JP6294901B2 - 水銀放電ランプ - Google Patents

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Description

本発明は、水銀が点灯に寄与する水銀放電ランプに関し、特に、陰極及び陽極が水平となるような姿勢で用いられる水銀放電ランプに関する。
ファイバースコープ用光源や半導体装置の生産プロセスで使用する露光用光源として、従来から水銀放電ランプが用いられている。このような水銀放電ランプは、陰極にトリエイテッドタングステン材料を使用したものが一般的である。
しかしながら、陰極にトリエイテッドタングステン材料を用いた水銀放電ランプは、長時間の点灯により、陰極の先端部が溶融してしまうといった問題があった。そこで、このような問題を解決するために、陰極先端部を高融点金属粉末とエミッター粉末とからなる焼結体とすることで、陰極先端部の溶融を回避するようにした技術が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
特許文献1に記載の水銀放電ランプによれば、陰極先端部の溶融を回避したことで、光束維持率を高く保ち、また目的とする点灯時間まで輝点の移動を防止することができる。
特開平8−77967号公報
ところで、このように陰極先端部を高融点金属粉末とエミッター粉末とからなる焼結体とした水銀放電ランプについては、水銀放電ランプが取り付けられる光照射装置の構成上、水平配置させる要求、つまり陽極と陰極とを共に水平に配置して対向させた状態で使用したいとの要求がある。
しかしながら、水銀放電ランプを水平配置させた場合は、陰極の先端部から外れた上方部分を中心とした斜め上方向にわたって、焼けによる変色(黒色)が発生してしまうことがあった。そして、陰極に変色が発生している水銀放電ランプは、出射光における紫外線強度維持率が変化してしまい、所望の寿命時間まで耐えられないことが分かった。
このような陰極の変色は、本来、アーク放電が起こるはずの焼結体先端部から陰極の上方側へアーク放電の輝点の位置がずれてしまうために発生すると考えられる。つまり、水平配置によりアーク放電の輝点が陰極先端部上方にずれると、輝点が基体(陰極本体)に近づくため、基体の温度が上昇してしまうとともに、陰極全体の温度が上昇してしまうことになる。このような状態では、焼結体に含まれるエミッションの蒸発が促進されるため、ランプバルブ内面の黒化が促進され、さらには焼結体の温度上昇が発生する。また、この場合、焼結体の熱電子放射性が高まり、焼結体先端以外からもアーク放電が容易になってさらに輝点が拡がってしまう。その結果として、このランプを楕円ミラーの第一焦点に輝点を合わせて、第二焦点に、ランプからの光を集光しようとすると、その効率が低下してしまうことになる。このように、アーク放電の輝点の位置ずれによる陰極の温度上昇は、水銀放電ランプの寿命を短くするという問題を発生させる。
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、水平配置させた場合であっても陰極における温度上昇を抑制することが可能な水銀放電ランプを提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の水銀放電ランプは、ランプバルブと、ランプバルブ内に封設した陰極および陽極と、ランプバルブ内に封入した水銀および希ガスと、ランプバルブの両端から軸方向にそれぞれ延伸するステムと、各ステムの先端に設けられ陰極および陽極のそれぞれと電気的に接続された陰極側口金および陽極側口金と、を備え、陰極および陽極が水平となるような姿勢で用いられる水銀放電ランプであって、水銀の封入量が、10〜50mg/cmであり、希ガスは、キセノンガス、アルゴンガス、またはクリプトンガスのいずれか、若しくはこれらを混合したものであって、その封入圧が、3〜15気圧の範囲であり、ステム内で陰極と陰極側口金とを接続する電気導電箔を有し、陰極、電気導電箔および陰極側口金による熱移動量が1.8〜6.8Wであり、陰極側口金および陽極側口金に120〜250Wの電力が供給されたときに、陰極の先端温度が、1100℃〜1900℃の範囲に維持されることを特徴とする。
