JP6287553B2 - ナノ材料製造装置 - Google Patents
ナノ材料製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6287553B2 JP6287553B2 JP2014093191A JP2014093191A JP6287553B2 JP 6287553 B2 JP6287553 B2 JP 6287553B2 JP 2014093191 A JP2014093191 A JP 2014093191A JP 2014093191 A JP2014093191 A JP 2014093191A JP 6287553 B2 JP6287553 B2 JP 6287553B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- discharge
- manufacturing apparatus
- discharge electrode
- plasma generation
- inert gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims description 13
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 12
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 9
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 3
- 239000013076 target substance Substances 0.000 claims 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002088 nanocapsule Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229910052704 radon Inorganic materials 0.000 description 1
- SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N radon atom Chemical compound [Rn] SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
本発明は、ナノ材料製造装置に係り、特に、アーク放電を発生させて粉末を微粒子化するための、対向する複数の放電電極が放電容器内に突設されたナノ材料製造装置の改良に関する。
例えば特許文献１に記載された炭化珪素の製造装置、特許文献２に記載されたナノ構造炭素材料の製造装置、特許文献３に記載されたカーボンナノカプセル前駆体の製造装置や、特許文献４に記載されたガラス原料の溶解装置、ガラス製造装置のように、アーク放電を発生させるための、対向する複数の放電電極が放電容器内に突設されたプラズマ熱処理装置が知られている。
このようなプラズマ熱処理装置では、図１（Ａ）に示す如く、複数（図では６本）の放電電極１０Ａ〜１０Ｆを、その先端が概ね同一円周上に向き合うように配置し、放電電極１０Ａ〜１０Ｆの先端で囲まれた空間に、位相の異なるアークを連続的に発生させて高温のプラズマ発生場を形成する多相交流アークが用いられている。一般的に、対向する放電電極同士の位相差を１８０度近くになるよう配置することによって相対電圧を上げ、対向する放電電極間での放電確率を上げることによって、中心部のプラズマ密度を上げている。
このような高温のプラズマ発生場に被処理物質を投入し、燃焼、溶融又は蒸発を起こさせ、被処理物質の分解、合成又は無害化等を行う場合、大きく且つ均一な高温のプラズマ発生場が求められる。
しかしながら、対向する放電電極の間隔を大きくして大きな高温のプラズマ発生場を得ようとすると、隣接する放電電極間の距離が近いため、図１（Ａ）に例示したような、隣接する放電電極間のアーク１２の発生確率が増加し、放電電極１０Ａ〜１０Ｆで囲まれた空間の中心部分のアーク発生確率が減少して中央部の温度が減少し、図１（Ｂ）に例示するようなドーナツ状のプラズマ発生場１４を形成してしまい、被処理物質の熱プラズマによる処理が十分に行えない場合があった。
この対策として、放電電極を細くしたり、放電電極の先端を鉛筆状に尖らせることが考えられるが、放電電極を細くすると流せる電流量が小さくなり、又、いずれの場合にも、電極寿命が短くなるという問題点があった。
本発明は、前記従来の問題点を解消するべくなされたもので、アーク放電を発生させて粉末を微粒化する際に、放電電極の寿命を縮めることなく、大きく且つ均一な高温のプラズマ発生場を形成できるようにすることを課題とする。
本発明は、アーク放電を発生させて粉末を微粒子化するための、対向する複数の放電電極が放電容器内に突設されたナノ材料製造装置であって、前記放電電極が、軸中心部に貫通孔を有する筒状で、その先端が概ね同一円周上に配置されており、且つ、前記貫通孔を経由してプラズマ発生場に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、前記放電電極に位相の異なる交流電圧を印加する交流電源を有し、生成した微粒子を吸引回収する生成物吸引機構が、前記放電容器の上部に配設されていることにより、前記課題を解決するものである。
ここで、前記貫通孔を経由して前記プラズマ発生場に被処理物質を供給する被処理物質供給手段を有することができる。
又、前記放電電極を炭素製とすることができる。
又、前記不活性ガスを、アルゴンを主成分とするガスとすることができる。
