JP6254272B2

JP6254272B2 - 導電性パターン形成用組成物、これを用いた導電性パターン形成方法と、導電性パターンを有する樹脂構造体

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Publication number: JP6254272B2
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Inventors: シン・ヒー・ジュン; チー−スン・パク; ジェ・ヒュン・キム; サン・ユン・ジュン; チョル−ヒ・パク
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Priority date: 2013-09-27
Filing date: 2014-09-22
Publication date: 2017-12-27
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Description

本発明は、各種高分子樹脂製品または樹脂層上に、その機械的物性低下を減らしながら、優れた接着力を有する微細導電性パターンを形成することができるような導電性パターン形成用組成物、これを用いた導電性パターン形成方法と、導電性パターンを有する樹脂構造体に関するものである。

最近、微細電子技術が発展するのに伴い、各種樹脂製品または樹脂層などの高分子樹脂基材（または製品）表面に微細な導電性パターンが形成された構造体に対する要求が増大している。このような高分子樹脂基材表面の導電性パターンおよび構造体は携帯電話ケースに一体化したアンテナ、各種センサー、ＭＥＭＳ構造体またはＲＦＩＤタグなどの多様な対象物を形成するのに適用することができる。

このように、高分子樹脂基材表面に導電性パターンを形成する技術に対する関心が増加するのに伴い、これに関するいくつかの技術が提案されたことがある。しかし、まだこのような技術をより効果的に使用できる方法は提案されていないのが実情である。

例えば、以前に知られた技術によれば、高分子樹脂基材表面に金属層を形成した後、フォトリソグラフィを適用して導電性パターンを形成するか、導電性ペーストを印刷して導電性パターンを形成する方法などを考慮することができる。しかし、このような技術によって導電性パターンを形成する場合、必要な工程または装備が過度に複雑になったり、良好かつ微細な導電性パターンを形成するのが難しくなる短所がある。

したがって、より単純化された工程で高分子樹脂基材表面に微細な導電性パターンをより効果的に形成することができる技術の開発が要求されている。

このような当業界の要求を充足するために、高分子樹脂に特定の非導電性金属化合物などを添加した組成物を用いて、レーザなど電磁波の直接照射によって導電性パターンを形成する技術が提案されたことがある。このような技術によれば、前記組成物の所定領域にレーザなど電磁波を直接照射して前記非導電性金属化合物中の金属成分を選択的に露出させ、該当領域に無電解めっきなどを行って導電性パターンを形成することができる。

しかし、このような技術の適用時、前記非導電性金属化合物の添加によって脆性が増加して、高分子樹脂基材（または製品）自体の衝撃強度など基本的な機械的物性が低下する場合が多かった。

また、上記技術によって導電性パターンを形成する場合、このような導電性パターンが高分子樹脂基材に対して劣悪な接着力を示すことによって、良好な導電性パターンが形成されにくくなるなどの問題点も存在した。

そのため、前述の技術が広く適用されていないのが実情であり、関連技術の改善が継続的に要求されている。

本発明の目的は、各種高分子樹脂製品または樹脂層上に、その機械的物性低下を減らしながら、優れた接着力を有する微細導電性パターンを形成することができるような導電性パターン形成用組成物と、これを用いた導電性パターン形成方法を提供することにある。

本発明の目的はまた、前記導電性パターン形成用組成物などから形成された導電性パターンを有する樹脂構造体を提供することにある。

本発明は、高分子樹脂；および第１金属および第２金属を含み

あるいはＰ６_３／ｍｍｃ空間群構造を有する非導電性金属化合物の粒子であって、０．１乃至２０μｍの粒径を有する粒子を含み、電磁波照射によって、前記非導電性金属化合物粒子から、前記第１または第２金属やそのイオンを含む金属核が形成される電磁波照射による導電性パターン形成用組成物を提供する。

前記導電性パターン形成用組成物において、前記非導電性金属化合物の具体的な例としては、ＣｕＣｒＯ_２、ＮｉＣｒＯ_２、ＡｇＣｒＯ_２、ＣｕＭｏＯ_２、ＮｉＭｏＯ_２、ＡｇＭｏＯ_２、ＮｉＭｎＯ_２、ＡｇＭｎＯ_２、ＮｉＦｅＯ_２、ＡｇＦｅＯ_２、ＣｕＷＯ_２、ＡｇＷＯ_２、ＮｉＷＯ_２、ＡｇＳｎＯ_２、ＮｉＳｎＯ_２およびＣｕＳｎＯ_２からなる群より選択された化合物の１種以上が挙げられ、これによって前記電磁波照射によって金属核をよりよく形成させてさらに良好な導電性パターンの形成を可能にする。

また、前記導電性パターン形成用組成物は、約１０００ｎｍ乃至１２００ｎｍの波長を有するレーザ電磁波に対して約２５％以下、あるいは約１０乃至２５％の反射度を示すことができる。

そして、前記導電性パターン形成用組成物は、約１０００ｎｍ乃至１２００ｎｍの波長を有するレーザ電磁波が約５乃至２０Ｗの平均パワーで照射され前記金属核が形成され得る。このようなレーザ電磁波照射条件の制御によって、前記組成物の高分子樹脂上に金属核がよりよく形成され、これによって、より良好な導電性パターンが形成され得る。

また、前記導電性パターン形成用組成物において、前記高分子樹脂は熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を含むことができ、そのより具体的な例としては、ＡＢＳ樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂またはポリエチレンテレフタレート樹脂などのポリアルキレンテレフタレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリプロピレン樹脂およびポリフタルアミド樹脂からなる群より選択された１種以上が挙げられる。

そして、前記導電性パターン形成用組成物において、前記非導電性金属化合物粒子は全体組成物に対して約０．５乃至７重量％で含まれ、残りの含量は高分子樹脂が含まれ得る。

また、前記導電性パターン形成用組成物は、前述の高分子樹脂および所定の非導電性金属化合物粒子以外に、熱安定剤、ＵＶ安定剤、難燃剤、滑剤、抗酸化剤、無機充填剤、色添加剤、衝撃補強剤および機能性補強剤からなる群より選択された１種以上の添加剤をさらに含むこともできる。

一方、本発明はまた、前述の導電性パターン形成用組成物を用いて、樹脂製品または樹脂層などの高分子樹脂基材上に、電磁波の直接照射によって導電性パターンを形成する方法を提供する。このような導電性パターンの形成方法は、前述の導電性パターン形成用組成物を樹脂製品に成形するか、他の製品に塗布して樹脂層を形成する段階；前記樹脂製品または樹脂層の所定領域に電磁波を照射して前記非導電性金属化合物粒子から第１または第２金属やそのイオンを含む金属核を発生させる段階；および前記金属核を発生させた領域を化学的に還元またはめっきさせて導電性金属層を形成する段階を含むことができる。

