JP6210570B2 - ソリッドステートドライブにおける物理論理マッピングのための方法、装置及びシステム - Google Patents
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Description
図2は、一実施形態に係るデータストレージデバイスの物理及び論理データ構成の態様を示す図である。一実施形態では、データストレージデバイスは、SSDである。別の実施形態では、データストレージデバイスは、フラッシュメモリ及び回転磁気ストレージメディアを含むハイブリッドデバイスである。本開示は、SSD及びハイブリッド実装の両方で適用可能であるが、簡略化のために、各種実施形態は、SSDベースの実装について説明される。一実施形態に係るデータストレージデバイスコントローラ202は、参照番号218で示されるホストに接続されるように構成されてもよい。ホスト218は、ロジカルブロックアドレッシング(Logical Block Addressing(LBA))スキームを使用してもよい。LBAサイズは、通常、固定されているが、ホストは、LBAのサイズを動的に変化しうる。例えば、LBAサイズは、インターフェース及びインターフェースモードによって変化してもよい。事実、512バイトが最も一般的であるが、4KBも一般的となっており、512+(520,528等)及び4KB+(4KB+8,4K+16等)がある。それらに示されるように、データストレージデバイスコントローラ202は、ページレジスタ204を備えてもよい又は接続されてもよい。ページレジスタ204は、コントローラ202がデータストレージデバイスからデータを読み出す、及びデータストレージデバイスへデータを記憶することを可能にするように構成されてもよい。コントローラ202は、ホスト218からのデータアクセスコマンドに対応するフラッシュメモリデバイスのアレイからデータを書き込み及び読み出すように構成されてもよい。本明細書の説明は、一般的なフラッシュメモリについて示されているが、メモリデバイスのアレイは、フラッシュ集積回路、カルコゲナイドRAM(Chalcogenide RAM(C−RAM))、相変化メモリ(Phase Change Memory(PC−RAM又はPRAM))、プログラマブルメタライゼーションセルRAM Programmable Metallization Cell RAM(PMC−RAM又はPMCm)、Ovonic Unified Memory(OUM)、抵抗RAM(Resistance RAM(RRAM)(登録商標))、NANDメモリ(例えば、single−level cell(SLC)メモリ、multi−level cell(MLC)メモリ又はそれらの任意の組み合わせ)、NORメモリ、EEPROM、強誘電体メモリ(Ferroelectric Memory(FeRAM))、磁気抵抗RAM(Magnetoresistive RAM(MRAM))、他のディスクリートNVM(不揮発性メモリ)チップ又はそれらの任意の組み合わせのような不揮発性メモリデバイスの1以上を備えてもよいことが理解される。
論理物理アドレス変換マップ302が揮発性メモリに記憶されている場合、不揮発性メモリの起動又は不揮発性メモリへの任意の他の電力損失があると、再構築を行う必要がある。よって、これは、L−ページが、起動(startup)後又は電力損失イベント(power−fail event)の後に不揮発性メモリ内に記憶されることをコントローラが「知る」前に、コントローラ202が、論理物理アドレス変換マップ302を再構築することができるであろう不揮発性メモリに記憶されるべき一部のメカニズム及び情報を必要とする。一実施形態によれば、このようなメカニズム及び情報は、システムジャーナル又はS−ジャーナルと呼ばれる構成に統合される。一実施形態によれば、コントローラ202は、複数の不揮発性メモリデバイス(例えば、1以上のダイ、チャネル又はプレーンにおけるブロック206の1以上)において、物理論理アドレス対応を定義する複数のS−ジャーナルを維持するように構成されてもよい。