JP6199578B2 - Channel member, vacuum suction device and cooling device using the same, and method for manufacturing channel member - Google Patents
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Description
本発明は、例えば半導体集積回路や液晶表示装置の製造工程において、半導体ウエハやガラス基板等の対象物に処理を施す際に、対象物を吸着または冷却するために用いられる流路部材、これを用いた真空吸着装置および冷却装置ならびに流路部材の製造方法に関する。 The present invention relates to a flow path member used for adsorbing or cooling an object when processing the object such as a semiconductor wafer or a glass substrate in a manufacturing process of a semiconductor integrated circuit or a liquid crystal display device, for example. The present invention relates to a vacuum suction device, a cooling device, and a method of manufacturing a flow path member.
従来、半導体ウェハやガラス基板等の対象物を加工することによって、半導体集積回路や液晶表示装置が製造されている。この製造工程において、対象物に処理を施す際に、対象物を吸着または冷却するために流路部材が用いられている。 Conventionally, semiconductor integrated circuits and liquid crystal display devices are manufactured by processing objects such as semiconductor wafers and glass substrates. In this manufacturing process, a flow path member is used to adsorb or cool an object when the object is processed.
例えば特許文献1には、基体(ベース部)と、本体の内部にて本体の主面方向に沿って形成され、対象物(ウェハ)を吸着するために流体(気体)が流れる流路(吸排気路)とを備えた流路部材(基板保持装置)が記載されている。 For example, Patent Document 1 discloses a base body (base portion) and a flow path (suction) formed along the main surface direction of the main body inside the main body and through which a fluid (gas) flows in order to adsorb an object (wafer). A flow path member (substrate holding device) including an exhaust path) is described.
このような流路部材において、第1基板と第2基板とを接合して基体としつつ、第1基板と第2基板との間に流路を形成した場合には、流路を流れる流体の圧力が第1基板と第2基板との境界に繰り返し加わるため、第1基板と第2基板とが剥離することがある。流路部材は、剥離が生じた領域(剥離領域)において、第1基板と第2基板とが接合して厚みが増した状態と比較して剛性が低下するため、応力が加わった際に変形や歪みが生じることがある。その結果、対象物の位置精度が低下し、ひいては対象物の処理精度が低下しやすくなる。したがって、対象物の処理精度を高めた流路部材が要求されている。 In such a flow path member, when the flow path is formed between the first substrate and the second substrate while joining the first substrate and the second substrate to form a base, the fluid flowing through the flow path Since the pressure is repeatedly applied to the boundary between the first substrate and the second substrate, the first substrate and the second substrate may peel off. The flow path member is deformed when stress is applied because the rigidity of the flow path member is reduced in the region where the separation occurs (peeling region) compared to the state where the first substrate and the second substrate are joined and the thickness is increased. And distortion may occur. As a result, the position accuracy of the object is lowered, and as a result, the processing accuracy of the object is likely to be lowered. Therefore, there is a demand for a flow path member with improved processing accuracy of the object.
本発明は、対象物の処理精度を高める要求に応える流路部材、これを用いた真空吸着装置および冷却装置ならびに流路部材の製造方法を提供することを目的とするものである。 An object of this invention is to provide the flow-path member which responds to the request | requirement which raises the processing precision of a target object, the vacuum suction apparatus and cooling device using the same, and the manufacturing method of a flow-path member.
本発明の一形態における流路部材は、第1基板および該第1基板の一主面に接合された第2基板を有する基体と、前記第1基板および前記第2基板の間に位置するとともに前記基体の主面方向に沿った長手方向を有し、かつ流体が流れる流路と、前記第1基板および前記第2基板の間に位置するとともに前記基体の主面方向に沿った長手方向を有するダミー流路とを備える。前記流路と前記ダミー流路は、前記第1基板と前記第2基板とが接合された部位を挟んで位置する。前記ダミー流路は、少なくとも一部に空間を有している。
The flow path member according to an aspect of the present invention is located between the first substrate and the second substrate and the base having the first substrate and the second substrate bonded to one main surface of the first substrate. The flow path has a longitudinal direction along the main surface direction of the base body and flows between the first substrate and the second substrate, and has a longitudinal direction along the main surface direction of the base body. Yes to Ru and a dummy channel. The flow path and the dummy flow path are located across a portion where the first substrate and the second substrate are joined. The dummy flow path has a space at least in part.
本発明の一形態における真空吸着装置は、前記対象物を真空吸着する、前述した流路部材を有する吸着手段と、前記吸引孔および前記流路を介して前記吸着領域および前記対象物の間の前記流体を排気する排気手段とを備える。 A vacuum suction apparatus according to an aspect of the present invention includes a suction unit having the above-described flow path member that vacuum-sucks the object, and between the suction region and the target object via the suction hole and the flow path. And an exhaust means for exhausting the fluid.