このような導電性パターン形成方法で、前記金属核発生段階においては約１０００ｎｍ乃至１２００ｎｍの波長を有するレーザ電磁波が約５乃至２０Ｗの平均パワーで照射され、これによって金属核がよりよく形成されさらに良好な導電性パターンが形成され得る。

また、前記電磁波照射による金属核発生段階を行うと、前記非導電性金属化合物粒子の一部が前記樹脂製品または樹脂層の所定領域表面に露出されながらこれから金属核が発生し、より高い接着性を有するように活性化された表面（以下、「接着活性表面」）を形成することができる。その次に、前記導電性金属層は無電解めっきによって前記接着活性表面上に形成され得る。前記無電解めっき時、前記金属核は一種のシード（ｓｅｅｄ）として作用してめっき溶液に含まれている導電性金属イオンが化学的に還元される時、これと強い結合を形成することができる。その結果、前記導電性金属層がより容易に選択的に形成され得る。

一方、本発明はまた、前述の導電性パターン形成用組成物および導電性パターン形成方法によって得られた導電性パターンを有する樹脂構造体を提供する。このような樹脂構造体は、高分子樹脂基材；第１金属および第２金属を含み

あるいはＰ６_３／ｍｍｃ空間群構造を有する非導電性金属化合物の粒子であって、約０．１乃至２０μｍの粒径を有し前記高分子樹脂基材に分散している粒子；所定領域の高分子樹脂基材表面に露出された第１または第２金属やそのイオンを含んでいる金属核を含む接着活性表面；および前記接着活性表面上に形成された導電性金属層を含むことができる。

前記樹脂構造体において、前記接着活性表面および導電性金属層が形成された所定領域は、前記高分子樹脂基材に電磁波が照射された領域に対応してもよい。

また、前記樹脂構造体において、前記導電性金属層はＩＳＯ２４０９標準方法によって試験した時、前記金属層の剥離面積がテスト対象金属層面積の約０％（ｃｌａｓｓ０等級）または約０％超過５％以下（ｃｌａｓｓ１等級）である優れた接着力で前記高分子樹脂基材上に形成されていてもよい。

そして、前記樹脂構造体は、ＡＳＴＭＤ２５６方法で測定した衝撃強度が約４．０Ｊ／ｃｍ以上であり得る。

本発明によれば、各種高分子樹脂製品または樹脂層などの高分子樹脂基材上に、レーザなど電磁波を照射する非常に単純化された工程で微細な導電性パターンを形成することができるような導電性パターン形成用組成物、これを用いた導電性パターン形成方法と、導電性パターンを有する樹脂構造体を提供することができる。

特に、本発明による導電性パターン形成用組成物などは、特有の立体構造および所定の粒径範囲を有する非導電性金属化合物粒子を用いることによって、高分子樹脂製品または樹脂層自体の衝撃強度など機械的物性の低下を減らしながら、優れた接着力を示す微細な導電性パターンをより効果的に形成することができる。

したがって、このような導電性パターン形成用組成物や導電性パターン形成方法などを用いて、携帯電話ケースなど各種樹脂製品上のアンテナ用導電性パターン、ＲＦＩＤタグ、各種センサー、ＭＥＭＳ構造体などを非常に効果的に形成することができる。

発明の一実施形態による導電性パターン形成用組成物に含まれる非導電性金属化合物の一例の立体構造を模式的に示した図である。発明の他の実施形態による導電性パターン形成方法の一例を工程段階別に簡略化して示した図である。発明の他の実施形態による導電性パターン形成方法の一例で、電磁波照射によって高分子樹脂基材の表面に金属核を含む接着活性表面が形成された状態を示す電子顕微鏡写真である。それぞれ製造例１で得られた調節された粒径を有するＣｕＣｒＯ_２粉末の電子顕微鏡写真およびＸ線回折パターンを示す。それぞれ製造例１で得られた調節された粒径を有するＣｕＣｒＯ_２粉末の電子顕微鏡写真およびＸ線回折パターンを示す。それぞれ実施例１でＣｕＣｒＯ_２粒子が含まれた樹脂構造体を得た後に、このような基板をＸ線回折分析した結果および樹脂基板破断面の電子顕微鏡写真を示す。それぞれ実施例１でＣｕＣｒＯ_２粒子が含まれた樹脂構造体を得た後に、このような基板をＸ線回折分析した結果および樹脂基板破断面の電子顕微鏡写真を示す。それぞれ実施例１でレーザ照射後に高分子樹脂基材表面に金属核およびこれを含む接着活性表面の形成有無をＸ線回折分析および電子顕微鏡写真で確認した結果を示す。それぞれ実施例１でレーザ照射後に高分子樹脂基材表面に金属核およびこれを含む接着活性表面の形成有無をＸ線回折分析および電子顕微鏡写真で確認した結果を示す。それぞれ比較例１でレーザ照射後に、樹脂構造体上に金属核が形成されたかどうかのＸ線回折分析結果と、レーザ照射表面を電子顕微鏡写真で確認した結果を示す。それぞれ比較例１でレーザ照射後に、樹脂構造体上に金属核が形成されたかどうかのＸ線回折分析結果と、レーザ照射表面を電子顕微鏡写真で確認した結果を示す。実施例２、４および６で、導電性パターン形成過程中にレーザ照射後の高分子樹脂基材表面を電子顕微鏡で観察して示す写真である。

以下、発明の具体的な実施形態による導電性パターン形成用組成物、これを用いた導電性パターン形成方法と、導電性パターンを有する樹脂構造体について説明する。

発明の一実施形態によれば、高分子樹脂；および第１金属および第２金属を含み

あるいはＰ６_３／ｍｍｃ空間群構造を有する非導電性金属化合物の粒子であって、約０．１乃至２０μｍの粒径を有する粒子を含み、電磁波照射によって、前記非導電性金属化合物粒子から、前記第１または第２金属やそのイオンを含む金属核が形成される電磁波照射による導電性パターン形成用組成物が提供される。

このような導電性パターン形成用組成物は、

あるいはＰ６_３／ｍｍｃ空間群構造で定義される特定立体構造を有し、約０．１乃至２０μｍ、あるいは約０．３乃至１０μｍ、あるいは約０．５乃至３μｍの特定粒径を有する非導電性金属化合物の粒子を含む。このような粒子の主成分である非導電性金属化合物の一例の立体構造は図１に模式的に示されている。

