JP6238003B2 - Vapor deposition equipment - Google Patents
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Description
本発明は、真空中で基材に膜を形成する蒸着装置に関するものであり、特に基材に蒸着される膜厚のばらつきを抑制し、製品の品質を向上する、蒸着装置に関するものである。 The present invention relates to vapor deposition apparatus for forming a film on a substrate in a vacuum to suppress the variation in thickness is particularly deposited on the substrate, to improve product quality, relates vapor deposition apparatus is there.
有機材料を用いた電子デバイスは、半導体、照明、又はディスプレイなどの多くの分野で実用化が進み、今後重要となる技術である。高精度な多層膜などが必要とされ、薄膜形成法として様々な技術が検討されている。一つの方法として、真空中で材料を加熱し、発生させた蒸気を基材に輸送して基材に付着させる真空蒸着法がある。 Electronic devices using organic materials have become practical in many fields such as semiconductors, lighting, and displays, and will be important in the future. A highly accurate multilayer film is required, and various techniques are being studied as a thin film forming method. As one method, there is a vacuum deposition method in which a material is heated in a vacuum, and the generated vapor is transported to the substrate and adhered to the substrate.
図8を用いて、従来の蒸着技術について説明する。代表的な有機デバイスである照明又はディスプレイにおいて、生産性向上のため基材の大型化が進んでいる。一方で、高精度な多層膜には、面内の膜厚ばらつきを抑制した成膜が求められる。例えば、基材の有効成膜幅が2000mm以上のサイズであっても、面内の膜厚均一性は±5%以下の精度が要求される。 A conventional vapor deposition technique will be described with reference to FIG. In a lighting or display which is a typical organic device, a substrate is becoming larger in order to improve productivity. On the other hand, high-accuracy multilayer films are required to form films with reduced in-plane film thickness variations. For example, even if the effective film formation width of the substrate is 2000 mm or more, the in-plane film thickness uniformity is required to have an accuracy of ± 5% or less.
蒸着装置において、面内の膜厚均一性を向上する従来の方法として、一般的には、膜厚補正板を用いる方法がある(例えば、特許文献1参照)。 In a vapor deposition apparatus, as a conventional method for improving in-plane film thickness uniformity, there is generally a method using a film thickness correction plate (see, for example, Patent Document 1).
図8は、従来の蒸着用のノズル60の構成の例を示す斜視図であり、ノズル60は、ノズル壁52と、補正板53と、配管54と、拡散板55と、基材51とから構成されている。ノズル壁52と、補正板53と、配管54と、拡散板55とにはそれぞれ加熱部を備えており、蒸気が付着しない温度にヒーターなどによって加熱されている。蒸気は配管54からノズル60内に流入し、拡散板55に衝突しながら分散され、孔59を通過して基材51へ向かう。通過成膜により成膜を行う場合、膜厚分布の微妙な調整を行うために、補正板53によりノズル60の開口60aのうちの特定の場所を覆うことにより、当該特定の場所での成膜量を減らして膜厚分布を調整する。要求される均一性が±5%とすると、その1/10程度の単位で補正板形状の調整が必要と考えられる。単純に開口幅に比例した膜が基材51上に付くとすると、開口幅が100mmの場合、その1%である1mm単位の精度で調整することで、要求される均一性を得ている。
FIG. 8 is a perspective view showing an example of the configuration of a
しかしながら、ノズル60を大型化するにつれ、ノズル60の加熱による開口部60aの熱変形量が大きくなり、要求される均一性を確保するのが難しくなる。図9Aは、図8の面Zにおけるノズル壁52の断面形状を示した図であり、ノズル60を加熱した際の変形を示した図である。温度分布による熱膨張差が発生し、ノズル長手方向の中央部において対向するノズル壁52の間隔が狭くなる方向の変形が生じている。ノズルが大型の場合、この変形量はmmのオーダーとなるため、蒸気の流れが妨げられることとなり、膜厚分布へ影響する。図9Bは、変形に伴って中央部の膜厚が薄くなり膜厚分布が不均一になった状態を示す図である。このように、大型のノズルにおいては、熱変形により膜厚の分布を均一にすることが困難であった。また、変形を抑制する手段として、たとえば図10Aに示すように、補強フレームなどの変形抑制部57をノズル内部に設置することが考えられる。その場合、ノズル壁52の変形が抑制されるが、変形抑制部57によって蒸気の流れが制限され、図10Bに示すように膜厚が薄くなり、結果的に、膜厚分布が不均一になってしまう問題があった。
However, as the size of the
なお、上記説明は、有機材料に関して行ったが、材料を特定するものではなく、他の無機材料などについても同様の課題が生じている。 In addition, although the said description was performed regarding the organic material, it does not specify a material and the same subject has arisen also about other inorganic materials.