本発明の一形態における冷却装置は、前記対象物を冷却する、前述した流路部材を有する冷却手段と、前記対象物を冷却する前記流体を前記流路に供給する流体供給手段とを備える。 The cooling device in one form of this invention is equipped with the cooling means which has the flow-path member mentioned above which cools the said target object, and the fluid supply means which supplies the said fluid which cools the said target object to the said flow path.
本発明の一形態における流路部材の製造方法は、第1基板の一主面および第2基板の一主面の少なくとも一方に、対応する一主面方向に沿った長手方向を有する溝部を形成しつつ、前記第1基板の一主面および前記第2基板の一主面の少なくとも一方に、前記溝部と重ならない位置に、対応する一主面方向に沿った長手方向を有するダミー溝部を形成する工程と、前記ダミー流路が、少なくとも一部に空間を有するように、接合剤を介して前記第1基板の一主面および前記第2基板の一主面を接合する工程とを備える。 In one embodiment of the present invention, the flow path member manufacturing method forms a groove having a longitudinal direction along the corresponding one principal surface direction on at least one of the one principal surface of the first substrate and the one principal surface of the second substrate. However, a dummy groove portion having a longitudinal direction along the corresponding one principal surface direction is formed on at least one of the one principal surface of the first substrate and the one principal surface of the second substrate so as not to overlap the groove portion. a step of the dummy passage, so as to have a space at least partially, and a step that match against one main surface and one main surface of the second substrate of the first substrate via a bonding agent Prepare.
本発明の一形態における流路部材によれば、第1基板と第2基板との剥離が流体の流れないダミー流路に達すると、この剥離の進行が抑制されるため、第1基板と第2基板との剥離領域の拡大を抑制することができる。したがって、流路部材の剛性の低下を抑制し、対象物の処理精度を高めることができる。 According to the flow path member in one embodiment of the present invention, when the separation between the first substrate and the second substrate reaches the dummy flow path where the fluid does not flow, the progress of the separation is suppressed. Expansion of the peeling area | region with 2 board | substrates can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress a decrease in the rigidity of the flow path member and increase the processing accuracy of the object.
本発明の一形態における真空吸着装置によれば、前述した流路部材を備えるため、流路部材の剛性の低下を抑制し、対象物の処理精度を高めることができる。 According to the vacuum suction device in one aspect of the present invention, since the above-described flow path member is provided, it is possible to suppress a decrease in rigidity of the flow path member and increase the processing accuracy of the object.
本発明の一形態における冷却装置によれば、前述した流路部材を備えるため、流路部材の剛性の低下を抑制し、対象物の処理精度を高めることができる。 According to the cooling device in one embodiment of the present invention, since the flow path member described above is provided, it is possible to suppress a decrease in rigidity of the flow path member and to increase the processing accuracy of the object.
本発明の一形態における流路部材の製造方法によれば、ダミー流路によって第1基板と第2基板との剥離領域の拡大を抑制し、対象物の処理精度に優れた流路部材を作製することができる。 According to the method for manufacturing a flow path member in one aspect of the present invention, the flow path member that suppresses the expansion of the separation region between the first substrate and the second substrate by the dummy flow path and has excellent processing accuracy of the object is manufactured. can do.
以下に、本発明の一実施形態による流路部材について、図1ないし図3を参照しつつ詳細に説明する。 Hereinafter, a channel member according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 3.
