JP6294198B2

JP6294198B2 - Wiring board

Info

Publication number: JP6294198B2
Application number: JP2014194597A
Authority: JP
Inventors: 川井　信也; 信也川井
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2014-09-25
Filing date: 2014-09-25
Publication date: 2018-03-14
Anticipated expiration: 2034-09-25
Also published as: JP2016064571A

Description

本発明は、電子機器（例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器およびその周辺機器）等に使用される配線基板に関する。 The present invention relates to a wiring board used for electronic equipment (for example, various audiovisual equipment, home appliances, communication equipment, computer equipment and peripheral equipment).

従来から、例えば特許文献１に記載されているように、基材（シート部材）に樹脂フィルム（絶縁層）を積層した積層フィルム（絶縁シート）を使用してプリント配線板を作製することが知られている。 Conventionally, for example, as described in Patent Document 1, it is known to produce a printed wiring board using a laminated film (insulating sheet) in which a resin film (insulating layer) is laminated on a base material (sheet member). is not that.

特開２０１０−３１１７６号公報JP 2010-31176 A

本発明の一実施形態に係る配線基板は、コア基板と、該コア基板の上下に設けられた一対の配線層とを備えており、該配線層は、絶縁層と、該絶縁層の前記コア基板とは反対側の表面に設けられた配線とを有しており、前記絶縁層は、前記コア基板側に位置している第２絶縁層と、該第２絶縁層の前記コア基板とは反対側に位置している第１絶縁層とを有しており、前記第１絶縁層は、平均粒子径が５ｎｍ以上１００ｎｍ未満の第１無機絶縁粒子と平均粒子径が０．１μｍ以上５μｍ以下の第２無機絶縁粒子とで構成される無機絶縁粒子と、第１樹脂部とを含み、前記配線側に、前記第１無機絶縁粒子のサイズの凹部を有する表面を有し、該表面の前記凹部に前記配線の一部が被着している。A wiring board according to an embodiment of the present invention includes a core board and a pair of wiring layers provided above and below the core board. The wiring layer includes an insulating layer and the core of the insulating layer. A wiring provided on a surface opposite to the substrate, and the insulating layer includes a second insulating layer located on the core substrate side and the core substrate of the second insulating layer. A first insulating layer located on the opposite side, the first insulating layer having a first inorganic insulating particle having an average particle diameter of 5 nm or more and less than 100 nm and an average particle diameter of 0.1 μm or more and 5 μm or less. Inorganic insulating particles composed of the second inorganic insulating particles and a first resin portion, and on the wiring side, the surface has a recess having a size of the first inorganic insulating particles, the surface of the surface A part of the wiring is attached to the recess.

図１は、一実施形態に係る絶縁シートの概略を示した断面図である。Drawing 1 is a sectional view showing the outline of the insulating sheet concerning one embodiment. 図２は、一実施形態に係る絶縁シートの一部を拡大して示した断面図である。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a part of the insulating sheet according to the embodiment. 図３は、一実施形態に係る配線基板の概略を示した断面図である。Figure 3 is a cross-sectional view showing an outline of a wiring board according to an embodiment. 図４は、一実施形態に係る絶縁シートを使用して製造する配線基板の製造方法の一工程を示した断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing one step of a method for manufacturing a wiring board manufactured using an insulating sheet according to an embodiment. 図５は、一実施形態に係る絶縁シートを使用して製造する配線基板の製造方法の一工程を示した断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating one step of a method for manufacturing a wiring board manufactured using an insulating sheet according to an embodiment. 図６は、一実施形態に係る絶縁シートを使用して製造する配線基板の製造方法の一工程を示した断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating one step of a method for manufacturing a wiring board manufactured using an insulating sheet according to an embodiment.

＜絶縁シート＞
以下、一実施形態に係る絶縁シートについて、図１および図２を参照しつつ説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。 <Insulation sheet>
Hereinafter , an insulating sheet according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. The present invention is not limited to the following embodiments, and various changes and improvements can be made without departing from the scope of the present invention.

図１は、絶縁シートを上下方向に切断した断面を模式的に示している。図２は、シート部材と絶縁層との界面の様子を模式的に示している。 FIG. 1 schematically shows a cross section of the insulating sheet cut in the vertical direction. FIG. 2 schematically shows the state of the interface between the sheet member and the insulating layer.

絶縁シート１は、例えば、後述するように配線基板の製造に使用されるものである。この絶縁シート１は、図１に示すように、シート部材２と、シート部材２上に積層されている絶縁層３とを有している。 The insulating sheet 1 is used, for example, for manufacturing a wiring board as will be described later. As shown in FIG. 1, the insulating sheet 1 includes a sheet member 2 and an insulating layer 3 laminated on the sheet member 2.

シート部材２は、絶縁シート１を取り扱う際に、絶縁層３を支持するものである。シート部材２は、配線基板の製造時には絶縁層３から剥がされたり、配線に加工されたりする。シート部材２は、例えば平板状である。シート部材２は、例えば銅等の金属材料、あるいはポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂またはポリエチレン樹脂等の熱可塑性樹脂等の樹脂材料からなる。シート部材２が樹脂材料からなる場合は、シート部材２のしわ等の発生を低減することができる。一方で、シート部材２が金属材料からなる場合は、シート部材２の耐熱性を向上させることができる。 The sheet member 2 supports the insulating layer 3 when the insulating sheet 1 is handled. The sheet member 2 is peeled off from the insulating layer 3 or processed into wiring when the wiring board is manufactured. The sheet member 2 has, for example, a flat plate shape. The sheet member 2 is made of, for example, a metal material such as copper, or a resin material such as a thermoplastic resin such as polyethylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, polyester resin, polyimide resin, or polyethylene resin. When the sheet member 2 is made of a resin material, generation of wrinkles and the like of the sheet member 2 can be reduced. On the other hand, when the sheet member 2 is made of a metal material, the heat resistance of the sheet member 2 can be improved.

シート部材２は、絶縁層３との接着力を向上させるために、シート部材２の主面に複数の凹部１０を形成し、絶縁層３との接触面積を大きくしてもよい。上下方向に沿った断面において凹部のそれぞれの開口幅は、例えば０．０１μｍ以上１０μｍ以下に設定されている。なお、凹部の開口幅は、レーザー変位計、原子間力顕微鏡（ＡＳＭ）または走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって測定することができる。 In order to improve the adhesive force with the insulating layer 3, the sheet member 2 may be formed with a plurality of recesses 10 on the main surface of the sheet member 2 to increase the contact area with the insulating layer 3. In the cross section along the vertical direction, the opening width of each recess is set to, for example, 0.01 μm or more and 10 μm or less. The opening width of the recess can be measured by a laser displacement meter, an atomic force microscope (ASM), or a scanning electron microscope (SEM).

