JP6240754B2 - 試料加工方法、及び荷電粒子線装置 - Google Patents
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Description
<試料構造>
図1は、本発明の実施形態で用いられる試料加工に用いる固体試料構造の一例を示す図である。図1Aは鳥瞰図、図1Bは試料上面からの透視図、図1Cは試料前面からの透視図、図Dは試料右側面からの透視図である。
図3A乃至Fは、図1の試料を図2の形態に加工する方法の手順を示す図である。以下、ここでは、イオン線105または電子線107を照射する試料面を表面、表面に対抗する面を裏面と呼ぶこととする。
次に、本発明の実施形態による裏面の加工終点の検出方法について図4乃至6を用いて説明する。図4は、試料表面の加工が終わり表面側で観察対象の相が露出しているが裏面に他の相が厚く残っている場合でパターンが検出されていない様子を示す図である。図5は、さらに裏面の加工を進め、他の相の裏面側の膜厚が薄くなった場合に検出される菊池パターンを示す図である。図6はさらに裏面の加工を進め、他の相が除去された場合の試料の略断面図とそれに対応する菊池パターンを示す図である。ここでは観察対象相が多結晶または単結晶であり、他の相が非晶質(ガラス、ゴム、プラスティック等)である場合を例にする。なお、図4乃至6で用いられる試料は、非晶質相の中に結晶質相が内包されているような試料を例としている。
図11は、本発明の実施形態による荷電粒子線装置の概略構成を示す図である。当該荷電粒子線装置(FIB−SEM)100は、電子源、電子加速部、電子収束レンズ、及び電子線走査機構を含むSEM筐体130と、イオン源、イオン加速部、イオン収束レンズ、及びイオン線走査機構を含むFIB筐体132とを有する。そして、それぞれの電子線軸131及びイオン線軸134は、試料101付近で交差するように配置される。本実施形態では、SEM筐体130の電子線軸131を垂直方向、FIB筐体132のイオン線軸134が斜方に配置した例が示されるが、配置方向は任意で良く、イオン線軸134が垂直、電子線軸131が斜方であっても良いし、電子線軸131およびイオン線軸134の両方が斜方であってもよい。また、電子線軸131及びイオン線軸134の交差角は20乃至60°であることが望ましく、40°であることがなお望ましい。
図12は、本発明の実施形態による、荷電粒子線装置を用いた薄膜試料作製の工程を説明するためのフローチャートである。
第1の実施形態による加工方法では、菊池パターン116の強度の変化により加工終点を決定した。しかしながら、バックグラウンドのノイズが大きい場合等、判定が難しくなる場合がある。そこで、第2の実施形態は、他のパラメータにより加工終点を判定する方法を開示する。
観察対象の試料と同様の構造を持つ試料について、第1の実施形態と同様の方法で薄膜加工を行い、複数の異なった厚さでのt−EBSDによる菊池パターン116を求めることは有用である。つまり、既知の試料を用いて菊池パターン116のデータベースを作成し、実際に観測した菊池パターンとの照合によって加工終点を検出する。
t−EBSDによる電子回折波は試料の裏面の深さ約30nm以内の非常に薄い領域からのみ放出される。また、菊池パターンにより試料裏面近傍の結晶構造を知ることができ、試料裏面近傍の材質を推定することが可能になる。このため、FIB加工の途中でt−EBSDによる電子回折波をモニタすることにより、加工途中の試料裏面の材質の変化を逐次知ることができる。また、所望の菊池パターンの出現または消失を検出することにより、加工終点を検出することが可能になる。SEMにより電子線を入射すると、試料表面から2次電子および後方散乱電子が放出され、同時に試料裏面からt−EBSDによる電子回折波が放出される。試料表面から放出する信号と上記実施形態による方法を用いることにより、一度のSEM観察により試料表面および試料裏面の加工状態を同時に検知することができ、簡便に試料表面および試料裏面の加工終点を検出することが可能になる。
102・・・内包された粒状の観察対象相
103・・・TEMまたはSTEMで電子を透過する方向
104・・・内包された粒状の観察対象相の露出部
105・・・イオン線
106・・・イオン線の走査方向
107・・・電子線
108・・・電子線の走査方向
109・・・2次電子
110・・・後方散乱電子
111・・・特性X線
112・・・電子回折波
113・・・透過電子
114・・・t−EBSDによる電子回折波
115・・・t−EBSD検出器
116・・・t−EBSDによる菊池パターン
117・・・菊池ライン
118・・・結晶質の他の相
119・・・非晶質の内包された粒状の観察対象相
120・・・結晶質の他の相の菊池ライン
121・・・観察対象相の菊池ライン
122・・・強度プロファイルのプロット個所
123・・・強度プロファイル
124・・・距離軸
125・・・強度軸
126・・・ピーク高さ
127・・・雑音高さ
128・・・半値幅
129・・・FIB−SEM
130・・・SEM筺体
131・・・電子線軸
132・・・FIB筺体
133・・・イオン線軸
134・・・2次電子検出器
135・・・試料室
136・・・コンピュータ
137・・・モニタ
138・・・コントローラ(キーボード、マウス等)
139・・・EBSD検出器
140・・・EDX検出器