このような構成によれば、水銀放電ランプを水平配置させた場合であっても、陰極の先端温度が、陰極と陽極との間にアーク放電を発生させ得る温度以上で、かつアーク放電が生じた後においても陰極の先端に焼けによる変色(黒色)が発生しない温度(1100℃〜1900℃)に維持される。このため、水銀放電ランプの寿命が短くるといった問題は発生しない。
また、電気導電箔の断面積が、0.112〜0.720mmであることが望ましい。
また、電気導電箔の断面積が、ステムの断面積に対して、0.22〜0.46%であることが望ましい。
また、電気導電箔は、モリブデン、タングステン、またはタンタルのいずれかの材料またはその合金により構成されることが望ましい。
また、電気導電箔と陰極側口金とを電気的に接続する平板形状のリードピンを備えることができる。また、この場合、電気導電箔の幅とリードピンの幅が、略同一であることが望ましい。
また、電気導電箔と陰極側口金とを電気的に接続する円柱形状のリードピンを備えることができる。また、この場合、陰極側口金は、有底の円筒部を有し、リードピンは円筒部内に収容され、リードピンの円周面と円筒部の内周面が嵌合することが望ましい。また、この場合、陰極側口金とリードピンとが、金属ペーストまたは導電性セラミックを介して固定されるのが望ましい。
以上のように、本発明によれば、水平配置させた場合であっても陰極における温度上昇を抑制することが可能な水銀放電ランプが実現される。
本発明の実施形態に係る水銀放電ランプの概略構成を示す説明図である。 本発明の実施形態に係る水銀放電ランプの陰極から口金までの概略構成を説明する図である。 本発明の実施形態に係る水銀放電ランプにおいて、放熱経路を構成する要素の具体例を示す説明図である。 本発明の実施形態に係る水銀放電ランプの陰極先端温度のシミュレーション結果を示すグラフである。 本発明の実施形態に係る水銀放電ランプの陰極先端温度のシミュレーション結果を示すグラフである。 本発明の実施形態に係る水銀放電ランプの陰極先端温度のシミュレーション結果を示すグラフである。 本発明の実施形態に係る水銀放電ランプの陰極先端温度のシミュレーション結果を示すグラフである。 本発明の実施形態に係る水銀放電ランプの陰極先端温度のシミュレーション結果を示すグラフである。 本発明の実施形態に係る水銀放電ランプの点灯時間と紫外線強度維持率との関係を示す図である。 本発明の実施形態に係る水銀放電ランプにおける希ガスの封入圧と陰極先端(近傍)の温度との関係を示す図である。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、図中同一又は相当部分には同一の符号を付してその説明は繰り返さない。
図1は、本発明の実施形態に係る水銀放電ランプ10の概略構成を示す説明図である。図1(a)は、本実施形態に係る水銀放電ランプ10の全体構成を説明する図であり、図1(b)は、本実施形態に係る水銀放電ランプ10の陰極12および陽極13の構成を説明する図である。
図1(a)に示すように、本実施形態の水銀放電ランプ10は、水平配置された状態で点灯されるランプであり、ランプバルブ11と、陰極12および陽極13と、水銀および希ガス(いずれも不図示)と、電気導電箔14、15と、口金16と、を備えている。
ランプバルブ11は、発光空間の形成容器となるもので、例えば石英ガラスによって形成されたものである。
