JP2015012082A - Wiring board and mounting structure using the same - Google Patents

Wiring board and mounting structure using the same Download PDF

Info

Publication number
JP2015012082A
JP2015012082A JP2013135290A JP2013135290A JP2015012082A JP 2015012082 A JP2015012082 A JP 2015012082A JP 2013135290 A JP2013135290 A JP 2013135290A JP 2013135290 A JP2013135290 A JP 2013135290A JP 2015012082 A JP2015012082 A JP 2015012082A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
inorganic insulating
wiring board
insulating layer
resin
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013135290A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
岡本 和弘
Kazuhiro Okamoto
和弘 岡本
松井 猛
Takeshi Matsui
猛 松井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2013135290A priority Critical patent/JP2015012082A/en
Publication of JP2015012082A publication Critical patent/JP2015012082A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring board excellent in electrical reliability and a mounting structure thereof.SOLUTION: A wiring board 3 according to one embodiment of the present invention includes: an inorganic insulating layer 14 which has a plurality of protrusions 26 and a plurality of recesses 27 positioned between the protrusions 26 on one main surface; and a conductive layer 11 which is partially arranged on the one main surface of the inorganic insulating layer 14 and has recessed portions 28 corresponding to the protrusions 26 and protruding portions 29 corresponding to the recesses 27. The inorganic insulating layer 14 includes: a plurality of first inorganic insulating particles 22 some of which are connected to each other; and a first resin part 18 which is interposed between the plurality of first inorganic insulating particles 22 and the conductive layer 11 on the one main surface of the inorganic insulating layer 14.

Description

本発明は、電子機器(たとえば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器およびその周辺機器)に使用される配線基板およびこれを用いた実装構造体に関するものである。   The present invention relates to a wiring board used for electronic devices (for example, various audiovisual devices, home appliances, communication devices, computer devices and peripheral devices thereof) and a mounting structure using the same.

従来、電子部品を配線基板に実装してなる実装構造体が、電子機器に用いられている。   Conventionally, a mounting structure in which an electronic component is mounted on a wiring board is used in an electronic device.

この配線基板として、例えば、特許文献1には、セラミック層(無機絶縁層)と、該セラミック層の主面の一部に配された導体パターン(導電層)と、セラミック層の他の部分に配された樹脂層とを備えた複合多層基板(配線基板)が記載されている。   As this wiring board, for example, Patent Document 1 discloses a ceramic layer (inorganic insulating layer), a conductor pattern (conductive layer) disposed on a part of the main surface of the ceramic layer, and other parts of the ceramic layer. A composite multilayer board (wiring board) provided with an arranged resin layer is described.

ところで、配線基板に応力が加わると、無機絶縁層と導電層との間に応力が加わり、無機絶縁層と導電層とが剥離することがある。その結果、配線に断線が生じ、ひいては配線基板の電気的信頼性が低下しやすくなる。   By the way, when a stress is applied to the wiring board, the stress is applied between the inorganic insulating layer and the conductive layer, and the inorganic insulating layer and the conductive layer may be separated. As a result, the wiring is disconnected, and the electrical reliability of the wiring board is likely to be lowered.

したがって、電気的信頼性に優れた配線基板を提供することが望まれている。   Therefore, it is desired to provide a wiring board having excellent electrical reliability.

特開2005−223226号公報JP 2005-223226 A

本発明は、電気的信頼性に優れた配線基板およびその実装構造体を提供することによって前述した要求を解決する。   The present invention solves the above-described requirements by providing a wiring board having excellent electrical reliability and a mounting structure thereof.

本発明の一形態における配線基板は、複数の凸部および該凸部同士の間に位置する複数の凹部を一主面に有する無機絶縁層と、該無機絶縁層の前記一主面に部分的に配されているとともに前記凸部に対応した窪み部および前記凹部に対応した突出部を有する導電層とを備え、前記無機絶縁層は、一部が互いに接続した複数の第1無機絶縁粒子と、前記無機絶縁層の前記一主面にて前記複数の第1無機絶縁粒子と前記導電層との間に介在した第1樹脂部とを含む。   A wiring board according to an aspect of the present invention includes an inorganic insulating layer having a plurality of convex portions and a plurality of concave portions located between the convex portions on one main surface, and a portion of the inorganic insulating layer on the one main surface. And a conductive layer having a recess corresponding to the protrusion and a protrusion corresponding to the recess, and the inorganic insulating layer includes a plurality of first inorganic insulating particles partially connected to each other And a first resin portion interposed between the plurality of first inorganic insulating particles and the conductive layer on the one main surface of the inorganic insulating layer.

本発明の一形態における実装構造体は、上記配線基板と、該配線基板に実装され、前記導電層に電気的に接続された電子部品とを備える。   A mounting structure in one embodiment of the present invention includes the above wiring board and an electronic component mounted on the wiring board and electrically connected to the conductive layer.

本発明の一形態における配線基板によれば、無機絶縁層の一主面にて複数の第1無機絶縁粒子と導電層との間に介在した第1樹脂部によって、無機絶縁層と導電層との接着強度を高めることができる。したがって、電気的信頼性に優れた配線基板を得ることができる。   According to the wiring board in one embodiment of the present invention, the inorganic insulating layer and the conductive layer are formed by the first resin portion interposed between the plurality of first inorganic insulating particles and the conductive layer on one main surface of the inorganic insulating layer. The adhesive strength can be increased. Accordingly, it is possible to obtain a wiring board having excellent electrical reliability.

本発明の一形態における実装構造体によれば、前述した配線基板を備えるため、電気的信頼性に優れた実装構造体を得ることができる。   According to the mounting structure in one embodiment of the present invention, since the wiring board described above is provided, a mounting structure having excellent electrical reliability can be obtained.

(a)は、本発明の一実施形態における実装構造体を厚み方向に切断した断面図であり、(b)は、図1(a)のR1部分を拡大して示した断面図である。(A) is sectional drawing which cut | disconnected the mounting structure in one Embodiment of this invention in the thickness direction, (b) is sectional drawing which expanded and showed R1 part of Fig.1 (a). (a)は、図1(b)のR2部分を拡大して示した断面図であり、(b)は、図1(b)の無機絶縁層の主面方向に沿った断面の拡大図である。(A) is sectional drawing which expanded and showed R2 part of FIG.1 (b), (b) is an enlarged view of the cross section along the main surface direction of the inorganic insulating layer of FIG.1 (b). is there. (a)および(b)は、図1(a)に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図であり、(c)は、図3(b)のR3部分を拡大して示した断面図である。(A) And (b) is sectional drawing explaining the manufacturing process of the mounting structure shown to Fig.1 (a), (c) is the cross section which expanded and showed R3 part of FIG.3 (b) FIG. (a)は、図1(a)に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図であり、(b)は、図4(a)のR4部分を拡大して示した断面図であり、(c)は、図4(b)のR5部分を拡大して示した断面図である。(A) is sectional drawing explaining the manufacturing process of the mounting structure shown to Fig.1 (a), (b) is sectional drawing which expanded and showed R4 part of Fig.4 (a), (C) is an enlarged cross-sectional view of a portion R5 in FIG. 4 (b). (a)は、図1(a)に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図であり、(b)は、図5(a)のR6部分を拡大して示した断面図であり、(c)は、図5(b)のR7部分を拡大して示した断面図である。(A) is sectional drawing explaining the manufacturing process of the mounting structure shown to Fig.1 (a), (b) is sectional drawing which expanded and showed R6 part of Fig.5 (a), (C) is an enlarged cross-sectional view of a portion R7 in FIG. 5 (b). (a)および(b)は、図1(a)に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図であり、(c)は、図6(b)のR8部分を拡大して示した断面図である。(A) And (b) is sectional drawing explaining the manufacturing process of the mounting structure shown to Fig.1 (a), (c) is the cross section which expanded and showed R8 part of FIG.6 (b) FIG. (a)は、図1(a)に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図であり、(b)は、図7(a)のR9部分を拡大して示した断面図である。(A) is sectional drawing explaining the manufacturing process of the mounting structure shown to Fig.1 (a), (b) is sectional drawing which expanded and showed R9 part of Fig.7 (a). (a)および(b)は、図1(a)に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。(A) And (b) is sectional drawing explaining the manufacturing process of the mounting structure shown to Fig.1 (a).

以下に、本発明の一実施形態に係る配線基板を備えた実装構造体を、図面を参照しつつ詳細に説明する。   Hereinafter, a mounting structure including a wiring board according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1(a)に示した実装構造体1は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置またはその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体1は、電子部品2と、電子部品2が実装された配線基板3とを含んでいる。   The mounting structure 1 shown in FIG. 1A is used for electronic devices such as various audiovisual devices, home appliances, communication devices, computer devices or peripheral devices thereof. The mounting structure 1 includes an electronic component 2 and a wiring board 3 on which the electronic component 2 is mounted.

電子部品2は、例えばICまたはLSI等の半導体素子である。この電子部品2は、配線基板3にはんだ等の導電材料からなるバンプ4を介してフリップチップ実装されている。電子部品2の厚みは、例えば0.1mm以上1mm以下である。また、電子部品2の各方向への熱膨張率は、例えば2ppm/℃以上7ppm/℃以下である。なお、電子部品2の熱膨張率は、市販のTMA(Thermo-Mechanical Analysis)装置を用いて、JIS K7197−1991に準じた測定方法により測定される。以下、各部材の熱膨張率は、電子部品2と同様に測定される。   The electronic component 2 is a semiconductor element such as an IC or LSI. The electronic component 2 is flip-chip mounted on the wiring board 3 via bumps 4 made of a conductive material such as solder. The thickness of the electronic component 2 is, for example, not less than 0.1 mm and not more than 1 mm. The coefficient of thermal expansion in each direction of the electronic component 2 is, for example, not less than 2 ppm / ° C. and not more than 7 ppm / ° C. In addition, the thermal expansion coefficient of the electronic component 2 is measured by a measuring method according to JIS K7197-1991 using a commercially available TMA (Thermo-Mechanical Analysis) apparatus. Hereinafter, the coefficient of thermal expansion of each member is measured in the same manner as the electronic component 2.

配線基板3は、電子部品2を支持するとともに、電子部品2を駆動もしくは制御するための電源や信号を電子部品2へ供給する機能を有するものである。この配線基板3は、コア基板5と、コア基板5の上下面に形成された一対のビルドアップ層6とを含んでいる。   The wiring board 3 has functions of supporting the electronic component 2 and supplying power and signals for driving or controlling the electronic component 2 to the electronic component 2. The wiring substrate 3 includes a core substrate 5 and a pair of buildup layers 6 formed on the upper and lower surfaces of the core substrate 5.