図１に示すように、前記非導電性金属化合物は前記第１および第２金属のうちの少なくとも１種の金属を含み角を共有する８面体が互いに２次元的に連結された構造を有する複数の第１層（ｅｄｇｅ−ｓｈａｒｅｄｏｃｔａｈｅｄｒａｌｌａｙｅｒ）と、前記第１層と異なる種類の金属を含み互いに隣接する第１層の間に配列された第２層を含む立体構造を有し、このような立体構造が

あるいはＰ６_３／ｍｍｃ空間群構造と称され得る。

このような非導電性金属化合物の粒子を含む導電性パターン形成用組成物を用いて高分子樹脂製品または樹脂層を成形した後、レーザなど電磁波を照射すると、前記非導電性金属化合物から第１または第２金属やそのイオンを含む金属核が形成され得る。このような金属核は電磁波が照射された所定領域で選択的に露出されて高分子樹脂基材表面の接着活性表面を形成することができる。その後、前記第１または第２金属やそのイオンを含む金属核などをシード（ｓｅｅｄ）にして導電性金属イオンなどを含むめっき溶液で無電解めっきすると、前記金属核を含む接着活性表面上に導電性金属層が形成され得る。このような過程を通じて、前記電磁波が照射された所定領域の高分子樹脂基材上のみに選択的に導電性金属層、言い換えれば微細な導電性パターンが形成され得る。

特に、このように金属核および接着活性表面が形成され電磁波照射によってより良好な導電性パターンの形成が可能になる主な要因のうちの一つとして、一実施形態の組成物に含まれる非導電性金属化合物が有する特定の立体構造、例えば、前述の図１に模式的に示された立体構造が挙げられる。

このような非導電性金属化合物の立体構造では、それを成す第１および第２金属のうちの少なくとも１種の金属が第１層に含まれており、このような第１層は角を共有する８面体が互いに２次元的に連結された構造（ｅｄｇｅ−ｓｈａｒｅｄｏｃｔａｈｅｄｒａｌｌａｙｅｒ）を有している。また、前記非導電性金属化合物の立体構造では、前述の第１層の複数層と共に、互いに隣接する第１層の間に配列された第２層を含んでいる。このような第２層には前記第１層とは異なる種類の金属、例えば、第１および第２金属のうちの第１層に含まれない残りの金属が含まれ、このような第２層の金属は互いに隣接する第１層の間で前記８面体の頂点を互いに連結してこれらの２次元的連結構造を互いに結合させることができる。

より具体的な一例で、このような層状立体構造を有する非導電性金属化合物は、第１および第２金属と共に、Ｘ（酸素、窒素または硫黄）を含んでＡＢＸ_２（Ａ、Ｂはそれぞれ独立して第１および第２金属を示し、Ｘは酸素、窒素または硫黄を示す。）の一般式で表示される化合物であり得る。このような一般式の化合物において、第１および第２金属のうちの少なくとも１種の金属およびＸの原子が角を共有する８面体を成すことができ、これらが互いに２次元的に連結された構造に配列されて第１層を成すことができる。また、前述のように、第１層に含まれない残りの金属が互いに隣接する第１層の間の第２層を成すことができ、このような第２層を成す金属が第１層の間でこれらの２次元的連結構造を互いに結合させることができる。

この時、前記第２層を成す第１または第２金属はＣｕ、ＡｇおよびＮｉからなる群より選択された１種以上の金属であって、電磁波照射によって非導電性金属化合物から放出される金属源であり得、残り第１層を成す金属はＣｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、ＳｎおよびＷからなる群より選択された１種以上の金属であり得る。

以上で説明した特定の層状立体構造の非導電性金属化合物は、電磁波照射前には非導電性を示すだけでなく、前記高分子樹脂と優れた相溶性を有し、前記還元またはめっき処理などに使用される溶液に対しても化学的に安定であって非導電性を維持する特性を有する。したがって、このような非導電性金属化合物は電磁波が照射されない領域では、高分子樹脂基材内に均一に分散された状態で化学的に安定するように維持されて非導電性を示すことができる。

これに比べて、前記レーザなど電磁波が照射された所定領域では非導電性金属化合物から第１または第２金属やそのイオンなどが容易に発生する。この時、前述の非導電性金属化合物から金属またはそのイオンがより容易に放出されることは、前記非導電性金属化合物が前述の第１層および第２層が順次配列された層状立体構造を有するのに起因すると予測できる。このような層状立体構造を有する非導電性金属化合物は第２層の空孔形成エネルギー（ｖａｃａｎｃｙｆｏｒｍａｔｉｏｎｅｎｅｒｇｙ）が他の非層状立体構造を有する化合物に比べて低いため、前記第２層に含まれた第１または第２金属やそのイオンがより容易に放出されるのである。このように、電磁波照射によって非導電性金属化合物から金属やそのイオンがより容易に放出されることによって、金属核および接着活性表面の形成を可能にする主な要因の一つになり得る。

但し、本発明者らの実験結果、このような非導電性金属化合物の特有の立体構造のみで前記金属核および接着活性表面の形成が可能になるのではないということが確認された。本発明者らは継続的な実験および研究を通じて、前述の特定立体構造の非導電性金属化合物の中でも、例えば、ＣｕＣｒＯ_２、ＮｉＣｒＯ_２、ＡｇＣｒＯ_２、ＣｕＭｏＯ_２、ＮｉＭｏＯ_２、ＡｇＭｏＯ_２、ＮｉＭｎＯ_２、ＡｇＭｎＯ_２、ＮｉＦｅＯ_２、ＡｇＦｅＯ_２、ＣｕＷＯ_２、ＡｇＷＯ_２、ＮｉＷＯ_２、ＡｇＳｎＯ_２、ＮｉＳｎＯ_２またはＣｕＳｎＯ_２などの特定化合物を選択および含むことによって、前記一実施形態の組成物が特定波長のレーザなど電磁波に対してより高い吸収率および敏感度を示すようにすることができるのを確認した。また、これと共に後述のようなレーザなど電磁波照射条件などを調節することによって、初めて前記金属核および接着活性表面の形成が可能になり、レーザなど電磁波の照射および順次的な還元またはめっき処理などによってより良好な微細導電性パターンが形成され得るのが確認された。

このような一実施形態とは異なり、前述の層状立体構造などを有しても、後述の比較例に記載されたＣｕＮｉＯ_２などのような適切でない非導電性金属化合物が使用されるか、レーザなど電磁波照射条件が適切な範囲で制御されない場合、金属核が形成されないか、前記金属核を含みより大きい粗度を有する接着活性表面がうまく形成されず高分子樹脂に対する優れた接着力を有する良好な導電性パターンが形成されないこともある。

