に、傾斜部に対応する凸部を設けることにより形成してよい。

２．実施形態２
実施形態２として、本発明に係る発光装置１００、１００Ａ、１００Ｂおよび１００Ｃ（以下、「発光装置１００、１００Ａ、１００Ｂおよび１００Ｃ」を総称して「発光装置１００等」という場合がある。）を搬送（輸送）するエンボスキャリアテープについて説明する。
図５は、実装前の発光装置を搬送するのに用いる、従来のエンボスキャリアテープ５００を模式的に示す斜視図である。
樹脂等から成るテープ（基体）５２にエンボス加工等で設けた、所定形状の窪みである収容部５６０の内部に発光装置を収容して搬送する。そして、例えばテープ５２に設けた、位置決め孔５４を用いて、自動実装ラインの所定の位置に配置した収容部５６０から、自動挿入機等により発光装置を取り出し、発光装置を２次基板の所定の位置に配置して発光装置を２次基板に実装（固定）する。

従来の収容部５６０は多くの場合、その上面視（図５のＺ方からの上面視）した形状（外形）が、正方形または長方形であり、収容部の底面５６６（図５のＸ−Ｙ面に平行な面）は平面である。
レンズ９等の外側延在部を有するレンズを有しない多くの発光装置は、その上面視した形状が、発光素子および実装基板の形状により決まるため、概ね正方形または長方形である。
これに対して、図１等から分かるように、本発明に係る発光装置の上面視した形状は円形である。

このような、上面視した形状が円形の発光装置１００等を従来のエンボスキャリアテープ５００を用いて、搬送すると、搬送により生ずる振動等のために、発光装置１００等が回転（図６のＺ方向に平行な軸の周りを回転）してしまう。
すなわち、上面視した形状が正方形または長方形である発光装置であれば、同様に上面視した形状が正方形または長方形である収容部５６０の側面と発光装置の側面とが、比較的広い面積で接触して、回転を防止できる。これに対して、上面視した形状が円である発光装置１００等は、収容部５６０の側面との接触面積が小さく、発光装置１００等の回転を防止できない。

発光装置１００等は回転してしまうと、これに伴い、下面配線パターン８ｃも回転することになる。この結果、回転した発光装置１００等を、例えば自動挿入装置等を用いて、エンボスキャリアテープ５００から発光装置１００等を取り出し、２次基板に実装すると、下面配線パターン８ｃと２次基板の上面に設けた配線パターンとが所定の位置で接続されないこととなる。これにより発光装置１００等を導通させることができないこととなる。

しかし、本発明に係るエンボスキャリアテープ５０を用いることで、搬送中の発光装置１００等の回転を抑制できる。
図６は、本発明の１つの実施形態に係るエンボスキャリアテープ５０を模式的に示す斜視図である。図７（ａ）は、収容部６０に発光装置１００を挿入した状態を示す模式上面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＶＩＩｂ−ＶＩＩｂ断面を示す模式断面図である。
なお、図７（ａ）では、理解を容易にするため発光装置１００のうち、レンズ９、凸部３２および基板４のみを点線で示した。

エンボスキャリアテープ５０は、樹脂等から成るテープ（基体）５２にエンボス加工等で設けた所定形状の窪み（テープ５２の下面方向（図６の−Ｚ方向）に凸形状を有する窪み）である収容部６０を有する。収容部６０の上面視した形状は、例えば正方形または長方形であってもよく、また円であってもよい。
収容部６０の底面は、実装基板４の少なくとも一部を収容する第１凹部６４と、凸部の少なくとも一部を収容する第２凹部６２とを有している。
エンボスキャリアテープ５０は、テープ５２の収容部６０が形成されていない部分に、必要に応じて位置決め孔５４を有してよい。

図７に示す実施形態では、実装基板４の下部が第１凹部６４に収容され、４つの凸部３２の全てのそれぞれの下部が、４つの第２凹部６２のいずれかに収容されている。これにより発光装置１００の回転（図７のＺ方向に平行な軸の周りの回転）を抑制することができる。
図７に示す実施形態では、第２凹部６２の上面視した形状は円であり、凸部３２の上面視した形状と異なっている。第２凹部６２の上面視した形状は任意の形状を有してよく、凸部３２の上面視した形状と同じあってもよく、異なっていてもよい。

図８は、収容部６０の変形例の１つである収容部６０Ａに発光装置１００Ａ’を挿入した状態を示す模式上面図である。
なお、発光装置１００Ａ’は、図８に示すように凸部３２Ａを２つしか有しないことを除けば発光装置１００Ａと同じ構成を有する。また、図９では、理解を容易にするため発光装置１００Ａ’のうち、レンズ９、凸部３２Ａおよび基板４のみを点線で示した。