シート部材２の厚みは、例えば３μｍ以上１００μｍ以下に設定されている。シート部
材２のヤング率は、例えば０．５ＧＰａ以上１２ＧＰａ以下に設定されている。シート部材２の熱膨張率は、例えば２０ｐｐｍ/℃以上１２０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
なお、シート部材２のヤング率は、ＭＴＳシステムズ社製Nano Indentor ＸＰ／ＤＣＭを用いて測定される。また、シート部材２の熱膨張率は、市販のＴＭＡ装置を用いて、ＪＩＳＫ７１９７−１９９１に準じた測定方法によって測定される。 The thickness of the sheet member 2 is set to 3 μm or more and 100 μm or less, for example. The Young's modulus of the sheet member 2 is set to 0.5 GPa or more and 12 GPa or less, for example. The thermal expansion coefficient of the sheet member 2 is set to 20 ppm / ° C. or more and 120 ppm / ° C. or less, for example.
The Young's modulus of the sheet member 2 is measured using Nano Indentor XP / DCM manufactured by MTS Systems. Moreover, the thermal expansion coefficient of the sheet | seat member 2 is measured by the measuring method according to JISK7197-1991 using a commercially available TMA apparatus.

絶縁層３は、作製された配線基板の配線間の絶縁を確保するものである。絶縁層３は、シート部材２上に積層された第１絶縁層４と、第１絶縁層４上に積層された第２絶縁層５とを有している。絶縁層３の厚みは、例えば５μｍ以上５０μｍ以下、望ましくは８μｍ以上２０μｍ以下に設定されている。 The insulating layer 3 ensures insulation between the wirings of the produced wiring board. The insulating layer 3 includes a first insulating layer 4 stacked on the sheet member 2 and a second insulating layer 5 stacked on the first insulating layer 4. The thickness of the insulating layer 3 is set to, for example, 5 μm or more and 50 μm or less, desirably 8 μm or more and 20 μm or less.

第１絶縁層４は、配線基板の製造時に表層の一部が除去されて、絶縁層３の表面を粗化する役割を担う。第１絶縁層４は、例えば層状である。第１絶縁層４の厚みは、例えば１μｍ以上３μｍ以下に設定されている。 The first insulating layer 4 plays a role of roughening the surface of the insulating layer 3 by removing a part of the surface layer when the wiring board is manufactured. The first insulating layer 4 is, for example, layered. The thickness of the first insulating layer 4 is set to, for example, 1 μm or more and 3 μm or less.

第１絶縁層４は、図２に示すように、複数の無機絶縁粒子６および第１樹脂部８によって形成されている。具体的に、複数の無機絶縁粒子６が粒子形状を保持したまま互いの一部で結合することによって、第１絶縁層４の主要部が形成されている。複数の無機絶縁粒子６が粒子形状を保持したまま互いの一部で結合しているため、複数の無機絶縁粒子６同士の間には間隙７が存在している。そして、間隙７には、樹脂が充填されて、第１樹脂部８を形成している。 As shown in FIG. 2, the first insulating layer 4 is formed by a plurality of inorganic insulating particles 6 and a first resin portion 8. Specifically, the main part of the first insulating layer 4 is formed by bonding a plurality of inorganic insulating particles 6 with a part of each other while maintaining the particle shape. Since the plurality of inorganic insulating particles 6 are bonded to each other while maintaining the particle shape, there are gaps 7 between the plurality of inorganic insulating particles 6. The gap 7 is filled with resin to form the first resin portion 8.

第１絶縁層４の無機絶縁粒子６には、シート部材２に接した接触部９を有しているものがある。また、複数の無機絶縁粒子６は粒子形状を保持したまま互いの一部で結合しているため、間隙７は両主面にわたって貫通した開気孔となっている。そして、間隙７に充填された第１樹脂部８は、単に間隙７内に配されているだけでなく、シート部材２に接している。言い換えれば、第１樹脂部８は、複数の無機絶縁粒子６同士の間に配され、かつ複数の無機絶縁粒子６の表面とシート部材２の一主面に接している。これによって、配線形成時にシート部材２を剥がすと接触部９を有していた無機絶縁粒子６が露出する。その結果、無機絶縁粒子６を溶かすことによって絶縁層３の表面を粗化できるため、無機絶縁粒子６の大きさを制御することによって、粗化処理時の絶縁層３の表面の凹部の大きさを制御することができる。したがって、粗化処理で形成される絶縁層３表面の凹部を小さく形成しやすくすることができ、例えば微細な配線形成を容易にすることができる。 Some inorganic insulating particles 6 of the first insulating layer 4 have a contact portion 9 in contact with the sheet member 2. Further, since the plurality of inorganic insulating particles 6 are bonded to each other while maintaining the particle shape, the gap 7 is an open pore penetrating over both main surfaces. The first resin portion 8 filled in the gap 7 is not only disposed in the gap 7 but also in contact with the sheet member 2. In other words, the first resin portion 8 is disposed between the plurality of inorganic insulating particles 6 and is in contact with the surface of the plurality of inorganic insulating particles 6 and one main surface of the sheet member 2. Accordingly, when the sheet member 2 is peeled off at the time of wiring formation, the inorganic insulating particles 6 having the contact portions 9 are exposed. As a result, since the surface of the insulating layer 3 can be roughened by dissolving the inorganic insulating particles 6, the size of the recesses on the surface of the insulating layer 3 during the roughening treatment can be controlled by controlling the size of the inorganic insulating particles 6. Can be controlled. Therefore, the concave portion on the surface of the insulating layer 3 formed by the roughening treatment can be easily formed small, and for example, formation of fine wiring can be facilitated.

また、配線基板を作製する前の絶縁シート１の段階において、シート部材２に第１樹脂部８を接触させることによって、シート部材２と絶縁層３との接着強度を向上させることができる。その結果、シート部材２から絶縁層３が剥離することを低減し、絶縁シート１の取り扱いを容易にすることができる。 In addition, the adhesive strength between the sheet member 2 and the insulating layer 3 can be improved by bringing the first resin portion 8 into contact with the sheet member 2 at the stage of the insulating sheet 1 before producing the wiring board. As a result, peeling of the insulating layer 3 from the sheet member 2 can be reduced, and the handling of the insulating sheet 1 can be facilitated.

また、第１絶縁層４は、複数の無機絶縁粒子６同士が結合しているため、単に樹脂中に複数の無機絶縁粒子６が分散されている場合と比較して、第１絶縁層４の剛性を向上させることができる。その結果、第１絶縁層４を含む絶縁層３の変形を低減することができるため、例えばシート部材２を剥がす際に、絶縁層３が歪むことを低減することができる。 Moreover, since the 1st insulating layer 4 has couple | bonded several inorganic insulating particles 6, compared with the case where the several inorganic insulating particle 6 is simply disperse | distributed in resin, the 1st insulating layer 4 Stiffness can be improved. As a result, since deformation of the insulating layer 3 including the first insulating layer 4 can be reduced, for example, when the sheet member 2 is peeled off, distortion of the insulating layer 3 can be reduced.

また、シート部材２に複数の凹部１０が形成されている場合、凹部１０の内面に、無機絶縁粒子６が接触していてもよい。その結果、配線基板の形成時において、絶縁層３に凹部１０に対応した凸部と、その凸部の表面に微細な複数の凹部を形成することができ、絶縁層３と配線、または絶縁層３とこの絶縁層３に積層される他の絶縁層３との接着強度を向上させることができる。 Moreover, when the some recessed part 10 is formed in the sheet | seat member 2, the inorganic insulating particle 6 may be contacting the inner surface of the recessed part 10. FIG. As a result, when the wiring board is formed, the insulating layer 3 can be formed with a convex portion corresponding to the concave portion 10 and a plurality of fine concave portions on the surface of the convex portion, and the insulating layer 3 and the wiring or the insulating layer 3 and the other insulating layer 3 laminated | stacked on this insulating layer 3 can be improved.