141・・・BSE検出器
142・・・透過電子検出器
Claims (14)
- 少なくとも2つ相を含み、その少なくとも2つの相のうち少なくとも1つが観察対象の構造体を含む試料を加工するための試料加工方法であって、
イオン線を用いて、前記試料の電子線照射面である試料表面とは対抗する試料裏面における前記観察対象の構造体を含む相とは異なる相をイオンミリングする工程と、
前記試料裏面をイオンミリングした後前記試料表面の側から電子線を照射し、当該電子線が前記試料を透過することにより前記試料裏面から発生する電子回折波の干渉像の強度に基づいて前記試料裏面の加工終点を決定する工程と、
を有することを特徴とする試料加工方法。 - 請求項1において、
前記観察対象の構造体を含む相とは異なる相に対するイオンミリングの深さは、イオンミリングする前に、前記試料に対して前記電子線を照射し、前記構造体の像が得られるときの前記電子線の潜り込みの深さにより決定されることを特徴とする試料加工方法。 - 請求項1において、
前記イオン線の照射方向と前記電子線の入射方向が交差しており、前記イオン線の照射方向と前記電子線の入射方向がなす角度が20乃至60°であることを特徴とする試料加工方法。 - 請求項3において、
前記イオン線の照射方向と前記電子線の入射方向がなす角度が40°であることを特徴とする試料加工方法。 - 請求項1において、
前記試料裏面から放出された電子回折波の干渉像の強度が飽和したと判断できる時点を裏面の加工終点とすることを特徴とする試料加工方法。 - 請求項1において、
前記試料は、結晶性の相の中に非晶質の構造体を含む試料であり、
前記試料裏面から放出された電子回折波の干渉像が消失した時点を前記試料裏面の加工終点とすることを特徴とする試料加工方法。 - 請求項1において、
前記試料は、第1の結晶性の相の中に当該第1の結晶性とは異なる第2の結晶性の構造体を含む試料であり、
前記試料裏面から放出された電子回折波の干渉像が予定した材質の干渉像であることを確認した時点を前記試料裏面の加工終点とすることを特徴とする試料加工方法。 - 請求項1において、
試料の裏面から放出された電子回折波の干渉像の強度のラインプロファイルのピーク高さ、信号/雑音比、及び半値幅のうち、少なくとも2以上のパラメータを選択し、当該選択されたパラメータの変化に基づいて前記試料裏面の加工終点を判定することを特徴とする試料加工方法。 - 請求項1において、
前記試料裏面から放出された電子回折波の干渉像であって、前記試料の複数の厚さにおける前記電子回折波の干渉像を予め取得し、当該予め取得した複数の厚さにおける干渉像と、前記試料を実際に加工したときに得られた、前記試料裏面から放出された電子回折波の干渉像とを比較し、干渉像が一致した時点を前記試料裏面の加工終了点とすることを特徴とする試料加工方法。 - 請求項1において、
前記試料裏面から放出された電子回折波の干渉像であって、前記試料の複数の厚さにおける前記電子回折波の干渉像をモンテカルロシミュレーションによって算出し、当該予め算出した複数の厚さにおける干渉像と、前記試料を実際に加工したときに得られた、前記試料裏面から放出された電子回折波の干渉像とを比較し、干渉像が一致した時点を前記試料裏面の加工終了点とすることを特徴とする試料加工方法。 - 少なくとも2つ相を含み、その少なくとも2つの相のうち少なくとも1つが観察対象の構造体を含む試料を加工するための荷電粒子線装置であって、
電子源と、電子加速部と、電子収束レンズと、電子線走査機構とを有し、前記試料を電子線走査するSEM筐体と、
イオン源と、イオン加速部と、イオン収束レンズと、イオン線走査機構とを有し、前記試料の電子線照射面である試料表面とは対抗する面である試料裏面にイオン線を照射して前記構造体を含む相とは異なる相をイオンミリングするFIB筐体と、
前記試料裏面の下方に配置され、前記電子線が前記試料を透過することにより前記試料裏面から発生する電子回折波を検出する透過後方散乱電子回折波検出器と、
前記透過後方散乱電子回折波検出器によって検出された電子回折波から電子回折波の干渉像を生成するコンピュータと、を有し、
前記コンピュータは、前記電子回折波の干渉像の強度に基づいて前記試料裏面の加工終点を決定することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項11において、
前記電子線の軸と前記イオン線の軸とが前記試料付近で交差するように前記SEM筐体と前記FIB筐体が配置されることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項11において、さらに、
前記試料表面から放出される後方散乱電子を検出する検出器、前記試料表面から放出される特性X線を検出する検出器、前記試料表面から放出される後方散乱電子回折波を検出する検出器、及び前記試料を透過した透過電子を検出する検出器のうち少なくとも1つ以上の検出器を有することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項11において、
前記コンピュータは、前記試料裏面から放出された電子回折波の干渉像の強度を測定し、予め電子回折波の干渉像の強度と関連付けられた試料膜厚を特定することを特徴とする荷電粒子線装置。
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