一実施形態によれば、各S−ジャーナルは、所定の範囲の物理ページ(例えば、E−ページ)をカバーする。一実施形態によれば、各S−ジャーナルは、複数のジャーナルエントリを備えてもよく、各エントリは、E−ページのような1以上の物理ページを、各L−ページのL−ページ番号に関連付けられるように構成される。一実施形態によれば、コントローラ202がリスタートするたびに、又は論理物理アドレス変換マップ302が部分的又は全体的に再構築されるたびに、コントローラ202は、S−ジャーナルを読み出し、S−ジャーナルエントリから読み出された情報から、論理物理アドレス変換マップ302を再構築する。
図9Aは、一実施形態に係る、論理物理アドレス変換マップ、S−ジャーナル及びS−ブロックの関係を示す。参照番号902は、(一実施形態では、DRAMに記憶される)論理物理アドレス変換マップにおけるエントリを示す。一実施形態によれば、論理物理アドレス変換マップは、L−ページ番号によってインデックス付けされてもよく、論理物理アドレス変換マップにおいてL−ページごとに1つのエントリ902であってもよい。フラッシュメモリにおけるL−ページの開始の物理アドレス及びそのサイズは、マップエントリ902、すなわち、E−ページアドレスによる、E−ページ内のオフセット及びL−ページのサイズに与えられてもよい。上記で述べたように、そのサイズに応じて、L−ページは、1以上のE−ページに亘ってもよく、同様に、F−ページ及びF−ブロックに亘ってもよい。
図10−13は、一実施形態に係る、論理物理アドレス変換マップを更新する方法の態様を示すブロック図である。図10に示されるように、論理物理アドレス変換マップ1002は、L−ページ100についてのエントリ(例えば、L−ページの位置)を含み、これは、3,012バイトの長さを有する。この例では、L−ページ100は、1006に示されるように、S−ブロック15に記憶される。コントローラ202の又はコントローラ202に接続されるバッファ1004(例えば、static random access memory(SRAM))は、L−ページ100が存在するS−ブロック15についてのP2L情報を含むS−ジャーナルを記憶してもよい。バッファ1004に示されているものは、一部の実施形態においてDRAMに実際に存在してもよい。そのエントリがS−ブロックによりインデックス付けされるユーザS−ブロック情報906は、各S−ブロックに対して、S−ブロックについての他の情報のうち、S−ブロックにおける空き領域又は使用領域の(例えば、正確な又はおおよその)サイズを含んでもよい。図10に示されるように、S−ブロック15についてのユーザS−ブロック情報906におけるエントリが示される。図10は、L−ページ100への更新がコントローラ202によって処理される前の、これらの構成機能ブロックの例示的な状態を示す。
図14−17は、一実施形態に係る、システムバンドにおけるS−ジャーナル及びS−ジャーナルマップを更新する方法の態様を示すブロック図である。図は、L−ページ100への同一の例の更新によって開始されるS−ジャーナルの更新メカニズムについての更なる詳細を示す。図に示されるように、揮発性メモリ(例えば、synchronous dynamic random−access memory(SDRAM))におけるS−ジャーナルマップ1402は、L−ページ100に関連付けられるP2Lマッピングデータを含むS−ジャーナルの、不揮発性メモリにおける、物理位置を指し示すエントリを含んでもよい。図示された例では、関連するS−ジャーナル(すなわち、L−ページ100を記憶するS−ブロック15の特定の部位についてのS−ジャーナル)は、E−ページ42で開始する、システムS−ブロック3(1408)に位置付けられる。