また、無機絶縁粒子６は、シート部材２の凹部１０の開口部よりも小さい第１無機絶縁粒子１１と、シート部材２の凹部１０の開口部よりも大きい第２無機絶縁粒子１２とを含んでいてもよい。これによって、第１無機絶縁粒子１１は、凹部１０内に入り込むことができ、第２無機絶縁粒子１２は、凹部１０内に入り込まないことになる。その結果、第１無機絶縁粒子１１によって、絶縁層３の粗化に寄与するとともに、第２無機絶縁粒子１２によって絶縁層３の剛性等を向上させることができる。 The inorganic insulating particles 6 include first inorganic insulating particles 11 that are smaller than the openings of the recesses 10 of the sheet member 2 and second inorganic insulating particles 12 that are larger than the openings of the recesses 10 of the sheet member 2. May be. As a result, the first inorganic insulating particles 11 can enter the recess 10, and the second inorganic insulating particles 12 do not enter the recess 10. As a result, the first inorganic insulating particles 11 contribute to the roughening of the insulating layer 3 and the second inorganic insulating particles 12 can improve the rigidity and the like of the insulating layer 3.

第１無機絶縁粒子１１の平均粒子径は、例えば５ｎｍ以上１００ｎｍ未満に設定されている。第２無機絶縁粒子１２の平均粒子径は、０．１μｍ以上５μｍ以下に設定されている。無機絶縁粒子６（第１無機絶縁粒子１１および第２無機絶縁粒子１２）の平均粒子径は、例えば、まず第１絶縁層４の断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察し、２０粒子数以上５０粒子数以下の粒子を含むように拡大した断面を撮影し、拡大した断面にて各粒子の最大径を測定して、それらの最大径の平均値を計算することによって算出される。 The average particle diameter of the first inorganic insulating particles 11 is set to, for example, 5 nm or more and less than 100 nm. The average particle diameter of the second inorganic insulating particles 12 is set to 0.1 μm or more and 5 μm or less. The average particle diameter of the inorganic insulating particles 6 (the first inorganic insulating particles 11 and the second inorganic insulating particles 12) is, for example, that the cross section of the first insulating layer 4 is first observed with a transmission electron microscope (TEM), and the number of particles is 20 It is calculated by photographing an enlarged cross-section so as to include particles of 50 particles or less, measuring the maximum diameter of each particle in the enlarged cross-section, and calculating the average value of the maximum diameters.

第１無機絶縁粒子１１は、例えば、複数の無機絶縁粒子６中に１０％以上４０％以下含まれており、第２無機絶縁粒子１２は、例えば複数の無機絶縁粒子６中に６０％以上９０％以下含まれてもよい。上記の通り、複数の無機絶縁粒子６の粒度分布を設定すれば、第１絶縁層４の間隙７が小さくなりすぎることを抑制して第２絶縁層５の樹脂をシート部２に接触させるまで入り込ませやすくすることができる。また、さらに望ましくは、第１無機絶縁粒子１１の平均粒子径が８ｎｍ以上７０ｎｍ以下に設定され、複数の無機絶縁粒子６中に１５％以上３０％以下含まれており、第２無機絶縁粒子１２の平均粒子径が０．１５μｍ以上２μｍ以下に設定され、複数の無機絶縁粒子６中に７０％以上８５％以下含まれているとよい。 For example, the first inorganic insulating particles 11 are included in the plurality of inorganic insulating particles 6 by 10% to 40%, and the second inorganic insulating particles 12 are, for example, 60% or more 90% in the plurality of inorganic insulating particles 6. % Or less may be included. As described above, when the particle size distribution of the plurality of inorganic insulating particles 6 is set, the gap 7 of the first insulating layer 4 is suppressed from becoming too small, and the resin of the second insulating layer 5 is brought into contact with the sheet portion 2. It can make it easy to get in. More desirably, the average particle diameter of the first inorganic insulating particles 11 is set to 8 nm or more and 70 nm or less, and is contained in the plurality of inorganic insulating particles 6 by 15% or more and 30% or less. The average particle diameter is set to 0.15 μm or more and 2 μm or less, and is preferably contained in the plurality of inorganic insulating particles 6 by 70% or more and 85% or less.

無機絶縁粒子６は、第１絶縁層４の主要部を形成している。無機絶縁粒子６の形状は、例えば球状である。無機絶縁粒子６は、例えば酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタニウム、酸化マグネシウムまたは酸化ジルコニウム等の無機絶縁材料からなる。また、無機絶縁粒子６は単一の材料からなってもよいし、複数種類の材料からなってもよい。なお、無機絶縁粒子６は、熱膨張率が例えば０．６ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下である材料からなる。また、無機絶縁粒子６は、ヤング率が例えば１０ＧＰａ以上１５０ＧＰａ以下である材料からなる。また、複数の無機絶縁粒子６の第１絶縁層４に対する含有率は、例えば７０％以上に設定され、望ましくは７５％以上に設定されている。 The inorganic insulating particles 6 form the main part of the first insulating layer 4. The shape of the inorganic insulating particles 6 is, for example, spherical. The inorganic insulating particles 6 are made of an inorganic insulating material such as silicon oxide, aluminum oxide, titanium oxide, magnesium oxide, or zirconium oxide. The inorganic insulating particles 6 may be made of a single material or a plurality of types of materials. The inorganic insulating particles 6 are made of a material having a coefficient of thermal expansion of, for example, not less than 0.6 ppm / ° C. and not more than 10 ppm / ° C. The inorganic insulating particles 6 are made of a material having a Young's modulus of, for example, 10 GPa or more and 150 GPa or less. Moreover, the content rate with respect to the 1st insulating layer 4 of the some inorganic insulating particle 6 is set, for example to 70% or more, Preferably it is set to 75% or more.

第１樹脂部８は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂またはポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂等からなる。また、第１樹脂部８は、熱膨張率が例えば３０ｐｐｍ／℃以上６０ｐｐｍ／℃以下である材料からなる。また、第１樹脂部８、ヤング率が例えば２ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下である材料からなる。第１樹脂部８は、絶縁シート１において未硬化状態である。 The first resin portion 8 is made of, for example, a thermosetting resin such as an epoxy resin, a bismaleimide triazine resin, a cyanate resin, a polyphenylene ether resin, a wholly aromatic polyamide resin, or a polyimide resin. Moreover, the 1st resin part 8 consists of material whose thermal expansion coefficient is 30 ppm / degrees C or more and 60 ppm / degrees C or less, for example. The first resin portion 8 is made of a material having a Young's modulus of, for example, 2 GPa or more and 10 GPa or less. The first resin portion 8 is in an uncured state in the insulating sheet 1.

第２絶縁層５は、配線基板の製造時に、絶縁層３と配線、または絶縁層３とこの絶縁層３に積層される他の絶縁層３とを接着するものである。第２絶縁層５は、第２樹脂部１３および第２樹脂部１３の樹脂内に配されている無機充填材（図示せず）を有している。 The second insulating layer 5 is for bonding the insulating layer 3 and the wiring, or the insulating layer 3 and another insulating layer 3 laminated on the insulating layer 3 at the time of manufacturing the wiring board. The second insulating layer 5 has an inorganic filler (not shown) disposed in the resin of the second resin portion 13 and the second resin portion 13.