したがって、前記一実施形態の導電性パターン形成用組成物は、前述の非導電性金属化合物特有の立体構造、これによる特性および前述の金属核およびこれによる接着活性表面の形成を可能にする諸般条件の制御などによって、スピネルなど他の立体構造を有する化合物を含むか、その他金属核などの形成が伴わない他の組成物を用いた場合と比較して、より良好な微細導電性パターンを容易に形成することができるようになる。さらに、このような特性によって、一実施形態の導電性パターン形成用組成物を用いると、前記スピネルなど非層状立体構造を有する非導電性金属化合物を含む他の組成物を用いた場合などに比べて、前記非導電性金属化合物の使用量、より具体的に第１または第２金属の使用量または含量を減らしても、良好かつ微細な導電性金属層をより容易に形成することができる。

一方、前述の特定立体構造を有する非導電性金属化合物の粒子は約０．１乃至２０μｍ、あるいは約０．３乃至１０μｍ、あるいは約０．５乃至３μｍの特定粒径範囲を有し得る。本発明者らの実験の結果、前述の非導電性金属化合物の粒子がこのような特定粒径範囲を有することによって、前記非導電性金属化合物粒子の添加による高分子樹脂の衝撃強度など機械的物性低下を最小化することができるのが確認された。これは次のような技術的原理に起因すると予測される。

前述の

あるいはＰ６_３／ｍｍｃ空間群構造を有する物質は、その立体構造および結晶構造の特徴によって、ｃ軸の長さがａ軸に比べて長くアスペクト比（ａｓｐｅｃｔｒａｔｉｏ）が高い板状型構造を有し得る（図１参照）。このような板状型の構造によって、前記

あるいはＰ６_３／ｍｍｃ空間群構造を有する非導電性金属化合物粒子の粒径が大きくなる場合、前述の大きいアスペクト比（ａｓｐｅｃｔｒａｔｉｏ）などによって粒径の増加程度がより大きく反映されることがある。その結果、前記非導電性金属化合物粒子の高分子樹脂内分散性がより大きく低下することがあり、脆性を大幅に増加させて高分子樹脂の衝撃強度など機械的物性をさらに大きく低下させることがある。しかし、前記非導電性金属化合物粒子の粒径が前述の約２０μｍ以下に調節されることによって、このような問題点が減って前記非導電性金属化合物粒子の添加による高分子樹脂の機械的物性低下の程度が減るようになる。

但し、前記非導電性金属化合物粒子の粒径が過度に小さくなれば、その比表面積が大きく増加し吸湿力などが増加することがあり、これによってポリカーボネート樹脂など高分子樹脂との副反応を引き起こすことがある。このような副反応は高分子樹脂の物性や粘性などを弱化させる要因になることがある。さらに、粉塵発生程度が増加して工程上の不便さを招くことがある。しかし、前記非導電性金属化合物粒子の粒径範囲が適切に制御されると、このような問題点も減らし高分子樹脂の物性低下などを抑制しながら工程上の不便さを減らすことができる。

これに加えて、前述の特定立体構造に最適化された粒径範囲を有する非導電性金属化合物粒子は相対的に低いパワーのレーザなど電磁波照射条件下でも、電磁波により敏感に反応して金属核がより効果的に形成され、このような金属核を含みながらより大きい粗度を有する接着活性表面がよく形成されるようにすることができるのが確認された。その結果、前記金属核および接着活性表面上に、より優れた接着力を示す微細な導電性パターンが良好に形成され得る。

そして、前述の粒径範囲によって非導電性金属化合物粒子が電磁波に対してより敏感に反応することができるので、高分子樹脂に添加される非導電性金属化合物粒子の含量自体を低めても導電性パターンをより効果的に形成することができる。このため、一般に濃い色を示す非導電性金属化合物粒子の色を顔料または着色剤の最小限の添加でより容易に隠蔽して所望の色を有する高分子樹脂製品などをより容易に提供することができる。

このような特定の粒径範囲の非導電性金属化合物の粒子を得るために、これを成す第１および第２金属含有前駆体を互いに混合して高温焼成することによって前記非導電性金属化合物を得た後に、これをミリング工程などを通じて破砕することができる。このような破砕工程で所望の粒径範囲を有する非導電性金属化合物の粒子を得た後に、これを乾燥して前述の導電性パターン形成用組成物に使用することができる。しかし、前記破砕工程の進行条件および方法は、一般的な無機粒子（金属酸化物粒子など）のミリング工程など破砕工程によることができ、その他一般的な金属酸化物粒子の製造工程によって前記非導電性金属化合物の粒子を製造することができるので、これに関する追加的な説明は省略する。

一方、前述の一実施形態の導電性パターン形成用組成物は、赤外線領域に該当する波長、例えば、約１０００ｎｍ乃至１２００ｎｍ、あるいは約１０６０ｎｍ乃至１０７０ｎｍ、例えば約１０６４ｎｍの波長を有するレーザ電磁波に対して約２５％以下、あるいは約１０乃至２５％の反射度を示すことができる。

このようなレーザ電磁波に対する相対的に低い反射度は、金属核および順次的な導電性パターン形成時に通常適用されるレーザ電磁波に対する高い吸収率および敏感度を反映することができる。したがって、前述の範囲の低い反射度を示す一実施形態の導電性パターン形成用組成物を使用すれば、レーザなど電磁波の照射によって金属核およびこれを含みながらさらに大きい粗度を有する接着活性表面がさらによく形成され得、その結果、より良好な導電性パターンの形成が可能になる。

また、このような導電性パターン形成用組成物の低い反射度は、前述の特定立体構造の非導電性金属化合物の使用、この中でもＣｕＣｒＯ_２、ＮｉＣｒＯ_２、ＡｇＣｒＯ_２、ＣｕＭｏＯ_２、ＮｉＭｏＯ_２、ＡｇＭｏＯ_２、ＮｉＭｎＯ_２、ＡｇＭｎＯ_２、ＮｉＦｅＯ_２、ＡｇＦｅＯ_２、ＣｕＷＯ_２、ＡｇＷＯ_２、ＮｉＷＯ_２、ＡｇＳｎＯ_２、ＮｉＳｎＯ_２およびＣｕＳｎＯ_２などのような特定化合物の使用、このような特定非導電性金属化合物と、後述の適切な高分子樹脂との組み合わせおよびこれらの組成などによって達成され得る。