図18−21は、一実施形態に係る、ガベージコレクションの態様を示すブロック図である。図に示されるように、ユーザS−ブロック情報906におけるデータは、ガベージコレクションを行うために、「最良の」S−ブロックを選択するためにスキャンされてもよい。ガベージコレクションを行うためのS−ブロックを選択するために評価される複数の分類が存在する。例えば、ガベージコレクションを行うために最良のS−ブロックは、最大空き領域を有するS−ブロック及び最低書き込み消去(lowest Program Erase(PE))カウントであってもよい。それに替えて、これらの及び/又は他の分類は、ガベージコレクションされるS−ブロックを選択するために重み付けされてもよい。例示の目的のために、図18−21でガベージコレクションされた、選択されたS−ブロックは、S−ブロック15であり、これは、ユーザS−ブロック情報906内の情報エントリ15により参照され、幾らかの量+3,012バイトの空き領域を示す(最近使用されなくなったL−ページ100を考慮するための追加の3,012バイト)。ユーザS−ブロック情報906は、他のアイテムの情報のうち、各トラックされたS−ブロックによって受けられたPEサイクルの数のランニングカウントを含んでもよく、これは、ガベージコレクションを行うS−ブロックを決定する際に評価されてもよいことを留意すべきである。1006に示されるように、S−ブロック15は、有効なデータ(ハッシュされたブロック)及び無効なデータ(ハッシュされないブロック)の混合したものを有する。
図22−26は、一実施形態に係る、システムブロックのガベージコレクションを行う態様を示すブロック図である。図22−26に展開される例では、図22の参照番号2208で示されるシステムS−ブロック3は、ガベージコレクションのために選ばれたものと仮定する。システムS−ブロックが選ばれると、選ばれたシステムS−ブロック内の全てのE−ページ(及び拡張により、そこに含まれる全てのS−ジャーナル)は、バッファ1004へ(連続的に又は非連続的に)読み出される。
Claims (45)
- データストレージデバイスであって、
それぞれが複数の物理ページを記憶するように構成される複数の不揮発性メモリデバイスであって、前記複数の物理ページのそれぞれが、前記複数の不揮発メモリデバイス内の所定の物理位置に記憶される、複数の不揮発性メモリデバイスと、
コントローラが、複数の論理ページ(L−ページ)に記憶されたデータの、1以上の物理ページ内に、物理位置を決定可能にするように構成される論理物理アドレス変換マップを含む揮発性メモリと、を備え、
前記コントローラは、前記複数の不揮発性メモリデバイスと接続され、前記複数の不揮発性メモリデバイスへデータを書き込み、かつ前記複数の不揮発性メモリデバイスからデータを読み出すように構成されるコントローラであって、前記データは、前記複数の論理ページ(L−ページ)に記憶され、前記複数のL−ページのそれぞれは、前記コントローラが、前記論理物理アドレス変換マップを用いて前記物理ページの1以上に記憶されたデータを論理参照可能にするように構成されるL−ページ番号と関連付けられ、前記論理物理アドレス変換マップにおけるエントリは、L−ページ番号と、L−ページの長さ又は前記論理物理アドレス変換マップにおけるエントリに適用される誤り訂正符号ビットのうちの少なくとも一方との関連付けを含み、
前記コントローラは、前記複数の不揮発メモリデバイスに、物理論理対応を定義する複数のジャーナルを維持するように構成され、前記複数のジャーナルのそれぞれは、ジャーナル番号に関連付けられ、各ジャーナルは、所定の範囲の物理ページをカバーし、かつ複数のジャーナルエントリを含み、各エントリは、1以上の物理ページを各L−ページに関連付けるように構成され、前記コントローラは、起動すると、前記複数のジャーナルを読み出し、読みだした前記複数のジャーナルから前記揮発性メモリに記憶された前記論理物理アドレス変換マップを再構築するように構成される、データストレージデバイス。 - 前記コントローラは、前記複数のL−ページの1つへ更新されると、前記複数のジャーナルの1つに新たなエントリを生成するように更に構成される請求項1に記載のデータストレージデバイス。