コア基板5は、配線基板3の剛性を高めつつ一対のビルドアップ層6間の導通を図るものである。このコア基板5は、ビルドアップ層6を支持する基体7と、基体7を厚み方向に貫通したスルーホール内に配された筒状のスルーホール導体8と、スルーホール導体8に取り囲まれた柱状の絶縁体9とを含んでいる。   The core substrate 5 is intended to enhance electrical connection between the pair of buildup layers 6 while increasing the rigidity of the wiring substrate 3. The core substrate 5 includes a base body 7 that supports the buildup layer 6, a cylindrical through-hole conductor 8 that is disposed in a through hole that penetrates the base body 7 in the thickness direction, and a columnar shape that is surrounded by the through-hole conductor 8. The insulator 9 is included.

基体7は、配線基板3を高剛性かつ低熱膨張率とするものである。この基体7は、例えば、エポキシ樹脂等の樹脂と樹脂に被覆されたガラスクロス等の基材と樹脂中に分散した酸化ケイ素等からなるフィラー粒子とを含む。基体7の厚みは、例えば0.04mm以上2mm以下である。   The base 7 makes the wiring board 3 highly rigid and has a low coefficient of thermal expansion. The base 7 includes, for example, a resin such as an epoxy resin, a base material such as a glass cloth coated with the resin, and filler particles made of silicon oxide or the like dispersed in the resin. The thickness of the substrate 7 is, for example, 0.04 mm or more and 2 mm or less.

スルーホール導体8は、一対のビルドアップ層6同士を電気的に接続するものである。このスルーホール導体8は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケルまたはクロム等の導電材料によって形成することができる。   The through-hole conductor 8 electrically connects the pair of buildup layers 6 to each other. The through-hole conductor 8 can be formed of a conductive material such as copper, silver, gold, aluminum, nickel, or chromium.

絶縁体9は、スルーホール導体8に取り囲まれた空間を埋めるものである。この絶縁体9は、例えばエポキシ樹脂等の樹脂材料によって形成することができる。   The insulator 9 fills the space surrounded by the through-hole conductor 8. The insulator 9 can be formed of a resin material such as an epoxy resin.

一方、コア基板5の上下面には、前述した如く、一対のビルドアップ層6が形成されている。一対のビルドアップ層6のうち、一方のビルドアップ層6は、バンプ4を介して電子部品2と接続し、他方のビルドアップ層6は、例えばはんだボール(図示せず)を介してマザーボード等の外部回路と接続する。   On the other hand, as described above, a pair of buildup layers 6 are formed on the upper and lower surfaces of the core substrate 5. Of the pair of buildup layers 6, one buildup layer 6 is connected to the electronic component 2 via the bumps 4, and the other buildup layer 6 is a mother board or the like via solder balls (not shown), for example. Connect with external circuit.

ビルドアップ層6は、基体7上に積層された複数の絶縁層10と、基体7上または絶縁層10上に部分的に配された複数の導電層11と、絶縁層10を厚み方向に貫通した複数のビア導体12とを含んでいる。   The build-up layer 6 penetrates the insulating layer 10 in the thickness direction, a plurality of insulating layers 10 stacked on the substrate 7, a plurality of conductive layers 11 partially disposed on the substrate 7 or on the insulating layer 10. The plurality of via conductors 12 are included.

絶縁層10は、厚み方向または主面方向に離れた導電層11同士の絶縁部材や主面方向に離れたビア導体12同士の絶縁部材として機能するものである。絶縁層10の詳細については後述する。   The insulating layer 10 functions as an insulating member between the conductive layers 11 separated in the thickness direction or the main surface direction and an insulating member between the via conductors 12 separated in the main surface direction. Details of the insulating layer 10 will be described later.

導電層11は、厚み方向または主面方向に互いに離れており、接地用配線、電力供給用配線または信号用配線等の配線として機能するものである。導電層11は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケルまたはクロム等の導電材料からなる。また、導電層11の厚みは、3μm以上20μm以下であり、導電層11の厚み方向および主面方向への熱膨張率は、例えば14ppm/℃以上18ppm/℃以下である。また、導電層11のヤング率は、例えば70GPa以上150以下GPaである。なお、導電層11のヤング率は、MTS社製ナノインデンターXPを用いて、ISO14577−1:2002に準じた方法で測定される。以下、各部材のヤング率は、導電層11と同様に測定される。   The conductive layers 11 are separated from each other in the thickness direction or main surface direction, and function as wiring such as ground wiring, power supply wiring, or signal wiring. The conductive layer 11 is made of a conductive material such as copper, silver, gold, aluminum, nickel, or chromium. The thickness of the conductive layer 11 is 3 μm or more and 20 μm or less, and the coefficient of thermal expansion in the thickness direction and the main surface direction of the conductive layer 11 is, for example, 14 ppm / ° C. or more and 18 ppm / ° C. or less. The Young's modulus of the conductive layer 11 is, for example, 70 GPa or more and 150 or less GPa. In addition, the Young's modulus of the conductive layer 11 is measured by a method according to ISO14577-1: 2002 using a nanoindenter XP manufactured by MTS. Hereinafter, the Young's modulus of each member is measured in the same manner as the conductive layer 11.

ビア導体12は、厚み方向に互いに離れた導電層11同士を電気的に接続するものである。このビア導体12は、導電層11と同様の材料からなり、同様の特性を有する。また、ビア導体12は、コア基板5に向って幅狭となる柱状に形成されている。ビア導体12の幅は、例えば10μm以上75μm以下である。   The via conductor 12 electrically connects the conductive layers 11 separated from each other in the thickness direction. The via conductor 12 is made of the same material as that of the conductive layer 11 and has the same characteristics. The via conductors 12 are formed in a columnar shape that becomes narrower toward the core substrate 5. The width of the via conductor 12 is, for example, 10 μm or more and 75 μm or less.

次に、絶縁層10について詳細に説明する。   Next, the insulating layer 10 will be described in detail.

絶縁層10は、コア基板5側に配された樹脂層13と、コア基板5と反対側に配された無機絶縁層14とを含んでいる。無機絶縁層14のコア基板5と反対側の一主面の一部には、導電層11が配されており、無機絶縁層14の一主面の他の部分には、隣接する絶縁層10の樹脂層13の一部が配されている。   The insulating layer 10 includes a resin layer 13 disposed on the core substrate 5 side and an inorganic insulating layer 14 disposed on the side opposite to the core substrate 5. A conductive layer 11 is disposed on a part of one main surface of the inorganic insulating layer 14 opposite to the core substrate 5, and an adjacent insulating layer 10 is disposed on the other main surface of the inorganic insulating layer 14. A part of the resin layer 13 is disposed.

樹脂層13は、絶縁層10において接着部材として機能するものである。また、樹脂層13は、その一部がコア基板5側に配された導電層11同士の間に配されており、主面方向に離れた導電層11同士の絶縁部材として機能する。また、樹脂層13は、無機絶縁層14よりもヤング率が小さく弾性変形しやすいため、配線基板3におけるクラックの発生を抑制する。樹脂層13の厚みは、例えば3μm以上30μm以下である。樹脂層13のヤング率は、例えば0.2GPa以上20GPa以下である。樹脂層13の厚み方向および主面方向への熱膨張率は、例えば20ppm/℃以上50ppm/℃以下である。   The resin layer 13 functions as an adhesive member in the insulating layer 10. A part of the resin layer 13 is disposed between the conductive layers 11 disposed on the core substrate 5 side, and functions as an insulating member between the conductive layers 11 separated in the main surface direction. Further, since the resin layer 13 has a Young's modulus smaller than that of the inorganic insulating layer 14 and is easily elastically deformed, the occurrence of cracks in the wiring substrate 3 is suppressed. The thickness of the resin layer 13 is, for example, 3 μm or more and 30 μm or less. The Young's modulus of the resin layer 13 is, for example, not less than 0.2 GPa and not more than 20 GPa. The thermal expansion coefficient in the thickness direction and main surface direction of the resin layer 13 is, for example, 20 ppm / ° C. or more and 50 ppm / ° C. or less.

この樹脂層13は、図1(b)に示すように、樹脂15と樹脂15中に分散した複数のフィラー粒子16とを含んでいる。   As shown in FIG. 1B, the resin layer 13 includes a resin 15 and a plurality of filler particles 16 dispersed in the resin 15.

樹脂15は、樹脂層13において接着部材として機能するものである。この樹脂15は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂またはポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。樹脂15のヤング率は、例えば0.1GPa以上5GPa以下である。樹脂15の厚み方向および主面方向への熱膨張率は、例えば20ppm/℃以上50ppm/℃以下である。   The resin 15 functions as an adhesive member in the resin layer 13. As the resin 15, for example, a thermosetting resin such as an epoxy resin, a bismaleimide triazine resin, a cyanate resin, a polyphenylene ether resin, a wholly aromatic polyamide resin, or a polyimide resin can be used. The Young's modulus of the resin 15 is, for example, not less than 0.1 GPa and not more than 5 GPa. The thermal expansion coefficient in the thickness direction and the main surface direction of the resin 15 is, for example, 20 ppm / ° C. or more and 50 ppm / ° C. or less.

フィラー粒子16は、樹脂層13を高剛性かつ低熱膨張率とするものである。このフィラー粒子16は、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、水酸化アルミニウムまたは炭酸カルシウム等の無機絶縁材料からなる。フィラー粒子16の平均粒径は、例えば0.5μm以上5μm以下である。フィラー粒子16の熱膨張率は、例えば0ppm/℃以上15ppm/℃以下である。樹脂層13におけるフィラー粒子16の含有割合は、例えば3体積%以上60体積%以下である。なお、フィラー粒子16の平均粒径は、配線基板3の厚み方向への断面において、各粒子の粒径の平均値を算出することによって測定することができる。また、樹脂層13におけるフィラー粒子16の含有割合は、配線基板3の厚み方向への断面において、樹脂層13においてフィラー粒子16が占める面積の割合を含有割合(体積%)とみなすことによって測定することができる。以下、各部材の平均粒径および含有割合は、フィラー粒子16と同様に測定される。   The filler particles 16 make the resin layer 13 highly rigid and have a low coefficient of thermal expansion. The filler particles 16 are made of an inorganic insulating material such as silicon oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum hydroxide, or calcium carbonate. The average particle diameter of the filler particles 16 is, for example, 0.5 μm or more and 5 μm or less. The thermal expansion coefficient of the filler particles 16 is, for example, 0 ppm / ° C. or more and 15 ppm / ° C. or less. The content ratio of the filler particles 16 in the resin layer 13 is, for example, 3% by volume or more and 60% by volume or less. The average particle size of the filler particles 16 can be measured by calculating the average value of the particle size of each particle in the cross section in the thickness direction of the wiring board 3. In addition, the content ratio of the filler particles 16 in the resin layer 13 is measured by regarding the ratio of the area occupied by the filler particles 16 in the resin layer 13 as the content ratio (volume%) in the cross section in the thickness direction of the wiring board 3. be able to. Hereinafter, the average particle diameter and the content ratio of each member are measured in the same manner as the filler particles 16.