図８に示す実施形態では、第２凹部６２Ａは、収容部６０Ａの底面６６Ａのコーナー部分に設けられている。また、上面視において、第２凹部６２Ａの面積は、凸部３２Ａの面積よりかなり大きい（例えば５倍以上、好ましくは１０倍以上）。このように面積の大きい第２凹部６２Ａを設けておくと、形状または凸部３２を設ける位置が異なる多くの種類の発光装置を１つの形状のエンボスキャリアテープ５０で収容し（収容部６０Ａに収容）、発光装置の回転を抑制して搬送することが可能となる。

図９は、収容部６０の別の変形例の１つである収容部６０Ｂに発光装置１００Ｂを挿入した状態を示す模式上面図である。
なお、図９では、理解を容易にするため発光装置１００Ｂのうち、レンズ９、凸部３２Ｂおよび基板４のみを点線で示した。
収容部６０Ｂの底面６６Ｃの第２凹部６２Ｂは、凸部３２Ｂの少なくとも一部を収容できるように、上面視した形状が長方形（凸部３２Ｂと対応した長方形）と成っている。

図１０（ａ）は、収容部６０の更に別の変形例の１つのである収容部６０Ｃに発光装置１００Ｃを挿入した状態を示す模式上面図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＸｂ−Ｘｂ断面を示す模式断面図である。
なお、図１０（ａ）では、理解を容易にするため発光装置１００Ｃのうち、レンズ９Ｃ、凸部３２Ｃおよび基板４のみを点線で示した。
収容部６０Ｃの底面は、発光装置１００Ｃのレンズ９Ｃの底面２９Ｃの傾斜部に対応した傾斜部（テープ５２の主面のうち収容部６０Ｃを形成していない部分に対して傾斜した傾斜部）を有してよい。
図１０（ｂ）に示す実施形態では、傾斜した底面６０Ｃに第２凹部６２Ｃが設けられている。

２ 発光素子
４ 実装基板
６ 蛍光体層
８ 配線
８ａ 上面配線パターン
８ｂ 基板貫通配線
８ｃ 下面配線パターン
９、９Ｃ レンズ
２８、２８Ｃ レンズ上面
２９、２９Ｃ レンズ底面
３２、３２Ａ、３２Ｂ、３２Ｃ、３２Ｄ 凸部
５０ エンボスキャリアテープ
５２ テープ（基体）
５４ 位置決め孔
６０ 収容部
６４ 第１凹部
６２、６２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃ 第２凹部
６６、６６Ａ、６６Ｂ、６６Ｃ 収容部の底面
７９ 下垂部
１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ 発光装置
５００ 従来のエンボスキャリアテープ
１０００ 従来の発光装置

Claims (11)

1. 発光装置を搬送するためのエンボスキャリアテープであって、
   前記発光装置は、
   発光素子と、
   上面に前記発光素子が載置された基板と、
   前記発光素子と前記基板の上面を封止するレンズと、を含み、
   前記レンズの底面から前記基板の下面が露出し、
   前記基板の上面に垂直な方向からの上面視において前記レンズの底面が前記基板の外側にまで延在している外側延在部を有し、
   前記底面の前記外側延在部に凸部を有し、
   前記エンボスキャリアテープは、
   前記発光装置を収容するための底面に、
   前記基板の少なくとも一部分を収容するための第１凹部と、
   前記凸部の少なくとも一部分を収容するための第２凹部と、
   を有することを特徴とするエンボスキャリアテープ。
2. 発光素子と、
   上面に前記発光素子が載置された基板と、
   前記発光素子と前記基板の上面を封止するレンズと、を含み、
   前記レンズの底面から前記基板の下面が露出し、
   前記基板の上面に垂直な方向からの上面視において前記レンズの底面が前記基板の外側にまで延在している外側延在部を有し、
   前記底面の前記外側延在部において、上面視による形状が３角形である凸部を有し、
   上面視において、前記３角形の外周のうち前記発光素子の中心に最も距離の近い部分が、３つの頂点の何れかであることを特徴とする発光装置。
3. 前記凸部を２つ以上有することを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
4. 前記凸部の上面視による形状が、円または多角形であることを特徴とする請求項１または請求項１を引用する請求項３に記載の発光装置。
5. 前記凸部の上面視による形状が３角形であり、上面視において、前記３角形の外周のうち前記発光素子の中心に最も距離の近い部分が、３つの頂点の何れかであることを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
6. 前記凸部の上面視による形状が、長方形であることを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
7. 前記凸部が、前記レンズと同じ材料で一体で作られていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光装置。
8. 前記凸部が、前記発光素子の光を反射する反射部材を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の発光装置。
9. 前記凸部の高さが、前記レンズの底面から前記基板の底面までの距離と略等しいことを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の発光装置。
10. 前記レンズが前記底面の外周部に、前記基板の上面に平行な方向に対して傾斜している傾斜部を有していることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の発光装置。
11. 請求項２を引用する請求項３または７〜１０の何れか１項に記載の発光装置を搬送するためのエンボスキャリアテープであって、
    前記発光装置を収容するための底面に、
    前記基板の少なくとも一部分を収容するための第１凹部と、
    前記凸部の少なくとも一部分を収容するための第２凹部と、
    を有することを特徴とするエンボスキャリアテープ。

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