陰極12および陽極13は、互いが対向する状態でランプバルブ11内に封設されたものである。陰極12は、アーク放電を継続するための電子放出口として機能する部材であり、本実施形態においては、高融点金属粉末とエミッター粉末とからなる焼結体を展延性に富む高融点金属の筒部内に配置してなる焼結体陰極を使用している。一方、陽極13は、アーク放電に曝されて電子の流入口として機能する部材である。そのため非常に高温となることから、本実施形態の陽極13においては、高温での熱蒸発の小さい金属であるタングステンを用いている。
水銀は、発光の主成分としてランプバルブ11内に封入されるものである。封入量は、水銀のスペクトルのどの波長帯域の発光強度を強くするかによって異なるが、本実施形態の水銀放電ランプ10においては、陰極12の先端温度の観点から、10〜50mg/cmの水銀を封入している(詳細は後述)。なお、封入量を相対的に少なくすることで、例えば波長365nmにおいてスペクトル幅の狭いi線を放射することが可能となる。
希ガスは、ランプ始動を補助するためにランプバルブ11内に封入されるものである。本実施形態の水銀放電ランプ10には、キセノンガスが、略10気圧で封入されている。なお、封入量は、一般的に、始動性、ランプの寿命特性、ランプの光学特性等を鑑みて決定される。このような希ガスとしては、キセノンの他に、アルゴン、クリプトン等のガスを用いることができる。
電気導電箔14、15は、陰極12および陽極13に外部から電力を供給すべく、ランプバルブ11の発光空間ではない管状部分内(つまり、ステム内)に封設された、長さ25mm、幅4mm、厚さ0.020〜0.100mm程度の薄板状の部材である。電気導電箔14は、陰極側の口金16と陰極12とに電気的に接続され、陰極12への給電を行う。また、電気導電箔15は、陽極側の口金16と陽極13とに電気的に接続され、陽極13への給電を行う。なお、本実施形態の電気導電箔14、15は、導電性を持つ金属であるモリブデンから形成されている。
口金16は、不図示の点灯電源に接続されて、水銀放電ランプ10の陰極12および陽極13に電力を供給するための端子である。
図1(b)に示すように、本実施形態の陰極12には、陰極本体12aと焼結体12bとからなる焼結体陰極を使用している。
陰極本体12aは、展延性に富む高融点金属(例えば、モリブデン、タングステン、タンタル、ニオブ等)からなる部材であり、先端部(陽極13側の端部)以外の部分が円柱状で、かつ、先端部が先端に向かって小径となる円錐台状に形成されている。また、陰極本体12aの先端部(以下、単に「陰極先端部」という。)は、筒状に形成されており、その内部に焼結体12bが配置されている。
焼結体12bは、高融点金属粉末と、電子線放射の良好なエミッター粉末とを、所定比で混合し、所定形状にプレス成型した後、焼結したものである。高融点金属粉末としては、モリブデン、タングステン、ニッケル等を用いることができる。また、エミッター粉末としては、アルカリ土類金属(Sr、Ba、Ca)若しくはその化合物、またはアルカリ土類金属酸化物と他の金属(Zr、Be)酸化物との複合酸化物を用いることができる。
以上のような構成の本実施形態の水銀放電ランプ10は、高圧水銀ランプ用の点灯電源を用いて、例えば7.5Aの定電流制御によって点灯される。具体的には、点灯電源から印加される電流が、口金16および電気導電箔14、15を経て、陰極12および陽極13に供給されると、ランプバルブ11の発光空間内における電極両端に始動電圧がかけられ、電極間で絶縁破壊し、アークが成長する。このアークが成長するにつれ、ランプバルブ11の発光空間内の温度が上昇し、室温でランプバルブ11の管壁に凝集していた水銀が蒸発する。蒸発した水銀は、プラズマ中で電子やイオンと衝突し、水銀が励起したり電離したりする。励起した水銀は、基底状態、または準安定状態に戻るときに、そのエネルギーに見合う光を放射する。つまり、ランプバルブ11の発光空間内でアーク放電が形成されると、水銀が励起状態から基底状態または準安定状態に戻るときのエネルギー差によって、輝線スペクトルと呼ばれる、ある波長に限定された強い光が発せられることになる。また、アーク放電の形成箇所からは、輝線スペクトルの他に、自由電子とイオンの再結合により輝線以外の連続スペクトルの光も発せられる。
