JP6223695B2 - 位置検出装置および位置検出方法 - Google Patents
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Description
(1) 導光路内に設けられた屈折率が連続的に変化してなる対象物の位置を検出する位置検出装置であって、
前記導光路を撮像する撮像手段と、
前記導光路の前記撮像手段が位置する側と同じ側に設けられ、前記導光路に向けて、発光スペクトルのピーク波長が350〜1400nmである光を前記撮像手段と同軸の光路で照射する光源と、
前記導光路と前記撮像手段とを結ぶ光路上に設けられ、前記光源から出射し前記導光路を経た光の通過光量を、偏光の違いに基づいて選択的に異ならせる光学系と、
前記撮像手段により撮像された画像上において前記対象物の位置を特定する位置特定手段と、
を有することを特徴とする位置検出装置。
前記撮像手段は、前記導光路の一部分越しに前記対象物を撮像する上記(1)ないし(3)のいずれか1項に記載の位置検出装置。
前記導光路を載置するステージと、
前記ステージと前記導光路との間に設けられ、ショアA硬度が10〜90の粘着層と、
を有する上記(1)ないし(6)のいずれか1項に記載の位置検出装置。
上記(1)ないし(7)のいずれか1項に記載の位置検出装置が有する前記光源から前記導光路に向けて光を照射するとともに、前記光学系を介して前記撮像手段により前記導光路を撮像する工程と、
前記撮像手段で撮像された画像から前記対象物の位置を特定する工程と、を有することを特徴とする位置検出方法。
まず、本発明の位置検出装置および位置検出方法の第1実施形態について説明する。
図1は、本発明の位置検出装置の第1実施形態を示す側面図、図2は、図1に示す位置検出装置の偏光選択光学系近傍を模式的に示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図1、2の上下方向をZ方向とし、Z方向に垂直な平面をX−Y平面とする。
まず、位置検出装置1の説明に先立ち、位置検出に供される光導波路9について説明する。
次いで、位置検出装置1の各部について説明する。
光源11は、光導波路9の上方に設置されている。光源11と光導波路9との離間距離は、偏光選択光学系13内の光学特性(例えば拡大倍率、必要照度等)に応じて適宜選択される。
カメラ12は、光導波路9の上方に設置されている。光源11とカメラ12との離間距離は、カメラ12内の光学特性(例えば拡大倍率等)に応じて適宜選択される。
偏光選択光学系13は、偏光の違いに基づいて通過光量を選択的に異ならせる光学系である。すなわち、この光学系は、特定の偏光の光については高い通過率を有する一方、それ以外の偏光の光については通過率が低いという性質を有するものである。
制御部14は、光源11やカメラ12、偏光選択光学系13と電気的に接続され、これらの動作を制御する。具体的には、光源11から出射する光量を調整するとともに、カメラ12で撮像された画像を解析し、画像上におけるアライメントマーク90の像を特定する。これにより、アライメントマーク90の位置を基準にした座標系を光導波路9において構築することができる。その結果、光導波路9の任意の位置に正確な加工を施すことができ、コア部94に対して設計通りの位置にミラー97を形成することができる。
次に、位置検出方法について説明する。
まず、ステージ15上にアライメントマーク90が付された光導波路9を固定する。
まず、本発明の位置検出装置および位置検出方法の第2実施形態について説明する。
図5は、本発明の位置検出装置の第2実施形態を示す側面図である。
1.位置検出装置の構成
(実施例1)
図1、2に示す位置検出装置のステージ上に、光導波路を載置した。
偏光選択光学系の開口数を0.1に変更した以外は、実施例1と同様にして光導波路におけるアライメントマークの位置を検出する動作を行った。
偏光選択光学系の開口数を0.3に変更した以外は、実施例1と同様にして光導波路におけるアライメントマークの位置を検出する動作を行った。
偏光板と1/4波長板との積層体を省略した偏光選択光学系を用いるようにした以外は、実施例2と同様にして光導波路におけるアライメントマークの位置を検出する動作を行った。
偏光板と1/4波長板との積層体を省略した偏光選択光学系を用いるようにした以外は、実施例3と同様にして光導波路におけるアライメントマークの位置を検出する動作を行った。
偏光選択光学系の開口数を0.5に変更した以外は、実施例1と同様にして光導波路におけるアライメントマークの位置を検出する動作を行った。
ピーク波長560nmの光を出射する発光素子を用いるようにした以外は、実施例1と同様にして光導波路におけるアライメントマークの位置を検出する動作を行った。
ピーク波長940nmの光を出射する発光素子を用いるようにした以外は、実施例1と同様にして光導波路におけるアライメントマークの位置を検出する動作を行った。
ピーク波長1.3μmの光を出射する発光素子を用いるようにした以外は、実施例1と同様にして光導波路におけるアライメントマークの位置を検出する動作を行った。
ピーク波長325nmの光を出射する発光素子を用いるようにした以外は、実施例1と同様にして光導波路におけるアライメントマークの位置を検出する動作を行った。
ピーク波長1.5μmの光を出射する発光素子を用いるようにした以外は、実施例1と同様にして光導波路におけるアライメントマークの位置を検出する動作を行った。
アライメントマークの位置検出動作を、倍率5倍および10倍で100回ずつ行い、正しく検出できたか否かを評価した。
平均厚さ12.5μmのクラッド層、平均厚さ50μmのコア層、および平均厚さ12.5μmのクラッド層の3層の積層体からなる光導波路
平均厚さ350μmのシリコーン樹脂製粘着シート
11 光源
111 発光素子
112 ハーフミラー
12 カメラ
13 偏光選択光学系
14 制御部
15 ステージ
151 粘着層
16 対物レンズ
9 光導波路
90 アライメントマーク
91、92 クラッド層
93 コア層
94 コア部
95 側面クラッド部
97 ミラー
Claims (8)
- 導光路内に設けられた屈折率が連続的に変化してなる対象物の位置を検出する位置検出装置であって、
前記導光路を撮像する撮像手段と、
前記導光路の前記撮像手段が位置する側と同じ側に設けられ、前記導光路に向けて、発光スペクトルのピーク波長が350〜1400nmである光を前記撮像手段と同軸の光路で照射する光源と、
前記導光路と前記撮像手段とを結ぶ光路上に設けられ、前記光源から出射し前記導光路を経た光の通過光量を、偏光の違いに基づいて選択的に異ならせる光学系と、
前記撮像手段により撮像された画像上において前記対象物の位置を特定する位置特定手段と、
を有することを特徴とする位置検出装置。 - 前記光学系の開口数は、0.01〜0.4である請求項1に記載の位置検出装置。
- 前記光の発光スペクトルの最大ピークの相対光度が50%になるときの波長の幅は、250nm以下である請求項1または2に記載の位置検出装置。
- 前記対象物は、前記導光路に内包されたものであり、
前記撮像手段は、前記導光路の一部分越しに前記対象物を撮像する請求項1ないし3のいずれか1項に記載の位置検出装置。 - 前記光学系は、前記導光路の表面を経た光の通過光量を、偏光の違いに基づいて選択的に抑制する機能を有するものである請求項1ないし4のいずれか1項に記載の位置検出装置。
- 前記光学系は、位相差板とファラデー回転子とを含むものである請求項1ないし5のいずれか1項に記載の位置検出装置。
- さらに、
前記導光路を載置するステージと、
前記ステージと前記導光路との間に設けられ、ショアA硬度が10〜90の粘着層と、
を有する請求項1ないし6のいずれか1項に記載の位置検出装置。 - 導光路内に設けられた屈折率が連続的に変化してなる対象物の位置を検出する位置検出方法であって、
請求項1ないし7のいずれか1項に記載の位置検出装置が有する前記光源から前記導光路に向けて光を照射するとともに、前記光学系を介して前記撮像手段により前記導光路を撮像する工程と、
前記撮像手段で撮像された画像から前記対象物の位置を特定する工程と、
を有することを特徴とする位置検出方法。
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