JP6231555B2 - 挿入損性能が向上した接合型フェライトデバイスに関する装置および方法 - Google Patents
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Description
この出願は、2012年5月18日に出願された、「挿入損性能が向上した接合型フェライトデバイスに関する装置および方法」と題された米国仮出願番号第61/648,880号の優先権を主張し、その全体が本明細書中に引用により明示的に援用される。
分野
本開示は概して、無線周波数(RF)適用例における挿入損性能が向上した接合型フェライトデバイスに関する装置および方法に関する。
無線周波数(RF)適用例では、たとえば、アンテナと送信機と受信機との間で選択的にRF信号を経路設定するのに、サーキュレータなどの接合型フェライトデバイスを利用することができる。RF信号が送信機とアンテナとの間で経路設定されている場合、好ましくは受信機を分離する必要がある。そのため、サーキュレータはアイソレータと称されることもあり、そのような分離性能がサーキュレータの性能を表わすことができる。
いくつかの実現例では、本開示は、第1の側および第2の側を有する接地平面を含むサーキュレータに関する。サーキュレータは、接地平面の第1の側上に配設される磁石をさらに含む。サーキュレータは、接地平面の第2の側上に配設されるフェライト系ディスクをさらに含む。フェライト系ディスクは接地表面上に金属被覆層を含み、これにより金属被覆層は接地平面の第2の側と電気的に接する。
本明細書中に与えられる見出しは、あるとしても便宜上のものにすぎず、請求される発明の範囲または意味に必ずしも影響を及ぼすとは限らない。
複合磁性−誘電体ディスクアセンブリを作るための方法は、誘電体セラミック円筒を形成することと、磁性セラミックロッドを形成することと、誘電体セラミック円筒内側に同軸に磁性セラミックロッドを組立ててロッド−円筒アセンブリを形成することと、ロッド−円筒アセンブリを窯焼成(焼成)することと、ロッド−円筒アセンブリをスライスして複数の複合磁性−誘電体ディスク形状アセンブリを形成することと、を含むことができる。たとえば、サーキュレータ、アイソレータ、または同様の電子部品を製造するのに磁性−誘電体ディスクアセンブリを用いることができる。そのため、ディスクアセンブリを作るための方法を、そのような電子部品を作るための方法の一部として含むことができる。
いくつかの実現例では、本明細書中に記載の誘電体部分(たとえば、図23−図27の誘電体セラミック円筒36)は、主要成分群を有する誘電体セラミック組成を含むことができる。なお、主要成分群をMgxCayZnzTiO2+x+y+zで表わすことができ、x、y、およびzの和は1.0以下である。これにより、誘電体セラミック組成は、焼結温度範囲がより広くなり、過大な(exaggerated)結晶粒成長が低減される。例では、xは0.0超であって1.0未満であり得、yは0.0超であって1.0未満であり得、zは0.0超であって1.0未満であり得る。誘電体セラミック組成は、0.0〜50.0重量パーセントの酸化アルミニウムをさらに含むことができる。誘電体セラミック組成は酸化銅をさらに含むことができる。誘電体セラミック組成は酸化ホウ素をさらに含むことができる。
Claims (30)
- サーキュレータであって、
第1の側および第2の側を有する接地平面と、
前記接地平面の前記第1の側上に配設される磁石と、
前記接地平面の前記第2の側上に配設されるフェライト系ディスクとを備え、前記フェライト系ディスクは接地表面上に金属被覆層を含み、これにより前記金属被覆層は前記接地平面の前記第2の側と電気的に接し、前記サーキュレータは、さらに、
前記接地平面から前記磁石を挟んで反対側に隣接する帰還経路ディスクを含む帰還経路を備え、前記帰還経路ディスクは、前記磁石の直径よりも長い直径を有し、前記帰還経路は、中空円筒を含み、前記帰還経路ディスクおよび前記中空円筒は、前記接地平面、前記磁石および前記フェライト系ディスクを取り囲み、前記中空円筒は、前記帰還経路ディスクの直径とほぼ一致する内径を有する、サーキュレータ。 - 前記フェライト系ディスクは円形形状を有する、請求項1に記載のサーキュレータ。
- 金属被覆層は、選択された周波数範囲について表皮厚さの少なくとも0.5倍の厚みを有する、請求項1に記載のサーキュレータ。
- 前記厚みは前記表皮厚さの少なくとも1.0倍である、請求項3に記載のサーキュレータ。
- 前記厚みは前記表皮厚さの少なくとも2.0倍である、請求項4に記載のサーキュレータ。
- 前記接地表面は、前記接地表面上の特徴サイズの平均値が約1.0ミクロン以下となるような仕上げを有する、請求項1に記載のサーキュレータ。
- 前記接地表面上の特徴サイズの前記平均値は約0.5ミクロン以下である、請求項6に記載のサーキュレータ。