このようなアーク放電による点灯を行う場合、陰極12は、仕事関数が低く、熱電子放出が低いエネルギーで起こることが望ましい。この点、本実施形態の陰極12は、焼結体陰極であることから、仕事関数が1.1〜1.7eV程度であり、従来のトリエイテッドタングステン材料を用いた陰極(仕事関数:2.63eV程度)と比較して低いものとなっている。したがって、従来のトリエイテッドタングステン材料を用いた陰極(動作温度:1600〜2000℃)に比べて、動作温度の低い(例えば、1000〜1250℃程度)ものとなる。
なお、上述したように、本実施形態の水銀放電ランプ10は、水平配置された状態で点灯されることを想定したものである。「水平配置」とは、陰極12と陽極13が上下に位置する関係にするのではなく、陰極12と陽極13とを共に水平に配置して対向させた状態にすることをいう。ここで「水平」とは、重力方向と直角な方向の他に、技術常識から判断して水平と見做しても差し支えない方向をも含むものとする。
上述したように、水銀放電ランプ10を水平配置された状態で点灯させる場合には、アーク放電の輝点が陰極先端部の上方にずれてしまうといった問題がある。そして、アーク放電の輝点の位置ずれが発生すると、陰極12の温度上昇を招き、水銀放電ランプ10の寿命が短くなることが懸念される。
この点につき、本願発明者は、鋭意検討を行った。その結果、アーク放電の輝点の位置ずれが発生する原因については未解明であるが、アーク放電の輝点の位置ずれが発生しても、陰極12の温度上昇を抑制することができれば、水銀放電ランプ10の寿命に悪影響が及ぶことを回避できるのではないかとの着想を得た。そして、本願発明者は、さらに鋭意検討を重ね、陰極12の温度上昇を抑制する温度上昇抑制手段を水銀放電ランプ10に設けることで、当該水銀放電ランプ10の点灯による陰極12の温度上昇を抑制することができるとの知見に至った。
以下、上述した本願発明者の知見に基づき案出された、本実施形態の温度上昇抑制手段について詳述する。
本実施形態の水銀放電ランプ10の温度上昇抑制手段は、水銀放電ランプ10の点灯による陰極12の温度上昇を、水銀放電ランプ10の構成要素にて抑制するものであり、具体的には、電気導電箔14およびこれと接続する口金16が、陰極12で生じた熱をランプバルブ11外へ放出するための放熱経路を構成していることから、これらの構造に起因する熱移動量に着目し、熱移動量を最適化することによって陰極12の温度上昇を抑制している。
熱移動量とは、陰極12から口金16までの放熱経路における総伝熱量Q(W)をいい、下記式(1)で表されるパラメータである。
Q(W)=qA=−λ・A・dT/dx ・・・(1)
ここで、q(W/m)は熱流束であり、A(m)は伝熱面積であり、λは熱伝導率であり、dT/dxは温度勾配である。
詳細は後述するが、本実施形態においては、式(1)に基づいて、陰極12から口金16までの放熱経路における熱移動量を求め、熱移動量が1.8〜6.8Wの範囲となるように、放熱経路の構成要素(電気導電箔14、リードピン16a等)を構成している。
なお、温度上昇抑制手段によって陰極12の温度が相対的に低下するが、陰極12の温度は、陰極12と陽極13との間にアーク放電を発生させ得る温度以上で、かつアーク放電が生じた後においても陰極12の先端に焼けによる変色(黒色)が発生しない温度である必要がある。つまり、温度上昇抑制手段によって抑制された陰極12の先端の温度範囲は、具体的には、例えば1100〜1900℃の範囲であり、より好ましくは1230〜1750℃の範囲である。