一方、前述の一実施形態の導電性パターン形成用組成物は、赤外線領域に該当する波長、例えば、約１０００ｎｍ乃至１２００ｎｍ、あるいは約１０６０ｎｍ乃至１０７０ｎｍ、あるいは約１０６４ｎｍの波長を有するレーザ電磁波が約５乃至２０Ｗ、あるいは約７乃至１５Ｗの平均パワーで照射され、このような電磁波照射部に金属核が形成されるものであり得る。このような範囲でレーザなど電磁波の照射条件が制御されることによって、一実施形態の組成物に対するレーザ照射部に金属核およびこれを含み大きい粗度を有する接着活性表面などがさらによく形成され得、これによって、より良好な導電性パターンの形成が可能になる。但し、実際使用される非導電性金属化合物および高分子樹脂の具体的な種類やこれらの組成によって、金属核などの形成を可能にする電磁波照射条件を異にして制御することもできる。

前述の一実施形態の導電性パターン形成用組成物において、前記高分子樹脂としては多様な高分子樹脂製品または樹脂層を形成することができる任意の熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を特別な制限なく使用することができる。特に、前述の特定立体構造および粒径を有する非導電性金属化合物の粒子は多様な高分子樹脂と優れた相溶性および均一な分散性を示すことができ、高分子樹脂の衝撃強度など機械的物性をほとんど低下させない。したがって、一実施形態の組成物は多様な高分子樹脂を含んで様々な樹脂製品または樹脂層に成形され得る。このような高分子樹脂の具体的な例としては、ＡＢＳ樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂またはポリエチレンテレフタレート樹脂などのポリアルキレンテレフタレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリプロピレン樹脂またはポリフタルアミド樹脂などが挙げられ、その他にも多様な高分子樹脂を含むことができる。この中でも、金属核の形成および良好な導電性パターンの形成をより好ましく担保することができるように、前記高分子樹脂としてＡＢＳ樹脂またはポリカーボネート樹脂を使用することが適切である。

また、前記導電性パターン形成用組成物において、前記非導電性金属化合物は全体組成物に対して約０．５乃至７重量％、あるいは約１乃至６重量％で含まれ、残りの含量は高分子樹脂が含まれ得る。このような含量範囲により、前記組成物から形成された高分子樹脂製品または樹脂層の機械的物性など基本的な物性を優れた状態に維持しながらも、電磁波照射によって一定の領域に導電性パターンを形成する特性を好ましく示すことができる。前述のように、一実施形態の組成物は特定立体構造および粒径範囲を有する非導電性金属化合物の粒子を含むことにより、このような非導電性金属化合物の粒子をより低い含量で含んでも、電磁波照射によって金属核および優れた接着力を有する導電性パターンを良好に形成することができる。したがって、非導電性金属化合物粒子の含量を減らして前記樹脂製品または樹脂層の基本的物性をさらに優れた状態に維持することができ、このような添加剤の色を隠蔽して多様な色を示す高分子樹脂製品を提供することがより容易となる。

そして、前記導電性パターン形成用組成物は、前述の高分子樹脂および所定の非導電性金属化合物以外に、熱安定剤、ＵＶ安定剤、難燃剤、滑剤、抗酸化剤、無機充填剤、色添加剤、衝撃補強剤および機能性補強剤からなる群より選択された１種以上の添加剤をさらに含むこともできる。その他にも樹脂製品成形用組成物に使用可能であると知られている多様な添加剤を特別な制限なく全て使用することができるのはもちろんである。

一方、発明の他の実施形態によれば、前述の導電性パターン形成用組成物を使用し、樹脂製品または樹脂層などの高分子樹脂基材上に、電磁波の直接照射によって導電性パターンを形成する方法が提供される。このような導電性パターンの形成方法は、前述の導電性パターン形成用組成物を樹脂製品に成形するか、他の製品に塗布して樹脂層を形成する段階；前記樹脂製品または樹脂層の所定領域に電磁波を照射して前記非導電性金属化合物粒子から第１または第２金属やそのイオンを含む金属核を発生させる段階；および前記金属核を発生させた領域を化学的に還元またはめっきさせて導電性金属層を形成する段階を含むことができる。

以下、添付した図面を参照して、前記他の実施形態による導電性パターンの形成方法を各段階別に説明する。参考として、図２では前記導電性パターン形成方法の一例を、樹脂製品または樹脂層（高分子樹脂基材）の所定領域に対する電磁波照射段階（金属核およびこれを含む接着活性表面の形成段階；一番目および二番目の図）、導電性金属層の形成段階（三番目の図）に簡略化して示した。また、図３では前記導電性パターン形成方法の一例で、電磁波照射によって高分子樹脂基材の所定領域表面に金属核およびこれを含む接着活性表面が形成された状態を電子顕微鏡写真で示している。

前記導電性パターン形成方法では、まず、前述の導電性パターン形成用組成物を樹脂製品に成形するか、他の製品に塗布して樹脂層を形成することができる。このような樹脂製品の成形または樹脂層の形成においては、通常の高分子樹脂組成物を用いた製品成形方法または樹脂層形成方法を特別な制限なく適用することができる。例えば、前記組成物を用いて樹脂製品を成形することにおいては、前記導電性パターン形成用組成物を押出および冷却した後、ペレットまたは粒子形態に形成し、これを所望の形態に射出成形して多様な高分子樹脂製品を製造することができる。

このように形成された高分子樹脂製品または樹脂層は、前記高分子樹脂から形成された樹脂基材上に、前述の特定立体構造および粒径範囲を有する非導電性金属化合物の粒子が均一に分散した形態を有し得る。特に、前記非導電性金属化合物の粒子は多様な高分子樹脂と優れた相溶性、十分な溶解度および化学的安定性を有するので、前記樹脂基材上の全領域にわたって均一に分散し非導電性を有する状態で維持され得る。

このような高分子樹脂製品または樹脂層を形成した後には、図２の一番目の図に示されているように、導電性パターンを形成しようとする前記樹脂製品または樹脂層の所定領域に、レーザなど電磁波を照射することができる。このような電磁波を照射すると、前記非導電性金属化合物から第１または第２金属やそのイオンが放出され、これを含む金属核を発生させることができ、これを含む接着活性表面を形成することができる（図２の二番目の図参照）。