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、膜厚の基材面内ばらつきを抑制することができる蒸着装置を提供することを目的とする。 The present invention is the one that solves the conventional problem, and an object thereof is to provide a vapor deposition apparatus capable of suppressing the substrate plane variation of film thickness.
上記課題を解決するために、本発明の蒸着装置は、蒸発材料を基材に成膜する蒸着装置において、
前記基材に対向してノズル開口部から蒸気を放出するノズルを備え、
前記ノズルは、
蒸気供給口から前記ノズル開口部に向かって前記蒸気の移動を案内するノズル壁と、
前記ノズルの内部の前記蒸気供給口と前記ノズル開口部との間に前記基材に平行に配置され、前記蒸気の流れの量を制限する孔が前記ノズル長手方向に複数配置されて、前記蒸気供給口から前記ノズル開口部に向かう前記蒸気の流れをノズル長手方向に広げる拡散板と、
前記拡散板に前記ノズル長手方向に複数配置されて前記蒸気の流れの量を制限する孔と、
前記ノズルの内部の前記ノズル開口部の付近に前記ノズル長手方向に垂直に配置された前記ノズルの変形を抑制する変形抑制部と、
前記ノズル開口部に配置され、前記変形抑制部に対応した位置にくぼみ部を備えて前記蒸気の流れを調整する補正板と、
を備える。
In order to solve the above problems, the vapor deposition apparatus of the present invention is a vapor deposition apparatus that forms a film of an evaporation material on a base material
A nozzle that discharges vapor from a nozzle opening facing the substrate,
The nozzle is
A nozzle wall for guiding the movement of the steam from the steam supply port toward the nozzle opening;
A plurality of holes arranged in the longitudinal direction of the nozzle are arranged between the steam supply port inside the nozzle and the nozzle opening in parallel with the base material, and restrict the amount of the steam flow. A diffusion plate that spreads the flow of steam from the supply port toward the nozzle opening in the nozzle longitudinal direction;
A plurality of holes arranged in the diffusion plate in the longitudinal direction of the nozzle to limit the amount of the flow of the steam;
A deformation suppression unit that suppresses deformation of the nozzle disposed in the vicinity of the nozzle opening inside the nozzle and perpendicular to the nozzle longitudinal direction;
A correction plate that is disposed in the nozzle opening and includes a hollow portion at a position corresponding to the deformation suppressing portion to adjust the flow of the steam;
Is provided.
以上のように、本発明の蒸着装置によれば、大型のノズルにおいても、熱変形を抑制し、補正板による精密な膜厚の調整を行うことができる。これにより、大型の基材に成膜される膜厚の分布を均一化し、高精度なデバイスを生産性良く提供することが可能となる。 As described above, according to the vapor deposition apparatus of the present invention, even in a large-sized nozzles, to suppress thermal deformation, it is possible to adjust the precise thickness by correcting plate. This makes it possible to make the distribution of film thickness formed on a large base material uniform and provide a highly accurate device with high productivity.