本実施形態の流路部材1は、半導体集積回路の製造工程に用いられる露光装置や検査装置等の各種装置において、半導体ウェハ等の対象物2を真空吸着する真空チャック(吸着手段)として用いられるものである。流路部材1に吸着された対象物2は、各種装置にお
いて各種処理が施される。例えば、露光装置は、対象物2を吸着する流路部材1とこの流路部材1に吸着された対象物2に光を照射して露光する光源とを備えており、この露光によって対象物2に配線パターンを形成することができる。
The flow path member 1 of the present embodiment is used as a vacuum chuck (suction means) for vacuum-sucking an
この流路部材1は、図1ないし図3に示すように、基体3と、基体3の内部に位置する流路4と、基体3の内部に位置するダミー流路5と、基体3を厚み方向に貫通する貫通孔6と、流路4につながった吸引孔7と、ダミー流路5につながったダミー孔8とを備えている。
As shown in FIGS. 1 to 3, the flow path member 1 has a base 3, a
基体3は、流路部材1の主要部をなしており、対象物2を支持するものである。この基体3は、第1基板9と第1基板9の一主面に接合した第2基板10と第1基板9および第2基板10の間に介在した接合剤11とを備えている。本実施形態の基体3は、円板状である。
The base 3 forms the main part of the flow path member 1 and supports the
第1基板9は、後述する第1吸引孔7aが開口しているとともに対象物2を真空吸着する吸着領域12を有しており、対象物2を吸着するものである。第1基板9は、セラミックスからなり、例えば炭化珪素質焼結体、アルミナ質焼結体または窒化珪素質焼結体等のセラミック質焼結体を含んでいる。第1基板9は、このセラミック質焼結体のみを含んでいても構わないし、セラミック質焼結体の表面に被着したセラミック膜をさらに含んでいても構わない。このセラミック膜は、セラミック質焼結体と同材質であることが望ましく、セラミック質焼結体が炭化珪素質焼結体である場合には、セラミック膜は、炭化珪素膜であることが望ましい。本実施形態の第1基板9は、円板状である。第1基板9の厚みは、例えば1mm以上10mm以下である。第1基板9の幅(直径)は、例えば200mm以上500mm以下である。
The first substrate 9 has a
基体3の吸着領域12は、対象物2の形状に対応する環状部13と、環状部13の内側に位置する底面14と、底面14から突出した複数の突起部15とを有している。対象物2は、環状部13および突起部15によって支持される。この際、対象物2と吸着領域12との間の空間16は、環状部13によってシールされるため、空間16の流体(気体)を吸引孔7および流路4を介して排気して、空間16を真空状態にすることによって、対象物2を吸着領域12に吸着させることができる。
The
第2基板10は、一主面が第1基板9の一主面に接合することによって、第1基板9および第2基板10の間に流路4およびダミー流路5を形成するものである。第2基板10は、第1基板9と同様の材料、形状および特性を有する。
The
接合剤11は、第1基板9の一主面と第2基板10の一主面とを接合するものである。接合剤11は、例えば、ガラス接合剤等の無機接合剤を用いることができる。このガラス接合剤は、例えば、酸化珪素を主成分として、酸化マグネシウム、酸化ナトリウムまたは酸化カルシウム等の副成分として含んでいる。第1基板9の一主面および第2基板10の一主面が、炭化珪素質焼結体または炭化珪素膜からなる場合に、ガラス接合剤を用いると、ガラス接合剤の酸化珪素が炭化珪素と結合し、第1基板9および第2基板10を強固に接合できる。
The
流路4は、第1基板9および第2基板10の間に位置するとともに基体3の主面方向に沿った長手方向を有する。この流路4は、吸引孔7につながっており、空間16から排気される流体が流れる。流路4は、主面方向において、例えば基体3の中央部から放射状に形成された複数の部分を有する。また、流路4は、基体3の厚み方向に沿った断面において、第2基板10の一主面に形成された溝部17と第1基板の一主面の平坦な領域とに囲まれている。流路4の長手方向に直交した断面は、例えば矩形状である。流路4の幅は、
例えば1mm以上5mm以下である。流路4の厚みは、例えば0.1mm以上3mm以下である。
The
For example, it is 1 mm or more and 5 mm or less. The thickness of the
ダミー流路5は、第1基板9および第2基板10の間に位置するとともに基体3の主面方向に沿った長手方向を有する。このダミー流路5は、吸着領域12および吸引孔7につながっておらず、空間16から排気される流体は流れない。また、ダミー流路5は、基体3の厚み方向に沿った断面において、第2基板10の一主面に形成されたダミー溝部18と第1基板9の一主面の平坦な領域とに囲まれている。ダミー流路5の長手方向に直交した断面は、例えば矩形状である。ダミー流路5の幅は、例えば1mm以上5mm以下である。ダミー流路5の厚みは、例えば0.1mm以上3mm以下である。
The dummy flow path 5 is located between the first substrate 9 and the
貫通孔6は、対象物2を移動させるためのリフトピン(図示しない)が挿入されるものである。この貫通孔6は、第1基板9および第2基板10を厚み方向に貫通している。貫通孔6は、例えば円柱状である。この貫通孔6の幅は、例えば5mm以上10mm以下である。
The through hole 6 is for inserting a lift pin (not shown) for moving the
吸引孔7は、第1基板9を厚み方向に貫通しているとともに流路4につながった第1吸引孔7aと、第2基板10を厚み方向に貫通しているとともに流路4につながった第2吸引孔7bとを有する。
The suction hole 7 penetrates the first substrate 9 in the thickness direction and is connected to the
第1吸引孔7aは、第1基板9の他主面の吸着領域12に開口している。第1吸引孔7aは、例えば円柱状である。第1吸引孔7aの幅(直径)は、例えば0.5mm以上2mm以下である。
