JP6280198B2 - 干渉を低減した静電容量ベースのタッチ装置及びその方法 - Google Patents
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Description
本発明の実施態様の一部を以下の〔態様1〕−〔態様20〕に記載する。
〔態様1〕
タッチ面及び複数の電極を含むタッチ面回路であって、前記複数の電極のそれぞれは、前記タッチ面における容量が変化するタッチに反応して変化する結合容量に関連するように構成及び配置されたタッチ面回路と、
前記複数の電極に対して応答信号を生成するように構成され、
前記応答信号のそれぞれが、前記タッチ面における前記結合容量に対する振幅を有し、上部信号レベルに向かう正方向の遷移及び下部信号レベルに向かう負方向の遷移によって特徴付けられる過渡部を有する微分信号表現を含む、センス回路と、
前記過渡部を特徴付けるための時間変化するパラメータを提供するように構成及び配置される増幅回路であって、前記増幅回路は、可変ゲインをそこに提供するために、前記応答信号の微分信号表現を処理するために構成及び配置される可変ゲイン増幅器を含み、前記時間変化するパラメータに応答して、前記ゲインが、前記過渡部間の前記応答信号の部分のゲインに対する前記過渡部に対して調整され、その中で、前記タッチ面のタッチの位置を決定するため関連する結合容量を特徴付けるノイズフィルタ処理された出力を提供するため前記応答信号内の高調波を抑制するようにする増幅回路と、を含むタッチセンス装置。
〔態様2〕
前記可変ゲイン増幅器は、前記過渡部のゲインを増加させ、前記過渡部間の応答信号の部分のゲインを減少させることによって、前記応答信号を処理するために、可変ゲインをそこに提供するように更に構成及び配置される、態様1に記載のタッチセンス装置。
〔態様3〕
前記可変ゲイン増幅器は、前記応答信号内の3次及び5次の高調波を含む高調波を抑制し、前記可変ゲイン増幅器による処理の一部として、前記応答信号内のノイズ干渉をフィルタ処理するように更に構成及び配置される、態様2に記載のタッチセンス装置。
〔態様4〕
前記可変ゲイン増幅器は、前記過渡部において、前記応答信号をサンプリングするために使用されるクロック率の倍率まで間引きで積分及びダンプフィルタ演算を提供するための時間変化するパラメータを使用する積分回路を含み、前記関連する結合容量の特徴付けについて測定を行い、そこから前記タッチ面のタッチ位置を決定することにより、前記可変ゲイン増幅器を介して処理される前記応答信号に応答するために構成される測定回路を更に含む、態様1のタッチセンス装置。
〔態様5〕
前記可変ゲイン増幅器は、前記時間変化するパラメータを使用して、前記応答信号の前記微分信号表現に積分を実行し、前記過渡部における間引きと、前記微分信号表現におけるRF信号の3次及び5次の高調波に対する前記積分の前記周波数応答におけるNULLの生成と、を促進するように更に構成及び配置される、態様1に記載のタッチセンス装置。
〔態様6〕
前記複数の電極は、駆動電極を含み、前記タッチ面回路は、駆動電力を前記応答信号を発達させるためのRF信号で駆動するために構成及び配置される信号駆動回路を更に含む、態様1に記載のタッチセンス装置。
〔態様7〕
前記複数の電極は、駆動電極を含み、前記タッチ面回路は、前記駆動電極を前記応答信号を発達させるためのRF信号で駆動するために構成及び配置される信号駆動回路を更に含み、前記可変ゲイン増幅器は、前記時間変化するパラメータを使用して、前記応答信号の前記微分信号表現に積分を実行し、前記過渡部における間引きと、前記3次及び5次の高調波においてフィルタ処理するための前記RF信号の前記3次及び5次の高調波のための周波数応答におけるNULLの生成とを促進するように更に構成及び配置される、態様1に記載のタッチセンス装置。
〔態様8〕