図2は、水銀放電ランプ10の陰極12から口金16までの概略構成を説明する図である。図2に示すように、本実施形態の水銀放電ランプ10においては、電気導電箔14の一端部が陰極12の電極部分12cとスポット溶接によって接続されているとともに(図中A部参照)、他端部が口金16に内包されるリードピン16aの一端部とスポット溶接によって接続されている(図中B部参照)。リードピン16aは、例えば導電性を持つ金属材料によって形成されたもので、リードピン16aの他端部(つまり、電気導電箔14との接続端とは反対側の端部)は、口金16に内包されるリード線16bとスポット溶接によって接続されている(図中C部参照)。リード線16bは、一端部にニッケル箔等の金属箔が巻き付けられた金属撚線からなるもので、リードピン16aと同様に口金16に内包されており、金属箔が巻き付けられた一端部がリードピン16aとスポット溶接によって接続されているとともに、他端部が口金16の先端部分と例えば銀ロウで接続されている(図中D部参照)。従って、陰極12で生じた熱は、陰極12の電極部分12cから電気導電箔14、リードピン16aおよびリード線16bを通じて口金16へ伝わり、口金16からランプバルブ11外へ放熱されることになる。
ここで、放熱経路による放熱効果について、具体例を挙げて説明する。図3は、放熱経路を構成する要素の具体例を示す説明図であり、図3(a)〜(c)は、それぞれ、本願発明者が陰極先端温度のシミュレーションを行った3つのモデルの構成を示している。
図3(a)に示す第1のモデルは、1乃至4枚の電気導電箔14(図3(a)において不図示)と、長さ10mm、直径1.2mmの円柱形状のリードピン16aを備えている。
図3(b)に示す第2のモデルは、1乃至2枚の電気導電箔14と、電気導電箔14と略同一の幅を有し(つまり、幅略4mm)、長さ8mm、厚さ1.2mmの平板形状のリードピン16aを備えている。
図3(c)に示す第3のモデルは、1乃至2枚の電気導電箔14と、長さ15.5mm、直径9.0mmの円柱形状のリードピン16aを備えている。リードピン16aの一端面には、幅4.0mm、厚さ1.2mm、高さ2.0mmの突出部が形成されている。そして、リードピン16aの突出部が電気導電箔14に接続するとともに、リードピン16aの本体部(つまり、円柱形状部分)が、導電接合部材16c(例えば、銀ペースト等の金属ペースト、導電性セラミック等)を介して、有底の円筒形状を呈する口金16内に嵌合している(つまり、リードピン16aの円周面と口金16の内周面が嵌合している)。したがって、第3のモデルの放熱経路は、リード線16bを備えていない点で、上記第1のモデル及び第2のモデルと異なっている。
表1〜3は、図3の第1のモデル、第2のモデル及び第3のモデルにおいて、電気導電箔14の箔構成(箔の枚数)及び箔厚みをそれぞれ変更して、陰極先端温度をシミュレーションした結果を示す表である。表1は、第1のモデルにおける陰極先端温度のシミュレーション結果を示し、表2は、第2のモデルにおける陰極先端温度のシミュレーション結果を示し、表3は、第3のモデルにおける陰極先端温度のシミュレーション結果を示している。なお、各シミュレーションにおいては、水銀の封入量が陰極先端温度に影響することから、水銀の封入量を10〜50mg/cmの範囲で変更して、陰極先端温度を求めている。
なお、第1のモデル(箔構成:1枚箔)について、上記式(1)に基づいて熱移動量のシミュレーションをしたところ、熱移動量は1.8Wとなった。また、第1のモデル(箔構成:1枚箔、水銀量:15mg/cc)の陰極先端温度を以下の測定条件で測定したところ、1655℃となった。
(測定条件)
測定器:放射温度計 TR−630(コニカミノルタ株式会社)
測定タイミング:消灯直後
測定距離:18cm
NDフィルタ:なし
拡大レンズ:CLOSE−UP LENS No.122
放射率:0.39