本発明によれば、図２（Ａ）に例示するように、筒状の放電電極２２Ａ〜２２Ｆ（まとめて２２とも称する）の貫通孔２３の先端部中央から、例えばアルゴンを主成分とする不活性ガスを噴出させることにより、発生するアーク２４を放電電極２２の貫通孔２３近傍に固定することができる。これは、新たに吹き込まれる不活性ガスの電離度が、既に存在する周囲の他のガスと比べて低く、不活性ガスの密度が高い場所でアークが発生しようとするからである。この効果により、隣接する放電電極との最短距離でアークが発生する頻度が下がり、図２（Ｂ）に示すように、対向する放電電極との間でのアークの発生頻度が上がる。従って、放電電極２２Ａ〜２２Ｆで囲まれた空間の中央付近でもアークが発生し、中心部分でも高温のプラズマ発生場２６を確保することができ、被処理物質の処理を十分に行える。
特に、放電電極２２の貫通孔２３から不活性ガスと共に被処理物質である粉末を高温のプラズマ発生場２６に投入した場合には、被処理物質を直接高温のプラズマ発生場２６に供給することができ、効率の高い処理を行って、処理量の増加や未処理材料の低減を図ることができる。
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施形態及び実施例に記載した内容により限定されるものではない。又、以下に記載した実施形態及び実施例における構成要件には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。更に、以下に記載した実施形態及び実施例で開示した構成要素は適宜組み合わせてもよいし、適宜選択して用いてもよい。
本実施形態は、二酸化珪素（ＳｉＯ2）粉末を微粒子化するナノ材料製造装置に本発明を適用したもので、図３に示す如く、アーク放電を発生させるための対向する複数（ここでは図４（Ａ）に示す如く１２本）の放電電極２２（具体的には２２Ａ〜２２Ｌ）が放電容器２０内に水平に突設されたナノ材料製造装置であって、前記放電電極２２が、軸中心部に貫通孔２３を有する円筒状で、その先端が、図４（Ａ）に示すように概ね同一円周上に配置されており、且つ、前記貫通孔２３を経由してプラズマ発生場２６にアルゴンを主成分とする不活性ガス（以下、Ａｒガスと称する）を供給するＡｒガス供給機構２８と、同じく貫通孔２３を経由して被処理物質（ここではＳｉＯ2粉末）を供給する被処理物質供給機構３０と、図４（Ｂ）に詳細に示す如く、前記放電電極２２Ａ〜２２Ｌに位相が３０度ずつ異なる交流電圧を印加する交流電源３２Ａ〜３２Ｌ（まとめて３２とも称する）を設けたものである。
前記不活性ガスをキャリアガスとしてプラズマ発生場２６に投入され、加熱された被処理物質は、例えば昇華されて上方に移動し、その途中で冷却されて生成物（ここでは超微粒子）３４となり、例えば放電容器２０の上部に設けられた生成物吸引機構３６により上部に吸引され、回収される。
一方、アーク放電で熱処理されずにプラズマ発生場２６から落下する未熱処理原料３８は、例えば放電容器２０の底部に設けられた未加熱原料回収器４０で回収される。
前記放電電極２２は、例えば炭素製とすることができるが、放電電極２２の材料は炭素に限定されず、例えばタングステン製とすることもできる。なお、タングステン電極は冷却が必要になるので、炭素電極の方が望ましい。
前記放電電極２２の数は、交流電源３２として商用の三相交流を使用した場合には、その位相差から電源を簡単に構成することができ、例えば、３、６、１２とすることができる。
又、前記放電電極２２の段数は、本実施形態の１段に限定されず、２段以上であっても良い。
又、放電電極２２の形状も円筒状に限定されず、他の筒状であっても良い。配設方向も、水平に限定されない。
前記不活性ガスとしては、Ａｒガスや、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドンを含む希ガス、又は希ガス以外の不活性ガスを用いることも可能である。
本実施形態においては、不活性ガスを被処理物質のキャリアガスとしているので、構成が簡略である。なお、被処理物質をプラズマ発生場２６に投入する方法は、これに限定されない。
放電電極２２として直径１８ｍｍ、内径５ｍｍの円筒状黒鉛を用い、図４（Ａ）に示したように、１２本の放電電極２２Ａ〜２２Ｌを水平面上に先端が円状に向き合うように配置した。放電電極２２の貫通孔２３からは、アークの発生する側に向かって噴出するように、Ａｒガスを毎分１〜１０Ｌで流した。
これら放電電極２２Ａ〜２２Ｌに、図４（Ｂ）に示したように、位相が３０度ずつ異なる交流電源３２Ａ〜３２Ｌを上面視で時計回りに順次接続した。但し、反時計回りでも何ら効果は変わらない。
これらの放電電極２２Ａ〜２２Ｌ間に交流多相アークを点弧させ、放電電極の対向する空間にアーク放電に起因する高温のプラズマ発生場２６を形成した。このとき、１２本の放電電極２２Ａ〜２２Ｌ先端の作る円の直径は約１００ｍｍ、電流は放電電極１本当たり１５０〜２００Ａ、電圧は１８〜２５Ｖであった。
又、放電電極２２Ａ〜２２Ｌの先端が作る円の中心に向けて、上方より被処理物質であるＳｉＯ2の粉末を投入した。ＳｉＯ2粉末の平均粒径は４０μｍ、又、投入量は毎分１００ｇである。
ＳｉＯ2の粉末は高温のプラズマ発生場２６で加熱され、蒸発して上昇するが、プラズマ空間を出ると急冷されて数〜数十ｎｍの超微粒子３４となる。
生成した超微粒子３４は、生成物吸引機構３６により上部にて吸引回収した。
プラズマ発生場２６へ上方より被処理物質を投入する代わりに、図３に示したように、放電電極２２の貫通孔２３からＡｒガスの流れに乗せてＳｉＯ2の粉末をプラズマ発生場２６へ供給した。ＳｉＯ2粉末の供給量は放電電極１本当たり毎分１０ｇ、全放電電極で毎分１２０ｇである。
なお、実施例２では、全放電電極２２Ａ〜２２Ｌから被処理物質を供給したが、特定の１本又は複数本の放電電極のみから被処理物質を供給しても良い。
前記実施形態は、本発明を、ＳｉＯ2粉末からその微粒子を製造するナノ材料製造装置に適用したものであったが、本発明の適用対象はこれに限定されず、シリコンとＳｉＯ2を混合して、酸化珪素ＳｉＯｘ（０＜ｘ＜２）を製造する場合や、生成物が原料の反応生成物である場合にも適用可能である。原料もシリコン系に限定されず、無機材料であれば何でも製造できる。