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1及び図2は、本発明の一実施形態における、蒸着方法を実施するための蒸着装置を示す図である。ノズル10は、ノズル壁2と、配管4と、拡散板5と、変形抑制部7と、補正板3とを備えて構成する。それぞれの部材に対して、図示していないが必要に応じてヒーターなどが配置されており、ヒーターなどでそれぞれの部材を、蒸気が付着しない温度に加熱する。ノズル10のノズル開口部10aに対向した位置に基材1を設置して、真空中で基材1に成膜を行う。ここでは、理解しやすくするため、ノズル開口部10aを形成するノズル壁2は透明な部材として、内部がわかるように透視して図示する(以下の図でも同様である)。
1 and 2 are views showing a vapor deposition apparatus for performing a vapor deposition method according to an embodiment of the present invention. The
ノズル10の基本的な外形は、長方形の底面10bと、4枚のノズル壁2とで構成される横長の四角箱型の部材である。ノズル10の基材対向面には、長方形のノズル開口部10aを形成し、底面10bと4枚のノズル壁2とで囲まれたノズル10の内部には、直方体の空間15を形成する。
The basic outer shape of the
ノズル10の底面10bの中央の原料供給口10cには配管4の一端が接続されている。この配管4の基端には、原料(蒸発材料)を蒸発させる容器(図示せず)が接続されており、当該容器で原料が蒸気へ変えられ、配管4を通して、原料の蒸気がノズル10内へ送られる。
One end of the
ノズル10の底面10bの配管4から、空間15内に原料の蒸気が導入され、導入された原料の蒸気をノズル10で基材1に向かわせるように、蒸気の移動を案内する。図1では、ノズル10は直方体の箱型に構成されているが、ノズル10の矢印Xのノズル長手方向に垂直な断面形状は、基材1に向かって段階的に幅を変化させた階段形状又は基材1に向かって直線的に幅を変化させた台形でも良い。
The raw material vapor is introduced into the
拡散板5は、ノズル壁2で囲まれた空間15内に、基材1に平行に設置固定される。拡散板5には、ノズル長手方向と直交する幅方向(ノズル短手方向)沿いに複数のスリット6が例えば所定間隔毎に設けられる。スリット6は、蒸気の流れの量を制限する孔6の一例として機能する。配管4から空間15内に導入された蒸気は、拡散板5により矢印Xのノズル長手方向に広げられた後、複数のスリット6をそれぞれ通過する。それぞれのスリット6を通過する際に、それぞれのスリット6の開口によって蒸気の流れを制限し、スリット6の開口面積を、矢印Xのノズル長手方向の中央からそれぞれの端部に向かって面積を例えば段階的に大きくなるように変化させることで、矢印Xのノズル長手方向の蒸気流量のバランスがより均一となるように調整される。スリット6は、図1においてはノズルの長手方向に12箇所設置された例を示したが、設置数を限定するものではなく、矢印Xのノズル長手方向の寸法によって設置数を変更しても良い。
The diffusion plate 5 is installed and fixed in parallel with the
変形抑制部7は、ノズル開口部10aの熱変形を抑制するために、ノズル長手方向に垂直方向の面に、ノズル長手方向に間隔をあけて、ノズル開口部10aの付近、すなわち、拡散板5からノズル開口部10a側の空間15内に複数個配置される。各変形抑制部7は、ノズル幅方向に対向するノズル壁2に固定された四角形枠板状部材で構成される。これにより、ノズル壁2のノズル短手方向への熱変形が抑制されて、矢印Yのノズル短手方向の開口寸法の温度による変化を抑制することができる。蒸気は、変形抑制部7の表面又は裏面とほぼ平行に流れてノズル開口部10aに向かう。この際、変形抑制部7の周辺では、蒸気の流れが妨げられて弱くなる。
In order to suppress thermal deformation of the
このとき、基材6は、矢印Mの方向に、ノズル10上を移動して、ノズル10から放出される蒸気で基材6に成膜される。
At this time, the