前記可変ゲイン増幅器は、前記時間変化するパラメータを使用して、前記応答信号の前記微分信号表現に積分を実行し、前記過渡部における間引きを促進し、それに応答して、前記微分信号表現における前記RF信号の奇数次高調波両方の積分の周波数応答における抑制を促進するように更に構成及び配置される、態様1に記載のタッチセンス装置。
〔態様9〕
前記可変ゲイン増幅器は、前記時間変化するパラメータを使用して前記応答信号の前記微分信号表現に積分を実行し、前記RF信号の奇数次及び偶数次の1組の高調波に対するNULLの生成のため、前記過渡部における間引きを促進するように構成及び配置される第1の段階と、前記第1の段階に応答して、前記微分信号表現におけるRF信号の奇数次及び偶数次の高調波の両方の積分の周波数応答において抑制するように構成及び配置される第2の段階と、を含み、それによってRFノイズ干渉をフィルタ処理する、態様1に記載のタッチセンス装置。
〔態様10〕
前記関連する結合容量の特徴付けに測定を行い、かつそこから前記タッチ面のタッチの位置を決定することによって、前記可変ゲイン増幅器を介して処理される前記応答信号に応答するために構成される測定回路を更に含み、前記可変ゲイン増幅器は、前記時間変化するパラメータを使用して前記応答信号の前記微分信号表現に積分を実行し、前記RF信号の奇数次高調波のNULLの生成のため、前記過渡部における間引きを促進するように構成及び配置される第1の段階と、前記第1の段階に応答して、前記微分信号表現におけるRF信号の奇数次及び偶数次の高調波の両方に対する積分の周波数応答において抑制するように構成及び配置される第2の段階と、を含み、それによってRFノイズ干渉をフィルタ処理する、態様1に記載のタッチセンス装置。
〔態様11〕
前記第1の段階は、前記時間変化するパラメータを使用して、前記応答信号の前記微分信号表現に積分を実行し、前記過渡部における間引きと、前記微分信号表現におけるRF信号の3次及び5次の高調波に対する前記積分の前記周波数応答におけるNULLの生成と、を促進するように構成及び配置される、態様10に記載のタッチセンス装置。
〔態様12〕
前記第2の段階は、前記正方向の遷移と前記負方向の遷移とにおける前記過渡部を結合するための積分を実行するように構成及び配置される、態様11に記載のタッチセンス装置。
〔態様13〕
前記複数の電極は、マトリックスのそれぞれのノードにおいて、それぞれの駆動電極がそれぞれの受信電極と静電容量的に結合される電極マトリックスを提供するように配置される駆動電極及び受信電極を含む、態様1に記載のタッチセンス装置。
〔態様14〕
駆動信号を生成し、前記駆動信号を前記駆動電極に送るように構成される駆動ユニットを更に含み、前記感知ユニットは、それぞれの駆動電極に送られた駆動信号に対して、前記複数の受信電極のための応答信号を生成するように更に構成される、態様13のタッチセンス装置。
〔態様15〕
前記可変ゲイン増幅器及び前記測定ユニットは、コマンモードノイズを低減又は除去するように更に構成及び配置される、態様1のタッチセンス装置。
〔態様16〕
前記複数の電極は、前記マトリックスのそれぞれのノードにおいて、それぞれの駆動電極がそれぞれの受信電極と静電容量的に結合される電極マトリックスを提供するように配置される駆動電極及び受信電極を含み、
駆動信号を生成し、前記駆動信号を前記駆動電極に送るように構成及び配置される駆動ユニットであって、前記感知ユニットは、ぞれぞれの駆動電極に送られた駆動電極に対して、前記複数の受信電極に対する応答信号を生成するように更に構成される駆動ユニットと、
前記ノードのそれぞれに対して、前記応答信号のそれぞれの振幅を測定し、そこから、もしあれば、前記タッチ面の複数の一時的に重なるタッチの位置を決定するように構成及び配置される測定回路であって、前記測定ユニットがアナログディジタルコンバータ(ADC)及びマルチプレクサーを含み、前記ADCが前記マルチプレクサーを介して前記感知ユニットに結合するようにする測定回路と、を更に含む、態様1に記載のタッチセンス装置。