無機絶縁層14は、導電層11の支持部材として機能するものである。また、無機絶縁層14は、絶縁層13を高剛性かつ低熱膨張率とすることによって、電子部品2と配線基板3との熱膨張率の差を低減し、電子部品2の実装時や作動時に実装構造体1に熱が加わった際に、電子部品2と配線基板3との熱膨張率の違いに起因した配線基板3の反りを低減する。無機絶縁層14の厚みは、例えば3μm以上30μm以下である。無機絶縁層14のヤング率は、例えば10GPa以上50GPa以下である。また、無機絶縁層14の厚み方向および主面方向への熱膨張率は、例えば0ppm/℃以上10ppm/℃以下である。   The inorganic insulating layer 14 functions as a support member for the conductive layer 11. In addition, the inorganic insulating layer 14 reduces the difference in thermal expansion coefficient between the electronic component 2 and the wiring board 3 by making the insulating layer 13 highly rigid and has a low thermal expansion coefficient. When heat is applied to the mounting structure 1, warpage of the wiring board 3 due to a difference in thermal expansion coefficient between the electronic component 2 and the wiring board 3 is reduced. The thickness of the inorganic insulating layer 14 is, for example, 3 μm or more and 30 μm or less. The Young's modulus of the inorganic insulating layer 14 is, for example, 10 GPa or more and 50 GPa or less. Further, the thermal expansion coefficient in the thickness direction and the main surface direction of the inorganic insulating layer 14 is, for example, 0 ppm / ° C. or more and 10 ppm / ° C. or less.

無機絶縁層14は、図1(b)および図2(a)に示すように、一部が互いに接続した複数の無機絶縁粒子17と、無機絶縁層14の一主面にて複数の無機絶縁粒子17と導電層11との間に介在した第1樹脂部18と、複数の無機絶縁粒子17同士の間に配された第2樹脂部19とを含んでいる。この無機絶縁層14においては、複数の無機絶縁粒子17同士が互いに接続して拘束し合うことから、樹脂層13中に分散したフィラー粒子16のように流動しないため、無機絶縁層14を高剛性かつ低熱膨張率とすることができる。   As shown in FIG. 1B and FIG. 2A, the inorganic insulating layer 14 includes a plurality of inorganic insulating particles 17 that are partially connected to each other, and a plurality of inorganic insulating layers on one main surface of the inorganic insulating layer 14. A first resin portion 18 interposed between the particles 17 and the conductive layer 11 and a second resin portion 19 disposed between the plurality of inorganic insulating particles 17 are included. In this inorganic insulating layer 14, since the plurality of inorganic insulating particles 17 are connected to each other and restrained, the inorganic insulating layer 14 does not flow like the filler particles 16 dispersed in the resin layer 13. And it can be set as a low coefficient of thermal expansion.

複数の無機絶縁粒子17は、互いに接続することによって多孔質体である無機絶縁構造体20を構成している。複数の無機絶縁粒子17同士の接続部21は、括れ状であり、ネック構造を構成している。   The plurality of inorganic insulating particles 17 constitute an inorganic insulating structure 20 that is a porous body by being connected to each other. The connection portions 21 between the plurality of inorganic insulating particles 17 are constricted and constitute a neck structure.

複数の無機絶縁粒子17は、一部が互いに接続した複数の第1無機絶縁粒子22と、第1無機絶縁粒子22よりも平均粒径が大きく、一部が第1無機絶縁粒子22と接続しているとともに、第1無機絶縁粒子22を挟んで互いに離れた複数の第2無機絶縁粒子23とを含んでいる。複数の無機絶縁粒子17における第1無機絶縁粒子22の含有割合は、例えば20体積%以上90体積%以下であり、複数の無機絶縁粒子17における第2無機絶縁粒子23の含有割合は、例えば10体積%以上80体積%以下である。   The plurality of inorganic insulating particles 17 have a plurality of first inorganic insulating particles 22 that are partially connected to each other and an average particle size larger than that of the first inorganic insulating particles 22, and some of the inorganic insulating particles 17 are connected to the first inorganic insulating particles 22. And a plurality of second inorganic insulating particles 23 that are separated from each other with the first inorganic insulating particles 22 interposed therebetween. The content ratio of the first inorganic insulating particles 22 in the plurality of inorganic insulating particles 17 is, for example, 20 volume% or more and 90 volume% or less, and the content ratio of the second inorganic insulating particles 23 in the plurality of inorganic insulating particles 17 is, for example, 10 The volume is 80% by volume or more.

第1無機絶縁粒子22は、一部が互いに接続するとともに第2無機絶縁粒子23同士を
接続することによって無機絶縁粒子17における接続部材として機能し、無機絶縁層14を高剛性かつ低熱膨張率とするものである。この第1無機絶縁粒子22は、例えば酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化ホウ素、酸化マグネシウムまたは酸化カルシウム等の無機絶縁材料からなり、中でも、低熱膨張率および低誘電正接の観点から、酸化ケイ素を用いることが望ましい。この場合、第1無機絶縁粒子22は、酸化ケイ素を90質量%以上含んでいればよい。また、酸化ケイ素は、結晶構造に起因した熱膨張率の異方性を低減するため、アモルファス(非晶質)状態であることが望ましい。
The first inorganic insulating particle 22 functions as a connecting member in the inorganic insulating particle 17 by connecting a part of the first inorganic insulating particle 22 to each other and connecting the second inorganic insulating particles 23 to each other. The inorganic insulating layer 14 has a high rigidity and a low thermal expansion coefficient. To do. The first inorganic insulating particles 22 are made of, for example, an inorganic insulating material such as silicon oxide, zirconium oxide, aluminum oxide, boron oxide, magnesium oxide, or calcium oxide. Among these, from the viewpoint of low thermal expansion coefficient and low dielectric loss tangent, silicon oxide It is desirable to use In this case, the 1st inorganic insulating particle 22 should just contain 90 mass% or more of silicon oxides. In addition, silicon oxide is desirably in an amorphous state in order to reduce anisotropy of the thermal expansion coefficient due to the crystal structure.

第1無機絶縁粒子22は、例えば球状である。また、第1無機絶縁粒子22の平均粒径は、例えば3nm以上110nm以下である。このように第1無機絶縁粒子22の粒径が微小であるため、無機絶縁層14を緻密なものとして高剛性かつ低熱膨張率とすることができるとともに、後述するように、無機絶縁層14を作製する際に第1無機絶縁粒子22同士を容易に接続することができる。   The first inorganic insulating particles 22 are, for example, spherical. Moreover, the average particle diameter of the 1st inorganic insulating particle 22 is 3 nm or more and 110 nm or less, for example. Thus, since the particle diameter of the 1st inorganic insulating particle 22 is very small, while being able to make the inorganic insulating layer 14 dense, it can be set as a high rigidity and a low thermal expansion coefficient, and the inorganic insulating layer 14 is used as described later. When producing, the first inorganic insulating particles 22 can be easily connected to each other.

第2無機絶縁粒子23は、その粒径が大きいことから、無機絶縁層14に生じたクラックが迂回するためのエネルギーを増加させるため、このクラックの伸長を抑制するものである。第2無機絶縁粒子23は、第1無機絶縁粒子22と同様の材料を用いることができ、中でも、第1無機絶縁粒子22と材料特性を近づけるため、第1無機絶縁粒子22と同じ材料を用いることが望ましい。この第2無機絶縁粒子23は、例えば球状である。また、第2無機絶縁粒子23の平均粒径は、例えば0.5μm以上5μm以下である。このように第2無機絶縁粒子23の粒径が大きいため、無機絶縁層14に生じたクラックの伸長を良好に抑制できる。   Since the second inorganic insulating particle 23 has a large particle size, the second inorganic insulating particle 23 increases energy for bypassing the crack generated in the inorganic insulating layer 14, and therefore suppresses the extension of the crack. The second inorganic insulating particles 23 can be made of the same material as that of the first inorganic insulating particles 22. In particular, the same material as that of the first inorganic insulating particles 22 is used in order to bring the material properties close to the first inorganic insulating particles 22. It is desirable. The second inorganic insulating particles 23 are, for example, spherical. The average particle size of the second inorganic insulating particles 23 is, for example, not less than 0.5 μm and not more than 5 μm. Thus, since the particle diameter of the 2nd inorganic insulating particle 23 is large, the expansion | extension of the crack which arose in the inorganic insulating layer 14 can be suppressed favorably.

第1樹脂部18は、無機絶縁構造体20と導電層11との間に介在した第1間隙24に配されている。本実施形態の第1樹脂部18は、樹脂層13の一部、特に樹脂15の一部が第1間隙24に入り込んでなるものである。また、第1樹脂部18は、第1間隙24に充填されている。また、第1樹脂部18は、第1無機絶縁粒子22と樹脂層13との間にさらに介在している。   The first resin portion 18 is disposed in a first gap 24 interposed between the inorganic insulating structure 20 and the conductive layer 11. The first resin portion 18 of the present embodiment is formed by part of the resin layer 13, particularly part of the resin 15 entering the first gap 24. Further, the first resin portion 18 is filled in the first gap 24. Further, the first resin portion 18 is further interposed between the first inorganic insulating particles 22 and the resin layer 13.

第2樹脂部19は、多孔質体である無機絶縁構造体20の内部において無機絶縁粒子17同士の間に位置する第2間隙25に配されている。本実施形態の第2樹脂部19は、樹脂層13の一部、特に樹脂15の一部が第2間隙25に入り込んでなるものである。また、本実施形態の第2樹脂部19は、第2間隙25に充填されている。   The 2nd resin part 19 is distribute | arranged to the 2nd clearance gap 25 located between the inorganic insulating particles 17 inside the inorganic insulating structure 20 which is a porous body. The second resin portion 19 of the present embodiment is a part in which a part of the resin layer 13, particularly a part of the resin 15 enters the second gap 25. Further, the second resin part 19 of the present embodiment is filled in the second gap 25.

第1間隙24および第2間隙25は、互いにつながっており、開気孔である。第2間隙25は、無機絶縁層14の他主面に開口を有する。また、第1間隙24は、無機絶縁層14の厚み方向への断面において、導電層11および無機絶縁構造体20に取り囲まれている。第2間隙25は、無機絶縁層14の厚み方向への断面において、無機絶縁粒子17に取り囲まれている。   The first gap 24 and the second gap 25 are connected to each other and are open pores. The second gap 25 has an opening on the other main surface of the inorganic insulating layer 14. The first gap 24 is surrounded by the conductive layer 11 and the inorganic insulating structure 20 in the cross section in the thickness direction of the inorganic insulating layer 14. The second gap 25 is surrounded by the inorganic insulating particles 17 in the cross section in the thickness direction of the inorganic insulating layer 14.

ところで、配線基板3に応力が加わると、無機絶縁層14と導電層11との間に応力が加わることがある。   By the way, when stress is applied to the wiring substrate 3, stress may be applied between the inorganic insulating layer 14 and the conductive layer 11.