そして、陰極先端温度が1655℃となるときの、陰極12に必要なエネルギーをシミュレーションによって求めたところ、27Wであることが分かった。そこで、表1〜3の各シミュレーションにおいては、陰極12に27Wのエネルギーを入力したときの陰極先端温度を示している。また、表1〜3の熱移動量については、第1のモデル(箔構成:1枚箔)の熱移動量(1.8W)を基準とし、他のモデルについては、各モデルの陰極先端温度と第1のモデルの陰極先端温度との差から熱移動量を求めている。
Figure 0006294901
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表1〜3の最上段の熱移動量の値を比較すると分かるように、各モデルにおいて、リード線16bの形状等、放熱経路の構成が異なるため、熱移動量の値が異なっている。そして、電気導電箔14の条件が同じであれば(箔断面積が同じであれば)、第1のモデルの熱移動量よりも第2のモデルの熱移動量の方が大きく、第2のモデルの熱移動量よりも第3のモデルの熱移動量の方が大きくなっているのが分かる。また、箔の厚みを増やしたり、箔の枚数を増やして、箔断面積を大きくすると、それに応じて熱移動量が大きくなり、陰極12で生じた熱がより多く移動するため、陰極先端温度がより低くなるのが分かる。なお、表1〜3に示す構成においては、箔の厚みを増やしたり、箔の枚数を増やすことにより、電気導電箔14の断面積が0.112〜0.720mmの範囲で調整され、これによって熱移動量が1.8〜6.8Wの範囲で調整されている。そして、表1〜3に示した条件下においては、陰極先端温度が全て1100〜1900℃の温度範囲に入り、表1〜3に示した構成(つまり、第1のモデル、第2のモデル及び第3のモデルの構成)が温度上昇抑制手段として好適であることが分かる。なお、一般に、陰極先端温度は、ランプバルブ11内に封入される水銀量が多くなるほど、高くなる傾向にあるが、表1〜3に示した条件下(つまり、熱移動量:1.8〜6.8W)においては、陰極先端温度が全て1100〜1900℃の温度範囲に入ることから、少なくとも10〜50mg/cmの範囲で水銀を封入しても問題ないといえる。
なお、上述のとおり、陰極先端温度を下げるためには、箔の厚みを増やしたり、箔の枚数を増やして、箔断面積を大きくすることが有効であるが、箔断面積を大きくしすぎると、電気導電箔14を形成するモリブデンとランプバルブ11を形成するガラスの膨張係数が異なることから、ステム内に収納できないといった問題が発生する。そこで、本実施形態においては、電気導電箔の断面積が、ステムの断面積(例えば、49.5〜78.5mm)に対して、0.22〜0.46%となるように構成している。つまり、電気導電箔の断面積がステムの断面積に対して、0.22%を下回ると、熱移動量が1.8Wを下回り、0.46%を上回ると、上記のようにステム内に収納できないといった問題が発生する。
また、上述したように、陰極先端温度は、点灯電力の影響を受けることから、点灯電力の観点からも同様のシミュレーションを行った。
図4〜図8は、点灯電力を変更して、上記と同様のシミュレーションを行った結果を示すグラフである。図4は、点灯電力が100Wの時のシミュレーション結果を示すグラフである。図5は、点灯電力が120Wの時のシミュレーション結果を示すグラフである。図6は、点灯電力が150Wの時のシミュレーション結果を示すグラフである。図7は、点灯電力が200Wの時のシミュレーション結果(つまり、表1〜表3の結果)を示すグラフである。図8は、点灯電力が250Wの時のシミュレーション結果を示すグラフである。なお、図4〜図8において、横軸は熱移動量(W)であり、縦軸は陰極先端温度(℃)である。
図4〜図8を比較すると分かるように、点灯電力が大きくなると、陰極先端温度が高くなる傾向を示す。また、上述のとおり、熱移動量が大きくなるほど、陰極先端温度が低くなり、水銀量が多くなるほど、陰極先端温度が高くなる傾向を示す。そして、上述したように、水銀放電ランプ10の寿命の観点から、望ましい陰極先端温度が1100〜1900℃であることを考慮すると、表1〜3に示した条件下(つまり、熱移動量:1.8〜6.8W、水銀量:10〜50mg/cm)においては、点灯電力が120〜250W(図5、図8)とするのが望ましいことが分かった。