２０…放電容器
２２、２２Ａ〜２２Ｌ…放電電極
２３…貫通孔
２４…アーク
２６…プラズマ発生場
２８…Ａｒガス供給機構
３０…被処理物質供給機構
３２、３２Ａ〜３２Ｌ…交流電源
３６…生成物吸引機構
２２、２２Ａ〜２２Ｌ…放電電極
２３…貫通孔
２４…アーク
２６…プラズマ発生場
２８…Ａｒガス供給機構
３０…被処理物質供給機構
３２、３２Ａ〜３２Ｌ…交流電源
３６…生成物吸引機構
Claims (4)
- アーク放電を発生させて粉末を微粒子化するための、対向する複数の放電電極が放電容器内に突設されたナノ材料製造装置であって、
前記放電電極が、軸中心部に貫通孔を有する筒状で、その先端が概ね同一円周上に配置されており、且つ、
前記貫通孔を経由してプラズマ発生場に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、
前記放電電極に位相の異なる交流電圧を印加する交流電源を有し、
生成した微粒子を吸引回収する生成物吸引機構が、前記放電容器の上部に配設されていることを特徴とするナノ材料製造装置。 - 前記貫通孔を経由して前記プラズマ発生場に被処理物質を供給する被処理物質供給手段を有することを特徴とする請求項１に記載のナノ材料製造装置。
- 前記放電電極が炭素製であることを特徴とする請求項１又は２に記載のナノ材料製造装置。
- 前記不活性ガスが、アルゴンを主成分とするガスであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のナノ材料製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014093191A JP6287553B2 (ja) | 2014-04-28 | 2014-04-28 | ナノ材料製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014093191A JP6287553B2 (ja) | 2014-04-28 | 2014-04-28 | ナノ材料製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015208731A JP2015208731A (ja) | 2015-11-24 |
| JP6287553B2 true JP6287553B2 (ja) | 2018-03-07 |
Family
ID=54611402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014093191A Active JP6287553B2 (ja) | 2014-04-28 | 2014-04-28 | ナノ材料製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6287553B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6552469B2 (ja) * | 2016-10-17 | 2019-07-31 | 福伸工業株式会社 | プラズマ発生装置及び方法並びにこれらを用いた微粒子製造装置及び方法 |
| JP6890291B2 (ja) * | 2017-01-18 | 2021-06-18 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 微粒子製造装置及び製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03226509A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-07 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ発生装置および超微粒粉末の製造方法 |
| BR9102906A (pt) * | 1991-07-05 | 1993-02-24 | Inst Pesquisas Tech | Processo e equipamento para reducao de consumo de eletrodos e melhoramento de outros parametros operacionais em forno eletrico a arco (f.e.a) |
| JPH05170408A (ja) * | 1991-09-17 | 1993-07-09 | Manyou Hozen Kenkyusho:Kk | 窒化アルミニウムの製造方法 |
| JP3254278B2 (ja) * | 1992-12-09 | 2002-02-04 | 高周波熱錬株式会社 | 混合／複合超微粒子製造方法及びその製造装置 |
| JPH09100105A (ja) * | 1995-10-02 | 1997-04-15 | Mitsubishi Chem Corp | 超微粒金属酸化物粉の製造方法 |
| JP3094217B2 (ja) * | 1998-07-29 | 2000-10-03 | 福井県 | ６相多重立体放電装置 |
| JP5725556B2 (ja) * | 2011-10-12 | 2015-05-27 | 国立大学法人東京工業大学 | ガラス製造装置及びガラス製造方法 |
| JP2013185172A (ja) * | 2012-03-06 | 2013-09-19 | Sugiyama Juko Kk | 金属微粉末製造装置 |
-
2014