一方、本実施形態において、配線基板3は、図1(b)および図2(a)に示すように、複数の凸部26および凸部26同士の間に位置する複数の凹部27を一主面に有する無機絶縁層14と、無機絶縁層14の一主面に部分的に配されているとともに凸部26に対応した窪み部28および凹部27に対応した突出部29を有する導電層11とを備えている。その結果、凸部26が窪み部28に配され、突出部29が凹部27に配されることとなるため、アンカー効果によって、無機絶縁層14と導電層11との接着強度を高めることができる。   On the other hand, in the present embodiment, the wiring board 3 mainly includes a plurality of convex portions 26 and a plurality of concave portions 27 located between the convex portions 26 as shown in FIGS. 1B and 2A. An inorganic insulating layer 14 on the surface, and a conductive layer 11 partially disposed on one main surface of the inorganic insulating layer 14 and having a recess 28 corresponding to the protrusion 26 and a protrusion 29 corresponding to the recess 27. It has. As a result, since the convex portion 26 is disposed in the recessed portion 28 and the protruding portion 29 is disposed in the concave portion 27, the adhesive strength between the inorganic insulating layer 14 and the conductive layer 11 can be increased by the anchor effect. .

さらに、無機絶縁層14は、一部が互いに接続した複数の第1無機絶縁粒子22と、無機絶縁層14の一主面にて複数の第1無機絶縁粒子22と導電層11との間に介在した第1樹脂部18とを含んでいる。その結果、電子部品2の実装時や作動時に配線基板3に熱が加わるため、一部が互いに接続した複数の第1無機絶縁粒子22と導電層11との間で第1樹脂部18が熱膨張して導電層11の突出部29を固定する。したがって、無機絶縁層14と導電層11との接着強度を高め、無機絶縁層14と導電層11との剥離を低減することができる。それ故、例えば導電層11とビア導体12との接続部の破断を低減して、配線の断線を低減できるため、電気的信頼性に優れた配線基板3を得ることができる。   Further, the inorganic insulating layer 14 includes a plurality of first inorganic insulating particles 22 that are partially connected to each other, and a plurality of first inorganic insulating particles 22 and the conductive layer 11 on one main surface of the inorganic insulating layer 14. And an intervening first resin portion 18. As a result, since heat is applied to the wiring board 3 when the electronic component 2 is mounted or operated, the first resin portion 18 is heated between the plurality of first inorganic insulating particles 22 and the conductive layer 11 that are partially connected to each other. The protrusion 29 of the conductive layer 11 is fixed by expanding. Therefore, the adhesive strength between the inorganic insulating layer 14 and the conductive layer 11 can be increased, and peeling between the inorganic insulating layer 14 and the conductive layer 11 can be reduced. Therefore, for example, the breakage of the connecting portion between the conductive layer 11 and the via conductor 12 can be reduced and the disconnection of the wiring can be reduced, so that the wiring substrate 3 excellent in electrical reliability can be obtained.

また、第1樹脂部18が弾性変形することによって、無機絶縁層14と導電層11との間に加わる応力を緩和することができるため、無機絶縁層14におけるクラックの発生を低減することができる。その結果、このクラックに起因した配線の断線を低減することができる。   In addition, since the first resin portion 18 is elastically deformed, the stress applied between the inorganic insulating layer 14 and the conductive layer 11 can be relaxed, so that the occurrence of cracks in the inorganic insulating layer 14 can be reduced. . As a result, the disconnection of the wiring due to the crack can be reduced.

本実施形態において、第1樹脂部18は、複数の第1無機絶縁粒子22と導電層11との間に部分的に介在している。その結果、第1樹脂部18が熱膨張した際に複数の第1無機絶縁粒子22によって第1樹脂部18が固定されやすくなるため、第1樹脂部18によって突出部29を良好に固定することができる。この場合には、例えば導電層11の一部は第1樹脂部18と接しており、他の一部は複数の第1無機絶縁粒子22と接している。   In the present embodiment, the first resin portion 18 is partially interposed between the plurality of first inorganic insulating particles 22 and the conductive layer 11. As a result, when the first resin portion 18 is thermally expanded, the first resin portion 18 is easily fixed by the plurality of first inorganic insulating particles 22, so that the protruding portion 29 is fixed favorably by the first resin portion 18. Can do. In this case, for example, a part of the conductive layer 11 is in contact with the first resin portion 18, and the other part is in contact with the plurality of first inorganic insulating particles 22.

本実施形態において、第1樹脂部18は、凸部26に配されている。その結果、凸部26に配された第1樹脂部18が突出部29を側方から固定するため、第1樹脂部18によって突出部29を良好に固定することができる。   In the present embodiment, the first resin portion 18 is disposed on the convex portion 26. As a result, since the first resin portion 18 disposed on the convex portion 26 fixes the protruding portion 29 from the side, the protruding portion 29 can be favorably fixed by the first resin portion 18.

さらに、第1樹脂部18は、突出部29に接している。その結果、凸部26にて突出部29に接した第1樹脂部18が突出部29の側面を固定するため、第1樹脂部18によって突出部29を良好に固定することができる。   Further, the first resin portion 18 is in contact with the protruding portion 29. As a result, since the first resin portion 18 that is in contact with the protruding portion 29 at the convex portion 26 fixes the side surface of the protruding portion 29, the protruding portion 29 can be favorably fixed by the first resin portion 18.

本実施形態において、第1樹脂部18は、無機絶縁層14の厚み方向(Z方向)に沿った断面において、凹部27を挟んで隣接する1組の凸部26それぞれに配されている。その結果、この1組の凸部26それぞれに配された第1樹脂部18が突出部29を挟みつつ固定するため、第1樹脂部18によって突出部29を良好に固定することができる。   In the present embodiment, the first resin portion 18 is disposed on each of the pair of convex portions 26 adjacent to each other across the concave portion 27 in the cross section along the thickness direction (Z direction) of the inorganic insulating layer 14. As a result, the first resin portion 18 disposed on each of the pair of convex portions 26 fixes the protruding portion 29 with the protruding portion 29 interposed therebetween, so that the protruding portion 29 can be fixed favorably by the first resin portion 18.

さらに、凹部27を挟んで隣接した1組の凸部26それぞれに配された第1樹脂部18は、凹部27の底部を介してつながっている。その結果、凹部27の底部を介してつながった第1樹脂部18が突出部29を囲みつつ固定するため、第1樹脂部18によって突出部29を良好に固定することができる。   Further, the first resin portion 18 disposed in each of the pair of convex portions 26 adjacent to each other with the concave portion 27 interposed therebetween is connected via the bottom portion of the concave portion 27. As a result, the first resin portion 18 connected through the bottom of the concave portion 27 fixes the protruding portion 29 while surrounding the protruding portion 29, so that the protruding portion 29 can be fixed favorably by the first resin portion 18.

また、第1樹脂部18は、隣接する1組の凸部26に挟まれた突出部29に接している。その結果、この1組の凸部26にて突出部29の側面に接した第1樹脂部18が突出部29を挟みつつ突出部29の側面を固定するため、第1樹脂部18によって突出部29を良好に固定することができる。   Further, the first resin portion 18 is in contact with the protruding portion 29 sandwiched between a pair of adjacent protruding portions 26. As a result, the first resin portion 18 that is in contact with the side surface of the projecting portion 29 by the one set of convex portions 26 fixes the side surface of the projecting portion 29 while sandwiching the projecting portion 29. 29 can be fixed satisfactorily.

本実施形態において、第1樹脂部18は、凹部27の底部に配されている。その結果、凹部27の底部に配された第1樹脂部18が突出部29の頂部を固定するため、突出部29を良好に固定することができる。   In the present embodiment, the first resin portion 18 is disposed on the bottom of the recess 27. As a result, since the 1st resin part 18 distribute | arranged to the bottom part of the recessed part 27 fixes the top part of the protrusion part 29, the protrusion part 29 can be fixed favorably.

また、第1樹脂部18は、突出部29の頂部に接している。その結果、凹部27の底部にて突出部29の頂部に接した第1樹脂部18が突出部29の頂部を固定するため、突出
部29を良好に固定することができる。
Further, the first resin portion 18 is in contact with the top of the protruding portion 29. As a result, the first resin portion 18 that is in contact with the top of the protrusion 29 at the bottom of the recess 27 fixes the top of the protrusion 29, so that the protrusion 29 can be fixed well.

本実施形態において、無機絶縁層14は、第1無機絶縁粒子22同士の間に配された第2樹脂部19を有する。その結果、第2樹脂部19が弾性変形することによって、無機絶縁層14に加わった応力を緩和し、無機絶縁層14におけるクラックの発生を低減することができる。したがって、このクラックに起因した配線の断線を低減することができる。   In the present embodiment, the inorganic insulating layer 14 has a second resin portion 19 disposed between the first inorganic insulating particles 22. As a result, when the second resin portion 19 is elastically deformed, the stress applied to the inorganic insulating layer 14 can be relaxed, and the occurrence of cracks in the inorganic insulating layer 14 can be reduced. Therefore, the disconnection of the wiring resulting from this crack can be reduced.

さらに、第2樹脂部19は、第1樹脂部18とつながっている。その結果、第2樹脂部19を介してつながった第1樹脂部18が突出部29を固定するため、第1樹脂部18によって突出部29を良好に固定することができる。   Further, the second resin portion 19 is connected to the first resin portion 18. As a result, since the first resin portion 18 connected via the second resin portion 19 fixes the protruding portion 29, the protruding portion 29 can be favorably fixed by the first resin portion 18.

本実施形態において、第1樹脂部18の幅は、第1無機絶縁粒子22の平均粒径よりも大きい。その結果、第1樹脂部18の熱膨張を増加させて、第1樹脂部18によって突出部29を良好に固定することができる。   In the present embodiment, the width of the first resin portion 18 is larger than the average particle diameter of the first inorganic insulating particles 22. As a result, the thermal expansion of the first resin portion 18 can be increased, and the protruding portion 29 can be satisfactorily fixed by the first resin portion 18.

また、第2樹脂部19の幅は、第1無機絶縁粒子22の平均粒径よりも小さい。その結果、無機絶縁層14における無機絶縁粒子17の含有量を増加させて、無機絶縁層14をより高剛性かつ低熱膨張率とすることができる。   In addition, the width of the second resin portion 19 is smaller than the average particle diameter of the first inorganic insulating particles 22. As a result, the content of the inorganic insulating particles 17 in the inorganic insulating layer 14 can be increased to make the inorganic insulating layer 14 more rigid and have a low thermal expansion coefficient.

本実施形態において、凹部27は、図2(b)に示すように、無機絶縁層14の主面方向(XY平面方向)に沿った断面において、第1樹脂部18に取り囲まれている。その結果、凹部27に対応する突出部29を取り囲む第1樹脂部18が突出部29を固定するため、第1樹脂部18によって突出部29を良好に固定することができる。   In the present embodiment, the recess 27 is surrounded by the first resin portion 18 in a cross section along the main surface direction (XY plane direction) of the inorganic insulating layer 14 as shown in FIG. As a result, since the first resin portion 18 surrounding the protrusion 29 corresponding to the recess 27 fixes the protrusion 29, the protrusion 29 can be favorably fixed by the first resin portion 18.