より具体的に、前記電磁波照射による金属核発生段階を行うと、前記非導電性金属化合物粒子の一部が前記樹脂製品または樹脂層の所定領域表面に露出されながらこれから金属核が発生し、より高い接着性を有するように活性化された接着活性表面を形成することができる（図３参照）。このような接着活性表面は大きい粗度を有しながら、前記金属核を含んだ状態で形成され得る。このような接着活性表面が電磁波が照射された一定の領域のみで選択的に形成されることによって、後述のめっき段階などを行うと、前記金属核および接着活性表面に含まれた第１または第２金属イオンの化学的還元、および／またはこれに対する無電解めっきによって導電性金属イオンが化学的還元されることにより、前記導電性金属層が所定領域の高分子樹脂基材上に選択的により良好に形成され得る。より具体的に、前記無電解めっき時には、前記金属核が一種のシード（ｓｅｅｄ）として作用してめっき溶液に含まれた導電性金属イオンが化学的に還元される時、これと強い結合を形成することができる。その結果、前記導電性金属層がより容易に選択的に形成され得る。

特に、前記非導電性金属化合物粒子が特定粒径範囲を有することによって、相対的に低いパワーのレーザなど電磁波照射下でも敏感に反応してより大きい粗度を有する接着活性表面および金属核を効果的に形成することができ、これから樹脂製品または樹脂層上に向上した接着力を有する導電性金属層（導電性パターン）が形成され得る。

一方、前述の金属核発生段階においては、電磁波の中でも、レーザ電磁波を照射することができ、例えば、赤外線領域に該当する波長、例えば、約１０００ｎｍ乃至１２００ｎｍ、あるいは約１０６０ｎｍ乃至１０７０ｎｍ、あるいは約１０６４ｎｍの波長を有するレーザ電磁波が約５乃至２０Ｗ、あるいは約７乃至１５Ｗの平均パワーで照射され得る。

このようなレーザ電磁波の照射によって、非導電性金属化合物から金属核の形成をより好ましく担保することができ、これを含む接着活性表面を所定領域に選択的に発生および露出させることができる。

一方、前述の金属核発生段階を行った後には、図２の三番目の図に示されているように、前記金属核および接着活性表面を形成させた領域を化学的に還元またはめっきさせて導電性金属層を形成する段階を行うことができる。このような還元またはめっき段階を行った結果、前記金属核および接着活性表面が露出された所定領域で選択的に導電性金属層が形成され、残りの領域では化学的に安定な非導電性金属化合物がそのまま非導電性を維持することができる。これにより、高分子樹脂基材上の所定領域のみに選択的に微細な導電性パターンが形成され得る。

より具体的に、前記導電性金属層の形成段階は無電解めっきによって行うことができ、これにより前記接着活性表面上に良好な導電性金属層が形成され得る。

一例で、このような還元またはめっき段階では前記金属核を発生させた所定領域の樹脂製品または樹脂層を還元剤を含む酸性または塩基性溶液で処理することができ、このような溶液は還元剤として、ホルムアルデヒド、次亜リン酸塩、ジメチルアミノボラン（ＤＭＡＢ）、ジエチルアミノボラン（ＤＥＡＢ）およびヒドラジンからなる群より選択された１種以上を含むことができる。また、前記還元またはめっき段階では、前述の還元剤および導電性金属イオンを含む無電解めっき溶液などで処理して前記無電解めっきによって導電性金属層を形成することができる。

このような還元またはめっき段階の進行で、前記金属核に含まれた第１または第２金属イオンが還元されるか、前記金属核が形成された領域でこれをシード（ｓｅｅｄ）にして前記無電解めっき溶液に含まれた導電性金属イオンが化学的還元され、所定領域に選択的に良好な導電性パターンが形成され得る。この時、前記金属核および接着活性表面は前記化学的に還元される導電性金属イオンと強い結合を形成することができ、その結果、所定領域に選択的に導電性パターンがより容易に形成され得る。

一方、発明のまた他の実施形態によれば、前述の導電性パターン形成用組成物および導電性パターン形成方法によって得られた導電性パターンを有する樹脂構造体が提供される。このような樹脂構造体は、高分子樹脂基材；第１金属および第２金属を含み

あるいはＰ６_３／ｍｍｃ空間群構造を有する非導電性金属化合物の粒子であって、約０．１乃至２０μｍの粒径を有し前記高分子樹脂基材に分散している粒子；所定領域の高分子樹脂基材表面に露出された第１または第２金属やそのイオンを含んだ金属核を含む接着活性表面；および前記接着活性表面上に形成された導電性金属層を含むことができる。

このような樹脂構造体において、前記接着活性表面および導電性金属層が形成された所定領域は、前記高分子樹脂基材に電磁波が照射された領域に対応してもよい。また、前記接着活性表面の金属核に含まれた第１または第２金属やそのイオンは前記非導電性金属化合物粒子に由来したものであり得る。一方、前記導電性金属層は前記第１または第２金属に由来するか、無電解めっき溶液に含まれた導電性金属イオンに由来したものであり得る。

一方、前記樹脂構造体において、前記導電性金属層は、前記特定粒径範囲を有する非導電性金属化合物粒子を用いて形成されることによって、より優れた接着力で前記高分子樹脂基材上に形成され得る。例えば、前記導電性金属層は、ＩＳＯ２４０９標準方法によって試験した時、前記金属層の剥離面積がテスト対象金属層面積の０％（ｃｌａｓｓ０等級）または０％超過乃至５％以下（ｃｌａｓｓ１等級）である優れた接着力で前記高分子樹脂基材上に形成され得る。

また、樹脂構造体は、前述の非導電性金属化合物の添加にもかかわらず、ＡＳＴＭＤ２５６方法で測定した衝撃強度が約４．０Ｊ／ｃｍ以上であり得る。したがって、これを用いて、高分子樹脂基材上に導電性パターンが形成されながらも、優れた機械的物性を維持する高分子樹脂製品などを提供することができる。

加えて、前記樹脂構造体は、前記高分子樹脂基材内に分散しており、前記非導電性金属化合物に由来した残留物をさらに含むことができる。このような残留物は前記非導電性金属化合物の立体構造において第１または第２金属のうちの少なくとも一部が放出され、その位置の少なくとも一部に空孔（ｖａｃａｎｃｙ）が形成された構造を有し得る。

前述の樹脂構造体は、アンテナ用導電性パターンを有する携帯電話ケースなど各種樹脂製品または樹脂層となるか、その他ＲＦＩＤタグ、各種センサーまたはＭＥＭＳ構造体などの導電性パターンを有する多様な樹脂製品または樹脂層となり得る。

以下、発明の具体的な実施例を通じて発明の作用、効果をより具体的に説明する。但し、これは発明の例示として提示されたものに過ぎず、これによって発明の権利範囲がいかなる意味でも限定されるのではない。

