JP6287870B2 - SiC単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
〈1〉CのSi溶液に種結晶を接触させてSiC単結晶を成長させる、溶液法によるSiC単結晶の製造方法であって、黒鉛坩堝の周囲に配置された誘導加熱コイルに第1周波数の高周波電流を流し、原料Siを所定温度まで加熱し、前記原料Siを溶解しつつ、前記黒鉛坩堝からCを溶解させてSi−C溶液とすること、前記所定温度まで加熱した後、第1周波数から第2周波数に周波数を下げて、前記Si−C溶液を保温保持することを含む、SiC単結晶の製造方法。
〈2〉前記Si−C溶液の保温保持中に、高周波電流の周波数を、第1周波数と第2周波数に交互に複数回切り替える、請求項1に記載の方法。
〈3〉前記第1周波数が、4〜6kHzである、〈1〉項又は〈2〉項に記載の方法。
〈4〉前記第2周波数が、0.5〜2kHzである、〈1〉〜〈3〉項のいずれか1項に記載の方法。
2 誘導加熱コイル
3 Si−C溶液
3a Si−C溶液面
4 SiC単結晶
5 種結晶
6 高周波電源
7 インバータ
8 トランス
9a、9b コンデンサ
10 切替スイッチ
11 整合器
100 SiC単結晶製造装置
Claims (3)
- Si−C溶液に種結晶を接触させてSiC単結晶を成長させる、溶液法によるSiC単結晶の製造方法であって、
黒鉛坩堝の周囲に配置された誘導加熱コイルに第1周波数の高周波電流を流し、原料Siを所定温度まで加熱し、前記原料Siを溶解しつつ、前記黒鉛坩堝からCを溶解させてSi−C溶液とすること、
前記所定温度まで加熱した後、第1周波数から第2周波数に周波数を下げて、前記Si−C溶液を保温保持すること
を含み、
前記Si−C溶液を保温保持中に、高周波電流の周波数を、第1周波数と第2周波数に交互に複数回切り替える、
SiC単結晶の製造方法。 - 前記第1周波数が、4〜6kHzである、請求項1に記載の方法。
- 前記第2周波数が、0.5〜2kHzである、請求項1又は2に記載の方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015010488A JP6287870B2 (ja) | 2015-01-22 | 2015-01-22 | SiC単結晶の製造方法 |
US15/001,708 US10106910B2 (en) | 2015-01-22 | 2016-01-20 | Method for producing SiC single crystal |
CN201610039181.8A CN105821479A (zh) | 2015-01-22 | 2016-01-21 | SiC单晶的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015010488A JP6287870B2 (ja) | 2015-01-22 | 2015-01-22 | SiC単結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016132611A JP2016132611A (ja) | 2016-07-25 |
JP6287870B2 true JP6287870B2 (ja) | 2018-03-07 |
Family
ID=56433968
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2015010488A Active JP6287870B2 (ja) | 2015-01-22 | 2015-01-22 | SiC単結晶の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10106910B2 (ja) |
JP (1) | JP6287870B2 (ja) |
CN (1) | CN105821479A (ja) |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19652543A1 (de) * | 1996-12-17 | 1998-06-18 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristalls und Heizvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
CN1189546A (zh) * | 1996-12-17 | 1998-08-05 | 瓦克硅电子半导体材料股份公司 | 硅单晶的生产方法以及实现该方法的加热装置 |
DE19882384T1 (de) * | 1998-03-12 | 2000-07-27 | Super Silicon Crystal Res Inst | Zusatzschmelzvorrichtung für einkristallines Material und Verfahren zum Schmelzen von einkristallinem Material |
JPH11268987A (ja) | 1998-03-20 | 1999-10-05 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶およびその製造方法 |
JP4879686B2 (ja) | 2006-09-21 | 2012-02-22 | 新日本製鐵株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶インゴット、及び炭化珪素単結晶基板 |
JP2008100890A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Sumitomo Metal Ind Ltd | SiC単結晶の製造方法 |
WO2012090946A1 (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-05 | 住友金属工業株式会社 | SiC単結晶の製造装置及びSiC単結晶の製造方法 |
JP5318300B1 (ja) * | 2011-10-28 | 2013-10-16 | 京セラ株式会社 | 結晶の製造方法 |
KR101622858B1 (ko) * | 2011-10-31 | 2016-05-19 | 도요타지도샤가부시키가이샤 | SiC 단결정의 제조 방법 |
JP5823947B2 (ja) * | 2012-12-27 | 2015-11-25 | トヨタ自動車株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
-
2015
- 2015-01-22 JP JP2015010488A patent/JP6287870B2/ja active Active
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2016
- 2016-01-20 US US15/001,708 patent/US10106910B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2016-01-21 CN CN201610039181.8A patent/CN105821479A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10106910B2 (en) | 2018-10-23 |
JP2016132611A (ja) | 2016-07-25 |
US20160215412A1 (en) | 2016-07-28 |
CN105821479A (zh) | 2016-08-03 |
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Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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