第２絶縁層５の厚みは、第１絶縁層４の厚みよりも小さくてもよい。これにより、第２絶縁層５の熱膨張の影響が小さくなり、第１絶縁層４は、第２絶縁層５の熱膨張量を効果的に低減させることができる。なお、第２絶縁層５の厚みは、例えば１μｍ以上３μｍ以下に設定されている。 The thickness of the second insulating layer 5 may be smaller than the thickness of the first insulating layer 4. Thereby, the influence of the thermal expansion of the 2nd insulating layer 5 becomes small, and the 1st insulating layer 4 can reduce the amount of thermal expansion of the 2nd insulating layer 5 effectively. The thickness of the second insulating layer 5 is set to, for example, 1 μm or more and 3 μm or less.

第２絶縁層５の第２樹脂部１３は、第１絶縁層４の第１樹脂部８と接触していてもよい
。その結果、第２絶縁層５と第１絶縁層４との接着強度を向上させることができ、例えば第１絶縁層４と第２絶縁層５の熱膨張率の違いによる剥離を低減することができる。 The second resin portion 13 of the second insulating layer 5 may be in contact with the first resin portion 8 of the first insulating layer 4. As a result, the adhesive strength between the second insulating layer 5 and the first insulating layer 4 can be improved, and for example, peeling due to a difference in thermal expansion coefficient between the first insulating layer 4 and the second insulating layer 5 can be reduced. it can.

また、第２絶縁層５の第２樹脂部１３は、第１絶縁層４の第１樹脂部８と一体的に形成されてもよい。すなわち、第２絶縁層５を形成する樹脂が、第１絶縁層４の間隙７に入り込んで、第１樹脂部８を形成してもよい。その結果、第２絶縁層５と第１絶縁層４との剥離を効果的に低減することができる。 The second resin portion 13 of the second insulating layer 5 may be formed integrally with the first resin portion 8 of the first insulating layer 4. That is, the resin forming the second insulating layer 5 may enter the gap 7 of the first insulating layer 4 to form the first resin portion 8. As a result, peeling between the second insulating layer 5 and the first insulating layer 4 can be effectively reduced.

第２樹脂部１３は、主に第２絶縁層５を構成するものである。第２樹脂部１３は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂またはポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂等からなる。また、第２樹脂部１３は、熱膨張率が例えば３０ｐｐｍ／℃以上６０ｐｐｍ／℃以下である材料からなる。また、第２樹脂部１３は、ヤング率が例えば２ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下である材料からなる。第２樹脂部１３は、絶縁シート１において未硬化状態である。 The second resin portion 13 mainly constitutes the second insulating layer 5. The second resin portion 13 is made of, for example, a thermosetting resin such as an epoxy resin, a bismaleimide triazine resin, a cyanate resin, a polyphenylene ether resin, a wholly aromatic polyamide resin, or a polyimide resin. The second resin portion 13 is made of a material having a thermal expansion coefficient of, for example, 30 ppm / ° C. or more and 60 ppm / ° C. or less. The second resin portion 13 is made of a material having a Young's modulus of, for example, 2 GPa or more and 10 GPa or less. The second resin portion 13 is in an uncured state in the insulating sheet 1.

無機充填材は、第２絶縁層５の強度を向上させるものである。無機充填材の形状は、例えば球状である。無機充填材の平均粒子径は、第２無機絶縁粒子１２の平均粒子径以上であってもよい。無機充填材の平均粒子径は、例えば０．１μｍ以上５μｍ以下に設定される。また、第２絶縁層５に対する無機充填材の含有率は、第１絶縁層４に対する無機絶縁粒子６の含有率よりも小さくてもよい。無機充填材の第２絶縁層５に対する含有率は、例えば６０％以下に設定されている。 The inorganic filler improves the strength of the second insulating layer 5. The shape of the inorganic filler is, for example, spherical. The average particle diameter of the inorganic filler may be equal to or greater than the average particle diameter of the second inorganic insulating particles 12. The average particle diameter of the inorganic filler is set to 0.1 μm or more and 5 μm or less, for example. Further, the content of the inorganic filler with respect to the second insulating layer 5 may be smaller than the content of the inorganic insulating particles 6 with respect to the first insulating layer 4. The content rate of the inorganic filler with respect to the second insulating layer 5 is set to 60% or less, for example.

＜配線基板＞
次に、上述した絶縁シート１を用いて製造された配線基板１４を、図３を参照しつつ詳細に説明する。図３は、配線基板を上下方向に切断した断面を模式的に示している。 <Wiring board>
Next, the wiring board 14 manufactured using the insulating sheet 1 described above will be described in detail with reference to FIG. FIG. 3 schematically shows a cross section of the wiring board cut in the vertical direction.

配線基板１４は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置またはその周辺機器等の電子機器に使用されるものである。配線基板１４は、例えばビルドアップ多層配線基板であって、図３に示すように、コア基板１５とコア基板１５の上下に形成された一対の配線層１６とを備えている。 The wiring board 14 is used for electronic devices such as various audiovisual devices, home appliances, communication devices, computer devices or peripheral devices thereof. The wiring board 14 is, for example, a build-up multilayer wiring board, and includes a core substrate 15 and a pair of wiring layers 16 formed above and below the core substrate 15 as shown in FIG.

コア基板１５は、配線基板１４の剛性を高めつつ一対の配線層１６間の導通を図るものである。コア基板１５は、樹脂基体１７と、樹脂基体１７を上下方向に貫通して形成されている筒状のスルーホール導体１８と、スルーホール導体１８に取り囲まれた領域に配された柱状の絶縁体１９とを含んでいる。 The core substrate 15 is intended to enhance electrical connection between the pair of wiring layers 16 while increasing the rigidity of the wiring substrate 14. The core substrate 15 includes a resin base 17, a cylindrical through-hole conductor 18 formed so as to penetrate the resin base 17 in the vertical direction, and a columnar insulator disposed in a region surrounded by the through-hole conductor 18. 19 is included.

樹脂基体１７は、コア基板１５の剛性を高めるものである。この樹脂基体１７は、例えば樹脂と、この樹脂に被覆された基材および無機絶縁フィラーとを含んでいる。 The resin base 17 increases the rigidity of the core substrate 15. The resin substrate 17 includes, for example, a resin, a base material coated with the resin, and an inorganic insulating filler.

樹脂基体１７に含まれた樹脂は、樹脂基体１７の主要部を形成するものである。この樹脂は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂またはポリエーテルケトン樹脂等の樹脂材料からなる。 The resin contained in the resin substrate 17 forms the main part of the resin substrate 17. Examples of this resin include epoxy resins, bismaleimide triazine resins, cyanate resins, polyparaphenylene benzbisoxazole resins, wholly aromatic polyamide resins, polyimide resins, aromatic liquid crystal polyester resins, polyether ether ketone resins or polyether ketone resins. Made of resin material.

樹脂基体１７に含まれた基材は、樹脂基体１７を高剛性化および低熱膨張化するものである。この基材は、繊維によって構成された織布もしくは不織布または繊維を一方向に配列したものからなる。また、この繊維は、例えばガラス繊維または樹脂繊維等からなる。 The base material contained in the resin base 17 is to make the resin base 17 highly rigid and low in thermal expansion. This base material consists of what arranged the woven fabric or nonwoven fabric comprised by the fiber, or the fiber in one direction. Moreover, this fiber consists of glass fiber or resin fiber, for example.