本実施形態において、凸部26には、第1樹脂部18および複数の第1無機絶縁粒子22が配されている。その結果、凸部26において、第1樹脂部18が熱膨張した際に複数の第1無機絶縁粒子22によって第1樹脂部18が固定されやすくなるため、第1樹脂部18によって突出部29を良好に固定することができる。また、凸部26には、第1樹脂部18および第2無機絶縁粒子23が配されている。また、無機絶縁層14の一主面の近傍領域30における第2無機絶縁粒子23の含有割合は、無機絶縁層14の他主面の近傍領域31における第2無機絶縁粒子23の含有割合よりも多い。なお、無機絶縁層14の一主面の近傍領域30は、無機絶縁層14の一主面(凹部27の底部)から2μm以下の距離である層状の領域をいう。無機絶縁層14の他主面の近傍領域31は、無機絶縁層14の他主面から2μm以下の距離である層状の領域をいう。   In the present embodiment, the first resin portion 18 and the plurality of first inorganic insulating particles 22 are arranged on the convex portion 26. As a result, in the convex portion 26, the first resin portion 18 is easily fixed by the plurality of first inorganic insulating particles 22 when the first resin portion 18 is thermally expanded. It can be fixed well. Further, the first resin portion 18 and the second inorganic insulating particles 23 are arranged on the convex portion 26. The content ratio of the second inorganic insulating particles 23 in the vicinity region 30 of one main surface of the inorganic insulating layer 14 is higher than the content ratio of the second inorganic insulating particles 23 in the vicinity region 31 of the other main surface of the inorganic insulating layer 14. Many. In addition, the vicinity region 30 of one main surface of the inorganic insulating layer 14 refers to a layered region having a distance of 2 μm or less from one main surface of the inorganic insulating layer 14 (the bottom portion of the recess 27). The vicinity region 31 of the other main surface of the inorganic insulating layer 14 refers to a layered region having a distance of 2 μm or less from the other main surface of the inorganic insulating layer 14.

本実施形態において、凸部26の高さ(Z方向)は、例えば3μm以上6μm以下であり、凸部26の幅(XY平面方向)は、例えば2μm以上5μm以下である。凹部27の深さ(Z方向)は、例えば3μm以上6μm以下であり、凹部27の幅(XY平面方向)は、例えば2μm以上5μm以下である。なお、凸部26の高さは、配線基板3の厚み方向への断面において、複数の凸部26の高さをそれぞれ測定し、これら高さの平均値を算出することによって測定することができる。凸部26の幅、凹部27の高さおよび凹部27の幅も凸部26の高さと同様に測定することができる。   In the present embodiment, the height (Z direction) of the convex portion 26 is, for example, 3 μm or more and 6 μm or less, and the width (XY plane direction) of the convex portion 26 is, for example, 2 μm or more and 5 μm or less. The depth (Z direction) of the recess 27 is, for example, 3 μm or more and 6 μm or less, and the width (XY plane direction) of the recess 27 is, for example, 2 μm or more and 5 μm or less. The height of the convex portion 26 can be measured by measuring the height of each of the plurality of convex portions 26 in the cross section in the thickness direction of the wiring board 3 and calculating the average value of these heights. . The width of the convex portion 26, the height of the concave portion 27, and the width of the concave portion 27 can be measured in the same manner as the height of the convex portion 26.

また、第1樹脂部18の幅は、例えば0.5μm以上3μm以下である。その結果、第1樹脂部18の幅を大きくすることによって、第1樹脂部18の収縮量を増加させることができる。また、第2樹脂部19の幅は、例えば1nm以上70nm以下である。その結果、第2樹脂部19の幅を小さくすることによって、無機絶縁層14における無機絶縁粒子17の含有量を増加させることができる。なお、第1樹脂部18の幅は、配線基板3の厚み方向への断面において、複数の第1樹脂部18における幅の最大値をそれぞれ測定し、これら最大値の平均値を算出することによって測定することができる。第2樹脂部19
の幅は、第1樹脂部18の幅と同様に測定することができる。
Moreover, the width | variety of the 1st resin part 18 is 0.5 micrometer or more and 3 micrometers or less, for example. As a result, the contraction amount of the first resin portion 18 can be increased by increasing the width of the first resin portion 18. Moreover, the width | variety of the 2nd resin part 19 is 1 nm or more and 70 nm or less, for example. As a result, the content of the inorganic insulating particles 17 in the inorganic insulating layer 14 can be increased by reducing the width of the second resin portion 19. The width of the first resin portion 18 is obtained by measuring the maximum value of the width of each of the plurality of first resin portions 18 in the cross section in the thickness direction of the wiring board 3 and calculating the average value of these maximum values. Can be measured. Second resin part 19
The width of can be measured in the same manner as the width of the first resin portion 18.

次に、前述した実装構造体1の製造方法を、図3ないし図8に基づいて説明する。   Next, a method for manufacturing the mounting structure 1 described above will be described with reference to FIGS.

(1)図3(a)に示すように、コア基板5を作製する。具体的には、例えば以下のように行なう。   (1) As shown in FIG. 3A, the core substrate 5 is manufactured. Specifically, for example, the following is performed.

プリプレグを硬化させてなる基体7と基体7の上下に配された銅等の金属箔とからなる積層板を準備する。次に、レーザー加工またはドリル加工等を用いて、積層板にスルーホールを形成する。次に、例えば無電解めっき法、電解めっき法、蒸着法、CVD法またはスパッタリング法等を用いて、スルーホール内に導電材料を被着させてスルーホール導体8を形成する。次に、スルーホール導体8の内側に未硬化樹脂を充填して硬化させることによって、絶縁体9を形成する。次に、例えば無電解めっき法、電解めっき法、蒸着法、CVD法またはスパッタリング法等を用いて、絶縁体9上に導電材料を被着させた後、フォトリソグラフィー法およびエッチング法等を用いて、基体7上の金属箔および導電材料をパターニングして導電層11を形成する。その結果、コア基板5を作製することができる。   A laminated plate made of a base 7 formed by curing the prepreg and a metal foil such as copper disposed above and below the base 7 is prepared. Next, through holes are formed in the laminate using laser processing, drilling, or the like. Next, the through-hole conductor 8 is formed by depositing a conductive material in the through-hole using, for example, an electroless plating method, an electrolytic plating method, a vapor deposition method, a CVD method, or a sputtering method. Next, the insulator 9 is formed by filling the inside of the through-hole conductor 8 with an uncured resin and curing it. Next, a conductive material is deposited on the insulator 9 using, for example, an electroless plating method, an electrolytic plating method, a vapor deposition method, a CVD method, a sputtering method, or the like, and then a photolithography method, an etching method, or the like. Then, the metal foil and conductive material on the substrate 7 are patterned to form the conductive layer 11. As a result, the core substrate 5 can be manufactured.

(2)図3(b)ないし図5(c)に示すように、例えば銅箔等の金属箔またはPETフィルム等の樹脂フィルム等からなる支持体32と、支持体32上に配された無機絶縁層14と、無機絶縁層14上に配された未硬化の樹脂層前駆体33とを含む積層シート34を作製する。具体的には、例えば以下のように行なう。   (2) As shown in FIGS. 3 (b) to 5 (c), for example, a support 32 made of a metal foil such as a copper foil or a resin film such as a PET film, and an inorganic material disposed on the support 32. A laminated sheet 34 including the insulating layer 14 and the uncured resin layer precursor 33 disposed on the inorganic insulating layer 14 is produced. Specifically, for example, the following is performed.

まず、図3(b)および図3(c)に示すように、無機絶縁粒子17と無機絶縁粒子17が分散した溶剤35とを有する無機絶縁ゾル36を準備し、無機絶縁ゾル36を支持体32の一主面に塗布する。次に、無機絶縁ゾル36から溶剤35を蒸発させて、支持体32上に無機絶縁粒子17を残存させる。この残存した無機絶縁粒子17は、近接箇所で互いに接触している。次に、図4(a)ないし図4(c)に示すように、この無機絶縁粒子17を加熱して、隣接する無機絶縁粒子17同士を近接箇所で接続させることによって、無機絶縁構造体20を有する無機絶縁層14を形成する。この際に、無機絶縁粒子17および支持体32の間に介在した第1間隙24と、無機絶縁粒子17同士の間の第2間隙25が形成される。次に、図5(a)ないし図5(c)に示すように、無機絶縁層14上に樹脂層前駆体33を積層し、積層された無機絶縁層14および樹脂層前駆体33を厚み方向に加熱加圧することによって、樹脂層前駆体33の一部を第1間隙24および第2間隙25内に充填する。その結果、積層シート34を作製することができる。   First, as shown in FIGS. 3B and 3C, an inorganic insulating sol 36 having inorganic insulating particles 17 and a solvent 35 in which the inorganic insulating particles 17 are dispersed is prepared, and the inorganic insulating sol 36 is supported on the support. 32 is applied to one main surface. Next, the solvent 35 is evaporated from the inorganic insulating sol 36 to leave the inorganic insulating particles 17 on the support 32. The remaining inorganic insulating particles 17 are in contact with each other at close locations. Next, as shown in FIGS. 4A to 4C, the inorganic insulating structure 17 is heated by heating the inorganic insulating particles 17 and connecting the adjacent inorganic insulating particles 17 to each other at adjacent positions. An inorganic insulating layer 14 having the following is formed. At this time, a first gap 24 interposed between the inorganic insulating particles 17 and the support 32 and a second gap 25 between the inorganic insulating particles 17 are formed. Next, as shown in FIGS. 5A to 5C, a resin layer precursor 33 is laminated on the inorganic insulating layer 14, and the laminated inorganic insulating layer 14 and resin layer precursor 33 are arranged in the thickness direction. A part of the resin layer precursor 33 is filled in the first gap 24 and the second gap 25 by heating and pressing. As a result, the laminated sheet 34 can be produced.

ここで、本実施形態において、支持体32の無機絶縁ゾル36が塗布される一主面は、複数の突出部29とこの突出部29同士の間に位置する窪み部28とを有する。この支持体32の一主面に無機絶縁ゾル36を塗布する際に、無機絶縁粒子17が窪み部28に配される。そして、溶剤35を蒸発させた後、無機絶縁粒子17同士を接続させて無機絶縁層14を形成することによって、突出部29に対応した形状の凹部27を形成しつつ、窪み部28に対応した形状の凸部26を形成する。その結果、窪み部28に配されていた無機絶縁粒子17を含む凸部26を形成することができる。   Here, in the present embodiment, one main surface of the support 32 to which the inorganic insulating sol 36 is applied has a plurality of projecting portions 29 and a recessed portion 28 located between the projecting portions 29. When the inorganic insulating sol 36 is applied to one main surface of the support 32, the inorganic insulating particles 17 are arranged in the depressions 28. Then, after the solvent 35 is evaporated, the inorganic insulating particles 17 are connected to each other to form the inorganic insulating layer 14, thereby forming the concave portion 27 corresponding to the protruding portion 29 and corresponding to the concave portion 28. A convex portion 26 having a shape is formed. As a result, the convex part 26 including the inorganic insulating particles 17 arranged in the hollow part 28 can be formed.