［実施例］
製造例１：非導電性金属化合物ＣｕＣｒＯ _２の合成
原材料ＣｕＯとＣｒ_２Ｏ_３を２：１のモル比率にして６時間ボールミリングすることによって互いに均一に混合した。その後、常圧および１０５０℃の条件下で２時間焼成してＣｕＣｒＯ_２の化学式を有する粉末を合成した。このような合成後には追加的な粉砕処理時間を調節して以下の実施例で使用する調節された粒径を有するＣｕＣｒＯ_２粉末を製造した。このような粉末の電子顕微鏡写真およびＸ線回折パターンは、それぞれ図４および５に示されたとおりであった。

このような電子顕微鏡およびＸ線回折分析などを通じて、前記非導電性金属化合物は板状型結晶構造を有すると確認され、図１に示されているような層状立体構造（

あるいはＰ６_３／ｍｍｃ空間群構造）を有すると確認された。

実施例１：レーザ直接照射による導電性パターンの形成
基本樹脂であるポリカーボネート樹脂と、ＬＤＳ添加剤として製造例１で得られた非導電性金属化合物粒子（ＣｕＣｒＯ_２；粒径：２．５μｍ）を使用し、工程および安定化のための添加剤として熱安定化剤（ＩＲ１０７６、ＰＥＰ３６）、ＵＶ安定剤（ＵＶ３２９）、滑剤（ＥＰ１８４）、および衝撃補強剤（Ｓ２００１）を共に使用して電磁波照射による導電性パターン形成用組成物を製造した。

前記ポリカーボネート樹脂に対してＬＤＳ添加剤５重量％、その他の添加剤を５重量％で混合して組成物を得て、これを２６０乃至２８０℃温度で押出機を通じて押出した。押出されたペレット形態の樹脂構造体を約２６０乃至２７０℃で直径１００ｍｍ、厚さ２ｍｍの基板およびＡＳＴＭ規格のアイゾッドバー形態に射出成形した。

このように得られた樹脂構造体をＸ線回折分析（ＸＲＤ）してその分析結果を図６に示した。また、このような基板内の非導電性金属化合物粒子の分布程度を電子顕微鏡で分析してその分析結果を図７に示した。参考として、図７は基板破断面の電子顕微鏡写真であって、図７の右側図面は左側図面の部分拡大図である。前記図６および７に示すように、レーザ照射前にポリカーボネート樹脂内で非導電性金属化合物が分解せず良好に分散状態で存在するのが確認され（図６）、このような非導電性金属化合物粒子がポリカーボネート樹脂内に均一に分散した状態で存在するのが確認される（図７）。

そして、射出成形された樹脂構造体は以下の試験例２のようにＡＳＴＭＤ２５６規格によってアイゾッドノッチ衝撃強度を測定した。

一方、前記の製造された樹脂構造体に対して、Ｎｄ−ＹＡＧレーザ装置を用いて、４０ｋＨｚ、１０Ｗの条件下で１０６４ｎｍ波長帯のレーザを照射して表面を活性化させた。レーザ照射後、ポリカーボネート樹脂内に銅含有金属核の形成有無を電子顕微鏡写真およびＸＲＤで分析および確認し、その結果をそれぞれ図８および９に示した。図８および９に示すように、前記レーザ照射後に、ＣｕＣｒＯ_２粒子に由来した一部のＣｕまたはそのイオンが還元されながら金属シード（即ち、金属核）が形成され、また、これを含み大きい粗度を有する接着活性表面が形成されるのを確認した。

その次に、前記レーザ照射によって表面が活性化された樹脂構造体に対して次のように無電解めっき工程を実施した。めっき溶液は硫酸銅３ｇ、ロッシェル塩１４ｇ、水酸化ナトリウム４ｇを１００ｍｌの脱イオン水に溶解させて製造した。製造されためっき溶液４０ｍｌに還元剤としてホルムアルデヒド１．６ｍｌを添加した。レーザで表面が活性化された樹脂基板を４乃至５時間めっき溶液に担持させた後、蒸溜水で洗浄した。形成された導電性パターン（あるいはめっき層）の接着性能は後述の試験例１のようにＩＳＯ２４０９標準方法を用いて評価した。

実施例２：レーザ直接照射による導電性パターンの形成
実施例１でＬＤＳ添加剤である非導電性金属化合物粒子（ＣｕＣｒＯ_２粒子）の含量を３重量％にしたことを除いては実施例１と同様な方法で導電性パターン形成用組成物を製造し、これから導電性パターンを有する樹脂構造体を製造した。

実施例３および４：レーザ直接照射による導電性パターンの形成
実施例１および２でそれぞれＬＤＳ添加剤である非導電性金属化合物粒子（ＣｕＣｒＯ_２粒子）の粒径を１．２μｍにして添加したことを除いては実施例１および２と同様な方法で導電性パターン形成用組成物を製造し、これから導電性パターンを有する樹脂構造体を製造した。

実施例５乃至８：レーザ直接照射による導電性パターンの形成
実施例１でＬＤＳ添加剤である非導電性金属化合物粒子（ＣｕＣｒＯ_２粒子）の粒径を０．５μｍにし、その含量をそれぞれ５重量％（実施例５）、３重量％（実施例６）、２重量％（実施例７）、１重量％（実施例８）に調節して添加したことを除いては実施例１と同様な方法で導電性パターン形成用組成物を製造し、これから導電性パターンを有する樹脂構造体を製造した。

実施例９：レーザ直接照射による導電性パターンの形成
実施例１でＬＤＳ添加剤である非導電性金属化合物粒子（ＣｕＣｒＯ_２粒子）の粒径を５μｍにして添加したことを除いては実施例１と同様な方法で導電性パターン形成用組成物を製造し、これから導電性パターンを有する樹脂構造体を製造した。

比較例１：レーザ直接照射による導電性パターンの形成
非導電性金属化合物粒子として、ＣｕＣｒＯ_２の代わりに０．５μｍの粒径を有するＣｕＮｉＯ_２を使用し、レーザ照射条件をパワー１０Ｗの代わりに３Ｗと異にして照射したことを除いては実施例１と同様な方法で導電性パターン形成用組成物を製造し、これから導電性パターンを有する樹脂構造体を製造した。

レーザ照射後、ポリカーボネート樹脂内に銅含有金属核の形成有無を電子顕微鏡写真およびＸＲＤで分析および確認し、その結果をそれぞれ図１０および１１に示した。図１０および１１に示すように、前記レーザ照射後にもレーザ照射条件が充分でなく非導電性金属化合物がレーザによく露出されないだけでなく、非導電性金属化合物がレーザに対する敏感度を十分に有していないことにより、Ｃｕなどに由来した金属シード（即ち、金属核）が形成されないのが確認された。