樹脂基体１７に含まれた無機絶縁フィラーは、樹脂基体１７を高剛性化および低熱膨張
化するものである。この無機絶縁フィラーは、例えば酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、水酸化アルミニウムまたは炭酸カルシウム等の無機絶縁材料からなる複数の粒子により構成されている。 The inorganic insulating filler contained in the resin substrate 17 makes the resin substrate 17 highly rigid and low in thermal expansion. The inorganic insulating filler is composed of a plurality of particles made of an inorganic insulating material such as silicon oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum hydroxide, or calcium carbonate.

スルーホール導体１８は、コア基板１５の上下の配線層１６を電気的に接続するものである。このスルーホール導体１８は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケルまたはクロム等の導電材料からなる。 The through-hole conductor 18 is for electrically connecting the upper and lower wiring layers 16 of the core substrate 15. The through-hole conductor 18 is made of a conductive material such as copper, silver, gold, aluminum, nickel, or chromium.

絶縁体１９は、後述するビア導体２０の支持面を形成するものである。この絶縁体１９は、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フッ素樹脂、シリコン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂またはビスマレイミドトリアジン樹脂等の樹脂材料からなる。 The insulator 19 forms a support surface of a via conductor 20 described later. The insulator 19 is made of, for example, a resin material such as polyimide resin, acrylic resin, epoxy resin, cyanate resin, fluorine resin, silicon resin, polyphenylene ether resin, or bismaleimide triazine resin.

一方、コア基板１５の上下には、上述した如く、一対の配線層１６が形成されている。配線層１６は、厚み方向に沿ったビア孔が形成された絶縁層３と、樹脂基体１７上または絶縁層３上に部分的に形成された配線２１と、ビア孔内に形成されたビア導体２０とを含んでいる。 On the other hand, a pair of wiring layers 16 are formed above and below the core substrate 15 as described above. The wiring layer 16 includes an insulating layer 3 in which a via hole is formed along the thickness direction, a wiring 21 partially formed on the resin substrate 17 or the insulating layer 3, and a via conductor formed in the via hole. 20 and so on.

絶縁層３は、コア基板１５側に位置している第２絶縁層５と、第２絶縁層５上に積層されている第１絶縁層４とを含んでいる。なお、第１絶縁層４および第２絶縁層５は、上述した絶縁シート１が備えていたものである。また、絶縁シート１上では第１絶縁層４の第１樹脂部８および第２絶縁層５の第２樹脂部１３は未硬化であったが、配線基板１４では、第１樹脂部８および第２樹脂部１３は硬化している。 The insulating layer 3 includes a second insulating layer 5 located on the core substrate 15 side and a first insulating layer 4 stacked on the second insulating layer 5. The first insulating layer 4 and the second insulating layer 5 are provided in the above-described insulating sheet 1. Further, the first resin portion 8 of the first insulating layer 4 and the second resin portion 13 of the second insulating layer 5 are uncured on the insulating sheet 1, but the first resin portion 8 and the second resin portion 13 of the wiring substrate 14 are uncured. 2 The resin portion 13 is cured.

第２絶縁層５は、配線２１の側面および上面に接着しつつ、樹脂基体１７と絶縁層３とを接着、または積層された絶縁層３同士を接着するものである。第１絶縁層４は、絶縁層３の主要部をなし、厚み方向に沿って離れて配された配線２１同士の絶縁部材として機能するものである。第１絶縁層４は、樹脂材料と比較して低熱膨張率および高剛性であるから、絶縁層３の平面方向への熱膨張率を低減することができる。したがって、配線基板１４と配線基板１４上に実装される電子部品（図示せず）との平面方向への熱膨張率の差を低減し、ひいては配線基板１４の反りを低減することができる。 The second insulating layer 5 adheres the resin substrate 17 and the insulating layer 3 or adheres the laminated insulating layers 3 to each other while adhering to the side surface and the upper surface of the wiring 21. The first insulating layer 4 is a main part of the insulating layer 3 and functions as an insulating member between the wirings 21 that are arranged apart in the thickness direction. Since the first insulating layer 4 has a low coefficient of thermal expansion and high rigidity compared to the resin material, the coefficient of thermal expansion in the planar direction of the insulating layer 3 can be reduced. Therefore, the difference in the thermal expansion coefficient in the plane direction between the wiring board 14 and the electronic component (not shown) mounted on the wiring board 14 can be reduced, and consequently the warpage of the wiring board 14 can be reduced.

配線２１は、平面方向または厚み方向に沿って互いに離れて配されており、接地用配線、電力供給用配線または信号用配線として機能するものである。この配線２１は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケルまたはクロム等の導電材料からなる。配線２１の厚みは、例えば３μｍ以上２０μｍ以下に設定されている。配線２１の熱膨張率は、例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。配線２１のＬ／Ｓ（ライン／スペース）は、例えば３／３μｍ以上２０／２０μｍ以下に設定されている。 The wirings 21 are arranged apart from each other along the planar direction or the thickness direction, and function as grounding wirings, power supply wirings, or signal wirings. The wiring 21 is made of a conductive material such as copper, silver, gold, aluminum, nickel, or chromium. The thickness of the wiring 21 is set to 3 μm or more and 20 μm or less, for example. The coefficient of thermal expansion of the wiring 21 is set to, for example, 14 ppm / ° C. or more and 18 ppm / ° C. or less. The L / S (line / space) of the wiring 21 is set to 3/3 μm or more and 20/20 μm or less, for example.

ビア導体２０は、厚み方向に互いに離れて配された配線２１同士を電気的に接続するものであり、コア基板１５に向って幅狭となる柱状に形成されている。ビア導体２０は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケルまたはクロムの導電材料からなる。また、ビア導体２０は、熱膨張率が例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。 The via conductor 20 electrically connects the wirings 21 that are spaced apart from each other in the thickness direction, and is formed in a column shape that becomes narrower toward the core substrate 15. The via conductor 20 is made of a conductive material such as copper, silver, gold, aluminum, nickel, or chromium, for example. The via conductor 20 has a thermal expansion coefficient set to, for example, 14 ppm / ° C. or more and 18 ppm / ° C. or less.

＜配線基板の製造方法＞
本発明の実施形態に係る絶縁シート１を用いた配線基板１４の製造方法について、図４〜図６を参照しつつ説明する。配線基板の製造方法は、主に準備工程、積層工程、露出工程、粗化工程および配線形成工程を有している。なお、本発明は、以下の実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能で
ある。なお、図４〜図６は、本発明の一実施形態に係る絶縁シートを使用して製造する配線基板の製造方法の一工程を示した断面図である。 <Manufacturing method of wiring board>
The manufacturing method of the wiring board 14 using the insulating sheet 1 which concerns on embodiment of this invention is demonstrated, referring FIGS. 4-6. The method for manufacturing a wiring board mainly includes a preparation process, a lamination process, an exposure process, a roughening process, and a wiring formation process. The present invention is not limited to the following embodiments, and various changes and improvements can be made without departing from the scope of the present invention. 4-6 is sectional drawing which showed 1 process of the manufacturing method of the wiring board manufactured using the insulating sheet which concerns on one Embodiment of this invention.

（準備工程）
（１）まず、絶縁シート１を準備する。絶縁シート１は、以下の工程（２）〜（７）を経て準備される。 (Preparation process)
(1) First, the insulating sheet 1 is prepared. The insulating sheet 1 is prepared through the following steps (2) to (7).