また、無機絶縁ゾル36を塗布する際に、無機絶縁粒子17における第1無機絶縁粒子22の含有割合を低減すると、溶剤35を蒸発させる際に第1無機絶縁粒子22が存在しない領域が形成されやすくなり、無機絶縁層14を形成する際に第1間隙24が形成されやすくなる。   When the inorganic insulating sol 36 is applied, if the content ratio of the first inorganic insulating particles 22 in the inorganic insulating particles 17 is reduced, a region where the first inorganic insulating particles 22 are not present when the solvent 35 is evaporated is formed. This facilitates the formation of the first gap 24 when the inorganic insulating layer 14 is formed.

また、支持体32の窪み部28の幅を第2無機絶縁粒子23の平均粒径よりも大きくす
ると、無機絶縁ゾル36を塗布する際に、窪み部28に第2無機絶縁粒子23を配されやすくなり、窪み部28における第1無機絶縁粒子22の含有割合が低下しやすくなる。その結果、凸部26に第1間隙24が形成されやすくなる。この場合には、凸部26に第2無機絶縁粒子23が配される。なお、例えば支持体32として電解銅箔を用いる場合には、電解めっき条件を適宜調節することによって、窪み部28の形状を適宜調節することができる。
Further, if the width of the hollow portion 28 of the support 32 is larger than the average particle diameter of the second inorganic insulating particles 23, the second inorganic insulating particles 23 are disposed in the hollow portion 28 when the inorganic insulating sol 36 is applied. It becomes easy and the content rate of the 1st inorganic insulating particle 22 in the hollow part 28 tends to fall. As a result, the first gap 24 is easily formed in the convex portion 26. In this case, the second inorganic insulating particles 23 are disposed on the convex portions 26. For example, when an electrolytic copper foil is used as the support 32, the shape of the recess 28 can be appropriately adjusted by appropriately adjusting the electrolytic plating conditions.

また、無機絶縁ゾル36を塗布する際に、重力または遠心力によって第2無機絶縁粒子23を支持体32の一主面上に沈降させると、支持体32の一主面の近傍領域における第2無機絶縁粒子23の含有割合を増加させて第1無機絶縁粒子22の含有割合を低減することができるため、無機絶縁層14を形成する際に第1間隙24が形成されやすくなる。この場合には、無機絶縁層14の一主面の近傍領域30における第2無機絶縁粒子23の含有割合が、無機絶縁層14の他主面の近傍領域31における第2無機絶縁粒子23の含有割合よりも多くなる。   When the inorganic insulating sol 36 is applied, if the second inorganic insulating particles 23 are allowed to settle on one main surface of the support 32 by gravity or centrifugal force, the second region in the vicinity of the one main surface of the support 32 is used. Since the content ratio of the first inorganic insulating particles 22 can be reduced by increasing the content ratio of the inorganic insulating particles 23, the first gap 24 is easily formed when the inorganic insulating layer 14 is formed. In this case, the content ratio of the second inorganic insulating particles 23 in the vicinity region 30 of one main surface of the inorganic insulating layer 14 is such that the content of the second inorganic insulating particles 23 in the vicinity region 31 of the other main surface of the inorganic insulating layer 14 is. More than a percentage.

無機絶縁ゾル36における無機絶縁粒子17の含有割合は、例えば10%体積以上50体積%以下であり、無機絶縁ゾル36における溶剤35の含有割合は、例えば50%体積以上90体積%以下である。溶剤35は、例えばメタノール、イソプロパノール、n−ブタノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノプロピルエーテル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジメチルアセトアミドまたはこれらから選択された2種以上の混合物を含んだ有機溶剤等を用いることができる。   The content ratio of the inorganic insulating particles 17 in the inorganic insulating sol 36 is, for example, 10% to 50% by volume, and the content ratio of the solvent 35 in the inorganic insulating sol 36 is, for example, 50% to 90% by volume. The solvent 35 is, for example, methanol, isopropanol, n-butanol, ethylene glycol, ethylene glycol monopropyl ether, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, xylene, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, dimethylacetamide or 2 selected from these An organic solvent containing a mixture of seeds or more can be used.

無機絶縁ゾル36の乾燥は、例えば加熱および風乾により行なわれる。乾燥温度は、例えば、20℃以上溶剤35の沸点未満であり、乾燥時間は、例えば20秒以上30分以下である。   The inorganic insulating sol 36 is dried by, for example, heating and air drying. The drying temperature is, for example, 20 ° C. or more and less than the boiling point of the solvent 35, and the drying time is, for example, 20 seconds or more and 30 minutes or less.

無機絶縁粒子17同士を接続させる際の加熱温度は、溶剤35の沸点以上、無機絶縁粒子17の結晶化開始温度未満であり、さらには、100℃以上250℃以下である。また、加熱時間は、例えば0.5時間以上24時間以下である。第1無機絶縁粒子22は、前述した如く、平均粒径が3nm以上110nm以下と微小であるため、このような低温であっても、第1無機絶縁粒子22同士および第1無機絶縁粒子22と第2無機絶縁粒子23とを強固に接続することができる。これは、第1無機絶縁粒子22が微小であることから、第1無機絶縁粒子22の原子、特に表面の原子が活発に運動するため、このような低温下でも第1無機絶縁粒子22同士および第1無機絶縁粒子22と第2無機絶縁粒子23とが強固に接続すると推測される。   The heating temperature for connecting the inorganic insulating particles 17 is not less than the boiling point of the solvent 35 and less than the crystallization start temperature of the inorganic insulating particles 17, and is not less than 100 ° C. and not more than 250 ° C. The heating time is, for example, 0.5 hours or more and 24 hours or less. As described above, the first inorganic insulating particles 22 have an average particle size as small as 3 nm to 110 nm. Therefore, even at such a low temperature, the first inorganic insulating particles 22 and the first inorganic insulating particles 22 The second inorganic insulating particles 23 can be firmly connected. This is because, since the first inorganic insulating particles 22 are minute, the atoms of the first inorganic insulating particles 22, particularly the atoms on the surface, actively move. It is presumed that the first inorganic insulating particles 22 and the second inorganic insulating particles 23 are firmly connected.

さらに、このように低温で加熱することによって、第1無機絶縁粒子22および第2無機絶縁粒子23の粒子形状を保持しつつ、第1無機絶縁粒子22同士および第1無機絶縁粒子22と第2無機絶縁粒子23とを近接領域のみで接続することができる。その結果、接続部20においてネック構造を形成するとともに、開気孔の第1間隙24および第2間隙25を容易に形成することができる。なお、第1無機絶縁粒子22同士を強固に接続することができる温度は、例えば、第1無機絶縁粒子22の平均粒径を110nm以下に設定した場合は250℃程度であり、第1無機絶縁粒子22の平均粒径を15nm以下に設定した場合は150℃程度である。   Further, by heating at such a low temperature as described above, the first inorganic insulating particles 22 and the first inorganic insulating particles 22 and the second inorganic insulating particles 22 and the second inorganic insulating particles 22 are maintained while maintaining the particle shapes of the first inorganic insulating particles 22 and the second inorganic insulating particles 23. The inorganic insulating particles 23 can be connected only in the proximity region. As a result, a neck structure can be formed in the connecting portion 20 and the first gap 24 and the second gap 25 of the open pores can be easily formed. The temperature at which the first inorganic insulating particles 22 can be firmly connected is, for example, about 250 ° C. when the average particle size of the first inorganic insulating particles 22 is set to 110 nm or less. When the average particle size of the particles 22 is set to 15 nm or less, the temperature is about 150 ° C.

積層された無機絶縁層14および樹脂層前駆体33を加熱加圧する際の圧力は、例えば0.5MPa以上2MPa以下であり、加圧時間は、例えば60秒以上10分以下であり、加熱温度は、例えば80℃以上140℃以下である。この加熱加圧条件を適宜調節することによって、樹脂層前駆体33の一部を第1間隙24および第2間隙25内に良好に充
填することができる。なお、加熱温度は、樹脂層前駆体33の硬化開始温度未満であるため、樹脂層前駆体33を未硬化の状態で維持することができる。
The pressure at the time of heating and pressurizing the laminated inorganic insulating layer 14 and the resin layer precursor 33 is, for example, 0.5 MPa or more and 2 MPa or less, the pressurizing time is, for example, 60 seconds or more and 10 minutes or less, and the heating temperature is For example, they are 80 degreeC or more and 140 degrees C or less. A part of the resin layer precursor 33 can be satisfactorily filled in the first gap 24 and the second gap 25 by appropriately adjusting the heating and pressing conditions. Since the heating temperature is lower than the curing start temperature of the resin layer precursor 33, the resin layer precursor 33 can be maintained in an uncured state.

(3)図6(a)ないし図7(b)に示すように、コア基板5上に積層シート34を積層して絶縁層10を形成し、絶縁層10に導電層11およびビア導体12を形成する。具体的には、例えば以下のように行なう。   (3) As shown in FIGS. 6A to 7B, the laminated sheet 34 is laminated on the core substrate 5 to form the insulating layer 10, and the conductive layer 11 and the via conductor 12 are formed on the insulating layer 10. Form. Specifically, for example, the following is performed.

まず、図6(a)に示すように、樹脂層前駆体33をコア基板5に接しつつ、コア基板5上に積層シート34を積層し、積層されたコア基板5および積層シート34を厚み方向に加熱加圧することによって、コア基板5に積層シート34を接着させた後、積層シート34の樹脂層前駆体33を硬化開始温度以上、熱分解温度未満の温度で加熱することによって、樹脂層前駆体33を硬化させて樹脂層13とする。その結果、この樹脂層13と積層シート34に含まれていた無機絶縁層14とを有する絶縁層10をコア基板5上に形成することができる。   First, as shown in FIG. 6A, a laminated sheet 34 is laminated on the core substrate 5 while the resin layer precursor 33 is in contact with the core substrate 5, and the laminated core substrate 5 and laminated sheet 34 are arranged in the thickness direction. After the laminated sheet 34 is adhered to the core substrate 5 by heating and pressurizing, the resin layer precursor 33 of the laminated sheet 34 is heated at a temperature not lower than the curing start temperature and lower than the thermal decomposition temperature. The body 33 is cured to form the resin layer 13. As a result, the insulating layer 10 having the resin layer 13 and the inorganic insulating layer 14 included in the laminated sheet 34 can be formed on the core substrate 5.