〔態様17〕
パルスの駆動信号を生成し、前記パルスの駆動信号を駆動電極に送るように構成される駆動ユニットを更に含み、前記感知ユニットが、駆動電極それぞれに送られる前記パルスの駆動信号のため、前記複数の受信電極のための前記応答信号を生成するように更に構成され、前記複数の電極が、前記マトリックスのそれぞれのノードにおいてそれぞれの駆動電極がそれぞれの受信電極に静電容量的に結合する電極マトリックスを提供するように配置される駆動電極及び受信電極を含み、前記感知ユニットが、前記受信電極のそれぞれに対して、前記それぞれのコンデンサに結合され、リセット信号に応答して前記それぞれのコンデンサを放電するように構成されるリセットスイッチを含む、態様1に記載のタッチセンス装置。
〔態様18〕
前記駆動信号が、複数の連続パルスを含み、それぞれが傾斜パルス又は矩形パルスの形式であり、それぞれの応答信号が対応する複数の応答パルスを含み、前記測定ユニットが、それぞれの応答信号について、前記複数の応答パルスの振幅を表す振幅を測定するように構成される、態様1に記載の装置。
〔態様19〕
タッチ面及び複数の電極を含み、前記複数の電極のそれぞれが、前記タッチ面における容量が変化するタッチに反応して変化する結合容量に関連するように構成及び配置されており、前記応答を提供するためのタッチ面手段と、
前記複数の電極に対して応答信号を生成するように構成される感知手段であって、
前記応答信号のそれぞれが、前記タッチ面における前記結合容量に対する振幅を有し、上部信号レベルに向かう正方向の遷移及び下部信号レベルに向かう負方向の遷移によって特徴付けられる過渡部を有する微分信号表現を含む、センス回路と、
前記過渡部間の前記応答信号の部分のゲインに対する前記過渡部のゲインを調整し、かつ前記応答信号内の高調波を抑制することによって、そこに可変ゲインを提供するため、前記応答信号を処理するための時間変化するパラメータを使用するための手段と、を含み、それによって前記応答信号の測定を促進し、そこから結合容量の変化に反応して、前記タッチ面のタッチ位置を決定する、タッチセンス装置。
〔態様20〕
タッチ面及び複数の電極を含み、前記複数の電極のそれぞれは、前記タッチ面における容量が変化するタッチに反応して変化する結合容量に関連するように構成及び配置されたタッチ面回路を使用するための方法であって、前記方法は、
回路を使用して、前記複数の電極に対する応答信号を生成する工程であって、前記応答信号のそれぞれが、前記タッチ面における前記結合容量に対する振幅を有し、上部信号レベルに向かう正方向の遷移及び下部信号レベルに向かう負方向の遷移によって特徴付けられる過渡部を有する微分信号表現を含む、工程と、
前記過渡部間の前記応答信号の一部のゲインに対して前記過渡部のゲインを調整し、その中で前記応答信号の高調波を抑制することによって、前記応答信号を処理するため、時間変化するパラメータを使用して、そこに可変ゲインを提供し、
前記応答信号を測定し、そこから前記結合容量の変化に反応して前記タッチ面のタッチ位置を決定するための、別の回路を動作させる工程と、を含む、方法。
Claims (8)
- タッチセンス装置であって、
タッチ面及び複数の電極を含むタッチ面回路であって、前記複数の電極のそれぞれが、前記タッチ面における容量が変化するタッチに反応して変化する結合容量に関連するように構成及び配置されている、タッチ面回路と、
前記複数の電極に対して応答信号を生成するように構成され、前記応答信号のそれぞれが、上部信号レベルに向かう正方向の遷移及び下部信号レベルに向かう負方向の遷移によって特徴付けられる過渡部を有する振幅を有する、センス回路と、