- 前記接地表面上の特徴サイズの前記平均値は約0.2ミクロン以下である、請求項7に記載のサーキュレータ。
- 前記金属被覆層は銀層を含む、請求項1に記載のサーキュレータ。
- 前記フェライト系ディスクの接地側とは反対側に配設される中心導体をさらに備える、請求項1に記載のサーキュレータ。
- 前記フェライト系ディスク、前記磁石、および前記接地平面と実質的に同様に構成され、かつ前記中心導体に対して前記フェライト系ディスク、前記磁石、および前記接地平面の鏡像として配置される第2のフェライト系ディスク、第2の磁石、および第2の接地平面をさらに備える、請求項10に記載のサーキュレータ。
- サーキュレータを作製するための方法であって、
第1の側および第2の側を有する接地平面を設けることと、
前記接地平面の前記第1の側上に磁石を位置決めすることと、
前記接地平面の前記第2の側上にフェライト系ディスクを位置決めすることとを備え、前記フェライト系ディスクは接地表面上に金属被覆層を含み、これにより前記金属被覆層は前記接地平面の前記第2の側と電気的に接し、前記方法は、さらに、
前記接地平面から前記磁石を挟んで反対側に隣接する帰還経路ディスクを含む帰還経路を設けることを備え、前記帰還経路ディスクは、前記磁石の直径よりも長い直径を有し、前記帰還経路は、中空円筒を含み、前記帰還経路ディスクおよび前記中空円筒は、前記接地平面、前記磁石および前記フェライト系ディスクを取り囲み、前記中空円筒は、前記帰還経路ディスクの直径とほぼ一致する内径を有する、方法。 - 前記フェライト系ディスクは、誘電体リングで囲まれる円形形状のフェライトディスクを含む、請求項12に記載の方法。
- 前記フェライトディスクおよび前記誘電体リングは、実質的に糊を用いずに互いに固着される、請求項13に記載の方法。
- 前記フェライトディスクおよび前記誘電体リングは、予備焼結されたフェライトロッドと前記フェライトロッドの周りに嵌合される未焼結誘電体円筒とを含むアセンブリを同時焼成することによって形成される、請求項14に記載の方法。
- 無線周波数(RF)サーキュレータのためのフェライトディスクアセンブリであって、
フェライト中央部分を含むフェライト系ディスクと、
前記ディスクの第1の表面と外側接触面との間の電気コンタクトを向上させるように前記ディスクの前記第1の表面上に形成される金属被覆層と、
前記接地平面から前記磁石を挟んで反対側に隣接する帰還経路ディスクを含む帰還経路とを備え、前記帰還経路ディスクは、前記磁石の直径よりも長い直径を有し、前記帰還経路は、中空円筒を含み、前記帰還経路ディスクおよび前記中空円筒は、前記接地平面、前記磁石および前記フェライト系ディスクを取り囲み、前記中空円筒は、前記帰還経路ディスクの直径とほぼ一致する内径を有する、フェライトディスクアセンブリ。 - 前記ディスクの前記第1の表面は接地表面を含み、これにより、前記金属被覆層は、前記ディスクの前記接地表面と外側接地表面との間の電気コンタクトを向上させる、請求項16に記載のディスクアセンブリ。
- 前記フェライト系ディスクは、前記フェライト中央部分の周囲の周りに配設される誘電体部分をさらに含む、請求項16に記載のディスクアセンブリ。
- 前記フェライト中央部分は円形形状を有し、前記誘電体部分は円形リング形状を有する、請求項18に記載のディスクアセンブリ。
- 無線周波数(RF)サーキュレータのためのフェライトディスクアセンブリを作製するための方法であって、
フェライト中央部分を含むフェライト系ディスクを形成することと、
前記ディスクの第1の表面と外側接触面との間の電気コンタクトを向上させるように前記ディスクの前記第1の表面上に金属被覆層を形成すること、
前記接地平面から前記磁石を挟んで反対側に隣接する帰還経路ディスクを含む帰還経路を設けることとを備え、前記帰還経路ディスクは、前記磁石の直径よりも長い直径を有し、前記帰還経路は、中空円筒を含み、前記帰還経路ディスクおよび前記中空円筒は、前記接地平面、前記磁石および前記フェライト系ディスクを取り囲み、前記中空円筒は、前記帰還経路ディスクの直径とほぼ一致する内径を有する、方法。 - 前記金属被覆層の形成の前に、前記ディスクの前記第1の表面上に所望の仕上げ表面を形成することをさらに備える、請求項20に記載の方法。
- 前記金属被覆層を形成することは、インク堆積法を用いて金属の膜を堆積することを含む、請求項20に記載の方法。
- 堆積された前記金属の膜を硬化させることをさらに備える、請求項22に記載の方法。
- 無線周波数(RF)サーキュレータの挿入損性能を向上させるための方法であって、
フェライト中央部分を含むフェライト系ディスクを形成することと、
前記ディスク上に接地表面のための所望の仕上げを形成することとを備え、前記仕上げは前記接地表面と1つ以上の金属構造との間の電気接続を向上させるように選択され、前記所望の仕上げは、前記フェライト系ディスクを生じる切断の結果得られる平均サイズよりも小さい前記接地表面上の平均特徴サイズを有し、前記方法は、さらに、