The first suction hole 7 a opens in the
第2吸引孔7bは、第2基板10の他主面に開口した排気手段(図示しない)との接続部19につながっている。第2吸引孔7bは、第1吸引孔7aと同様の形状である。
The second suction hole 7 b is connected to a
接続部19は、流体をシールしつつ、排気手段と接続される。この接続部19は、流体をシールするために、ネジ穴が形成されていても構わないし、ヘリサートまたはシールリングが挿入されていても構わない。
The connecting
ダミー孔8は、第2基板10を厚み方向に貫通しているとともにダミー流路5につながっている。このダミー孔8は、第2基板10の他主面に開口して外部とつながっているが、排気手段には接続されない。このようにダミー孔8が第2基板10の他主面に開口しているため、ダミー孔が第1基板9の他主面に開口している場合と比較して、ダミー孔8内に残存したパーティクルが飛散して対象物2を汚染することを抑制できる。ダミー孔8は、例えば円柱状である。ダミー孔8の幅(直径)は、例えば1mm以上5mm以下である。なお、ダミー孔8は、第2基板10の他主面の開口が例えば接着剤等によって塞がっていることによって、外部とつながっていなくても構わない。
The
上述した流路部材1は、排気手段から吸引孔7および流路4を介して、対象物2と吸着領域12との間の空間16の流体を排気することによって、空間16を真空状態とすることによって、対象物2を吸着することができる。この流路部材1は、露光装置や検査装置等の各種装置に用いられる真空吸着装置を構成している。この真空吸着装置は、対象物2を真空吸着する、流路部材1を有する吸着手段と、吸引孔7および流路4を介して吸着領域12および対象物2の間の流体を排気する排気手段とを備えている。
The flow path member 1 described above evacuates the fluid in the space 16 between the
ところで、流路4を流れる流体の圧力が第1基板9と第2基板10との境界に繰り返し加わることによって、第1基板9と第2基板10とが剥離することがある。
By the way, when the pressure of the fluid flowing through the
一方、本実施形態の流路部材1は、図1ないし図3に示すように、第1基板9および第2基板10の間に位置するとともに基体3の主面方向に沿った長手方向を有し、かつ流体が流れないダミー流路5を備えている。その結果、第1基板9と第2基板10との剥離が流体の流れないダミー流路5に達すると、この剥離の進行が抑制されるため、第1基板9と第2基板10との剥離領域の拡大を抑制することができる。したがって、流路部材1の剛性の低下を抑制することができるため、応力が加わった際の流路部材1における変形や歪みを抑制することができる。その結果、対象物2の位置精度を高め、ひいては対象物2の処理精度を高めることができる。
On the other hand, the flow path member 1 of the present embodiment is located between the first substrate 9 and the
また、第1基板9および第2基板10が基体3の流路4から外周部3aに渡って剥離することを抑制できる。その結果、外周部3aからの流路4の流体の漏れを抑制できるため、流路部材1による吸着機能の信頼性を高めることができる。
Moreover, it can suppress that the 1st board | substrate 9 and the 2nd board |
本実施形態の接合剤11は、図3(b)に示すように、一部がダミー流路5に入り込んでいる。その結果、接合剤11によって、第1基板9および第2基板10の接合強度を高め、第1基板9および第2基板10の剥離を抑制できる。この接合剤11の一部は、ダミー流路5の内壁に接合していることが望ましい。その結果、第1基板9および第2基板10の接合強度をより高めることができる。また、接合剤11の一部は、ダミー流路5内において、第1基板9および第2基板10の双方に接合していることが望ましい。その結果、第1基板9および第2基板10の接合強度をより高めることができる。本実施形態の接合剤11の一部は、ダミー流路5内において、第2基板10の一主面におけるダミー溝部18の内壁および第1基板9の一主面に接合している。
As shown in FIG. 3B, a part of the
本実施形態のダミー流路5の少なくとも一部には、図3(c)に示すように、接合剤11が充填されている。その結果、第1基板9および第2基板10の接合強度を高めることができる。
As shown in FIG. 3C, at least a part of the dummy flow path 5 of the present embodiment is filled with a
本実施形態のダミー流路5は、図2(b)に示すように、流路4を取り囲んでいる。その結果、第1基板9と第2基板10との剥離領域の拡大をより抑制することができる。また、第1基板9および第2基板10が基体3の流路4から外周部3aに渡って剥離することを抑制できる。
The dummy channel 5 of the present embodiment surrounds the
本実施形態のダミー流路5は、図2(b)に示すように、基体3の外周部3aおよび流路4の間に位置している。その結果、第1基板9および第2基板10が基体3の流路4から外周部3aに渡って剥離することを抑制できる。
The dummy flow path 5 of this embodiment is located between the outer peripheral part 3a of the base | substrate 3, and the
本実施形態のダミー流路5の少なくとも一部は、図2(b)に示すように、隣接した流路4の一部の長手方向に沿った長手方向を有する。その結果、流路4とダミー流路5との距離のばらつきを抑制することができる。したがって、流路4とダミー流路5との距離が大きくなり過ぎることを抑制して、第1基板9と第2基板10との剥離領域の拡大を抑制することができる。さらに、流路4とダミー流路5との距離が小さくなり過ぎることを抑制して、流路4とダミー流路5とが容易につながってしまうことを抑制できる。