（２）複数の無機絶縁粒子６および複数の無機絶縁粒子６が分散した溶剤を有する無機絶縁ゾルを準備する。無機絶縁ゾルは、例えば無機絶縁粒子６を１０体積％以上５０体積％以下含み、溶剤を５０％体積以上９０体積％以下含む。 (2) An inorganic insulating sol having a plurality of inorganic insulating particles 6 and a solvent in which the plurality of inorganic insulating particles 6 are dispersed is prepared. The inorganic insulating sol contains, for example, 10% by volume to 50% by volume of inorganic insulating particles 6 and 50% by volume to 90% by volume of solvent.

無機絶縁粒子６は、酸化珪素からなる場合であれば、例えば珪酸ナトリウム水溶液等の珪酸化合物を精製し、化学的に酸化珪素を析出させることによって形成することができる。溶剤には、例えばメタノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノプロピルエーテル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジメチルアセトアミドまたはこれらから選択された２種以上の混合物を含んだ有機溶剤を使用することができる。 If the inorganic insulating particles 6 are made of silicon oxide, the inorganic insulating particles 6 can be formed by purifying a silicate compound such as a sodium silicate aqueous solution and chemically depositing silicon oxide. Examples of the solvent include methanol, isopropanol, n-butanol, ethylene glycol, ethylene glycol monopropyl ether, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, xylene, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, dimethylacetamide or 2 selected from these. An organic solvent containing a mixture of seeds or more can be used.

（３）シート部材２を、例えば樹脂を押出成形によってシート状に成形することによって形成する。次いで、シート部材２上に無機絶縁ゾルを層状に塗布する。無機絶縁ゾルの塗布は、例えばディスペンサー、バーコーター、ダイコーターまたはスクリーン印刷機を用いて行なうことができる。 (3) The sheet member 2 is formed, for example, by molding a resin into a sheet shape by extrusion molding. Next, an inorganic insulating sol is applied in layers on the sheet member 2. The inorganic insulating sol can be applied using, for example, a dispenser, a bar coater, a die coater, or a screen printer.

（４）第１絶縁層４の骨格を、無機絶縁ゾルを加熱することによって形成する。具体的には、まず無機絶縁ゾルから溶剤を蒸発させて無機絶縁ゾルを乾燥させる。無機絶縁ゾルの乾燥は、例えば加熱および風乾によって行なわれる。無機絶縁ゾルの乾燥温度は、例えば２０℃以上溶剤の沸点未満に設定される。無機絶縁ゾルの乾燥時間は、例えば２０秒以上３０分以下に設定される。 (4) The skeleton of the first insulating layer 4 is formed by heating the inorganic insulating sol. Specifically, first, the solvent is evaporated from the inorganic insulating sol to dry the inorganic insulating sol. The inorganic insulating sol is dried by, for example, heating and air drying. The drying temperature of the inorganic insulating sol is set to, for example, 20 ° C. or higher and lower than the boiling point of the solvent. The drying time of the inorganic insulating sol is set to 20 seconds or more and 30 minutes or less, for example.

無機絶縁ゾルを乾燥させた後、シート部材２上に残存している複数の無機絶縁粒子６を加熱することによって、複数の無機絶縁粒子６同士を互いの一部で接続させ、第１絶縁層４の骨格を形成する。無機絶縁粒子６の加熱温度は、例えば１００℃以上３００℃未満に設定される。無機絶縁粒子６の加熱時間は、例えば０．５時間以上２４時間以下に設定される。 After drying the inorganic insulating sol, by heating the plurality of inorganic insulating particles 6 remaining on the sheet member 2, the plurality of inorganic insulating particles 6 are connected to each other by a part of the first insulating layer. 4 skeletons are formed. The heating temperature of the inorganic insulating particles 6 is set to 100 ° C. or more and less than 300 ° C., for example. The heating time of the inorganic insulating particles 6 is set to, for example, not less than 0.5 hours and not more than 24 hours.

無機絶縁粒子６は、粒子径が例えば３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下に設定されている微小な粒子を含んでいるため、加熱温度が比較的低温であっても複数の無機絶縁粒子６同士を強固に接続させることができる。また、このように低温で加熱することによって、無機絶縁粒子６が形状を保持しつつ、無機絶縁粒子６同士で近接領域のみで接続させることができる。すなわち、第１絶縁層４は、例えばセラミックスを焼成したときにセラミックスの粒子が粒子同士間の間隙を埋めるように粒成長した緻密な構造体になるのではなく、複数の無機絶縁粒子６が一部で接続して無機絶縁粒子６同士間に間隙７を残した構造体を形成する。その結果、後述する工程において、複数の無機絶縁粒子６間の間隙７に第２絶縁層５の一部を入り込ませることができる。 Since the inorganic insulating particles 6 include fine particles whose particle diameter is set to, for example, 3 nm or more and 110 nm or less, the plurality of inorganic insulating particles 6 are firmly connected to each other even when the heating temperature is relatively low. be able to. In addition, by heating at such a low temperature as described above, the inorganic insulating particles 6 can be connected to each other only in the proximity region while maintaining the shape. That is, the first insulating layer 4 is not a dense structure in which, for example, when ceramics are fired, the ceramic particles are grown so as to fill the gaps between the particles. Then, a structure is formed in which the gaps 7 are left between the inorganic insulating particles 6 by connecting at the portions. As a result, a part of the second insulating layer 5 can be made to enter the gap 7 between the plurality of inorganic insulating particles 6 in the process described later.

（５）第２絶縁層５を、第１絶縁層４の骨格上に形成する。具体的には、まず、溶剤、無機充填材および未硬化の樹脂の混合物を第１絶縁層４の骨格の主面に塗布する。次いで、第１絶縁層４の主面に塗布された混合物を乾燥させて混合物から溶剤を蒸発させることによって、第２絶縁層５を形成する。混合物の塗布は、例えばバーコーター、ダイコータ
ーまたはカーテンコーター等によって行なう。 (5) The second insulating layer 5 is formed on the skeleton of the first insulating layer 4. Specifically, first, a mixture of a solvent, an inorganic filler, and an uncured resin is applied to the main surface of the skeleton of the first insulating layer 4. Next, the second insulating layer 5 is formed by drying the mixture applied to the main surface of the first insulating layer 4 and evaporating the solvent from the mixture. The mixture is applied by, for example, a bar coater, a die coater, or a curtain coater.

