JP6287774B2 - 炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明者らは、チッピングが発生する原因について以下のような検討を行った。まず、特開2014−86446号公報に記載の方法と同様の方法を用いて炭化珪素ウェハをダイシングすることにより複数のチップを形成した。具体的には、まず、炭化珪素ウェハの裏面全面に粘着テープを貼り付けた。次に、図14に示されるように、第1切断工程において、ブレード4を用いて、[11−20]方向CH1に沿って炭化珪素ウェハ全体を所定の幅で切断し、複数の短冊状の断片1cを形成した。次に、第2切断工程において、ブレード4を用いて、[11−20]方向に対して垂直な[1−100]方向CH2に沿って複数の短冊状の断片1cの各々を所定の幅で切断し、複数のチップ1dを形成した。なお、第2切断工程における炭化珪素ウェハの切断面は、六方晶炭化珪素の劈開面である{11−20}面である。また第1切断工程および第2切断工程の各々において、炭化珪素ウェハはブレードによって炭化珪素ウェハの厚み方向に完全に切断されるが、粘着テープは厚み方向において一部のみが切断されるだけで完全には切断されない。粘着テープは、炭化珪素ウェハが切断されて形成されるチップが飛び散らないようにチップの各々を保持している。
(1)本発明の一態様に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は以下の工程を備えている。第1の主面と、第1の主面と反対側の第2の主面とを有する炭化珪素ウェハが準備される。{11−20}面に実質的に平行な面に沿って炭化珪素ウェハが切断される第1切断工程が行われる。第1切断工程後、{11−20}面に対して実質的に垂直でかつ第1の主面に対して実質的に垂直な面に沿って炭化珪素ウェハが切断される第2切断工程が行われる。なお、{11−20}面に実質的に平行な面とは、{11−20}面が、たとえば5°以内の角度だけ傾いた面のことである。{11−20}面に対して実質的に垂直な面は、{11−20}面に対して垂直な面が、たとえば5°以内の角度だけ傾いた面のことである。第1の主面に対して実質的に垂直な面とは、第1の主面に対して垂直な面が、たとえば5°以内の角度だけ傾いた面のことである。これにより、第2切断工程において、劈開面を利用して炭化珪素ウェハを切断するのではなくブレードで機械的に炭化珪素ウェハを切断してチップを形成することにより、チップがブレードに巻き込まれることでチッピングが発生することを抑制することができる。
[本発明の実施形態の詳細]
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。また、本明細書中の結晶学的記載においては、個別方位を[]、集合方位を<>、個別面を()、集合面を{}でそれぞれ示している。また、負の指数については、結晶学上、”−”(バー)を数字の上に付けることになっているが、本明細書中では、数字の前に負の符号を付けている。
図3は、炭化珪素ウェハ1の第1の主面1aに平行な方向に沿った視野(断面視)における、半導体素子2aの構成を示す断面模式図である。図3に示されるように、半導体素子2aの一例としてのMOSFETは、たとえば縦型半導体素子であり、炭化珪素基板10と、ゲート電極27と、ゲート酸化膜15と、層間絶縁膜21と、ソース電極16と、ドレイン電極20とを主に有している。炭化珪素基板10は、第3の主面10aと、第3の主面10aと反対側の第4の主面10bとを有し、炭化珪素単結晶基板11と、炭化珪素単結晶基板11上に設けられた炭化珪素エピタキシャル層17とを主に含む。
炭化珪素ウェハ1を切断する際に、第1切断工程(S30:図1)と、第2切断工程(S40:図1)とが交互に繰り返されてもよい。図13に示されるように、第1回目の切断工程D1において、{11−20}面に実質的に平行な面に沿って炭化珪素ウェハ1が切断される。炭化珪素ウェハ1は、たとえばオリエンテーションフラットOF側からオリエンテーションフラットOFと反対側に向かって切断される。これにより、炭化珪素ウェハ1は、2つの断片に分離される。次に、第2回目の切断工程D2において、{11−20}面に対して実質的に垂直でかつ第1の主面1aに対して実質的に垂直な面に沿って炭化珪素ウェハ1が切断される。炭化珪素ウェハ1は、インデックスフラットIFから、炭化珪素ウェハ1の第1の主面1aの中心から見てインデックスフラットIFと反対側に向かう方向に切断される。これにより、炭化珪素ウェハ1は、4つの断片に分離される。
1a 第1の主面
1b 第2の主面
1c 断片
1d チップ
2 炭化珪素半導体装置(MOSFET)
2a 半導体素子
3 粘着テープ
3a 粘着部
3b 基材
4 ブレード
5 ホーン
6 第1軸
7 第2軸
8 超音波スピンドル
9 モータ
10 炭化珪素基板
10a 第3の主面
10b 第4の主面
11 炭化珪素単結晶基板
12 ドリフト領域
13 ボディ領域
14 ソース領域
15 ゲート酸化膜
16 ソース電極
16a ソース電極部
16b 表面保護電極
17 炭化珪素エピタキシャル層
18 コンタクト領域
20 ドレイン電極
20a ドレイン電極部
20b 裏面保護電極
21 層間絶縁膜
27 ゲート電極
30 ダイシング装置
50 ダイシングライン
50a 第1ダイシングライン
50b 第2ダイシングライン
C1,C2,CH1,CH2 方向
D 深さ
D1,D2,D3,D4 切断工程
H 厚み
IF インデックスフラット
OF オリエンテーションフラット
R 回転方向
W 幅
Claims (7)
- 第1の主面と、前記第1の主面と反対側の第2の主面とを有する炭化珪素ウェハを準備する工程と、
{11−20}面に実質的に平行な面に沿って前記炭化珪素ウェハを切断する第1切断工程と、
前記第1切断工程後、{11−20}面に対して実質的に垂直でかつ前記第1の主面に対して実質的に垂直な面に沿って前記炭化珪素ウェハを切断する第2切断工程とを備えた、炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記第1の主面は、{0001}面からオフ方向に向かって3°以上5°以下オフした面であり、
前記第2切断工程において、前記炭化珪素ウェハは、実質的に前記オフ方向に向かって切断される、請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記第1切断工程および前記第2切断工程の各々において、前記第1の主面と平行な方向における前記炭化珪素ウェハの切断速度は、1mm/秒以上40mm/秒以下である、請求項1または請求項2に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記第1切断工程および前記第2切断工程の各々において、回転するブレードによって前記炭化珪素ウェハが切断され、
前記ブレードの回転速度は、5000rpm以上50000rpm以下である、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記炭化珪素ウェハを準備する工程後であり前記第1切断工程前に、前記第1の主面および前記第2の主面の一方の面に粘着テープを貼り付ける工程をさらに備え、
前記粘着テープは、前記一方の面に接する粘着部と、前記粘着部から見て前記一方の面とは反対側に位置する基材とを有し、
前記第1切断工程および前記第2切断工程の各々において、前記基材の厚みの15%以上50%以下の深さを有する切り込みが前記基材に形成される、請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記第1切断工程において、前記炭化珪素ウェハ全体が所定の幅で切断されることにより、前記第1の主面に対して垂直な方向に沿って見て短冊状の複数の断片が形成され、
前記第2切断工程において、複数の前記断片の全てが所定の幅で切断されることにより複数のチップが形成される、請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記第1切断工程と、前記第2切断工程とが交互に繰り返される、請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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