次に、図6(b)および図6(c)に示すように、塩化第二鉄溶液または塩化銅溶液等を用いて、無機絶縁層14から支持体32を化学的に剥離した後、レーザー加工等を用いて、絶縁層10を厚み方向に貫通するとともに導電層11を露出したビア孔を形成する。次に、レーザー加工によってビア孔内に生じたスミア(樹脂の残渣)を除去する(デスミア処理)。次に、図7(a)および図7(b)に示すように、無電解めっき法および電解めっき法等を用いたセミアディティブ法、サブトラクティブ法またはフルアディティブ法等によって、絶縁層10上に所望のパターンの導電層11を形成するとともに、ビア孔内にビア導体12を形成する。この際、導電層11は、絶縁層10における無機絶縁層14の一主面の一部に配される。   Next, as shown in FIGS. 6B and 6C, the support 32 is chemically peeled from the inorganic insulating layer 14 using a ferric chloride solution or a copper chloride solution, and then laser Using processing or the like, a via hole that penetrates the insulating layer 10 in the thickness direction and exposes the conductive layer 11 is formed. Next, smear (resin residue) generated in the via hole by laser processing is removed (desmear treatment). Next, as shown in FIGS. 7A and 7B, the insulating layer 10 is formed on the insulating layer 10 by a semi-additive method, a subtractive method, a full additive method, or the like using an electroless plating method or an electrolytic plating method. A conductive layer 11 having a desired pattern is formed, and a via conductor 12 is formed in the via hole. At this time, the conductive layer 11 is disposed on a part of one main surface of the inorganic insulating layer 14 in the insulating layer 10.

工程(2)で第1間隙24および第2間隙25に入り込んでいた樹脂層前駆体33の一部が、本工程で第1樹脂部18および第2樹脂部19となる。この際に第1樹脂部18および第2樹脂部19が硬化収縮するため、第1樹脂部18によって突出部28が固定される。なお、積層されたコア基板5および積層シート34を加熱加圧する際の各条件は、工程(2)の加熱加圧と同様である。   Part of the resin layer precursor 33 that has entered the first gap 24 and the second gap 25 in the step (2) becomes the first resin portion 18 and the second resin portion 19 in this step. At this time, since the first resin portion 18 and the second resin portion 19 are cured and contracted, the protruding portion 28 is fixed by the first resin portion 18. In addition, each condition at the time of heat-pressing the laminated | stacked core board | substrate 5 and the lamination sheet 34 is the same as that of the heat-pressing of a process (2).

ここで、本実施形態においては、無機絶縁層14から支持体32を剥離することによって、工程(2)で形成した凸部26および凹部27が露出する。そして、無機絶縁層14の凹部27が露出した一主面上で導電層11を形成すると、この凹部27にめっき液が入り込むため、導電層11の窪み部28および突出部29を形成することができる。この際にめっき液にさらされた第1樹脂部18および第2樹脂部19が乾燥収縮するため、第1樹脂部18によって導電層11の突出部29が固定される。したがって、本工程において、導電層11の無機絶縁層14からの剥離を低減し、導電層11同士の接触を低減して短絡を低減できる。   Here, in this embodiment, the protrusions 26 and the recesses 27 formed in the step (2) are exposed by peeling the support 32 from the inorganic insulating layer 14. Then, when the conductive layer 11 is formed on one main surface where the concave portion 27 of the inorganic insulating layer 14 is exposed, the plating solution enters the concave portion 27, so that the concave portion 28 and the protruding portion 29 of the conductive layer 11 can be formed. it can. At this time, since the first resin portion 18 and the second resin portion 19 exposed to the plating solution are dried and contracted, the protruding portion 29 of the conductive layer 11 is fixed by the first resin portion 18. Therefore, in this step, peeling of the conductive layer 11 from the inorganic insulating layer 14 can be reduced, contact between the conductive layers 11 can be reduced, and a short circuit can be reduced.

(4)図8(a)および図8(b)に示すように、絶縁層10上に積層シート34を積層してさらに絶縁層10を形成し、この絶縁層10に導電層11およびビア導体12を形成することによって、コア基板5上にビルドアップ層6を形成し、配線基板3を作製する。具体的には、例えば以下のように行なう。ここで、便宜上、本工程で形成する絶縁層10を第1絶縁層10aとし、工程(3)で形成した絶縁層10を第2絶縁層10bとする。   (4) As shown in FIGS. 8A and 8B, a laminated sheet 34 is laminated on the insulating layer 10 to further form the insulating layer 10, and the conductive layer 11 and via conductors are formed on the insulating layer 10. By forming 12, the build-up layer 6 is formed on the core substrate 5, and the wiring substrate 3 is produced. Specifically, for example, the following is performed. Here, for convenience, the insulating layer 10 formed in this step is referred to as a first insulating layer 10a, and the insulating layer 10 formed in step (3) is referred to as a second insulating layer 10b.

まず、図8(a)に示すように、樹脂層前駆体33を第2絶縁層10bに接しつつ、第2絶縁層10b上に積層シート34を積層し、積層された第2絶縁層10bおよび積層シート34を厚み方向に加熱加圧することによって、第2絶縁層10bに積層シート34を
接着させた後、積層シート34の樹脂層前駆体33を硬化開始温度以上、熱分解温度未満の温度で加熱することによって、樹脂層前駆体33を硬化させて樹脂層13とする。その結果、この樹脂層13と積層シート34に含まれていた無機絶縁層14とを有する第1絶縁層10aを第2絶縁層10b上に形成することができる。次に、図8(b)に示すように、工程(3)と同様の方法で、第1絶縁層10aに導電層11およびビア導体12を形成する。なお、本工程を繰り返すことによって、ビルドアップ層6をより多層化することができる。
First, as shown in FIG. 8A, a laminated sheet 34 is laminated on the second insulating layer 10b while the resin layer precursor 33 is in contact with the second insulating layer 10b, and the laminated second insulating layer 10b and After the laminated sheet 34 is heated and pressed in the thickness direction to adhere the laminated sheet 34 to the second insulating layer 10b, the resin layer precursor 33 of the laminated sheet 34 is heated at a temperature not lower than the curing start temperature and lower than the thermal decomposition temperature. By heating, the resin layer precursor 33 is cured to form the resin layer 13. As a result, the first insulating layer 10a having the resin layer 13 and the inorganic insulating layer 14 included in the laminated sheet 34 can be formed on the second insulating layer 10b. Next, as shown in FIG. 8B, the conductive layer 11 and the via conductor 12 are formed in the first insulating layer 10a by the same method as in the step (3). In addition, the build-up layer 6 can be multi-layered by repeating this process.

第2絶縁層10bに積層シート34を接着させる際に、樹脂層前駆体33は流動するため、樹脂層前駆体33は無機絶縁層14の一主面の他の部分に配されるとともに導電層11の側面および一主面を被覆する。したがって、第1絶縁層10aの樹脂層13は、無機絶縁層14の一主面に配された導電層11の側面および一主面を被覆する。なお、積層された第2絶縁層10bおよび積層シート34を加熱加圧する際の各条件は、工程(2)の加熱加圧と同様である。   Since the resin layer precursor 33 flows when the laminated sheet 34 is adhered to the second insulating layer 10b, the resin layer precursor 33 is disposed on the other part of one main surface of the inorganic insulating layer 14 and is also a conductive layer. 11 side surfaces and one main surface are covered. Therefore, the resin layer 13 of the first insulating layer 10 a covers the side surface and one main surface of the conductive layer 11 disposed on one main surface of the inorganic insulating layer 14. In addition, each condition at the time of heat-pressing the laminated | stacked 2nd insulating layer 10b and the lamination sheet 34 is the same as that of the heat-pressing of a process (2).

なお、全層の絶縁層10を形成した後、絶縁層10を硬化開始温度以上、熱分解温度未満の温度でさらに加熱しても構わない。その結果、第1樹脂部18の硬化が不完全であった場合に第1樹脂部18の硬化度を高めることができる。この際に第1樹脂部18が硬化収縮するため、第1樹脂部18によって突出部28が固定される。   In addition, after forming the insulating layer 10 of all layers, the insulating layer 10 may be further heated at a temperature not lower than the curing start temperature and lower than the thermal decomposition temperature. As a result, when the curing of the first resin portion 18 is incomplete, the degree of curing of the first resin portion 18 can be increased. At this time, since the first resin portion 18 is cured and contracted, the protruding portion 28 is fixed by the first resin portion 18.

(5)配線基板3に対してバンプ4を介して電子部品2をフリップチップ実装することにより、図1(a)に示した実装構造体1を作製する。   (5) The electronic component 2 is flip-chip mounted on the wiring board 3 via the bumps 4 to produce the mounting structure 1 shown in FIG.

本発明は、前述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の変更、改良、組合せ等が可能である。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications, improvements, combinations, and the like are possible without departing from the spirit of the present invention.

例えば、前述した本発明の実施形態においては、電子部品2としてICまたはLSI等の半導体素子を用いた構成を例に説明したが、電子部品2は、CMOSイメージセンサ等の固体撮像素子、LED等の発光素子または弾性表面波(SAW)装置もしくは圧電薄膜共振器(FBAR)等の弾性波装置を用いても構わない。   For example, in the above-described embodiments of the present invention, the configuration using a semiconductor element such as an IC or LSI as the electronic component 2 has been described as an example. However, the electronic component 2 includes a solid-state imaging device such as a CMOS image sensor, an LED, and the like. Alternatively, an acoustic wave device such as a light emitting element, a surface acoustic wave (SAW) device, or a piezoelectric thin film resonator (FBAR) may be used.

また、前述した本発明の実施形態においては、電子部品2を配線基板3にフリップチップ実装した構成を例に説明したが、電子部品2を配線基板3にワイヤボンディング実装しても構わないし、電子部品2を配線基板3に内蔵させても構わない。   In the above-described embodiment of the present invention, the configuration in which the electronic component 2 is flip-chip mounted on the wiring substrate 3 has been described as an example. However, the electronic component 2 may be mounted on the wiring substrate 3 by wire bonding. The component 2 may be built in the wiring board 3.

また、前述した本発明の実施形態においては、配線基板3としてコア基板5およびビルドアップ層6からなるビルドアップ多層基板を用いた構成を例に説明したが、配線基板3としてビルドアップ多層基板以外のものを用いてもよく、例えば配線基板3としてコアレス基板を用いても構わない。   In the above-described embodiment of the present invention, the configuration using the build-up multilayer substrate including the core substrate 5 and the build-up layer 6 as the wiring substrate 3 has been described as an example. For example, a coreless substrate may be used as the wiring substrate 3.

また、前述した本発明の実施形態においては、無機絶縁層14をビルドアップ層6に適用した構成を例に説明したが、無機絶縁層14を基体7に適用しても構わない。   In the above-described embodiment of the present invention, the configuration in which the inorganic insulating layer 14 is applied to the buildup layer 6 has been described as an example. However, the inorganic insulating layer 14 may be applied to the substrate 7.

また、前述した本発明の実施形態においては、1つのビルドアップ層6が絶縁層10を2層含む構成を例に説明したが、1つのビルドアップ層6は絶縁層10を3層以上含んでいても構わない。   Further, in the above-described embodiment of the present invention, the configuration in which one buildup layer 6 includes two insulating layers 10 has been described as an example. However, one buildup layer 6 includes three or more insulating layers 10. It does not matter.