補正板3は、基材6に対向した位置(ノズル開口部10aの縁部)に固定され、ノズル開口部10aから放出される蒸気に対して、ノズル短手方向の開口寸法を制限することにより、最終的に、基材1へ供給される蒸気の量を調整し、基材1に蒸着される蒸着膜の膜厚を補正する。図2は補正板3の形状を示す平面図である。一例として、各補正板3は二等辺三角形の板部材で構成され、二等辺三角形の頂点及び斜辺の中央部に、それぞれV字状のくぼみ部8を形成している。V字状のくぼみ部8は、ノズル短手方向の中心軸に対してほぼ対称な形状を有している。補正板3は、ノズル開口部10aの縁部に互いに頂点及びくぼみ部8が対向するように固定されている。よって、一対の補正板3が対向した状態のノズル開口部10aは、中央部が最も間隔が狭く、各端部に向かうに従い徐々に広がるような形状の開口となっている。補正板3のくぼみ部8が設けられた位置は、変形抑制部7に対応した位置である。これらのくぼみ部8により、変形抑制部7によって弱められた蒸気の流れを、くぼみ部8で開口寸法を大きく取ることによって補正する。
The
最終的に、ノズル開口部10aから放出される蒸気は、一対の補正板3によってノズル長手方向で均一な流れに補正され、基材6は、矢印のMの方向に、ノズル10上を移動して、基材6に成膜される。これにより、基材1上に成膜される蒸着膜の膜厚分布をノズル長手方向で均一にすることができ、膜厚の基材面内ばらつきを抑制することができて、品質の良い製品を得ることができる。
Finally, the vapor discharged from the
以上のように、前記実施形態の蒸着装置によれば、大型のノズルにおいても、熱変形を変形抑制部7で抑制し、変形抑制部7に対応した位置にくぼみ部8を設けた補正板3で蒸気の流れを調整して、ノズル10の変形と蒸気の流れの不均一とを抑制して、基材面内の膜厚ばらつきを抑制することができる。よって、補正板3による精密な膜厚の調整を行うことができて、大型の基材に成膜される蒸着膜の膜厚の分布を均一化し、高精度なデバイスを生産性良く提供することが可能となる。
As described above, according to the vapor deposition apparatus of the above-described embodiment, even in a large nozzle, the
また、図3は、本発明の前記実施形態の変形例における、蒸着方法を実施するための蒸着装置において、前記実施形態の補正板3とは別の形状の補正板3Bを示す図である。補正板3のそれぞれのくぼみ部8Bの底部8aの固定縁3aからの高さB及びCが、ノズル開口両端のそれぞれでの固定縁3aからの高さAよりも低い形状としている。
FIG. 3 is a view showing a
これにより、くぼみ部8Bを、ノズル開口両端のそれぞれでの固定縁3aからの高さAよりも、より深くすることが可能となり、くぼみ部8Bによる膜厚補正範囲をより広く取ることができる。このように構成すれば、材料蒸気の基材1への付着率を高めるために、ノズル10に基材1をより近づけた場合など、変形抑制部7による膜厚分布への影響が大きい場合においても、この補正板3Bを使用することにより、膜厚を補正して均一とすることが可能となる。したがって、有機EL材料など、高価な材料を利用率高くかつ均一性良く蒸着することが可能となり、品質の良い製品をより低コストで提供することができる。
As a result, the
また、図4は、本発明の前記実施形態の変形例における、蒸着方法を実施するための蒸着装置の可動補正板3Cの構成を示す図である。大型のノズルにおいては、ノズルの温度が安定するまで長時間待つ必要があった。温度が安定するまでの間は、変形抑制部7に対応した位置においては、ノズルの変形が抑制されるが、隣接する変形抑制部7と変形抑制部7との間については、温度分布によって開口部のノズル短手方向の長さ寸法が広がったり、逆に狭まったりする為、膜厚分布が低下する恐れがあり、基材1に蒸着することが出来ない。
FIG. 4 is a diagram showing the configuration of the