以上のシミュレーション結果から、本実施形態の水銀放電ランプ10においては、陰極12から口金16に至るまでの放熱経路の熱移動量が1.8〜6.8Wとなるように構成し、10〜50mg/cmの水銀を封入している。また、120〜250Wの電力で点灯させる仕様としている。
図9は、水銀放電ランプ10の点灯時間と紫外線強度維持率との関係を示す図であり、水銀放電ランプ10を7.5Aの定電流制御によって点灯させた場合の、出射光の紫外線強度維持率を示している。図9の横軸は点灯後の経過時間(h)であり、縦軸は出射光の紫外線強度維持率(%)である。なお、図9においては、本実施形態の水銀放電ランプ10の紫外線強度維持率の変化(図中の実線)に加え、比較のため、本実施形態の温度上昇抑制手段を備えていない、従来構成の水銀放電ランプの紫外線強度維持率の変化(図中の波線)についても示している。
図9に示すように、従来構成の水銀放電ランプでは、本実施形態のような温度上昇抑制手段を備えていないため、陰極が高温になってしまい、出射光における紫外線強度維持率が低下してしまうこと(つまり、寿命が短くなってしまうこと)があった。これに対して、本実施形態の水銀放電ランプ10では、温度上昇抑制手段を備えているため、陰極12の温度上昇を抑制することができ、4000h以上にわたって、高い紫外線強度維持率(例えば、80%以上)を保つことが可能となっている。
このように、本実施形態の水銀放電ランプ10は、陰極12から口金16に至るまでの放熱経路を工夫することで、熱移動量が1.8〜6.8Wとなるように構成し、これによって、陰極先端温度が1100〜1900℃の範囲となるように構成している。従って、水銀放電ランプ10を水平配置して使用したとしても、水銀放電ランプ10の寿命に悪影響が及ぶことはなく、4000hを超える長さの点灯時間まで出射光における紫外線強度維持率を許容範囲内に保つことが可能となる。また、電気導電箔14やリードピン16a等、ランプバルブ11内の構成要素を利用して所定の熱移動量となるように構成しているため、新たな構成要素を追加する必要がなく、水銀放電ランプ10が大型化することもなく、また構成が複雑になることもない。
以上が本発明の実施の形態、及び実施例の説明であるが、本発明は、上記の構成に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内において様々な変形が可能である。
例えば、本実施形態においては、水銀放電ランプ10が水平配置された状態で使用されるものとして説明したが、水銀放電ランプ10を垂直配置して使用することもできる。水銀放電ランプ10を垂直配置して使用すると、アーク放電の輝点が陰極先端部の上方にずれてしまうといった問題が発生しないため、水銀放電ランプ10の長寿はより長いものとなる。
また、本実施形態においては、陰極12が焼結体陰極であるとして説明したが、例えばトリエイテッドタングステン材料のような単一材料によって構成された陰極であっても、本実施形態で説明した温度上昇抑制手段を備えることで、その温度上昇を抑制することができる。
また、本実施形態においては、電気導電箔14やリードピン16aの構成を工夫して、熱移動量を調整する構成としたが、このような構成に限定されるわけではなく、例えば、陰極本体12aの外形を変更して熱移動量を調整することもできる。
また、本実施形態においては、希ガスとして、キセノンが、略10気圧で封入されているものとしたが、このような構成に限定されるものではない。
図10は、水銀放電ランプ10における希ガスの封入圧とアーク放電の温度との関係を示す図であり、365nm帯域を強調点灯させる場合の、希ガスであるキセノンガスの封入圧とアーク放電の温度との関係を示している。なお、図10の横軸はキセノンガスの封入圧(単位:atm)であり、縦軸はアーク放電の温度(単位:℃)である。