- 変換データのパワーセーフコピーを維持するための前記不揮発性メモリデバイスへの書き込み動作は、前記論理物理アドレス変換マップの少なくとも一部を保存する代わりに新たに生成されたジャーナルエントリによって開始されるように構成され、ライトアンプリフィケーションが減少する、請求項2に記載のデータストレージデバイス。
- 前記新たなエントリは、更新されたL−ページのスタートの、物理ページ内の、物理位置を示す請求項2に記載のデータストレージデバイス。
- 前記コントローラは、更新前のL−ページの長さに対応する量により占められる空き領域を更新するように更に構成される請求項2に記載のデータストレージデバイス。
- 前記複数のL−ページの少なくとも1つは、物理ページ境界に位置合わせされない請求項1に記載のデータストレージデバイス。
- 前記物理ページは、誤り訂正符号(ECC)ページ(E−ページ)として実装され、前記複数のデバイスは、複数のフラッシュメモリブロックを含み、各フラッシュメモリブロックは、複数のフラッシュメモリページ(F−ページ)を含み、前記F−ページのそれぞれは、複数の前記E−ページを含み、複数の前記E−ページのそれぞれは、前記複数のデバイス内の所定の物理位置に記憶される、請求項1に記載のデータストレージデバイス。
- 前記コントローラは、更新されたL−ページのL−ページ番号によって参照されたデータの、1以上の物理ページ内に、前記物理位置で前記論理物理アドレス変換マップを更新するようにさらに構成される請求項2に記載のデータストレージデバイス。
- それぞれがデバイスごとに1以上のフラッシュメモリブロックを含む複数のスーパーブロック(S−ブロック)を更に備え、前記複数のジャーナルエントリのそれぞれは、前記S−ブロックの前記物理ページの1以上を各L−ページに関連付けるように構成される請求項1に記載のデータストレージデバイス。
- 前記コントローラは、少なくとも、
ガベージコレクションを行うために、前記複数のS−ブロックの1つを選択し、
選択されたS−ブロックに対するジャーナルにおける各エントリを前記論理物理アドレス変換マップにおけるエントリと比較し、有効であるエントリ及び有効でないエントリを指定し、
有効なエントリに対応する前記L−ページを読み出し、
読みだした前記L−ページを、前記複数の不揮発性メモリデバイス内の各物理アドレスに書き込み、
前記各物理アドレスを指し示すために、前記有効なエントリについての前記論理物理アドレス変換マップを更新し、
前記論理物理アドレス変換マップが更新された前記エントリについての新たなジャーナルエントリを生成する、
ことによりガベージコレクションを行うように更に構成される請求項9に記載のデータストレージデバイス。 - 前記コントローラは、少なくとも、
ガベージコレクションを行うために、前記複数のS−ブロックの1つを選択し、
選択された前記S−ブロックの前記物理ページを読み出し、
選択された前記S−ブロックの読み出した前記物理ページにおけるL−ページ番号を前記論理物理アドレス変換マップにおけるエントリと比較し、有効であるエントリ及び有効でないエントリを指定し、
有効なエントリに対応するL−ページを、前記複数の不揮発性メモリデバイス内の各物理アドレスに書き込み、
前記各物理アドレスを指し示すために、前記有効なエントリについての前記論理物理アドレス変換マップを更新し、
前記論理物理アドレス変換マップが更新された前記エントリについての新たなジャーナルエントリを生成する、
ことによりガベージコレクションを行うように更に構成される請求項9に記載のデータストレージデバイス。 - 前記選択することは、選択するためのS−ブロックを決定する際に空き領域及び書き込み消去(program erase(PE))カウントを重み付けすることを含む請求項10に記載のデータストレージデバイス。
- 各ジャーナル番号は、前記ジャーナルによりカバーされる第1の物理ページのアドレスの所定数の最上位ビットを含む請求項1に記載のデータストレージデバイス。
- 前記複数のジャーナルエントリのそれぞれは、
L−ページ番号と、
物理アドレス位置と、を含む請求項1に記載のデータストレージデバイス。 - 前記複数のジャーナルエントリのそれぞれは、