At least a part of the dummy channel 5 of the present embodiment has a longitudinal direction along the longitudinal direction of a part of the
本実施形態のダミー流路5は、流路4に沿って配されており、ダミー流路5と流路4との間の距離は、流路4の幅の2倍以下である。その結果、流路4とダミー流路5との距離が大きくなり過ぎることを抑制して、第1基板9と第2基板10との剥離領域の拡大を抑制することができる。
The dummy channel 5 of this embodiment is arranged along the
本実施形態のダミー流路5は、流路4に沿って配されており、ダミー流路5と流路4との間の距離は、流路4の幅の1倍以上である。その結果、流路4とダミー流路5との距離
が小さくなり過ぎることを抑制して、流路4とダミー流路5とが容易につながってしまうことを抑制できる。
The dummy flow path 5 of the present embodiment is arranged along the
本実施形態のダミー流路5の少なくとも一部は、図2(b)に示すように、流路4の一部および他の一部の間に位置する。その結果、流路4の一部および他の一部の間においても、第1基板9と第2基板10との剥離領域の拡大を抑制することができる。
At least a part of the dummy channel 5 of the present embodiment is located between a part of the
本実施形態のダミー流路5は、図2(b)に示すように、流路4および貫通孔6の間に位置している。その結果、第1基板9および第2基板10が流路4から貫通孔6に渡って剥離することを抑制し、流路4の流体が貫通孔6から漏れることを抑制できる。
The dummy flow path 5 of this embodiment is located between the
次に、上述した流路部材1の製造方法を、第1基板9および第2基板10を炭化珪素質焼結体で形成した場合について、図4を参照しつつ詳細に説明する。
Next, the manufacturing method of the flow path member 1 described above will be described in detail with reference to FIG. 4 in the case where the first substrate 9 and the
(1)図4(a)および(b)に示すように、第1基板9および第2基板10を準備する。具体的には、例えば以下のように行なう。
(1) As shown in FIGS. 4A and 4B, a first substrate 9 and a
まず、炭化珪素粉末に純水と有機バインダーとを加えた後、ボールミルで湿式混合してスラリーを作製する。次に、スラリーをスプレードライにて造粒する。次に、造粒した炭化珪素粒を種々の成形方法を用いて成形して成形体を作製した後、この成形体を切削加工することによって、所望の形状の成形体を作製する。次に、図4(a)に示すように、この成形体を例えば1900℃以上2100℃以下で焼成することによって、第1基板9および第2基板10を作製する。次に、図4(b)に示すように、ブラスト加工を用いて、第1基板9の他主面に、環状部13、底面14および突起部15を含む吸着領域12を形成する。また、研削加工を用いて、第2基板10の一主面に、流路4に対応した形状の溝部17、ダミー流路5に対応した形状のダミー溝部18、第2吸引孔7bおよびダミー孔8を形成する。その結果、第1基板9および第2基板10を準備することができる。
First, pure water and an organic binder are added to silicon carbide powder, and then wet-mixed with a ball mill to prepare a slurry. Next, the slurry is granulated by spray drying. Next, the granulated silicon carbide particles are molded using various molding methods to prepare a molded body, and then the molded body is cut to produce a molded body having a desired shape. Next, as shown to Fig.4 (a), the 1st board | substrate 9 and the 2nd board |
(2)図4(c)に示すように、接合剤11を介して第1基板9の一主面および第2基板10の一主面を接合して基体3を形成する。具体的には、例えば以下のように行なう。
(2) As shown in FIG. 4C, the base 3 is formed by bonding one main surface of the first substrate 9 and one main surface of the
まず、第2基板10の一主面における溝部17およびダミー溝部18以外の領域に、例えばガラス接合剤である接合剤11を塗布する。次に、第1基板9の一主面および第2基板10の一主面を重ね合わせる。この際、第2基板10の一主面の溝部17を第1基板9の一主面の平坦な領域に重ね合わせつつ、第2基板10の一主面のダミー溝部18を第1基板9の一主面の平坦な領域に重ね合わせる。次に、1600℃以下で焼成をすることによって、接合剤11を溶融させつつ、接合剤11を介して第1基板9の一主面および第2基板10の一主面を接合する。その結果、基体3を形成することができる。
First, the
本実施形態においては、第1基板9の一主面には接合剤11を塗布せずに、第2基板10の一主面における溝部17およびダミー溝部18以外の領域に接合剤11を塗布する。その結果、溝部17に接合剤11が入り込むことを抑制することができる。
In the present embodiment, the