図10に示すように、アーク放電の温度は、キセノンガスの封入圧が高いほど低くなる。従って、陰極先端温度が1100〜1900℃の範囲となるように、本実施形態における熱移動量の調整と併せて、キセノンガスの封入圧を調整することもできる。なお、一般に、希ガスの封入圧は、ランプ始動性等を考慮して、少なくとも2気圧以上、より具体的には、3気圧から15気圧とすることが好ましい、さらに、6気圧〜12気圧であることがより好ましい。封入圧が3気圧を下回ると陽極と陰極との間に形成されるアークの形状が大きく膨らみ、先端部から基底部の比較的広い領域にアークが拡がることになる。その結果、陰極先端部以外の部分も高温となり好ましくない。封入圧が15気圧を超えると希ガスが封入されたランプバルブの強度により、点灯時等に破裂する危険性が増大することから好ましくない。
また、今回開示された実施の形態は、全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
10 水銀放電ランプ
11 ランプバルブ
12 陰極
12a 陰極本体
12b 焼結体
13 陽極
14、15 電気導電箔
16 口金
16a リードピン
16b リード線

Claims (9)

  1. ランプバルブと、前記ランプバルブ内に封設した陰極および陽極と、前記ランプバルブ内に封入した水銀および希ガスと、前記ランプバルブの両端から軸方向にそれぞれ延伸するステムと、前記各ステムの先端に設けられ前記陰極および前記陽極のそれぞれと電気的に接続された陰極側口金および陽極側口金と、を備え、前記陰極および前記陽極が水平となるような姿勢で用いられる水銀放電ランプにおいて、
    前記水銀の封入量が、10〜50mg/cmであり、
    前記希ガスは、キセノンガス、アルゴンガス、またはクリプトンガスのいずれか、若しくはこれらを混合したものであって、その封入圧が、3〜15気圧の範囲であり、
    前記ステム内で前記陰極と前記陰極側口金とを接続する電気導電箔を有し、
    前記陰極、前記電気導電箔および前記陰極側口金による熱移動量が1.8〜6.8Wであり、
    前記陰極側口金および前記陽極側口金に120〜250Wの電力が供給されたときに、前記陰極の先端温度が、1100℃〜1900℃の範囲に維持される
    ことを特徴とする水銀放電ランプ。
  2. 前記電気導電箔の断面積が、0.112〜0.720mmであることを特徴とする請求項1に記載の水銀放電ランプ。
  3. 前記電気導電箔の断面積が、前記ステムの断面積に対して、0.22〜0.46%であることを特徴とする請求項1又は請求項に記載の水銀放電ランプ。
  4. 前記電気導電箔は、モリブデン、タングステン、またはタンタルのいずれかの材料またはその合金により構成されることを特徴とする請求項1から請求項のいずれか一項に記載の水銀放電ランプ。
  5. 前記電気導電箔と前記陰極側口金とを電気的に接続する平板形状のリードピンを備えることを特徴とする請求項1から請求項のいずれか一項に記載の水銀放電ランプ。
  6. 前記電気導電箔の幅と前記リードピンの幅が、略同一であることを特徴とする請求項に記載の水銀放電ランプ。
  7. 前記電気導電箔と前記陰極側口金とを電気的に接続する円柱形状のリードピンを備えることを特徴とする請求項1から請求項のいずれか一項に記載の水銀放電ランプ。
  8. 前記陰極側口金は、有底の円筒部を有し、前記リードピンは前記円筒部内に収容され、前記リードピンの円周面と前記円筒部の内周面が嵌合することを特徴とする請求項に記載の水銀放電ランプ。
  9. 前記陰極側口金と前記リードピンとが、金属ペーストまたは導電性セラミックを介して固定されていることを特徴とする請求項に記載の水銀放電ランプ。
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