そこで、図4の前記変形例においては、補正板3Cは、図5に示すように、例えば、ノズル長手方向中央NLCで2つに大きく二等分して、第1補正板3C−1と第2補正板3C−2とで構成する。第1補正板3C−1と第2補正板3C−2とのそれぞれは、さらに、複数に分割された分割補正板3Ca、3Cb、3Ccで構成され、各分割補正板3Ca、3Cb、3Ccには、ロッド状の駆動伝達部13a、13b、13cをそれぞれ介して、空圧シリンダなどの駆動部12(12a、12b、12c)が接続されている。よって、補正板3Cは、6枚の分割補正板3Ca、3Cb、3Ccで構成し、各分割補正板3Ca、3Cb、3Ccは、駆動部12a、12b、12cのそれぞれの駆動により、駆動伝達部13a、13b、13cをそれぞれ介して、くぼみ部8の斜辺と平行な矢印の方向にそれぞれ移動可能に設置されている。
Therefore, in the modified example of FIG. 4, the
このような構成によれば、図5のように、分割補正板3Ca、3Cb、3Ccをそれぞれ個別に移動させることができる。すなわち、図5の(b)の基準位置に対して、図5の(a)の分割補正板を押した位置では、駆動部12a、12a、12b、12b、12c、12cの駆動により、6枚の分割補正板3Ca、3Cb、3Ccのうち対向する分割補正板3Caと3Ca同士、分割補正板3Cbと3Cb同士、分割補正板3Ccと3Cc同士がそれぞれ互いに接近する方向に移動して、くぼみ部8の深さB、Cを変化させずに、対向する分割補正板間の間隔が狭く調整することができることを示している。一方、図5の(b)の基準位置に対して、図5の(c)の分割補正板を引いた位置では、駆動部12a、12a、12b、12b、12c、12cの駆動により、6枚の分割補正板3Ca、3Cb、3Ccのうち対向する分割補正板3Caと3Ca同士、分割補正板3Cbと3Cb同士、分割補正板3Ccと3Cc同士がそれぞれ互いに離れる方向に移動して、くぼみ部8の深さB、Cを変化させずに、対向する分割補正板間の間隔が広く調整することができることを示している。このようにして、6枚の分割補正板3Ca、3Cb、3Ccを対応するそれぞれの駆動部12a、12a、12b、12b、12c、12cの駆動により、図5の(a)の分割補正板を押した位置と、(b)の基準位置と、(c)の分割補正板を引いた位置との少なくとも3か所に位置させることができ、対向する一対の第1補正板3C−1同士及び対向する一対の第2補正板3C−2同士の張り出し量を調整することができる。この結果、変形が抑制されたくぼみ部8の位置においては、くぼみ部8の深さB及びCを変化させずに、熱などにより変形が発生しているくぼみ部8とくぼみ部8との間については、個別に、張り出し量を調整することが出来る。したがって、温度が安定するまでの間、たとえば基材1にテスト蒸着するなどして基材1を取り出したのち基材1へ蒸着された蒸着膜の膜厚を測定し、測定した膜厚に基づいて、駆動部12a、12a、12b、12b、12c、12cを駆動して、分割補正板3a、3b、3cを移動させることで、膜厚分布を均一に調整することが出来る。これにより、温度が安定するまでの時間も生産が可能となり、蒸着装置の生産性を向上させることが出来る。
According to such a configuration, the division correction plates 3Ca, 3Cb, 3Cc can be individually moved as shown in FIG. That is, at the position where the division correction plate of FIG. 5A is pressed with respect to the reference position of FIG. 5B, six sheets are driven by driving of the
また、図6は、本発明の前記実施形態の変形例における、蒸着方法を実施するための蒸着装置を示す概略図である。なお、図1と同じ部分又は相当する部分には同じ符号を付し、一部の説明を省略する。 FIG. 6 is a schematic view showing a vapor deposition apparatus for performing the vapor deposition method in a modification of the embodiment of the present invention. Note that the same or corresponding portions as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and a part of the description is omitted.