本実施形態においては、接合剤11を介して第1基板9の一主面および第2基板10の一主面を接合して基体3を形成することによって、溝部17を、第1基板9および第2基板10の間に位置するとともに基体3の主面方向に沿った長手方向を有し、かつ流体が流れる流路4としつつ、ダミー溝部18を、第1基板9および第2基板10の間に位置するとともに基体3の主面方向に沿った長手方向を有し、かつ流体が流れないダミー流路5とする。その結果、上述した流路4およびダミー流路5を形成することができる。
In the present embodiment, by forming the base 3 by bonding one main surface of the first substrate 9 and one main surface of the
ところで、第1基板9の一主面と第2基板10の一主面とを接合する際に、溶融した接合剤11が流動することがある。特に、溝部17の一部と他の一部との間や溝部17と第1基板9および第2基板10の外周部との間においては、第1基板9および第2基板10の接合領域が大きくなりやすく、流動する接合剤11の量が多くなりやすい。
By the way, when the one main surface of the first substrate 9 and the one main surface of the
一方、本実施形態においては、第1基板9と第2基板10とを接合する際に、ダミー溝部18が第1基板9および第2基板10の間に位置する。したがって、溶融した接合剤11がダミー溝部18に入り込むため、接合剤11の溝部17への入り込みを抑制できる。その結果、接合剤11による流路4の詰まりが抑制できるため、流路4における流体の流れやすさを維持しつつ、流路部材1の吸着機能の信頼性を高めることができる。
On the other hand, in the present embodiment, when the first substrate 9 and the
また、第1基板9と第2基板10とを接合する際に、溶融した接合剤11をダミー溝部18に入り込ませることによって、接合剤11の一部をダミー流路5に入り込ませることができ、さらには、ダミー流路5の少なくとも一部に接合剤11を充填することができる。
Further, when the first substrate 9 and the
本実施形態においては、第1基板9の一主面および第2基板10の一主面を接合する際に、ダミー溝部18は、溝部17を取り囲んでいる。その結果、溝部17の全体に渡って接合剤11の入り込みを抑制できるため、接合剤11による流路4の詰まりを良好に抑制できる。また、溝部17の一部と他の一部との間や溝部17と第1基板9および第2基板10の外周部との間に形成された接合領域から接合剤11が溝部17に入り込むことを抑制できる。
In the present embodiment, the
本実施形態においては、第1基板9の一主面および第2基板10の一主面を接合する際に、ダミー溝部18は、第1基板9および第2基板10の外周部と溝部17との間に位置している。その結果、溝部17と第1基板9および第2基板10の外周部との間に形成された接合領域から接合剤11が溝部17に入り込むことを抑制できる。
In the present embodiment, when the one main surface of the first substrate 9 and the one main surface of the
本実施形態においては、第1基板9の一主面および第2基板10の一主面を接合する際に、ダミー溝部18の少なくとも一部は、隣接した溝部17の一部の長手方向に沿った長手方向を有する。その結果、溝部17とダミー溝部18との距離のばらつきを抑制することによって、溝部17への接合剤11の入り込みを良好に抑制することができる。
In the present embodiment, when joining one main surface of the first substrate 9 and one main surface of the
本実施形態においては、第1基板9の一主面および第2基板10の一主面を接合する際に、ダミー溝部18は、溝部17に沿って配されており、ダミー溝部18と溝部17との間の距離は、溝部17の幅の2倍以下である。その結果、溝部17の一部と他の一部との間や溝部17と第1基板9および第2基板10の外周部との間に形成された接合領域から接合剤11が溝部17に入り込むことを抑制できる。
In the present embodiment, when the one main surface of the first substrate 9 and the one main surface of the
本実施形態においては、第1基板9の一主面および第2基板10の一主面を接合する際に、ダミー溝部18の少なくとも一部は、溝部17の一部および他の一部の間に位置する。その結果、溝部17の一部と他の一部との間に形成された接合領域から接合剤11が溝部17に入り込むことを抑制できる。
In the present embodiment, when the one main surface of the first substrate 9 and the one main surface of the
本実施形態においては、第1基板9の一主面および第2基板10の一主面を接合する際に、第2基板10には、厚み方向に貫通しているとともにダミー溝部18につながったダミー孔8が形成されている。その結果、第1基板9の一主面および第2基板10の一主面を接合する際に、ダミー孔8を介してダミー溝部18内の空気を外部へ逃がすことができるため、焼成時にダミー溝部18内の空気が膨張することに起因した基体3におけるクラックの発生を抑制できる。また、ダミー孔8を介してダミー溝部18内の空気を外部へ逃
がすことができるため、ダミー溝部18内に接合剤11の一部が良好に入り込ませることができる。
In the present embodiment, when joining one main surface of the first substrate 9 and one main surface of the
(3)図4(d)に示すように、例えば研削加工を用いて、基体3に第1吸引孔7aおよび貫通孔6を形成することによって、流路部材1を作製する。 (3) As shown in FIG. 4D, the flow path member 1 is manufactured by forming the first suction holes 7a and the through holes 6 in the base 3 by using, for example, grinding.
