JP6239359B2 - 液相エピタキシャル成長装置及び液相エピタキシャル成長方法 - Google Patents
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- アルカリ金属とガリウムとを少なくとも含有する融液を収容する坩堝が内部に配置されるチャンバと、
坩堝を加熱する加熱手段と、
チャンバ内に窒素原子含有ガスを導入するガス導入手段と、
ガス導入手段により導入された窒素原子含有ガスの電離を促進する放電手段とを備え、
前記放電手段は、チャンバの外面に立設され、当該チャンバに開設した透孔を通してチャンバ内に連通する絶縁製の筒状部材と、筒状部材を挿通してチャンバ内まで突出する電極とを備え、
窒素原子含有ガスの電離により生成した窒素イオン及び窒素ラジカルの少なくとも一方を融液に供給することを特徴とする液相エピタキシャル成長装置。 - アルカリ金属とガリウムとを少なくとも含有する融液を収容する坩堝が内部に配置されるチャンバと、
坩堝を加熱する加熱手段と、
チャンバ内に窒素原子含有ガスを導入するガス導入手段と、
ガス導入手段により導入された窒素原子含有ガスの電離を促進する放電手段とを備え、
前記放電手段は、前記チャンバに開設した透孔を通して当該チャンバ内に突出する針状の第1電極と、坩堝に対向配置される板状の第2電極とを備え、
窒素原子含有ガスの電離により生成した窒素イオン及び窒素ラジカルの少なくとも一方を融液に供給することを特徴とする液相エピタキシャル成長装置。 - チャンバ内に突出する電極の部分に、筒状部材の外径より大きい径のバッフル板が外挿され、バッフル板と、当該バッフル板が対面するチャンバ内面との間に所定の隙間を設けることを特徴とする請求項1記載の液相エピタキシャル成長装置。
- 第2電極の第1電極側の面を防着板で覆うことを特徴とする請求項2記載の液相エピタキシャル成長装置。
- 前記加熱手段により坩堝を加熱することで蒸発したアルカリ金属を捕捉し、液化して坩堝内に戻すトラップ手段を更に備えることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載の液相エピタキシャル成長装置。
- チャンバ内に配置された坩堝内にアルカリ金属とガリウムとを少なくとも収容し、坩堝を加熱することにより融液を生成し、この融液にIII族窒化物からなる種結晶が形成された基材を浸漬すると共にチャンバ内に窒素原子含有ガスを導入して種結晶を結晶成長させる液相エピタキシャル成長方法において、
チャンバ内に導入した窒素原子含有ガスを誘電体バリア放電又はコロナ放電により電離して窒素イオン及び窒素ラジカルの少なくとも一方を生成しつつ、これらの窒素イオンや窒素ラジカルを融液内に供給されるようにしたことを特徴とする液相エピタキシャル成長方法。 - 前記窒素原子含有ガスの圧力を、種結晶の結晶成長に必要な量のアルカリ金属が融液に含まれるように設定することを特徴とする請求項6記載の液相エピタキシャル成長方法。
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