第２絶縁層５の一部（第２樹脂部１３の一部）を第１絶縁層４の骨格の間隙７に入り込ませて第１樹脂部８を形成する。具体的には、シート部材２、第１絶縁層４の骨格および第２絶縁層５を上下方向に加熱加圧することによって、第１絶縁層４の間隙７に第２絶縁層５（第２樹脂部１３）の一部を入り込ませる。シート部材２等の加熱加圧は、第２樹脂部１３の熱硬化開始温度未満で行なう。シート部材２等の加熱温度は、例えば６０℃以上１６０℃以下に設定される。シート部材２等の加圧圧力は、例えば０．１ＭＰａ以上２ＭＰａ以下に設定される。シート部材２等の加熱加圧時間は、例えば０．５分以上１０分以下に設定される。第２絶縁層５の樹脂材料の上記加熱時間における溶融粘度は、例えば１００００Ｐａ・ｓ以下に設定される。第１絶縁層４の骨格の厚み、シート部材２等の加圧圧力および第２絶縁層５の樹脂材料の溶融粘度を適宜調整することによって、第１絶縁層５の間隙７に入り込んだ樹脂（第１樹脂部８）を樹脂シート２に接触させることができる。 A part of the second insulating layer 5 (a part of the second resin part 13) enters the gap 7 of the skeleton of the first insulating layer 4 to form the first resin part 8. Specifically, the sheet member 2, the skeleton of the first insulating layer 4, and the second insulating layer 5 are heated and pressurized in the vertical direction, so that the second insulating layer 5 (second resin) is formed in the gap 7 of the first insulating layer 4. Part 13) is inserted. The heating and pressing of the sheet member 2 and the like are performed at a temperature lower than the thermosetting start temperature of the second resin portion 13. The heating temperature of the sheet member 2 or the like is set to 60 ° C. or more and 160 ° C. or less, for example. The pressurizing pressure of the sheet member 2 or the like is set to, for example, 0.1 MPa or more and 2 MPa or less. The heating and pressing time for the sheet member 2 or the like is set to, for example, not less than 0.5 minutes and not more than 10 minutes. The melt viscosity of the resin material of the second insulating layer 5 during the heating time is set to 10,000 Pa · s or less, for example. By appropriately adjusting the thickness of the skeleton of the first insulating layer 4, the pressure applied to the sheet member 2 and the like, and the melt viscosity of the resin material of the second insulating layer 5, the resin that enters the gap 7 of the first insulating layer 5 ( The first resin portion 8) can be brought into contact with the resin sheet 2.

以上のようにして、シート部材２、第１絶縁層４および第２絶縁層５を備える絶縁シート１を作製する。 As described above, the insulating sheet 1 including the sheet member 2, the first insulating layer 4, and the second insulating layer 5 is produced.

（６）コア基板１５（基板）を作製する。コア基板１５の作製には、まず、例えば金属箔上に複数の樹脂層が積層された樹脂基体１７を形成する。次いで、例えばドリル加工やレーザー加工等によって樹脂基体１７にスルーホールを形成した後、例えば無電解めっき法、電気めっき法、蒸着法、ＣＶＤ法またはスパッタリング法等により、スルーホールの内壁に筒状のスルーホール導体１８を形成する。次いで、スルーホール導体１８に取り囲まれた領域に樹脂材料を充填することによって絶縁体１９を形成し、導電材料を絶縁体１９の露出部に被着させた後、従来周知のフォトリソグラフィー技術またはエッチング等により、金属箔をパターニングして配線２１を形成する。 (6) The core substrate 15 (substrate) is produced. For production of the core substrate 15, first, for example, a resin substrate 17 in which a plurality of resin layers are laminated on a metal foil is formed. Next, after a through hole is formed in the resin substrate 17 by, for example, drilling or laser processing, a cylindrical shape is formed on the inner wall of the through hole by, for example, electroless plating, electroplating, vapor deposition, CVD, or sputtering. A through-hole conductor 18 is formed. Next, an insulator 19 is formed by filling a region surrounded by the through-hole conductor 18 with a resin material, and a conductive material is deposited on the exposed portion of the insulator 19, and then a conventionally known photolithography technique or etching is performed. The wiring 21 is formed by patterning the metal foil.

以上のようにして、コア基板１５を準備する。 The core substrate 15 is prepared as described above.

（積層工程）
（７）図４に示すように、絶縁シート１をコア基板１５上に積層する。具体的には絶縁シート１の積層は、絶縁シート１の第２絶縁層５がコア基板１５に接触するように行なう。 (Lamination process)
(7) As shown in FIG. 4, the insulating sheet 1 is laminated on the core substrate 15. Specifically, the insulating sheet 1 is laminated so that the second insulating layer 5 of the insulating sheet 1 is in contact with the core substrate 15.

（８）第１樹脂部８および第２樹脂部１３を熱硬化させる。具体的には、絶縁シート１およびコア基板１５を、第１樹脂部８および第２樹脂部１３の熱硬化開始温度以上加熱することによって、絶縁シート１中の未硬化状態の第１樹脂部８および第２樹脂部１３を熱硬化させる。絶縁シート１等の加熱温度は、例えば８０℃以上１８０℃以下に設定される。 (8) The first resin portion 8 and the second resin portion 13 are thermoset. Specifically, by heating the insulating sheet 1 and the core substrate 15 at a temperature equal to or higher than the thermosetting start temperature of the first resin portion 8 and the second resin portion 13, the uncured first resin portion 8 in the insulating sheet 1. And the 2nd resin part 13 is thermosetted. The heating temperature of the insulating sheet 1 etc. is set to 80 ° C. or higher and 180 ° C. or lower, for example.

（露出工程）
（９）シート部材２をコア基板１５に積層した絶縁シート１から除去する。シート部材２の除去は、例えば機械的に引き剥がすことによって行なう。シート部材２を剥がすことによって、図５に示すように、シート部材２に積層されていた第１絶縁層４が表面に露出する。 (Exposure process)
(9) The sheet member 2 is removed from the insulating sheet 1 laminated on the core substrate 15. The sheet member 2 is removed by, for example, mechanical peeling. By peeling off the sheet member 2, the first insulating layer 4 laminated on the sheet member 2 is exposed on the surface as shown in FIG.

（１０）図６に示すように、第１絶縁層４の表面から第１絶縁層４、第２絶縁層５、第１絶縁層４および第２絶縁層５を厚み方向に貫通する貫通穴を形成する。貫通穴の形成は、例えばＹＡＧレーザー装置または炭酸ガスレーザー装置を用いて第１絶縁層４の上面にレーザー光を照射することによって行なう。 (10) As shown in FIG. 6, through-holes penetrating the first insulating layer 4, the second insulating layer 5, the first insulating layer 4, and the second insulating layer 5 in the thickness direction from the surface of the first insulating layer 4. Form. The through hole is formed by irradiating the upper surface of the first insulating layer 4 with laser light using, for example, a YAG laser device or a carbon dioxide laser device.

（粗化工程）
（１１）第１絶縁層４の表層の一部（無機絶縁粒子６の一部）を除去する。第１絶縁層４の一部の表面を除去することによって、絶縁層３の表面を粗化することができる。第１絶縁層４の一部の表面の除去は、例えば無機絶縁粒子６が酸化珪素からなる場合であれば、無機絶縁粒子６を溶かす強アルカリ性の水溶液によって行なう、強アルカリ性の水溶液としては、例えば過マンガン酸カリウムまたは過マンガン酸ナトリウム等の水溶液である。なお、第１絶縁層４の無機絶縁粒子６の一部が除去される一方で、第２絶縁層５は残存させることから、第２絶縁層５は上記水溶液には溶けにくい材料で形成する。なお、このとき、無機絶縁粒子６を複数の材料から形成することによって、粗化の度合いを調整することができる。また、複数の無機絶縁粒子６中に、例えば、酸化アルミニウム等の異なる単一の材料からなる無機絶縁粒子６を混ぜることによっても粗化の度合いを調整することができる。 (Roughening process)
(11) A part of the surface layer of the first insulating layer 4 (a part of the inorganic insulating particles 6) is removed. By removing a part of the surface of the first insulating layer 4, the surface of the insulating layer 3 can be roughened. For example, when the inorganic insulating particles 6 are made of silicon oxide, the removal of a part of the surface of the first insulating layer 4 is performed with a strong alkaline aqueous solution in which the inorganic insulating particles 6 are dissolved. An aqueous solution of potassium permanganate or sodium permanganate. Note that the second insulating layer 5 is made of a material that is hardly soluble in the aqueous solution because part of the inorganic insulating particles 6 of the first insulating layer 4 is removed while the second insulating layer 5 remains. At this time, the degree of roughening can be adjusted by forming the inorganic insulating particles 6 from a plurality of materials. The degree of roughening can also be adjusted by mixing inorganic insulating particles 6 made of different single materials such as aluminum oxide in the plurality of inorganic insulating particles 6.