試験例１：樹脂構造体のレーザに対する反射度評価および導電性パターンの接着力評価
まず、前記実施例５乃至７および比較例１で、レーザ照射直前の樹脂基板に対して１０６４ｎｍ波長を有するレーザに対する反射度をＵＶ−ｖｉｓ−ＮＩＲスペクトロメータを用いて測定した。このような測定結果を下記表１に整理して示した。

表１に示すように、実施例５乃至７では、レーザに対する比較的低い反射度が示され前記レーザに対する高い吸収率および敏感度を示すのに比べて、比較例１ではレーザに対する高い反射度、並びに低い吸収率および敏感度を示すのが確認された。これから、実施例の組成物を使用する場合、比較例に比べて金属核の形成およびより良好な導電性パターンの形成が可能になるのを確認した。

その次に、前記実施例１乃至８および比較例１で、導電性パターンを形成した後、ＩＳＯ２４０９標準方法によって所定のテープを使用する剥離程度評価で高分子樹脂基材に対する導電性パターンの接着力を評価した。

このような評価の結果は、前記導電性パターンの剥離された面積によって次のＩＳＯｃｌａｓｓ基準下で評価した：
１．ｃｌａｓｓ０等級：導電性パターンの剥離面積が評価対象導電性パターン面積の０％；
２．ｃｌａｓｓ１等級：導電性パターンの剥離面積が評価対象導電性パターン面積の０％超過５％以下；
３．ｃｌａｓｓ２等級：導電性パターンの剥離面積が評価対象導電性パターン面積の５％超過１５％以下；
４．ｃｌａｓｓ３等級：導電性パターンの剥離面積が評価対象導電性パターン面積の１５％超過３５％以下；
５．ｃｌａｓｓ４等級：導電性パターンの剥離面積が評価対象導電性パターン面積の３５％超過６５％以下；
６．ｃｌａｓｓ５等級：導電性パターンの剥離面積が評価対象導電性パターン面積の６５％超過。

下記表２のように、実施例１乃至８は全て全体導電性パターンが形成された領域の中の剥離される導電性パターンの面積が非常に小さく、ｃｌａｓｓ０または１等級と評価され、これにより導電性パターンが高分子樹脂基材に対して優れた接着力を有するのを確認した。これに比べて、比較例１では接着力が不良であり簡単に除去される導電性パターンが形成されたのが確認された。

一方、実施例２、４および６に対して導電性パターン形成過程中のレーザ照射後の高分子樹脂基材表面をＳＥＭで観察してその観察結果を図１２に示した。

図１２に示すように、非導電性金属粒子の粒径が約０．５乃至２．５μｍである時、大体その粒径が小さいほどレーザ照射に対して敏感に反応してより大きい粗度を有する接着活性表面が形成されるのを確認した。このような大きい粗度によってより優れた接着力を示す導電性パターンが形成され得る。

試験例２：樹脂構造体の機械的特性評価
実施例１、３、５および９の樹脂構造体の衝撃強度をＡＳＴＭＤ２５６の標準方法で測定し、これを非導電性金属化合物粒子を添加しない高分子樹脂基材（ポリカーボネート樹脂）自体と比較して下記表３に示した。

上記表３に示すように、実施例の樹脂構造体では非導電性金属化合物粒子を添加しレーザ照射下に導電性パターンを形成したが、一般高分子樹脂基材に準ずる優れた衝撃強度を維持しているのが確認された。

Claims

導電性パターン形成用組成物を樹脂製品に成形するか、他の製品に塗布して樹脂層を形成する段階であって、
前記導電性パターン形成用組成物は、
高分子樹脂と、
第１金属および第２金属を含み

あるいはＰ６ _３／ｍｍｃ空間群構造を有する非導電性金属化合物の粒子であって、０．１乃至２０μｍの粒径を有し、電磁波照射によって、前記非導電性金属化合物粒子から、前記第１または第２金属やそのイオンを含む金属核を形成することができる粒子とを含む、段階；
前記樹脂製品または樹脂層の所定領域に電磁波を照射して前記非導電性金属化合物粒子から第１または第２金属やそのイオンを含む金属核を発生させる段階；および
前記金属核を発生させた領域を化学的に還元またはめっきさせて導電性金属層を形成する段階を含む電磁波の直接照射による導電性パターン形成方法であって、
前記導電性パターン形成用組成物は、１０００ｎｍ乃至１２００ｎｍの波長を有するレーザ電磁波に対して２５％以下の反射度を示す、電磁波の直接照射による導電性パターン形成方法。
前記金属核発生段階で、１０００ｎｍ乃至１２００ｎｍの波長を有するレーザ電磁波が５乃至２０Ｗの平均パワーで照射される請求項１に記載の電磁波の直接照射による導電性パターン形成方法。
前記金属核発生段階を行うと、前記非導電性金属化合物粒子の一部が前記樹脂製品または樹脂層の所定領域表面に露出されながらこれから金属核が発生し、より高い接着性を有するように活性化された接着活性表面を形成する請求項１に記載の電磁波の直接照射による導電性パターン形成方法。
前記導電性金属層は、無電解めっきによって、前記接着活性表面上に形成される請求項３に記載の電磁波の直接照射による導電性パターン形成方法。
高分子樹脂基材；
第１金属および第２金属を含み

あるいはＰ６_３／ｍｍｃ空間群構造を有する非導電性金属化合物の粒子であって、０．１乃至２０μｍの粒径を有し前記高分子樹脂基材に分散している粒子；
所定領域の高分子樹脂基材表面に露出された、前記非導電性金属化合物に由来する第１または第２金属やそのイオンを含んでいる金属核を含む接着活性表面；および
前記接着活性表面上に形成された導電性金属層を含む導電性パターンを有する樹脂構造体。
前記接着活性表面および導電性金属層が形成された所定領域は、前記高分子樹脂基材に電磁波が照射された領域に対応する請求項５に記載の導電性パターンを有する樹脂構造体。
前記導電性金属層はＩＳＯ２４０９標準方法により試験した時、前記金属層の剥離面積がテスト対象金属層面積の０％（ｃｌａｓｓ０等級）または０％超過乃至５％以下（ｃｌａｓｓ１等級）になる接着力で前記高分子樹脂基材上に形成されている請求項５に記載の導電性パターンを有する樹脂構造体。
ＡＳＴＭＤ２５６方法で測定した衝撃強度が約４．０Ｊ／ｃｍ以上である請求項５に記載の導電性パターンを有する樹脂構造体。