L−ページ番号と、
物理ページの物理アドレス位置と、
L−ページサイズと、を含む請求項1に記載のデータストレージデバイス。 - 前記複数のジャーナルエントリのそれぞれは、
L−ページのスタートを含む物理ページのアドレスの所定数の最下位ビットと、
アドレスと、
L−ページサイズと、
前記物理ページへのオフセットと、を含む請求項1に記載のデータストレージデバイス。 - 前記複数のL−ページは、圧縮及びサイズを変更するように構成され、複数のジャーナル番号は、小さいサイズで大きな番号のL−ページを参照する、又は大きなサイズで小さな番号のL−ページを参照するように構成される請求項1に記載のデータストレージデバイス。
- 前記コントローラは、更に、所定の順序で開始すると、前記複数のジャーナルを読み出すように構成され、かつ、連続的に読み出された複数のジャーナルに基づいて、前記揮発性メモリに記憶された前記論理物理アドレス変換マップを再構築するように構成される請求項1に記載のデータストレージデバイス。
- 前記コントローラは、更に、前記複数のジャーナルに基づいてジャーナルマップを構築するように構成される請求項1に記載のデータストレージデバイス。
- 前記コントローラは、更に、
所定の順序で開始すると、前記複数のジャーナルを読み出し、
連続的に読み出された前記複数のジャーナルに基づいて、前記不揮発性メモリデバイスに記憶された前記ジャーナルのマップを構築し、
前記揮発性メモリにおける前記ジャーナルの構築されたマップを記憶する
ように構成される請求項1に記載のデータストレージデバイス。 - 与えられたL−ページに関連付けられたジャーナルエントリのうち、前記与えられたL−ページに関連付けられた、最後に更新された(last−in−time updated)ジャーナルエントリのみが有効である請求項1に記載のデータストレージデバイス。
- 前記コントローラは、更に、前記揮発性メモリにおける前記複数のジャーナルのシステムジャーナルマップを維持するように構成され、前記システムジャーナルマップにおける各エントリは、前記複数のジャーナルの1つが記憶される前記不揮発性メモリデバイスにおける位置を指し示す請求項1に記載のデータストレージデバイス。
- 揮発性メモリ及び複数の不揮発性メモリデバイスを備えるデータストレージデバイスを制御する方法であって、前記複数の不揮発性メモリデバイスのそれぞれが、複数の物理ページを記憶するように構成され、前記複数の物理ページのそれぞれが、前記複数の不揮発性メモリデバイス内の所定の物理位置で記憶され、前記方法は、
複数の論理ページ(L−ページ)にデータを記憶するステップであって、前記複数のL−ページのそれぞれは、コントローラが1以上の前記物理ページに記憶されたデータを論理参照可能にするように構成されるL−ページ番号と関連付けられる、ステップと、
前記揮発性メモリに論理物理アドレス変換マップを維持するステップであって、前記論理物理アドレス変換マップは、各L−ページに記憶されたデータの、前記物理ページの1以上内に、物理位置を決定可能にするように構成され、前記論理物理アドレス変換マップにおけるエントリは、L−ページ番号と、L−ページの長さ又は前記論理物理アドレス変換マップにおけるエントリに適用される誤り訂正符号ビットのうちの少なくとも一方との関連付けを含む、ステップと、
前記複数の不揮発性メモリデバイスに物理論理対応を定義する複数のジャーナルを維持するステップであって、前記複数のジャーナルのそれぞれは、ジャーナル番号に関連付けられ、各ジャーナルは、物理ページの所定の範囲をカバーし、かつ複数のジャーナルエントリをそれぞれ含み、各エントリは、1以上の前記物理ページを各L−ページに関連付けるように構成される、ステップと、
起動すると、前記複数のジャーナルを読み出し、前記複数のジャーナルにおける読み出されたエントリに基づいて前記揮発性メモリに記憶された前記論理物理アドレス変換マップを再構築するステップと、を備える方法。 - 前記複数のL−ページの1つへ更新されると、前記複数のジャーナルの1つに新たなエントリを生成するステップを更に備える請求項23に記載の方法。