蒸着装置は、ノズル10の直上の位置に、膜厚測定部の一例として複数の膜厚レートモニター11を備える。蒸着レートモニター11は、変形抑制部7の直上と変形抑制部7との間を含む複数箇所に配置され、ノズル10の温度が安定するまでの間を含め、その場で膜厚の分布に対応した蒸着レートを計測することが出来る。したがって、膜厚レートモニター11で計測した蒸着レートの分布を基に、図6の前記変形例に係る分割補正板3Ca、3Cb、3Ccを移動させることで、その場で膜厚分布を調整することが出来る。例えば、蒸着膜のノズルの長手方向Xの膜厚分布を膜厚レートモニター11で測定し、膜厚レートモニター11からの測定結果の上方を制御部30に入力する。制御部30は、測定結果を基に、補正板3Cのそれぞれの分割補正板3Ca,3Cb,3Ccの移動量を決定する。決定した移動量に基づき、制御部30で駆動部12(具体的には、12a,12b,12c)を駆動制御して、分割補正板3Ca,3Cb,3Ccを移動させて、膜厚分布を制御する。
The vapor deposition apparatus includes a plurality of film thickness rate monitors 11 as an example of a film thickness measuring unit at a position directly above the
これによれば、ノズル10の温度は蒸気が付着しない温度まで上昇さえしていれば良く、温度が安定する前でも、基材1に均一に蒸着することが出来るため、図4及び図5の第3実施形態よりもさらに、蒸着装置の生産性を向上させることが出来る。
According to this, the temperature of the
また、図7は、本発明の前記実施形態の変形例における、蒸着方法を実施するための蒸着装置のスリット開口調整機構で調整可能なスリット6−1を示す概略図である。前記実施形態等にかかる蒸着方法及び蒸着装置において、生産条件を大きく変更する必要がある場合、補正板の形状のみでは膜厚分布の補正が困難な場合がある。例えば、原料材料の変更、蒸着レートの10倍以上あるいは1/10以下への変更などである。この場合、スリットの開口面積を変更することで蒸気の流れのバランスを大きく変化させることが出来るが、拡散板を作り直す必要があり、作製費用や、交換の手間が問題であった。 Moreover, FIG. 7 is the schematic which shows the slit 6-1 which can be adjusted with the slit opening adjustment mechanism of the vapor deposition apparatus for implementing the vapor deposition method in the modification of the said embodiment of this invention. In the vapor deposition method and vapor deposition apparatus according to the above-described embodiment and the like, when it is necessary to greatly change the production conditions, it may be difficult to correct the film thickness distribution only with the shape of the correction plate. For example, the raw material is changed, the vapor deposition rate is changed to 10 times or more or 1/10 or less. In this case, the balance of the flow of the steam can be changed greatly by changing the opening area of the slit, but it is necessary to recreate the diffusion plate, and the production cost and the labor of replacement are problems.
図7の前記変形例では、以下の構成のようなスリット開口調整機構を備えている。すなわち、隣接する一対の拡散板5−1間の開口形状を矩形のスリット6−1とし、各拡散板5−1を、固定部5aと可動部5bとに分割した構成とする。固定部5aには、スリット側端縁部に一対の突起5cを固定する。可動部5bのスリット側端縁部とは反対側の端縁部に、一対の突起5cを抜出不自在に係合する一対の楕円形溝5dを有する。固定部5aに対して可動部5bをノズル長手方向に移動させることにより、突起5cに対して楕円形溝5dが移動して、可動部5b従って可動部5bのスリット側端縁部が移動する。この結果、可動部5bのスリット側端縁部と可動部5bのスリット側端縁部とが対向してそれらの間に形成されたスリット6−1の幅を調整することが可能となる。このように、突起5cと楕円形溝5dとで構成される連結部14によって、スリット6−1の開口幅を調整可能とする。連結部14の構成はこれに限らず、同様な機能を有するものならば、任意の機構で良い。
7 includes a slit opening adjusting mechanism having the following configuration. That is, the opening shape between a pair of adjacent diffusion plates 5-1 is a rectangular slit 6-1, and each diffusion plate 5-1 is divided into a fixed
これにより、大きく生産条件が変わった場合においても、同じ構成の拡散板5−1でスリット6−1の開口幅を調整することができて、均一な膜厚を得ることができる。これにより、多品種の生産切り替えに対しても迅速に対応することが出来る。
Thereby, even when the production conditions are greatly changed, the opening width of the slit 6-1 can be adjusted with the diffusion plate 5-1 having the same configuration, and a uniform film thickness can be obtained. As a result, it is possible to quickly cope with a change in production of various types.
なお、上記様々な実施形態又は変形例のうちの任意の実施形態又は変形例を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。 In addition, it can be made to show the effect which each has by combining arbitrary embodiment or modification of the said various embodiment or modification suitably.