前記過渡部を特徴付けるための時間変化するパラメータを提供するように構成及び配置される増幅回路であって、前記増幅回路は、可変ゲインをそこに提供するために、前記応答信号を処理するために構成及び配置される可変ゲイン増幅器を含み、前記時間変化するパラメータに応答して、前記ゲインが、前記過渡部間の前記応答信号の部分のゲインに対する前記過渡部に対して調整される、増幅回路と、
を含むタッチセンス装置。 - 前記可変ゲイン増幅器は、前記過渡部のゲインを増加させ、前記過渡部間の応答信号の部分のゲインを減少させることによって、前記応答信号を処理するために、可変ゲインをそこに提供するように更に構成及び配置される、請求項1に記載のタッチセンス装置。
- 前記可変ゲイン増幅器は、前記応答信号内の3次及び5次の高調波を含む高調波を抑制するように更に構成及び配置される、請求項2に記載のタッチセンス装置。
- 前記可変ゲイン増幅器は、前記時間変化するパラメータを使用して、前記応答信号に積分を実行し、前記過渡部における間引きを促進し、それに応答して、前記応答信号におけるRF信号の奇数次高調波両方の積分の周波数応答における抑制を促進するように更に構成及び配置される、請求項1に記載のタッチセンス装置。
- 前記可変ゲイン増幅器は、前記時間変化するパラメータを使用して前記応答信号に積分を実行し、前記応答信号におけるRF信号の奇数次及び偶数次の1組の高調波に対するNULLの生成のため、前記過渡部における間引きを促進するように構成及び配置される第1の段階と、前記第1の段階に応答して、前記応答信号におけるRF信号の奇数次及び偶数次の高調波の両方の積分の周波数応答において抑制するように構成及び配置される第2の段階と、を含み、それによってRFノイズ干渉をフィルタ処理する、請求項1に記載のタッチセンス装置。
- 前記可変ゲイン増幅器は、コモンモードノイズを低減又は除去するように更に構成及び配置される、請求項1に記載のタッチセンス装置。
- タッチセンス装置であって、
タッチ面及び複数の電極を含み、前記複数の電極のそれぞれが、前記タッチ面における容量が変化するタッチに応答して変化する結合容量に関連するように構成及び配置されており、前記応答を提供するためのタッチ面手段と、
前記複数の電極に対して応答信号を生成するように構成される感知手段であって、前記応答信号のそれぞれが、前記タッチ面における前記結合容量に対する振幅を有し、上部信号レベルに向かう正方向の遷移及び下部信号レベルに向かう負方向の遷移によって特徴付けられる過渡部を含む、感知手段と、
前記過渡部間の前記応答信号の部分のゲインに対する前記過渡部のゲインを調整することによって、そこに可変ゲインを提供するため、前記応答信号を処理するための時間変化するパラメータを使用するための手段と、
を含むタッチセンス装置。 - タッチ面及び複数の電極を含み、前記複数の電極のそれぞれが、前記タッチ面における容量が変化するタッチに反応して変化する結合容量に関連するように構成及び配置されている、タッチ面回路、を使用するための方法であって、前記方法は、
回路を使用して、前記複数の電極に対する応答信号を生成する工程であって、前記応答信号のそれぞれが、前記タッチ面における前記結合容量に対する振幅を有し、上部信号レベルに向かう正方向の遷移及び下部信号レベルに向かう負方向の遷移によって特徴付けられる過渡部を含む、工程と、
別の回路を動作させる工程であって、該別の回路が、
前記過渡部間の前記応答信号の部分のゲインに対して前記過渡部のゲインを調整することによって、前記応答信号を処理するため、時間変化するパラメータを使用して、そこに可変ゲインを提供し、かつ、
前記応答信号を測定し、それから前記結合容量の変化に反応して前記タッチ面のタッチ位置を決定するための、
別の回路である、工程と、
を含む方法。
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