以上のようにして、流路部材1を作製することができる。 As described above, the flow path member 1 can be manufactured.
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組合せ等が可能である。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes, improvements, combinations, and the like can be made without departing from the spirit of the present invention.
例えば、上述した実施形態においては、半導体集積回路の製造工程に用いられる流路部材1を例に説明したが、流路部材1は液晶表示装置の製造工程に用いられても構わない。この場合には、対象物2は例えば四角板状のガラス基板となり、流路部材1としては対象物2に対応した四角板状のものを用いることができる。
For example, in the embodiment described above, the flow path member 1 used in the manufacturing process of the semiconductor integrated circuit has been described as an example, but the flow path member 1 may be used in the manufacturing process of the liquid crystal display device. In this case, the
また、上述した実施形態においては、流路部材1を、真空吸着装置を構成する真空チャック(吸着手段)として用いた構成を例に説明したが、流路部材1を、冷却装置を構成する冷却手段として用いても構わない。この冷却装置は、対象物2を冷却することによって、対象物2の温度調節を行なうものである。冷却装置は、対象物2を冷却する流路部材1を有する冷却手段と、対象物2を冷却する流体を流路4に供給する流体供給手段とを備えている。対象物2を冷却する流体としては、例えば水等の液体を用いることができる。また、冷却手段として用いられる流路部材1は、冷却機能を備えた静電チャックであっても構わない。
In the above-described embodiment, the configuration in which the flow path member 1 is used as a vacuum chuck (adsorption means) constituting the vacuum suction device has been described as an example. However, the flow path member 1 is cooled to constitute the cooling device. It may be used as a means. This cooling device is for adjusting the temperature of the
また、上述した実施形態においては、ダミー溝部18が第2基板10の一主面に形成されていた構成を例に説明したが、ダミー溝部18は、図5(a)に示すように、第1基板9の一主面に形成されていても構わないし、図5(b)に示すように、第1基板9の一主面および第2基板10の一主面のそれぞれの対応する位置に形成されていても構わない。
Further, in the above-described embodiment, the configuration in which the
また、上述した実施形態においては、ダミー流路5の長手方向に直交した断面が矩形状である構成を例に説明したが、ダミー流路5の長手方向に直交した断面は、他の形状でもよく、図5(c)に示すように、例えば台形状であっても構わない。 In the above-described embodiment, the configuration in which the cross section orthogonal to the longitudinal direction of the dummy flow path 5 is rectangular has been described as an example. However, the cross section orthogonal to the longitudinal direction of the dummy flow path 5 may have other shapes. Well, as shown in FIG. 5C, for example, it may be trapezoidal.