（配線形成工程）
（１２）貫通穴にビア導体２０を形成する。ビア導体２０は、例えば無電解めっき、蒸着法、ＣＶＤ法またはスパッタリング法を用いて、貫通穴内に導電材料を埋めることによって形成される。 (Wiring formation process)
(12) The via conductor 20 is formed in the through hole. The via conductor 20 is formed by filling a conductive material in the through hole using, for example, electroless plating, vapor deposition, CVD, or sputtering.

（１３）表面が粗化された第１絶縁層４の粗化面に配線２１を形成する。具体的には、まず、例えば無電解めっき法等を用いて第１絶縁層４上に導電材料を被着させる。次いで、例えばフォトリソグラフィー技術またはエッチング技術等を用いて第１絶縁層４上に被着した導電材料をパターニングすることにより、第１絶縁層４上に配線２１を形成することができる。 (13) The wiring 21 is formed on the roughened surface of the first insulating layer 4 whose surface is roughened. Specifically, first, a conductive material is deposited on the first insulating layer 4 using, for example, an electroless plating method. Next, the wiring 21 can be formed on the first insulating layer 4 by patterning the conductive material deposited on the first insulating layer 4 using, for example, a photolithography technique or an etching technique.

以上のようにして、図３に示したような、配線基板１４を製造する。 As described above, the wiring board 14 as shown in FIG. 3 is manufactured.

本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組合せ等が可能である。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes, improvements, combinations, and the like can be made without departing from the spirit of the present invention.

上述した本発明の実施形態は、配線層１６にて絶縁層３を１層のみ積層した構成を例に説明したが、絶縁層３は何層積層しても構わない。 In the above-described embodiment of the present invention, the configuration in which only one insulating layer 3 is stacked in the wiring layer 16 has been described as an example, but any number of insulating layers 3 may be stacked.

また、上述した本発明の実施形態は、第１絶縁層４の形成時に無機絶縁ゾルの溶剤を蒸発させた後、複数の無機絶縁粒子６を加熱する構成を例に説明したが、溶剤の蒸発および無機絶縁粒子６の加熱は同時に行なっても構わない。 Moreover, although embodiment of this invention mentioned above demonstrated the structure which heats the several inorganic insulating particle 6 after evaporating the solvent of inorganic insulating sol at the time of formation of the 1st insulating layer 4, it evaporates the solvent. The inorganic insulating particles 6 may be heated at the same time.

また、上述した本発明の実施形態は、シート部材２を剥がして別途配線２１を形成する例を説明したが、金属材料からなるシート部材２を用い、このシート部材２の一部をエッチング等によって除去し、シート部材２自体を配線２１としても構わない。 Moreover, although embodiment of this invention mentioned above demonstrated the example which peels the sheet | seat member 2 and forms wiring 21 separately, the sheet | seat member 2 which consists of metal materials was used, and a part of this sheet | seat member 2 was etched etc. It may be removed and the sheet member 2 itself may be used as the wiring 21.

また、上述した本発明の実施形態は、第１樹脂部８と第２樹脂部１３を一体的に形成する例を説明したが、第１樹脂部８と第２樹脂部１３は別々に形成しても構わない。この場合、第１樹脂部８を間隙７に配した後に、第２絶縁層５（第２樹脂部）を形成することになる。 Moreover, although embodiment of this invention mentioned above demonstrated the example which forms the 1st resin part 8 and the 2nd resin part 13 integrally, the 1st resin part 8 and the 2nd resin part 13 are formed separately. It doesn't matter. In this case, the second insulating layer 5 (second resin portion) is formed after the first resin portion 8 is disposed in the gap 7.

また、上述した本発明の実施形態は、絶縁シート１を用いてビルドアップ多層配線基板を製造した構成を例に説明したが、絶縁シート１を用いて製造する配線基板は他のものでも構わない。他の配線基板としては、例えばインターポーザー基板、コアレス基板または単層基板が挙げられる。ここで、インターポーザー基板とは、１層の絶縁層３と、絶縁層
３を貫通する貫通導体と、絶縁層３上に配され、貫通導体に電気的に接続する配線２１とを備えている配線基板である。また、コアレス基板とは、絶縁層３と、絶縁層３を貫通するビア導体２０と、絶縁層３上に配され、ビア導体２０に電気的に接続する配線２１とを備え、絶縁層３と配線２１とが交互に複数積層されてなるものであって、コア基板１５を有していない配線基板である。 Moreover, although embodiment of this invention mentioned above demonstrated the structure which manufactured the buildup multilayer wiring board using the insulating sheet 1 as an example, the wiring board manufactured using the insulating sheet 1 may be another. . Examples of the other wiring substrate include an interposer substrate, a coreless substrate, and a single layer substrate. Here, the interposer substrate includes one insulating layer 3, a through conductor that penetrates the insulating layer 3, and a wiring 21 that is disposed on the insulating layer 3 and is electrically connected to the through conductor. It is a wiring board. The coreless substrate includes the insulating layer 3, the via conductor 20 that penetrates the insulating layer 3, and the wiring 21 that is disposed on the insulating layer 3 and electrically connected to the via conductor 20. A wiring board in which a plurality of wirings 21 are alternately stacked and does not have the core substrate 15.

１絶縁シート
２シート部材
３絶縁層
４第１絶縁層
５第２絶縁層
６無機絶縁粒子
７間隙
８第１樹脂部
９接触部
１０凹部
１１第１無機絶縁粒子
１２第２無機絶縁粒子
１３第２樹脂部
１４配線基板
１５コア基板
１６配線層
１７樹脂基体
１８スルーホール導体
１９絶縁体
２０ビア導体
２１配線 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating sheet 2 Sheet member 3 Insulating layer 4 1st insulating layer 5 2nd insulating layer 6 Inorganic insulating particle 7 Gap | interval 8 1st resin part 9 Contact part 10 Recessed part 11 1st inorganic insulating particle 12 2nd inorganic insulating particle 13 2nd Resin part 14 Wiring board 15 Core board 16 Wiring layer 17 Resin base 18 Through-hole conductor 19 Insulator 20 Via conductor 21 Wiring

Claims

A core substrate and a pair of wiring layers provided above and below the core substrate,
The wiring layer has an insulating layer and wiring provided on the surface of the insulating layer opposite to the core substrate,
The insulating layer has a second insulating layer located on the core substrate side and a first insulating layer located on the opposite side of the second insulating layer from the core substrate,
The first insulating layer includes inorganic insulating particles composed of first inorganic insulating particles having an average particle diameter of 5 nm or more and less than 100 nm and second inorganic insulating particles having an average particle diameter of 0.1 μm or more and 5 μm or less; Including a resin portion, and having a surface having a concave portion having a size of the first inorganic insulating particle on the wiring side, and a part of the wiring is attached to the concave portion on the surface. Wiring board.