- 前記論理物理アドレス変換マップの少なくとも一部を保存する代わりに新たに生成されたジャーナルエントリに基づいて変換データのパワーセーフコピーを維持するために、前記不揮発性メモリデバイスへの書き込み動作を開始し、ライトアンプリフィケーションが減少する、ステップを更に備える請求項24に記載の方法。
- 前記新たなエントリは、更新されたL−ページのスタートの、物理ページ内に、物理位置を示す請求項24に記載の方法。
- 更新前のL−ページの長さに対応する量により占められる空き領域を更新するステップを更に備える請求項24に記載の方法。
- 前記記憶するステップは、物理ページ境界に位置合わせされない位置に前記複数のL−ページの少なくとも1つを記憶することを含む請求項23に記載の方法。
- 前記物理ページは、誤り訂正符号(ECC)ページ(E−ページ)として実装され、前記複数のデバイスは、複数のフラッシュメモリブロックを含み、各フラッシュメモリブロックは、複数のフラッシュメモリページ(F−ページ)を含み、前記F−ページのそれぞれは、複数の前記E−ページを含み、複数の前記E−ページのそれぞれは、前記複数のデバイス内の所定の物理位置に記憶される、請求項23に記載の方法。
- 更新されたL−ページのL−ページ番号によって参照されたデータの、1以上の物理ページ内に、前記物理位置で前記論理物理アドレス変換マップを更新するステップを更に備える請求項23に記載の方法。
- 前記複数のデバイスは、それぞれがデバイスごとに1以上のフラッシュメモリブロックを含む複数のスーパーブロック(S−ブロック)を備え、前記複数のジャーナルエントリのそれぞれは、前記S−ブロックの前記物理ページの1以上を各L−ページに関連付けるように構成される、請求項23に記載の方法。
- ガベージコレクションを行うために、前記複数のS−ブロックの1つを選択するステップと、
選択された前記S−ブロックに対するジャーナルにおける各エントリを前記論理物理アドレス変換マップにおけるエントリと比較し、有効であるエントリ及び有効でないエントリを指定するステップと、
前記有効なエントリに対応する前記L−ページを読み出すステップと、
読み出したL−ページを、前記複数の不揮発性メモリデバイス内の各物理アドレスに書き込むステップと、
前記各物理アドレスを指し示すために、前記有効なエントリについての前記論理物理アドレス変換マップを更新するステップと、
前記論理物理アドレス変換マップが更新された前記エントリについての新たなジャーナルエントリを生成するステップと、を更に備える請求項31に記載の方法。 - ガベージコレクションを行うために、前記複数のS−ブロックの1つを選択するステップと、
選択された前記S−ブロックの前記物理ページを読み出すステップと、
選択された前記S−ブロックの読み出した前記物理ページにおけるL−ページ番号を前記論理物理アドレス変換マップにおけるエントリと比較し、有効であるエントリ及び有効でないエントリを指定するステップと、
有効なエントリに対応するL−ページを、前記複数の不揮発性メモリデバイス内の各物理アドレスに書き込むステップと、
前記各物理アドレスを指し示すために、前記有効なエントリについての前記論理物理アドレス変換マップを更新するステップと、
前記論理物理アドレス変換マップが更新された前記エントリについての新たなジャーナルエントリを生成するステップと、を更に備える請求項31に記載の方法。 - 前記選択するステップは、選択するためのS−ブロックを決定する際に空き領域及び書き込み消去(program erase(PE))カウントを重み付けすることを含む
請求項32に記載の方法。 - 前記ジャーナル番号は、前記ジャーナルによりカバーされる第1の物理ページのアドレスの所定数の最上位ビットを含む請求項34に記載の方法。
- 前記複数のジャーナルエントリのそれぞれは、
L−ページ番号と、
物理アドレス位置と、を含む請求項23に記載の方法。 - 前記複数のジャーナルエントリのそれぞれは、
L−ページ番号と、
物理ページの物理アドレス位置と、