本発明にかかる蒸着装置は、熱などによる変形を抑制し、補正板による精密な膜厚の調整を行うことができて、基材上に薄膜を形成する蒸着装置に使用することができる。
Vapor deposition apparatus according to the present invention suppresses such as by deformation heat, it is possible to adjust the precise thickness by correcting plate can be used for vapor deposition apparatus for forming a thin film on a substrate .
1 基材
2 ノズル壁
3 補正板
3a 固定縁
3C 可動補正板
3C−1 第1補正板
3C−2 第2補正板
3Ca、3Cb、3Cc 分割補正板
4 配管
5,5−1 拡散板
6,6−1 スリット
7 変形抑制部
8 くぼみ部
8a 底部
9 孔
10 ノズル
10a 開口部
10b 底面
10c 原料供給口
11 蒸着レートモニター
12,12a,12b,12c 駆動部
13a,13b,13c 駆動伝達部
14 連結部
15 空間
NLC ノズル長手方向中央
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記基材に対向してノズル開口部から蒸気を放出するノズルを備え、
前記ノズルは、
蒸気供給口から前記ノズル開口部に向かって前記蒸気の移動を案内するノズル壁と、
前記ノズルの内部の前記蒸気供給口と前記ノズル開口部との間に前記基材に平行に配置され、前記蒸気の流れの量を制限する孔が前記ノズル長手方向に複数配置されて、前記蒸気供給口から前記ノズル開口部に向かう前記蒸気の流れをノズル長手方向に広げる拡散板と、
前記ノズルの内部の前記ノズル開口部の付近に前記ノズル長手方向に垂直に配置された前記ノズルの変形を抑制する変形抑制部と、
前記ノズル開口部に配置され、前記変形抑制部に対応した位置にくぼみ部を備えて前記蒸気の流れを調整する補正板と、
を備える蒸着装置。 In a vapor deposition apparatus that forms a film on an evaporation material,
A nozzle that discharges vapor from a nozzle opening facing the substrate,
The nozzle is
A nozzle wall for guiding the movement of the steam from the steam supply port toward the nozzle opening;
A plurality of holes arranged in the longitudinal direction of the nozzle are arranged between the steam supply port inside the nozzle and the nozzle opening in parallel with the base material, and restrict the amount of the steam flow. A diffusion plate that spreads the flow of steam from the supply port toward the nozzle opening in the nozzle longitudinal direction;
A deformation suppression unit that suppresses deformation of the nozzle disposed in the vicinity of the nozzle opening inside the nozzle and perpendicular to the nozzle longitudinal direction;
A correction plate that is disposed in the nozzle opening and includes a hollow portion at a position corresponding to the deformation suppressing portion to adjust the flow of the steam;
A vapor deposition apparatus comprising:
請求項1又は2に記載の蒸着装置。 The hole has a slit shape and includes an opening / closing adjustment mechanism capable of adjusting a width interval of the slit.
The vapor deposition apparatus of Claim 1 or 2.
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015120943A JP2015120943A (en) | 2015-07-02 |
JP6238003B2 true JP6238003B2 (en) | 2017-11-29 |
Family
ID=53532819
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013263804A Expired - Fee Related JP6238003B2 (en) | 2013-12-20 | 2013-12-20 | Vapor deposition equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6238003B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106319471A (en) * | 2015-07-08 | 2017-01-11 | 英属开曼群岛商精曜有限公司 | Film coating carrying table and film coating device |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04231457A (en) * | 1990-12-27 | 1992-08-20 | Sony Corp | Vacuum vapor deposition device |
KR101108151B1 (en) * | 2009-04-30 | 2012-01-31 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Evaporating apparatus |
TWI464288B (en) * | 2011-09-06 | 2014-12-11 | Panasonic Corp | In-line vapor deposition device |
KR20140107501A (en) * | 2012-01-27 | 2014-09-04 | 파나소닉 주식회사 | Organic electroluminescent element manufacturing apparatus and organic electroluminescent element manufacturing mehtod |
-
2013
- 2013-12-20 JP JP2013263804A patent/JP6238003B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015120943A (en) | 2015-07-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160901 |
|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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