また、前述した本発明の実施形態においては、無機絶縁粒子17が第2無機絶縁粒子23を含む構成を例に説明したが、無機絶縁粒子17は第2無機絶縁粒子23を含まなくても構わない。   In the above-described embodiment of the present invention, the configuration in which the inorganic insulating particles 17 include the second inorganic insulating particles 23 has been described as an example. However, the inorganic insulating particles 17 may not include the second inorganic insulating particles 23. Absent.

また、前述した本発明の実施形態においては、工程(2)で溶剤35の蒸発と無機絶縁粒子17の加熱とを別々に行なう構成を例に説明したが、これらを同時に行なっても構わない。   In the above-described embodiment of the present invention, the configuration in which the evaporation of the solvent 35 and the heating of the inorganic insulating particles 17 are separately performed in the step (2) has been described as an example, but these may be performed simultaneously.

また、前述した本発明の実施形態においては、工程(3)で無機絶縁層14から支持体32を剥離した後に導電層11を形成した構成を例に説明したが、銅箔等の金属箔からなる支持体32を無機絶縁層14から剥離せずに残存させて、セミアディティブ法またはサブトラクティブ法等によって所望のパターンの導電層11を形成しても構わない。この場合には、樹脂層前駆体33を硬化させる際の第1樹脂部18の硬化収縮によって、導電層11の突出部28が固定される。   Moreover, in embodiment of this invention mentioned above, although demonstrated the structure which formed the conductive layer 11 after peeling the support body 32 from the inorganic insulating layer 14 at the process (3), from metal foils, such as copper foil, was demonstrated. The support 32 to be formed may be left without being peeled from the inorganic insulating layer 14, and the conductive layer 11 having a desired pattern may be formed by a semi-additive method or a subtractive method. In this case, the protruding portion 28 of the conductive layer 11 is fixed by the curing shrinkage of the first resin portion 18 when the resin layer precursor 33 is cured.

1 実装構造体
2 電子部品
3 配線基板
4 バンプ
5 コア基板
6 ビルドアップ層
7 基体
8 スルーホール導体
9 絶縁体
10 絶縁層
11 導電層
12 ビア導体
13 樹脂層
14 無機絶縁層
15 樹脂
16 フィラー粒子
17 無機絶縁粒子
18 第1樹脂部
19 第2樹脂部
20 無機絶縁構造体
21 接続部
22 第1無機絶縁粒子
23 第2無機絶縁粒子
24 第1間隙
25 第2間隙
26 凸部
27 凹部
28 窪み部
29 突出部
30 無機絶縁層の一主面の近傍領域
31 無機絶縁層の他主面の近傍領域
32 支持体
33 樹脂層前駆体
34 積層シート
35 溶剤
36 無機絶縁ゾル
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Mounting structure 2 Electronic component 3 Wiring board 4 Bump 5 Core board 6 Buildup layer 7 Base body 8 Through-hole conductor 9 Insulator 10 Insulating layer 11 Conductive layer 12 Via conductor 13 Resin layer 14 Inorganic insulating layer 15 Resin 16 Filler particle 17 Inorganic insulating particles 18 First resin part 19 Second resin part 20 Inorganic insulating structure 21 Connection part 22 First inorganic insulating particle 23 Second inorganic insulating particle 24 First gap 25 Second gap 26 Convex part 27 Concave part 28 Depressed part 29 Protrusion 30 Region near one main surface of inorganic insulating layer 31 Region near other main surface of inorganic insulating layer 32 Support 33 Resin layer precursor 34 Laminated sheet 35 Solvent 36 Inorganic insulating sol

Claims (12)

複数の凸部および該凸部同士の間に位置する複数の凹部を一主面に有する無機絶縁層と、該無機絶縁層の前記一主面に部分的に配されているとともに前記凸部に対応した窪み部および前記凹部に対応した突出部を有する導電層とを備え、
前記無機絶縁層は、一部が互いに接続した複数の第1無機絶縁粒子と、前記無機絶縁層の前記一主面にて前記複数の第1無機絶縁粒子と前記導電層との間に介在した第1樹脂部とを含むことを特徴とする配線基板。
An inorganic insulating layer having a plurality of convex portions and a plurality of concave portions located between the convex portions on one main surface, and partially disposed on the one main surface of the inorganic insulating layer and on the convex portions A conductive layer having a corresponding recess and a protrusion corresponding to the recess,
The inorganic insulating layer includes a plurality of first inorganic insulating particles partially connected to each other, and the first insulating surface of the inorganic insulating layer is interposed between the plurality of first inorganic insulating particles and the conductive layer. A wiring board comprising a first resin portion.
請求項1に記載の配線基板において、
前記第1樹脂部は、前記凸部に配されていることを特徴とする配線基板。
The wiring board according to claim 1,
The wiring board, wherein the first resin portion is disposed on the convex portion.
請求項2に記載の配線基板において、
前記第1樹脂部は、前記突出部に接していることを特徴とする配線基板。
The wiring board according to claim 2,
The wiring board, wherein the first resin portion is in contact with the protruding portion.
請求項2に記載の配線基板において、
前記第1樹脂部は、前記無機絶縁層の厚み方向に沿った断面において、前記凹部を挟んで隣接する1組の前記凸部それぞれに配されていることを特徴とする配線基板。
The wiring board according to claim 2,
The wiring board according to claim 1, wherein the first resin portion is arranged on each of the pair of convex portions adjacent to each other across the concave portion in a cross section along the thickness direction of the inorganic insulating layer.
請求項4に記載の配線基板において、
前記1組の前記凸部それぞれに配された前記第1樹脂部は、前記凹部の底部を介してつながっていることを特徴とする配線基板。
The wiring board according to claim 4,
The wiring board, wherein the first resin portion disposed on each of the one set of the convex portions is connected via a bottom portion of the concave portion.
請求項1に記載の配線基板において、
前記第1樹脂部は、前記凹部の底部に配されていることを特徴とする配線基板。
The wiring board according to claim 1,
The wiring board according to claim 1, wherein the first resin portion is disposed on a bottom portion of the recess.
請求項6に記載の配線基板において、
前記第1樹脂部は、前記突出部の頂部に接していることを特徴とする配線基板。
The wiring board according to claim 6,
The wiring substrate, wherein the first resin portion is in contact with a top portion of the protruding portion.
請求項1に記載の配線基板において、
前記第1樹脂部の幅は、前記第1無機絶縁粒子の平均粒径よりも大きいことを特徴とする配線基板。
The wiring board according to claim 1,
The wiring board according to claim 1, wherein a width of the first resin portion is larger than an average particle diameter of the first inorganic insulating particles.
請求項1に記載の配線基板において、
前記無機絶縁層は、前記第1無機絶縁粒子同士の間に配されているとともに前記第1樹脂部とつながった第2樹脂部を有することを特徴とする配線基板。
The wiring board according to claim 1,
The wiring board according to claim 1, wherein the inorganic insulating layer has a second resin portion disposed between the first inorganic insulating particles and connected to the first resin portion.
請求項9に記載の配線基板において、
前記第2樹脂部の幅は、前記第1無機絶縁粒子の平均粒径よりも小さいことを特徴とする配線基板。
The wiring board according to claim 9,
The width of the second resin portion is smaller than the average particle size of the first inorganic insulating particles.
請求項1に記載の配線基板において、
前記凹部は、前記無機絶縁層の主面方向に沿った断面において、前記第1樹脂部に取り囲まれていることを特徴とする配線基板。
The wiring board according to claim 1,
The wiring substrate, wherein the recess is surrounded by the first resin portion in a cross section along the principal surface direction of the inorganic insulating layer.
請求項1ないし11のいずれかに記載の配線基板と、該配線基板に実装され、前記導電層に電気的に接続された電子部品とを備えたことを特徴とする実装構造体。   12. A mounting structure comprising: the wiring board according to claim 1; and an electronic component mounted on the wiring board and electrically connected to the conductive layer.
JP2013135290A 2013-06-27 2013-06-27 Wiring board and mounting structure using the same Pending JP2015012082A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013135290A JP2015012082A (en) 2013-06-27 2013-06-27 Wiring board and mounting structure using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013135290A JP2015012082A (en) 2013-06-27 2013-06-27 Wiring board and mounting structure using the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2015012082A true JP2015012082A (en) 2015-01-19

Family

ID=52305006

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013135290A Pending JP2015012082A (en) 2013-06-27 2013-06-27 Wiring board and mounting structure using the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2015012082A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017117842A (en) * 2015-12-21 2017-06-29 京セラ株式会社 Electronic component and method for manufacturing electronic component

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005104638A1 (en) * 2004-04-23 2005-11-03 Matsushita Electric Works, Ltd. Wiring board and method for producing the same
JP2011159649A (en) * 2010-01-29 2011-08-18 Kyocera Corp Wiring board
JP2013046012A (en) * 2011-08-26 2013-03-04 Kyocera Corp Wiring board and mounting structure therefor

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005104638A1 (en) * 2004-04-23 2005-11-03 Matsushita Electric Works, Ltd. Wiring board and method for producing the same
JP2011159649A (en) * 2010-01-29 2011-08-18 Kyocera Corp Wiring board
JP2013046012A (en) * 2011-08-26 2013-03-04 Kyocera Corp Wiring board and mounting structure therefor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017117842A (en) * 2015-12-21 2017-06-29 京セラ株式会社 Electronic component and method for manufacturing electronic component

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6099734B2 (en) Wiring board and mounting structure using the same
JP5307298B2 (en) Wiring board and mounting structure thereof
JP6133432B2 (en) Wiring board and mounting structure using the same
JP5961703B2 (en) Wiring board and mounting structure thereof
JP6151724B2 (en) Manufacturing method of mounting structure
JP6258347B2 (en) Wiring board and mounting structure using the same
JP5436247B2 (en) Wiring board
JP5933989B2 (en) Component built-in board
JP6294024B2 (en) Wiring board and mounting structure using the same
JP6105316B2 (en) Electronic equipment
JP5687092B2 (en) Wiring board and mounting structure using the same
JP5988372B2 (en) Wiring board and mounting structure thereof
JP6096538B2 (en) Wiring board, mounting structure using the same, and method of manufacturing wiring board
JP2015213199A (en) Component built-in substrate
JP6133689B2 (en) Wiring board and mounting structure using the same
JP2015012082A (en) Wiring board and mounting structure using the same
JP2012178392A (en) Wiring board, mounting structure of the same, insulation sheet, and method for manufacturing wiring board using insulation sheet
JP6001439B2 (en) Wiring board and mounting structure
JP2016167637A (en) Laminated wiring board and laminate
JP5952153B2 (en) Multilayer wiring board and mounting structure using the same
JP5909528B2 (en) Wiring board, laminated board and laminated sheet

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160215

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170119

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170221

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20170912