L−ページサイズと、を含む請求項23に記載の方法。 - 前記複数のジャーナルエントリのそれぞれは、
L−ページのスタートを含む物理ページのアドレスの所定数の最下位ビットと、
アドレスと、
L−ページサイズと、
前記物理ページへのオフセットと、を含む請求項23に記載の方法。 - 前記複数のL−ページのサイズが変化するように前記複数のL−ページを選択的に圧縮するステップを更に備え、前記複数のジャーナルは、小さいサイズで大きな番号のL−ページを参照する、又は大きなサイズで小さな番号のL−ページを参照するように構成される請求項23に記載の方法。
- 前記論理物理アドレス変換マップを開始及び再構築すると、前記複数のジャーナルを読み出すステップは、所定の順序で開始すると、前記複数のジャーナルを読み出し、かつ連続的に読み出された複数のジャーナルに基づいて、前記揮発性メモリに記憶された前記論理物理アドレス変換マップを再構築することを含む請求項23に記載の方法。
- 前記コントローラは、更に、前記複数のジャーナルに基づいてジャーナルマップを構築するように構成される請求項23に記載の方法。
- 所定の順序で開始すると、前記複数のジャーナルを読み出すステップと、
連続的に読み出された前記複数のジャーナルに基づいて、前記不揮発性メモリデバイスに記憶された前記ジャーナルのマップを構築するステップと、
前記揮発性メモリにおける前記ジャーナルの構築されたマップを記憶するステップと、
を更に備える請求項23に記載の方法。 - 与えられたL−ページに関連付けられたジャーナルエントリのうち、前記与えられたL−ページに関連付けられた、最後に更新された(last−in−time updated)ジャーナルエントリのみが有効である請求項23に記載の方法。
- 前記揮発性メモリにおける前記複数のジャーナルのシステムジャーナルマップを維持するステップであって、前記システムジャーナルマップにおける各エントリは、前記複数のジャーナルの1つが記憶される前記不揮発性メモリデバイスにおける位置を指し示す、ステップを更に備える請求項23に記載の方法。
- データストレージデバイスコントローラであって、
揮発性メモリ及び複数の不揮発性メモリデバイスと接続されたプロセッサであって、前記複数の不揮発性メモリデバイスのそれぞれは、複数の不揮発性メモリデバイス内の所定の物理位置における複数の物理ページを記憶するように構成され、前記プロセッサは、更に、前記複数の不揮発性メモリデバイスへデータを書き込み、かつ前記複数の不揮発性メモリデバイスからデータを読み出すように構成され、前記データは、複数の論理ページ(L−ページ)に記憶され、前記複数のL−ページのそれぞれは、前記プロセッサが、前記物理ページの1以上に記憶されたデータを論理参照可能にするように構成されるL−ページ番号と関連付けられ、前記揮発性メモリは、前記プロセッサが、各L−ページに記憶されたデータの、1以上の物理ページ内に、物理位置を決定可能に構成された論理物理アドレス変換マップを記憶するように構成される、プロセッサを備え、
前記論理物理アドレス変換マップにおけるエントリは、L−ページ番号と、L−ページの長さ又は前記論理物理アドレス変換マップにおけるエントリに適用される誤り訂正符号ビットのうちの少なくとも一方との関連付けを含み、
前記プロセッサは、前記複数の不揮発性メモリデバイスに、物理論理対応を定義する複数のジャーナルを維持するように構成され、前記複数のジャーナルのそれぞれは、ジャーナル番号と関連付けられ、各ジャーナルは、所定の範囲の物理ページをカバーし、かつ複数のジャーナルエントリを含み、各エントリは、1以上の物理ページを各L−ページに関連付けるように構成され、前記プロセッサは、更に、読み出した前記複数のジャーナルから前記不揮発性メモリデバイスに記憶された前記論理物理アドレス変換マップを開始及び再構築すると、前記複数のジャーナルを読み出すように構成される、データストレージデバイスコントローラ。
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