- 2014-04-28 JP JP2014093191A patent/JP6287553B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2015208731A (ja) | 2015-11-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Kyritsakis et al. | Thermal runaway of metal nano-tips during intense electron emission | |
| JP4447469B2 (ja) | プラズマ発生装置、オゾン発生装置、基板処理装置、及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JP6287553B2 (ja) | ナノ材料製造装置 | |
| RU2406592C2 (ru) | Способ и установка для получения нанопорошков с использованием трансформаторного плазмотрона | |
| KR102029474B1 (ko) | 전기폭발에 의한 금속 나노분말의 제조방법 및 제조장치 | |
| US8398927B2 (en) | Carbon nanotube manufacturing apparatus, carbon nanotube manufacturing method, and radical producing apparatus | |
| Liziakin et al. | Plasma mass separation in configuration with potential well | |
| EP2174917A1 (en) | Method for manufacturing quartz glass crucible | |
| Saleh et al. | Field-emission-assisted approach to dry micro-electro-discharge machining of carbon-nanotube forests | |
| JP2018176026A (ja) | 微粒子製造装置及び微粒子製造方法 | |
| CN103501889B (zh) | 通过在SiO2和FeTiO3颗粒与磁波之间产生电磁相互作用获得硅和钛的方法 | |
| JP6277844B2 (ja) | ナノ粒子材料製造装置 | |
| Machala et al. | Transverse dc glow discharges in atmospheric pressure air | |
| JP7142241B2 (ja) | 微粒子製造装置及び微粒子製造方法 | |
| Wang et al. | Production of a large area diffuse arc plasma with multiple cathode | |
| Abidat et al. | Numerical simulation of atmospheric dielectric barrier discharge in helium gas using COMSOL Multiphysics | |
| Pacheco et al. | Warm plasma reactor with vortex effect enhanced used for CH 4–CO 2 reforming | |
| Chang | Plasma synthesis of metal nanopowders | |
| CN108722325B (zh) | 微粒制造装置以及微粒制造方法 | |
| JP5946179B2 (ja) | セラミックス皮膜の成膜装置及び成膜方法 | |
| CN107428529B (zh) | 臭氧气体产生装置及臭氧气体产生装置的制造方法 | |
| Raniszewski | Optimization of the carbon nanotubes synthesis in arc discharge systems | |
| Czernichowski et al. | Further development of plasma sources: the GlidArc-III | |
| Alferov et al. | Study of the effect of a vacuum arc current interruption in a nonuniform magnetic field | |
| JP2013185172A (ja) | 金属微粉末製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160906 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170615 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170627 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170728 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170912 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171109 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180109 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180122 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6287553 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |