JP6213994B2 - 光酸化剤による導電性膜印刷用親水性パターン形成方法 - Google Patents
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Description
本発明は、このような問題点や欠点を解決し、光酸化剤水溶液が塗布された疎水性表面を光照射処理して親水性パターンを形成する技術において、光照射パターンよりも大きくならない正確、高精度、又は、所定の割合で縮小した親水性パターンを形成する親水性パターン形成方法を提供することを課題とする。
(1)疎水性表面に光酸化剤の水溶液膜を形成した後、該水溶液膜で被覆された疎水性表面のうち所定パターン領域を光照射し、親水性パターンを形成する親水性パターン形成方法において、該光酸化剤の水溶液としてアルコールが添加されたものを用いることを特徴とする、親水性パターン形成方法。
(2)前記疎水性表面は、基材表面に自己組織化単分子膜が形成されたものであることを特徴とする、(1)に記載の親水性パターン形成方法。
(3)前記基材が金属であり、前記自己組織化単分子膜の単分子がアルカンチオールであることを特徴とする、(1)または(2)に記載の親水性パターン形成方法。
(4)前記光酸化剤は、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウムから選択される1種又は2種以上であることを特徴とする、(1)〜(3)のいずれか1項に記載の親水性パターン形成方法。
(5)上記(1)〜(4)のいずれか1項に記載の方法で形成された親水性パターンに導電性膜を形成することを特徴とする、導電性パターン膜形成方法。
(6)前記光酸化剤の水溶液におけるアルコール添加量が0.001〜1wt%であることを特徴とする、親水性パターン形成方法。
(7)前記金属が金であり、前記アルカンチオールが炭素数7〜30のものであることを特徴とする、(3)に記載の親水性パターン形成方法。
(8)前記アルコールが、メタノール、エタノール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブタノールから選択される1種又は2種以上であることを特徴とする、(1)〜(4)、(6)、(7)のいずれか1項に記載の親水性パターン形成方法。
(9)上記(6)〜(8)のいずれか1項に記載の方法で形成された親水性パターンに導電性膜を形成することを特徴とする、導電性パターン膜形成方法。
アルコールを添加しない光酸化剤水溶液を用いる場合、形成される親水性パターンは、光照射領域よりも大きなパターン(光照射領域を拡大したパターン)となってしまうが、アルコールを添加した光酸化剤水溶液を用いた場合、アルコール添加量を調整することにより、光照射領域と同じ正確な高精度の形状としたり、光照射領域を所定の割合で縮小した形状のパターンとしたりすることができる。
以下、本発明の発明特定事項ごとに具体的に説明する。
本発明において、疎水性表面とは、水に対する接触角が50°以上、好ましくは70°以上の表面をいう。
本発明で用いる疎水性表面は、疎水性材料からなる基材の疎水性表面であってもよいし、各種の基材の表面を塗布、被覆等の各種処理によって基材表面上に形成されたものであってもよい。
基材を構成する疎水性材料や、基材表面上の疎水性表面となる塗布乃至被覆材料の疎水性材料としては、限定するものではないが、各種樹脂、自己組織化膜を形成する単分子等が挙げられる。
各種樹脂としては、限定するものではないが、ポリエステル系樹脂、ポリビニルアセタール系樹脂、ウレタン系樹脂、アミド系樹脂、セルロース系樹脂、オレフィン系樹脂、塩化ビニル系樹脂、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート、ポリサルフォン、ポリカプロラクトン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂等が挙げられ、これらの樹脂は、1種単独でもよいし、2種以上併用することもできる。
自己組織化膜を形成する単分子としては、限定するものではないが、チオール基を有するもの、リン酸基を有するもの、ホスホン基を有するもの等、一端が基材に結合し他端部が疎水性を示すものをいずれも用いることができる。チオール基を有するものとしては、限定するものではないが、アルカンチオール、環状チオール等を挙げることができる。アルカンチオールとしては、炭素数が7〜30、より好ましくは10〜20、さらに好ましくは12〜18のものが挙げられる。アルカンチオールは、自己組織化能や疎水性表面形成能を大きく阻害しない範囲で各種の置換基を有するものとすることができる。
塗布、被覆等の各種処理によって基材表面上に疎水性表面を形成する場合の基材としては、限定するものではないが、金、銀、銅、アルミニウム等の金属や合金、ハンダ用合金、上述のような樹脂やそれらの樹脂表面が親水化処理されたもの、各種セラミックス等を挙げることができる。
本発明における光酸化剤としては、限定するものではないが、過硫酸ナトリウム(Na2S2O8)、過硫酸アンモニウム(NH4S2O8)、過硫酸カリウム(K2S2O8)から選択される1種又は2種以上とすることができる。
光酸化剤水溶液における光酸化剤の濃度は、必要とされる親水性に応じて調整することができる。通常における求められる親水性としては、水に対する接触角が40°以下、より好ましくは30°以下、さらに好ましくは20°以下である。
そのような親水性とするための光酸化剤の濃度は、光酸化剤の種類にもよるが、通常は、1〜40wt%、好ましくは2〜30wt%、より好ましくは3〜20wt%である。
光酸化剤に添加されるアルコールとしては、限定するものではないが、メタノール、エタノール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブタノールから選択される1種又は2種以上とすることができる。
光酸化剤に添加されるアルコールは、光照射により生成したラジカルのうち、光照射領域外に拡散したものを捕捉するラジカルスカベンジャーとして機能すると考えられる。
光照射源としては、その照射光が光酸化剤を分解してラジカルを生成可能なものであればどのようなものでも良いが、例えば、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、エキシマレーザー等を用いることができる。
所定パターン領域に対する光照射は、所定パターンを有するフォトマスクを介して行っても良いし、光照射範囲が狭い範囲である光照射源を上記被覆疎水性表面に対し相対的に走査して行うこともできる。
本発明により形成された親水性パターンを利用して導電性パターンを形成する方法としては、例えば、親水性で導電膜化可能なインクによる印刷と、該インクの焼成による導電膜化等、プリンテッド・エレクトロニクスで採用され得る公知の手法が使用できる。
図1(A)の断面模式図に示されるように、基材としての金(Au)表面にC16SH(ヘキサデカンチオール)の自己組織化膜を形成して疎水性表面を生成し、過硫酸アンモニウムNH4S2O8の30wt%水溶液を前記疎水性表面上にドロップし、石英ガラスで押し広げた後、高圧Hgランプで紫外光を照射した。
光照射前後における表面の酸素(O1s)、炭素(C1s)、硫黄(S2p)の濃度変化をX線光電子分光法(XPS)により調べた。その結果を図1(B)〜(D)に示す。これにより、光照射により親水性の原因であるSO4-の表面付加が確認された。
図2(A)の断面模式図に示されるように、基材としての金(Au)表面にC16SHの自己組織化膜を形成して、疎水性表面を生成し、該疎水性表面の周囲をカプトン(登録商標)テープで囲い、過硫酸アンモニウムNH4S2O8の5wt%水溶液を前記疎水性表面上にドロップし、石英ガラスで塗り広げ、該水溶液面上をフォトマスクで覆った。
図2(B)で示されるフォトマスク(開口直径497±5μm)を介して高圧Hgランプの紫外光を5分間照射した後、表面を洗浄、乾燥した。非プロトン性極性溶媒であるジメチルスルホキシド〔DMSO;(CH3)2SO〕を滴下したところ、フォトマスク開口部に対応する部分に、図2(B)で示されるDMSOの液滴(直径507±2μm)が形成された。このことから、フォトマスク開口部に対応する部分が効果的に親水性表面に変化したことが確認された。また、フォトマスク開口部に対応する部分については、XPSにより親水性の原因であるSO4-の表面付加が確認された。
過硫酸アンモニウムNH4S2O8の5wt%水溶液として、エタノールが0.01wt%添加されたものを用いる以外は上記実験例2と同様にして、図2(C)で示されるDMSOの液滴(直径494±4μm)が形成された。
過硫酸アンモニウムNH4S2O8の5wt%水溶液として、エタノールが0.1wt%添加されたものを用いる以外は上記実験例2と同様にして、図2(D)で示されるDMSOの液滴(直径344±25μm)が形成された。
また、上記実験例において、過硫酸アンモニウムの濃度を小さくすると、親水性パターン部分の接触角が小さくなったが、親水性パターンの形状変化はあまり見られなかった。一方、エタノールを添加した場合の実施例1,2では、親水性パターンの形状は上述のとおり小さくなったが、親水性パターン部分の接触角は、実験例2のものとあまり変わらなかった。
Claims (5)
- 疎水性表面に光酸化剤の水溶液膜を形成した後、該水溶液膜で被覆された疎水性表面のうち所定パターン領域を光照射し、親水性パターンを形成する親水性パターン形成方法において、該光酸化剤の水溶液としてアルコールが添加されたものを用いることを特徴とする、親水性パターン形成方法。
- 前記疎水性表面は、基材表面に自己組織化単分子膜が形成されたものであることを特徴とする、請求項1に記載の親水性パターン形成方法。
- 前記基材が金属であり、前記自己組織化単分子膜の単分子がアルカンチオールであることを特徴とする、請求項1または2に記載の親水性パターン形成方法。
- 前記光酸化剤は、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウムから選択される1種又は2種以上であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の親水性パターン形成方法。
- 上記(1)〜(4)のいずれか1項に記載の方法で形成された親水性パターンに導電性膜を形成することを特徴とする、導電性パターン膜形成方法。
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