また、上述した実施形態においては、溝部17が第2基板10の一主面に形成されていた構成を例に説明したが、溝部17は、第1基板9の一主面に形成されていても構わないし、第1基板9の一主面および第2基板10の一主面のそれぞれの対応する位置に形成されていても構わない。
In the embodiment described above, the configuration in which the
また、上述した実施形態においては、流路4の長手方向に直交した断面が矩形状である構成を例に説明したが、流路4の長手方向に直交した断面は、他の形状でもよく、例えば台形状であっても構わない。
In the above-described embodiment, the configuration in which the cross section orthogonal to the longitudinal direction of the
また、上述した実施形態においては、吸引孔7が第2吸引孔7bを有する構成を例に説明したが、吸引孔7が第2吸引孔7aを有していなくても構わない。この場合には、例えば流路4が基体3の側面に開口しており、この開口が排気手段に接続されても構わない。
In the above-described embodiment, the configuration in which the suction hole 7 has the second suction hole 7b has been described as an example. However, the suction hole 7 may not have the second suction hole 7a. In this case, for example, the
また、上述した実施形態においては、工程(2)において、第2基板10の一主面における溝部17およびダミー溝部18以外の領域に接合剤11を塗布した構成を例に説明したが、第1基板9の一主面に接合剤11を塗布しても構わないし、第1基板9の一主面お
よび第2基板10の一主面の双方に接合剤11を塗布しても構わない。
In the above-described embodiment, the configuration in which the
1 流路部材
2 対象物
3 基体
3a 外周部
4 流路
5 ダミー流路
6 貫通孔
7 吸引孔
7a 第1吸引孔
7b 第2吸引孔
8 ダミー孔
9 第1基板
10 第2基板
11 接合剤
12 吸着領域
13 環状部
14 底面
15 突起部
16 対象物と吸着領域との間の空間
17 溝部
18 ダミー溝部
19 接続部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (10)
前記第1基板および前記第2基板の間に位置するとともに前記基体の主面方向に沿った長手方向を有し、かつ流体が流れる流路と、
前記第1基板および前記第2基板の間に位置するとともに前記基体の主面方向に沿った長手方向を有するダミー流路とを備え、
前記流路と前記ダミー流路は、前記第1基板と前記第2基板とが接合された部位を挟んで位置し、
前記ダミー流路は、少なくとも一部に空間を有していることを特徴とする流路部材。 A base having a first substrate and a second substrate bonded to one major surface of the first substrate;
A flow path that is located between the first substrate and the second substrate and has a longitudinal direction along a main surface direction of the base body, and through which a fluid flows;
A dummy channel located between the first substrate and the second substrate and having a longitudinal direction along the principal surface direction of the base body,
The flow path and the dummy flow path are located across a portion where the first substrate and the second substrate are joined,
The dummy channel has a space in at least a part thereof.
前記ダミー流路は、少なくとも一部に接合剤が入り込んでいることを特徴とする流路部材。 In the flow path member according to claim 1,
A flow path member, wherein the dummy flow path contains a bonding agent in at least a part thereof.
前記ダミー流路の少なくとも一部には、前記接合剤が充填されていることを特徴とする流路部材。 The flow path member according to claim 2,
A channel member, wherein at least a part of the dummy channel is filled with the bonding agent.
前記ダミー流路は、前記流路を取り囲んでいることを特徴とする流路部材。 In the flow path member according to claim 1,
The flow path member, wherein the dummy flow path surrounds the flow path.
前記ダミー流路は前記流路に沿って配されており、前記ダミー流路と前記流路との距離は、前記流路の幅の2倍以下であることを特徴とする流路部材。 In the flow path member according to claim 1,
The dummy channel is disposed along the channel, and the distance between the dummy channel and the channel is not more than twice the width of the channel.
前記基体を厚み方向に貫通した貫通孔をさらに備え、
前記ダミー流路は、前記流路および前記貫通孔の間に位置していることを特徴とする流路部材。 In the flow path member according to claim 1,
Further comprising a through hole penetrating the substrate in the thickness direction;
The channel member, wherein the dummy channel is located between the channel and the through hole.
前記第1基板を厚み方向に貫通した吸引孔をさらに備え、
前記第1基板は、前記吸引孔が開口しているとともに対象物を真空吸着する吸着領域を他主面に有し、
前記吸引孔は、前記流路につながっており、かつ前記ダミー流路にはつながっていないことを特徴とする流路部材。 In the flow path member according to claim 1,
A suction hole penetrating the first substrate in the thickness direction;
The first substrate has an adsorption area in which the suction hole is opened and vacuum-adsorbs an object on the other main surface,
The flow path member, wherein the suction hole is connected to the flow path and is not connected to the dummy flow path.
前記ダミー溝部が、少なくとも一部に空間を有するダミー流路となるように、接合剤を介して前記第1基板の一主面および前記第2基板の一主面を接合する工程とを備えたことを特徴とする流路部材の製造方法。 While forming a groove having a longitudinal direction along a corresponding one principal surface direction on at least one of the one principal surface of the first substrate and the one principal surface of the second substrate, the one principal surface of the first substrate and the first substrate Forming a dummy groove portion having a longitudinal direction along one main surface direction at a position not overlapping with the groove portion on at least one main surface of the two substrates;
A step of bonding one main surface of the first substrate and one main surface of the second substrate with a bonding agent so that the dummy groove portion becomes a dummy flow path having a space in at least a part thereof. A method for manufacturing a flow path member.
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