前記接地平面から前記磁石を挟んで反対側に隣接する帰還経路ディスクを含む帰還経路を設けることを備え、前記帰還経路ディスクは、前記磁石の直径よりも長い直径を有し、前記帰還経路は、中空円筒を含み、前記帰還経路ディスクおよび前記中空円筒は、前記接地平面、前記磁石および前記フェライト系ディスクを取り囲み、前記中空円筒は、前記帰還経路ディスクの直径とほぼ一致する内径を有する、方法。 - 前記1つ以上の金属構造は前記接地表面上に形成される金属被覆層を含む、請求項24に記載の方法。
- パッケージ化サーキュレータモジュールであって、
1つ以上の構成要素をその上に受けるように構成される実装プラットフォームと、
前記実装プラットフォーム上に実装されるサーキュレータデバイスとを備え、前記サーキュレータデバイスは、第1の側および第2の側を有する接地平面と、前記接地平面の前記第1の側上に配設される磁石とを含み、前記サーキュレータデバイスはさらに、前記接地平面の前記第2の側上に配設されるフェライト系ディスクを含み、前記フェライト系ディスクは接地表面上に金属被覆層を有し、これにより前記金属被覆層は前記接地平面の前記第2の側と電気的に接し、さらに
前記実装プラットフォーム上に実装され、前記サーキュレータデバイスを実質的に囲繞し保護するように寸法決めされる筐体を備え、前記パッケージ化サーキュレータモジュールは、さらに、
前記接地平面から前記磁石を挟んで反対側に隣接する帰還経路ディスクを含む帰還経路を備え、前記帰還経路ディスクは、前記磁石の直径よりも長い直径を有し、前記帰還経路は、中空円筒を含み、前記帰還経路ディスクおよび前記中空円筒は、前記接地平面、前記磁石および前記フェライト系ディスクを取り囲み、前記中空円筒は、前記帰還経路ディスクの直径とほぼ一致する内径を有する、パッケージ化サーキュレータモジュール。 - 無線周波数(RF)回路板であって、
複数の構成要素を受けるように構成される回路基板と、
前記回路基板上に配設され、RF信号を処理するように構成される複数の回路と、
前記回路基板上に配設されかつ前記回路のうち少なくともいくつかと相互接続されるサーキュレータデバイスとを備え、前記サーキュレータデバイスは、第1の側および第2の側を有する接地平面と、前記接地平面の前記第1の側上に配設される磁石とを含み、前記サーキュレータデバイスはさらに、前記接地平面の前記第2の側上に配設されるフェライト系ディスクを含み、前記フェライト系ディスクは接地表面上に金属被覆層を有し、これにより前記金属被覆層は前記接地平面の前記第2の側と電気的に接し、さらに
前記RF回路板へのおよび前記RF回路板からの前記RF信号の通過を容易にするように構成される複数の接続特徴を備え、前記無線周波数(RF)回路板は、さらに、
前記接地平面から前記磁石を挟んで反対側に隣接する帰還経路ディスクを含む帰還経路を備え、前記帰還経路ディスクは、前記磁石の直径よりも長い直径を有し、前記帰還経路は、中空円筒を含み、前記帰還経路ディスクおよび前記中空円筒は、前記接地平面、前記磁石および前記フェライト系ディスクを取り囲み、前記中空円筒は、前記帰還経路ディスクの直径とほぼ一致する内径を有する、無線周波数(RF)回路板。 - 無線周波数(RF)システムであって、
RF信号の送受信を容易にするように構成されるアンテナアセンブリと、
前記アンテナアセンブリと通信し、前記アンテナアセンブリによる送信のための送信信号を生成し、かつ前記アンテナアセンブリからの受信信号を処理するように構成されるトランシーバと、
前記送信信号および前記受信信号の経路設定を容易にするように構成されるフロントエンドモジュールとを備え、前記フロントエンドモジュールは1つ以上のサーキュレータを含み、各々のサーキュレータは、第1の側および第2の側を有する接地平面と、前記接地平面の前記第1の側上に配設される磁石とを含み、前記サーキュレータはさらに、前記接地平面の前記第2の側上に配設されるフェライト系ディスクを含み、前記フェライト系ディスクは接地表面上に金属被覆層を有し、これにより前記金属被覆層は前記接地平面の前記第2の側と電気的に接し、前記無線周波数(RF)システムは、さらに、
前記接地平面から前記磁石を挟んで反対側に隣接する帰還経路ディスクを含む帰還経路を備え、前記帰還経路ディスクは、前記磁石の直径よりも長い直径を有し、前記帰還経路は、中空円筒を含み、前記帰還経路ディスクおよび前記中空円筒は、前記接地平面、前記磁石および前記フェライト系ディスクを取り囲み、前記中空円筒は、前記帰還経路ディスクの直径とほぼ一致する内径を有する、無線周波数(RF)システム。 - 基地局を含む、請求項28に記載のRFシステム。
- 前記基地局はセルラー基地局を含む、請求項29に記載のRFシステム。
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